JPH08146467A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH08146467A JPH08146467A JP28686694A JP28686694A JPH08146467A JP H08146467 A JPH08146467 A JP H08146467A JP 28686694 A JP28686694 A JP 28686694A JP 28686694 A JP28686694 A JP 28686694A JP H08146467 A JPH08146467 A JP H08146467A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＩＭ素子１０１を、その第１電極１２ａの
エッジ部および側端部が、第２電極１５ａとは対向せ
ず、この部分がスイッチング素子としては機能しない構
造とし、ＭＩＭ素子の特性のばらつきや劣化を防ぐ。 【構成】 画素電極１５と列電極１２との間に接続され
たスイッチング用のＭＩＭ素子１０１を、その第１電極
１２ａを平坦化膜１３により埋め込み、該第１電極１２
ａ上に非線形抵抗層１４を介して第２電極１５ａを形成
した構造とした。
エッジ部および側端部が、第２電極１５ａとは対向せ
ず、この部分がスイッチング素子としては機能しない構
造とし、ＭＩＭ素子の特性のばらつきや劣化を防ぐ。 【構成】 画素電極１５と列電極１２との間に接続され
たスイッチング用のＭＩＭ素子１０１を、その第１電極
１２ａを平坦化膜１３により埋め込み、該第１電極１２
ａ上に非線形抵抗層１４を介して第２電極１５ａを形成
した構造とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２端子非線形素子を備
えた液晶表示装置に関する。
えた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶を用いて大容量の文字や画像などの
表示を行う方法として、２端子の非線形素子、あるいは
３端子の能動素子を用いる方法が盛んに研究、開発され
ている。
表示を行う方法として、２端子の非線形素子、あるいは
３端子の能動素子を用いる方法が盛んに研究、開発され
ている。
【０００３】２端子の非線形素子は、３端子素子に比べ
て構造が簡単で製造工程が少ないという利点を有する。
２端子の非線形素子を用いる方法としては、大きく分け
て、容量の非線形性を利用する方法と、電気抵抗の非線
形性を利用する方法とがある。
て構造が簡単で製造工程が少ないという利点を有する。
２端子の非線形素子を用いる方法としては、大きく分け
て、容量の非線形性を利用する方法と、電気抵抗の非線
形性を利用する方法とがある。
【０００４】容量の非線形性を用いて液晶表示を行う試
みはＧｒａｂｍａｉｒらよりＭｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉ
ｑ．Ｃｒｙｓｔ．１５（１９７１）に発表されており、
また、強誘電体を用いた液晶素子がＴａｎｎａｓらより
ＳＩＤ’７３Ｓｙｍｐ．Ｄｉｇｅｓｔ（１９７３）に発
表されている。
みはＧｒａｂｍａｉｒらよりＭｏｌ．Ｃｒｙｓｔ．Ｌｉ
ｑ．Ｃｒｙｓｔ．１５（１９７１）に発表されており、
また、強誘電体を用いた液晶素子がＴａｎｎａｓらより
ＳＩＤ’７３Ｓｙｍｐ．Ｄｉｇｅｓｔ（１９７３）に発
表されている。
【０００５】しかし、この方法は、駆動電圧が高く、強
誘電体を用いるものでは誘電率の温度依存性が大きいと
いう欠点があり、現在のところ実用化まで至っていな
い。
誘電体を用いるものでは誘電率の温度依存性が大きいと
いう欠点があり、現在のところ実用化まで至っていな
い。
【０００６】一方、電気抵抗の非線形性を用いる方法と
しては、ＬｅｃｈｎｅｒがＰｒｏｃ．ＩＥＥＥ５９．
（１９７１）においてダイオードを用いる方法を、Ｃａ
ｓｔｌｅｂｅｒｒｙがＩＥＥＥ．Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＥＤ−２６（１９７９）に
ＺｎＯのバリスタを用いる方法を、ＢａｒａｆｆがＩＥ
ＥＥ．Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
ＥＤ−２８（１９８１）においてＭｅｔａｌ−Ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ（ＭＩＭ）を用いる方法をそ
れぞれ提案している。
しては、ＬｅｃｈｎｅｒがＰｒｏｃ．ＩＥＥＥ５９．
（１９７１）においてダイオードを用いる方法を、Ｃａ
ｓｔｌｅｂｅｒｒｙがＩＥＥＥ．Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ
ｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＥＤ−２６（１９７９）に
ＺｎＯのバリスタを用いる方法を、ＢａｒａｆｆがＩＥ
ＥＥ．Ｔｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ
ＥＤ−２８（１９８１）においてＭｅｔａｌ−Ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ（ＭＩＭ）を用いる方法をそ
れぞれ提案している。
【０００７】また、液晶表示装置として、非線形抵抗層
として酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を用いたＭＩＭ型の２
端子素子（以下、ＭＩＭ素子と略記する。）を有するも
のが商品化されている。
として酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を用いたＭＩＭ型の２
端子素子（以下、ＭＩＭ素子と略記する。）を有するも
のが商品化されている。
【０００８】このＭＩＭ素子はその特徴として、（１）
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のようにタイミング信号線
とデータ信号線とを必要としないので、ＴＦＴに比べて
画面中で画素領域の占める割合（開口率）を大きくでき
ること、（２）両信号線の交差点部での絶縁不良が原因
で生じる表示の線欠陥がその構造上少なく、その製造工
程も簡単であることから、製造の歩留りを向上できるこ
と、（３）アモルファスシリコンを用いたＴＦＴやダイ
オードで問題となる光励起電流が発生せず、ＭＩＭ素子
を外部光から遮蔽する必要がないこと、等を有する。
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のようにタイミング信号線
とデータ信号線とを必要としないので、ＴＦＴに比べて
画面中で画素領域の占める割合（開口率）を大きくでき
ること、（２）両信号線の交差点部での絶縁不良が原因
で生じる表示の線欠陥がその構造上少なく、その製造工
程も簡単であることから、製造の歩留りを向上できるこ
と、（３）アモルファスシリコンを用いたＴＦＴやダイ
オードで問題となる光励起電流が発生せず、ＭＩＭ素子
を外部光から遮蔽する必要がないこと、等を有する。
【０００９】図４は、従来のＭＩＭ素子の基本的な構造
を示す。図において、４０はＭＩＭ素子で、そのＴａ等
からなる第１電極４２は基板４１上にスパッタリング等
により形成され、該第１電極４２の表面には、その陽極
酸化によりＴａ2Ｏ5からなる非線形抵抗層４３が形成さ
れている。非線形抵抗層４３の上にはＣｒ等からなる第
２電極４４が形成されている。そして、さらに、上記基
板４１上にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄ
ｅ）などの透明導電膜からなる画素電極４６が、第２電
極４４と電気的につながるよう形成されている。
を示す。図において、４０はＭＩＭ素子で、そのＴａ等
からなる第１電極４２は基板４１上にスパッタリング等
により形成され、該第１電極４２の表面には、その陽極
酸化によりＴａ2Ｏ5からなる非線形抵抗層４３が形成さ
れている。非線形抵抗層４３の上にはＣｒ等からなる第
２電極４４が形成されている。そして、さらに、上記基
板４１上にはＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄ
ｅ）などの透明導電膜からなる画素電極４６が、第２電
極４４と電気的につながるよう形成されている。
【００１０】このようなＭＩＭ素子を有する基板を、ス
トライプ状に対向電極が設けられた対向基板と貼り合わ
せ、該両基板の間隙に液晶を注入し、封止することによ
り液晶パネルが作製される。
トライプ状に対向電極が設けられた対向基板と貼り合わ
せ、該両基板の間隙に液晶を注入し、封止することによ
り液晶パネルが作製される。
【００１１】しかし、このようなＭＩＭ素子の構造で
は、第１電極４２のエッジ部および側端面４７が、ＭＩ
Ｍ素子として機能する素子駆動部として利用されるの
で、特に上記エッジ部での非線形抵抗層のカバレッジの
劣化に起因して素子特性のばらつきや劣化が生じるとい
う問題があった。
は、第１電極４２のエッジ部および側端面４７が、ＭＩ
Ｍ素子として機能する素子駆動部として利用されるの
で、特に上記エッジ部での非線形抵抗層のカバレッジの
劣化に起因して素子特性のばらつきや劣化が生じるとい
う問題があった。
【００１２】また、特開平１−２７００２７号公報に
は、図５に示すように従来の他のＭＩＭ素子の構造が開
示されている。このＭＩＭ素子５０においても、そのＴ
ａ等からなる第１電極５２が基板５１上に形成され、該
第１電極５２の表面にはＴａ2Ｏ5からなる非線形抵抗層
５３が形成されている。そしてこのＭＩＭ素子では、こ
の非線形抵抗層５３上には、絶縁性中間層５４を介して
第２電極５６が形成されており、該第２電極５６は、該
中間層５４に形成されたコンタクトホール５５を介して
非線形抵抗層５３と接続されている。また、上記中間層
５４上には、第２電極５６と電気的につながるよう画素
電極５７が形成されている。
は、図５に示すように従来の他のＭＩＭ素子の構造が開
示されている。このＭＩＭ素子５０においても、そのＴ
ａ等からなる第１電極５２が基板５１上に形成され、該
第１電極５２の表面にはＴａ2Ｏ5からなる非線形抵抗層
５３が形成されている。そしてこのＭＩＭ素子では、こ
の非線形抵抗層５３上には、絶縁性中間層５４を介して
第２電極５６が形成されており、該第２電極５６は、該
中間層５４に形成されたコンタクトホール５５を介して
非線形抵抗層５３と接続されている。また、上記中間層
５４上には、第２電極５６と電気的につながるよう画素
電極５７が形成されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図５に示す
ような構造のＭＩＭ素子５０では、第１電極５２のエッ
ジ部および側端面が、ＭＩＭ素子として機能する素子駆
動部として利用されない構造となっているので、上記エ
ッジ部での非線形抵抗層５３や絶縁膜５４のカバレッジ
の劣化があっても、素子特性のばらつきや劣化を防ぐこ
とができる。しかし、中間層５４を設けてコンタクトホ
ール５５をエッチング等により形成する必要があり、プ
ロセスが複雑となり、必要なマスク枚数も増えるので、
液晶パネルとしての製造歩留りが低下するという問題が
あった。
ような構造のＭＩＭ素子５０では、第１電極５２のエッ
ジ部および側端面が、ＭＩＭ素子として機能する素子駆
動部として利用されない構造となっているので、上記エ
ッジ部での非線形抵抗層５３や絶縁膜５４のカバレッジ
の劣化があっても、素子特性のばらつきや劣化を防ぐこ
とができる。しかし、中間層５４を設けてコンタクトホ
ール５５をエッチング等により形成する必要があり、プ
ロセスが複雑となり、必要なマスク枚数も増えるので、
液晶パネルとしての製造歩留りが低下するという問題が
あった。
【００１４】本発明は、上記のような従来の問題点を解
決すべくなされたものであり、製造プロセスが簡単で、
しかも特性のばらつきや劣化のない非線形素子を有する
液晶表示装置を提供することが本発明の目的である。
決すべくなされたものであり、製造プロセスが簡単で、
しかも特性のばらつきや劣化のない非線形素子を有する
液晶表示装置を提供することが本発明の目的である。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明に係る液晶表示
装置は、複数の行電極を有する第１の基板と、該第１の
基板に対向するよう配置され、該行電極と交差する複数
の列電極を有する第２の基板と、該両基板間に挟持され
た液晶層と、該両基板のうちの一方の基板上における該
両電極の交差部にマトリクス状に配置された複数の画素
電極と、該画素電極と行電極あるいは列電極との間に接
続された複数のスイッチング用の非線形素子とを備えて
いる。該スイッチング用の非線形素子は、該一方の基板
上に形成された第１電極と、該一方の基板上に該第１電
極間を埋めるように形成された平坦化膜と、該第１電極
上に形成された非線形抵抗層と、該非線形抵抗層上に形
成された第２電極とを有し、該平坦化膜の膜厚Ｄ１と該
第１電極の膜厚Ｄ２とがＤ１≧Ｄ２の関係を満たす２端
子非線形素子である。そのことにより上記目的が達成さ
れる。
装置は、複数の行電極を有する第１の基板と、該第１の
基板に対向するよう配置され、該行電極と交差する複数
の列電極を有する第２の基板と、該両基板間に挟持され
た液晶層と、該両基板のうちの一方の基板上における該
両電極の交差部にマトリクス状に配置された複数の画素
電極と、該画素電極と行電極あるいは列電極との間に接
続された複数のスイッチング用の非線形素子とを備えて
いる。該スイッチング用の非線形素子は、該一方の基板
上に形成された第１電極と、該一方の基板上に該第１電
極間を埋めるように形成された平坦化膜と、該第１電極
上に形成された非線形抵抗層と、該非線形抵抗層上に形
成された第２電極とを有し、該平坦化膜の膜厚Ｄ１と該
第１電極の膜厚Ｄ２とがＤ１≧Ｄ２の関係を満たす２端
子非線形素子である。そのことにより上記目的が達成さ
れる。
【００１６】この発明において、前記非線形抵抗層は、
第１電極を陽極酸化してなる陽極酸化膜からなることが
好ましい。
第１電極を陽極酸化してなる陽極酸化膜からなることが
好ましい。
【００１７】この発明に係る液晶表示装置は、複数の行
電極を有する第１の基板と、該第１の基板に対向するよ
う配置され、該行電極と交差する複数の列電極を有する
第２の基板と、該両基板間に挟持された液晶層と、該両
基板のうちの一方の基板上における該両電極の交差部に
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、該画素電
極と行電極あるいは列電極との間に接続された複数のス
イッチング用の非線形素子とを備えている。該スイッチ
ング用の非線形素子は、該一方の基板上に形成された第
１電極と、該一方の基板上に該第１電極間を埋めるよう
に形成された平坦化膜と、該第１電極および平坦化膜を
覆うように形成された非線形抵抗層と、該非線形抵抗層
上に形成された第２電極とを有し、該平坦化膜の膜厚Ｄ
１と該第１電極の膜厚Ｄ２とがＤ１≧Ｄ２の関係を満た
す２端子非線形素子である。そのことにより上記目的が
達成される。
電極を有する第１の基板と、該第１の基板に対向するよ
う配置され、該行電極と交差する複数の列電極を有する
第２の基板と、該両基板間に挟持された液晶層と、該両
基板のうちの一方の基板上における該両電極の交差部に
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、該画素電
極と行電極あるいは列電極との間に接続された複数のス
イッチング用の非線形素子とを備えている。該スイッチ
ング用の非線形素子は、該一方の基板上に形成された第
１電極と、該一方の基板上に該第１電極間を埋めるよう
に形成された平坦化膜と、該第１電極および平坦化膜を
覆うように形成された非線形抵抗層と、該非線形抵抗層
上に形成された第２電極とを有し、該平坦化膜の膜厚Ｄ
１と該第１電極の膜厚Ｄ２とがＤ１≧Ｄ２の関係を満た
す２端子非線形素子である。そのことにより上記目的が
達成される。
【００１８】この発明において、前記第１電極および平
坦化膜を覆う非線形抵抗層は、硫化亜鉛から構成されて
いることが好ましい。
坦化膜を覆う非線形抵抗層は、硫化亜鉛から構成されて
いることが好ましい。
【００１９】この発明において、前記平坦化膜はレジス
トからなることが好ましい。
トからなることが好ましい。
【００２０】
【作用】本発明においては、画素電極と行電極あるいは
列電極との間に接続されたスイッチング用の２端子非線
形素子を、その第１電極を平坦化膜により埋め込み、該
第１電極上に非線形抵抗層を介して第２電極を形成した
構造とし、該平坦化膜の膜厚Ｄ１と該第１電極の膜厚Ｄ
２とがＤ１≧Ｄ２の関係を満たすようにしたから、第１
電極のエッジ部および側端部は、第２電極とは対向せ
ず、この部分はスイッチング素子としては機能しなくな
る。このため、素子特性のばらつきや劣化を防ぐことが
できる。
列電極との間に接続されたスイッチング用の２端子非線
形素子を、その第１電極を平坦化膜により埋め込み、該
第１電極上に非線形抵抗層を介して第２電極を形成した
構造とし、該平坦化膜の膜厚Ｄ１と該第１電極の膜厚Ｄ
２とがＤ１≧Ｄ２の関係を満たすようにしたから、第１
電極のエッジ部および側端部は、第２電極とは対向せ
ず、この部分はスイッチング素子としては機能しなくな
る。このため、素子特性のばらつきや劣化を防ぐことが
できる。
【００２１】また、平坦化膜としてレジストを用いる
と、平坦化膜のパターニングの簡略化を図ることができ
る。
と、平坦化膜のパターニングの簡略化を図ることができ
る。
【００２２】例えば、上記基板上に第１電極を形成した
後、レジストを塗布して基板の裏面からの露光を用いて
該レジストをパターニングするようにすることにより、
平坦化膜の形成にマスクが不要となる。この結果、必要
とされるマスクは、上記２端子非線形素子の第１電極お
よび第２電極を形成する際の２枚だけとなり、製造工程
を簡単にすることができる。
後、レジストを塗布して基板の裏面からの露光を用いて
該レジストをパターニングするようにすることにより、
平坦化膜の形成にマスクが不要となる。この結果、必要
とされるマスクは、上記２端子非線形素子の第１電極お
よび第２電極を形成する際の２枚だけとなり、製造工程
を簡単にすることができる。
【００２３】また、非線形抵抗層として、第１電極の表
面を陽極酸化してなる陽極酸化膜を用いることにより、
非線形抵抗層の形成を容易に行うことができる。
面を陽極酸化してなる陽極酸化膜を用いることにより、
非線形抵抗層の形成を容易に行うことができる。
【００２４】また、非線形抵抗層として硫化亜鉛膜を用
いることにより、酸化タンタルを用いたＭＩＭ素子に比
べて大きいオンオフ比を取ることが可能となり、急峻な
素子特性が得られる。また、硫化亜鉛膜は酸化タンタル
に比べて誘電率が低いので、液晶に対する非線形抵抗素
子の容量比を小さくして、素子への電圧印加を効率的に
行うことができる。
いることにより、酸化タンタルを用いたＭＩＭ素子に比
べて大きいオンオフ比を取ることが可能となり、急峻な
素子特性が得られる。また、硫化亜鉛膜は酸化タンタル
に比べて誘電率が低いので、液晶に対する非線形抵抗素
子の容量比を小さくして、素子への電圧印加を効率的に
行うことができる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００２６】（実施例１）図１は、本発明の第１の実施
例による液晶表示装置を説明するための平面図であり、
非線形素子を有する素子側基板の画素部を示している。
図２は図１のＡ−Ａ’線断面図である。
例による液晶表示装置を説明するための平面図であり、
非線形素子を有する素子側基板の画素部を示している。
図２は図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【００２７】図において、１０１は本実施例のＭＩＭ型
の非線形素子で、ガラス等の絶縁基板１１上に形成され
た第１電極１２ａと、該第１電極上に形成された非線形
抵抗層１４と、該非線形抵抗層１４上に形成された第２
電極１５ａとから構成されている。ここで上記第１電極
１２ａ及び非線形抵抗層１４は、上記絶縁基板１１上に
形成された平坦化層１３により埋め込まれており、上記
非線形抵抗層１４の表面は、該平坦化層１３の表面と一
致している。また上記第１電極１２ａは、上記絶縁基板
１１上に形成された列電極１２と一体に構成されてお
り、また上記第２電極１５ａは、上記平坦化層１３上に
形成された画素電極１５と一体に構成されている。
の非線形素子で、ガラス等の絶縁基板１１上に形成され
た第１電極１２ａと、該第１電極上に形成された非線形
抵抗層１４と、該非線形抵抗層１４上に形成された第２
電極１５ａとから構成されている。ここで上記第１電極
１２ａ及び非線形抵抗層１４は、上記絶縁基板１１上に
形成された平坦化層１３により埋め込まれており、上記
非線形抵抗層１４の表面は、該平坦化層１３の表面と一
致している。また上記第１電極１２ａは、上記絶縁基板
１１上に形成された列電極１２と一体に構成されてお
り、また上記第２電極１５ａは、上記平坦化層１３上に
形成された画素電極１５と一体に構成されている。
【００２８】そして、本実施例の液晶表示装置では、液
晶パネルは、このようなＭＩＭ素子１０１を形成した素
子側基板１１に、ストライプ状に行電極を設けた対向基
板を貼り合わせ、該両基板間に液晶を注入し封止した構
造となっている。
晶パネルは、このようなＭＩＭ素子１０１を形成した素
子側基板１１に、ストライプ状に行電極を設けた対向基
板を貼り合わせ、該両基板間に液晶を注入し封止した構
造となっている。
【００２９】次に上記絶縁基板上にＭＩＭ素子等を作製
する方法について説明する。
する方法について説明する。
【００３０】まず、ガラス等からなる絶縁性基板１１上
に、金属膜、例えばＴａ膜をスパッタリング法、ＣＶＤ
法、あるいは蒸着法等の薄膜形成方法により形成する。
ここで、Ｔａ膜の膜厚は３００ｎｍとする。
に、金属膜、例えばＴａ膜をスパッタリング法、ＣＶＤ
法、あるいは蒸着法等の薄膜形成方法により形成する。
ここで、Ｔａ膜の膜厚は３００ｎｍとする。
【００３１】次に、該Ｔａ膜をパターニングして列電極
１２及びＭＩＭ素子の第１電極１２ａを一体に形成す
る。
１２及びＭＩＭ素子の第１電極１２ａを一体に形成す
る。
【００３２】次に、上記絶縁基板１１の全面に、ネガ型
レジストを第１電極１２ａ等（Ｔａ膜）の膜厚より厚く
塗布し、該レジストを基板裏面より露光して、これを現
像する。これにより、第１電極１２ａ間を埋めるよう平
坦化膜１３が形成される。ここで、平坦化膜１３の膜厚
Ｄ１は、第１電極（Ｔａ膜）の膜厚Ｄ２に対してＤ１≧
Ｄ２とするのが望ましい。例えば第１電極の膜厚Ｄ２を
３００ｎｍとした場合には、平坦化膜１３の膜厚Ｄ１は
３００ｎｍ〜３５０ｎｍ程度にする。
レジストを第１電極１２ａ等（Ｔａ膜）の膜厚より厚く
塗布し、該レジストを基板裏面より露光して、これを現
像する。これにより、第１電極１２ａ間を埋めるよう平
坦化膜１３が形成される。ここで、平坦化膜１３の膜厚
Ｄ１は、第１電極（Ｔａ膜）の膜厚Ｄ２に対してＤ１≧
Ｄ２とするのが望ましい。例えば第１電極の膜厚Ｄ２を
３００ｎｍとした場合には、平坦化膜１３の膜厚Ｄ１は
３００ｎｍ〜３５０ｎｍ程度にする。
【００３３】ここで、上記レジストの露光現像後に、熱
処理を行って平坦化膜１３のエッジ部にテーパーを持た
せてもよい。また、上記基板裏面側からの露光の際に、
第１電極１２上部に回り込むような光を利用して、平坦
化膜１３が第１電極１２の端部を覆うような構造として
もよい。この場合、第１電極１２と接する非線形抵抗層
１４の面積が小さくなり、素子容量が微小なＭＩＭ素子
を形成することもできる。さらに、平坦化膜１３表面を
凹凸形状とすることにより、その上に形成される画素電
極１５を凹凸形状にすると、該画素電極１５での反射光
が散乱することとなり、表示品位を高めることもでき
る。
処理を行って平坦化膜１３のエッジ部にテーパーを持た
せてもよい。また、上記基板裏面側からの露光の際に、
第１電極１２上部に回り込むような光を利用して、平坦
化膜１３が第１電極１２の端部を覆うような構造として
もよい。この場合、第１電極１２と接する非線形抵抗層
１４の面積が小さくなり、素子容量が微小なＭＩＭ素子
を形成することもできる。さらに、平坦化膜１３表面を
凹凸形状とすることにより、その上に形成される画素電
極１５を凹凸形状にすると、該画素電極１５での反射光
が散乱することとなり、表示品位を高めることもでき
る。
【００３４】その後、第１電極１２ａの表面を陽極酸化
して、その上に膜厚約５０ｎｍの非線形抵抗層１４を形
成する。
して、その上に膜厚約５０ｎｍの非線形抵抗層１４を形
成する。
【００３５】次に、Ａｌ等の金属を形成し、これをパタ
ーニングして、画素電極１５及びＭＩＭ素子１０１の第
２電極１５ａを一体に形成する。これにより、第１電極
１２ａ、非線形抵抗層１４および第２電極１５ａからな
るＭＩＭ素子１０１が形成される。この時、液晶材料の
容量をＣL、ＭＩＭ素子の容量をＣDとすると、ＣL≫ＣD
となるように、上記第２電極１５ａが第１電極１２ａと
対向する面積を決める。
ーニングして、画素電極１５及びＭＩＭ素子１０１の第
２電極１５ａを一体に形成する。これにより、第１電極
１２ａ、非線形抵抗層１４および第２電極１５ａからな
るＭＩＭ素子１０１が形成される。この時、液晶材料の
容量をＣL、ＭＩＭ素子の容量をＣDとすると、ＣL≫ＣD
となるように、上記第２電極１５ａが第１電極１２ａと
対向する面積を決める。
【００３６】続いて、該ＭＩＭ素子を形成した基板１１
上に配向膜（図示せず）を塗布し、これを硬化した後に
配向処理を行って素子側基板を完成する。
上に配向膜（図示せず）を塗布し、これを硬化した後に
配向処理を行って素子側基板を完成する。
【００３７】一方、対向側基板は、ガラス等からなる絶
縁性基板上にＩＴＯ等の透明導電膜を形成し、これをパ
ターニングして対向電極（行電極）を形成し、その上に
配向膜を塗布し、その硬化後に配向処理を行って作製す
る。
縁性基板上にＩＴＯ等の透明導電膜を形成し、これをパ
ターニングして対向電極（行電極）を形成し、その上に
配向膜を塗布し、その硬化後に配向処理を行って作製す
る。
【００３８】以上のようにして作製した素子側基板と対
向側基板とを、該両基板の電極が交差するように貼り合
わせて、両基板の間隙に液晶を注入し封止して液晶パネ
ルを作製する。
向側基板とを、該両基板の電極が交差するように貼り合
わせて、両基板の間隙に液晶を注入し封止して液晶パネ
ルを作製する。
【００３９】このような構成の本実施例の液晶表示装置
では、列電極１２及び第１電極１２ａと対向側電極（行
電極）との間に電圧Ｖが印加されると、ＭＩＭ素子に印
加される電圧ＶDは、ＣLＶ／（ＣL＋ＣD）となり、ＣL
≫ＣDの時には十分な電圧がＭＩＭ素子に印加される。
この素子に印加される電圧ＶDが閾値電圧ＶTHを超える
と、ＭＩＭ素子が導通状態になり、液晶セル容量ＣLが
充電されて、液晶パネル上にて表示が行われる。
では、列電極１２及び第１電極１２ａと対向側電極（行
電極）との間に電圧Ｖが印加されると、ＭＩＭ素子に印
加される電圧ＶDは、ＣLＶ／（ＣL＋ＣD）となり、ＣL
≫ＣDの時には十分な電圧がＭＩＭ素子に印加される。
この素子に印加される電圧ＶDが閾値電圧ＶTHを超える
と、ＭＩＭ素子が導通状態になり、液晶セル容量ＣLが
充電されて、液晶パネル上にて表示が行われる。
【００４０】図６には、本実施例のＭＩＭ素子のＩ−Ｖ
特性が曲線Ｘ１により示されており、この特性は、図５
に示す従来のＭＩＭ素子のＩ−Ｖ特性と比べても同等で
あり、また、ＭＩＭ素子特性のばらつきや劣化が見られ
ず、しかも製造プロセスが簡単な非線形素子が得られ
た。
特性が曲線Ｘ１により示されており、この特性は、図５
に示す従来のＭＩＭ素子のＩ−Ｖ特性と比べても同等で
あり、また、ＭＩＭ素子特性のばらつきや劣化が見られ
ず、しかも製造プロセスが簡単な非線形素子が得られ
た。
【００４１】このように本実施例では、画素電極１５と
列電極１２との間に接続されたスイッチング用の２端子
非線形素子１０１を、その第１電極１２ａを平坦化膜１
３により埋め込み、該第１電極１２ａ上に非線形抵抗層
１４を介して第２電極１５ａを形成した構造としたの
で、第１電極１２ａのエッジ部および端部がＭＩＭ素子
の素子駆動部として利用されない構造を実現できる。こ
のため、素子特性のばらつきや劣化を防ぐことができ、
急峻なＩ−Ｖ特性を有するＭＩＭ素子が得られる。
列電極１２との間に接続されたスイッチング用の２端子
非線形素子１０１を、その第１電極１２ａを平坦化膜１
３により埋め込み、該第１電極１２ａ上に非線形抵抗層
１４を介して第２電極１５ａを形成した構造としたの
で、第１電極１２ａのエッジ部および端部がＭＩＭ素子
の素子駆動部として利用されない構造を実現できる。こ
のため、素子特性のばらつきや劣化を防ぐことができ、
急峻なＩ−Ｖ特性を有するＭＩＭ素子が得られる。
【００４２】また、平坦化膜としてレジストを用いてい
るため、平坦化膜のパターニング工程の簡略化を図るこ
とができる。
るため、平坦化膜のパターニング工程の簡略化を図るこ
とができる。
【００４３】特に、裏面露光法を用いるため、平坦化膜
の形成にマスクが不要となり、必要とされるマスクが第
１電極および第２電極の形成の際の２枚だけとなり、製
造工程を簡単にして液晶表示装置の歩留りを向上するこ
とができる。
の形成にマスクが不要となり、必要とされるマスクが第
１電極および第２電極の形成の際の２枚だけとなり、製
造工程を簡単にして液晶表示装置の歩留りを向上するこ
とができる。
【００４４】さらに、画素電極１５は平坦化膜１３上に
形成されるので、配向膜の形成後、ラビング工程におい
て画素電極１５による配向不良を防ぐことができ、良好
な表示画面が得られる。
形成されるので、配向膜の形成後、ラビング工程におい
て画素電極１５による配向不良を防ぐことができ、良好
な表示画面が得られる。
【００４５】また、非線形抵抗層として、第１電極の表
面を陽極酸化してなる陽極酸化膜を用いているため、該
非線形抵抗層の形成は容易なものとなっている。
面を陽極酸化してなる陽極酸化膜を用いているため、該
非線形抵抗層の形成は容易なものとなっている。
【００４６】（実施例２）図３は本発明の第２の実施例
による液晶表示装置を説明するための図であり、図１の
Ａ−Ａ’線に相当する部分の断面構造を示している。図
において、１０２は本実施例における２端子非線形素子
で、ガラス等の絶縁基板１１上に形成された第１電極１
２ａと、該第１電極上に形成された非線形抵抗層２４
と、該非線形抵抗層２４上に形成された第２電極１５ａ
とから構成されている。ここでは、上記第１電極１２ａ
は、上記第１の実施例と同様、上記絶縁基板１１上に形
成された平坦化層１３により埋め込まれているが、上記
非線形抵抗層２４は、第１電極１２ａ及び平坦化層１３
上に形成されている。また、このため画素電極１５は、
上記非線形抵抗層２４上に配置されている。その他の構
成は、第１実施例の液晶表示装置と同一である。
による液晶表示装置を説明するための図であり、図１の
Ａ−Ａ’線に相当する部分の断面構造を示している。図
において、１０２は本実施例における２端子非線形素子
で、ガラス等の絶縁基板１１上に形成された第１電極１
２ａと、該第１電極上に形成された非線形抵抗層２４
と、該非線形抵抗層２４上に形成された第２電極１５ａ
とから構成されている。ここでは、上記第１電極１２ａ
は、上記第１の実施例と同様、上記絶縁基板１１上に形
成された平坦化層１３により埋め込まれているが、上記
非線形抵抗層２４は、第１電極１２ａ及び平坦化層１３
上に形成されている。また、このため画素電極１５は、
上記非線形抵抗層２４上に配置されている。その他の構
成は、第１実施例の液晶表示装置と同一である。
【００４７】次に上記絶縁基板上に非線形素子等を作製
する方法について説明する。
する方法について説明する。
【００４８】まず、ガラス等からなる絶縁性基板１１上
に、Ｔａ等の金属膜を、第１の実施例と同様にして厚さ
３００ｎｍに形成し、これを所定の形状にパターニング
して、列電極１２及び非線形素子の第１電極１２ａを一
体に形成する。
に、Ｔａ等の金属膜を、第１の実施例と同様にして厚さ
３００ｎｍに形成し、これを所定の形状にパターニング
して、列電極１２及び非線形素子の第１電極１２ａを一
体に形成する。
【００４９】次に、上記絶縁基板１１の全面に、ネガ型
レジストを第１電極１２ａ等（Ｔａ膜）の膜厚より厚く
塗布し、該レジストを基板裏面より露光して、これを現
像する。これにより、第１電極１２ａ間を埋めるよう平
坦化膜１３が形成される。ここで、平坦化膜１３の膜厚
Ｄ１は、第１電極（Ｔａ膜）の膜厚Ｄ２に対してＤ１≧
Ｄ２とするのが望ましい。例えば、第１電極の膜厚Ｄ２
を３００ｎｍとした場合には、平坦化膜１３の膜厚Ｄ１
は３００ｎｍ〜３５０ｎｍ程度にする。
レジストを第１電極１２ａ等（Ｔａ膜）の膜厚より厚く
塗布し、該レジストを基板裏面より露光して、これを現
像する。これにより、第１電極１２ａ間を埋めるよう平
坦化膜１３が形成される。ここで、平坦化膜１３の膜厚
Ｄ１は、第１電極（Ｔａ膜）の膜厚Ｄ２に対してＤ１≧
Ｄ２とするのが望ましい。例えば、第１電極の膜厚Ｄ２
を３００ｎｍとした場合には、平坦化膜１３の膜厚Ｄ１
は３００ｎｍ〜３５０ｎｍ程度にする。
【００５０】なお、上記第１の実施例と同様、上記レジ
ストの露光現像後に、熱処理を行って平坦化膜１３のエ
ッジ部にテーパーを持たせてもよい。また、上記基板裏
面側からの露光の際に、第１電極１２ａ上部に回り込む
ような光を利用して、平坦化膜１３が第１電極１２ａの
端部を覆うような構造としてもよい。これにより、素子
容量が微小な非線形素子を形成することもできる。さら
に、平坦化膜１３表面を凹凸形状とすることにより、そ
の上に形成される画素電極１５を凹凸形状にして表示品
位を高めることもできる。
ストの露光現像後に、熱処理を行って平坦化膜１３のエ
ッジ部にテーパーを持たせてもよい。また、上記基板裏
面側からの露光の際に、第１電極１２ａ上部に回り込む
ような光を利用して、平坦化膜１３が第１電極１２ａの
端部を覆うような構造としてもよい。これにより、素子
容量が微小な非線形素子を形成することもできる。さら
に、平坦化膜１３表面を凹凸形状とすることにより、そ
の上に形成される画素電極１５を凹凸形状にして表示品
位を高めることもできる。
【００５１】その後、本実施例では、第１電極１２ａ、
列電極１２および平坦化膜１３の表面を覆うよう基板全
面に硫化亜鉛（ＺｎＳ）を所定の膜厚（５０ｎｍ）に堆
積して、非線形抵抗層２４を形成する。ここでＺｎＳ層
は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等の薄膜形成
方法により形成することができる。スパッタリング法に
より形成する場合には、ターゲットとして高純度のＺｎ
Ｓ焼成ターゲットを用い、ＲＦスパッタ装置に基板をセ
ットする。スパッタリングガスとしてはＡｒガスを用
い、スパッタ条件は基板温度２５０℃、ガス圧１０Ｐ
ａ、入力パワー７５０Ｗとしてスパッタリングを行う。
なお、この非線形抵抗層２４としては、ＺｎＳの代わり
にＳｉＮXなどの絶縁膜を基板全面に形成してもよい。
列電極１２および平坦化膜１３の表面を覆うよう基板全
面に硫化亜鉛（ＺｎＳ）を所定の膜厚（５０ｎｍ）に堆
積して、非線形抵抗層２４を形成する。ここでＺｎＳ層
は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等の薄膜形成
方法により形成することができる。スパッタリング法に
より形成する場合には、ターゲットとして高純度のＺｎ
Ｓ焼成ターゲットを用い、ＲＦスパッタ装置に基板をセ
ットする。スパッタリングガスとしてはＡｒガスを用
い、スパッタ条件は基板温度２５０℃、ガス圧１０Ｐ
ａ、入力パワー７５０Ｗとしてスパッタリングを行う。
なお、この非線形抵抗層２４としては、ＺｎＳの代わり
にＳｉＮXなどの絶縁膜を基板全面に形成してもよい。
【００５２】次に、Ａｌ等の金属を該非線形抵抗層２４
上に形成し、これをパターニングして画素電極１５及び
非線形素子の第２電極１５ａを一体に形成する。この
時、液晶材料の容量をＣL、非線形素子の容量をＣDとす
るとＣL≫ＣDとなるように、上記第２電極１５ａが第１
電極１２ａと対向する面積を決める。
上に形成し、これをパターニングして画素電極１５及び
非線形素子の第２電極１５ａを一体に形成する。この
時、液晶材料の容量をＣL、非線形素子の容量をＣDとす
るとＣL≫ＣDとなるように、上記第２電極１５ａが第１
電極１２ａと対向する面積を決める。
【００５３】これにより、第１電極１２ａ、非線形抵抗
層２４および第２電極１５ａからなる非線形素子１０２
が形成される。
層２４および第２電極１５ａからなる非線形素子１０２
が形成される。
【００５４】その後は、上記第１の実施例と同様、上記
非線形素子を形成した基板上に配向膜（図示せず）を塗
布し、その硬化後に配向処理を行って素子側基板を作製
し、これを、対向電極及び配向膜を形成した対向側基板
と貼り合わせ、両基板間に例えばホワイトテーラー型の
液晶を注入、封止して液晶パネルを完成する。
非線形素子を形成した基板上に配向膜（図示せず）を塗
布し、その硬化後に配向処理を行って素子側基板を作製
し、これを、対向電極及び配向膜を形成した対向側基板
と貼り合わせ、両基板間に例えばホワイトテーラー型の
液晶を注入、封止して液晶パネルを完成する。
【００５５】本実施例の液晶パネルを有する液晶表示装
置では、第１電極１２ａと対向側電極との間に電圧Ｖが
印加されると非線形素子に印加される電圧ＶDは、ＣLＶ
／（ＣL＋ＣD）となり、ＣL≫ＣDの時には十分な電圧が
非線形素子に印加される。この素子に印加される電圧Ｖ
Dが閾値電圧ＶTHを超えると非線形素子が導通状態にな
り、液晶セル容量ＣLが充電されて、液晶パネルでの表
示が行われる。
置では、第１電極１２ａと対向側電極との間に電圧Ｖが
印加されると非線形素子に印加される電圧ＶDは、ＣLＶ
／（ＣL＋ＣD）となり、ＣL≫ＣDの時には十分な電圧が
非線形素子に印加される。この素子に印加される電圧Ｖ
Dが閾値電圧ＶTHを超えると非線形素子が導通状態にな
り、液晶セル容量ＣLが充電されて、液晶パネルでの表
示が行われる。
【００５６】図６には、本実施例で形成した非線形素子
のＩ−Ｖ特性が曲線Ｘ２により示されており、この非線
形素子では、非線形抵抗層２４としてＺｎＳを用いてい
るので、Ｉ−Ｖ特性は、第１の実施例のＭＩＭ素子より
もさらに急峻な特性となっている。
のＩ−Ｖ特性が曲線Ｘ２により示されており、この非線
形素子では、非線形抵抗層２４としてＺｎＳを用いてい
るので、Ｉ−Ｖ特性は、第１の実施例のＭＩＭ素子より
もさらに急峻な特性となっている。
【００５７】また、この実施例においても、非線形素子
の特性のばらつきや劣化が見られず、非線形素子の作製
プロセスも簡単で歩留りの良いものとなっている。
の特性のばらつきや劣化が見られず、非線形素子の作製
プロセスも簡単で歩留りの良いものとなっている。
【００５８】このように本実施例では、上記実施例の効
果に加えて、非線形抵抗層として硫化亜鉛膜を用いてい
るため、酸化タンタルを用いたＭＩＭ素子に比べて大き
いオン、オフ比を取ることが可能となり、急峻な素子特
性が得られる。また、硫化亜鉛膜は酸化タンタル膜に比
べて誘電率が低いので、液晶に対する非線形抵抗素子の
容量比を小さくして、素子への電圧印加を効率的に行う
ことができる。
果に加えて、非線形抵抗層として硫化亜鉛膜を用いてい
るため、酸化タンタルを用いたＭＩＭ素子に比べて大き
いオン、オフ比を取ることが可能となり、急峻な素子特
性が得られる。また、硫化亜鉛膜は酸化タンタル膜に比
べて誘電率が低いので、液晶に対する非線形抵抗素子の
容量比を小さくして、素子への電圧印加を効率的に行う
ことができる。
【００５９】（実施例３）なお、上記各実施例では、平
坦化膜１３としてレジストを用いたが、該平坦化膜とし
てＳｉＯ2等の無機絶縁膜を用いてもよい。
坦化膜１３としてレジストを用いたが、該平坦化膜とし
てＳｉＯ2等の無機絶縁膜を用いてもよい。
【００６０】例えば、図２に示す構造の非線形素子を形
成する方法において、第２実施例と同様にして第１電極
１２ａを形成した後、ポジ型レジストを基板全面に塗布
し、裏面からの露光、及び現像により第１電極１２ａ上
部にのみレジストを残す。その後、ＳｉＯ2膜を全面に
堆積し、上記レジストを除去してＳｉＯ2膜をリフトオ
フする。これにより第１電極１２ａ間を埋めるよう、Ｓ
ｉＯ2膜からなる平坦化膜が形成される。その後のプロ
セスは、上記第２の実施例と同様である。
成する方法において、第２実施例と同様にして第１電極
１２ａを形成した後、ポジ型レジストを基板全面に塗布
し、裏面からの露光、及び現像により第１電極１２ａ上
部にのみレジストを残す。その後、ＳｉＯ2膜を全面に
堆積し、上記レジストを除去してＳｉＯ2膜をリフトオ
フする。これにより第１電極１２ａ間を埋めるよう、Ｓ
ｉＯ2膜からなる平坦化膜が形成される。その後のプロ
セスは、上記第２の実施例と同様である。
【００６１】この実施例においても、非線形素子を形成
する際に必要となるマスクとしては、列電極１２及び第
１電極１２ａの形成の際に用いるものと、画素電極１５
及び第２電極１５ａの形成の際に用いるものの２枚であ
り、上記実施例と同様、非線形素子の作製プロセスは簡
単なものとなっている。
する際に必要となるマスクとしては、列電極１２及び第
１電極１２ａの形成の際に用いるものと、画素電極１５
及び第２電極１５ａの形成の際に用いるものの２枚であ
り、上記実施例と同様、非線形素子の作製プロセスは簡
単なものとなっている。
【００６２】なお、上記各実施例では、画素電極の材料
として金属を用いた反射型液晶パネルを例に挙げたが、
液晶パネルは、画素電極として透明導電膜を用い、平坦
化膜として可視光に対して透明な膜を用いた透過型のも
のでもよい。
として金属を用いた反射型液晶パネルを例に挙げたが、
液晶パネルは、画素電極として透明導電膜を用い、平坦
化膜として可視光に対して透明な膜を用いた透過型のも
のでもよい。
【００６３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、画素電
極と行電極あるいは列電極との間に接続されたスイッチ
ング用の２端子非線形素子を、その第１電極を平坦化膜
により埋め込み、該第１電極上に非線形抵抗層を介して
第２電極を形成した構造とし、該平坦化膜の膜厚Ｄ１と
該第１電極の膜厚Ｄ２とがＤ１≧Ｄ２の関係を満たすよ
うにしたので、第１電極のエッジおよび側端部を素子駆
動部として利用しない非線形素子を形成できる。よっ
て、素子特性のばらつきや劣化を防ぐことができ、急峻
なＩ−Ｖ特性を有する非線形素子が得られる。
極と行電極あるいは列電極との間に接続されたスイッチ
ング用の２端子非線形素子を、その第１電極を平坦化膜
により埋め込み、該第１電極上に非線形抵抗層を介して
第２電極を形成した構造とし、該平坦化膜の膜厚Ｄ１と
該第１電極の膜厚Ｄ２とがＤ１≧Ｄ２の関係を満たすよ
うにしたので、第１電極のエッジおよび側端部を素子駆
動部として利用しない非線形素子を形成できる。よっ
て、素子特性のばらつきや劣化を防ぐことができ、急峻
なＩ−Ｖ特性を有する非線形素子が得られる。
【００６４】また、平坦化膜としてレジストを用いるこ
とにより、平坦化膜のパターニング工程の簡略化を図る
ことができる。
とにより、平坦化膜のパターニング工程の簡略化を図る
ことができる。
【００６５】例えば、裏面露光法を用いると平坦化膜の
形成にマスクが不要となり、必要とされるマスクが第１
電極および第２電極の形成の際の２枚だけとなり、製造
工程を簡単にして液晶表示装置の歩留りを向上すること
ができる。
形成にマスクが不要となり、必要とされるマスクが第１
電極および第２電極の形成の際の２枚だけとなり、製造
工程を簡単にして液晶表示装置の歩留りを向上すること
ができる。
【００６６】さらに、画素電極を平坦面上に形成できる
ので、配向膜の形成後、ラビング工程において画素電極
による配向不良を防ぐことができ、良好な表示画面が得
られる。
ので、配向膜の形成後、ラビング工程において画素電極
による配向不良を防ぐことができ、良好な表示画面が得
られる。
【００６７】また、平坦化膜に無機膜を用いても、リフ
トオフ法を用いることによりマスク枚数は２枚で済むの
で、簡略な製造工程で歩留りを向上させることができ
る。
トオフ法を用いることによりマスク枚数は２枚で済むの
で、簡略な製造工程で歩留りを向上させることができ
る。
【００６８】また、非線形抵抗層として、第１電極の表
面を陽極酸化してなる陽極酸化膜を用いることにより、
該非線形抵抗層の形成を容易なものとできる。
面を陽極酸化してなる陽極酸化膜を用いることにより、
該非線形抵抗層の形成を容易なものとできる。
【００６９】また、非線形抵抗層として硫化亜鉛膜を用
いることにより、酸化タンタルを用いた非線形素子に比
べて大きいオンオフ比を取ることが可能となり、急峻な
素子特性が得られる。また、硫化亜鉛膜は酸化タンタル
膜に比べて誘電率が低いので、液晶に対する非線形抵抗
素子の容量比を小さくして、素子への電圧印加を効率的
に行うことができる。
いることにより、酸化タンタルを用いた非線形素子に比
べて大きいオンオフ比を取ることが可能となり、急峻な
素子特性が得られる。また、硫化亜鉛膜は酸化タンタル
膜に比べて誘電率が低いので、液晶に対する非線形抵抗
素子の容量比を小さくして、素子への電圧印加を効率的
に行うことができる。
【図１】本発明の第１の実施例による液晶表示装置を説
明するための平面図である。
明するための平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線部分における断面構造を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の第２の実施例による液晶表示装置を説
明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線部分に相当す
る断面構造を示している。
明するための図であり、図１のＡ−Ａ’線部分に相当す
る断面構造を示している。
【図４】従来の液晶表示装置における非線形素子の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】従来の液晶表示装置における他の非線形素子の
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【図６】上記実施例１および実施例２の液晶表示装置に
おける非線形素子のＩ−Ｖ特性をグラフで示す図であ
る。
おける非線形素子のＩ−Ｖ特性をグラフで示す図であ
る。
１１ 絶縁性基板 １２ 列電極 １２ａ 非線形素子の第１電極 １３ 平坦化膜 １４、２４ 非線形抵抗層 １５ 画素電極 １５ａ 非線形素子の第２電極 １０１、１０２ 非線形素子
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の行電極を有する第１の基板と、該
第１の基板に対向するよう配置され、該行電極と交差す
る複数の列電極を有する第２の基板と、 該両基板間に挟持された液晶層と、 該両基板のうちの一方の基板上における該両電極の交差
部にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、 該画素電極と行電極あるいは列電極との間に接続された
複数のスイッチング用の非線形素子とを備え、 該スイッチング用の非線形素子は、 該一方の基板上に形成された第１電極と、 該一方の基板上に該第１電極間を埋めるように形成され
た平坦化膜と、 該第１電極上に形成された非線形抵抗層と、 該非線形抵抗層上に形成された第２電極とを有し、該平
坦化膜の膜厚Ｄ１と該第１電極の膜厚Ｄ２とがＤ１≧Ｄ
２の関係を満たす２端子非線形素子である液晶表示装
置。 - 【請求項２】 前記平坦化膜はレジストからなる請求項
１に記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記非線形抵抗層は、第１電極の表面を
陽極酸化してなる陽極酸化膜からなる請求項１または２
に記載の表示装置。 - 【請求項４】 複数の行電極を有する第１の基板と、 該第１の基板に対向するよう配置され、該行電極と交差
する複数の列電極を有する第２の基板と、 該両基板間に挟持された液晶層と、 該両基板のうちの一方の基板上における該両電極の交差
部にマトリクス状に配置された複数の画素電極と、 該画素電極と行電極あるいは列電極との間に接続された
複数のスイッチング用の非線形素子とを備え、 該スイッチング用の非線形素子は、 該一方の基板上に形成された第１電極と、 該一方の基板上に該第１電極間を埋めるよう形成された
平坦化膜と、 該第１電極および平坦化膜を覆うように形成された非線
形抵抗層と、 該非線形抵抗層上に形成された第２電極とを有し、該平
坦化膜の膜厚Ｄ１と該第１電極の膜厚Ｄ２とがＤ１≧Ｄ
２の関係を満たす２端子非線形素子である液晶表示装
置。 - 【請求項５】 前記平坦化膜はレジストからなる請求項
４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記非線形抵抗層は、硫化亜鉛により形
成されている請求項４または５に記載の液晶表示装置。
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| JP28686694A JP3086607B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP28686694A JP3086607B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 液晶表示装置 |
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| JPH08146467A true JPH08146467A (ja) | 1996-06-07 |
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| JP28686694A Expired - Fee Related JP3086607B2 (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | 液晶表示装置 |
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| JP (1) | JP3086607B2 (ja) |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP28686694A patent/JP3086607B2/ja not_active Expired - Fee Related
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