JPH0814892B2 - 光学的情報記録消去方法 - Google Patents
光学的情報記録消去方法Info
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- JPH0814892B2 JPH0814892B2 JP62296563A JP29656387A JPH0814892B2 JP H0814892 B2 JPH0814892 B2 JP H0814892B2 JP 62296563 A JP62296563 A JP 62296563A JP 29656387 A JP29656387 A JP 29656387A JP H0814892 B2 JPH0814892 B2 JP H0814892B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、書き換え可能な光学情報記録媒体上に信号
を記録消去する方法、とりわけ高品質な信号を重ね書き
（オーバーライト）する方法に関する。
を記録消去する方法、とりわけ高品質な信号を重ね書き
（オーバーライト）する方法に関する。
従来の技術 書き換え可能な相変化形の光学情報記録媒体上に、記
録レベルと消去レベルの二つのレベルの間で変調された
レーザー光線を照射することで、既に書かれている古い
信号を消去しながら、その上に新しい信号を直接記録し
ていく方法、いわゆるオーバーライト方法は既に公知で
ある（特開昭56-145530号公報）。すなわち高いレーザ
ーパワーで照射された部位は一旦メルトしたのち急冷さ
れてアモルファス化する、いっぽう低いレーザーパワー
で照射された部位は融点を越えることなくガラス化温度
付近でアニールされて結晶化する。このプロセスがレー
ザー光線を照射するまえの状態に拘わらず、つまりアモ
ルファスであったか、結晶であったかには拘わらず生じ
れば単一のレーザースポットでオーバーライトができ
る。
録レベルと消去レベルの二つのレベルの間で変調された
レーザー光線を照射することで、既に書かれている古い
信号を消去しながら、その上に新しい信号を直接記録し
ていく方法、いわゆるオーバーライト方法は既に公知で
ある（特開昭56-145530号公報）。すなわち高いレーザ
ーパワーで照射された部位は一旦メルトしたのち急冷さ
れてアモルファス化する、いっぽう低いレーザーパワー
で照射された部位は融点を越えることなくガラス化温度
付近でアニールされて結晶化する。このプロセスがレー
ザー光線を照射するまえの状態に拘わらず、つまりアモ
ルファスであったか、結晶であったかには拘わらず生じ
れば単一のレーザースポットでオーバーライトができ
る。
発明が解決しようとする問題点 単一レーザースポットでのオーバーライト機能は光学
系を簡単にする、書き換えのためのアクセス時間を（も
し回転数が同じならば）1/2に短縮する等のメリットを
有しているが、一方では十分な消去率が得られないとい
う問題点があった。
系を簡単にする、書き換えのためのアクセス時間を（も
し回転数が同じならば）1/2に短縮する等のメリットを
有しているが、一方では十分な消去率が得られないとい
う問題点があった。
問題点を解決するための手段 光線の照射条件に対応して光学的特性を可逆的に変化
する相変化形の記録材料薄膜を基板上に備えた可逆的光
学情報記録媒体上に、円形または略円形の消去用光スポ
ットと円形の記録用光スポットとを記録トラック上に連
続的に照射し、前記情報記録媒体の情報を記録消去する
方法において、 消去のみを行う場合には、前記消去用光スポットのみ
を、前記記録トラックの記録領域の全部位を順々に瞬時
に溶融していくに充分な条件で照射し、 記録を行う場合には、前記記録トラックが少なくとも
記録済み状態の場合には、前記消去用光スポットを前記
記録トラックに照射し、前記記録トラックの記録領域が
瞬時溶解した後冷却し、前記消去用光スポットによる熱
的影響がほぼなくなった後に、前記記録用光スポットを
照射する。
する相変化形の記録材料薄膜を基板上に備えた可逆的光
学情報記録媒体上に、円形または略円形の消去用光スポ
ットと円形の記録用光スポットとを記録トラック上に連
続的に照射し、前記情報記録媒体の情報を記録消去する
方法において、 消去のみを行う場合には、前記消去用光スポットのみ
を、前記記録トラックの記録領域の全部位を順々に瞬時
に溶融していくに充分な条件で照射し、 記録を行う場合には、前記記録トラックが少なくとも
記録済み状態の場合には、前記消去用光スポットを前記
記録トラックに照射し、前記記録トラックの記録領域が
瞬時溶解した後冷却し、前記消去用光スポットによる熱
的影響がほぼなくなった後に、前記記録用光スポットを
照射する。
作用 相変化形の書き換え可能な記録媒体においては、照射
部を一旦溶融させることでその部分が少なくとも記録済
みの状態である場合にはそれまでの履歴をほぼ消去する
ことができる。従って、記録スポットに先行して高い光
パワー密度の消去スポットを照射すれば、常に新しいト
ラックに記録するのに近い状態で記録が行え、高い信号
品質を得ることが可能となる。
部を一旦溶融させることでその部分が少なくとも記録済
みの状態である場合にはそれまでの履歴をほぼ消去する
ことができる。従って、記録スポットに先行して高い光
パワー密度の消去スポットを照射すれば、常に新しいト
ラックに記録するのに近い状態で記録が行え、高い信号
品質を得ることが可能となる。
実施例 単一レーザースポットでのオーバーライト記録の場合
に消去率が低いことの理由として以下のことが考えられ
る。
に消去率が低いことの理由として以下のことが考えられ
る。
一つは記録マーク（通常はアモルファスのように比較
的秩序の低い状態））の部分と未記録（通常は結晶のよ
うに比較的秩序の高い状態））の部分とを区別せずに次
の記録を行うことによる。すなわちアモルファス状態の
部分と結晶の部分とでは光学的特性（光吸収率）および
熱的特性（熱伝導率、比熱）が互いに異なることから、
同様なレーザー照射を行っても、照射条件によっては昇
温冷却の過程に大きな差を生じてしまい、記録マークの
形状にオーバーライトを行う前の情報が残留して重畳さ
れると考えられる。
的秩序の低い状態））の部分と未記録（通常は結晶のよ
うに比較的秩序の高い状態））の部分とを区別せずに次
の記録を行うことによる。すなわちアモルファス状態の
部分と結晶の部分とでは光学的特性（光吸収率）および
熱的特性（熱伝導率、比熱）が互いに異なることから、
同様なレーザー照射を行っても、照射条件によっては昇
温冷却の過程に大きな差を生じてしまい、記録マークの
形状にオーバーライトを行う前の情報が残留して重畳さ
れると考えられる。
また一つはレーザースポットの強度分布がガウス分布
をしていることによる。アモルファスマークは照射部を
溶融したのち急冷することで得られるが、その際アモル
ファスマークの外周に溶融状態から結晶する部分が生じ
る。この部分はアモルファスマークを固相で結晶化した
ときの結晶状態に比べて結晶粒径が大きく方位がそろっ
ている。つまりアモルファスマークで記録されたトラッ
クを固相で結晶化消去すると記録マークの輪郭形状が周
囲よりも大きい結晶状態で残り、消去率低下の原因とな
ると考えられる。
をしていることによる。アモルファスマークは照射部を
溶融したのち急冷することで得られるが、その際アモル
ファスマークの外周に溶融状態から結晶する部分が生じ
る。この部分はアモルファスマークを固相で結晶化した
ときの結晶状態に比べて結晶粒径が大きく方位がそろっ
ている。つまりアモルファスマークで記録されたトラッ
クを固相で結晶化消去すると記録マークの輪郭形状が周
囲よりも大きい結晶状態で残り、消去率低下の原因とな
ると考えられる。
いずれにせよ、上記のような原因であれば記録トラッ
クを一旦溶融してやることで均一な状態が復活し問題点
は解消される。この時、上記均一状態がアモルファス状
態となるか、結晶状態となるかは本発明の場合、ほとん
ど意味を持たない。すなわち記録スポットを変調するさ
いには、パワーに応じてアモルファス状態、結晶状態が
生成し前の状態に拘わらず記録が可能となるからであ
る。ようするに溶融状態を経た均一状態であることが重
要である。
クを一旦溶融してやることで均一な状態が復活し問題点
は解消される。この時、上記均一状態がアモルファス状
態となるか、結晶状態となるかは本発明の場合、ほとん
ど意味を持たない。すなわち記録スポットを変調するさ
いには、パワーに応じてアモルファス状態、結晶状態が
生成し前の状態に拘わらず記録が可能となるからであ
る。ようするに溶融状態を経た均一状態であることが重
要である。
第１図、第２図に本発明の光学的情報記録消去方法を
実施するためのレーザースポットの構成と照射方法の例
を示す。
実施するためのレーザースポットの構成と照射方法の例
を示す。
第１図（ａ）はトラック３上に二本の円形のレーザー
スポットを配置した場合の実施例である。先行する消去
スポット１は記録スポット２のピークパワーと同等（す
なわち照射部を溶融することの可能なパワー）もしくは
やや高めのパワーで照射する。このとき消去スポットは
第２図に示すように、無変調または記録周波数に比して
十分高い周波数で変調して照射することでトラック上の
すべての部分が一度は溶融されることになる。レーザー
の変調は発光時間を短縮してレーザーダイオードの寿命
を延ばすために効果がある。
スポットを配置した場合の実施例である。先行する消去
スポット１は記録スポット２のピークパワーと同等（す
なわち照射部を溶融することの可能なパワー）もしくは
やや高めのパワーで照射する。このとき消去スポットは
第２図に示すように、無変調または記録周波数に比して
十分高い周波数で変調して照射することでトラック上の
すべての部分が一度は溶融されることになる。レーザー
の変調は発光時間を短縮してレーザーダイオードの寿命
を延ばすために効果がある。
第１図（ｂ）は消去スポット１′としてトラック方向
にやや長い略円形の光スポットを用いた場合の実施例で
ある。第一図（ａ）の場合と同様に、消去レーザースポ
ットは無変調または記録周波数に比べ十分高い周波数で
変調され、記録レーザースポットに先行して照射され
る。略円形消去レーザースポットの場合は、照射時間が
長さに比例して長くなるため同じ到達温度を得るための
パワー密度は円形消去スポットの場合よりも下げること
が可能である。この場合、トータルパワーはむしろ大き
くなってしまう。ただし現在実用化されているレーザー
ダイオードの発光パターンが、楕円率1:2程度の略円形
であることから、スポット形状をこの程度の略円形に選
べば簡単なレンズ系で効率良く集光することが可能であ
る。すなわち、高い伝送効率と安価な光学系を実現でき
る。
にやや長い略円形の光スポットを用いた場合の実施例で
ある。第一図（ａ）の場合と同様に、消去レーザースポ
ットは無変調または記録周波数に比べ十分高い周波数で
変調され、記録レーザースポットに先行して照射され
る。略円形消去レーザースポットの場合は、照射時間が
長さに比例して長くなるため同じ到達温度を得るための
パワー密度は円形消去スポットの場合よりも下げること
が可能である。この場合、トータルパワーはむしろ大き
くなってしまう。ただし現在実用化されているレーザー
ダイオードの発光パターンが、楕円率1:2程度の略円形
であることから、スポット形状をこの程度の略円形に選
べば簡単なレンズ系で効率良く集光することが可能であ
る。すなわち、高い伝送効率と安価な光学系を実現でき
る。
本発明に適用される光スポット列は、二本のレーザー
ビームを光学系で合成することで媒体面上に簡単に実現
できる。レーザーダイオードを用いる場合には二個のレ
ーザーチップをマウントする、あるいは二個のレーザー
発光部を有するマルチレーザーアレイを用いて容易に構
成することができる。
ビームを光学系で合成することで媒体面上に簡単に実現
できる。レーザーダイオードを用いる場合には二個のレ
ーザーチップをマウントする、あるいは二個のレーザー
発光部を有するマルチレーザーアレイを用いて容易に構
成することができる。
本発明の光学的情報記録消去方法は、アモルファス−
結晶、結晶−結晶間の可逆的相変化を応用したあらゆる
記録媒体に有効に適用される。アモルファス−結晶間の
相変化材料では非常に高速に結晶化が進む材料としてGe
Te、GeSb2Te4、Ge2Sb2Te5、InSe系、InSeTlCo系等、比
較的高速に結晶化が進む材料としてGeSnTeAu系、GeSbTe
Se系、GeSnTeO系、SeTeSn系等を用いることができる。
また結晶−結晶間の相変化材料としてはInSb系、AgZn系
等を用いることができる。
結晶、結晶−結晶間の可逆的相変化を応用したあらゆる
記録媒体に有効に適用される。アモルファス−結晶間の
相変化材料では非常に高速に結晶化が進む材料としてGe
Te、GeSb2Te4、Ge2Sb2Te5、InSe系、InSeTlCo系等、比
較的高速に結晶化が進む材料としてGeSnTeAu系、GeSbTe
Se系、GeSnTeO系、SeTeSn系等を用いることができる。
また結晶−結晶間の相変化材料としてはInSb系、AgZn系
等を用いることができる。
第３図は、本発明の光学的情報記録消去方法によって
オーバーライトを行うときの、トラック上の一点がうけ
る時間的温度変化の様子を示す。図中、実線は消去スポ
ットが通過することによる温度変化、破線は続けて記録
スポットが通過するときの温度変化を示す。消去−記録
の場合も消去のみの場合も照射部は一旦溶融しているこ
とが示されている。
オーバーライトを行うときの、トラック上の一点がうけ
る時間的温度変化の様子を示す。図中、実線は消去スポ
ットが通過することによる温度変化、破線は続けて記録
スポットが通過するときの温度変化を示す。消去−記録
の場合も消去のみの場合も照射部は一旦溶融しているこ
とが示されている。
記録マークを秩序の高い方に選ぶか、低いほうに選ぶ
かは記録膜の特性により決定すべきである。例えば記録
膜がアモルファス相（秩序の低い状態）と結晶相（秩序
の高い状態）との間の相変化を用いる場合であれば、消
去用光スポットのパワーを適当に選ぶことで、照射した
後の消去状態を結晶相に転換することも、あるいはアモ
ルファス相に転換することも自由に選択できる。
かは記録膜の特性により決定すべきである。例えば記録
膜がアモルファス相（秩序の低い状態）と結晶相（秩序
の高い状態）との間の相変化を用いる場合であれば、消
去用光スポットのパワーを適当に選ぶことで、照射した
後の消去状態を結晶相に転換することも、あるいはアモ
ルファス相に転換することも自由に選択できる。
ここで、消去部をアモルファス化させる場合には、記
録用光スポットのパワー変調方法として次の２通りが可
能である。
録用光スポットのパワー変調方法として次の２通りが可
能である。
１つは、結晶化温度を越えるパワーと、記録膜には何
等影響を与えない程度に弱い例えば再生光レベルのパワ
ーレベルとの間で変調する方法、今１つは、結晶化温度
を越えるパワーと、記録膜を瞬時溶融しアモルファス状
態に転換するパワーとの間で変調して照射する方法であ
る。
等影響を与えない程度に弱い例えば再生光レベルのパワ
ーレベルとの間で変調する方法、今１つは、結晶化温度
を越えるパワーと、記録膜を瞬時溶融しアモルファス状
態に転換するパワーとの間で変調して照射する方法であ
る。
反対に、消去部を結晶化させる場合には、記録スポッ
トのパワー変調として次の２通りが可能である。
トのパワー変調として次の２通りが可能である。
１つは、記録膜を瞬時溶融しアモルファス状態に転換
するパワーと、記録膜には何等影響を与えない弱い例え
ば再生レベルのパワーとの間で変調して照射する方法、
今１つは、消去状態が上述したアモルファス相である場
合の２つ目の方法と同様の方法であって、記録膜を瞬時
アモルファス状態に転換するパワーと、結晶化温度を越
えるパワーとの間で変調して照射する方法である。
するパワーと、記録膜には何等影響を与えない弱い例え
ば再生レベルのパワーとの間で変調して照射する方法、
今１つは、消去状態が上述したアモルファス相である場
合の２つ目の方法と同様の方法であって、記録膜を瞬時
アモルファス状態に転換するパワーと、結晶化温度を越
えるパワーとの間で変調して照射する方法である。
次に具体例をもって本発明を詳述する。
実施例１ 厚さ1.2mm、直径130mmのポリカーボネイト基板の上に
100nmのZnS保護層、60nmのGeSb2Te4記録層、200nmのZnS
保護層、20nmのAu反射層を順次積層し、その上に基板と
同じポリカーボネイト基板を接着材で張り合わせて光デ
ィスクを準備した。各層は１×10-4P程度の真空下で蒸
着により形成した。記録層の形成には三つのソースを用
い、それぞれの蒸着レートをコントロールし、基板が順
次各ソースの上を通過するべく回転させる。基板上には
光ガイド用のトラック溝があらかじめ形成されている。
100nmのZnS保護層、60nmのGeSb2Te4記録層、200nmのZnS
保護層、20nmのAu反射層を順次積層し、その上に基板と
同じポリカーボネイト基板を接着材で張り合わせて光デ
ィスクを準備した。各層は１×10-4P程度の真空下で蒸
着により形成した。記録層の形成には三つのソースを用
い、それぞれの蒸着レートをコントロールし、基板が順
次各ソースの上を通過するべく回転させる。基板上には
光ガイド用のトラック溝があらかじめ形成されている。
ディスクを用いた記録消去テストでは、以下に示すレ
ーザースポットを備えたダイナミックテスター（デッ
キ）を用いた。つまり記録用としては波長780nmのレー
ザー光線を半値幅0.8umの円い光スポットに絞りこんで
用いた。また消去用としては波長830nmのレーザー光線
を半値幅0.9umの円い光スポットに絞りこんだものと、
トラック方向にやや長い楕円率1:2の略円形に集光した
ものの両方を試験した。ディスクは3600rpmで回転し、
線速度にして10m/sec（内周）と20m/sec（外周）の二つ
のポイントで消去率の測定を行った。
ーザースポットを備えたダイナミックテスター（デッ
キ）を用いた。つまり記録用としては波長780nmのレー
ザー光線を半値幅0.8umの円い光スポットに絞りこんで
用いた。また消去用としては波長830nmのレーザー光線
を半値幅0.9umの円い光スポットに絞りこんだものと、
トラック方向にやや長い楕円率1:2の略円形に集光した
ものの両方を試験した。ディスクは3600rpmで回転し、
線速度にして10m/sec（内周）と20m/sec（外周）の二つ
のポイントで消去率の測定を行った。
測定手順を以下に示す。
ａ）測定するべきトラックを初期化（結晶化）する。初
期化方法としてはディスクをオーブン中で熱処理する、
消去用のレーザービームで各トラックを順次照射する等
の方法がある。この場合は後者の方法によった。
期化方法としてはディスクをオーブン中で熱処理する、
消去用のレーザービームで各トラックを順次照射する等
の方法がある。この場合は後者の方法によった。
ｂ）記録パワーを20mW（20m/sec）、12mW（10m/sec）と
して周波数5MHzの単一周波数モード記録を行った。何れ
の場合も55dB程度のCNRが得られた。
して周波数5MHzの単一周波数モード記録を行った。何れ
の場合も55dB程度のCNRが得られた。
ｃ）消去スポットのパワーを変化させて消去率の測定を
行った。消去スポットは無変調で照射した。消去率はス
ペクトラムアナライザーで測定したときの消去前後のキ
ャリアレベルの差で評価した。
行った。消去スポットは無変調で照射した。消去率はス
ペクトラムアナライザーで測定したときの消去前後のキ
ャリアレベルの差で評価した。
第４図に測定結果を示す。この図から、線速度、スポ
ット形状にかかわらず、あるパワーから消去率が急に向
上していることがわかる。透過電子顕微鏡による観察で
は、消去率が急変している照射条件のトラックでは初期
化部分に比べてはるかに大きい結晶粒が観測された。
ット形状にかかわらず、あるパワーから消去率が急に向
上していることがわかる。透過電子顕微鏡による観察で
は、消去率が急変している照射条件のトラックでは初期
化部分に比べてはるかに大きい結晶粒が観測された。
実施例２ 実施例１中、円形の消去スポットを採用し、消去スポ
ットと記録スポットとをトラック上で半値の間隔が０〜
100umの間隔になるように配置しオーバーライトを行っ
た。消去スポットは消去率が飽和するよりやや高めのパ
ワー、すなわち20mW（20m/sec時）、14mW（10m/sec時）
に設定して無変調で照射し、その直後を記録スポットで
照射した。記録スポットはピーク値18〜22mW（20m/sec
時）、12mW〜16mW（10m/sec時）とバイアス値12mW（20m
/sec時）、8mW（10m/sec時）の間で変調した。変調周波
数は5MHzと7MHz（20m/sec時）、または2.5MHzと3.5MHz
とで交互に記録を行い、7MHz成分（20m/sec時）と3.5MH
z（10m/sec時）のCNRと消去率を測定した。各パワーに
相当する結果を第一表に示す。
ットと記録スポットとをトラック上で半値の間隔が０〜
100umの間隔になるように配置しオーバーライトを行っ
た。消去スポットは消去率が飽和するよりやや高めのパ
ワー、すなわち20mW（20m/sec時）、14mW（10m/sec時）
に設定して無変調で照射し、その直後を記録スポットで
照射した。記録スポットはピーク値18〜22mW（20m/sec
時）、12mW〜16mW（10m/sec時）とバイアス値12mW（20m
/sec時）、8mW（10m/sec時）の間で変調した。変調周波
数は5MHzと7MHz（20m/sec時）、または2.5MHzと3.5MHz
とで交互に記録を行い、7MHz成分（20m/sec時）と3.5MH
z（10m/sec時）のCNRと消去率を測定した。各パワーに
相当する結果を第一表に示す。
この表から、高いCNRと高い消去率とが共にオーバー
ライト時に実現されていることが分かる。消去スポット
の形を略円形にした場合も同様の結果が得られた。
ライト時に実現されていることが分かる。消去スポット
の形を略円形にした場合も同様の結果が得られた。
次に消去光スポットもまた変調する実施例について説
明をおこなう。
明をおこなう。
実施例３ 実施例１、２で用いたのと同じ系を用いた。消去スポ
ットは略円形（0.9×1.8um）のものを用い、線速度10m/
secの条件下で消去スポットのパワーを変調した。
ットは略円形（0.9×1.8um）のものを用い、線速度10m/
secの条件下で消去スポットのパワーを変調した。
周波数はスポットのトラック方向の長さ1.8umと線速
度10m/secとから、トラックの全部位が溶融されるため
には5MHz以上が必要と計算される。記録周波数を2.5MHz
と3.5MHzとし3.5MHzでのCNR、消去率を測定した。記録
パワーは14mW、消去パワーは15mWとした。測定結果を第
二表に示す。この表から消去周波数が5MHz以上になると
急激に消去率が改善されることが分かる。消去パワーは
無変調照射の場合に比較するとやや高く設定する必要が
あった。
度10m/secとから、トラックの全部位が溶融されるため
には5MHz以上が必要と計算される。記録周波数を2.5MHz
と3.5MHzとし3.5MHzでのCNR、消去率を測定した。記録
パワーは14mW、消去パワーは15mWとした。測定結果を第
二表に示す。この表から消去周波数が5MHz以上になると
急激に消去率が改善されることが分かる。消去パワーは
無変調照射の場合に比較するとやや高く設定する必要が
あった。
発明の効果 本発明によれば、 ａ）信号品質が高い、すなわち情報の書き換え時に書き
換え前の信号の影響のない、オーバーライトが可能、 ｂ）ほぼ円形に近い光スポットが使用できるため光学系
が簡単、 という特徴を備えた光学情報記録消去方法が実現でき
る。
換え前の信号の影響のない、オーバーライトが可能、 ｂ）ほぼ円形に近い光スポットが使用できるため光学系
が簡単、 という特徴を備えた光学情報記録消去方法が実現でき
る。
第１図は、本発明の実施例における光学情報記録消去方
法に適用されるレーザー光スポットの形および配置とそ
の強度分布を示す図、第２図は本発明の光学情報記録消
去方法における各光スポットの照射条件を示す図、第３
図は本発明の光学情報記録消去方法を適用して光を照射
した場合の照射部が受ける時間的温度変化を示すグラ
フ、第４図は本発明の光学情報記録消去方法を適用した
ときの消去率と消去光パワーとの関係を示すグラフであ
る。 １……消去スポット、２……記録スポット、３……情報
トラック。
法に適用されるレーザー光スポットの形および配置とそ
の強度分布を示す図、第２図は本発明の光学情報記録消
去方法における各光スポットの照射条件を示す図、第３
図は本発明の光学情報記録消去方法を適用して光を照射
した場合の照射部が受ける時間的温度変化を示すグラ
フ、第４図は本発明の光学情報記録消去方法を適用した
ときの消去率と消去光パワーとの関係を示すグラフであ
る。 １……消去スポット、２……記録スポット、３……情報
トラック。
Claims (10)
- 【請求項１】光線の照射条件に対応して光学的特性を可
逆的に変化する相変化形の記録材料薄膜を基板上に備え
た可逆的光学情報記録媒体上に、円形または略円形の消
去用光スポットと円形の記録用光スポットとを記録トラ
ック上に連続的に照射し、前記情報記録媒体の情報を記
録消去する方法において、 消去のみを行う場合には、前記消去用光スポットのみ
を、前記記録トラックの記録領域の全部位を順々に瞬時
に溶融していくに充分な条件で照射し、 記録を行う場合には、前記記録トラックが少なくとも記
録済み状態の場合には、前記消去用光スポットを前記記
録トラックに照射し、前記記録トラックの記録領域が瞬
時溶解した後冷却し、前記消去用光スポットによる熱的
影響がほぼなくなった後に、前記記録用光スポットを照
射することを特徴とする光学的情報記録消去方法。 - 【請求項２】相変化形記録材料薄膜にアモルファス−結
晶間、結晶−結晶間の可逆的相変化を応用したものを用
いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学
的情報記録消去方法。 - 【請求項３】記録用光スポットを、照射によって照射部
を記録状態に変換するべきパワーレベルと、照射によっ
て消去状態に変換するべきパワーレベルとの間で変調し
て照射することを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の光学的情報記録消去方法。 - 【請求項４】記録マークの状態が消去状態に比べてより
秩序の高い状態であることを特徴とする特許請求の範囲
第３項記載の光学的情報記録消去方法。 - 【請求項５】記録マークの状態が消去状態に比べてより
秩序の低い状態であることを特徴とする特許請求の範囲
第３項記載の光学的情報記録消去方法。 - 【請求項６】消去用の光スポットを消去用レーザーダイ
オードの発光パターンと相似の略円形とし、その長手方
向をトラック方向に合わせて用いることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項記載の光学的情報記録
消去方法。 - 【請求項７】消去用のレーザー発光パターンが楕円率1:
1〜2:1の楕円形であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項、第２項または第３項記載の光学的情報消去方
法。 - 【請求項８】消去用の光スポットをＦ≧V/L（Ｆは変調
周波数、Ｖは媒体と光スポットとの相対速度、Ｌは光ス
ポットのトラック方向の実効径（半値幅））の周波数で
変調して照射することを特徴とする特許請求の範囲第１
項、第２項、第６項または第７項記載の光学的情報記録
消去方法。 - 【請求項９】消去用光スポットの変調時のパワー密度
を、そのピークレベルが記録用光スポットのパワー密度
のピークレベルよりも高く設定することを特徴とする特
許請求の範囲第１項〜第８項のいずれかに記載の光学的
情報記録消去方法。 - 【請求項１０】消去用光スポットのパワー密度を記録用
光スポットのパワー密度のピークレベルと同等もしくは
それ以上とし無変換で照射することを特徴とする特許請
求の範囲第１項〜第８項のいずれかに記載の光学的情報
記録消去方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296563A JPH0814892B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 光学的情報記録消去方法 |
| DE3888296T DE3888296T2 (de) | 1987-11-25 | 1988-11-15 | Optisches Informationsaufzeichnungs- und -löschverfahren. |
| EP88310790A EP0318200B1 (en) | 1987-11-25 | 1988-11-15 | Optical information recording and erasing method |
| US07/272,253 US4980879A (en) | 1987-11-25 | 1988-11-17 | Optical information recording and erasing method using two laser beams on a phase change optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62296563A JPH0814892B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 光学的情報記録消去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138620A JPH01138620A (ja) | 1989-05-31 |
| JPH0814892B2 true JPH0814892B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=17835165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62296563A Expired - Lifetime JPH0814892B2 (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | 光学的情報記録消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0814892B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100813942B1 (ko) | 2000-12-07 | 2008-03-14 | 삼성전자주식회사 | 고속 광 기록방법 및 장치 |
| WO2013057955A1 (ja) * | 2011-10-19 | 2013-04-25 | パナソニック株式会社 | 情報装置及び情報処理を行う方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60197935A (ja) * | 1984-03-19 | 1985-10-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 消去可能な光学的記録再生装置 |
| JPS61206937A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-13 | Toshiba Corp | 光学的情報処理装置 |
| JPS62270024A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 相転移光記録媒体の記録方法 |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP62296563A patent/JPH0814892B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01138620A (ja) | 1989-05-31 |
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