JPH08150558A - Polishing equipment - Google Patents
Polishing equipmentInfo
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- JPH08150558A JPH08150558A JP29022494A JP29022494A JPH08150558A JP H08150558 A JPH08150558 A JP H08150558A JP 29022494 A JP29022494 A JP 29022494A JP 29022494 A JP29022494 A JP 29022494A JP H08150558 A JPH08150558 A JP H08150558A
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- polishing
- wafer
- pressure adjusting
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- adsorbent
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 研磨装置に係り、ウェーハ等の研磨ワークの
簡易かつ確実な脱着、研磨作業の自動化等を図る。
【構成】 ヘッド３と研磨盤４とを具備するとともに、
ヘッド３が、研磨ワーク２の背面２ｄ全面に亙って密着
させられる弾性材料よりなる吸着体１１と、その背面１
１ａを支持する保持キャリア９と、研磨ワーク２の外周
縁２ａを半径方向外方から支持する支持リング１０とを
具備し、吸着体１１および保持キャリア９を貫通して吸
着面１１ｂに開口し研磨ワーク２によって閉鎖される複
数の圧力調整孔１２が、研磨ワーク２の外周縁２ａ近傍
に周方向に均等に配設され、その圧力調整孔１２に圧力
調整手段１７が接続されており、吸着体１１に生じる圧
力分布を均等なものとするとともに、研磨ワーク２の吸
着面１１ｂからの剥離を僅かな高圧状態で迅速に実施す
る。
(57) [Abstract] [Purpose] Aiming at a polishing device, to easily and surely remove a polishing work such as a wafer and to automate the polishing work. [Structure] A head 3 and a polishing board 4 are provided, and
The head 3 includes an adsorbent 11 made of an elastic material that is adhered to the entire back surface 2d of the polishing work 2, and the back surface 1 thereof.
1a is provided, and a support ring 10 that supports the outer peripheral edge 2a of the polishing work 2 from the outer side in the radial direction is provided. The holding carrier 9 penetrates the adsorbent 11 and the holding carrier 9 and opens to the adsorbing surface 11b. A plurality of pressure adjusting holes 12 closed by the work 2 are evenly arranged in the circumferential direction in the vicinity of the outer peripheral edge 2a of the polishing work 2, and the pressure adjusting means 17 is connected to the pressure adjusting holes 12 to form an adsorbent. The pressure distribution generated in 11 is made uniform, and the polishing work 2 is quickly separated from the suction surface 11b in a slightly high pressure state.
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、研磨装置に係り、特
に、集積回路を形成する半導体ウェーハ等の表面を研磨
するための研磨装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus, and more particularly to a polishing apparatus for polishing the surface of a semiconductor wafer or the like forming an integrated circuit.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＬＳＩ等の集積回路を製造するた
めの半導体ウェーハ（以下、単にウェーハという。）
は、デバイスの微細化に伴って、高精度かつ無欠陥表面
となるように研磨することが要求されるようになってき
た。この研磨のメカニズムは、微粒子シリカ等によるメ
カニカルな要素とアルカリ液によるエッチング要素とを
複合したメカノ・ケミカル研磨法に基づいている。2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as wafers) for manufacturing integrated circuits such as LSIs.
With the miniaturization of devices, it has become necessary to polish the surface to have a highly accurate and defect-free surface. This polishing mechanism is based on a mechano-chemical polishing method that combines a mechanical element such as fine particle silica and an etching element with an alkaline solution.
【０００３】したがって、研磨剤や研磨布の性質がウェ
ーハの表面状態を決定する主な要素となるので、従来
は、これらについての改良が数多くなされてきた。しか
し、最近のウェーハの精度、特に平坦度向上等の要求に
対しては研磨装置自体の重要度が高まりつつある。Therefore, since the properties of the polishing agent and polishing cloth are the main factors that determine the surface condition of the wafer, many improvements have been made in the past. However, the importance of the polishing apparatus itself is increasing with respect to recent demands for accuracy of wafers, particularly improvement of flatness.
【０００４】従来、この種の研磨装置としては、例え
ば、特開平２−２４３２６３号に示される構造のものが
ある。この研磨装置は、ウェーハ３を保持するヘッド
と、該ヘッドに支持されたウェーハに研磨面を摺動させ
るプラテン（研磨盤）とを具備している。Conventionally, as a polishing apparatus of this type, for example, there is one having a structure shown in JP-A-2-243263. This polishing apparatus includes a head for holding the wafer 3 and a platen (polishing plate) for sliding the polishing surface on the wafer supported by the head.
【０００５】ヘッドは、その下部にヘッドを吸着支持す
るキャリアを有している。キャリアは、空孔群を穿設し
た弾性膜と、ウェーハを半径方向外方から支持するリン
グとを具備しており、空孔群には管路を介して純水供給
ユニット、真空源ユニットおよび管路圧制御装置が接続
されている。The head has a carrier for attracting and supporting the head under the head. The carrier includes an elastic film having holes formed therein and a ring that supports the wafer from the outside in the radial direction, and the holes are provided with a pure water supply unit, a vacuum source unit, and a vacuum source unit. A pipeline pressure control device is connected.
【０００６】この研磨装置によれば、純水供給ユニット
の作動によって弾性膜に純水が供給され、真空源ユニッ
トの作動によってウェーハの弾性膜への吸着および弾性
膜からの剥離が実施され、管路圧制御装置の作動によっ
て、研磨時における管路内の圧力が一定となるように制
御されるようになっている。According to this polishing apparatus, pure water is supplied to the elastic film by the operation of the pure water supply unit, and the wafer is attracted to the elastic film and separated from the elastic film by the operation of the vacuum source unit. By the operation of the road pressure control device, the pressure in the pipe during polishing is controlled to be constant.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
に構成される研磨装置においては、弾性膜に設けた空孔
群に真空源ユニットから空気圧を供給することにより、
ヘッドへのウェーハの着脱を実施することとしている。
この場合に、真空源ユニットの作動によってヘッドに一
旦吸着されたウェーハは、純水が含浸された弾性膜に、
純水によって密着状態に維持されようとするため、真空
源ユニットから単に高圧空気を吹き出すのみでは弾性膜
からウェーハを剥離することは困難であるという問題が
ある。By the way, in the polishing apparatus configured as described above, by supplying air pressure from the vacuum source unit to the hole group provided in the elastic film,
The wafer will be attached to and detached from the head.
In this case, the wafer once adsorbed on the head by the operation of the vacuum source unit, the elastic film impregnated with pure water,
There is a problem that it is difficult to separate the wafer from the elastic film by simply blowing out high-pressure air from the vacuum source unit because the pure water tends to maintain the close contact state.
【０００８】すなわち、高圧空気の圧力を相当以上に高
めていけばウェーハは弾性膜から剥離されることになる
が、この場合には、ウェーハに過大な応力が生じてウェ
ーハの健全性が害されることがあり、また、研磨後のウ
ェーハの研磨面の平坦度等、製品の形状精度を維持し得
ないことにもなる。That is, if the pressure of the high-pressure air is increased to a considerable extent or more, the wafer will be separated from the elastic film, but in this case, the wafer will be overstressed and the integrity of the wafer will be impaired. In some cases, the accuracy of the product shape such as the flatness of the polished surface of the wafer after polishing cannot be maintained.
【０００９】かかる問題点を解決するために、従来、着
脱用の空孔群を、ウェーハに対して不均等に配置するこ
とが提案されている。すなわち、弾性膜からウェーハを
剥離する際に、ウェーハの一端側を弾性膜から離間させ
ることにより、ウェーハと弾性膜との間に空気を流入さ
せて純水による結合を断ち切ることができる。そして、
ウェーハと弾性膜とは、比較的低い空気圧によって瞬時
に剥離させられることになり、上記高圧空気による剥離
のような問題点が有効に解決されることになる。In order to solve such a problem, it has been conventionally proposed that the holes for attachment / detachment are arranged unevenly on the wafer. That is, when separating the wafer from the elastic film, by separating one end side of the wafer from the elastic film, air can be made to flow between the wafer and the elastic film to break the bond by pure water. And
The wafer and the elastic film are instantly separated by a relatively low air pressure, and the problems such as separation by the high pressure air are effectively solved.
【００１０】しかしながら、上記のように空孔群をウェ
ーハに対して偏在させる場合には、以下のような新たな
問題が生ずることになる。まず、ウェーハの背面、すな
わち、研磨される面の反対面に密着させられる弾性膜と
ウェーハとの接触面積が不均等なものとなるという問題
がある。つまり、空孔の開口面積分だけウェーハと弾性
膜との接触面積が減じられることになる。However, when the holes are unevenly distributed on the wafer as described above, the following new problems occur. First, there is a problem that the back surface of the wafer, that is, the contact area between the elastic film brought into close contact with the surface opposite to the surface to be polished and the wafer becomes uneven. That is, the contact area between the wafer and the elastic film is reduced by the opening area of the holes.
【００１１】このため、ウェーハがプラテンの研磨面に
圧接させられると、その反力によってウェーハは弾性膜
に押し付けられることになるが、接触面積が不均等であ
るために、弾性膜への押し付け圧力の分布が不均等なも
のとなる。したがって、空孔群の設けられている領域に
おいて弾性膜が局部的に圧縮され、ウェーハの局部的な
弾性変形が許容される。この場合には、研磨終了後に弾
性膜から剥離されることによって、ウェーハに生じてい
た弾性変形が復元し、研磨面の平坦度が悪化してしまう
ことになる。Therefore, when the wafer is pressed against the polishing surface of the platen, the reaction force presses the wafer against the elastic film. However, since the contact area is uneven, the pressing pressure against the elastic film is large. Will be unevenly distributed. Therefore, the elastic film is locally compressed in the region where the hole group is provided, and local elastic deformation of the wafer is allowed. In this case, by peeling from the elastic film after completion of polishing, the elastic deformation that has occurred in the wafer is restored and the flatness of the polished surface deteriorates.
【００１２】また、空孔群の空気圧調整によってウェー
ハをヘッドに着脱することは、ウェーハの研磨作業の自
動化を企図しているものであるが、上記のように偏在し
ている空孔群により弾性膜からウェーハを剥離させる方
式のものであると、剥離したウェーハが傾斜させられた
状態でヘッドから離脱させられる。このため、離脱後の
ウェーハの位置合わせが困難になり、自動化を図る上で
支障がある。Further, although the wafer is attached to and detached from the head by adjusting the air pressure of the hole group, it is intended to automate the polishing operation of the wafer. With the method of separating the wafer from the film, the separated wafer is separated from the head in an inclined state. For this reason, it becomes difficult to align the wafers after they are detached, which is an obstacle to automation.
【００１３】本発明は、上述した事情に鑑みてなされた
ものであって、ウェーハ等の研磨ワークを簡易かつ確実
に脱着し得るヘッドを有するとともに、研磨作業の自動
化を容易に図ることができる研磨装置を提供することを
目的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and has a head capable of easily and surely attaching / detaching a polishing work such as a wafer, and the polishing work can be easily automated. The purpose is to provide a device.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、円盤状の研磨ワークを支持するヘッド
と、該ヘッドとの間に相対移動させられる研磨面を有す
る研磨盤とを具備し、前記研磨面に研磨ワークを圧接さ
せた状態で、研磨ワークと研磨面とを摺動させることに
より研磨ワークの一表面を研磨する研磨装置であって、
前記ヘッドが、前記研磨ワークの背面全面に亙って密着
させられる弾性材料よりなる吸着体と、該吸着体の背面
を支持する保持キャリアと、吸着体に密着させられた研
磨ワークの外周縁を半径方向外方から支持する支持リン
グとを具備するとともに、前記吸着体および保持キャリ
アを貫通して吸着体の吸着面に開口し研磨ワークによっ
て閉鎖される複数の圧力調整孔が、研磨ワークの外周縁
近傍に周方向に均等に配設され、該圧力調整孔に、該圧
力調整孔内の圧力を変化させる圧力調整手段が接続され
ている研磨装置を提案している。In order to achieve the above-mentioned object, the present invention comprises a head for supporting a disk-shaped polishing work, and a polishing disk having a polishing surface which can be moved relative to the head. A polishing apparatus for polishing one surface of a polishing work by sliding the polishing work and the polishing surface in a state where the polishing work is pressed against the polishing surface,
The head includes an adsorbent made of an elastic material that is in close contact with the entire back surface of the polishing work, a holding carrier that supports the back surface of the adsorbent, and an outer peripheral edge of the polishing work that is in close contact with the adsorbent. A plurality of pressure adjusting holes which are provided from the outside of the polishing work and which are supported from the outside in the radial direction and which penetrate the adsorption body and the holding carrier and are opened to the adsorption surface of the adsorption body and closed by the polishing work. There is proposed a polishing apparatus which is evenly arranged in the circumferential direction in the vicinity of the peripheral edge, and a pressure adjusting means for changing the pressure in the pressure adjusting hole is connected to the pressure adjusting hole.
【００１５】上記研磨装置においては、圧力調整孔が、
吸着体に密着させられた研磨ワークの外周縁から半径方
向内方２５ｍｍまでの範囲内に設けられていることとす
れば効果的であり、また、吸着体の吸着面に開口する圧
力調整孔の口径が０．５ｍｍから２ｍｍとされているこ
ととしてもよい。In the above polishing apparatus, the pressure adjusting hole is
It is effective if it is provided within a range of 25 mm inward in the radial direction from the outer peripheral edge of the polishing work that is brought into close contact with the adsorbent. The diameter may be 0.5 mm to 2 mm.
【００１６】[0016]
【作用】本発明に係る研磨装置によれば、圧力調整手段
の作動によって、圧力調整孔内の圧力が負圧状態とされ
ることにより、研磨ワークがその背面を吸着体に密着さ
せられる。吸着体は、弾性材料により形成されているの
で、研磨ワークの背面の多少の凹凸を吸収して研磨ワー
クに密着する。According to the polishing apparatus of the present invention, the pressure in the pressure adjusting hole is made negative by the operation of the pressure adjusting means, so that the back surface of the polishing work is brought into close contact with the adsorbent. Since the adsorbent is made of an elastic material, it absorbs some irregularities on the back surface of the polishing work and adheres to the polishing work.
【００１７】また、吸着体は保持キャリアによってその
背面を支持されている。これにより、研磨ワークがヘッ
ドに安定して支持されることになる。また、ヘッドに設
けられた支持リングが研磨ワークの外周縁を半径方向外
方から支持するので、研磨盤の研磨面との摺動動作によ
って研磨ワークに作用する半径方向の外力に対抗して、
研磨ワークが吸着体に対して位置ずれしないように支持
される。The back surface of the adsorbent is supported by a holding carrier. As a result, the polishing work is stably supported by the head. Further, since the support ring provided on the head supports the outer peripheral edge of the polishing work from the outside in the radial direction, it opposes the external force in the radial direction acting on the polishing work by the sliding operation with the polishing surface of the polishing plate,
The polishing work is supported so as not to be displaced with respect to the adsorbent.
【００１８】このようにしてヘッドに支持された研磨ワ
ークは、研磨盤の研磨面との間に相対移動させられる際
に摺動させられてその一表面を研磨される。この場合に
おいて、吸着体に空けられた圧力調整孔は、周方向に均
等に配されているので、研磨盤の研磨面から受ける押し
付け圧力の分布が研磨ワーク全体に亙って均一なものと
され、研磨終了後の被研磨面の平坦度が向上されること
になる。The polishing work supported by the head in this manner is slid when being moved relative to the polishing surface of the polishing disk, and one surface thereof is polished. In this case, since the pressure adjustment holes formed in the adsorbent are evenly arranged in the circumferential direction, the distribution of the pressing pressure received from the polishing surface of the polishing plate is uniform over the entire polishing work. Thus, the flatness of the surface to be polished after polishing is improved.
【００１９】また、圧力調整孔は、研磨ワークの外周縁
近傍に設けられているために、圧力調整手段の作動によ
ってその内部がわずかに高圧状態とされると、研磨ワー
クの外周縁が吸着体から離間する方向に即座に変位させ
られて、研磨ワークと吸着体との間の密着状態が解除さ
れ、研磨ワークが吸着体から剥離させられることにな
る。この場合においても、圧力調整孔が周方向に均等配
置されていることによって、研磨ワークと吸着体との剥
離は、全周に亙って同時に実施され、研磨ワークがヘッ
ドから離脱させられるときに傾きが生じないように保持
される。Further, since the pressure adjusting hole is provided in the vicinity of the outer peripheral edge of the polishing work, the inner peripheral edge of the polishing work is attracted to the suction member when the inside of the pressure adjusting hole is set to a slightly high pressure state by the operation of the pressure adjusting means. The work piece is immediately displaced in the direction away from, the contact state between the polishing work and the suction body is released, and the polishing work is separated from the suction body. Even in this case, since the pressure adjusting holes are evenly arranged in the circumferential direction, the peeling between the polishing work and the adsorbent is simultaneously performed over the entire circumference, and when the polishing work is separated from the head. It is held so that no tilt occurs.
【００２０】また、圧力調整孔を、吸着体に密着させら
れた研磨ワークの外周縁から半径方向内方２５ｍｍまで
の範囲内に設けることとすれば、吸着体から研磨ワーク
を剥離させるための圧力を低く抑えつつ短時間で確実に
剥離させることが可能となる。Further, if the pressure adjusting hole is provided within the range of 25 mm inward in the radial direction from the outer peripheral edge of the polishing work adhered to the adsorbent, the pressure for separating the polishing work from the adsorbent is provided. It is possible to surely peel off in a short time while suppressing the low.
【００２１】さらに、吸着体の吸着面に開口する圧力調
整孔の口径を０．５ｍｍから２ｍｍとすれば、各圧力調
整孔の近傍における吸着体の局部的な変形を確実に防止
し得て、研磨ワークの形状精度を向上することが可能と
なる。Further, if the diameter of the pressure adjusting hole opened on the adsorption surface of the adsorbent is 0.5 mm to 2 mm, it is possible to reliably prevent local deformation of the adsorbent in the vicinity of each pressure adjusting hole, It is possible to improve the shape accuracy of the polishing work.
【００２２】[0022]
【実施例】以下、本発明に係る研磨装置の一実施例につ
いて、図１および図２を参照して説明する。本実施例の
研磨装置１も、ウェーハ２の研磨装置１であって、ウェ
ーハ２を支持するヘッド３と、該ヘッド３に対して相対
移動させられる研磨面４ａを有する研磨盤４とを具備し
ている基本構成において、従来例と共通している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the polishing apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. The polishing apparatus 1 of the present embodiment is also a polishing apparatus 1 for a wafer 2, and includes a head 3 that supports the wafer 2 and a polishing platen 4 having a polishing surface 4a that can be moved relative to the head 3. The basic configuration is common to the conventional example.
【００２３】しかし、本実施例の研磨装置１は、ヘッド
３の構造において従来例と相違している。本実施例の研
磨装置１のヘッド３は、図１に示すように、回転軸５の
下端に取り付けられるハウジング６と、該ハウジング６
内に圧力室７を区画形成するダイヤフラム８と、このダ
イヤフラム８に取り付けられる円盤状の保持キャリア９
および該保持キャリア９の半径方向外方に全周に亙って
配されリテーナリング１０と、保持キャリア９の下面に
貼着されるポリウレタン等の弾性材料よりなるインサー
ト１１（吸着体）とを具備している。However, the polishing apparatus 1 of this embodiment is different from the conventional example in the structure of the head 3. As shown in FIG. 1, the head 3 of the polishing apparatus 1 of the present embodiment includes a housing 6 attached to the lower end of the rotary shaft 5 and the housing 6.
A diaphragm 8 for partitioning and forming a pressure chamber 7 therein, and a disc-shaped holding carrier 9 attached to the diaphragm 8.
And a retainer ring 10 which is arranged over the entire circumference of the holding carrier 9 in the radial direction, and an insert 11 (adsorption body) made of an elastic material such as polyurethane and attached to the lower surface of the holding carrier 9. are doing.
【００２４】前記インサート１１は、保持キャリア９の
略全面に亙って貼着される平板状に形成されていて、貼
着されることによって保持キャリア９にその背面１１ａ
を安定して支持されるようになっている。また、このイ
ンサート１１の下面に設けられる吸着面１１ｂは、リテ
ーナリング１０の下面１０ａより若干上方に配置されて
いる。The insert 11 is formed in a flat plate shape that is adhered over substantially the entire surface of the holding carrier 9, and the back surface 11a of the holding carrier 9 is attached to the insert 11 by sticking.
Is being stably supported. The suction surface 11b provided on the lower surface of the insert 11 is arranged slightly above the lower surface 10a of the retainer ring 10.
【００２５】これにより、吸着面１１ｂにウェーハ２が
吸着されると、該ウェーハ２の外周縁２ａがリテーナリ
ング１０の内周面１０ｂによって半径方向外方から支持
され、研磨時におけるウェーハ２の水平方向移動が抑制
されるようになっている。As a result, when the wafer 2 is adsorbed on the adsorption surface 11b, the outer peripheral edge 2a of the wafer 2 is supported from the outer side in the radial direction by the inner peripheral surface 10b of the retainer ring 10, and the wafer 2 is kept horizontal during polishing. Directional movement is suppressed.
【００２６】また、このインサート１１には、図２に示
すように、その外周縁１１ｃの近傍に周方向に等間隔を
おいて８個の圧力調整孔１２が設けられている。本実施
例においては、図２に鎖線で示すように、外径６インチ
すなわち１５０ｍｍのウェーハ２を研磨することとして
おり、前記圧力調整孔１２は、そのウェーハ２の外周縁
２ａから半径方向内方に７．５ｍｍ程度の位置に設けら
れている。この位置に設けることとしたのは、ウェーハ
２の方向性を示すために形成される切欠部２ｃを避け
て、圧力調整孔１２を可能な限りウェーハ２の外周縁２
ａに近づけるためである。Further, as shown in FIG. 2, the insert 11 is provided with eight pressure adjusting holes 12 near the outer peripheral edge 11c at equal intervals in the circumferential direction. In this embodiment, as shown by the chain line in FIG. 2, a wafer 2 having an outer diameter of 6 inches, that is, 150 mm is polished, and the pressure adjusting hole 12 is formed radially inward from the outer peripheral edge 2 a of the wafer 2. It is provided at a position of about 7.5 mm. The reason for providing this position is to avoid the notch 2c formed to show the orientation of the wafer 2 and to provide the pressure adjusting hole 12 as much as possible to the outer peripheral edge 2 of the wafer 2.
This is to bring it closer to a.
【００２７】本実施例においては、圧力調整孔１２は、
その口径が１．０ｍｍとされている。このように小さく
構成することとしたのは、インサート１１がウェーハ２
の背面２ｄに密着しないこととなる面積を極力縮小する
ことにより、ディンプルの形成等の不都合を回避するた
めである。In this embodiment, the pressure adjusting hole 12 is
Its diameter is 1.0 mm. The reason why the structure is made smaller in this way is that the insert 11 is used for the wafer 2
This is for avoiding inconveniences such as the formation of dimples by reducing as much as possible the area that does not adhere to the back surface 2d.
【００２８】また、前記保持キャリア９には、前記イン
サート１１の圧力調整孔１２に連通する管路１３（圧力
調整孔）がそれぞれ設けられているとともに、該管路１
３は、前記ダイヤフラム８を貫通してその上部に配され
るマニホールド１４に接続されている。さらに、該マニ
ホールド１４には、エアチューブ１５を介して空気圧源
１６および圧力調整装置１７（圧力調整手段）が接続さ
れている。図中、符号１８は、各管路１３に空気圧を分
配するための溝である。Further, the holding carrier 9 is provided with pipes 13 (pressure adjusting holes) communicating with the pressure adjusting holes 12 of the insert 11, and the pipes 1 are also provided.
3 is connected to a manifold 14 which passes through the diaphragm 8 and is arranged above the diaphragm 8. Further, an air pressure source 16 and a pressure adjusting device 17 (pressure adjusting means) are connected to the manifold 14 via an air tube 15. In the figure, reference numeral 18 is a groove for distributing the air pressure to each pipe line 13.
【００２９】この圧力調整装置１７は、ウェーハ２のヘ
ッド６への着脱時およびウェーハ２の研磨時にそれぞれ
作動させられて、ウェーハ２をヘッド３に吸着する際に
は圧力調整孔１２内を負圧状態に、ウェーハ２をヘッド
３から離脱させる際には圧力調整孔１２内を比較的高圧
状態に、そして、ウェーハ２の研磨時には圧力調整孔１
２内をわずかに高圧状態とするように空気圧源１６から
の圧力を調整するようになっている。The pressure adjusting device 17 is operated when the wafer 2 is attached to or detached from the head 6 and when the wafer 2 is polished, and when the wafer 2 is attracted to the head 3, a negative pressure is applied to the inside of the pressure adjusting hole 12. In the state, when the wafer 2 is detached from the head 3, the pressure adjusting hole 12 is kept in a relatively high pressure state, and when the wafer 2 is polished, the pressure adjusting hole 1
The pressure from the air pressure source 16 is adjusted so that the inside of 2 is slightly high pressure.
【００３０】このように構成された本実施例の研磨装置
１の作用について以下に説明する。まず、ヘッド３にウ
ェーハ２を支持させるには、ヘッド３の下端面に設けら
れたインサート１１の吸着面１１ｂにウェーハ２の背面
２ｄを接触状態に配し、圧力調整装置１７を作動させて
圧力調整孔１２内の圧力を負圧状態とする。これにより
ウェーハ２は、その背面２ｄがインサート１１の吸着面
１１ｂに密着させられるとともに、その外周縁２ａをリ
テーナリング１０の内周面１０ｂ側に配することによ
り、ヘッド３に安定して保持されることになる。The operation of the polishing apparatus 1 of the present embodiment thus constructed will be described below. First, in order to support the wafer 2 on the head 3, the back surface 2d of the wafer 2 is placed in contact with the suction surface 11b of the insert 11 provided on the lower end surface of the head 3, and the pressure adjusting device 17 is operated to apply pressure. The pressure in the adjusting hole 12 is set to a negative pressure state. As a result, the back surface 2d of the wafer 2 is brought into close contact with the suction surface 11b of the insert 11, and the outer peripheral edge 2a thereof is arranged on the inner peripheral surface 10b side of the retainer ring 10 to be stably held by the head 3. Will be.
【００３１】この際、インサート１１が弾性材料により
構成されているので、該インサート１１は、ウェーハ２
の背面２ｄの多少の凹凸に倣って弾性変形させられて、
インサート１１の背面１１ａに密着させられることにな
る。At this time, since the insert 11 is made of an elastic material, the insert 11 is formed on the wafer 2
It is elastically deformed following the unevenness of the back surface 2d of
The back surface 11a of the insert 11 is closely attached.
【００３２】次に、上記研磨装置１によりヘッド３に保
持されたウェーハ２を研磨する場合には、研磨盤４を作
動してその研磨面４ａを水平旋回させるとともに、ヘッ
ド３を回転軸５回りに回転させながら研磨盤４の研磨面
４ａに近接させ、両者間に相対移動を生じさせる。そし
て、ヘッド３に保持されたウェーハ２の被研磨面２ｂを
研磨盤４の研磨面４ａに接触させて、圧力室７の圧力を
増大させることにより、ウェーハ２を研磨面４ａに押し
付けながら摺動させて、被研磨面２ｂを研磨する。この
際、圧力調整装置１７の作動により、圧力調整孔１２内
は、若干高圧状態とされる。Next, when the wafer 2 held by the head 3 is polished by the polishing apparatus 1, the polishing platen 4 is operated to horizontally rotate the polishing surface 4a, and the head 3 is rotated around the rotary shaft 5. It is brought close to the polishing surface 4a of the polishing plate 4 while rotating to the direction, and a relative movement is caused between them. Then, the surface to be polished 2b of the wafer 2 held by the head 3 is brought into contact with the polishing surface 4a of the polishing board 4 to increase the pressure in the pressure chamber 7, so that the wafer 2 slides while pressing it against the polishing surface 4a. Then, the surface 2b to be polished is polished. At this time, the inside of the pressure adjusting hole 12 is set to a slightly high pressure state by the operation of the pressure adjusting device 17.
【００３３】この場合において、本実施例の研磨装置１
では、ウェーハ２をインサート１１に吸着させる圧力調
整孔１２が、ウェーハ２の外周縁２ａ近傍に全周に亙っ
て等間隔に設けられているので、ウェーハ２が研磨面４
ａに押し付けられることによってインサート１１表面に
均等な圧力分布が達成される。また、実際の研磨におい
ては、研磨布種類の違い（積層構造、圧縮率等の相違）
によって、ウェーハ外周縁の研磨形状に違いが生じる。
例えば、硬質単層研磨布を使用した場合、外周縁近傍
は、過少研磨となり、二層構造（表面硬質、下面軟質）
研磨布を使用した場合には、外周縁近傍は過研磨、いわ
ゆるダレが発生する。しかし、本実施例の研磨装置１に
よれば、過少研磨の場合には若干高い空気圧を、過研磨
の場合には低圧あるいは負圧の空気圧をそれぞれ圧力調
整孔１２内に供給することによって、外周縁近傍の圧力
分布を調整し、より精度の高い研磨を実現することがで
きる。In this case, the polishing apparatus 1 of this embodiment
Then, since the pressure adjusting holes 12 for adsorbing the wafer 2 to the insert 11 are provided in the vicinity of the outer peripheral edge 2a of the wafer 2 at equal intervals over the entire circumference, the wafer 2 is polished on the polishing surface 4a.
A uniform pressure distribution is achieved on the surface of the insert 11 by being pressed against a. Also, in actual polishing, different types of polishing cloths (differences in laminated structure, compressibility, etc.)
This causes a difference in the polishing shape of the outer peripheral edge of the wafer.
For example, when a hard single-layer polishing cloth is used, the vicinity of the outer edge is under-polished, resulting in a two-layer structure (hard surface, soft bottom surface).
When a polishing cloth is used, excessive polishing, that is, sagging occurs near the outer peripheral edge. However, according to the polishing apparatus 1 of the present embodiment, a slightly higher air pressure is supplied to the pressure adjusting hole 12 in the case of under-polishing, and a low pressure or a negative air pressure is supplied in the case of over-polishing. The pressure distribution in the vicinity of the peripheral edge can be adjusted to achieve more accurate polishing.
【００３４】そして、このようにして研磨されたウェー
ハ２は、圧力調整装置１７の作動によって圧力調整孔１
２内の圧力を高圧状態とされることによって、インサー
ト１１から剥離されて、ヘッド１から離脱させられるこ
とになる。この場合に、インサート１１の吸着面１１ｂ
に開口している圧力調整孔１２は、ウェーハ２の外周縁
２ａ近傍に配置されているので、若干高圧状態とするだ
けで、ウェーハ２の外周縁２ａがインサート１１から離
間する方向に即座に変位させられて、ウェーハ２とイン
サート１１との吸着状態が解除される。The wafer 2 thus polished is operated by the pressure adjusting device 17 so that the pressure adjusting hole 1
When the pressure in 2 is set to a high pressure state, it is separated from the insert 11 and separated from the head 1. In this case, the suction surface 11b of the insert 11
Since the pressure adjusting hole 12 opened in the vicinity of the wafer 2 is arranged in the vicinity of the outer peripheral edge 2a of the wafer 2, the outer peripheral edge 2a of the wafer 2 is immediately displaced in the direction away from the insert 11 only by slightly increasing the pressure. Then, the suction state between the wafer 2 and the insert 11 is released.
【００３５】したがって、圧力調整孔１２を半径方向の
内方位置に配置して、かなりの高圧空気を供給すること
によって初めて離脱されていた従来の場合と比較して、
製品としてのウェーハ２に生ずる応力が少なくて済み、
ウェーハ２が健全な状態に維持され、かつ、平坦度等の
形状精度にも悪影響を及ぼすことがない。Therefore, in comparison with the conventional case in which the pressure adjusting hole 12 is arranged at the inner position in the radial direction and is first released by supplying a considerable amount of high pressure air,
The stress generated on the wafer 2 as a product is small,
The wafer 2 is maintained in a healthy state, and the shape accuracy such as flatness is not adversely affected.
【００３６】また、周方向に等間隔を空けて設けられた
複数の圧力調整孔１２には加圧空気が均等に分配される
ので、ウェーハ２とインサート１１との剥離は、全周に
亙ってほぼ同時に実施され、ウェーハ２は水平状態を維
持したまま、ヘッド３から離脱・落下させられることに
なる。したがって、離脱させられた後のウェーハ２は、
特別の位置決め装置を使用することなく、安定して一定
位置に配されることとなるので、後工程におけるウェー
ハ２のハンドリング等を容易なものとすることができ
る。その結果、ウェーハ２の吸着、研磨、離脱、搬送ま
でを含めた研磨作業の自動化を容易に図ることができ
る。Further, since the pressurized air is evenly distributed to the plurality of pressure adjusting holes 12 provided at equal intervals in the circumferential direction, the wafer 2 and the insert 11 are separated from each other over the entire circumference. The wafer 2 is detached and dropped from the head 3 while maintaining the horizontal state. Therefore, the wafer 2 after being detached is
Since it is stably arranged at a fixed position without using a special positioning device, handling of the wafer 2 in the subsequent process can be facilitated. As a result, it is possible to easily automate the polishing work including suction, polishing, separation, and transportation of the wafer 2.
【００３７】次いで、上記実施例の研磨装置１による研
磨の結果を、従来の研磨装置と比較して図３から図５に
示す。これらの研磨作業は、以下の条件に基づいて実施
されている。 ウェーハ・・・・ 熱酸化処理を施した６インチのシ
リコンウェーハ 研磨圧力・・・・ ０．５ｋｇｆ／ｃｍ2 研磨取り代・・・・ ５０００ÅNext, the results of polishing by the polishing apparatus 1 of the above embodiment are shown in FIGS. 3 to 5 in comparison with the conventional polishing apparatus. These polishing operations are carried out under the following conditions. Wafer: 6 inch silicon wafer subjected to thermal oxidation Polishing pressure: 0.5 kgf / cm 2 polishing allowance: 5000 Å
【００３８】図３は、上記実施例の研磨装置１による研
磨結果の一例を示している。また、図４は、従来の研磨
装置による研磨結果の一例を示している。これによれ
ば、本実施例の研磨装置１では、少ない等高線が現われ
ており、ウェーハ２の表面は極めて平坦に形成されてい
るといえる。これに対し、従来の研磨装置による研磨結
果では、等高線が極めて密に現われており、ウェーハ２
の表面にはかなりの凹凸が生じている。図３の例では、
研磨精度１σは４．５％であり、図４の例では、研磨精
度１σは８．４％となっている。これら図４、図５にお
いて、正負符号は、平均取り代からの高低を示してい
る。FIG. 3 shows an example of the result of polishing by the polishing apparatus 1 of the above embodiment. Further, FIG. 4 shows an example of a polishing result by a conventional polishing apparatus. According to this, in the polishing apparatus 1 of the present embodiment, few contour lines appear, and it can be said that the surface of the wafer 2 is formed extremely flat. On the other hand, in the polishing result obtained by the conventional polishing apparatus, the contour lines appear extremely densely.
There is considerable unevenness on the surface of. In the example of FIG.
The polishing accuracy 1σ is 4.5%, and in the example of FIG. 4, the polishing accuracy 1σ is 8.4%. In these FIGS. 4 and 5, the positive and negative signs indicate the height from the average stock removal.
【００３９】また、図５は、上記研磨をそれぞれ５回ず
つ実施した場合における研磨精度を比較した図である。
これによれば、全ての実施結果において、本実施例の研
磨装置１によるウェーハ２表面の研磨精度が優れている
ことがわかる。Further, FIG. 5 is a diagram comparing the polishing accuracies in the case where the above polishing is carried out five times each.
According to this, it can be seen that the polishing accuracy of the surface of the wafer 2 by the polishing apparatus 1 of the present embodiment is excellent in all the execution results.
【００４０】なお、本実施例においては、圧力調整孔１
２の数を８個とし、周方向に等間隔を空けて配置するこ
ととしたが、これに代えて、３個以上の任意数の圧力調
整孔１２を設けることとしてよい。また、上記実施例の
ように、圧力調整孔１２を等間隔を空けて配設するもの
に代えて、２以上の圧力調整孔１２を近接配置した空孔
群を周方向に間隔を空けて均等配置する方法によっても
上記と同様の効果を達成することができる。In this embodiment, the pressure adjusting hole 1
Although the number of 2 is 8 and they are arranged at equal intervals in the circumferential direction, an arbitrary number of pressure adjusting holes 12 of 3 or more may be provided instead. Further, as in the above-described embodiment, instead of the pressure adjusting holes 12 arranged at equal intervals, a group of holes in which two or more pressure adjusting holes 12 are closely arranged are evenly spaced in the circumferential direction. The same effect as above can be achieved by the arrangement method.
【００４１】さらに、圧力調整孔１２を、ウェーハ２の
外周縁２ａよりも半径方向内方に７．５ｍｍ程度の位置
に設けることとしたが、ウェーハ２の背面２ｄによって
閉塞される位置で、かつ、外周縁近傍、例えば、ウェー
ハ２の半径の１／３よりも外方に配置されていればよ
い。Further, the pressure adjusting hole 12 is provided at a position of about 7.5 mm inward in the radial direction from the outer peripheral edge 2a of the wafer 2, but at a position closed by the back surface 2d of the wafer 2 and It may be arranged near the outer peripheral edge, for example, outside of 1/3 of the radius of the wafer 2.
【００４２】ここで、圧力調整孔１２の配置として望ま
しい範囲を図６に示す。図６は、上記実施例と同様の６
インチのウェーハ２に対して８個の圧力調整孔１２を配
設した場合であって、圧力調整孔１２内に供給する空気
圧力をパラメータとした、ウェーハ２の外周縁２ａから
の半径方向距離に対する剥離に要した時間を表す図であ
る。Here, a desirable range for disposing the pressure adjusting hole 12 is shown in FIG. FIG. 6 shows the same 6 as the above embodiment.
In the case where eight pressure adjusting holes 12 are provided for the wafer 2 of inch, with respect to the radial distance from the outer peripheral edge 2a of the wafer 2 with the air pressure supplied into the pressure adjusting holes 12 as a parameter. It is a figure showing the time required for peeling.
【００４３】この図６によれば、圧力調整孔１２の位置
が半径方向内方に移行すればするほど、剥離所要時間は
増大し、圧力調整孔１２に供給する空気圧力を増大させ
ればさせるほど、剥離所要時間は減少することが分か
る。ここで、例えば、供給空気圧力として４ｋｇ／ｃｍ
2を想定し、剥離所要時間として５秒程度を許容するこ
ととすれば、圧力調整孔の位置は、ウェーハ２の外周縁
２ａから約２５ｍｍ程度まで許容される。According to FIG. 6, the more the position of the pressure adjusting hole 12 moves inward in the radial direction, the longer the time required for peeling, and the more the air pressure supplied to the pressure adjusting hole 12 increases. It can be seen that the time required for peeling decreases. Here, for example, the supply air pressure is 4 kg / cm.
Assuming 2 and allowing a peeling time of about 5 seconds, the position of the pressure adjusting hole is allowed to be about 25 mm from the outer peripheral edge 2a of the wafer 2.
【００４４】したがって、圧力調整孔１２の位置はウェ
ーハ２の外周縁２ａから約２５ｍｍまでの範囲が望まし
いことになる。また、さらに望ましくは、ウェーハ２の
外周縁２ａから約１０ｍｍまでの範囲に圧力調整孔１２
が配置されているのがよい。また、本実施例において
は、圧力調整孔１２の口径を１．０ｍｍとしたが、これ
に限定されるものではなく、２ｍｍ程度あるいはそれ以
下の口径を採用することができる。但し、着脱用に使用
されるものであるから、極度に細い口径の圧力調整孔１
２では不適当であるから、少なくとも０．５ｍｍ以上の
口径であることが必要である。Therefore, it is desirable that the position of the pressure adjusting hole 12 is within the range of about 25 mm from the outer peripheral edge 2a of the wafer 2. Further, more desirably, the pressure adjusting hole 12 is provided within a range from the outer peripheral edge 2a of the wafer 2 to about 10 mm.
Should be placed. Further, in the present embodiment, the diameter of the pressure adjusting hole 12 is set to 1.0 mm, but it is not limited to this, and a diameter of about 2 mm or less can be adopted. However, since it is used for attachment and detachment, the pressure adjusting hole 1 having an extremely thin diameter is used.
Since 2 is unsuitable, it is necessary that the diameter is at least 0.5 mm or more.
【００４５】なお、図６における斜線部、すなわち、ウ
ェーハ外周縁から半径方向内方に７ｍｍの範囲は、上述
したようにウェーハ２の一端部に設けられている切欠２
ｃによってウェーハ２の存在しない領域に圧力調整孔１
２が重なること回避するための領域を示し、その切欠２
ｃの端縁よりも半径方向内方に圧力調整孔１２を配置す
ることが望まれる。The shaded portion in FIG. 6, that is, the range of 7 mm inward in the radial direction from the outer peripheral edge of the wafer, is provided with the notch 2 provided at one end of the wafer 2 as described above.
The pressure adjusting hole 1 is formed in the region where the wafer 2 does not exist due to c
2 shows the area for avoiding overlapping, and the notch 2
It is desired to dispose the pressure adjusting hole 12 radially inward of the edge of c.
【００４６】しかし、これは、ヘッド３とウェーハ２の
位相を合わせることが現状で困難であるためである。し
たがって、圧力調整孔１２の位置にウェーハ２の切欠２
ｃが一致しないように、ウェーハ２の位相合わせをする
ことができれるのであれば、切欠２ｃの端縁よりも半径
方向外方に圧力調整孔１２を配置することができ、これ
によっても上記実施例における場合と同等の効果を得る
ことができる。However, this is because it is difficult at present to match the phases of the head 3 and the wafer 2. Therefore, the notch 2 of the wafer 2 is formed at the position of the pressure adjusting hole 12.
If the phase of the wafer 2 can be adjusted so that c does not match, the pressure adjusting hole 12 can be arranged radially outward of the edge of the notch 2c. An effect equivalent to that in the example can be obtained.
【００４７】また、本実施例においては、インサート１
１をポリウレタンよりなるものとしたが、これに限定さ
れることなく、シリコンゴム等の他の弾性材料を使用す
ることとしてもよい。さらに、本発明においては、シリ
コンウェーハ２を研磨する場合に限定されず、ハードデ
ィスク用のアルミニウム基板等、同様の薄肉円盤状の研
磨ワークの表面を研磨する研磨装置１１として適用する
ことができる。In this embodiment, the insert 1
Although 1 is made of polyurethane, it is not limited to this and other elastic materials such as silicone rubber may be used. Further, the present invention is not limited to the case of polishing the silicon wafer 2, and can be applied as the polishing apparatus 11 for polishing the surface of a similar thin disk-shaped polishing work such as an aluminum substrate for a hard disk.
【００４８】[0048]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係る研磨
装置は、ヘッドが、研磨ワークの背面全面に亙って密着
させられる弾性材料よりなる吸着体と、その背面を支持
する保持キャリアと、研磨ワークの外周縁を半径方向外
方から支持する支持リングとを具備し、吸着体および保
持キャリアを貫通して吸着面に開口し研磨ワークによっ
て閉鎖される複数の圧力調整孔が、研磨ワークの外周縁
近傍に周方向に均等に配設され、その圧力調整孔に圧力
調整手段が接続されているので、研磨ワークの研磨に際
して、吸着体表面全域に亙って研磨圧力を均等に作用さ
せ被研磨面の平坦度を向上することができるという効果
を奏する。As described in detail above, in the polishing apparatus according to the present invention, the head is an adsorbent made of an elastic material that is brought into close contact with the entire back surface of the polishing work, and a holding carrier that supports the back surface. And a support ring for supporting the outer peripheral edge of the polishing work from the outer side in the radial direction, and a plurality of pressure adjusting holes penetrating the adsorbent and the holding carrier and opening to the adsorbing surface and closed by the polishing work are provided. The work is evenly arranged in the circumferential direction near the outer peripheral edge of the work, and the pressure adjusting means is connected to the pressure adjusting hole, so that when polishing the work, the polishing pressure is uniformly applied over the entire surface of the adsorbent. Thus, the flatness of the surface to be polished can be improved.
【００４９】また、研磨ワークの外周縁近傍に周方向に
均等に配されている圧力調整孔内の圧力を高めて吸着体
から研磨ワークを剥離するので、研磨ワークに過大な応
力を発生させることなく迅速に剥離を実施することがで
きる。また、均等配置された圧力調整孔により同時に剥
離を実施するので、離脱時の研磨ワークの姿勢を一定に
保持することができ、その後の搬送工程への位置合わせ
作業を不要とすることができる。したがって、ヘッドに
よる研磨ワークの吸着から研磨終了後の研磨ワークの搬
送に至るまでの全研磨作業の自動化を容易に図ることが
できる。Further, since the polishing work is separated from the adsorbent by increasing the pressure in the pressure adjusting holes evenly arranged in the circumferential direction near the outer peripheral edge of the polishing work, excessive stress is generated in the polishing work. Peeling can be carried out quickly without. Further, since the pressure adjustment holes are evenly arranged to perform the peeling at the same time, the posture of the polishing work at the time of detachment can be kept constant and the subsequent alignment work for the carrying process can be omitted. Therefore, it is possible to easily automate the entire polishing work from the suction of the polishing work by the head to the transportation of the polishing work after the polishing is completed.
【００５０】また、上記研磨装置において、圧力調整孔
を吸着体に密着させられた研磨ワークの外周縁から半径
方向内方２５ｍｍまでの範囲内に設けることとすれば、
４ｋｇｆ／ｃｍ2程度の工場空気圧によっても５秒以内
に、研磨ワークをヘッドから離脱させることができる。
さらに、吸着体の吸着面に開口する圧力調整孔の口径を
０．５ｍｍから２ｍｍとすれば、研磨時における吸着体
の圧力調整孔近傍の局部的な変形を防止して、研磨ワー
クの製品精度を向上することができるという効果を奏す
る。Further, in the above polishing apparatus, if the pressure adjusting hole is provided within the range of 25 mm inward in the radial direction from the outer peripheral edge of the polishing work which is adhered to the adsorbent,
Even with a factory air pressure of about 4 kgf / cm 2 , the polishing work can be removed from the head within 5 seconds.
Further, if the diameter of the pressure adjusting hole opened on the suction surface of the adsorbent is 0.5 mm to 2 mm, local deformation in the vicinity of the pressure adjusting hole of the adsorbent during polishing is prevented, and the product accuracy of the polishing work is improved. The effect of being able to improve.
【図１】本発明に係る研磨装置の一実施例を示すヘッド
付近の縦断面図である。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of the vicinity of a head showing an embodiment of a polishing apparatus according to the present invention.
【図２】図１の研磨装置のヘッドを吸着面側から見た平
面図である。FIG. 2 is a plan view of the head of the polishing apparatus of FIG. 1 viewed from the suction surface side.
【図３】図１の研磨装置により研磨された研磨ワークの
表面研磨精度を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing surface polishing accuracy of a polishing workpiece polished by the polishing apparatus of FIG.
【図４】図３と対比される従来の研磨装置による研磨ワ
ークの表面研磨精度を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing surface polishing accuracy of a polishing workpiece by a conventional polishing apparatus, which is compared with FIG.
【図５】図３および図４の研磨精度測定を複数回実施し
た結果を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a result of performing the polishing accuracy measurement of FIGS. 3 and 4 a plurality of times.
【図６】図１の研磨装置における圧力調整孔の配置の望
ましい範囲を示す図である。6 is a diagram showing a desirable range of arrangement of pressure adjusting holes in the polishing apparatus of FIG.
１ 研磨装置 ２ ウェーハ（研磨ワーク） ３ ヘッド ４ 研磨盤 ４ａ 研磨面 ９ 保持キャリア １０ リテーナリング（支持リング） １１ インサート（吸着体） １２・１３ 圧力調整孔 １７ 圧力調整手段 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polishing device 2 Wafer (polishing work) 3 Head 4 Polishing board 4a Polishing surface 9 Holding carrier 10 Retainer ring (supporting ring) 11 Insert (adsorbent) 12/13 Pressure adjusting hole 17 Pressure adjusting means
Claims (3)
と、該ヘッドとの間に相対移動させられる研磨面を有す
る研磨盤とを具備し、前記研磨面に研磨ワークを圧接さ
せた状態で、研磨ワークと研磨面とを摺動させることに
より研磨ワークの一表面を研磨する研磨装置であって、 前記ヘッドが、前記研磨ワークの背面全面に亙って密着
させられる弾性材料よりなる吸着体と、該吸着体の背面
を支持する保持キャリアと、吸着体に密着させられた研
磨ワークの外周縁を半径方向外方から支持する支持リン
グとを具備するとともに、 前記吸着体および保持キャリアを貫通して吸着体の吸着
面に開口し研磨ワークによって閉鎖される複数の圧力調
整孔が、研磨ワークの外周縁近傍に周方向に均等に配設
され、 該圧力調整孔に、該圧力調整孔内の圧力を変化させる圧
力調整手段が接続されていることを特徴とする研磨装
置。1. A head for supporting a disk-shaped polishing work, and a polishing board having a polishing surface that can be relatively moved between the head and the polishing work, wherein the polishing work is pressed against the polishing surface, A polishing apparatus for polishing one surface of a polishing work by sliding a polishing work and a polishing surface, wherein the head is an adsorbent made of an elastic material that is brought into close contact with the entire back surface of the polishing work. A holding carrier that supports the back surface of the adsorbent, and a support ring that radially supports the outer peripheral edge of the polishing work that is in close contact with the adsorbent, and that penetrates the adsorbent and the holding carrier. A plurality of pressure adjusting holes opened on the suction surface of the adsorbent and closed by the polishing work are evenly arranged in the circumferential direction in the vicinity of the outer peripheral edge of the polishing work. Pressure A polishing apparatus, to which a pressure adjusting means for changing is connected.
研磨ワークの外周縁から半径方向内方２５ｍｍまでの範
囲内に設けられていることを特徴とする請求項１記載の
研磨装置。2. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the pressure adjusting hole is provided within a range of 25 mm inward in the radial direction from the outer peripheral edge of the polishing work closely attached to the adsorbent.
口径が０．５ｍｍから２ｍｍとされていることを特徴と
する請求項１または請求項２記載の研磨装置。3. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the diameter of the pressure adjusting hole opened on the suction surface of the suction member is 0.5 mm to 2 mm.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP29022494A JP3257304B2 (en) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | Polishing equipment |
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