JPH08153865A - 赤外線固体撮像素子 - Google Patents
赤外線固体撮像素子Info
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- JPH08153865A JPH08153865A JP6292863A JP29286394A JPH08153865A JP H08153865 A JPH08153865 A JP H08153865A JP 6292863 A JP6292863 A JP 6292863A JP 29286394 A JP29286394 A JP 29286394A JP H08153865 A JPH08153865 A JP H08153865A
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001444 catalytic combustion detection Methods 0.000 abstract description 37
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 abstract description 12
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 102100022749 Aminopeptidase N Human genes 0.000 description 1
- 101100327165 Arabidopsis thaliana CCD8 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100115215 Caenorhabditis elegans cul-2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101000757160 Homo sapiens Aminopeptidase N Proteins 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は温度計測装置等における測温範囲拡大
の施策を必要としない赤外線固体撮像素子を提供する。 【構成】受光領域面積が広くて垂直ＣＣＤチャネル幅が
狭い画素列と、受光領域面積が狭くて垂直ＣＣＤチャネ
ル幅が広い画素列とが交互に配列された撮像領域を有
し、受光部のバイアス電位を規定するトランスファゲー
トが奇数列の画素と偶数列の画素とで別配線され別端子
を具備している。さらに、奇数列に対応するものと偶数
列に対応するものの２組の水平ＣＣＤ及びそれに連なる
出力部を具備している。
の施策を必要としない赤外線固体撮像素子を提供する。 【構成】受光領域面積が広くて垂直ＣＣＤチャネル幅が
狭い画素列と、受光領域面積が狭くて垂直ＣＣＤチャネ
ル幅が広い画素列とが交互に配列された撮像領域を有
し、受光部のバイアス電位を規定するトランスファゲー
トが奇数列の画素と偶数列の画素とで別配線され別端子
を具備している。さらに、奇数列に対応するものと偶数
列に対応するものの２組の水平ＣＣＤ及びそれに連なる
出力部を具備している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電荷結合素子（ＣＣ
Ｄ）による電子走査方式の２次元赤外線固体撮像素子に
関する。
Ｄ）による電子走査方式の２次元赤外線固体撮像素子に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の赤外線固体撮像素子の例を図３に
示す。この例は順次走査方式の構成を採っている。単位
画素は受光領域１２，トランスファゲート５及び垂直Ｃ
ＣＤ１３の１段分（４電極）から構成されている。この
単位画素が２次元に配列されており、各垂直ＣＣＤ１３
は水平ＣＣＤ１５に繋がっている。水平ＣＣＤ終端には
出力部１６が設けられている。トランスファゲートには
全て同一の駆動信号が供給されるように、共通のトラン
スファゲート配線１４で接続されている。受光領域面積
対画素面積比である開口率は全画素同一になっている。
示す。この例は順次走査方式の構成を採っている。単位
画素は受光領域１２，トランスファゲート５及び垂直Ｃ
ＣＤ１３の１段分（４電極）から構成されている。この
単位画素が２次元に配列されており、各垂直ＣＣＤ１３
は水平ＣＣＤ１５に繋がっている。水平ＣＣＤ終端には
出力部１６が設けられている。トランスファゲートには
全て同一の駆動信号が供給されるように、共通のトラン
スファゲート配線１４で接続されている。受光領域面積
対画素面積比である開口率は全画素同一になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の赤外線
固体撮像素子では、開口率と垂直ＣＣＤで扱い得る最大
転送電荷量とがトレードオフの関係にあり、感度とダイ
ナミックレンジとのバランスを取って設計されていた。
換言すれば、どちらにも犠牲が払われていた。このため
温度計測装置等に用いられる場合、装置の方で測温範囲
を区切り、絞り調整やフィルタ切替によって測定可能な
温度範囲を拡大していた。従って、従来のものでは測温
範囲が跨るような低温被写体と高温被写体を同一画面に
捕らえ、同時に測温することができないという欠点があ
った。
固体撮像素子では、開口率と垂直ＣＣＤで扱い得る最大
転送電荷量とがトレードオフの関係にあり、感度とダイ
ナミックレンジとのバランスを取って設計されていた。
換言すれば、どちらにも犠牲が払われていた。このため
温度計測装置等に用いられる場合、装置の方で測温範囲
を区切り、絞り調整やフィルタ切替によって測定可能な
温度範囲を拡大していた。従って、従来のものでは測温
範囲が跨るような低温被写体と高温被写体を同一画面に
捕らえ、同時に測温することができないという欠点があ
った。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに本発明の赤外線固体撮像素子は、奇数例の画素と偶
数列の画素が異なる開口率を有し、受光部から垂直電荷
結合素子へ信号電荷を転送し、かつ受光部のバイアス電
位を規定するトランスファゲートが奇数列の画素と偶数
列の画素とで別配線され別端子を具備し、奇数列に対応
するものと偶数列に対応するものの２組の水平電荷結合
素子及びそれに連なる出力部を具備している。開口率の
大きい画素列はチャネル幅の狭い垂直電荷結合素子を備
えており、開口率の小さい画素列はチャネル幅の広い垂
直電荷結合素子を備えている。
めに本発明の赤外線固体撮像素子は、奇数例の画素と偶
数列の画素が異なる開口率を有し、受光部から垂直電荷
結合素子へ信号電荷を転送し、かつ受光部のバイアス電
位を規定するトランスファゲートが奇数列の画素と偶数
列の画素とで別配線され別端子を具備し、奇数列に対応
するものと偶数列に対応するものの２組の水平電荷結合
素子及びそれに連なる出力部を具備している。開口率の
大きい画素列はチャネル幅の狭い垂直電荷結合素子を備
えており、開口率の小さい画素列はチャネル幅の広い垂
直電荷結合素子を備えている。
【０００５】
【作用】本発明の赤外線固体撮像素子では、奇数列と偶
数列とで開口率の異なる画素が配列されている、すなわ
ち、受光領域面積が広くて垂直ＣＣＤチャネル幅が狭い
画素列と、受光領域面積が狭くて垂直ＣＣＤチャネル幅
が広い画素列とが交互に配列されている。開口率が高い
画素列は高感度だが扱い得る電荷量が少ないため、低温
被写体に対する温度差検出能力は高いが高温被写体に対
しては飽和して温度差検出不能となる。一方、開口率が
低い画素列は低感度だが扱い得る電荷量が多いため、低
温被写体に対する温度差検出に不利だが高温被写体に対
しても飽和せず温度差検出可能である。これら２種類の
画素列の受光部におけるバイアス電位設定条件は、それ
ぞれに対応する垂直ＣＣＤの最大転送電荷量に即して決
定されるべきものであり最適条件が異なるが、本発明で
は受光部のバイアス電位を規定するトランスファゲート
が奇数列の画素と偶数列の画素とで別配線され別端子を
具備しているので、互いに独立に設定することができ
る。さらに、奇数列に対応するものと偶数列に対応する
ものの２組の水平ＣＣＤ及びそれに連なる出力部を具備
しているので、奇数列で構成されるイメージ信号と偶数
列で構成されるイメージ信号とを完全に分離して取り出
すことができる。従って、本発明では低温被写体測温に
有効なイメージ信号と高温被写体測温に有効なイメージ
信号とを全く同時に得ることができるので、温度計測装
置等に用いれば低温被写体と高温被写体を同一画面に捕
らえて同時に測温することが可能となり、前述の課題が
解決される。
数列とで開口率の異なる画素が配列されている、すなわ
ち、受光領域面積が広くて垂直ＣＣＤチャネル幅が狭い
画素列と、受光領域面積が狭くて垂直ＣＣＤチャネル幅
が広い画素列とが交互に配列されている。開口率が高い
画素列は高感度だが扱い得る電荷量が少ないため、低温
被写体に対する温度差検出能力は高いが高温被写体に対
しては飽和して温度差検出不能となる。一方、開口率が
低い画素列は低感度だが扱い得る電荷量が多いため、低
温被写体に対する温度差検出に不利だが高温被写体に対
しても飽和せず温度差検出可能である。これら２種類の
画素列の受光部におけるバイアス電位設定条件は、それ
ぞれに対応する垂直ＣＣＤの最大転送電荷量に即して決
定されるべきものであり最適条件が異なるが、本発明で
は受光部のバイアス電位を規定するトランスファゲート
が奇数列の画素と偶数列の画素とで別配線され別端子を
具備しているので、互いに独立に設定することができ
る。さらに、奇数列に対応するものと偶数列に対応する
ものの２組の水平ＣＣＤ及びそれに連なる出力部を具備
しているので、奇数列で構成されるイメージ信号と偶数
列で構成されるイメージ信号とを完全に分離して取り出
すことができる。従って、本発明では低温被写体測温に
有効なイメージ信号と高温被写体測温に有効なイメージ
信号とを全く同時に得ることができるので、温度計測装
置等に用いれば低温被写体と高温被写体を同一画面に捕
らえて同時に測温することが可能となり、前述の課題が
解決される。
【０００６】
【実施例】図１は本発明の赤外線固体撮像素子の一実施
例の構成を示す平面図である。開口率が高い受光領域
１，トランスファゲート５及びチャネル幅が狭い垂直Ｃ
ＣＤ３の１段分（４電極）から成る画素が垂直方向に並
んだ画素列と、開口率が低い受光領域２、トランスファ
ゲート５及びチャネル幅が広い垂直ＣＣＤ４の１段分
（４電極）から成る画素が垂直方向に並んだ画素列とを
互い違いに配列して撮像領域を構成している。この例で
は出力側から数えて奇数列が開口率の低い画素で偶数列
が開口率の高い画素になっている。受光領域のバイアス
電位を規定するトランスファゲート５は奇数列と偶数列
とで別々の配線６及び７に接続されており、奇数列用ト
ランスァゲート配線６はφＴＧodd 端子を具備し、偶数
列用トランスファゲート配線７はφＴＧeven端子を具備
している。
例の構成を示す平面図である。開口率が高い受光領域
１，トランスファゲート５及びチャネル幅が狭い垂直Ｃ
ＣＤ３の１段分（４電極）から成る画素が垂直方向に並
んだ画素列と、開口率が低い受光領域２、トランスファ
ゲート５及びチャネル幅が広い垂直ＣＣＤ４の１段分
（４電極）から成る画素が垂直方向に並んだ画素列とを
互い違いに配列して撮像領域を構成している。この例で
は出力側から数えて奇数列が開口率の低い画素で偶数列
が開口率の高い画素になっている。受光領域のバイアス
電位を規定するトランスファゲート５は奇数列と偶数列
とで別々の配線６及び７に接続されており、奇数列用ト
ランスァゲート配線６はφＴＧodd 端子を具備し、偶数
列用トランスファゲート配線７はφＴＧeven端子を具備
している。
【０００７】撮像領域の下部に水平ＣＣＤを備えている
が、水平ＣＣＤは奇数列用８と偶数列用９の２個から成
っている。全ての垂直ＣＣＤは奇数列用水平ＣＣＤ８に
接続されている。奇数列用水平ＣＣＤ８と偶数列用水平
ＣＣＤ９との間に、偶数列垂直ＣＣＤからの信号電荷を
奇数列用水平ＣＣＤ８から偶数列用水平ＣＣＤ９へ移送
するための転送機構を具備している。偶数列垂直ＣＣＤ
の最大転送電荷量は奇数列垂直ＣＣＤのそれより少ない
ので、図のように奇数列用水平ＣＣＤ８を撮像領域直下
に設ける構成ならば、偶数列用水平ＣＣＤ９のチャネル
幅を減らして最大転送電荷量を奇数列用水平ＣＣＤ８の
それより少なくすることができる。２個の水平ＣＣＤ８
及び９の終端にはそれぞれ奇数列用出力部１０と偶数列
用出力部１１が接続されている。２個の出力部１０及び
１１はそれぞれ扱う電荷量に適した電荷−電圧変換係数
を持たせている。例えばチャネル幅が狭い垂直ＣＣＤ３
（偶数列）とチャネル幅が広い垂直ＣＣＤ４（奇数列）
の最大転送電荷量比が１：２であったとすれば、偶数列
用出力部１１と奇数列用出力部１０の電荷−電圧変換係
数比を２：１としておけば、信号処理装置はどちらの列
に対するものもほぼ同様のものを用いることができて都
合が良い。
が、水平ＣＣＤは奇数列用８と偶数列用９の２個から成
っている。全ての垂直ＣＣＤは奇数列用水平ＣＣＤ８に
接続されている。奇数列用水平ＣＣＤ８と偶数列用水平
ＣＣＤ９との間に、偶数列垂直ＣＣＤからの信号電荷を
奇数列用水平ＣＣＤ８から偶数列用水平ＣＣＤ９へ移送
するための転送機構を具備している。偶数列垂直ＣＣＤ
の最大転送電荷量は奇数列垂直ＣＣＤのそれより少ない
ので、図のように奇数列用水平ＣＣＤ８を撮像領域直下
に設ける構成ならば、偶数列用水平ＣＣＤ９のチャネル
幅を減らして最大転送電荷量を奇数列用水平ＣＣＤ８の
それより少なくすることができる。２個の水平ＣＣＤ８
及び９の終端にはそれぞれ奇数列用出力部１０と偶数列
用出力部１１が接続されている。２個の出力部１０及び
１１はそれぞれ扱う電荷量に適した電荷−電圧変換係数
を持たせている。例えばチャネル幅が狭い垂直ＣＣＤ３
（偶数列）とチャネル幅が広い垂直ＣＣＤ４（奇数列）
の最大転送電荷量比が１：２であったとすれば、偶数列
用出力部１１と奇数列用出力部１０の電荷−電圧変換係
数比を２：１としておけば、信号処理装置はどちらの列
に対するものもほぼ同様のものを用いることができて都
合が良い。
【０００８】図２は低温被写体と高温被写体を撮像した
ときの画素における信号電荷の蓄積状態を示している。
ここで（ａ）は低温被写体を撮像した場合であり、
（ｂ）は高温被写体を撮像した場合である。横軸はトラ
ンスファゲートの読み出し動作により受光部がリセット
されてからの経過時間を表しており、縦軸は受光部の蓄
積電荷量を表している。それぞれの画素の受光部におけ
る最大蓄積電荷量が、対応する垂直ＣＣＤの最大転送電
荷量と一致するように、トランスファゲートのリセット
電位を設定すると最も効果的である。トランスファゲー
トが奇数列と偶数列とで別配線となっているので、この
ような設定が可能となっている。図中の「蓄積時間」は
次のリセットが掛かるまでの時間であり、実際の動作で
はここで蓄積電荷量が零になる。（ａ）に示すように、
低温被写体を撮像したときには信号電荷の増加速度は遅
いが、開口率が高い蓄積時間内に多くの信号電荷を発生
し、測温の良好に行なうことができる。（ｂ）に示すよ
うに、高温被写体を撮像したときには信号電荷の増加速
度は速く、開口率が高い画素では飽和状態となって測温
不能となってしまうが、開口率が低い画素は開口率が高
い画素に比べて信号電荷の増加速度が遅いうえに最大電
荷量も多いので、測温可能状態を維持することができ
る。本発明の赤外線固体撮像素子は、このように得られ
た２種類のイメージ信号を前述の構成によって同時に出
力し得るので、これを用いて温度計測装置等を構成すれ
ば低温被写体と高温被写体を同一画素に捕らえて同時に
測温することが可能となる。
ときの画素における信号電荷の蓄積状態を示している。
ここで（ａ）は低温被写体を撮像した場合であり、
（ｂ）は高温被写体を撮像した場合である。横軸はトラ
ンスファゲートの読み出し動作により受光部がリセット
されてからの経過時間を表しており、縦軸は受光部の蓄
積電荷量を表している。それぞれの画素の受光部におけ
る最大蓄積電荷量が、対応する垂直ＣＣＤの最大転送電
荷量と一致するように、トランスファゲートのリセット
電位を設定すると最も効果的である。トランスファゲー
トが奇数列と偶数列とで別配線となっているので、この
ような設定が可能となっている。図中の「蓄積時間」は
次のリセットが掛かるまでの時間であり、実際の動作で
はここで蓄積電荷量が零になる。（ａ）に示すように、
低温被写体を撮像したときには信号電荷の増加速度は遅
いが、開口率が高い蓄積時間内に多くの信号電荷を発生
し、測温の良好に行なうことができる。（ｂ）に示すよ
うに、高温被写体を撮像したときには信号電荷の増加速
度は速く、開口率が高い画素では飽和状態となって測温
不能となってしまうが、開口率が低い画素は開口率が高
い画素に比べて信号電荷の増加速度が遅いうえに最大電
荷量も多いので、測温可能状態を維持することができ
る。本発明の赤外線固体撮像素子は、このように得られ
た２種類のイメージ信号を前述の構成によって同時に出
力し得るので、これを用いて温度計測装置等を構成すれ
ば低温被写体と高温被写体を同一画素に捕らえて同時に
測温することが可能となる。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の赤外線撮像
素子は、奇数列の画素と偶数列の画素が異なる開口率を
有し、奇数列の画素と偶数列の画素とでトランスファゲ
ートが別配線され別端子を具備し、奇数列に対応するも
のと偶数列に対応するものの２組の水平電荷結合素子及
びそれに連なる出力部を具備する構成としたので、低温
被写体測温に有利な高感度イメージ信号と高温被写体に
有利な高ダイナミックレンジイメージ信号の両方を同時
に出力することができる。従って、本発明の赤外線固体
撮像素子を用いれば、低温被写体と高温被写体を同一画
面に捕らえ、同時測温可能な温度計測装置等を構成でき
る効果がある。
素子は、奇数列の画素と偶数列の画素が異なる開口率を
有し、奇数列の画素と偶数列の画素とでトランスファゲ
ートが別配線され別端子を具備し、奇数列に対応するも
のと偶数列に対応するものの２組の水平電荷結合素子及
びそれに連なる出力部を具備する構成としたので、低温
被写体測温に有利な高感度イメージ信号と高温被写体に
有利な高ダイナミックレンジイメージ信号の両方を同時
に出力することができる。従って、本発明の赤外線固体
撮像素子を用いれば、低温被写体と高温被写体を同一画
面に捕らえ、同時測温可能な温度計測装置等を構成でき
る効果がある。
【図１】本発明の赤外線固体撮像素子の一実施例の構成
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図２】開口率が高い画素と開口率が低い画素における
信号電荷の蓄積状態を示す図で、（ａ）が低温被写体を
撮像した場合、（ｂ）が高温被写体を撮像した場合を表
している。
信号電荷の蓄積状態を示す図で、（ａ）が低温被写体を
撮像した場合、（ｂ）が高温被写体を撮像した場合を表
している。
【図３】従来の赤外線固体撮像素子の構成を示す平面図
である。
である。
１ 開口率が高い受光領域 ２ 開口率が低い受光領域 ３ チャネル幅が狭い垂直ＣＣＤ ４ チャネル幅が広い垂直ＣＣＤ ５ トランスファゲート ６ トランスファゲート配線（奇数列用） ７ トランスファゲート配線（偶数列用） ８ 水平ＣＣＤ（奇数列用） ９ 水平ＣＣＤ（偶数列用） １０ 出力部（奇数列用） １１ 出力部（偶数列用） １２ 受光領域 １３ 垂直ＣＣＤ １４ トランスファゲート配線 １５ 水平ＣＣＤ １６ 出力部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｎ 5/335 Ｆ
Claims (2)
- 【請求項１】 受光部が２次元に配列され、垂直方向と
水平方向に設けられた電荷結合素子によって電子走査さ
れる赤外線固体撮像素子において、奇数列の画素と偶数
列の画素が異なる開口率を有し、受光部から垂直電荷結
合素子へ信号電荷を転送し、かつ、受光部のバイアス電
位を規定するトランスファゲートが奇数列の画素と偶数
列の画素とで別配線され別端子を具備し、奇数列に対応
するものと偶数列に対応するものの２組の水平電荷結合
素子及びそれに連なる出力部を具備することを特徴とす
る赤外線固体撮像素子。 - 【請求項２】 開口率の大きい画素列はチャネル幅が狭
い垂直電荷結合素子を有し、開口率の小さい画素列はチ
ャネル幅の広い垂直電荷結合素子を有する請求項１記載
の赤外線固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6292863A JP2590763B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 赤外線固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6292863A JP2590763B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 赤外線固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153865A true JPH08153865A (ja) | 1996-06-11 |
| JP2590763B2 JP2590763B2 (ja) | 1997-03-12 |
Family
ID=17787354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6292863A Expired - Fee Related JP2590763B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 赤外線固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2590763B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002085342A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-26 | Olympus Optical Co Ltd | 内視鏡装置 |
| KR100369359B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-01-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이웃하는 픽셀 간의 칼라 데이터 분리할 수 있는 이미지센서 및 그를 위한 데이터 스캔 방법 |
| EP1819144A1 (en) | 2006-02-13 | 2007-08-15 | GE Inspection Technologies, LP | Electronic imaging device with photosensor arrays |
| JP2011188148A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JP2019184280A (ja) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | シャープ株式会社 | 赤外線検出システム |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP6292863A patent/JP2590763B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002085342A (ja) * | 2000-09-11 | 2002-03-26 | Olympus Optical Co Ltd | 内視鏡装置 |
| KR100369359B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-01-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이웃하는 픽셀 간의 칼라 데이터 분리할 수 있는 이미지센서 및 그를 위한 데이터 스캔 방법 |
| EP1819144A1 (en) | 2006-02-13 | 2007-08-15 | GE Inspection Technologies, LP | Electronic imaging device with photosensor arrays |
| US7679041B2 (en) | 2006-02-13 | 2010-03-16 | Ge Inspection Technologies, Lp | Electronic imaging device with photosensor arrays |
| JP2011188148A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| US9029749B2 (en) | 2010-03-05 | 2015-05-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device |
| JP2019184280A (ja) * | 2018-04-03 | 2019-10-24 | シャープ株式会社 | 赤外線検出システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2590763B2 (ja) | 1997-03-12 |
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