JPH08160465A - 表示素子の製造方法 - Google Patents
表示素子の製造方法Info
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- JPH08160465A JPH08160465A JP30664894A JP30664894A JPH08160465A JP H08160465 A JPH08160465 A JP H08160465A JP 30664894 A JP30664894 A JP 30664894A JP 30664894 A JP30664894 A JP 30664894A JP H08160465 A JPH08160465 A JP H08160465A
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- ito
- film
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 インジウムすず酸化物（以下、ＩＴＯと記
す）薄膜におけるデータ信号線３…および絵素電極６…
が形成されるべき領域にのみ、絶縁性および耐エッチン
グ性を備えた保護膜１８…を形成し、その後、この保護
膜１８…をマスクとして用いて、露出している該ＩＴＯ
薄膜をウェットエッチングする。保護膜１８…は、窒化
ケイ素薄膜からなり、ＩＴＯとの密着性が充分に高い。 【効果】 ＩＴＯ薄膜および保護膜１８…間に隙間が形
成されないので、該ＩＴＯ薄膜が分厚い場合において
も、いわゆるサイドエッチング（サイドシフト）を充分
に小さくすることができる。このため、エッチング残渣
が起こらないようにＩＴＯ薄膜にオーバエッチングを施
した場合においても、サイドシフトの発生を実質的に抑
えることができるので、液晶表示素子の設計マージンを
大きくすることができると共に、歩留りを向上させるこ
とができる。
す）薄膜におけるデータ信号線３…および絵素電極６…
が形成されるべき領域にのみ、絶縁性および耐エッチン
グ性を備えた保護膜１８…を形成し、その後、この保護
膜１８…をマスクとして用いて、露出している該ＩＴＯ
薄膜をウェットエッチングする。保護膜１８…は、窒化
ケイ素薄膜からなり、ＩＴＯとの密着性が充分に高い。 【効果】 ＩＴＯ薄膜および保護膜１８…間に隙間が形
成されないので、該ＩＴＯ薄膜が分厚い場合において
も、いわゆるサイドエッチング（サイドシフト）を充分
に小さくすることができる。このため、エッチング残渣
が起こらないようにＩＴＯ薄膜にオーバエッチングを施
した場合においても、サイドシフトの発生を実質的に抑
えることができるので、液晶表示素子の設計マージンを
大きくすることができると共に、歩留りを向上させるこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば液晶表示装置等
の表示装置の平面ディスプレイ装置に供され、例えば、
アクティブマトリクス駆動方式で駆動される表示素子の
製造方法に関するものである。
の表示装置の平面ディスプレイ装置に供され、例えば、
アクティブマトリクス駆動方式で駆動される表示素子の
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えば、液晶表示装置に供される
液晶表示素子（表示素子）として、ＴＦＴ（薄膜トラン
ジスタ：Thin Film Transistor）やＭＩＭ (Metal Insu
latorMetal)等からなるスイッチング素子を用い、アク
ティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子が
種々提案されている。このような液晶表示素子の製造方
法について、図５および図６を参照しながら、以下に説
明する。
液晶表示素子（表示素子）として、ＴＦＴ（薄膜トラン
ジスタ：Thin Film Transistor）やＭＩＭ (Metal Insu
latorMetal)等からなるスイッチング素子を用い、アク
ティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子が
種々提案されている。このような液晶表示素子の製造方
法について、図５および図６を参照しながら、以下に説
明する。
【０００３】先ず、図５に示すように、基板３１上に、
図示しない走査信号線およびゲート電極等を例えばＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition ）法等の所定の方法を
用いて形成した後、この上に、ゲート絶縁膜３４および
上記スイッチング素子（図示せず）等を形成する。続い
て、データ信号線３３…および絵素電極３６…となるべ
きインジウムすず酸化物（Indium-tin oxide、以下、Ｉ
ＴＯと記す）薄膜を積層する。尚、ＩＴＯ薄膜は、光透
過性および導電性に優れており、データ信号線および絵
素電極として一般的に用いられている。
図示しない走査信号線およびゲート電極等を例えばＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition ）法等の所定の方法を
用いて形成した後、この上に、ゲート絶縁膜３４および
上記スイッチング素子（図示せず）等を形成する。続い
て、データ信号線３３…および絵素電極３６…となるべ
きインジウムすず酸化物（Indium-tin oxide、以下、Ｉ
ＴＯと記す）薄膜を積層する。尚、ＩＴＯ薄膜は、光透
過性および導電性に優れており、データ信号線および絵
素電極として一般的に用いられている。
【０００４】次いで、上記のＩＴＯ薄膜をフォトリソグ
ラフィ等の公知の方法によってパターニングすることに
より、データ信号線３３…および絵素電極３６…を形成
する。即ち、ＩＴＯ薄膜上にフォトレジスト液を塗布
し、乾燥させた後、該フォトレジスト上にデータ信号線
３３…および絵素電極３６…のパターンが形成されたマ
スクを重ね合わせる。次に、マスクを介してフォトレジ
ストに紫外線等の光を照射し、フォトレジストを上記パ
ターンに硬化させる。次いで、硬化しなかったフォトレ
ジスト、つまり、ＩＴＯ薄膜におけるデータ信号線３３
…および絵素電極３６…が形成されない領域に塗布され
たフォトレジストを除去する。その後、露出している該
ＩＴＯ薄膜を適当なエッチング溶液を用いてウエットエ
ッチングすることにより、データ信号線３３…および絵
素電極３６…を形成する。
ラフィ等の公知の方法によってパターニングすることに
より、データ信号線３３…および絵素電極３６…を形成
する。即ち、ＩＴＯ薄膜上にフォトレジスト液を塗布
し、乾燥させた後、該フォトレジスト上にデータ信号線
３３…および絵素電極３６…のパターンが形成されたマ
スクを重ね合わせる。次に、マスクを介してフォトレジ
ストに紫外線等の光を照射し、フォトレジストを上記パ
ターンに硬化させる。次いで、硬化しなかったフォトレ
ジスト、つまり、ＩＴＯ薄膜におけるデータ信号線３３
…および絵素電極３６…が形成されない領域に塗布され
たフォトレジストを除去する。その後、露出している該
ＩＴＯ薄膜を適当なエッチング溶液を用いてウエットエ
ッチングすることにより、データ信号線３３…および絵
素電極３６…を形成する。
【０００５】次に、硬化したフォトレジストを除去した
後、これらデータ信号線３３…および絵素電極３６…上
に、絶縁性を備えた保護膜３８…を形成する。以上の工
程により、液晶表示素子が形成される。尚、必要に応じ
て、図６に示すように、絵素電極３６上の保護膜３８を
例えばドライエッチング等することによって窓開けを行
うことにより、絵素電極３６にいわゆる窓３９を設けて
もよい。
後、これらデータ信号線３３…および絵素電極３６…上
に、絶縁性を備えた保護膜３８…を形成する。以上の工
程により、液晶表示素子が形成される。尚、必要に応じ
て、図６に示すように、絵素電極３６上の保護膜３８を
例えばドライエッチング等することによって窓開けを行
うことにより、絵素電極３６にいわゆる窓３９を設けて
もよい。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法で用いられるフォトレジストは、ＩＴＯとの密
着性が低く、このため、ＩＴＯ薄膜およびフォトレジス
ト間に隙間が形成されるおそれがある。従って、上記従
来の方法では、フォトリソグラフィを用いてデータ信号
線３３…および絵素電極３６…を形成する際に、エッチ
ング溶液が上記の隙間にまで回り込んでしまい、いわゆ
るサイドエッチング（サイドシフト）が発生し易くなっ
ている。
来の方法で用いられるフォトレジストは、ＩＴＯとの密
着性が低く、このため、ＩＴＯ薄膜およびフォトレジス
ト間に隙間が形成されるおそれがある。従って、上記従
来の方法では、フォトリソグラフィを用いてデータ信号
線３３…および絵素電極３６…を形成する際に、エッチ
ング溶液が上記の隙間にまで回り込んでしまい、いわゆ
るサイドエッチング（サイドシフト）が発生し易くなっ
ている。
【０００７】つまり、上記従来の方法では、液晶表示素
子を製造する際に、該サイドシフトの発生を考慮しなけ
ればならないため、その分だけ液晶表示素子のパターン
等の設計マージンが小さくなってしまうという問題点を
有している。
子を製造する際に、該サイドシフトの発生を考慮しなけ
ればならないため、その分だけ液晶表示素子のパターン
等の設計マージンが小さくなってしまうという問題点を
有している。
【０００８】そして、一般に、ＩＴＯ薄膜をウエットエ
ッチングする際には、成膜時に生じる該ＩＴＯ薄膜の膜
質のムラ等を考慮に入れて、エッチング残渣が起こらな
いように、設計時において算出されるエッチング時間
（いわゆるジャストエッチング時間）よりもさらに長い
時間エッチングを行う、いわゆるオーバエッチングを施
すようになっている。このため、発生するサイドシフト
がより一層大きくなってしまう。そして、サイドシフト
が特に大きい場合には、該サイドシフトに由来する欠
陥、例えば段差部等でデータ信号線３３…の断線が起こ
り易くなるため、液晶表示素子の歩留りの低下を招来す
るという問題点を有している。
ッチングする際には、成膜時に生じる該ＩＴＯ薄膜の膜
質のムラ等を考慮に入れて、エッチング残渣が起こらな
いように、設計時において算出されるエッチング時間
（いわゆるジャストエッチング時間）よりもさらに長い
時間エッチングを行う、いわゆるオーバエッチングを施
すようになっている。このため、発生するサイドシフト
がより一層大きくなってしまう。そして、サイドシフト
が特に大きい場合には、該サイドシフトに由来する欠
陥、例えば段差部等でデータ信号線３３…の断線が起こ
り易くなるため、液晶表示素子の歩留りの低下を招来す
るという問題点を有している。
【０００９】尚、ＩＴＯ薄膜をより薄く形成してエッチ
ング時間を短くすることによりサイドシフトの発生を抑
えることが考えられるが、ＩＴＯ薄膜をより薄く形成す
ると、絵素電極３６…と同時に形成されるデータ信号線
３３…の膜厚も薄くなってしまう。このため、データ信
号線３３…の配線抵抗が大きくなってしまうという新た
な問題点を生じることとなる。つまり、ＩＴＯ薄膜の膜
厚は、設計上、或る厚さ以上に制限されている。
ング時間を短くすることによりサイドシフトの発生を抑
えることが考えられるが、ＩＴＯ薄膜をより薄く形成す
ると、絵素電極３６…と同時に形成されるデータ信号線
３３…の膜厚も薄くなってしまう。このため、データ信
号線３３…の配線抵抗が大きくなってしまうという新た
な問題点を生じることとなる。つまり、ＩＴＯ薄膜の膜
厚は、設計上、或る厚さ以上に制限されている。
【００１０】また、上記従来の方法では、ＩＴＯ薄膜を
ウエットエッチングしてデータ信号線３３…および絵素
電極３６…を形成した後、硬化したフォトレジストを除
去し、さらに、これらデータ信号線３３…および絵素電
極３６…上に、保護膜３８…を形成する。このため、液
晶表示素子の製造工程数が多く、コストの低減化を図り
難いという問題点も有している。
ウエットエッチングしてデータ信号線３３…および絵素
電極３６…を形成した後、硬化したフォトレジストを除
去し、さらに、これらデータ信号線３３…および絵素電
極３６…上に、保護膜３８…を形成する。このため、液
晶表示素子の製造工程数が多く、コストの低減化を図り
難いという問題点も有している。
【００１１】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであり、その目的は、オーバエッチングを施した
場合においてもサイドシフトの発生を実質的に抑えるこ
とができ、これにより、設計マージンを大きくすること
ができると共に、歩留りを向上させることができる表示
素子の製造方法を提供することにある。また、他の目的
は、製造工程数を従来よりも削減することによりコスト
の低減を図ることができる表示素子の製造方法を提供す
ることにある。
たものであり、その目的は、オーバエッチングを施した
場合においてもサイドシフトの発生を実質的に抑えるこ
とができ、これにより、設計マージンを大きくすること
ができると共に、歩留りを向上させることができる表示
素子の製造方法を提供することにある。また、他の目的
は、製造工程数を従来よりも削減することによりコスト
の低減を図ることができる表示素子の製造方法を提供す
ることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の表
示素子の製造方法は、上記の課題を解決するために、絵
素を構成する絵素電極と、この絵素電極に信号を供給す
る信号線とを基板上に有する表示素子の製造方法におい
て、 基板上に導電性薄膜を形成すると共に、該導電性薄
膜における上記絵素電極および信号線の少なくとも一方
が形成されるべき領域にのみ、絶縁性および耐エッチン
グ性を備えた保護膜を形成し、その後、露出している該
導電性薄膜をエッチングすることを特徴としている。
示素子の製造方法は、上記の課題を解決するために、絵
素を構成する絵素電極と、この絵素電極に信号を供給す
る信号線とを基板上に有する表示素子の製造方法におい
て、 基板上に導電性薄膜を形成すると共に、該導電性薄
膜における上記絵素電極および信号線の少なくとも一方
が形成されるべき領域にのみ、絶縁性および耐エッチン
グ性を備えた保護膜を形成し、その後、露出している該
導電性薄膜をエッチングすることを特徴としている。
【００１３】請求項２記載の発明の表示素子の製造方法
は、上記の課題を解決するために、請求項１記載の表示
素子の製造方法において、上記導電性薄膜がインジウム
すず酸化物からなり、かつ、上記保護膜が、窒化ケイ
素、酸化ケイ素、および酸化タンタルからなる群より選
ばれる少なくとも一種の化合物からなることを特徴とし
ている。
は、上記の課題を解決するために、請求項１記載の表示
素子の製造方法において、上記導電性薄膜がインジウム
すず酸化物からなり、かつ、上記保護膜が、窒化ケイ
素、酸化ケイ素、および酸化タンタルからなる群より選
ばれる少なくとも一種の化合物からなることを特徴とし
ている。
【００１４】
【作用】請求項１記載の方法によれば、導電性薄膜にお
ける絵素電極および信号線の少なくとも一方が形成され
るべき領域にのみ、絶縁性および耐エッチング性を備え
た保護膜を形成し、その後、露出している該導電性薄膜
をエッチングする。つまり、絵素電極や信号線を保護す
るための保護膜を、導電性薄膜をエッチングする際のマ
スクとして用いる。
ける絵素電極および信号線の少なくとも一方が形成され
るべき領域にのみ、絶縁性および耐エッチング性を備え
た保護膜を形成し、その後、露出している該導電性薄膜
をエッチングする。つまり、絵素電極や信号線を保護す
るための保護膜を、導電性薄膜をエッチングする際のマ
スクとして用いる。
【００１５】それゆえ、エッチングした後、該エッチン
グに用いたマスクを除去する必要がないので、表示素子
の製造工程数を、従来の表示素子の製造工程数よりも少
なくすることができる。これにより、表示素子を、従来
よりも低コストでもって製造することができる。
グに用いたマスクを除去する必要がないので、表示素子
の製造工程数を、従来の表示素子の製造工程数よりも少
なくすることができる。これにより、表示素子を、従来
よりも低コストでもって製造することができる。
【００１６】請求項２記載の方法によれば、導電性薄膜
がインジウムすず酸化物からなり、かつ、保護膜が、窒
化ケイ素、酸化ケイ素、および酸化タンタルからなる群
より選ばれる少なくとも一種の化合物からなっている。
上記の窒化ケイ素、酸化ケイ素、および酸化タンタル
は、従来のフォトレジストと比較して、インジウムすず
酸化物との密着性が充分に高い。このため、インジウム
すず酸化物からなる導電性薄膜、および該化合物からな
る保護膜間に隙間が形成されることはなく、従って、該
導電性薄膜が分厚い場合においても、いわゆるサイドエ
ッチング（サイドシフト）を充分に小さくすることがで
きる。
がインジウムすず酸化物からなり、かつ、保護膜が、窒
化ケイ素、酸化ケイ素、および酸化タンタルからなる群
より選ばれる少なくとも一種の化合物からなっている。
上記の窒化ケイ素、酸化ケイ素、および酸化タンタル
は、従来のフォトレジストと比較して、インジウムすず
酸化物との密着性が充分に高い。このため、インジウム
すず酸化物からなる導電性薄膜、および該化合物からな
る保護膜間に隙間が形成されることはなく、従って、該
導電性薄膜が分厚い場合においても、いわゆるサイドエ
ッチング（サイドシフト）を充分に小さくすることがで
きる。
【００１７】それゆえ、エッチング残渣が起こらないよ
うに導電性薄膜にオーバエッチングを施した場合におい
ても、サイドシフトの発生を実質的に抑えることができ
るので、表示素子の設計マージンを大きくすることがで
きると共に、歩留りを向上させることができる。
うに導電性薄膜にオーバエッチングを施した場合におい
ても、サイドシフトの発生を実質的に抑えることができ
るので、表示素子の設計マージンを大きくすることがで
きると共に、歩留りを向上させることができる。
【００１８】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図４に
基づいて説明すれば、以下の通りである。尚、本実施例
においては、表示素子としての液晶表示素子を製造する
製造方法を例に挙げて説明することとする。
基づいて説明すれば、以下の通りである。尚、本実施例
においては、表示素子としての液晶表示素子を製造する
製造方法を例に挙げて説明することとする。
【００１９】本実施例にかかる液晶表示素子の製造方法
は、絵素を構成する絵素電極と、この絵素電極に信号を
供給する信号線とを基板上に有する液晶表示素子を製造
する方法であり、基板上に導電性薄膜を形成すると共
に、該導電性薄膜における上記絵素電極および信号線の
少なくとも一方が形成されるべき領域にのみ、絶縁性お
よび耐エッチング性を備えた保護膜を形成し、その後、
露出している該導電性薄膜をエッチングする方法であ
る。
は、絵素を構成する絵素電極と、この絵素電極に信号を
供給する信号線とを基板上に有する液晶表示素子を製造
する方法であり、基板上に導電性薄膜を形成すると共
に、該導電性薄膜における上記絵素電極および信号線の
少なくとも一方が形成されるべき領域にのみ、絶縁性お
よび耐エッチング性を備えた保護膜を形成し、その後、
露出している該導電性薄膜をエッチングする方法であ
る。
【００２０】また、本実施例にかかる液晶表示素子の製
造方法は、上記の導電性薄膜がインジウムすず酸化物
（ＩＴＯ：Indium-tin oxide）からなり、かつ、上記の
保護膜が、窒化ケイ素（ＳｉＮX ）、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）、および酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）からなる群
より選ばれる少なくとも一種の化合物からなる方法であ
る。
造方法は、上記の導電性薄膜がインジウムすず酸化物
（ＩＴＯ：Indium-tin oxide）からなり、かつ、上記の
保護膜が、窒化ケイ素（ＳｉＮX ）、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）、および酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）からなる群
より選ばれる少なくとも一種の化合物からなる方法であ
る。
【００２１】以下、上記の方法により製造される液晶表
示素子の構成の一例について説明する。
示素子の構成の一例について説明する。
【００２２】本実施例にかかる液晶表示素子は、例えば
液晶表示装置等の平面ディスプレイ装置に供され、アク
ティブマトリクス駆動方式で駆動される。上記の液晶表
示素子は、図２に示すように、表示部を構成する基板１
を備えている。上記の基板１は、ガラス、または、絶縁
膜が表面に成膜された合成樹脂等の絶縁体からなってい
る。
液晶表示装置等の平面ディスプレイ装置に供され、アク
ティブマトリクス駆動方式で駆動される。上記の液晶表
示素子は、図２に示すように、表示部を構成する基板１
を備えている。上記の基板１は、ガラス、または、絶縁
膜が表面に成膜された合成樹脂等の絶縁体からなってい
る。
【００２３】基板１上には、互いに平行な複数の信号線
である走査信号線（ゲートバス）２…と、互いに平行な
複数の信号線としてのデータ信号線（ドレインバス）３
…とが配設されている。走査信号線２…は、走査信号を
出力する走査回路（図示せず）に電気的に接続されてい
る。データ信号線３…は、データ信号を出力するホール
ド回路（図示せず）に電気的に接続されている。また、
データ信号線３…は、走査信号線２…と直交している。
そして、走査信号線２…およびデータ信号線３…は、ゲ
ート絶縁膜４（図１）を介して重畳されている。ゲート
絶縁膜４は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化タン
タル等で形成されている。走査信号線２…は、陽極酸化
が可能な金属、例えばＡｌやＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｕ等
からなる薄膜で形成されており、その表面には酸化被膜
である酸化膜１３（図３）が形成されている。尚、走査
信号線２…は、後述する補助容量７…の電極線を兼ねて
いる。
である走査信号線（ゲートバス）２…と、互いに平行な
複数の信号線としてのデータ信号線（ドレインバス）３
…とが配設されている。走査信号線２…は、走査信号を
出力する走査回路（図示せず）に電気的に接続されてい
る。データ信号線３…は、データ信号を出力するホール
ド回路（図示せず）に電気的に接続されている。また、
データ信号線３…は、走査信号線２…と直交している。
そして、走査信号線２…およびデータ信号線３…は、ゲ
ート絶縁膜４（図１）を介して重畳されている。ゲート
絶縁膜４は、例えば窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸化タン
タル等で形成されている。走査信号線２…は、陽極酸化
が可能な金属、例えばＡｌやＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｕ等
からなる薄膜で形成されており、その表面には酸化被膜
である酸化膜１３（図３）が形成されている。尚、走査
信号線２…は、後述する補助容量７…の電極線を兼ねて
いる。
【００２４】データ信号線３…は、光透過性および導電
性に優れたインジウムすず酸化物（以下、ＩＴＯと記
す）からなる薄膜（導電性薄膜）で形成されている。そ
して、データ信号線３…は、ＩＴＯ薄膜をエッチングす
ることにより絵素電極６…（後述する）と共に形成され
る。
性に優れたインジウムすず酸化物（以下、ＩＴＯと記
す）からなる薄膜（導電性薄膜）で形成されている。そ
して、データ信号線３…は、ＩＴＯ薄膜をエッチングす
ることにより絵素電極６…（後述する）と共に形成され
る。
【００２５】図２および図３に示すように、基板１上に
おける走査信号線２…とデータ信号線３…との交差点近
傍には、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Fil
m Transistor）やＭＩＭ (Metal Insulator Metal)等か
らなるスイッチング素子５…が配設されている。また、
走査信号線２…とデータ信号線３…とで形成されるマト
リクス内には、絵素を構成する絵素電極６…が配設され
ている。上記絵素電極６の一部は、対応するスイッチン
グ素子５と電気的に接続されていない隣の走査信号線２
上に、ゲート絶縁膜４を介して重畳されており、この重
畳部分により、信号蓄積キャパシタである補助容量７が
形成されている。つまり、上記の基板１は、その表面
に、マトリクス状に配設された多数のスイッチング素子
５…、絵素電極６…および補助容量７…を備えてなって
おり、いわゆる高密度表示が可能となっている。
おける走査信号線２…とデータ信号線３…との交差点近
傍には、例えば、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Fil
m Transistor）やＭＩＭ (Metal Insulator Metal)等か
らなるスイッチング素子５…が配設されている。また、
走査信号線２…とデータ信号線３…とで形成されるマト
リクス内には、絵素を構成する絵素電極６…が配設され
ている。上記絵素電極６の一部は、対応するスイッチン
グ素子５と電気的に接続されていない隣の走査信号線２
上に、ゲート絶縁膜４を介して重畳されており、この重
畳部分により、信号蓄積キャパシタである補助容量７が
形成されている。つまり、上記の基板１は、その表面
に、マトリクス状に配設された多数のスイッチング素子
５…、絵素電極６…および補助容量７…を備えてなって
おり、いわゆる高密度表示が可能となっている。
【００２６】上記のスイッチング素子５は、シリコン薄
膜等で形成されており、絵素電極６を駆動する駆動回路
となっている。図３に示すように、スイッチング素子５
は、ゲート電極１０、酸化膜１３、ゲート絶縁膜４、チ
ャネル層１４、ソース電極１１、ドレイン電極１２、チ
ャネル保護膜１５等により構成されている。
膜等で形成されており、絵素電極６を駆動する駆動回路
となっている。図３に示すように、スイッチング素子５
は、ゲート電極１０、酸化膜１３、ゲート絶縁膜４、チ
ャネル層１４、ソース電極１１、ドレイン電極１２、チ
ャネル保護膜１５等により構成されている。
【００２７】ゲート電極１０は、走査信号線２と一体的
に形成されている。即ち、ゲート電極１０は、ＡｌやＴ
ｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｕ等からなる薄膜で形成されてい
る。また、ゲート電極１０上には、該ゲート電極１０表
面を例えば陽極酸化することにより形成された酸化膜１
３が形成されている。ソース電極１１およびドレイン電
極１２は、微結晶シリコン（ｎ+ Ｓｉ）等の導電体から
なる薄膜で形成されている。そして、コンタクト層であ
るソース電極１１はデータ信号線３に接続され、コンタ
クト層であるドレイン電極１２は絵素電極６および補助
容量７に接続されている。チャネル層１４は、例えばア
モルファスシリコン（ｉ−Ｓｉ）等からなる薄膜で形成
されている。また、チャネル保護膜１５は、いわゆるエ
ッチングストッパーであり、例えば窒化ケイ素、酸化ケ
イ素、酸化タンタル等からなる薄膜で形成されている。
に形成されている。即ち、ゲート電極１０は、ＡｌやＴ
ｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｕ等からなる薄膜で形成されてい
る。また、ゲート電極１０上には、該ゲート電極１０表
面を例えば陽極酸化することにより形成された酸化膜１
３が形成されている。ソース電極１１およびドレイン電
極１２は、微結晶シリコン（ｎ+ Ｓｉ）等の導電体から
なる薄膜で形成されている。そして、コンタクト層であ
るソース電極１１はデータ信号線３に接続され、コンタ
クト層であるドレイン電極１２は絵素電極６および補助
容量７に接続されている。チャネル層１４は、例えばア
モルファスシリコン（ｉ−Ｓｉ）等からなる薄膜で形成
されている。また、チャネル保護膜１５は、いわゆるエ
ッチングストッパーであり、例えば窒化ケイ素、酸化ケ
イ素、酸化タンタル等からなる薄膜で形成されている。
【００２８】絵素電極６は、ＩＴＯからなる薄膜（導電
性薄膜）で形成されており、スイッチング素子５のドレ
イン電極１２に電気的に接続されている。そして、絵素
電極６は、図示しない対向基板上に形成されている対向
電極、および、これら絵素電極６および対向電極間に封
入された液晶、即ち、液晶層（図示せず）とで絵素容量
（絵素）を構成している。上記の絵素容量は、絵素電極
６および対向電極間に印加する電圧を制御することによ
り表示媒体である液晶を駆動し、該液晶が備える電気光
学特性を利用して各種表示を行うようになっている。つ
まり、基板１等からなる液晶表示素子は、上記液晶が備
える電気光学特性を利用して各種表示を行うようになっ
ている。尚、絵素電極６…は、ＩＴＯ薄膜をエッチング
することによりデータ信号線３…と同時に形成されてい
る。
性薄膜）で形成されており、スイッチング素子５のドレ
イン電極１２に電気的に接続されている。そして、絵素
電極６は、図示しない対向基板上に形成されている対向
電極、および、これら絵素電極６および対向電極間に封
入された液晶、即ち、液晶層（図示せず）とで絵素容量
（絵素）を構成している。上記の絵素容量は、絵素電極
６および対向電極間に印加する電圧を制御することによ
り表示媒体である液晶を駆動し、該液晶が備える電気光
学特性を利用して各種表示を行うようになっている。つ
まり、基板１等からなる液晶表示素子は、上記液晶が備
える電気光学特性を利用して各種表示を行うようになっ
ている。尚、絵素電極６…は、ＩＴＯ薄膜をエッチング
することによりデータ信号線３…と同時に形成されてい
る。
【００２９】上記のデータ信号線３…および絵素電極６
…上には、これらデータ信号線３…および絵素電極６…
を保護する保護膜１８…が形成されている。保護膜１８
…は、窒化ケイ素（ＳｉＮX ）、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）、および酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）からなる群
より選ばれる少なくとも一種の化合物からなっており、
絶縁性および耐エッチング性を備えている。そして、後
述するように、保護膜１８…は、ＩＴＯ薄膜にエッチン
グを施してデータ信号線３…および絵素電極６…を形成
する際には、マスクとして用いられ、また、これらデー
タ信号線３…および絵素電極６…が形成された後は、該
データ信号線３…および絵素電極６…の絶縁性を確保す
るようになっている。
…上には、これらデータ信号線３…および絵素電極６…
を保護する保護膜１８…が形成されている。保護膜１８
…は、窒化ケイ素（ＳｉＮX ）、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）、および酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）からなる群
より選ばれる少なくとも一種の化合物からなっており、
絶縁性および耐エッチング性を備えている。そして、後
述するように、保護膜１８…は、ＩＴＯ薄膜にエッチン
グを施してデータ信号線３…および絵素電極６…を形成
する際には、マスクとして用いられ、また、これらデー
タ信号線３…および絵素電極６…が形成された後は、該
データ信号線３…および絵素電極６…の絶縁性を確保す
るようになっている。
【００３０】次に、上記構成の液晶表示素子の製造方
法、即ち、本実施例にかかる液晶表示素子の製造方法の
一例について、図１ないし図４を参照しながら、以下に
説明する。尚、図１は、図２のＡ−Ａ線矢視断面図であ
る。
法、即ち、本実施例にかかる液晶表示素子の製造方法の
一例について、図１ないし図４を参照しながら、以下に
説明する。尚、図１は、図２のＡ−Ａ線矢視断面図であ
る。
【００３１】先ず、ガラスからなる基板１上に、Ｔａか
らなる薄膜（以下、Ｔａ薄膜と称する）を形成する。走
査信号線２…およびゲート電極１０…となるべき上記Ｔ
ａ薄膜は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n ）法やスパッタリング等の公知の方法により形成する
ことができる。そして、上記のＴａ薄膜に、例えばフォ
トエッチング等のパターニングを施すことにより、所定
の形状とする。つまり、上記Ｔａ薄膜をパターニングす
ることにより、走査信号線２…およびゲート電極１０…
を形成する。尚、上記Ｔａ薄膜の厚みは、特に限定され
るものではない。また、基板１上に、窒化ケイ素、酸化
ケイ素、酸化タンタル等からなる絶縁膜であるベースコ
ート膜を形成し、このベースコート膜上にＴａ薄膜を形
成してもよい。さらに、走査信号線２…およびゲート電
極１０…を、例えばＡｌやＴｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等の金属で
形成してもよい。
らなる薄膜（以下、Ｔａ薄膜と称する）を形成する。走
査信号線２…およびゲート電極１０…となるべき上記Ｔ
ａ薄膜は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n ）法やスパッタリング等の公知の方法により形成する
ことができる。そして、上記のＴａ薄膜に、例えばフォ
トエッチング等のパターニングを施すことにより、所定
の形状とする。つまり、上記Ｔａ薄膜をパターニングす
ることにより、走査信号線２…およびゲート電極１０…
を形成する。尚、上記Ｔａ薄膜の厚みは、特に限定され
るものではない。また、基板１上に、窒化ケイ素、酸化
ケイ素、酸化タンタル等からなる絶縁膜であるベースコ
ート膜を形成し、このベースコート膜上にＴａ薄膜を形
成してもよい。さらに、走査信号線２…およびゲート電
極１０…を、例えばＡｌやＴｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等の金属で
形成してもよい。
【００３２】次に、Ｔａ薄膜表面を陽極酸化することに
より、図３に示すように、酸化タンタルからなる酸化膜
１３を形成する。陽極酸化を行う際に用いられる電解液
としては、例えば、リン酸、硼酸、酒石酸等の弱酸；こ
れら弱酸のアンモニウム塩を溶解させた希薄水溶液等が
挙げられるが、特に限定されるものではない。また、陰
極の材質や、酸化膜１３の厚みは、特に限定されるもの
ではない。尚、走査信号線２…およびゲート電極１０…
の絶縁性が、ゲート絶縁膜４によって充分に確保される
場合には、酸化膜１３を形成しなくてもよい。
より、図３に示すように、酸化タンタルからなる酸化膜
１３を形成する。陽極酸化を行う際に用いられる電解液
としては、例えば、リン酸、硼酸、酒石酸等の弱酸；こ
れら弱酸のアンモニウム塩を溶解させた希薄水溶液等が
挙げられるが、特に限定されるものではない。また、陰
極の材質や、酸化膜１３の厚みは、特に限定されるもの
ではない。尚、走査信号線２…およびゲート電極１０…
の絶縁性が、ゲート絶縁膜４によって充分に確保される
場合には、酸化膜１３を形成しなくてもよい。
【００３３】次いで、酸化膜１３上、つまり、基板１上
に、ゲート絶縁膜４となるべき窒化ケイ素薄膜を形成す
る。続いて、この窒化ケイ素薄膜におけるスイッチング
素子５…が形成されるべき領域に、チャネル層１４とな
るべきアモルファスシリコン（ｉ−Ｓｉ）薄膜を形成
し、このアモルファスシリコン薄膜における所定領域
に、チャネル保護膜１５となるべき窒化ケイ素薄膜を積
層する。上記アモルファスシリコン薄膜および両窒化ケ
イ素薄膜は、例えば、プラズマＣＶＤ法や低圧ＣＶＤ法
等のＣＶＤ法等の公知の方法により連続的に形成するこ
とができる。そして、チャネル保護膜１５となるべき窒
化ケイ素薄膜をパターニングすることにより、該チャネ
ル保護膜１５を形成する。
に、ゲート絶縁膜４となるべき窒化ケイ素薄膜を形成す
る。続いて、この窒化ケイ素薄膜におけるスイッチング
素子５…が形成されるべき領域に、チャネル層１４とな
るべきアモルファスシリコン（ｉ−Ｓｉ）薄膜を形成
し、このアモルファスシリコン薄膜における所定領域
に、チャネル保護膜１５となるべき窒化ケイ素薄膜を積
層する。上記アモルファスシリコン薄膜および両窒化ケ
イ素薄膜は、例えば、プラズマＣＶＤ法や低圧ＣＶＤ法
等のＣＶＤ法等の公知の方法により連続的に形成するこ
とができる。そして、チャネル保護膜１５となるべき窒
化ケイ素薄膜をパターニングすることにより、該チャネ
ル保護膜１５を形成する。
【００３４】次に、上記のアモルファスシリコン薄膜上
に、ソース電極１１およびドレイン電極１２となるべき
微結晶シリコン（ｎ+ Ｓｉ）薄膜を形成する。その後、
この微結晶シリコン薄膜をアモルファスシリコン薄膜と
共に、同時にパターニングすることにより、チャネル層
１４、ソース電極１１およびドレイン電極１２を一度に
形成する。尚、ゲート絶縁膜４、チャネル層１４、チャ
ネル保護膜１５、ソース電極１１、ドレイン電極１２等
の材質は、上記例示の化合物に限定されるものではな
い。
に、ソース電極１１およびドレイン電極１２となるべき
微結晶シリコン（ｎ+ Ｓｉ）薄膜を形成する。その後、
この微結晶シリコン薄膜をアモルファスシリコン薄膜と
共に、同時にパターニングすることにより、チャネル層
１４、ソース電極１１およびドレイン電極１２を一度に
形成する。尚、ゲート絶縁膜４、チャネル層１４、チャ
ネル保護膜１５、ソース電極１１、ドレイン電極１２等
の材質は、上記例示の化合物に限定されるものではな
い。
【００３５】続いて、図１および図３に示すように、デ
ータ信号線３…および絵素電極６…となるべきＩＴＯ薄
膜を形成すると共に、このＩＴＯ薄膜上に、保護膜１８
…となるべき窒化ケイ素薄膜を積層する。上記の窒化ケ
イ素薄膜は、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング等の公
知の方法により形成することができる。その後、この窒
化ケイ素薄膜を所定の方法にてパターニングすることに
より、ＩＴＯ薄膜上におけるデータ信号線３…および絵
素電極６…が形成されるべき領域以外の領域に形成され
ている該窒化ケイ素薄膜を除去する。
ータ信号線３…および絵素電極６…となるべきＩＴＯ薄
膜を形成すると共に、このＩＴＯ薄膜上に、保護膜１８
…となるべき窒化ケイ素薄膜を積層する。上記の窒化ケ
イ素薄膜は、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング等の公
知の方法により形成することができる。その後、この窒
化ケイ素薄膜を所定の方法にてパターニングすることに
より、ＩＴＯ薄膜上におけるデータ信号線３…および絵
素電極６…が形成されるべき領域以外の領域に形成され
ている該窒化ケイ素薄膜を除去する。
【００３６】上記の保護膜１８…は、例えば、ドライエ
ッチング法等の公知の方法により形成することができ
る。即ち、下地材料であるＩＴＯ薄膜と被エッチング材
料である窒化ケイ素薄膜との間で充分なエッチング選択
比が得られるエッチングガス、例えばＣＦ4 ガスやＯ2
ガス等と、マスク（図示せず）とを用いて窒化ケイ素薄
膜をドライエッチングすることにより、保護膜１８…を
形成する。尚、上記のエッチングガスは、ＩＴＯ薄膜と
窒化ケイ素薄膜との間で充分なエッチング選択比が得ら
れるガスであれば、特に限定されるものではない。ま
た、窒化ケイ素薄膜にドライエッチングを施す代わり
に、適当なエッチング溶液を用いて該窒化ケイ素薄膜を
ウエットエッチングしてもよい。
ッチング法等の公知の方法により形成することができ
る。即ち、下地材料であるＩＴＯ薄膜と被エッチング材
料である窒化ケイ素薄膜との間で充分なエッチング選択
比が得られるエッチングガス、例えばＣＦ4 ガスやＯ2
ガス等と、マスク（図示せず）とを用いて窒化ケイ素薄
膜をドライエッチングすることにより、保護膜１８…を
形成する。尚、上記のエッチングガスは、ＩＴＯ薄膜と
窒化ケイ素薄膜との間で充分なエッチング選択比が得ら
れるガスであれば、特に限定されるものではない。ま
た、窒化ケイ素薄膜にドライエッチングを施す代わり
に、適当なエッチング溶液を用いて該窒化ケイ素薄膜を
ウエットエッチングしてもよい。
【００３７】次いで、上記の保護膜１８…をマスクとし
て用い、ＩＴＯ薄膜を例えばいわゆる塩鉄系のエッチン
グ溶液を用いてウエットエッチングすることにより、デ
ータ信号線３…および絵素電極６…を形成する。窒化ケ
イ素は、従来のフォトレジストと比較して、ＩＴＯとの
密着性が充分に高い。このため、ＩＴＯ薄膜および窒化
ケイ素薄膜間に隙間が形成されることはなく、従って、
ＩＴＯ薄膜にウェットエッチングを施す際に、ＩＴＯ薄
膜が分厚い場合においても、いわゆるサイドエッチング
（サイドシフト）を充分に小さくすることができる。
尚、絵素電極６…が形成される際に、補助容量７…も同
時に形成される。また、保護膜１８…を、酸化ケイ素薄
膜、或いは酸化タンタル薄膜で形成してもよい。
て用い、ＩＴＯ薄膜を例えばいわゆる塩鉄系のエッチン
グ溶液を用いてウエットエッチングすることにより、デ
ータ信号線３…および絵素電極６…を形成する。窒化ケ
イ素は、従来のフォトレジストと比較して、ＩＴＯとの
密着性が充分に高い。このため、ＩＴＯ薄膜および窒化
ケイ素薄膜間に隙間が形成されることはなく、従って、
ＩＴＯ薄膜にウェットエッチングを施す際に、ＩＴＯ薄
膜が分厚い場合においても、いわゆるサイドエッチング
（サイドシフト）を充分に小さくすることができる。
尚、絵素電極６…が形成される際に、補助容量７…も同
時に形成される。また、保護膜１８…を、酸化ケイ素薄
膜、或いは酸化タンタル薄膜で形成してもよい。
【００３８】以上の工程により、図２に示す液晶表示素
子が形成される。尚、必要に応じて、図４に示すよう
に、絵素電極６上の保護膜１８を例えばドライエッチン
グ等することによって窓開けを行うことにより、絵素電
極６にいわゆる窓１９を設けてもよい。
子が形成される。尚、必要に応じて、図４に示すよう
に、絵素電極６上の保護膜１８を例えばドライエッチン
グ等することによって窓開けを行うことにより、絵素電
極６にいわゆる窓１９を設けてもよい。
【００３９】以上のように、本実施例にかかる液晶表示
素子の製造方法は、ＩＴＯ薄膜におけるデータ信号線３
…および絵素電極６…が形成されるべき領域にのみ、絶
縁性および耐エッチング性を備えた保護膜１８…を形成
し、その後、露出している該ＩＴＯ薄膜をウェットエッ
チングする。つまり、データ信号線３…および絵素電極
６…を保護するための保護膜１８…を、ＩＴＯ薄膜をウ
ェットエッチングする際のマスクとして用いる。
素子の製造方法は、ＩＴＯ薄膜におけるデータ信号線３
…および絵素電極６…が形成されるべき領域にのみ、絶
縁性および耐エッチング性を備えた保護膜１８…を形成
し、その後、露出している該ＩＴＯ薄膜をウェットエッ
チングする。つまり、データ信号線３…および絵素電極
６…を保護するための保護膜１８…を、ＩＴＯ薄膜をウ
ェットエッチングする際のマスクとして用いる。
【００４０】それゆえ、ウェットエッチングした後、該
ウェットエッチングに用いたマスクを除去する必要がな
いので、液晶表示素子の製造工程数を、従来の液晶表示
素子の製造工程数よりも少なくすることができる。これ
により、液晶表示素子を、従来よりも低コストでもって
製造することができる。
ウェットエッチングに用いたマスクを除去する必要がな
いので、液晶表示素子の製造工程数を、従来の液晶表示
素子の製造工程数よりも少なくすることができる。これ
により、液晶表示素子を、従来よりも低コストでもって
製造することができる。
【００４１】また、窒化ケイ素、酸化ケイ素、および酸
化タンタルは、従来のフォトレジストと比較して、ＩＴ
Ｏとの密着性が充分に高い。このため、ＩＴＯ薄膜、お
よび上記化合物からなる保護膜１８…間に隙間が形成さ
れることはなく、従って、ＩＴＯ薄膜にウェットエッチ
ングを施す際に、該ＩＴＯ薄膜が分厚い場合において
も、いわゆるサイドエッチング（サイドシフト）を充分
に小さくすることができる。
化タンタルは、従来のフォトレジストと比較して、ＩＴ
Ｏとの密着性が充分に高い。このため、ＩＴＯ薄膜、お
よび上記化合物からなる保護膜１８…間に隙間が形成さ
れることはなく、従って、ＩＴＯ薄膜にウェットエッチ
ングを施す際に、該ＩＴＯ薄膜が分厚い場合において
も、いわゆるサイドエッチング（サイドシフト）を充分
に小さくすることができる。
【００４２】それゆえ、エッチング残渣が起こらないよ
うにＩＴＯ薄膜にオーバエッチングを施した場合におい
ても、サイドシフトの発生を実質的に抑えることができ
るので、液晶表示素子の設計マージンを大きくすること
ができると共に、歩留りを向上させることができる。
うにＩＴＯ薄膜にオーバエッチングを施した場合におい
ても、サイドシフトの発生を実質的に抑えることができ
るので、液晶表示素子の設計マージンを大きくすること
ができると共に、歩留りを向上させることができる。
【００４３】尚、本実施例においては、液晶表示素子が
多数のスイッチング素子５…および絵素電極６…等を備
えてなっている構成を例示して説明したが、液晶表示素
子の構成は、上記実施例の構成に限定されるものではな
い。例えば、液晶表示素子は、必要に応じて他の構成要
素（回路）等を備えていてもよい。
多数のスイッチング素子５…および絵素電極６…等を備
えてなっている構成を例示して説明したが、液晶表示素
子の構成は、上記実施例の構成に限定されるものではな
い。例えば、液晶表示素子は、必要に応じて他の構成要
素（回路）等を備えていてもよい。
【００４４】本発明にかかる表示素子は、液晶表示装置
の他、ＥＬ(electroluminescence)表示装置、プラズマ
表示装置等にも好適に供することができる。
の他、ＥＬ(electroluminescence)表示装置、プラズマ
表示装置等にも好適に供することができる。
【００４５】
【発明の効果】本発明の請求項１記載の表示素子の製造
方法は、以上のように、基板上に導電性薄膜を形成する
と共に、該導電性薄膜における絵素電極および信号線の
少なくとも一方が形成されるべき領域にのみ、絶縁性お
よび耐エッチング性を備えた保護膜を形成し、その後、
露出している該導電性薄膜をエッチングする方法であ
る。
方法は、以上のように、基板上に導電性薄膜を形成する
と共に、該導電性薄膜における絵素電極および信号線の
少なくとも一方が形成されるべき領域にのみ、絶縁性お
よび耐エッチング性を備えた保護膜を形成し、その後、
露出している該導電性薄膜をエッチングする方法であ
る。
【００４６】それゆえ、エッチングした後、該エッチン
グに用いたマスクを除去する必要がないので、表示素子
の製造工程数を、従来の表示素子の製造工程数よりも少
なくすることができる。これにより、表示素子を、従来
よりも低コストでもって製造することができるという効
果を奏する。
グに用いたマスクを除去する必要がないので、表示素子
の製造工程数を、従来の表示素子の製造工程数よりも少
なくすることができる。これにより、表示素子を、従来
よりも低コストでもって製造することができるという効
果を奏する。
【００４７】本発明の請求項２記載の表示素子の製造方
法は、以上のように、導電性薄膜がインジウムすず酸化
物からなり、かつ、保護膜が、窒化ケイ素、酸化ケイ
素、および酸化タンタルからなる群より選ばれる少なく
とも一種の化合物からなる方法である。
法は、以上のように、導電性薄膜がインジウムすず酸化
物からなり、かつ、保護膜が、窒化ケイ素、酸化ケイ
素、および酸化タンタルからなる群より選ばれる少なく
とも一種の化合物からなる方法である。
【００４８】それゆえ、エッチング残渣が起こらないよ
うに導電性薄膜にオーバエッチングを施した場合におい
ても、サイドシフトの発生を実質的に抑えることができ
るので、表示素子の設計マージンを大きくすることがで
きると共に、歩留りを向上させることができるという効
果を奏する。
うに導電性薄膜にオーバエッチングを施した場合におい
ても、サイドシフトの発生を実質的に抑えることができ
るので、表示素子の設計マージンを大きくすることがで
きると共に、歩留りを向上させることができるという効
果を奏する。
【図１】本発明の一実施例における表示素子としての液
晶表示素子の要部の断面図である。
晶表示素子の要部の断面図である。
【図２】上記液晶表示素子の概略を示す要部の平面図で
ある。
ある。
【図３】図２のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図４】上記液晶表示素子の変形例を示す要部の断面図
である。
である。
【図５】従来の表示素子としての液晶表示素子の要部の
断面図である。
断面図である。
【図６】上記従来の液晶表示素子の変形例を示す要部の
断面図である。
断面図である。
１ 基板 ２ 走査信号線 ３ データ信号線（信号線） ４ ゲート絶縁膜 ５ スイッチング素子 ６ 絵素電極 ７ 補助容量 １０ ゲート電極 １１ ソース電極 １２ ドレイン電極 １３ 酸化膜 １４ チャネル層 １５ チャネル保護膜 １８ 保護膜
Claims (2)
- 【請求項１】絵素を構成する絵素電極と、この絵素電極
に信号を供給する信号線とを基板上に有する表示素子の
製造方法において、基板上に導電性薄膜を形成すると共
に、該導電性薄膜における上記絵素電極および信号線の
少なくとも一方が形成されるべき領域にのみ、絶縁性お
よび耐エッチング性を備えた保護膜を形成し、その後、
露出している該導電性薄膜をエッチングすることを特徴
とする表示素子の製造方法。 - 【請求項２】上記導電性薄膜がインジウムすず酸化物か
らなり、かつ、上記保護膜が、窒化ケイ素、酸化ケイ
素、および酸化タンタルからなる群より選ばれる少なく
とも一種の化合物からなることを特徴とする請求項１記
載の表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30664894A JPH08160465A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30664894A JPH08160465A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08160465A true JPH08160465A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17959643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30664894A Pending JPH08160465A (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08160465A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100725871B1 (ko) * | 2004-04-16 | 2007-06-08 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 표시장치와 그 제조방법 |
| CN100371795C (zh) * | 2004-02-19 | 2008-02-27 | 夏普株式会社 | 导电元件基板、液晶显示装置及其制造方法、电子信息设备 |
-
1994
- 1994-12-09 JP JP30664894A patent/JPH08160465A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100371795C (zh) * | 2004-02-19 | 2008-02-27 | 夏普株式会社 | 导电元件基板、液晶显示装置及其制造方法、电子信息设备 |
| KR100725871B1 (ko) * | 2004-04-16 | 2007-06-08 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 표시장치와 그 제조방법 |
| US7630049B2 (en) | 2004-04-16 | 2009-12-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Display device and method with lower layer film formed on substrate but between transparent conductive film and organic layer and then protective film on the transparent film |
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