JPH08162617A - 薄膜キャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
薄膜キャパシタ及びその製造方法Info
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- JPH08162617A JPH08162617A JP6298679A JP29867994A JPH08162617A JP H08162617 A JPH08162617 A JP H08162617A JP 6298679 A JP6298679 A JP 6298679A JP 29867994 A JP29867994 A JP 29867994A JP H08162617 A JPH08162617 A JP H08162617A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＲｕＯ2 を下部電極に用いた場合においても
誘電率が高くリーク電流を低くすること。 【構成】 下部電極であるＲｕＯ2 上に酸素が欠乏した
酸化物誘電体層を設け、この上に酸化物誘電体薄膜を積
層する。 【効果】 ＲｕＯ2 を下部電極に用いた場合においても
誘電率が高くリーク電流の低い薄膜キャパシタが得れ
る。
誘電率が高くリーク電流を低くすること。 【構成】 下部電極であるＲｕＯ2 上に酸素が欠乏した
酸化物誘電体層を設け、この上に酸化物誘電体薄膜を積
層する。 【効果】 ＲｕＯ2 を下部電極に用いた場合においても
誘電率が高くリーク電流の低い薄膜キャパシタが得れ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜キャパシタ及びそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】１Ｇビット以上の次世代高密度ＤＲＡＭ
用の容量絶縁膜として、高誘電率、絶縁性、化学的安定
性に優れたＳｒＴｉＯ3 、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 、
（Ｐｂ，Ｚｒ）ＴｉＯ3 等の酸化物強誘電体薄膜の開発
が行われている。
用の容量絶縁膜として、高誘電率、絶縁性、化学的安定
性に優れたＳｒＴｉＯ3 、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 、
（Ｐｂ，Ｚｒ）ＴｉＯ3 等の酸化物強誘電体薄膜の開発
が行われている。
【０００３】一方、容量部の立体的面積拡大のため、サ
ブミクロンオーダーでの加工が可能な下部電極材料の検
討も重要な課題となっている。
ブミクロンオーダーでの加工が可能な下部電極材料の検
討も重要な課題となっている。
【０００４】ＲｕＯ2 は室温で４０μΩｃｍの低抵抗を
有し、加えてＯ2 ＋ＣＦ4 プラズマによるドライエッチ
ングが可能であり微細加工に適している（例えば、エス
・サイトら、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジクス、３１巻、１３５頁、１９９２年
（Ｓ．Ｓａｉｔｏ ｅｔ ａｌ．，Ｊａｎ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．３１，１３５，（１９９２）を参照）。
有し、加えてＯ2 ＋ＣＦ4 プラズマによるドライエッチ
ングが可能であり微細加工に適している（例えば、エス
・サイトら、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプラ
イド・フィジクス、３１巻、１３５頁、１９９２年
（Ｓ．Ｓａｉｔｏ ｅｔ ａｌ．，Ｊａｎ．Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．３１，１３５，（１９９２）を参照）。
【０００５】さらに、このＲｕＯ2 を下部電極として酸
化物誘電体薄膜（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 ）をスパッタ
法により形成した検討も行われている（例えば、ケー・
タケムラら、アプライド・フィジクス・レターズ、６４
巻、２９６７頁、１９９４年（Ｋ．Ｔａｋｅｍｕｒａ
ｅｔ ａｌ．， Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅ
ｔｔｅｒｓ． ６４，２９６７−２９６９，（１９９
４）を参照）。
化物誘電体薄膜（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 ）をスパッタ
法により形成した検討も行われている（例えば、ケー・
タケムラら、アプライド・フィジクス・レターズ、６４
巻、２９６７頁、１９９４年（Ｋ．Ｔａｋｅｍｕｒａ
ｅｔ ａｌ．， Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅ
ｔｔｅｒｓ． ６４，２９６７−２９６９，（１９９
４）を参照）。
【０００６】酸化物誘電体薄膜の成膜法としては、スパ
ッタ法、ＣＶＤ法、ｓｏｌ−ｇｅｌ等の方法があるが、
特にＣＶＤ法はステップカバレジに優れ、スタック状電
極上に均一に成膜することが可能である。また、通常の
熱ＣＶＤ法では成膜温度として６００℃程度以上の高温
が必要であるが、Ｏ2 をＥＣＲプラズマにより励起した
ＥＣＲ−ＣＶＤ法では４５０℃の低温成膜が可能であ
り、実際のＬＳＩプロセスへの適用が有力視されている
（例えば、山口ら、第４１回応用物理学関係連合講演会
予稿集、４１０頁、１９９４年を参照）。
ッタ法、ＣＶＤ法、ｓｏｌ−ｇｅｌ等の方法があるが、
特にＣＶＤ法はステップカバレジに優れ、スタック状電
極上に均一に成膜することが可能である。また、通常の
熱ＣＶＤ法では成膜温度として６００℃程度以上の高温
が必要であるが、Ｏ2 をＥＣＲプラズマにより励起した
ＥＣＲ−ＣＶＤ法では４５０℃の低温成膜が可能であ
り、実際のＬＳＩプロセスへの適用が有力視されている
（例えば、山口ら、第４１回応用物理学関係連合講演会
予稿集、４１０頁、１９９４年を参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＲｕＯ
2 上に酸化物誘電体薄膜を積層する場合、酸化物誘電体
薄膜中にＲｕの混入が生じる。ＲｕＯ2 はＯ2 と反応し
揮発性の高いＲｕＯ4 を形成するため、特にＥＣＲ−Ｃ
ＶＤのような多量の活性酸素を用いて酸化物誘電体薄膜
を積層する場合、成膜初期にＲｕＯ4 が発生し結果とし
てＲｕが酸化物誘電体薄膜中に取り込まれてしまう。Ｒ
ｕが酸化物誘電体薄膜中に混入すると誘電特性、リーク
電流特性が著しく悪化する。
2 上に酸化物誘電体薄膜を積層する場合、酸化物誘電体
薄膜中にＲｕの混入が生じる。ＲｕＯ2 はＯ2 と反応し
揮発性の高いＲｕＯ4 を形成するため、特にＥＣＲ−Ｃ
ＶＤのような多量の活性酸素を用いて酸化物誘電体薄膜
を積層する場合、成膜初期にＲｕＯ4 が発生し結果とし
てＲｕが酸化物誘電体薄膜中に取り込まれてしまう。Ｒ
ｕが酸化物誘電体薄膜中に混入すると誘電特性、リーク
電流特性が著しく悪化する。
【０００８】本発明の目的は、下部電極であるＲｕＯ2
上に酸化物誘電体層を積層する場合に、酸化物誘電体薄
膜中へのＲｕの混入を抑制することにある。
上に酸化物誘電体層を積層する場合に、酸化物誘電体薄
膜中へのＲｕの混入を抑制することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下部電
極上に設けた酸素が欠乏した酸化物誘電体層と、該酸化
物誘電体層の上に積層した酸化物誘電体薄膜とを含むこ
とを特徴とする薄膜キャパシタが得られる。
極上に設けた酸素が欠乏した酸化物誘電体層と、該酸化
物誘電体層の上に積層した酸化物誘電体薄膜とを含むこ
とを特徴とする薄膜キャパシタが得られる。
【００１０】また、本発明によれば、Ｓｉ基板と、該Ｓ
ｉ基板上に設けたバリア層と、該バリア層上に設けた下
部電極と、該下部電極上に設けた酸素が欠乏した酸化物
誘電体層と、該酸化物誘電体層上に設けた酸化物誘電体
薄膜と、該酸化物誘電体薄膜上に設けた上部電極とを有
していることを特徴とする薄膜キャパシタが得られる。
ｉ基板上に設けたバリア層と、該バリア層上に設けた下
部電極と、該下部電極上に設けた酸素が欠乏した酸化物
誘電体層と、該酸化物誘電体層上に設けた酸化物誘電体
薄膜と、該酸化物誘電体薄膜上に設けた上部電極とを有
していることを特徴とする薄膜キャパシタが得られる。
【００１１】また、本発明によれば、下部電極上に酸素
分圧の低い熱ＣＶＤ法により酸素が欠乏した薄い酸化物
誘電体層を形成した後、上部電極を形成することを特徴
とする薄膜キャパシタの製造方法が得られる。
分圧の低い熱ＣＶＤ法により酸素が欠乏した薄い酸化物
誘電体層を形成した後、上部電極を形成することを特徴
とする薄膜キャパシタの製造方法が得られる。
【００１２】
【作用】下部電極（ＲｕＯ2 ）上の酸素が欠乏した酸化
物誘電体層によりＲｕＯ2 の表面が安定化されるため、
以降ＲｕＯ2 とＯ2 の反応により生じるＲｕＯ4 の生成
が抑制される。
物誘電体層によりＲｕＯ2 の表面が安定化されるため、
以降ＲｕＯ2 とＯ2 の反応により生じるＲｕＯ4 の生成
が抑制される。
【００１３】したがって酸化物誘電体薄膜中へのＲｕの
侵入が抑制される。結果として、ＲｕＯ2 を下部電極に
用いた場合においても誘電率が高くリーク電流の低い薄
膜キャパシタが得れる。
侵入が抑制される。結果として、ＲｕＯ2 を下部電極に
用いた場合においても誘電率が高くリーク電流の低い薄
膜キャパシタが得れる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の薄膜キャパシタ及びその製造
方法の一実施例について、図面を参照しながら説明す
る。図１は本発明の実施例に関わる薄膜キャパシタの断
面図である。
方法の一実施例について、図面を参照しながら説明す
る。図１は本発明の実施例に関わる薄膜キャパシタの断
面図である。
【００１５】図１を参照して、薄膜キャパシタはＳｉ基
板５と、Ｓｉ基板５上に設けたバリア層（ＴｉＮ）４
と、バリア層４上に設けた下部電極（ＲｕＯ2 ）２と、
下部電極（ＲｕＯ2 ）２上に設けた酸素が欠乏した酸化
物誘電体層（ＳｒＴｉＯ3 ）１と、この酸化物誘電体層
１上に設けた酸化物誘電体薄膜（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ
3 ）３と、を酸化物誘電体薄膜（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ
3 ）３上に設けた上部電極（Ａｕ）６とを有している。
板５と、Ｓｉ基板５上に設けたバリア層（ＴｉＮ）４
と、バリア層４上に設けた下部電極（ＲｕＯ2 ）２と、
下部電極（ＲｕＯ2 ）２上に設けた酸素が欠乏した酸化
物誘電体層（ＳｒＴｉＯ3 ）１と、この酸化物誘電体層
１上に設けた酸化物誘電体薄膜（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ
3 ）３と、を酸化物誘電体薄膜（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ
3 ）３上に設けた上部電極（Ａｕ）６とを有している。
【００１６】Ｓｉ基板５上にはスパッタ法によりＴｉＮ
４を５０ｎｍ、ＲｕＯ2 ３を２００ｎｍ積層する。Ｒｕ
Ｏ2 ２はキャパシタの下部電極、ＴｉＮ４はＳｉとＲｕ
Ｏ2２との反応を防ぐバリア層である。
４を５０ｎｍ、ＲｕＯ2 ３を２００ｎｍ積層する。Ｒｕ
Ｏ2 ２はキャパシタの下部電極、ＴｉＮ４はＳｉとＲｕ
Ｏ2２との反応を防ぐバリア層である。
【００１７】このウエハをＣＶＤ装置成膜室に導入し、
６００℃に加熱する。はじめに、Ｏ2 とＲｕＯ2 ２との
反応を抑制するため、酸素分圧の低い（４．５Ｐａ）熱
ＣＶＤ法によりＳｒＴｉＯ3 １を５〜１０ｎｍ積層す
る。成膜原料は、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3
Ｈ7 ）4 、Ｏ2 で、キャリアガスはＡｒである。原料温
度及び流量はＳｒ（ＤＰＭ）2 １９０℃、７０ｓｃｃ
ｍ、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3 Ｈ7）4 ２０℃、７０ｓｃｃｍ、
Ｏ2 、７０ｓｃｃｍである。堆積速度は０．８ｎｍ／ｍ
ｉｎである。酸素分圧が低いため成膜されたＳｒＴｉＯ
3 １中の酸素量は化学量論的組成よりも３０％程度低
い。
６００℃に加熱する。はじめに、Ｏ2 とＲｕＯ2 ２との
反応を抑制するため、酸素分圧の低い（４．５Ｐａ）熱
ＣＶＤ法によりＳｒＴｉＯ3 １を５〜１０ｎｍ積層す
る。成膜原料は、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3
Ｈ7 ）4 、Ｏ2 で、キャリアガスはＡｒである。原料温
度及び流量はＳｒ（ＤＰＭ）2 １９０℃、７０ｓｃｃ
ｍ、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3 Ｈ7）4 ２０℃、７０ｓｃｃｍ、
Ｏ2 、７０ｓｃｃｍである。堆積速度は０．８ｎｍ／ｍ
ｉｎである。酸素分圧が低いため成膜されたＳｒＴｉＯ
3 １中の酸素量は化学量論的組成よりも３０％程度低
い。
【００１８】酸素が欠乏した酸化物誘電体層（ＳｒＴｉ
Ｏ3 ）１の形成の方法としては、化学量論的組成のＳｒ
ＴｉＯ3 １が得られる酸素分圧（３７．５Ｐａ）熱ＣＶ
ＤでＳｒＴｉＯ3 １を成膜した後、膜中のＯ濃度を減少
させるため約５ｍｉｎのＯ2プラズマ照射（Ｏ2 流量７
０ｓｃｃｍ、プラズマパワー６００Ｗ）を行うことでも
同様な効果が得られる。続いてこの酸素が欠乏したＳｒ
ＴｉＯ3 １の上にＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ（ＥＣＲ）−ＣＶＤ法により成
膜温度４５０℃で（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 ３を５０ｎｍ
積層する。ＥＣＲではＯ2 プラズマを用いて成膜してい
る。Ｂａ原料はＢａ（ＤＰＭ）2 、ＳｒとＴｉの原料は
上記熱ＣＶＤ法の場合と同じである。
Ｏ3 ）１の形成の方法としては、化学量論的組成のＳｒ
ＴｉＯ3 １が得られる酸素分圧（３７．５Ｐａ）熱ＣＶ
ＤでＳｒＴｉＯ3 １を成膜した後、膜中のＯ濃度を減少
させるため約５ｍｉｎのＯ2プラズマ照射（Ｏ2 流量７
０ｓｃｃｍ、プラズマパワー６００Ｗ）を行うことでも
同様な効果が得られる。続いてこの酸素が欠乏したＳｒ
ＴｉＯ3 １の上にＥｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏ
ｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ（ＥＣＲ）−ＣＶＤ法により成
膜温度４５０℃で（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 ３を５０ｎｍ
積層する。ＥＣＲではＯ2 プラズマを用いて成膜してい
る。Ｂａ原料はＢａ（ＤＰＭ）2 、ＳｒとＴｉの原料は
上記熱ＣＶＤ法の場合と同じである。
【００１９】原料温度及び流量はＢａ（ＤＰＭ）2 １５
０℃、７０ｓｃｃｍ、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 １９０℃、７０
ｓｃｃｍ、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3 Ｈ7 ）4 ２０℃、７０ｓｃ
ｃｍ、Ｏ2 ７０ｓｃｃｍで、ＥＣＲプラズマパワーは６
００Ｗである。堆積速度は１ｎｍ／ｍｉｎである。成膜
室圧力は１Ｐａである。
０℃、７０ｓｃｃｍ、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 １９０℃、７０
ｓｃｃｍ、Ｔｉ（ｉ−ＯＣ3 Ｈ7 ）4 ２０℃、７０ｓｃ
ｃｍ、Ｏ2 ７０ｓｃｃｍで、ＥＣＲプラズマパワーは６
００Ｗである。堆積速度は１ｎｍ／ｍｉｎである。成膜
室圧力は１Ｐａである。
【００２０】その後、（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 ３上にス
パッタ法によりＡｕ６を３００ｎｍ形成する。ＲｕＯ2
２とＡｕ６を電極として薄膜キャパシタの誘電率、リー
ク電流密度を測定したところ、それぞれ３００、１×１
０-8ｃｍ／ｃｍ2 （１Ｖ印加時）という良好な結果が得
られた。
パッタ法によりＡｕ６を３００ｎｍ形成する。ＲｕＯ2
２とＡｕ６を電極として薄膜キャパシタの誘電率、リー
ク電流密度を測定したところ、それぞれ３００、１×１
０-8ｃｍ／ｃｍ2 （１Ｖ印加時）という良好な結果が得
られた。
【００２１】ＲｕＯ2 ２の表面が酸素分圧の低い熱ＣＶ
Ｄ法で成膜されたＳｒＴｉＯ3 １で覆われているため、
以降は活性酸素を用いるＥＣＲ−ＣＶＤ法による成膜を
行ってもＲｕＯ4 の生成が抑えられる。
Ｄ法で成膜されたＳｒＴｉＯ3 １で覆われているため、
以降は活性酸素を用いるＥＣＲ−ＣＶＤ法による成膜を
行ってもＲｕＯ4 の生成が抑えられる。
【００２２】したがって（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 ３層中
へＲｕの混入は抑制される。ＲｕＯ2 ２表面のＳｒＴｉ
Ｏ3 １は膜厚が薄くさらに酸素が欠乏しているため導電
性を示し、この上に誘電体である（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ
3 ３を積層しても全体の誘電率を下げることはない。
へＲｕの混入は抑制される。ＲｕＯ2 ２表面のＳｒＴｉ
Ｏ3 １は膜厚が薄くさらに酸素が欠乏しているため導電
性を示し、この上に誘電体である（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ
3 ３を積層しても全体の誘電率を下げることはない。
【００２３】
【発明の効果】本発明の薄膜キャパシタ及びその製造方
法によれば、ＲｕＯ2 上に酸素欠乏層を設け、この上に
酸化物誘電体薄膜を積層することにより、この酸化物誘
電体薄膜中へのＲｕの混入が抑制され、下部電極にＲｕ
Ｏ2 を用いた場合においても高誘電率でリーク電流の低
い薄膜キャパシタ及びその製造方法が得られる。
法によれば、ＲｕＯ2 上に酸素欠乏層を設け、この上に
酸化物誘電体薄膜を積層することにより、この酸化物誘
電体薄膜中へのＲｕの混入が抑制され、下部電極にＲｕ
Ｏ2 を用いた場合においても高誘電率でリーク電流の低
い薄膜キャパシタ及びその製造方法が得られる。
【図１】本発明の薄膜キャパシタの一実施例を示す断面
図である。
図である。
１ 酸化物誘電体層（ＳｒＴｉＯ3 ） ２ 下部電極（ＲｕＯ2 ） ３ 酸化物誘電体薄膜（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 ） ４ バリア層（ＴｉＮ） ５ Ｓｉ基板 ６ 上部電極（Ａｕ）
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/822
Claims (3)
- 【請求項１】 下部電極上に設けた酸素が欠乏した酸化
物誘電体層と、該酸化物誘電体層上に積層した酸化物誘
電体薄膜とを含むことを特徴とする薄膜キャパシタ。 - 【請求項２】 Ｓｉ基板と、該Ｓｉ基板上に設けたバリ
ア層と、該バリア層上に設けた下部電極と、該下部電極
上に設けた酸素が欠乏した酸化物誘電体層と、該酸化物
誘電体層上に設けた酸化物誘電体薄膜と、該酸化物誘電
体薄膜上に設けた上部電極とを有していることを特徴と
する薄膜キャパシタ。 - 【請求項３】 薄膜キャパシタの製造方法において、下
部電極上に酸素分圧の低い熱ＣＶＤ法により酸素が欠乏
した薄い酸化物誘電体層を形成した後、上部電極を形成
することを特徴とする薄膜キャパシタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298679A JP2735094B2 (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6298679A JP2735094B2 (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162617A true JPH08162617A (ja) | 1996-06-21 |
| JP2735094B2 JP2735094B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17862879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6298679A Expired - Lifetime JP2735094B2 (ja) | 1994-12-01 | 1994-12-01 | 薄膜キャパシタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735094B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998006131A1 (fr) * | 1996-08-07 | 1998-02-12 | Hitachi, Ltd. | Composant a semi-conducteur et son procede de fabrication |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0621341A (ja) * | 1992-04-29 | 1994-01-28 | Motorola Inc | ルテニウム酸塩電極を有するコンデンサ |
| JPH0668529A (ja) * | 1992-04-13 | 1994-03-11 | Sharp Corp | 強誘電性素子のための多層電極 |
-
1994
- 1994-12-01 JP JP6298679A patent/JP2735094B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0668529A (ja) * | 1992-04-13 | 1994-03-11 | Sharp Corp | 強誘電性素子のための多層電極 |
| JPH0621341A (ja) * | 1992-04-29 | 1994-01-28 | Motorola Inc | ルテニウム酸塩電極を有するコンデンサ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998006131A1 (fr) * | 1996-08-07 | 1998-02-12 | Hitachi, Ltd. | Composant a semi-conducteur et son procede de fabrication |
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| JP2735094B2 (ja) | 1998-04-02 |
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