JPH0816265B2 - クラスタ検出装置 - Google Patents
クラスタ検出装置Info
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- JPH0816265B2 JPH0816265B2 JP62075732A JP7573287A JPH0816265B2 JP H0816265 B2 JPH0816265 B2 JP H0816265B2 JP 62075732 A JP62075732 A JP 62075732A JP 7573287 A JP7573287 A JP 7573287A JP H0816265 B2 JPH0816265 B2 JP H0816265B2
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Classifications
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
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-
- G—PHYSICS
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-
- G—PHYSICS
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、クラスタイオンビーム蒸着法（以下ICB法
という）におけるクラスタの生成を容易に検出できるク
ラスタ検出装置に関するものである。
という）におけるクラスタの生成を容易に検出できるク
ラスタ検出装置に関するものである。
各種基体上に、金属薄膜や半導体薄膜、あるいは磁性
体薄膜や誘電体薄膜を形成する手段として、各種の方法
が開発され、そして実用化されている。
体薄膜や誘電体薄膜を形成する手段として、各種の方法
が開発され、そして実用化されている。
そのなかで、イオンのもつ運動エネルギーや電界の効
果を利用して、密着性がよく、かつ粒界等の少ない緻密
な良質の薄膜形成手段として、特公昭54−9592号公報に
開示されているICB法がある。このICB法は、真空槽内に
おいて、蒸着しようとする物質を密閉形るつぼに入れて
加熱し、その物質のるつぼ内蒸気圧を10-2〜数Torrとし
てるつぼのノズルから10-7〜10-4Torr程度の真空領域に
噴出させる。この際、断熱膨張による過冷却現象によっ
て、100〜200個の原子が緩く結合したクラスタが形成さ
れる。そしてこのクラスタに電子シャワーを浴せてクラ
スタを構成する原子群のうちの一個の原子をイオン化し
てクラスタイオンとし適当な運動エネルギーを与えて、
中性のクラスタ、あるいはクラスタを形成しない原子と
ともに基体上に蒸着するものである。
果を利用して、密着性がよく、かつ粒界等の少ない緻密
な良質の薄膜形成手段として、特公昭54−9592号公報に
開示されているICB法がある。このICB法は、真空槽内に
おいて、蒸着しようとする物質を密閉形るつぼに入れて
加熱し、その物質のるつぼ内蒸気圧を10-2〜数Torrとし
てるつぼのノズルから10-7〜10-4Torr程度の真空領域に
噴出させる。この際、断熱膨張による過冷却現象によっ
て、100〜200個の原子が緩く結合したクラスタが形成さ
れる。そしてこのクラスタに電子シャワーを浴せてクラ
スタを構成する原子群のうちの一個の原子をイオン化し
てクラスタイオンとし適当な運動エネルギーを与えて、
中性のクラスタ、あるいはクラスタを形成しない原子と
ともに基体上に蒸着するものである。
第４図は、ICB法を行なうための装置の概要を示す図
である。ベースプレート１上には、真空容器２が載置さ
れ、排気孔３を介して内部が10-7〜10-4Torr程度の真空
度に排気される。蒸着材料４は、るつぼ５に装填され、
るつぼ５は、ベースプレート１上の支持棒６によって坦
持される。
である。ベースプレート１上には、真空容器２が載置さ
れ、排気孔３を介して内部が10-7〜10-4Torr程度の真空
度に排気される。蒸着材料４は、るつぼ５に装填され、
るつぼ５は、ベースプレート１上の支持棒６によって坦
持される。
るつぼ５の加熱手段としては種々考えられるが、図の
実施例では、るつぼ５を包囲するフィラメントからなる
加熱手段７を用いている。そして、加熱されたるつぼ５
内の材料４が蒸発し、るつぼ５の上部に設けられたノズ
ル８を通して高真空雰囲気中に噴出されるとき、るつぼ
５内外の圧力差のため、材料原子が塊状原子集団、すな
わちクラスタを形成する。
実施例では、るつぼ５を包囲するフィラメントからなる
加熱手段７を用いている。そして、加熱されたるつぼ５
内の材料４が蒸発し、るつぼ５の上部に設けられたノズ
ル８を通して高真空雰囲気中に噴出されるとき、るつぼ
５内外の圧力差のため、材料原子が塊状原子集団、すな
わちクラスタを形成する。
形成されたクラスタ、あるいはクラスタを形成しない
原子は、るつぼ５からの噴出時の運動エネルギーにより
クラスタビーム12となって飛翔し、その一部は、フィラ
メント９とフィラメント９に隣接して配置されたグリッ
ド10とで構成されるイオン化部を通過する際にイオン化
される。そしてグリッド10の上部に設置された加速電極
11により、イオン化されたクラスタが加速され、加速さ
れたクラスタイオンは、中性のクラスタ、クラスタを形
成しない原子とともに、るつぼ５に対峙して設置された
基板13に被着する。
原子は、るつぼ５からの噴出時の運動エネルギーにより
クラスタビーム12となって飛翔し、その一部は、フィラ
メント９とフィラメント９に隣接して配置されたグリッ
ド10とで構成されるイオン化部を通過する際にイオン化
される。そしてグリッド10の上部に設置された加速電極
11により、イオン化されたクラスタが加速され、加速さ
れたクラスタイオンは、中性のクラスタ、クラスタを形
成しない原子とともに、るつぼ５に対峙して設置された
基板13に被着する。
このICB法は、前述したように100〜2000個の原子から
なるクラスタ中の一個の原子しかイオン化されないの
で、比電荷（e/m）が極めて小さく、空間電荷による障
害なしに等価的に数ev〜数＋evの低速大容量のビームの
輸送ができ、工業的にもすぐれた蒸着法といえる。ま
た、基板射突時にクラスタが壊されて個々の原子粒子と
なり、横方向に転がる効果、すなわちマイグレーション
効果が大きいために、基板上での蒸着粒子の表面拡散エ
ネルギーが大きい。さらに、加速電圧を自由に変えるこ
とによって、運動エネルギーを自由に制御できる特長を
もち、付着力が強く、表面平坦性の高い膜が形成でき
る。
なるクラスタ中の一個の原子しかイオン化されないの
で、比電荷（e/m）が極めて小さく、空間電荷による障
害なしに等価的に数ev〜数＋evの低速大容量のビームの
輸送ができ、工業的にもすぐれた蒸着法といえる。ま
た、基板射突時にクラスタが壊されて個々の原子粒子と
なり、横方向に転がる効果、すなわちマイグレーション
効果が大きいために、基板上での蒸着粒子の表面拡散エ
ネルギーが大きい。さらに、加速電圧を自由に変えるこ
とによって、運動エネルギーを自由に制御できる特長を
もち、付着力が強く、表面平坦性の高い膜が形成でき
る。
ところで、第４図に示した実施例は、一個のるつぼ５
により材料４の蒸着を行っているが、例えば特公昭56−
41165号公報に開示されているように、複数個のるつぼ
内に各別に材料を装填して化合物薄膜を形成する。ある
いは、特公昭56−6333号公報に記載されているように、
真空槽内に反応性ガスを導入し、酸化物や窒化物薄膜の
形成にも、このICB法は利用されている。
により材料４の蒸着を行っているが、例えば特公昭56−
41165号公報に開示されているように、複数個のるつぼ
内に各別に材料を装填して化合物薄膜を形成する。ある
いは、特公昭56−6333号公報に記載されているように、
真空槽内に反応性ガスを導入し、酸化物や窒化物薄膜の
形成にも、このICB法は利用されている。
ICB法は、前述したようにるつぼ５内外の圧力差を利
用して、材料４のクラスタビームを形成させているもの
である。そしてこの場合、クラスタを形成させるには、
るつぼ内蒸気圧をPo、るつぼ周囲の真空領域の圧力をＰ
とした場合、Po/P≧102以上であること、噴出粒子がノ
ズル領域を通過するとき、お互いに衝突を繰返してエネ
ルギーのやりとりを行い、十分な断熱現象を起して過冷
却状態になることなどの多くの条件がある。
用して、材料４のクラスタビームを形成させているもの
である。そしてこの場合、クラスタを形成させるには、
るつぼ内蒸気圧をPo、るつぼ周囲の真空領域の圧力をＰ
とした場合、Po/P≧102以上であること、噴出粒子がノ
ズル領域を通過するとき、お互いに衝突を繰返してエネ
ルギーのやりとりを行い、十分な断熱現象を起して過冷
却状態になることなどの多くの条件がある。
したがって、第４図に示す装置でICB法を実施するに
は、加熱装置７により加熱されるるつぼ５の温度を制御
し、るつぼ５内の材料４の蒸気圧やノズルの形状その他
が、前述した条件を満足するように設定している。
は、加熱装置７により加熱されるるつぼ５の温度を制御
し、るつぼ５内の材料４の蒸気圧やノズルの形状その他
が、前述した条件を満足するように設定している。
この場合、ICB法においては、るつぼ５のノズル８か
ら噴出した材料４の原子がすべてクラスタを形成するの
が理想であるが、動作条件、構造によっては、必ずしも
完全にクラスタ化されているとは限らない。
ら噴出した材料４の原子がすべてクラスタを形成するの
が理想であるが、動作条件、構造によっては、必ずしも
完全にクラスタ化されているとは限らない。
一方、クラスタの形成は、基板13上に被着される薄膜
の膜質に大きく影響し、クラスタが形成されているかど
うかをチェックすることは、ICB法を実施する上で重要
である。
の膜質に大きく影響し、クラスタが形成されているかど
うかをチェックすることは、ICB法を実施する上で重要
である。
しかしながら従来は、るつぼ内外の圧力差を十分とる
ことによってのみ、これを制御しているにすぎなかっ
た。
ことによってのみ、これを制御しているにすぎなかっ
た。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであ
り、クラスタの生成を定性的に捉えることにより、確実
にICB法を実施できるクラスタ検出装置を得ることを目
的とするものである。
り、クラスタの生成を定性的に捉えることにより、確実
にICB法を実施できるクラスタ検出装置を得ることを目
的とするものである。
上述した目的を達成するため、本発明によるクラスタ
検出装置は、以下の構成を備えている。
検出装置は、以下の構成を備えている。
すなわち、真空槽内で加熱される密閉形るつぼのノズ
ルから噴出されるクラスタ流に、励起光を照射する光源
と、この光源の照射方向と直交する方向に配設され前記
光源によって励起されたクラスタ流中からの蛍光発光な
いしは励起発光の分光強度を検出する検出器とを備えた
構成になるものである。
ルから噴出されるクラスタ流に、励起光を照射する光源
と、この光源の照射方向と直交する方向に配設され前記
光源によって励起されたクラスタ流中からの蛍光発光な
いしは励起発光の分光強度を検出する検出器とを備えた
構成になるものである。
原子、あるいは分子等に光を照射すると、特定の波長
の光を吸収して励起される。この励起された原子は、放
射又は無放射の過程を通じてエネルギーを失うが、放射
過程によって放出される光は蛍光ないしは励起光とな
る。そしてこの蛍光の波長は元素に固有のものであり、
しかも元素が原子状であるか分子状であるかによっても
異なってくる。
の光を吸収して励起される。この励起された原子は、放
射又は無放射の過程を通じてエネルギーを失うが、放射
過程によって放出される光は蛍光ないしは励起光とな
る。そしてこの蛍光の波長は元素に固有のものであり、
しかも元素が原子状であるか分子状であるかによっても
異なってくる。
したがって、クラスタビームを光照射し蛍光を分光分
析して、その元素の分子状態におけるスペクトル強度が
大きくなれば、クラスタが形成されていることが推定さ
れる。
析して、その元素の分子状態におけるスペクトル強度が
大きくなれば、クラスタが形成されていることが推定さ
れる。
本発明は、上述の動作原理に基づき、クラスタビーム
に光を照射してその蛍光分光分析を行い、クラスタの生
成を検出しようとするものである。
に光を照射してその蛍光分光分析を行い、クラスタの生
成を検出しようとするものである。
第１図は、ICB装置に本発明によるクラスタ検出装置
を付設した原理構成を示す模式図である。
を付設した原理構成を示す模式図である。
ここで21は、ICB法を実施するための真空槽であり、
図示しない密閉形るつぼのノズルから噴出した材料の蒸
気流がクラスタビーム22を形成している。また、この真
空層21には、光源23からの励起光26が光学系24を介して
入射する窓部25と、クラスタビーム22からの蛍光27を検
出する窓部28を備えているものである。そして、励起光
26は、光学系24により、クラスタビーム22の中心に焦点
を結ぶよう調整される。
図示しない密閉形るつぼのノズルから噴出した材料の蒸
気流がクラスタビーム22を形成している。また、この真
空層21には、光源23からの励起光26が光学系24を介して
入射する窓部25と、クラスタビーム22からの蛍光27を検
出する窓部28を備えているものである。そして、励起光
26は、光学系24により、クラスタビーム22の中心に焦点
を結ぶよう調整される。
窓部28を介して真空槽21外へ取出された蛍光27は、光
学系29を介して分光器30に入射され、スペクトル分析さ
れて記録計31に記録されるようになる。
学系29を介して分光器30に入射され、スペクトル分析さ
れて記録計31に記録されるようになる。
励起光26と蛍光27の検出側とは、直角方向に配置され
ているが、これは励起光26と分光器30との干渉を最小に
するためである。また、実際には、分光器30の出力をフ
ォトマルで増幅し、光源23の前方に配置した光チョッパ
ーからの信号とともにロックインアップによって信号分
のみの増幅を行う等の手段も採用される。さらに、窓部
25、28にバッフルを配設し、るつぼからの迷光を防ぎ、
あるいは窓部の蒸発材料による汚れを防止するようにし
てもよい。光源23としては、高圧水銀灯を使用してい
る。その他、この光源としては、レーザ光を使用するこ
とも可能である。
ているが、これは励起光26と分光器30との干渉を最小に
するためである。また、実際には、分光器30の出力をフ
ォトマルで増幅し、光源23の前方に配置した光チョッパ
ーからの信号とともにロックインアップによって信号分
のみの増幅を行う等の手段も採用される。さらに、窓部
25、28にバッフルを配設し、るつぼからの迷光を防ぎ、
あるいは窓部の蒸発材料による汚れを防止するようにし
てもよい。光源23としては、高圧水銀灯を使用してい
る。その他、この光源としては、レーザ光を使用するこ
とも可能である。
次に、この第１図の原理構成に基づく本発明によるク
ラスタ検出装置による測定結果について述べる。
ラスタ検出装置による測定結果について述べる。
まず、蒸着材料として銀（Ag）を選定し、るつぼ内に
装填してICB法による蒸着を行った。このときのるつぼ
のノズル径は1mmφである。そしてるつぼの加熱温度、
したがってるつぼ内のAgの蒸気圧を変えていった場合の
各加熱温度におけるクラスタビームからの蛍光発光のス
ペクトル分布を第２図（ａ）〜（ｃ）に示す。
装填してICB法による蒸着を行った。このときのるつぼ
のノズル径は1mmφである。そしてるつぼの加熱温度、
したがってるつぼ内のAgの蒸気圧を変えていった場合の
各加熱温度におけるクラスタビームからの蛍光発光のス
ペクトル分布を第２図（ａ）〜（ｃ）に示す。
第２図（ａ）は、るつぼ温度が1305℃の場合であり、
この温度では328nm付近と338nm付近に鋭いスペクトラム
がみられる。この波長は、Ag単原子の蛍光スペクトルで
あることが知られており、ノズルから噴出したビームは
原子状態であることが判る。
この温度では328nm付近と338nm付近に鋭いスペクトラム
がみられる。この波長は、Ag単原子の蛍光スペクトルで
あることが知られており、ノズルから噴出したビームは
原子状態であることが判る。
るつぼ温度を上げて1510℃にした場合のスペクトル分
布が第２図（ｂ）に示す結果である。この場合は、Ag単
原子からの蛍光（328nm付近及び338nm付近のスペクト
ル）が減じ、430〜450nmの間にスペクトル線をもつ蛍光
が生じている。Ag2の蛍光スペクトルは、447nm近辺をピ
ークとして、その前後の波長帯域に鋭いスペクトル分布
をもつことが知られており、この1510℃のるつぼ温度で
は、ビーム中に少なくとも分子状の粒子が多数生成され
ていることが判る。
布が第２図（ｂ）に示す結果である。この場合は、Ag単
原子からの蛍光（328nm付近及び338nm付近のスペクト
ル）が減じ、430〜450nmの間にスペクトル線をもつ蛍光
が生じている。Ag2の蛍光スペクトルは、447nm近辺をピ
ークとして、その前後の波長帯域に鋭いスペクトル分布
をもつことが知られており、この1510℃のるつぼ温度で
は、ビーム中に少なくとも分子状の粒子が多数生成され
ていることが判る。
一方、形成されるクラスタは、お互いに緩く結合した
塊状原子集団であることは、例えば「I.Yamada et al
“The Formation and Kinetics of Ionized Cluster Be
ams"Z.Phys.D Atoms,Molecules and Clusters Vol.3−
２−3,134−142（1986）」等の論文に開示されているよ
うに、すでに解明されており、クラスタが、分子状態と
同様のスペクトルをもつことは、容易に理解できる。
塊状原子集団であることは、例えば「I.Yamada et al
“The Formation and Kinetics of Ionized Cluster Be
ams"Z.Phys.D Atoms,Molecules and Clusters Vol.3−
２−3,134−142（1986）」等の論文に開示されているよ
うに、すでに解明されており、クラスタが、分子状態と
同様のスペクトルをもつことは、容易に理解できる。
また、ノズルから噴出後、分子状に結合するだけでそ
れ以上の塊状集団に成長しないということは、理論解析
からみても不合理である（例えば「I.Yamada et al “S
tructure of Vapourized−Metal Clusters" Proceeding
s of the Sixth Symposium on Ion Sources and Ion As
sisted Technology,47−52（1982」参照）。
れ以上の塊状集団に成長しないということは、理論解析
からみても不合理である（例えば「I.Yamada et al “S
tructure of Vapourized−Metal Clusters" Proceeding
s of the Sixth Symposium on Ion Sources and Ion As
sisted Technology,47−52（1982」参照）。
さらに、クラスタの電子線回折像をみると、長距離秩
序をもたず短距離秩序しかみられない典型的なアモルフ
ァスの像が観察されることが確認され、これによっても
巨大クラスタは、分子状結合が支配的である、と考えら
れる。
序をもたず短距離秩序しかみられない典型的なアモルフ
ァスの像が観察されることが確認され、これによっても
巨大クラスタは、分子状結合が支配的である、と考えら
れる。
すなわち、るつぼ温度を上げることによって、Agの分
子状態からの蛍光発光が観察され始めるということは、
クラスタが形成されている、と推定でき、これによりク
ラスタの生成が確認できる。
子状態からの蛍光発光が観察され始めるということは、
クラスタが形成されている、と推定でき、これによりク
ラスタの生成が確認できる。
因に、この場合のるつぼ内外における圧力差Po/P≧10
4であり、クラスタが生成される条件としては十分であ
る。
4であり、クラスタが生成される条件としては十分であ
る。
第２図（ｃ）は、るつぼ温度をさらに上げて1770℃と
した場合のスペクトル分布である。この場合は、Ag単原
子からの蛍光発光に比し、分子状態からの蛍光発光が支
配的になっていることが判る。
した場合のスペクトル分布である。この場合は、Ag単原
子からの蛍光発光に比し、分子状態からの蛍光発光が支
配的になっていることが判る。
このように、クラスタビーム中に励起光を照射するこ
とによって生ずる蛍光発光を分光分析することにより、
分子状態からの発光を検出することによって、クラスタ
の生成を確認することが可能となるものである。
とによって生ずる蛍光発光を分光分析することにより、
分子状態からの発光を検出することによって、クラスタ
の生成を確認することが可能となるものである。
第２図に示す例は、蒸着材料としてAgを選定した場合
であるが、蒸着材料が金（Au）である場合の単原子から
の蛍光スペクトルと分子状態からの蛍光スペクトルを第
３図（ａ）に、またCuにおけるそれを第３図（ｂ）に示
す。Auの場合は、単原子状態のスペクトルは242nm付近
及び267nm付近に生ずるのに対し、分子状態での発光
は、500nm〜535nm間にある。同様にCuでは、単原子状態
からの発光が325nm付近及び327nm付近であるのに対し、
これが分子状態となると485nm付近〜522nm付近にシフト
する。
であるが、蒸着材料が金（Au）である場合の単原子から
の蛍光スペクトルと分子状態からの蛍光スペクトルを第
３図（ａ）に、またCuにおけるそれを第３図（ｂ）に示
す。Auの場合は、単原子状態のスペクトルは242nm付近
及び267nm付近に生ずるのに対し、分子状態での発光
は、500nm〜535nm間にある。同様にCuでは、単原子状態
からの発光が325nm付近及び327nm付近であるのに対し、
これが分子状態となると485nm付近〜522nm付近にシフト
する。
このように各元素毎に、原子状態と分子状態とでは、
その蛍光発光スペクトルが異なることから、分子状態で
の蛍光スペクトルを検出し、これによりクラスタの生成
を確認することが可能となるものである。
その蛍光発光スペクトルが異なることから、分子状態で
の蛍光スペクトルを検出し、これによりクラスタの生成
を確認することが可能となるものである。
ところで、上述した第１図に示す実施例では、分光器
を用いてクラスタビーム中からの蛍光発光を分析してい
るが、この分光器に変え、蒸着材料の元素に応じてそれ
ぞれ原子状態及び分子状態からの蛍光発光に感応するセ
ンサ、例えば特性波長域の光を透過させるフイルタと光
電変換素子との組合せとからなるセンサを用いるように
してもよい。
を用いてクラスタビーム中からの蛍光発光を分析してい
るが、この分光器に変え、蒸着材料の元素に応じてそれ
ぞれ原子状態及び分子状態からの蛍光発光に感応するセ
ンサ、例えば特性波長域の光を透過させるフイルタと光
電変換素子との組合せとからなるセンサを用いるように
してもよい。
そのほか本発明は、上述した実施例に限定されること
なく、例えば、波長の異なる複数の励起光を照射して、
検出する蛍光ないしは励起発光の波長を時間的に変化さ
せ、d/dt信号から識別するなど、種々変形して実施でき
ることは、もちろんである。
なく、例えば、波長の異なる複数の励起光を照射して、
検出する蛍光ないしは励起発光の波長を時間的に変化さ
せ、d/dt信号から識別するなど、種々変形して実施でき
ることは、もちろんである。
以上述べたように、本発明によるクラスタ検出装置
は、各元素を光励起した場合における原子状態からの蛍
光と分子状態からの蛍光のスペクトルが異なる点に着目
し、クラスタの生成を検出しているものである。
は、各元素を光励起した場合における原子状態からの蛍
光と分子状態からの蛍光のスペクトルが異なる点に着目
し、クラスタの生成を検出しているものである。
したがって、単にるつぼ温度を調整してるつぼ内外の
圧力差を高めてICB法を行う従来方法に比し、クラスタ
の生成を確認することが可能となり、良質の薄膜形成を
行うことができる効果を有する。
圧力差を高めてICB法を行う従来方法に比し、クラスタ
の生成を確認することが可能となり、良質の薄膜形成を
行うことができる効果を有する。
また、クラスタ流中からの蛍光発光ないしは励起発光
の分光強度を検出する検出器を、光源の照射方向と直交
する方向に配設した構成である。
の分光強度を検出する検出器を、光源の照射方向と直交
する方向に配設した構成である。
そのため、光源から照射された励起光と、前記検出器
の干渉が最少に抑えられ、検出精度を高めることができ
る。
の干渉が最少に抑えられ、検出精度を高めることができ
る。
第１図は、本発明によるクラスタ検出装置の一実施例を
示す原理構成図、第２図は、同実施例における蛍光スペ
クトル分布を示す図、第３図は、各元素の蛍光スペクト
ル分布の一例を示す図、第４図は、ICB法を実施するた
めの装置を示す概略構成図である。 21……真空槽、22……クラスタビーム 23……光源、30……分光器
示す原理構成図、第２図は、同実施例における蛍光スペ
クトル分布を示す図、第３図は、各元素の蛍光スペクト
ル分布の一例を示す図、第４図は、ICB法を実施するた
めの装置を示す概略構成図である。 21……真空槽、22……クラスタビーム 23……光源、30……分光器
Claims (1)
- 【請求項１】真空槽内に配設され、加熱された密閉形る
つぼのノズルから噴出されるクラスタ流に、励起光を照
射する光源と、前記光源の照射方向と直交する方向に配
設され前記光源によって励起されたクラスタ流中からの
蛍光発光ないしは励起発光の分光強度を検出する検出器
とを備えた構成になるクラスタ検出装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075732A JPH0816265B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | クラスタ検出装置 |
| DE3810312A DE3810312A1 (de) | 1987-03-27 | 1988-03-26 | Geraet zum erfassen von agglomerationsbildung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62075732A JPH0816265B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | クラスタ検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63241163A JPS63241163A (ja) | 1988-10-06 |
| JPH0816265B2 true JPH0816265B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=13584736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62075732A Expired - Fee Related JPH0816265B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | クラスタ検出装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0816265B2 (ja) |
| DE (1) | DE3810312A1 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU473524B2 (en) * | 1972-08-04 | 1976-06-24 | Unisearch Limited | Improvements in or relating to atomic fluorescence spectrometers |
| CH584886A5 (ja) * | 1974-10-09 | 1977-02-15 | Balzers Patent Beteilig Ag | |
| JPS5399762A (en) * | 1977-02-12 | 1978-08-31 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Device for producing compound semiconductor film |
| JPS5413472A (en) * | 1977-07-04 | 1979-01-31 | Futaba Denshi Kogyo Kk | Crucible apparatus |
| JPS62230974A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-09 | Canon Inc | 結晶成長装置 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62075732A patent/JPH0816265B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-03-26 DE DE3810312A patent/DE3810312A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3810312A1 (de) | 1988-10-06 |
| DE3810312C2 (ja) | 1993-07-01 |
| JPS63241163A (ja) | 1988-10-06 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |