JPH0816482A - フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法 - Google Patents
フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法Info
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- JPH0816482A JPH0816482A JP14794394A JP14794394A JPH0816482A JP H0816482 A JPH0816482 A JP H0816482A JP 14794394 A JP14794394 A JP 14794394A JP 14794394 A JP14794394 A JP 14794394A JP H0816482 A JPH0816482 A JP H0816482A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】セクタ単位で消去可能なフラッシュメモリを用
いた記憶装置において、特定セクタにライトが集中しな
いようにし、装置寿命を延ばす。 【構成】ホストコンピュータ１０１０から見える論理ブ
ロック１１００と実際の物理ブロック１１１０の間でマ
ッピングを行ない、論理ブロック１１００のライト回数
を管理情報として持つ。ライト回数が多く、今後ライト
される可能性が高いと思われる論理ブロック１１００
に、消去回数が多い物理ブロック１１１０が割り当てら
れていたときには、ライト回数の少ない論理ブロック１
１００に割り当てられている消去回数の少ない物理ブロ
ック１１１０を探し、ライト回数が多い論理ブロック１
１００には消去回数が少ない物理ブロック１１１０を割
り当て、ライト回数が少ない論理ブロック１１００には
消去回数が多い物理ブロック１１１０を割り当てるよう
にマッピングを変更する。
いた記憶装置において、特定セクタにライトが集中しな
いようにし、装置寿命を延ばす。 【構成】ホストコンピュータ１０１０から見える論理ブ
ロック１１００と実際の物理ブロック１１１０の間でマ
ッピングを行ない、論理ブロック１１００のライト回数
を管理情報として持つ。ライト回数が多く、今後ライト
される可能性が高いと思われる論理ブロック１１００
に、消去回数が多い物理ブロック１１１０が割り当てら
れていたときには、ライト回数の少ない論理ブロック１
１００に割り当てられている消去回数の少ない物理ブロ
ック１１１０を探し、ライト回数が多い論理ブロック１
１００には消去回数が少ない物理ブロック１１１０を割
り当て、ライト回数が少ない論理ブロック１１００には
消去回数が多い物理ブロック１１１０を割り当てるよう
にマッピングを変更する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フラッシュメモリを用
いた記憶装置に係り、特に装置寿命と応答性能を重視し
た記憶装置に関する。
いた記憶装置に係り、特に装置寿命と応答性能を重視し
た記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フラッシュメモリはリードオンリメモリ
（ＲＯＭ）のように不揮発性でありながら、リードだけ
でなく、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）のようにラ
イトも可能な半導体メモリである。
（ＲＯＭ）のように不揮発性でありながら、リードだけ
でなく、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）のようにラ
イトも可能な半導体メモリである。
【０００３】しかし、フラッシュメモリには、スタティ
ックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）やダイナミックＡＭ（ＤＲＡ
Ｍ）には無い、以下のような制限がある。
ックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）やダイナミックＡＭ（ＤＲＡ
Ｍ）には無い、以下のような制限がある。
【０００４】（１）消去の単位がビットやバイトでな
く、セクタあるいはチップであること、（２）消去回数
の制限があること、（３）消去及び書き込みに数ミリ秒
かかること。
く、セクタあるいはチップであること、（２）消去回数
の制限があること、（３）消去及び書き込みに数ミリ秒
かかること。
【０００５】特開平５−２７９２４号公報において、フ
ラッシュメモリの制限の上記（２）と（３）の解決を試
みる、以下に示すような方法が開示されている。
ラッシュメモリの制限の上記（２）と（３）の解決を試
みる、以下に示すような方法が開示されている。
【０００６】ただし、後述する本発明実施例ではセクタ
単位で消去できるフラッシュメモリを想定しているた
め、この従来技術においてもセクタ単位の消去を前提と
した部分のみを説明する。
単位で消去できるフラッシュメモリを想定しているた
め、この従来技術においてもセクタ単位の消去を前提と
した部分のみを説明する。
【０００７】まず、ホストコンピュータの指定する論理
アドレスと半導体の物理アドレスとをマッピングにより
アドレス指定する。
アドレスと半導体の物理アドレスとをマッピングにより
アドレス指定する。
【０００８】そして、ライトコマンドに先だって消去コ
マンドがあったときには、そのセクタ内のデータを無効
とし、消去を開始する。消去はバックグラウンドで処理
される。
マンドがあったときには、そのセクタ内のデータを無効
とし、消去を開始する。消去はバックグラウンドで処理
される。
【０００９】また、ライトコマンドがあったときには、
あらかじめ、全ての空きセクタの中から消去回数を考慮
して選んでおいた、ライト対象のセクタにライトする。
あらかじめ、全ての空きセクタの中から消去回数を考慮
して選んでおいた、ライト対象のセクタにライトする。
【００１０】なお、特開平５−２４１７４１号公報に記
載の従来技術においては、この種のフラッシュメモリ制
御方法が開示されているが、セクタ単位の消去を想定し
ていない。
載の従来技術においては、この種のフラッシュメモリ制
御方法が開示されているが、セクタ単位の消去を想定し
ていない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、消
去コマンドの来ないセクタはいつまでも消去されないた
め、消去回数にばらつきが生じるという問題があった。
また、アクセス状況を考慮しておらず、消去回数の多い
セクタに、今後ライトされる可能性の高い論理アドレス
を割り当ててしまうことがあり、これによってもセクタ
により消去回数にばらつきが生じ、その結果、フラッシ
ュメモリを用いた記憶装置全体として寿命が短くなると
いう問題点があった。
去コマンドの来ないセクタはいつまでも消去されないた
め、消去回数にばらつきが生じるという問題があった。
また、アクセス状況を考慮しておらず、消去回数の多い
セクタに、今後ライトされる可能性の高い論理アドレス
を割り当ててしまうことがあり、これによってもセクタ
により消去回数にばらつきが生じ、その結果、フラッシ
ュメモリを用いた記憶装置全体として寿命が短くなると
いう問題点があった。
【００１２】さらに、上記従来技術では、ライト対象セ
クタを決めるのに、多くのセクタの消去回数を判定する
必要があるため、時間がかかるという問題があった。
クタを決めるのに、多くのセクタの消去回数を判定する
必要があるため、時間がかかるという問題があった。
【００１３】本発明の第１の目的は、１ないし数セクタ
で構成される物理ブロック間で消去回数があまりばらつ
かないようにする、セクタ単位での消去が可能なフラッ
シュメモリを用いた、記憶装置システムを提供すること
である。
で構成される物理ブロック間で消去回数があまりばらつ
かないようにする、セクタ単位での消去が可能なフラッ
シュメモリを用いた、記憶装置システムを提供すること
である。
【００１４】本発明の第２の目的は、今後のアクセス状
況を考慮して、論理ブロックに割り当てるべき物理ブロ
ックを決定する、セクタ単位での消去が可能なフラッシ
ュメモリを用いた記憶装置システムを提供することであ
る。
況を考慮して、論理ブロックに割り当てるべき物理ブロ
ックを決定する、セクタ単位での消去が可能なフラッシ
ュメモリを用いた記憶装置システムを提供することであ
る。
【００１５】本発明の第３の目的は、ライト対象の物理
ブロック検索を高速に検索する、セクタ単位での消去が
可能なフラッシュメモリを用いた記憶装置システムを提
供することである。
ブロック検索を高速に検索する、セクタ単位での消去が
可能なフラッシュメモリを用いた記憶装置システムを提
供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による制御方法は、上位装置から見たアクセ
ス単位である論理ブロックを、フラッシュメモリの物理
ブロックに割り当てる、フラッシュメモリを用いた記憶
装置の制御方法であって、論理ブロックへのライト処理
の度に、各論理ブロック単位にそのライト回数（または
ライト頻度）を計数管理し、物理ブロックの消去処理の
度に、各物理ブロック単位にその消去回数を計数管理
し、複数の論理ブロックを各々のライト回数（または頻
度）により複数の論理ブロックグループに分類し、複数
の物理ブロックを各々の消去回数により複数の物理ブロ
ックグループに分類し、ライト回数の多い論理ブロック
グループに属する論理ブロックへのライト処理に伴い当
該論理ブロックを物理ブロックへ割り当てる際に、当該
論理ブロックを消去回数の少ない物理ブロックグループ
に属する物理ブロックに割り当てるようにしたものであ
る。
に、本発明による制御方法は、上位装置から見たアクセ
ス単位である論理ブロックを、フラッシュメモリの物理
ブロックに割り当てる、フラッシュメモリを用いた記憶
装置の制御方法であって、論理ブロックへのライト処理
の度に、各論理ブロック単位にそのライト回数（または
ライト頻度）を計数管理し、物理ブロックの消去処理の
度に、各物理ブロック単位にその消去回数を計数管理
し、複数の論理ブロックを各々のライト回数（または頻
度）により複数の論理ブロックグループに分類し、複数
の物理ブロックを各々の消去回数により複数の物理ブロ
ックグループに分類し、ライト回数の多い論理ブロック
グループに属する論理ブロックへのライト処理に伴い当
該論理ブロックを物理ブロックへ割り当てる際に、当該
論理ブロックを消去回数の少ない物理ブロックグループ
に属する物理ブロックに割り当てるようにしたものであ
る。
【００１７】また、本発明による記憶装置は、上位装置
から見たアクセス単位である論理ブロックを、フラッシ
ュメモリの物理ブロックに割り当てる、フラッシュメモ
リを用いた記憶装置であって、個別に消去可能な複数の
物理ブロックを有するフラッシュメモリと、該割り当て
手段により割り当てられた論理ブロックと物理ブロック
との対応関係を保持するテーブル手段と、個々の論理ブ
ロックのライト回数（または頻度）を計数管理する手段
と、論理ブロックをライト回数に基づいて複数のグルー
プに分類する手段と、論理ブロックへ割り当てられてい
た物理ブロックを空き物理ブロックとする際に、当該物
理ブロックの消去処理を行なう消去手段と、個々の物理
ブロックの消去回数を計数管理する手段と、物理ブロッ
クを消去回数に基づいて複数のグループに分類する手段
と、個々の論理ブロックを物理ブロックに割り当てる割
り当て制御手段と、いずれの論理ブロックにも割り当て
られていない空き物理ブロックを管理する手段とを備
え、前記割り当て制御手段は、適宜、ライト回数が多い
論理ブロックグループに属する論理ブロックを消去回数
の少ない物理ブロックグループに属する空き物理ブロッ
クに割り当てるとともに、ライト回数が少ない論理ブロ
ックグループに属する論理ブロックを消去回数の多い物
理ブロックグループに属する空き物理ブロックに割り当
てる交換処理を行なうことを特徴とするものである。
から見たアクセス単位である論理ブロックを、フラッシ
ュメモリの物理ブロックに割り当てる、フラッシュメモ
リを用いた記憶装置であって、個別に消去可能な複数の
物理ブロックを有するフラッシュメモリと、該割り当て
手段により割り当てられた論理ブロックと物理ブロック
との対応関係を保持するテーブル手段と、個々の論理ブ
ロックのライト回数（または頻度）を計数管理する手段
と、論理ブロックをライト回数に基づいて複数のグルー
プに分類する手段と、論理ブロックへ割り当てられてい
た物理ブロックを空き物理ブロックとする際に、当該物
理ブロックの消去処理を行なう消去手段と、個々の物理
ブロックの消去回数を計数管理する手段と、物理ブロッ
クを消去回数に基づいて複数のグループに分類する手段
と、個々の論理ブロックを物理ブロックに割り当てる割
り当て制御手段と、いずれの論理ブロックにも割り当て
られていない空き物理ブロックを管理する手段とを備
え、前記割り当て制御手段は、適宜、ライト回数が多い
論理ブロックグループに属する論理ブロックを消去回数
の少ない物理ブロックグループに属する空き物理ブロッ
クに割り当てるとともに、ライト回数が少ない論理ブロ
ックグループに属する論理ブロックを消去回数の多い物
理ブロックグループに属する空き物理ブロックに割り当
てる交換処理を行なうことを特徴とするものである。
【００１８】
【作用】ライト回数（または頻度）の多い論理ブロック
と消去回数の多い物理ブロックが対応しているときに、
ライト回数の少ない論理ブロックと消去回数の少ない物
理ブロックの対応関係があれば、割り当て（マッピン
グ）の関係を見直し、ライト回数の多い論理ブロックに
は消去回数の少ない物理ブロックを割り当て、ライト回
数の少ない論理ブロックには消去回数の多い物理ブロッ
クを割り当てることによって、各物理ブロック間の消去
回数のばらつきをできるだけ抑えることができる。
と消去回数の多い物理ブロックが対応しているときに、
ライト回数の少ない論理ブロックと消去回数の少ない物
理ブロックの対応関係があれば、割り当て（マッピン
グ）の関係を見直し、ライト回数の多い論理ブロックに
は消去回数の少ない物理ブロックを割り当て、ライト回
数の少ない論理ブロックには消去回数の多い物理ブロッ
クを割り当てることによって、各物理ブロック間の消去
回数のばらつきをできるだけ抑えることができる。
【００１９】これによって、フラッシュメモリを用いた
記憶装置全体の寿命を延ばすことが可能となる。
記憶装置全体の寿命を延ばすことが可能となる。
【００２０】また、所属する物理ブロックグループ毎
に、かつ対応する論理ブロックグループ毎に物理ブロッ
クのキューを指示するグループテーブル手段の採用によ
り、交換処理（後述する実施例では、交換ライト処理）
の際、必要な情報を迅速に獲得することにより割り当て
対象の物理ブロック検索を高速に行なうことができる。
に、かつ対応する論理ブロックグループ毎に物理ブロッ
クのキューを指示するグループテーブル手段の採用によ
り、交換処理（後述する実施例では、交換ライト処理）
の際、必要な情報を迅速に獲得することにより割り当て
対象の物理ブロック検索を高速に行なうことができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の好適な実施例につき、図面に
より詳細に説明する。
より詳細に説明する。
【００２２】図１は本発明の第１の実施例に係る記憶装
置システム１０００の構成を示す。
置システム１０００の構成を示す。
【００２３】記憶装置システム１０００は、ホストコン
ピュータ１０１０とデータの受渡しを行なうホストイン
ターフェース１０２０、中央処理装置（ＣＰＵ）１０５
０、制御プログラムを入れておくＲＯＭ１０４０、テー
ブルを置いておきデータのバッファとしても機能するＲ
ＡＭ１０３０、データを格納するフラッシュメモリ１０
６０より構成される。
ピュータ１０１０とデータの受渡しを行なうホストイン
ターフェース１０２０、中央処理装置（ＣＰＵ）１０５
０、制御プログラムを入れておくＲＯＭ１０４０、テー
ブルを置いておきデータのバッファとしても機能するＲ
ＡＭ１０３０、データを格納するフラッシュメモリ１０
６０より構成される。
【００２４】図２は、本記憶装置システム１０００にお
いて、ホストコンピュータ１０１０から見える論理ブロ
ック空間と、実際のフラッシュメモリの物理ブロック空
間の対応関係を示している。物理ブロック空間は、論理
ブロック１１００と１対１で対応している通常の物理ブ
ロック１１１０と、対応する論理ブロック１１００が存
在しない空き物理ブロック１１２０から構成される。論
理ブロック１１００と物理ブロック１１１０は後述する
論理ブロックテーブル１４００で対応付けし、全ての論
理ブロック１１００には対応する物理ブロック１１１０
が存在する。各物理ブロック１１１０は消去回数で分類
され、物理ブロックグループを構成する。なお、１物理
ブロックは、１ないし数セクタから構成される。
いて、ホストコンピュータ１０１０から見える論理ブロ
ック空間と、実際のフラッシュメモリの物理ブロック空
間の対応関係を示している。物理ブロック空間は、論理
ブロック１１００と１対１で対応している通常の物理ブ
ロック１１１０と、対応する論理ブロック１１００が存
在しない空き物理ブロック１１２０から構成される。論
理ブロック１１００と物理ブロック１１１０は後述する
論理ブロックテーブル１４００で対応付けし、全ての論
理ブロック１１００には対応する物理ブロック１１１０
が存在する。各物理ブロック１１１０は消去回数で分類
され、物理ブロックグループを構成する。なお、１物理
ブロックは、１ないし数セクタから構成される。
【００２５】図３は物理ブロックグループ１２００（１
２１０〜１２７０）の概念図である。横軸は物理ブロッ
ク１１１０の消去回数を示し、縦軸はグループに属する
物理ブロック１１１０の個数を示している。数値ｍは、
ｍ≦平均消去回数＜ｍ＋１０００を満たす１０００の倍
数であり、このｍを基準の消去回数として物理ブロック
１１１０のグループ分けを行なう。すなわち、消去回数
が０〜ｍ−２００１の物理ブロック１１１０群をまとめ
て物理ブロックグループＡ１２１０とし、消去回数がｍ
−２０００〜ｍ−１００１の物理ブロック１１１０群を
まとめて物理ブロックグループＢ１２２０、消去回数が
ｍ−１０００〜ｍ−１の物理ブロック１１１０群をまと
めて物理ブロックグループＣ１２３０、消去回数がｍ〜
ｍ＋９９９の物理ブロック１１１０群をまとめて物理ブ
ロックグループＤ１２４０、消去回数がｍ＋１０００〜
ｍ＋１９９９の物理ブロック１１１０群をまとめて物理
ブロックグループＥ１２５０、消去回数がｍ＋２０００
〜ｍ＋２９９９の物理ブロック１１１０群をまとめて物
理ブロックグループＦ１２６０、消去回数がｍ＋３００
０以上の物理ブロック１１１０群をまとめて物理ブロッ
クグループＧ１２７０としている。ｍの定義より、平均
の消去回数は物理ブロックグループＤ１２４０に含まれ
る。
２１０〜１２７０）の概念図である。横軸は物理ブロッ
ク１１１０の消去回数を示し、縦軸はグループに属する
物理ブロック１１１０の個数を示している。数値ｍは、
ｍ≦平均消去回数＜ｍ＋１０００を満たす１０００の倍
数であり、このｍを基準の消去回数として物理ブロック
１１１０のグループ分けを行なう。すなわち、消去回数
が０〜ｍ−２００１の物理ブロック１１１０群をまとめ
て物理ブロックグループＡ１２１０とし、消去回数がｍ
−２０００〜ｍ−１００１の物理ブロック１１１０群を
まとめて物理ブロックグループＢ１２２０、消去回数が
ｍ−１０００〜ｍ−１の物理ブロック１１１０群をまと
めて物理ブロックグループＣ１２３０、消去回数がｍ〜
ｍ＋９９９の物理ブロック１１１０群をまとめて物理ブ
ロックグループＤ１２４０、消去回数がｍ＋１０００〜
ｍ＋１９９９の物理ブロック１１１０群をまとめて物理
ブロックグループＥ１２５０、消去回数がｍ＋２０００
〜ｍ＋２９９９の物理ブロック１１１０群をまとめて物
理ブロックグループＦ１２６０、消去回数がｍ＋３００
０以上の物理ブロック１１１０群をまとめて物理ブロッ
クグループＧ１２７０としている。ｍの定義より、平均
の消去回数は物理ブロックグループＤ１２４０に含まれ
る。
【００２６】ところで、本実施例において、フラッシュ
メモリ１０６０の消去回数の限界を例えば１００万回と
する。このとき、物理ブロック１１１０の消去回数は０
〜９９９９９９回の値を取り得る。この、消去回数の範
囲を１０００回単位で分割したものを、消去回数グルー
プ１２８０とする。物理ブロックグループＢ１２２０〜
Ｆ１２６０にはそれぞれ一対一対応する連続した消去回
数グループ１２８０が存在する。そして、一つの消去回
数グループ１２８０に、一つの空き物理ブロック１１２
０を用意する。
メモリ１０６０の消去回数の限界を例えば１００万回と
する。このとき、物理ブロック１１１０の消去回数は０
〜９９９９９９回の値を取り得る。この、消去回数の範
囲を１０００回単位で分割したものを、消去回数グルー
プ１２８０とする。物理ブロックグループＢ１２２０〜
Ｆ１２６０にはそれぞれ一対一対応する連続した消去回
数グループ１２８０が存在する。そして、一つの消去回
数グループ１２８０に、一つの空き物理ブロック１１２
０を用意する。
【００２７】なお、本実施例では、物理ブロックグルー
プＢ１２２０〜Ｆ１２６０までの各グループ、及び消去
回数グループ１２８０の消去回数の範囲を一律１０００
回としたが、この値を変更しても本発明を適用可能であ
る。また、物理ブロックグループ１２００のグループ数
は必ずしもＡからＧの７個に限定するものではない。ま
た、消去回数グループ１２８０に対して、２個以上の空
き物理ブロック１１２０を割り当てるようにしてもよ
い。この場合、ホストコンピュータ１０１０から２ブロ
ック以上のサイズのライトがあったときに、用意した空
き物理ブロック１１２０の個数分は消去せずに続けてラ
イトすることができる。
プＢ１２２０〜Ｆ１２６０までの各グループ、及び消去
回数グループ１２８０の消去回数の範囲を一律１０００
回としたが、この値を変更しても本発明を適用可能であ
る。また、物理ブロックグループ１２００のグループ数
は必ずしもＡからＧの７個に限定するものではない。ま
た、消去回数グループ１２８０に対して、２個以上の空
き物理ブロック１１２０を割り当てるようにしてもよ
い。この場合、ホストコンピュータ１０１０から２ブロ
ック以上のサイズのライトがあったときに、用意した空
き物理ブロック１１２０の個数分は消去せずに続けてラ
イトすることができる。
【００２８】物理ブロック１１１０と同様に、各論理ブ
ロック１１００はライト回数で分類され、論理ブロック
グループを構成する。
ロック１１００はライト回数で分類され、論理ブロック
グループを構成する。
【００２９】図４は論理ブロックグループ１３００（１
３１０〜１３７０）の概念図である。横軸は論理ブロッ
ク１１００のライト回数を示し、縦軸はグループに属す
る論理ブロック１１００の個数を示している。数値ｎ
は、ｎ≦平均ライト回数＜ｎ＋１０００を満たす１００
０の倍数であり、このｎを基準のライト回数として、グ
ループ分けする。すなわち、ライト回数が０〜ｎ−２０
０１の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブロック
グループＡ１３１０とし、ライト回数がｎ−２０００〜
ｎ−１００１の論理ブロック１１００群をまとめて論理
ブロックグループＢ１３２０、ライト回数がｎ−１００
０〜ｎ−１の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブ
ロックグループＣ１３３０、ライト回数がｎ〜ｎ＋９９
９の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブロックグ
ループＤ１３４０、ライト回数がｎ＋１０００〜ｎ＋１
９９９の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブロッ
クグループＥ１３５０、ライト回数がｎ＋２０００〜ｎ
＋２９９９の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブ
ロックグループＦ１３６０、ライト回数がｎ＋３０００
以上の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブロック
グループＧ１３７０としている。ｎの定義より、平均の
ライト回数は論理ブロックグループＤ１３４０に含まれ
る。
３１０〜１３７０）の概念図である。横軸は論理ブロッ
ク１１００のライト回数を示し、縦軸はグループに属す
る論理ブロック１１００の個数を示している。数値ｎ
は、ｎ≦平均ライト回数＜ｎ＋１０００を満たす１００
０の倍数であり、このｎを基準のライト回数として、グ
ループ分けする。すなわち、ライト回数が０〜ｎ−２０
０１の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブロック
グループＡ１３１０とし、ライト回数がｎ−２０００〜
ｎ−１００１の論理ブロック１１００群をまとめて論理
ブロックグループＢ１３２０、ライト回数がｎ−１００
０〜ｎ−１の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブ
ロックグループＣ１３３０、ライト回数がｎ〜ｎ＋９９
９の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブロックグ
ループＤ１３４０、ライト回数がｎ＋１０００〜ｎ＋１
９９９の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブロッ
クグループＥ１３５０、ライト回数がｎ＋２０００〜ｎ
＋２９９９の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブ
ロックグループＦ１３６０、ライト回数がｎ＋３０００
以上の論理ブロック１１００群をまとめて論理ブロック
グループＧ１３７０としている。ｎの定義より、平均の
ライト回数は論理ブロックグループＤ１３４０に含まれ
る。
【００３０】本実施例では、論理ブロックグループＢ１
３２０〜Ｆ１２６０までの各グループのライト回数の範
囲を一律１０００回としたが、この値を変更しても本発
明を適用可能である。また、グループの数を変更しても
本発明を適用可能である。
３２０〜Ｆ１２６０までの各グループのライト回数の範
囲を一律１０００回としたが、この値を変更しても本発
明を適用可能である。また、グループの数を変更しても
本発明を適用可能である。
【００３１】図５は論理ブロック１１００と物理ブロッ
ク１１１０を対応させる論理ブロックテーブル１４００
を示す。論理ブロックテーブル１４００は各論理ブロッ
ク１１００毎にエントリを持つ。論理ブロックテーブル
エントリ１４１０は、対応する物理ブロック番号１４２
０、およびその論理ブロックへのライト回数１４３０の
情報を持つ。
ク１１１０を対応させる論理ブロックテーブル１４００
を示す。論理ブロックテーブル１４００は各論理ブロッ
ク１１００毎にエントリを持つ。論理ブロックテーブル
エントリ１４１０は、対応する物理ブロック番号１４２
０、およびその論理ブロックへのライト回数１４３０の
情報を持つ。
【００３２】図６は物理ブロックテーブル１５００であ
り、物理ブロック１１１０毎にエントリをもっている。
物理ブロックテーブルエントリ１５１０は、その物理ブ
ロックが空きかどうかを示す空きフラグ１５２０と、そ
の物理ブロックの消去回数１５３０と、後述するグルー
プキュー１８００の実体である前方ポインタ１５４０と
後方ポインタ１５５０からなる。本実施例においては簡
単のために、前方ポインタ１５４０や後方ポインタ１５
５０には、直接の物理ブロック１１１０へのポインタを
格納せず、物理ブロック番号を格納する。もちろん、直
接の物理ブロック１１１０へのポインタを格納してもよ
い。
り、物理ブロック１１１０毎にエントリをもっている。
物理ブロックテーブルエントリ１５１０は、その物理ブ
ロックが空きかどうかを示す空きフラグ１５２０と、そ
の物理ブロックの消去回数１５３０と、後述するグルー
プキュー１８００の実体である前方ポインタ１５４０と
後方ポインタ１５５０からなる。本実施例においては簡
単のために、前方ポインタ１５４０や後方ポインタ１５
５０には、直接の物理ブロック１１１０へのポインタを
格納せず、物理ブロック番号を格納する。もちろん、直
接の物理ブロック１１１０へのポインタを格納してもよ
い。
【００３３】論理ブロック１１００に対応する物理ブロ
ック１１１０は、前述のように物理ブロックグループ１
２００で分類されており、更に、対応する論理ブロック
１１００の論理ブロックグループ１３００毎に分けてキ
ュー管理する。このキューをグループキュー１８００と
呼ぶ。空き物理ブロック１１２０は各消去回数グループ
１２８０毎に１つずつ用意され、空き物理ブロックテー
ブル１６００で管理される。
ック１１１０は、前述のように物理ブロックグループ１
２００で分類されており、更に、対応する論理ブロック
１１００の論理ブロックグループ１３００毎に分けてキ
ュー管理する。このキューをグループキュー１８００と
呼ぶ。空き物理ブロック１１２０は各消去回数グループ
１２８０毎に１つずつ用意され、空き物理ブロックテー
ブル１６００で管理される。
【００３４】図７に、空き物理ブロックテーブル１６０
０、グループキュー１８００、及びそれを管理するグル
ープテーブル１６２０を示している。このグループテー
ブル１６２０を備えることにより、後述するように、特
に交換ライト処理におけるコピー元物理ブロック（およ
びライト対象物理ブロック）の検索を迅速に行なうこと
が可能となる。
０、グループキュー１８００、及びそれを管理するグル
ープテーブル１６２０を示している。このグループテー
ブル１６２０を備えることにより、後述するように、特
に交換ライト処理におけるコピー元物理ブロック（およ
びライト対象物理ブロック）の検索を迅速に行なうこと
が可能となる。
【００３５】空き物理ブロックテーブル１６００は、消
去回数グループ１２８０の個数分のエントリ１６１０を
持ち、その各エントリ１６１０にはその消去回数グルー
プ１２８０に属する空き物理ブロック１１２０の物理ブ
ロック番号が書かれている。（前にも述べたように、本
実施例においては、全ての消去回数グループ１２８０は
常に少なくとも一つの空き物理ブロックを持つ。）グル
ープキュー１８００の実体は物理ブロックテーブル１５
００にある前方ポインタ１５４０と後方ポインタ１５５
０であり、双方向連結リストを構成している。グループ
テーブル１６２０は物理ブロックグループ１２００毎に
エントリを持つ。各エントリは、論理ブロックグループ
Ａ１３１０に属する論理ブロック１１００に対応してい
る物理ブロック１１１０のキューエントリ１７１０、論
理ブロックグループＢ１３２０に属する論理ブロック１
１００に対応している物理ブロック１１１０のキューエ
ントリ１７２０、論理ブロックグループＣ１３３０に属
する論理ブロック１１００に対応している物理ブロック
１１１０のキューエントリ１７３０、論理ブロックグル
ープＤ１３４０に属する論理ブロック１１００に対応し
ている物理ブロック１１１０のキューエントリ１７４
０、論理ブロックグループＥ１３５０に属する論理ブロ
ック１１００に対応している物理ブロック１１１０のキ
ューエントリ１７５０、論理ブロックグループＦ１３６
０に属する論理ブロック１１００に対応している物理ブ
ロック１１１０のキューエントリ１７６０、論理ブロッ
クグループＧ１３７０に属する論理ブロック１１００に
対応している物理ブロック１１１０のキューエントリ１
７７０を持つ。各キューエントリにはキューの先頭位置
の物理ブロック番号が格納されている。（なお、図示の
都合上、参照番号１７２０〜１７６０は図示していな
い。） これらのテーブルは記憶装置システム１０００の使用時
にはＲＡＭ１０３０に置かれているが、ＲＡＭ１０３０
は電源オフにすると内容が消えてしまうため、システム
停止時に、図２６に示すように、フラッシュメモリ１０
６０上のテーブル格納領域１０６２に格納してテーブル
が消えないようにし、電源オン時にフラッシュメモリ１
０６０からＲＡＭ１０３０に読み出すようにする。
去回数グループ１２８０の個数分のエントリ１６１０を
持ち、その各エントリ１６１０にはその消去回数グルー
プ１２８０に属する空き物理ブロック１１２０の物理ブ
ロック番号が書かれている。（前にも述べたように、本
実施例においては、全ての消去回数グループ１２８０は
常に少なくとも一つの空き物理ブロックを持つ。）グル
ープキュー１８００の実体は物理ブロックテーブル１５
００にある前方ポインタ１５４０と後方ポインタ１５５
０であり、双方向連結リストを構成している。グループ
テーブル１６２０は物理ブロックグループ１２００毎に
エントリを持つ。各エントリは、論理ブロックグループ
Ａ１３１０に属する論理ブロック１１００に対応してい
る物理ブロック１１１０のキューエントリ１７１０、論
理ブロックグループＢ１３２０に属する論理ブロック１
１００に対応している物理ブロック１１１０のキューエ
ントリ１７２０、論理ブロックグループＣ１３３０に属
する論理ブロック１１００に対応している物理ブロック
１１１０のキューエントリ１７３０、論理ブロックグル
ープＤ１３４０に属する論理ブロック１１００に対応し
ている物理ブロック１１１０のキューエントリ１７４
０、論理ブロックグループＥ１３５０に属する論理ブロ
ック１１００に対応している物理ブロック１１１０のキ
ューエントリ１７５０、論理ブロックグループＦ１３６
０に属する論理ブロック１１００に対応している物理ブ
ロック１１１０のキューエントリ１７６０、論理ブロッ
クグループＧ１３７０に属する論理ブロック１１００に
対応している物理ブロック１１１０のキューエントリ１
７７０を持つ。各キューエントリにはキューの先頭位置
の物理ブロック番号が格納されている。（なお、図示の
都合上、参照番号１７２０〜１７６０は図示していな
い。） これらのテーブルは記憶装置システム１０００の使用時
にはＲＡＭ１０３０に置かれているが、ＲＡＭ１０３０
は電源オフにすると内容が消えてしまうため、システム
停止時に、図２６に示すように、フラッシュメモリ１０
６０上のテーブル格納領域１０６２に格納してテーブル
が消えないようにし、電源オン時にフラッシュメモリ１
０６０からＲＡＭ１０３０に読み出すようにする。
【００３６】次に、図８を用いて、本記憶装置システム
１０００におけるリード処理について説明する。
１０００におけるリード処理について説明する。
【００３７】まず、ステップ１９００において、ＣＰＵ
１０５０はリード要求のあった論理ブロック１１００に
対応する、リード対象の物理ブロック１１１０を、論理
ブロックテーブル１４００の対応するエントリを見るこ
とによって決定する。ついで、ステップ１９１０におい
て、ＣＰＵ１０５０はそのリード対象の物理ブロック１
１１０をＲＡＭ１０３０にリードする。最後に、ステッ
プ１９２０において、ホストインターフェース１０２０
はＲＡＭ１０３０上にリードしたデータをホストコンピ
ュータ１０１０に転送する。
１０５０はリード要求のあった論理ブロック１１００に
対応する、リード対象の物理ブロック１１１０を、論理
ブロックテーブル１４００の対応するエントリを見るこ
とによって決定する。ついで、ステップ１９１０におい
て、ＣＰＵ１０５０はそのリード対象の物理ブロック１
１１０をＲＡＭ１０３０にリードする。最後に、ステッ
プ１９２０において、ホストインターフェース１０２０
はＲＡＭ１０３０上にリードしたデータをホストコンピ
ュータ１０１０に転送する。
【００３８】ライト処理はかなり複雑であるため、ま
ず、図９と図１０を用いて、ライト処理の概念を説明す
る。
ず、図９と図１０を用いて、ライト処理の概念を説明す
る。
【００３９】フラッシュメモリ１０６０には消去回数に
制限があることと、消去にミリ秒オーダー、あるいはそ
れ以上の時間がかかるという欠点があり、本記憶装置シ
ステム１０００のライト処理ではこれらの欠点の克服を
目的とした処理を行っている。
制限があることと、消去にミリ秒オーダー、あるいはそ
れ以上の時間がかかるという欠点があり、本記憶装置シ
ステム１０００のライト処理ではこれらの欠点の克服を
目的とした処理を行っている。
【００４０】すなわち、本実施例におけるライト処理に
は、通常ライト処理と交換ライト処理の２種類がある。
「通常ライト処理」は文字通り、通常行われるライト処
理であり、消去時間の隠ぺいと、論理ブロック１１００
のライト回数と物理ブロック１１１０の消去回数のバラ
ンスを崩さないこととを目的としている。論理ブロック
１１００のライト回数と物理ブロック１１１０の消去回
数のバランスを崩さないこととは、具体的には、図９の
左側に示すように、ライトの対象となった論理ブロック
１１００に元々対応していた物理ブロック１１１０と同
一消去回数グループ１２８０（＝同一物理ブロックグル
ープ１３００）に属する空き物理ブロック２０１０を新
たに割り当て、そこにデータをライトすることにより、
ライトの前後で、論理ブロック１１００に対応する物理
ブロック１１１０の消去回数があまり変化しないように
することである。この意義については後述する。新たに
割り当てられた物理ブロック２０１０は、空き物理ブロ
ックテーブル１６００から除外されるとともに、新た
に、論理ブロックテーブル１４００に登録される。一
方、元々対応していた物理ブロック（旧物理ブロック２
０００）のデータは消去され、空き物理ブロックとして
空き物理ブロックテーブル１６００の該当するエントリ
に登録される。物理ブロックテーブル１５００の該当エ
ントリの内容も更新される。この通常ライト処理完了後
の論理−物理のブロック対応およびブロックグループ内
の様子は図９の右側に示すとおりとなる。
は、通常ライト処理と交換ライト処理の２種類がある。
「通常ライト処理」は文字通り、通常行われるライト処
理であり、消去時間の隠ぺいと、論理ブロック１１００
のライト回数と物理ブロック１１１０の消去回数のバラ
ンスを崩さないこととを目的としている。論理ブロック
１１００のライト回数と物理ブロック１１１０の消去回
数のバランスを崩さないこととは、具体的には、図９の
左側に示すように、ライトの対象となった論理ブロック
１１００に元々対応していた物理ブロック１１１０と同
一消去回数グループ１２８０（＝同一物理ブロックグル
ープ１３００）に属する空き物理ブロック２０１０を新
たに割り当て、そこにデータをライトすることにより、
ライトの前後で、論理ブロック１１００に対応する物理
ブロック１１１０の消去回数があまり変化しないように
することである。この意義については後述する。新たに
割り当てられた物理ブロック２０１０は、空き物理ブロ
ックテーブル１６００から除外されるとともに、新た
に、論理ブロックテーブル１４００に登録される。一
方、元々対応していた物理ブロック（旧物理ブロック２
０００）のデータは消去され、空き物理ブロックとして
空き物理ブロックテーブル１６００の該当するエントリ
に登録される。物理ブロックテーブル１５００の該当エ
ントリの内容も更新される。この通常ライト処理完了後
の論理−物理のブロック対応およびブロックグループ内
の様子は図９の右側に示すとおりとなる。
【００４１】ライト回数が多い論理ブロック１１００
は、今後、ライトが来る可能性が比較的高いと思われる
ため、「通常ライト処理」を行なって論理ブロック１１
００のライト回数と物理ブロック１１１０の消去回数の
バランスを崩さないようにしていると、次第に、消去回
数の多い物理ブロック１１１０と少ない物理ブロック１
１１０に分かれてくる。そこで、以下で説明する交換ラ
イト処理により、物理ブロック１１１０の消去回数の平
準化をする必要がある。
は、今後、ライトが来る可能性が比較的高いと思われる
ため、「通常ライト処理」を行なって論理ブロック１１
００のライト回数と物理ブロック１１１０の消去回数の
バランスを崩さないようにしていると、次第に、消去回
数の多い物理ブロック１１１０と少ない物理ブロック１
１１０に分かれてくる。そこで、以下で説明する交換ラ
イト処理により、物理ブロック１１１０の消去回数の平
準化をする必要がある。
【００４２】「交換ライト処理」は平均と較べて消去回
数が多い物理ブロック１１１０へライトが行われるとき
（かつ、後述する例では、ライト対象物理ブロックの消
去回数が１０００の倍数となるとき）に発生し、消去時
間の隠ぺいの他に、以下の２点を目的としている。
数が多い物理ブロック１１１０へライトが行われるとき
（かつ、後述する例では、ライト対象物理ブロックの消
去回数が１０００の倍数となるとき）に発生し、消去時
間の隠ぺいの他に、以下の２点を目的としている。
【００４３】（１）今後ライトが来る可能性の高い（ラ
イト回数が多い）論理ブロック１１００に消去回数の少
ない物理ブロック１１１０を割り当てる。
イト回数が多い）論理ブロック１１００に消去回数の少
ない物理ブロック１１１０を割り当てる。
【００４４】（２）今後ライトが来る可能性の低い（ラ
イト回数が少ない）論理ブロック１１００に消去回数の
多い物理ブロック１１１０を割り当てる。
イト回数が少ない）論理ブロック１１００に消去回数の
多い物理ブロック１１１０を割り当てる。
【００４５】交換ライト処理は、図１０の左側に示すよ
うに、消去回数の多い物理ブロック１１１０（旧物理ブ
ロック２０００）に対応しているライト回数の多い論理
ブロック１１００へライト要求が来たときに発生する。
このとき、ライト回数の少ない論理ブロック１１００に
対応している消去回数の少ない物理ブロック１１１０
（以下、コピー元物理ブロック２０２０）を探し、コピ
ー元物理ブロック２０２０と同一消去回数グループ１２
８０に属する空き物理ブロック１１２０をライト対象物
理ブロック２０１０としてここにライトデータを書き込
む。そして、コピー元物理ブロック２０２０に書かれて
いるデータを、旧物理ブロック２０００と同一消去回数
グループ１２８０に属する空き物理ブロック１１２０
（コピー対象物理ブロック２０３０）にコピーする。最
後にコピー元物理ブロック２０２０と旧物理ブロック２
０００を消去して、交換ライト処理は完了する。詳述し
ないが、これらの処理に伴い、各テーブルの内容が更新
される。交換ライト処理完了後の論理−物理のブロック
対応および各ブロックグループ内の様子は図１０の右側
に示すとおりとなる。
うに、消去回数の多い物理ブロック１１１０（旧物理ブ
ロック２０００）に対応しているライト回数の多い論理
ブロック１１００へライト要求が来たときに発生する。
このとき、ライト回数の少ない論理ブロック１１００に
対応している消去回数の少ない物理ブロック１１１０
（以下、コピー元物理ブロック２０２０）を探し、コピ
ー元物理ブロック２０２０と同一消去回数グループ１２
８０に属する空き物理ブロック１１２０をライト対象物
理ブロック２０１０としてここにライトデータを書き込
む。そして、コピー元物理ブロック２０２０に書かれて
いるデータを、旧物理ブロック２０００と同一消去回数
グループ１２８０に属する空き物理ブロック１１２０
（コピー対象物理ブロック２０３０）にコピーする。最
後にコピー元物理ブロック２０２０と旧物理ブロック２
０００を消去して、交換ライト処理は完了する。詳述し
ないが、これらの処理に伴い、各テーブルの内容が更新
される。交換ライト処理完了後の論理−物理のブロック
対応および各ブロックグループ内の様子は図１０の右側
に示すとおりとなる。
【００４６】このような交換ライト処理を行なうことに
より、ライト回数の多い論理ブロック１１００には消去
回数の少ない論理ブロック１１００が対応し、他方、ラ
イト回数の少ない論理ブロック１１００には消去回数の
多い論理ブロック１１００が対応することになる。した
がって、交換ライト処理により、極端に消去回数の多い
物理ブロック１１１０や消去回数の少ない物理ブロック
１１１０を無くし、物理ブロックの消去回数の平準化を
行なうことができる。
より、ライト回数の多い論理ブロック１１００には消去
回数の少ない論理ブロック１１００が対応し、他方、ラ
イト回数の少ない論理ブロック１１００には消去回数の
多い論理ブロック１１００が対応することになる。した
がって、交換ライト処理により、極端に消去回数の多い
物理ブロック１１１０や消去回数の少ない物理ブロック
１１１０を無くし、物理ブロックの消去回数の平準化を
行なうことができる。
【００４７】次に、図１１〜図１７を用いて具体的にラ
イト処理について説明する。
イト処理について説明する。
【００４８】図１１はライト処理のメインフローチャー
トである。
トである。
【００４９】まず、ステップ２１００でホストインター
フェース１０２０はホストコンピュータ１０１０からの
ライトデータをＲＡＭ１０３０に格納する。後述する物
理ブロックグループ構成変更処理を行う（ステップ２１
１０）。後述する論理ブロックグループ構成変更処理を
行う（ステップ２１２０）。ＣＰＵ１０５０は、論理ブ
ロックテーブル１４００を調べ、ライト対象の論理ブロ
ック１１００に対応する物理ブロック１１１０を見つけ
て、それを旧物理ブロック２０００とする（ステップ２
１３０）。後述する論理ブロックグループ移動処理を行
う（ステップ２１４０）。後述する物理ブロックグルー
プ移動処理を行う（ステップ２１５０）。旧物理ブロッ
ク２０００と同一消去回数グループ１２８０に属する空
き物理ブロック１１２０をライト対象物理ブロック２０
１０とする（ステップ２１６０）。ステップ２１７０で
ＣＰＵ１０５０は、物理ブロックテーブル１５００の消
去回数１５３０の項を調べて、ライト対象物理ブロック
２０１０が物理ブロックグループＦ１２６０かＧ１２７
０に含まれているかどうかを判定し、含まれていない場
合には、ステップ２２００において、後述する通常ライ
ト処理を行う。含まれている場合には、更にＣＰＵ１０
５０はステップ２１８０において、ライト対象物理ブロ
ック２０１０の消去回数が１０００の倍数かどうかを判
定する。１０００の倍数であった場合には、ステップ２
１９０において、後述する交換ライト処理を行い、１０
００の倍数でなかった場合にはステップ２２００で通常
ライト処理を行う。
フェース１０２０はホストコンピュータ１０１０からの
ライトデータをＲＡＭ１０３０に格納する。後述する物
理ブロックグループ構成変更処理を行う（ステップ２１
１０）。後述する論理ブロックグループ構成変更処理を
行う（ステップ２１２０）。ＣＰＵ１０５０は、論理ブ
ロックテーブル１４００を調べ、ライト対象の論理ブロ
ック１１００に対応する物理ブロック１１１０を見つけ
て、それを旧物理ブロック２０００とする（ステップ２
１３０）。後述する論理ブロックグループ移動処理を行
う（ステップ２１４０）。後述する物理ブロックグルー
プ移動処理を行う（ステップ２１５０）。旧物理ブロッ
ク２０００と同一消去回数グループ１２８０に属する空
き物理ブロック１１２０をライト対象物理ブロック２０
１０とする（ステップ２１６０）。ステップ２１７０で
ＣＰＵ１０５０は、物理ブロックテーブル１５００の消
去回数１５３０の項を調べて、ライト対象物理ブロック
２０１０が物理ブロックグループＦ１２６０かＧ１２７
０に含まれているかどうかを判定し、含まれていない場
合には、ステップ２２００において、後述する通常ライ
ト処理を行う。含まれている場合には、更にＣＰＵ１０
５０はステップ２１８０において、ライト対象物理ブロ
ック２０１０の消去回数が１０００の倍数かどうかを判
定する。１０００の倍数であった場合には、ステップ２
１９０において、後述する交換ライト処理を行い、１０
００の倍数でなかった場合にはステップ２２００で通常
ライト処理を行う。
【００５０】なお、ステップ２１８０において、本実施
例では値１０００を用いたが、本発明はこの値に限定さ
れるものではない。
例では値１０００を用いたが、本発明はこの値に限定さ
れるものではない。
【００５１】次に、物理ブロックグループ構成変更処理
について説明する。
について説明する。
【００５２】物理ブロック１１１０の平均の消去回数は
必ず物理ブロックグループＤ１２４０に属するように物
理ブロックグループ１２００を定義しているため、平均
の消去回数が増加して物理ブロックグループＥ１２５０
に属するようになったとき、物理ブロックグループ１２
００の構成を見直し、そのとき物理ブロックグループＥ
１２５０だった物理ブロック１１１０を物理ブロックグ
ループＤ１２４０にする必要がある。同様に、物理ブロ
ックグループＡ１２１０と物理ブロックグループＢ１２
２０は物理ブロックグループＡに、物理ブロックグルー
プＣ１２３０は物理ブロックグループＢ１２２０に、物
理ブロックグループＤ１２４０は物理ブロックグループ
Ｃ１２３０に、物理ブロックグループＦ１２６０は物理
ブロックグループＥ１２５０に移動する。また、物理ブ
ロックグループＧ１２７０は消去回数によって、物理ブ
ロックグループＦ１２６０と物理ブロックグループＧ１
２７０に分割する。
必ず物理ブロックグループＤ１２４０に属するように物
理ブロックグループ１２００を定義しているため、平均
の消去回数が増加して物理ブロックグループＥ１２５０
に属するようになったとき、物理ブロックグループ１２
００の構成を見直し、そのとき物理ブロックグループＥ
１２５０だった物理ブロック１１１０を物理ブロックグ
ループＤ１２４０にする必要がある。同様に、物理ブロ
ックグループＡ１２１０と物理ブロックグループＢ１２
２０は物理ブロックグループＡに、物理ブロックグルー
プＣ１２３０は物理ブロックグループＢ１２２０に、物
理ブロックグループＤ１２４０は物理ブロックグループ
Ｃ１２３０に、物理ブロックグループＦ１２６０は物理
ブロックグループＥ１２５０に移動する。また、物理ブ
ロックグループＧ１２７０は消去回数によって、物理ブ
ロックグループＦ１２６０と物理ブロックグループＧ１
２７０に分割する。
【００５３】図１２はこのような物理ブロックグループ
構成変更処理のフローチャートを示す。これは、ライト
処理の一部（図１１のステップ２１１０）として行われ
る。
構成変更処理のフローチャートを示す。これは、ライト
処理の一部（図１１のステップ２１１０）として行われ
る。
【００５４】まず、ステップ２３００において、全消去
回数に１を加え、平均の消去回数を算出する。次に、ス
テップ２３１０において、平均の消去回数（図３参照）
が物理ブロックグループＤ１２４０の範囲を越えたかど
うかを判定し、越えていなければそのまま図１２の処理
から抜ける。越えていれば、ステップ２３２０におい
て、グループテーブル１６２０を書き直し、物理ブロッ
クグループＢ１２２０に属する物理ブロック１１１０が
全て物理ブロックグループＡ１２１０に属するように、
グループキュー１８００をつなぎかえる。このとき、物
理ブロック１１１０に対応する論理ブロック１１００の
ライト回数を考慮して、対応する論理ブロックグループ
１３００や空き物理ブロック１１２０のグループキュー
１８００につなぐ必要がある。同様に、物理ブロックグ
ループＣ１２３０に属する物理ブロック１１１０を物理
ブロックグループＢ１２２０に属するように、物理ブロ
ックグループＤ１２４０に属する物理ブロック１１１０
を物理ブロックグループＣ１２３０に属するように、物
理ブロックグループＥ１２５０に属する物理ブロック１
１１０を物理ブロックグループＤ１２４０に属するよう
に、物理ブロックグループＦ１２６０に属する物理ブロ
ック１１１０を物理ブロックグループＥ１２５０に属す
るように、それぞれ、グループキュー１８００をつなぎ
かえる（ステップ２３３０）。物理ブロックグループＧ
１２７０については、このグループに属する物理ブロッ
ク１１１０のうち、ｍ≦平均消去回数＜ｍ＋１０００か
つ、ｍは１０００の倍数を満たすｍを基準の消去回数と
して、消去回数がｍ＋２０００〜ｍ＋２９９９の物理ブ
ロック１１１０を物理ブロックグループＦ１２６０に属
するように、グループキュー１８００をつなぎかえる
（ステップ２３４０）。すなわち、物理ブロックグルー
プＧの物理ブロックをその消去回数に応じて、物理ブロ
ックグループＦとＧの２つのグループに分ける。
回数に１を加え、平均の消去回数を算出する。次に、ス
テップ２３１０において、平均の消去回数（図３参照）
が物理ブロックグループＤ１２４０の範囲を越えたかど
うかを判定し、越えていなければそのまま図１２の処理
から抜ける。越えていれば、ステップ２３２０におい
て、グループテーブル１６２０を書き直し、物理ブロッ
クグループＢ１２２０に属する物理ブロック１１１０が
全て物理ブロックグループＡ１２１０に属するように、
グループキュー１８００をつなぎかえる。このとき、物
理ブロック１１１０に対応する論理ブロック１１００の
ライト回数を考慮して、対応する論理ブロックグループ
１３００や空き物理ブロック１１２０のグループキュー
１８００につなぐ必要がある。同様に、物理ブロックグ
ループＣ１２３０に属する物理ブロック１１１０を物理
ブロックグループＢ１２２０に属するように、物理ブロ
ックグループＤ１２４０に属する物理ブロック１１１０
を物理ブロックグループＣ１２３０に属するように、物
理ブロックグループＥ１２５０に属する物理ブロック１
１１０を物理ブロックグループＤ１２４０に属するよう
に、物理ブロックグループＦ１２６０に属する物理ブロ
ック１１１０を物理ブロックグループＥ１２５０に属す
るように、それぞれ、グループキュー１８００をつなぎ
かえる（ステップ２３３０）。物理ブロックグループＧ
１２７０については、このグループに属する物理ブロッ
ク１１１０のうち、ｍ≦平均消去回数＜ｍ＋１０００か
つ、ｍは１０００の倍数を満たすｍを基準の消去回数と
して、消去回数がｍ＋２０００〜ｍ＋２９９９の物理ブ
ロック１１１０を物理ブロックグループＦ１２６０に属
するように、グループキュー１８００をつなぎかえる
（ステップ２３４０）。すなわち、物理ブロックグルー
プＧの物理ブロックをその消去回数に応じて、物理ブロ
ックグループＦとＧの２つのグループに分ける。
【００５５】次に、論理ブロックグループ構成変更処理
について説明する。論理ブロック１１００の平均のライ
ト回数は必ず論理ブロックグループＤ１３４０に属する
ように定義しているため、平均のライト回数が増加して
論理ブロックグループＥ１３５０に属するようになった
とき、論理ブロックグループ１３００の構成を見直し、
そのとき論理ブロックグループＥ１３５０だった論理ブ
ロック１１００を論理ブロックグループＤ１３４０にす
る必要がある。同様に、論理ブロックグループＡ１３１
０と論理ブロックグループＢ１３２０は論理ブロックグ
ループＡ１３１０に、論理ブロックグループＣ１３３０
は論理ブロックグループＢ１３２０に、論理ブロックグ
ループＤ１３４０は論理ブロックグループＣ１３３０
に、論理ブロックグループＦ１３６０は論理ブロックグ
ループＥ１３５０に移動する。また、論理ブロックグル
ープＧ１３７０ライト回数によって、論理ブロックグル
ープＦ１３６０と論理ブロックグループＧ１３７０に分
割する。
について説明する。論理ブロック１１００の平均のライ
ト回数は必ず論理ブロックグループＤ１３４０に属する
ように定義しているため、平均のライト回数が増加して
論理ブロックグループＥ１３５０に属するようになった
とき、論理ブロックグループ１３００の構成を見直し、
そのとき論理ブロックグループＥ１３５０だった論理ブ
ロック１１００を論理ブロックグループＤ１３４０にす
る必要がある。同様に、論理ブロックグループＡ１３１
０と論理ブロックグループＢ１３２０は論理ブロックグ
ループＡ１３１０に、論理ブロックグループＣ１３３０
は論理ブロックグループＢ１３２０に、論理ブロックグ
ループＤ１３４０は論理ブロックグループＣ１３３０
に、論理ブロックグループＦ１３６０は論理ブロックグ
ループＥ１３５０に移動する。また、論理ブロックグル
ープＧ１３７０ライト回数によって、論理ブロックグル
ープＦ１３６０と論理ブロックグループＧ１３７０に分
割する。
【００５６】図１３は、このような論理ブロックグルー
プ構成変更処理のフローチャートを示す。これは、ライ
ト処理の一部（図１１のステップ２１１０）として行わ
れる。
プ構成変更処理のフローチャートを示す。これは、ライ
ト処理の一部（図１１のステップ２１１０）として行わ
れる。
【００５７】まず、ステップ２４００において、全ライ
ト回数に１を加え、平均のライト回数を算出する。次
に、ステップ２４１０において、平均のライト回数が論
理ブロックグループＤ１３４０の範囲を越えたかどうか
を判定し、越えていなければそのまま抜ける。越えてい
れば、ステップ２４２０において、グループテーブル１
６２０を書き直し、論理ブロックグループＢ１３２０に
属する論理ブロック１１００が全て論理ブロックグルー
プＡ１３１０に属するように、グループキュー１８００
をつなぎかえる。このとき、論理ブロック１１００に対
応する物理ブロック１１１０の消去回数を考慮して、対
応する物理ブロックグループ１２００のグループキュー
１８００につなぐ必要がある。同様に、論理ブロックグ
ループＣ１３３０に属する論理ブロック１１００を論理
ブロックグループＢ１３２０に属するように、論理ブロ
ックグループＤ１３４０に属する論理ブロック１１００
を論理ブロックグループＣ１３３０に属するように、論
理ブロックグループＥ１３５０に属する論理ブロック１
１００を論理ブロックグループＤ１３４０に属するよう
に、論理ブロックグループＦ１３６０に属する論理ブロ
ック１１００を論理ブロックグループＥ１３５０に属す
るように、グループキュー１８００をつなぎかえる（ス
テップ２４３０）。
ト回数に１を加え、平均のライト回数を算出する。次
に、ステップ２４１０において、平均のライト回数が論
理ブロックグループＤ１３４０の範囲を越えたかどうか
を判定し、越えていなければそのまま抜ける。越えてい
れば、ステップ２４２０において、グループテーブル１
６２０を書き直し、論理ブロックグループＢ１３２０に
属する論理ブロック１１００が全て論理ブロックグルー
プＡ１３１０に属するように、グループキュー１８００
をつなぎかえる。このとき、論理ブロック１１００に対
応する物理ブロック１１１０の消去回数を考慮して、対
応する物理ブロックグループ１２００のグループキュー
１８００につなぐ必要がある。同様に、論理ブロックグ
ループＣ１３３０に属する論理ブロック１１００を論理
ブロックグループＢ１３２０に属するように、論理ブロ
ックグループＤ１３４０に属する論理ブロック１１００
を論理ブロックグループＣ１３３０に属するように、論
理ブロックグループＥ１３５０に属する論理ブロック１
１００を論理ブロックグループＤ１３４０に属するよう
に、論理ブロックグループＦ１３６０に属する論理ブロ
ック１１００を論理ブロックグループＥ１３５０に属す
るように、グループキュー１８００をつなぎかえる（ス
テップ２４３０）。
【００５８】論理ブロックグループＧ１３７０について
は、このグループに属する論理ブロック１１００のう
ち、ｎ≦平均ライト回数＜ｎ＋１０００かつ、ｎは１０
００の倍数を満たすｎを基準のライト回数として、ライ
ト回数がｎ＋２０００〜ｎ＋２９９９の論理ブロック１
１００を論理ブロックグループＦに属するように、グル
ープキュー１８００をつなぎかえる（ステップ２４４
０）。
は、このグループに属する論理ブロック１１００のう
ち、ｎ≦平均ライト回数＜ｎ＋１０００かつ、ｎは１０
００の倍数を満たすｎを基準のライト回数として、ライ
ト回数がｎ＋２０００〜ｎ＋２９９９の論理ブロック１
１００を論理ブロックグループＦに属するように、グル
ープキュー１８００をつなぎかえる（ステップ２４４
０）。
【００５９】次に、図１４を用いて論理ブロックグルー
プ移動処理について説明する。これはライト処理の一部
（図１１のステップ２１４０）として行われる。
プ移動処理について説明する。これはライト処理の一部
（図１１のステップ２１４０）として行われる。
【００６０】まず、ステップ２５００において、ライト
対象論理ブロック１１００のライト回数に１を加える。
次に、ステップ２５１０において、ライト対象論理ブロ
ック１１００のライト回数がそれまで属していた論理ブ
ロックグループ１３００の範囲を超え、論理ブロックグ
ループ１３００間移動が必要であるかどうかを判定す
る。必要なければそのまま終了する。移動の必要があれ
ば、ステップ２５２０において、ライトのあった論理ブ
ロック１１００に対応していた旧物理ブロック２０００
をグループキュー１８００から外す。ステップ２５３０
において、旧物理ブロック２０００を同一物理ブロック
グループ１２００内の移動先論理ブロックグループ１３
００のグループキュー１８００につなぐ。
対象論理ブロック１１００のライト回数に１を加える。
次に、ステップ２５１０において、ライト対象論理ブロ
ック１１００のライト回数がそれまで属していた論理ブ
ロックグループ１３００の範囲を超え、論理ブロックグ
ループ１３００間移動が必要であるかどうかを判定す
る。必要なければそのまま終了する。移動の必要があれ
ば、ステップ２５２０において、ライトのあった論理ブ
ロック１１００に対応していた旧物理ブロック２０００
をグループキュー１８００から外す。ステップ２５３０
において、旧物理ブロック２０００を同一物理ブロック
グループ１２００内の移動先論理ブロックグループ１３
００のグループキュー１８００につなぐ。
【００６１】次に、図１５を用いて物理ブロックグルー
プ移動処理について説明する。これはライト処理の一部
（図１１のステップ２１５０）として行われる。
プ移動処理について説明する。これはライト処理の一部
（図１１のステップ２１５０）として行われる。
【００６２】まず、ステップ２６００において、ライト
対象論理ブロック１１００に対応している旧物理ブロッ
ク２０００の消去回数に１を加える。次に、ステップ２
６１０において、旧物理ブロック２０００の消去回数が
それまで属していた物理ブロックグループ１２００の範
囲を超え、物理ブロックグループ１２００間移動が必要
であるかどうかを判定する。必要なければそのまま終了
する。移動の必要があれば、ステップ２６２０におい
て、旧物理ブロック２０００をグループキュー１８００
から外す。ステップ２６３０において、旧物理ブロック
２０００を同一論理ブロックグループ１３００内の移動
先物理ブロックグループ１２００のグループキュー１８
００につなぐ。
対象論理ブロック１１００に対応している旧物理ブロッ
ク２０００の消去回数に１を加える。次に、ステップ２
６１０において、旧物理ブロック２０００の消去回数が
それまで属していた物理ブロックグループ１２００の範
囲を超え、物理ブロックグループ１２００間移動が必要
であるかどうかを判定する。必要なければそのまま終了
する。移動の必要があれば、ステップ２６２０におい
て、旧物理ブロック２０００をグループキュー１８００
から外す。ステップ２６３０において、旧物理ブロック
２０００を同一論理ブロックグループ１３００内の移動
先物理ブロックグループ１２００のグループキュー１８
００につなぐ。
【００６３】図１６は通常ライト処理のフローチャート
である。これは図１１のステップ２２００に対応する。
である。これは図１１のステップ２２００に対応する。
【００６４】まず、ステップ２７００において、ＲＡＭ
１０３０上のライトデータをライト対象物理ブロック２
０１０にライトする。次に、ライト対象物理ブロック２
０１０をグループキュー１８００から外し（ステップ２
７１０）、空き物理ブロックテーブル１６００の、ライ
ト対象物理ブロック２０１０の属する消去回数グループ
１２８０のエントリをクリアする（ステップ２７２
０）。そして、旧物理ブロック２０００をグループキュ
ー１８００から外す（ステップ２７３０）。ここで、ホ
ストコンピュータ１０１０にコマンド完了を報告し（ス
テップ２７４０）、あとはバックグラウンドで行う。旧
物理ブロック２０００を消去する（ステップ２７５
０）。空き物理ブロックテーブル１６００の、ステップ
２７２０でクリアしたエントリに、旧物理ブロック２０
００の番号をセットする（ステップ２７６０）。
１０３０上のライトデータをライト対象物理ブロック２
０１０にライトする。次に、ライト対象物理ブロック２
０１０をグループキュー１８００から外し（ステップ２
７１０）、空き物理ブロックテーブル１６００の、ライ
ト対象物理ブロック２０１０の属する消去回数グループ
１２８０のエントリをクリアする（ステップ２７２
０）。そして、旧物理ブロック２０００をグループキュ
ー１８００から外す（ステップ２７３０）。ここで、ホ
ストコンピュータ１０１０にコマンド完了を報告し（ス
テップ２７４０）、あとはバックグラウンドで行う。旧
物理ブロック２０００を消去する（ステップ２７５
０）。空き物理ブロックテーブル１６００の、ステップ
２７２０でクリアしたエントリに、旧物理ブロック２０
００の番号をセットする（ステップ２７６０）。
【００６５】図１７は交換ライト処理のフローチャート
である。これは図１１のステップ２１９０に対応する。
である。これは図１１のステップ２１９０に対応する。
【００６６】まず、ステップ２８１０において、グルー
プテーブル１６２０（図７）を見て、ライト回数の少な
い論理ブロック１１００に対応している消去回数の少な
い物理ブロック１１１０を探し、これをコピー元物理ブ
ロック２０２０とする。このコピー元物理ブロック２０
２０を見つける具体的な方法は、以下の通りである。
プテーブル１６２０（図７）を見て、ライト回数の少な
い論理ブロック１１００に対応している消去回数の少な
い物理ブロック１１１０を探し、これをコピー元物理ブ
ロック２０２０とする。このコピー元物理ブロック２０
２０を見つける具体的な方法は、以下の通りである。
【００６７】（１）グループテーブルの物理ブロックグ
ループＡのグループエントリの論理ブロックグループＡ
のグループキューから、論理ブロックグループＢ→Ｃ→
Ｄのグループキュー１８００を順番に探し、最初に見つ
かった物理ブロック１１１０とそれに対応している論理
ブロック１１００を選択する。なければ、（２）を行な
う。
ループＡのグループエントリの論理ブロックグループＡ
のグループキューから、論理ブロックグループＢ→Ｃ→
Ｄのグループキュー１８００を順番に探し、最初に見つ
かった物理ブロック１１１０とそれに対応している論理
ブロック１１００を選択する。なければ、（２）を行な
う。
【００６８】（２）グループテーブルの物理ブロックグ
ループＢのグループエントリの論理ブロックグループＡ
のグループキューから、論理ブロックグループＢ→Ｃ→
Ｄのグループキュー１８００を順番に探し、最初に見つ
かった物理ブロック１１１０とそれに対応している論理
ブロック１１００を選択する。なければ、（３）を行な
う。
ループＢのグループエントリの論理ブロックグループＡ
のグループキューから、論理ブロックグループＢ→Ｃ→
Ｄのグループキュー１８００を順番に探し、最初に見つ
かった物理ブロック１１１０とそれに対応している論理
ブロック１１００を選択する。なければ、（３）を行な
う。
【００６９】（３）グループテーブルの物理ブロックグ
ループＣのグループエントリの論理ブロックグループＡ
のグループキューから、論理ブロックグループＢ→Ｃ→
Ｄのグループキュー１８００を順番に探し、最初に見つ
かった物理ブロック１１１０とそれに対応している論理
ブロック１１００を選択する。なければ、（４）を行な
う。
ループＣのグループエントリの論理ブロックグループＡ
のグループキューから、論理ブロックグループＢ→Ｃ→
Ｄのグループキュー１８００を順番に探し、最初に見つ
かった物理ブロック１１１０とそれに対応している論理
ブロック１１００を選択する。なければ、（４）を行な
う。
【００７０】（４）グループテーブルの物理ブロックグ
ループＤのグループエントリの論理ブロックグループＡ
のグループキューから、論理ブロックグループＢ→Ｃ→
Ｄのグループキュー１８００を順番に探し、最初に見つ
かった物理ブロック１１１０とそれに対応している論理
ブロック１１００を選択する。
ループＤのグループエントリの論理ブロックグループＡ
のグループキューから、論理ブロックグループＢ→Ｃ→
Ｄのグループキュー１８００を順番に探し、最初に見つ
かった物理ブロック１１１０とそれに対応している論理
ブロック１１００を選択する。
【００７１】コピー元物理ブロック２０２０の消去回数
と、全体の消去回数に１を加える（ステップ２８２
０）。
と、全体の消去回数に１を加える（ステップ２８２
０）。
【００７２】次に、コピー元物理ブロック２０２０の物
理ブロックグループ１２００間の移動が必要であるかど
うかを判定し（ステップ２８３０）、移動が必要であれ
ば、コピー元物理ブロック２０２０をグループキュー１
８００から外して（ステップ２８４０）、同一論理ブロ
ックグループ１３００かつ、移動先の物理ブロックグル
ープ１２００のグループキュー１８００につなぐ（ステ
ップ２８５０）。移動が必要でなければ、これら２つの
ステップの処理は行なわない。
理ブロックグループ１２００間の移動が必要であるかど
うかを判定し（ステップ２８３０）、移動が必要であれ
ば、コピー元物理ブロック２０２０をグループキュー１
８００から外して（ステップ２８４０）、同一論理ブロ
ックグループ１３００かつ、移動先の物理ブロックグル
ープ１２００のグループキュー１８００につなぐ（ステ
ップ２８５０）。移動が必要でなければ、これら２つの
ステップの処理は行なわない。
【００７３】次にステップ２８６０において、ライト対
象物理ブロック２０１０となっている物理ブロック１１
１０をコピー先物理ブロック１１１０とする。コピー元
物理ブロックと同一消去回数グループ１２８０の空き物
理ブロックを新たにライト対象物理ブロック２０１０と
する（ステップ２８７０）。ＲＡＭ上のライトデータを
ライト対象物理ブロック２０１０にライトする（ステッ
プ２８８０）。空き物理ブロックテーブル１６００の、
ライト対象物理ブロック２０１０の属する消去回数グル
ープ１２８０のエントリをクリアする（ステップ２８９
０）。ステップ２９００において、ライト対象物理ブロ
ック２０１０を正しいグループキュー１８００につな
ぐ。正しいとは、その物理ブロック１１１０が含まれる
論理ブロックグループ１３００と物理ブロックグループ
１２００に対応する、という意味である。
象物理ブロック２０１０となっている物理ブロック１１
１０をコピー先物理ブロック１１１０とする。コピー元
物理ブロックと同一消去回数グループ１２８０の空き物
理ブロックを新たにライト対象物理ブロック２０１０と
する（ステップ２８７０）。ＲＡＭ上のライトデータを
ライト対象物理ブロック２０１０にライトする（ステッ
プ２８８０）。空き物理ブロックテーブル１６００の、
ライト対象物理ブロック２０１０の属する消去回数グル
ープ１２８０のエントリをクリアする（ステップ２８９
０）。ステップ２９００において、ライト対象物理ブロ
ック２０１０を正しいグループキュー１８００につな
ぐ。正しいとは、その物理ブロック１１１０が含まれる
論理ブロックグループ１３００と物理ブロックグループ
１２００に対応する、という意味である。
【００７４】ここで、ホストインターフェース１０２０
はホストコンピュータ１０１０にコマンド完了を報告し
（ステップ２９１０）、あとはバックグラウンドで行
う。
はホストコンピュータ１０１０にコマンド完了を報告し
（ステップ２９１０）、あとはバックグラウンドで行
う。
【００７５】ステップ２９２０において、コピー元物理
ブロック２０２０のデータを一旦ＲＡＭ１０３０上に読
みだし、コピー先物理ブロック２０３０にライトする。
空き物理ブロックテーブル１６００の、コピー先物理ブ
ロック２０３０の属する消去回数グループ１２８０のエ
ントリをクリアする（ステップ２９３０）。ステップ２
９４０において、コピー先物理ブロック２０３０を正し
いグループキュー１８００につなぐ。コピー元物理ブロ
ックを消去し（ステップ２９５０）、コピー元物理ブロ
ック２０２０の物理ブロック番号を、空き物理ブロック
テーブル１６００の、コピー元物理ブロック２０２０の
含まれる消去回数グループ１２８０のエントリにセット
する（ステップ２９６０）。旧物理ブロック２０００を
消去し（ステップ２９７０）、旧物理ブロック２０００
の物理ブロック番号を、空き物理ブロックテーブル１６
００の、旧物理ブロック２０００の含まれる消去回数グ
ループ１２８０のエントリにセットする（ステップ２９
８０）。
ブロック２０２０のデータを一旦ＲＡＭ１０３０上に読
みだし、コピー先物理ブロック２０３０にライトする。
空き物理ブロックテーブル１６００の、コピー先物理ブ
ロック２０３０の属する消去回数グループ１２８０のエ
ントリをクリアする（ステップ２９３０）。ステップ２
９４０において、コピー先物理ブロック２０３０を正し
いグループキュー１８００につなぐ。コピー元物理ブロ
ックを消去し（ステップ２９５０）、コピー元物理ブロ
ック２０２０の物理ブロック番号を、空き物理ブロック
テーブル１６００の、コピー元物理ブロック２０２０の
含まれる消去回数グループ１２８０のエントリにセット
する（ステップ２９６０）。旧物理ブロック２０００を
消去し（ステップ２９７０）、旧物理ブロック２０００
の物理ブロック番号を、空き物理ブロックテーブル１６
００の、旧物理ブロック２０００の含まれる消去回数グ
ループ１２８０のエントリにセットする（ステップ２９
８０）。
【００７６】本実施例では、論理ブロック１１００のラ
イト回数を管理情報として用いたが、その代わりとし
て、論理ブロック１１００のライト頻度（ライト回数の
時間微分）を用いてもよい。ライト頻度はトータルのラ
イト回数と同様に、ライトがあるたびに＋１されるカウ
ンタであるが、定期的（例えば、３日に一度）に０クリ
アさるため、最近のライト回数、つまりライト頻度を表
わす。
イト回数を管理情報として用いたが、その代わりとし
て、論理ブロック１１００のライト頻度（ライト回数の
時間微分）を用いてもよい。ライト頻度はトータルのラ
イト回数と同様に、ライトがあるたびに＋１されるカウ
ンタであるが、定期的（例えば、３日に一度）に０クリ
アさるため、最近のライト回数、つまりライト頻度を表
わす。
【００７７】本実施例では、一つの消去回数グループに
つき、一つの空き物理ブロック１１２０を用意したた
め、論理ブロック１１００の２個以上のサイズのライト
が来て、それが同じ物理ブロックグループ１２００に属
する物理ブロック１１１０に対応していた場合、２個目
以降の物理ブロック１１１０へのライトは消去時間が隠
蔽できないことになるが、一つの消去回数グループにつ
き、２個以上の空き物理ブロック１１２０を用意する
と、上記のような場合にも、ライトをまとめて行ない、
ホストコンピュータ１０１０にライト完了を報告し、ま
とめて消去するようにすれば、消去時間を隠蔽すること
が可能である。
つき、一つの空き物理ブロック１１２０を用意したた
め、論理ブロック１１００の２個以上のサイズのライト
が来て、それが同じ物理ブロックグループ１２００に属
する物理ブロック１１１０に対応していた場合、２個目
以降の物理ブロック１１１０へのライトは消去時間が隠
蔽できないことになるが、一つの消去回数グループにつ
き、２個以上の空き物理ブロック１１２０を用意する
と、上記のような場合にも、ライトをまとめて行ない、
ホストコンピュータ１０１０にライト完了を報告し、ま
とめて消去するようにすれば、消去時間を隠蔽すること
が可能である。
【００７８】次に、本発明の第２の実施例として、圧縮
機能を持つ、フラッシュメモリを用いた記憶装置システ
ム１００１について説明する。
機能を持つ、フラッシュメモリを用いた記憶装置システ
ム１００１について説明する。
【００７９】図１８は本実施例に係る記憶装置システム
１００１である。記憶装置システム１００１の構成は、
記憶装置システム１０００に圧縮伸長装置１０７０を付
加したものである。
１００１である。記憶装置システム１００１の構成は、
記憶装置システム１０００に圧縮伸長装置１０７０を付
加したものである。
【００８０】本実施例においては、論理ブロック１１０
０は圧縮の程度に応じて、１個〜８個の物理ブロック１
１１０に対応するものとする。論理ブロック１１００は
物理ブロック１１１０の８個分の大きさであり、全く圧
縮できない論理ブロック１１００のデータを格納するの
に、８個の物理ブロック１１１０を必要とする。本実施
例では、圧縮を考慮して、実際の物理空間の２倍の論理
空間をホストコンピュータ１０１０からアクセスできる
ようにする。つまり、トータルの論理ブロック１１００
サイズはトータルの物理ブロック１１１０サイズの２倍
である。また、論理ブロック１１００に対応する物理ブ
ロック１１１０の個数が圧縮率に応じて変化するため
に、第１の実施例のように、消去回数グループ１２８０
毎に空き物理ブロック１１２０を用意することはせず、
有効なデータの入っていない物理ブロック１１１０は全
て空き物理ブロック１１２０であるように管理する。こ
の場合、一度もライトされていない論理ブロック１１０
０には、物理ブロック１１１０は対応しない。
０は圧縮の程度に応じて、１個〜８個の物理ブロック１
１１０に対応するものとする。論理ブロック１１００は
物理ブロック１１１０の８個分の大きさであり、全く圧
縮できない論理ブロック１１００のデータを格納するの
に、８個の物理ブロック１１１０を必要とする。本実施
例では、圧縮を考慮して、実際の物理空間の２倍の論理
空間をホストコンピュータ１０１０からアクセスできる
ようにする。つまり、トータルの論理ブロック１１００
サイズはトータルの物理ブロック１１１０サイズの２倍
である。また、論理ブロック１１００に対応する物理ブ
ロック１１１０の個数が圧縮率に応じて変化するため
に、第１の実施例のように、消去回数グループ１２８０
毎に空き物理ブロック１１２０を用意することはせず、
有効なデータの入っていない物理ブロック１１１０は全
て空き物理ブロック１１２０であるように管理する。こ
の場合、一度もライトされていない論理ブロック１１０
０には、物理ブロック１１１０は対応しない。
【００８１】以下、圧縮機能を導入することによって、
第１の実施例と異なる点についてのみ説明する。
第１の実施例と異なる点についてのみ説明する。
【００８２】図１９は、第２の実施例における論理ブロ
ックテーブル１４０１とそのエントリ１４１１である。
論理ブロックテーブルエントリ１４１１は、論理ブロッ
クのライト回数１４３０、その論理ブロック１１００に
対応する物理ブロック個数１４５０、対応する８個の物
理ブロック番号１４２１〜１４２８の情報を持つ。
ックテーブル１４０１とそのエントリ１４１１である。
論理ブロックテーブルエントリ１４１１は、論理ブロッ
クのライト回数１４３０、その論理ブロック１１００に
対応する物理ブロック個数１４５０、対応する８個の物
理ブロック番号１４２１〜１４２８の情報を持つ。
【００８３】図２０は、第２の実施例におけるグループ
テーブル１６２１とそのエントリ１７０１、及びグルー
プキュー１８００である。グループテーブル１６２１に
は、物理ブロックグループＡ〜Ｇのエントリ１６３１〜
１６３７があり、その各エントリ１７０１には、各論理
ブロックグループ毎のキューエントリ１７１０〜１７７
０がある。本実施例では空き物理ブロック１１２０もキ
ュー管理する。このため、グループテーブルエントリ１
７０１には、さらに空き物理ブロック１１２０のキュー
エントリ１７８０が設けられている。
テーブル１６２１とそのエントリ１７０１、及びグルー
プキュー１８００である。グループテーブル１６２１に
は、物理ブロックグループＡ〜Ｇのエントリ１６３１〜
１６３７があり、その各エントリ１７０１には、各論理
ブロックグループ毎のキューエントリ１７１０〜１７７
０がある。本実施例では空き物理ブロック１１２０もキ
ュー管理する。このため、グループテーブルエントリ１
７０１には、さらに空き物理ブロック１１２０のキュー
エントリ１７８０が設けられている。
【００８４】リード処理では、圧縮されたデータの伸長
処理が必要になる。このため、図８のステップ１９１０
の後は、リードしたデータを伸長し、この伸長したデー
タをホストコンピュータ１０１０に転送する。
処理が必要になる。このため、図８のステップ１９１０
の後は、リードしたデータを伸長し、この伸長したデー
タをホストコンピュータ１０１０に転送する。
【００８５】ライト処理では、ライトデータの圧縮処理
が必要になる。また、ライトデータの圧縮率によって、
格納に必要な物理ブロック１１１０数が変化することが
あり、ライト対象となる空き物理ブロック１１２０の割
り当てが複雑になる。
が必要になる。また、ライトデータの圧縮率によって、
格納に必要な物理ブロック１１１０数が変化することが
あり、ライト対象となる空き物理ブロック１１２０の割
り当てが複雑になる。
【００８６】図２１は第２の実施例におけるライト処理
のメインフローチャートである。これは第１の実施例と
異なる点が多いため、全て説明する。
のメインフローチャートである。これは第１の実施例と
異なる点が多いため、全て説明する。
【００８７】まず、ステップ４１００で、ホストインタ
ーフェース１０２０はホストコンピュータ１０１０から
のライトデータをＲＡＭ１０３０に格納する。圧縮伸長
装置１０７０はライトデータを圧縮する（ステップ４１
１０）。ＣＰＵ１０５０は圧縮されたデータを格納する
のに必要な空き物理ブロック１１２０の個数を算出する
（ステップ４１２０）。後述する物理ブロックグループ
構成変更処理を行う（ステップ４１３０）。論理ブロッ
クグループ構成変更処理を行う（ステップ２１２０）。
ＣＰＵ１０５０は、論理ブロックテーブル１４００を調
べ、ライト対象の論理ブロック１１００に対応する複数
の物理ブロック１１１０を見つけて、それらを旧物理ブ
ロック２０００とする（ステップ４１５０）。論理ブロ
ックグループ移動処理を行う（ステップ２１４０）。物
理ブロックグループ移動処理を行う（ステップ２１５
０）。後述するライト対象物理ブロック決定処理を行な
う（ステップ４１８０）。ＣＰＵ１０５０は、ライト対
象物理ブロック２０１０の中から一つを選択し、それを
ライト対象物理ブロック２０１１とする（ステップ４１
９０）。
ーフェース１０２０はホストコンピュータ１０１０から
のライトデータをＲＡＭ１０３０に格納する。圧縮伸長
装置１０７０はライトデータを圧縮する（ステップ４１
１０）。ＣＰＵ１０５０は圧縮されたデータを格納する
のに必要な空き物理ブロック１１２０の個数を算出する
（ステップ４１２０）。後述する物理ブロックグループ
構成変更処理を行う（ステップ４１３０）。論理ブロッ
クグループ構成変更処理を行う（ステップ２１２０）。
ＣＰＵ１０５０は、論理ブロックテーブル１４００を調
べ、ライト対象の論理ブロック１１００に対応する複数
の物理ブロック１１１０を見つけて、それらを旧物理ブ
ロック２０００とする（ステップ４１５０）。論理ブロ
ックグループ移動処理を行う（ステップ２１４０）。物
理ブロックグループ移動処理を行う（ステップ２１５
０）。後述するライト対象物理ブロック決定処理を行な
う（ステップ４１８０）。ＣＰＵ１０５０は、ライト対
象物理ブロック２０１０の中から一つを選択し、それを
ライト対象物理ブロック２０１１とする（ステップ４１
９０）。
【００８８】ステップ４２００で、ＣＰＵ１０５０は、
物理ブロックテーブル１５００の消去回数１５３０の項
を調べて、ライト対象物理ブロック２０１１が物理ブロ
ックグループＦ１２６０かＧ１２７０に含まれているか
どうかを判定し、含まれていない場合には、ステップ４
２３０において、後述する通常ライト処理を行う。含ま
れている場合には、更にＣＰＵ１０５０はステップ４２
１０において、ライト対象物理ブロック２０１１の消去
回数が１０００の倍数かどうかを判定し、１０００の倍
数であった場合には、ステップ４２２０において、後述
する交換ライト処理を行い、１０００の倍数でなかった
場合にはステップ４２３０で通常ライト処理を行う。
物理ブロックテーブル１５００の消去回数１５３０の項
を調べて、ライト対象物理ブロック２０１１が物理ブロ
ックグループＦ１２６０かＧ１２７０に含まれているか
どうかを判定し、含まれていない場合には、ステップ４
２３０において、後述する通常ライト処理を行う。含ま
れている場合には、更にＣＰＵ１０５０はステップ４２
１０において、ライト対象物理ブロック２０１１の消去
回数が１０００の倍数かどうかを判定し、１０００の倍
数であった場合には、ステップ４２２０において、後述
する交換ライト処理を行い、１０００の倍数でなかった
場合にはステップ４２３０で通常ライト処理を行う。
【００８９】ステップ４２４０において、全てのライト
データをライト対象物理ブロック２０１０に書き込んだ
かどうかを判定し、ライトが完了していなければステッ
プ４１９０に実行を移す。最後に後述する消去処理を行
なう（ステップ４２５０）。
データをライト対象物理ブロック２０１０に書き込んだ
かどうかを判定し、ライトが完了していなければステッ
プ４１９０に実行を移す。最後に後述する消去処理を行
なう（ステップ４２５０）。
【００９０】物理ブロックグループ構成変更処理は図１
２の物理ブロックグループ構成変更処理と較べてステッ
プ２３００の部分が変化し、次のようになる。すなわ
ち、全消去回数に圧縮データを格納するのに必要な物理
ブロック１１１０数を加え、平均の消去回数を算出す
る。
２の物理ブロックグループ構成変更処理と較べてステッ
プ２３００の部分が変化し、次のようになる。すなわ
ち、全消去回数に圧縮データを格納するのに必要な物理
ブロック１１１０数を加え、平均の消去回数を算出す
る。
【００９１】次に、ライト対象物理ブロック決定処理に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００９２】第２の実施例において、ライト対象物理ブ
ロック２０１０はライトデータの圧縮率に応じて１個〜
８個必要であり、また、旧物理ブロック２０００の個数
と異なることがある。このため、ライトデータを格納す
るのに必要な空き物理ブロック１１２０数が、旧物理ブ
ロック２０００数よりも少ない、または同じときには、
旧物理ブロック２０００とライト対象物理ブロック２０
１０を１個ずつ対応させ、ライト対象物理ブロック２０
１０を決定するのに、対応する旧物理ブロックと同程度
のライト回数である空き物理ブロック１１２０を割り当
てれば良い。しかし、そうでないときには、対応する旧
物理ブロック２０００が存在しないライト対象物理ブロ
ック２０１０を決定するのに、ライトのあった論理ブロ
ック１１００のライト回数を調べ、そのライト回数に応
じた空き物理ブロック１１２０を割り当てる必要があ
る。
ロック２０１０はライトデータの圧縮率に応じて１個〜
８個必要であり、また、旧物理ブロック２０００の個数
と異なることがある。このため、ライトデータを格納す
るのに必要な空き物理ブロック１１２０数が、旧物理ブ
ロック２０００数よりも少ない、または同じときには、
旧物理ブロック２０００とライト対象物理ブロック２０
１０を１個ずつ対応させ、ライト対象物理ブロック２０
１０を決定するのに、対応する旧物理ブロックと同程度
のライト回数である空き物理ブロック１１２０を割り当
てれば良い。しかし、そうでないときには、対応する旧
物理ブロック２０００が存在しないライト対象物理ブロ
ック２０１０を決定するのに、ライトのあった論理ブロ
ック１１００のライト回数を調べ、そのライト回数に応
じた空き物理ブロック１１２０を割り当てる必要があ
る。
【００９３】このライト対象物理ブロック決定処理を、
具体的に図２２のフローチャートを用いて説明する。
具体的に図２２のフローチャートを用いて説明する。
【００９４】まず、ステップ３０１０において、変数ｎ
ｕｍを０に設定する。ステップ３０２０において、ｎｕ
ｍに１を加える。ステップ３０３０において、ｎｕｍ番
めの旧物理ブロック２０００があるかどうかを判定す
る。無い場合にはステップ３１００に実行を移す。ある
場合にはステップ３０４０において、ｎｕｍ番めの旧物
理ブロック２０００の属する物理ブロックグループ１２
００には空き物理ブロック１１２０があるかどうかを判
定し、あればステップ３０８０にジャンプする。無けれ
ば、ステップ３０５０において、ライト対象論理ブロッ
ク１１００は比較的ライト回数が少ない論理ブロックグ
ループ１３００に属しているかどうかを判定する。比較
的ライト回数が少ない論理ブロックグループ１３００と
は、具体的に論理ブロックグループＡ１３１０〜Ｃ１３
３０を示す。属していれば、ステップ３０６０におい
て、より消去回数の多い物理ブロックグループ１２００
で空き物理ブロック１１２０を探す。探すにあたって、
できるだけｎｕｍ番めの旧物理ブロック２０００の属す
る物理ブロックグループ１２００に近い物理ブロックグ
ループ１２００から探すようにする。属していなけれ
ば、ステップ３１３０において、より消去回数の少ない
物理ブロックグループ１２００で空き物理ブロック１１
２０を探す。探すにあたって、できるだけｎｕｍ番めの
旧物理ブロック２０００の属する物理ブロックグループ
１２００に近い物理ブロックグループ１２００から探す
ようにする。ステップ３０７０において、空き物理ブロ
ックが発見できたかどうかを判定し、見つかっていなけ
ればステップ３１４０にジャンプする。見つかっていれ
ば、ステップ３０８０において、見つけた空き物理ブロ
ック１１２０をｎｕｍ番めのライト対象物理ブロック２
０１０とする。
ｕｍを０に設定する。ステップ３０２０において、ｎｕ
ｍに１を加える。ステップ３０３０において、ｎｕｍ番
めの旧物理ブロック２０００があるかどうかを判定す
る。無い場合にはステップ３１００に実行を移す。ある
場合にはステップ３０４０において、ｎｕｍ番めの旧物
理ブロック２０００の属する物理ブロックグループ１２
００には空き物理ブロック１１２０があるかどうかを判
定し、あればステップ３０８０にジャンプする。無けれ
ば、ステップ３０５０において、ライト対象論理ブロッ
ク１１００は比較的ライト回数が少ない論理ブロックグ
ループ１３００に属しているかどうかを判定する。比較
的ライト回数が少ない論理ブロックグループ１３００と
は、具体的に論理ブロックグループＡ１３１０〜Ｃ１３
３０を示す。属していれば、ステップ３０６０におい
て、より消去回数の多い物理ブロックグループ１２００
で空き物理ブロック１１２０を探す。探すにあたって、
できるだけｎｕｍ番めの旧物理ブロック２０００の属す
る物理ブロックグループ１２００に近い物理ブロックグ
ループ１２００から探すようにする。属していなけれ
ば、ステップ３１３０において、より消去回数の少ない
物理ブロックグループ１２００で空き物理ブロック１１
２０を探す。探すにあたって、できるだけｎｕｍ番めの
旧物理ブロック２０００の属する物理ブロックグループ
１２００に近い物理ブロックグループ１２００から探す
ようにする。ステップ３０７０において、空き物理ブロ
ックが発見できたかどうかを判定し、見つかっていなけ
ればステップ３１４０にジャンプする。見つかっていれ
ば、ステップ３０８０において、見つけた空き物理ブロ
ック１１２０をｎｕｍ番めのライト対象物理ブロック２
０１０とする。
【００９５】ステップ３０９０において、ｎｕｍがライ
トデータを格納するのに必要な空き物理ブロック１１２
０数になっているかどうか、すなわち、必要な空き物理
ブロック１１２０全て確保できたかどうかを判定する。
全て確保できていれば、ライト対象物理ブロック決定処
理は終了し、いなければステップ３０２０に戻る。
トデータを格納するのに必要な空き物理ブロック１１２
０数になっているかどうか、すなわち、必要な空き物理
ブロック１１２０全て確保できたかどうかを判定する。
全て確保できていれば、ライト対象物理ブロック決定処
理は終了し、いなければステップ３０２０に戻る。
【００９６】ステップ３１００においては、ライト対象
論理ブロック１１００は比較的ライト回数が少ない論理
ブロックグループ１３００に属しているかどうかを判定
する。比較的ライト回数が少ない論理ブロックグループ
１３００とは、具体的に論理ブロックグループＡ１３１
０〜Ｃ１３３０を示す。属していれば、物理ブロックグ
ループＤ１２４０→Ｃ１２３０→Ｂ１２２０→Ａ１２１
０、更に、物理ブロックグループＥ１２５０→Ｆ１２６
０→Ｇ１２７０の順に空き物理ブロック１１２０を探
し、ステップ３０７０にジャンプする（ステップ３１１
０）。属していなければ、物理ブロックグループＡ１２
１０→Ｂ１２２０→Ｃ１２３０→Ｄ１２４０→Ｅ１２５
０→Ｆ１２６０→Ｇ１２７０の順に空き物理ブロック１
１２０を探し、ステップ３０７０にジャンプする（ステ
ップ３１２０）。
論理ブロック１１００は比較的ライト回数が少ない論理
ブロックグループ１３００に属しているかどうかを判定
する。比較的ライト回数が少ない論理ブロックグループ
１３００とは、具体的に論理ブロックグループＡ１３１
０〜Ｃ１３３０を示す。属していれば、物理ブロックグ
ループＤ１２４０→Ｃ１２３０→Ｂ１２２０→Ａ１２１
０、更に、物理ブロックグループＥ１２５０→Ｆ１２６
０→Ｇ１２７０の順に空き物理ブロック１１２０を探
し、ステップ３０７０にジャンプする（ステップ３１１
０）。属していなければ、物理ブロックグループＡ１２
１０→Ｂ１２２０→Ｃ１２３０→Ｄ１２４０→Ｅ１２５
０→Ｆ１２６０→Ｇ１２７０の順に空き物理ブロック１
１２０を探し、ステップ３０７０にジャンプする（ステ
ップ３１２０）。
【００９７】ステップ３１４０においては、消去回数を
問わずに、とにかく存在する空き物理ブロック１１２０
を探し、見つかればそれをｎｕｍ番めのライト対象物理
ブロック２０１０とする。ステップ３１５０において、
空き物理ブロック１１２０が見つかったかどうかを判定
し、見つかっていればステップ３０９０にジャンプす
る。見つかっていなければ、ステップ３１６０におい
て、ホストコンピュータ１０１０にライト不可能を通知
し、ステップ３１７０においてライト処理を異常終了す
る。
問わずに、とにかく存在する空き物理ブロック１１２０
を探し、見つかればそれをｎｕｍ番めのライト対象物理
ブロック２０１０とする。ステップ３１５０において、
空き物理ブロック１１２０が見つかったかどうかを判定
し、見つかっていればステップ３０９０にジャンプす
る。見つかっていなければ、ステップ３１６０におい
て、ホストコンピュータ１０１０にライト不可能を通知
し、ステップ３１７０においてライト処理を異常終了す
る。
【００９８】図２３は第２の実施例における通常ライト
処理のフローチャートである。
処理のフローチャートである。
【００９９】まずステップ４７００において、まだ書き
込んでいないＲＡＭ１０３０上の圧縮されたライトデー
タの１物理ブロック分を、選択されているライト対象物
理ブロック２０１０にライトする。このライト対象物理
ブロック２０１０をグループキュー１８００からはずし
（ステップ４７１０）、正しいグループキュー１８００
につなぐ（ステップ４７２０）。ステップ４７３０にお
いて、ホストコンピュータ１０１０にコマンド完了を報
告する。
込んでいないＲＡＭ１０３０上の圧縮されたライトデー
タの１物理ブロック分を、選択されているライト対象物
理ブロック２０１０にライトする。このライト対象物理
ブロック２０１０をグループキュー１８００からはずし
（ステップ４７１０）、正しいグループキュー１８００
につなぐ（ステップ４７２０）。ステップ４７３０にお
いて、ホストコンピュータ１０１０にコマンド完了を報
告する。
【０１００】図２４は交換ライト処理のフローチャート
である。
である。
【０１０１】まず、ステップ４８１０において、グルー
プキュー１８００を見て、ライト回数の少ない論理ブロ
ック１１００に対応している消去回数の少ない物理ブロ
ック１１１０を一つだけ探し、これをコピー元物理ブロ
ック２０２０とする。コピー元物理ブロック２０２０の
消去回数、全体の消去回数に１を加える（ステップ４８
２０）。次に、コピー元物理ブロック２０２０の物理ブ
ロックグループ１２００間の移動が必要であるかどうか
を判定し（ステップ４８３０）、移動が必要であれば、
コピー元物理ブロック２０２０をグループキュー１８０
０から外して（ステップ４８４０）、同一論理ブロック
グループ１３００かつ、移動先の物理ブロックグループ
１２００のグループキュー１８００につなぐ（ステップ
４８５０）。移動が必要でなければ、上記の２つのステ
ップの処理は行なわない。
プキュー１８００を見て、ライト回数の少ない論理ブロ
ック１１００に対応している消去回数の少ない物理ブロ
ック１１１０を一つだけ探し、これをコピー元物理ブロ
ック２０２０とする。コピー元物理ブロック２０２０の
消去回数、全体の消去回数に１を加える（ステップ４８
２０）。次に、コピー元物理ブロック２０２０の物理ブ
ロックグループ１２００間の移動が必要であるかどうか
を判定し（ステップ４８３０）、移動が必要であれば、
コピー元物理ブロック２０２０をグループキュー１８０
０から外して（ステップ４８４０）、同一論理ブロック
グループ１３００かつ、移動先の物理ブロックグループ
１２００のグループキュー１８００につなぐ（ステップ
４８５０）。移動が必要でなければ、上記の２つのステ
ップの処理は行なわない。
【０１０２】次にステップ４８６０において、選択中の
ライト対象物理ブロック２０１０となっている物理ブロ
ック１１１０をコピー先物理ブロック１１１０とする。
コピー元物理ブロックと同一消去回数グループ１２８０
の空き物理ブロックを新たに選択中のライト対象物理ブ
ロック２０１０とする。（ステップ４８７０）。ＲＡＭ
上のライトデータをライト対象物理ブロック２０１０に
ライトする（ステップ４８８０）。選択中のライト対象
物理ブロック２０１０をグループキュー１８００から外
して、正しいグループキュー１８００につなぐ（ステッ
プ４８９０）。
ライト対象物理ブロック２０１０となっている物理ブロ
ック１１１０をコピー先物理ブロック１１１０とする。
コピー元物理ブロックと同一消去回数グループ１２８０
の空き物理ブロックを新たに選択中のライト対象物理ブ
ロック２０１０とする。（ステップ４８７０）。ＲＡＭ
上のライトデータをライト対象物理ブロック２０１０に
ライトする（ステップ４８８０）。選択中のライト対象
物理ブロック２０１０をグループキュー１８００から外
して、正しいグループキュー１８００につなぐ（ステッ
プ４８９０）。
【０１０３】ここで、ホストインターフェース１０２０
はホストコンピュータ１０１０にコマンド完了を報告し
（ステップ４９００）、あとはバックグラウンドで行
う。ステップ４９１０において、コピー元物理ブロック
２０２０のデータを一旦ＲＡＭ１０３０上に読みだし、
コピー先物理ブロック２０３０にライトする。ステップ
４９２０において、コピー先物理ブロック２０３０をグ
ループキュー１８００から外して、正しいグループキュ
ー１８００につなぐ。
はホストコンピュータ１０１０にコマンド完了を報告し
（ステップ４９００）、あとはバックグラウンドで行
う。ステップ４９１０において、コピー元物理ブロック
２０２０のデータを一旦ＲＡＭ１０３０上に読みだし、
コピー先物理ブロック２０３０にライトする。ステップ
４９２０において、コピー先物理ブロック２０３０をグ
ループキュー１８００から外して、正しいグループキュ
ー１８００につなぐ。
【０１０４】図２５は消去処理のフローチャートであ
る。
る。
【０１０５】まずステップ３２１０において、旧物理ブ
ロック２０００が存在するかどうかを判定する。つま
り、ある論理ブロック１１００へ、上書きではなく最初
のライトだったときには、その論理ブロック１１００に
は対応する物理ブロック１１１０が無いため、旧物理ブ
ロック２０００は存在しない。存在しなければステップ
３２４０にジャンプする。存在するときには、旧物理ブ
ロック２０００を全て消去し（ステップ３２２０）、全
ての旧物理ブロック２０００をグループキュー１８００
から外して、正しいグループキューにつなぐ（ステップ
３２３０）。
ロック２０００が存在するかどうかを判定する。つま
り、ある論理ブロック１１００へ、上書きではなく最初
のライトだったときには、その論理ブロック１１００に
は対応する物理ブロック１１１０が無いため、旧物理ブ
ロック２０００は存在しない。存在しなければステップ
３２４０にジャンプする。存在するときには、旧物理ブ
ロック２０００を全て消去し（ステップ３２２０）、全
ての旧物理ブロック２０００をグループキュー１８００
から外して、正しいグループキューにつなぐ（ステップ
３２３０）。
【０１０６】次にステップ３２４０において、交換ライ
ト処理が行なわれたかどうかを判定する。行なわれてい
なければ消去処理は終了する。行なわれているときに
は、コピー元物理ブロック２０２０を全て消去し（ステ
ップ３２５０）、全てのコピー元物理ブロック２０２０
をグループキュー１８００から外して、正しいグループ
キューにつなぐ（ステップ３２６０）。
ト処理が行なわれたかどうかを判定する。行なわれてい
なければ消去処理は終了する。行なわれているときに
は、コピー元物理ブロック２０２０を全て消去し（ステ
ップ３２５０）、全てのコピー元物理ブロック２０２０
をグループキュー１８００から外して、正しいグループ
キューにつなぐ（ステップ３２６０）。
【０１０７】
【発明の効果】本発明によれば、物理ブロック間で消去
回数がばらつかないようにすることにより、従来に較べ
て寿命が長く、応答性能の良い、フラッシュメモリを用
いた記憶装置を実現することができる。
回数がばらつかないようにすることにより、従来に較べ
て寿命が長く、応答性能の良い、フラッシュメモリを用
いた記憶装置を実現することができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係る、フラッシュメモ
リを用いた記憶装置システムの構成例を示すブロック図
である。
リを用いた記憶装置システムの構成例を示すブロック図
である。
【図２】論理空間と物理空間の対応関係を示す説明図で
ある。
ある。
【図３】物理ブロックグループの概念を示す説明図であ
る。
る。
【図４】論理ブロックグループの概念を示す説明図であ
る。
る。
【図５】第１の実施例に対応する、論理ブロックテーブ
ルとそのエントリを示す説明図である。
ルとそのエントリを示す説明図である。
【図６】物理ブロックテーブルとそのエントリを示す説
明図である。
明図である。
【図７】第１の実施例に対応する、空き物理ブロックテ
ーブル、グループテーブルとそのエントリ、グループキ
ューを示す説明図である。
ーブル、グループテーブルとそのエントリ、グループキ
ューを示す説明図である。
【図８】リード処理のフローチャートである。
【図９】通常ライト処理の動作概念を示す説明図であ
る。
る。
【図１０】交換ライト処理の動作概念を示す説明図であ
る。
る。
【図１１】第１の実施例に対応する、ライト処理のメイ
ンフローチャートである。
ンフローチャートである。
【図１２】物理ブロックグループ構成変更処理のフロー
チャートである。
チャートである。
【図１３】論理ブロックグループ構成変更処理のフロー
チャートである。
チャートである。
【図１４】論理ブロックグループ移動処理のフローチャ
ートである。
ートである。
【図１５】物理ブロックグループ移動処理のフローチャ
ートである。
ートである。
【図１６】第１の実施例に対応する、通常ライト処理の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図１７】第１の実施例に対応する、交換ライト処理の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図１８】本発明の第２の実施例に係る、フラッシュメ
モリを用いた記憶装置システムの構成例を示すブロック
図である。
モリを用いた記憶装置システムの構成例を示すブロック
図である。
【図１９】第２の実施例に対応する、論理ブロックテー
ブルとそのエントリを示す説明図である。
ブルとそのエントリを示す説明図である。
【図２０】第２の実施例に対応する、空き物理ブロック
テーブル、グループテーブルとそのエントリ、グループ
キューを示す説明図である。
テーブル、グループテーブルとそのエントリ、グループ
キューを示す説明図である。
【図２１】第２の実施例に対応する、ライト処理のメイ
ンフローチャートである。
ンフローチャートである。
【図２２】ライト対象物理ブロック決定処理のフローチ
ャートである。
ャートである。
【図２３】第２の実施例に対応する、通常ライト処理の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図２４】第２の実施例に対応する、交換ライト処理の
フローチャートである。
フローチャートである。
【図２５】消去処理のフローチャートである。
【図２６】フラッシュメモリ上のテーブル格納の様子を
示す説明図である。
示す説明図である。
１０００…記憶装置システム、１０１０…ホストコンピ
ュータ、１０２０…ホストインタフェース、１０３０…
ＲＡＭ、１０４０…ＲＯＭ、１０５０…ＣＰＵ、１０６
０…フラッシュメモリ、１４００…論理ブロックテーブ
ル、１５００…物理ブロックテーブル、１６００…空き
物理ブロックテーブル、１６２０…グループテーブル、
１６３０…グループテーブルエントリ、１８００…グル
ープキュー、１１００…論理ブロック、１１１０…物理
ブロック、１１２０…空き物理ブロック。
ュータ、１０２０…ホストインタフェース、１０３０…
ＲＡＭ、１０４０…ＲＯＭ、１０５０…ＣＰＵ、１０６
０…フラッシュメモリ、１４００…論理ブロックテーブ
ル、１５００…物理ブロックテーブル、１６００…空き
物理ブロックテーブル、１６２０…グループテーブル、
１６３０…グループテーブルエントリ、１８００…グル
ープキュー、１１００…論理ブロック、１１１０…物理
ブロック、１１２０…空き物理ブロック。
Claims (16)
- 【請求項１】上位装置から見たアクセス単位である論理
ブロックを、フラッシュメモリの物理ブロックに割り当
てる、フラッシュメモリを用いた記憶装置の制御方法で
あって、 論理ブロックへのライト処理の度に、各論理ブロック単
位にそのライト回数（またはライト頻度）を計数管理
し、 物理ブロックの消去処理の度に、各物理ブロック単位に
その消去回数を計数管理し、 複数の論理ブロックを各々のライト回数（または頻度）
により複数の論理ブロックグループに分類し、 複数の物理ブロックを各々の消去回数により複数の物理
ブロックグループに分類し、 ライト回数の多い論理ブロックグループに属する論理ブ
ロックへのライト処理に伴い当該論理ブロックを物理ブ
ロックへ割り当てる際に、当該論理ブロックを消去回数
の少ない物理ブロックグループに属する物理ブロックに
割り当てることを特徴とするフラッシュメモリを用いた
記憶装置の制御方法。 - 【請求項２】各物理ブロックグループにいずれの論理ブ
ロックにも割り当てられていない空き物理ブロックを少
なくとも１つ用意しておき、前記論理ブロックへの物理
ブロックの割り当ての際に、消去回数の少ない物理ブロ
ックグループに属する空き物理ブロックを割り当てるこ
とを特徴とする、請求項１記載のフラッシュメモリを用
いた記憶装置の制御方法。 - 【請求項３】前記空き物理ブロックの選択は、ライト回
数の少ない論理ブロックグループに属する論理ブロック
に割り当てられている消去回数の少ない物理ブロックを
探しだし、該物理ブロックが属する物理ブロックグルー
プと同グループに属する空き物理ブロックを目的の空き
物理ブロックとすることを特徴とする、請求項２記載の
フラッシュメモリを用いた記憶装置の制御方法。 - 【請求項４】前記消去回数の少ない物理ブロックの内容
を、前記ライト回数の多い論理ブロックに割り当てられ
ていた旧物理ブロックが属する物理ブロックグループと
同グループに属する空き物理ブロックにコピーするとと
もに、該コピー元の物理ブロックを消去して空き物理ブ
ロックとし、 コピー先の物理ブロックを、前記コピー元の物理ブロッ
クが割り当てられていた論理ブロックへ新たに割り当
て、 前記旧物理ブロックを消去して空き物理ブロックとする
ことを特徴とする請求項３記載のフラッシュメモリを用
いた記憶装置の制御方法。 - 【請求項５】前記ライト回数の多い論理ブロックを消去
回数の少ない物理ブロックへ割り当てる処理は、当該ラ
イト回数の多い論理ブロックに対応する物理ブロックの
消去回数が予め定めた数の倍数に達する毎に行ない、そ
れ以外の論理ブロックに対するライト処理時には、 論理ブロックの割り当てられていた旧物理ブロックが属
する物理ブロックグループと同グループに属する空き物
理ブロックに当該物理ブロックを割り当てるとともに、
当該旧物理ブロックを消去して空き物理ブロックとする
ことを特徴とする請求項２、３または４記載のフラッシ
ュメモリを用いた記憶装置の制御方法。 - 【請求項６】前記論理ブロックグループは、全論理ブロ
ックのライト回数の平均の属する一定回数幅の中央グル
ープと、該中央エリアの両側にそれぞれ少なくとも１つ
の側部グループとを有し、該グループ分けは、ライト処
理毎に見直すことを特徴とする請求項１〜５のいずれか
に記載の記憶装置の制御方法。 - 【請求項７】前記物理ブロックグループは、全物理ブロ
ックの消去回数の平均の属する一定回数幅の中央グルー
プと、該中央エリアの両側にそれぞれ少なくとも１つの
側部グループとを有し、該グループ分けは、消去処理毎
に見直すことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記
載の記憶装置の制御方法。 - 【請求項８】上位装置から見たアクセス単位である論理
ブロックを、フラッシュメモリの物理ブロックに割り当
てる、フラッシュメモリを用いた記憶装置の制御方法で
あって、 個々の論理ブロックへのアクセス状況に基づいて、各論
理ブロックに対する今後のライト回数（または頻度）の
多寡を予測し、 物理ブロックの消去処理に伴って個々の物理ブロックの
消去回数を管理し、 ライト回数が多いと予測される論理ブロックを消去回数
の少ない物理ブロックに割り当てるとともに、ライト回
数が少ないと予測される論理ブロックを消去回数の多い
物理ブロックに割り当てることを特徴とするフラッシュ
メモリを用いた記憶装置の制御方法。 - 【請求項９】上位装置から見たアクセス単位である論理
ブロックを、フラッシュメモリの物理ブロックに割り当
てる、フラッシュメモリを用いた記憶装置であって、 個別に消去可能な複数の物理ブロックを有するフラッシ
ュメモリと、 該割り当て手段により割り当てられた論理ブロックと物
理ブロックとの対応関係を保持するテーブル手段と、 個々の論理ブロックのライト回数（または頻度）を計数
管理する手段と、 論理ブロックをライト回数に基づいて複数のグループに
分類する手段と、 論理ブロックへ割り当てられていた物理ブロックを空き
物理ブロックとする際に、当該物理ブロックの消去処理
を行なう消去手段と、 個々の物理ブロックの消去回数を計数管理する手段と、 物理ブロックを消去回数に基づいて複数のグループに分
類する手段と、 個々の論理ブロックを物理ブロックに割り当てる割り当
て制御手段と、 いずれの論理ブロックにも割り当てられていない空き物
理ブロックを管理する手段とを備え、 前記割り当て制御手段は、適宜、ライト回数が多い論理
ブロックグループに属する論理ブロックを消去回数の少
ない物理ブロックグループに属する空き物理ブロックに
割り当てるとともに、ライト回数が少ない論理ブロック
グループに属する論理ブロックを消去回数の多い論理ブ
ロックグループに属する空き物理ブロックに割り当てる
交換処理を行なうことを特徴とする、フラッシュメモリ
を用いた記憶装置。 - 【請求項１０】前記割り当て制御手段は、通常のライト
処理においては、ライト対象の論理ブロックに割り当て
られていた物理ブロック（以下、旧物理ブロックとい
う）が属する物理ブロックグループと同グループに属す
る空き物理ブロックに対して、当該ライト対象の論理ブ
ロックを割り当て、前記旧物理ブロックを空き物理ブロ
ックとし、 予め定めた条件が満たされたとき、前記交換処理を行な
うことを特徴とする請求項９記載のフラッシュメモリを
用いた記憶装置。 - 【請求項１１】前記交換処理では、ライト回数の少ない
論理ブロックに割り当てられていた物理ブロックの内容
を前記旧物理ブロックが属する物理ブロックグループと
同グループに属する空き物理ブロックにコピーするとと
もに、前記旧物理ブロックを空き物理ブロックとするこ
とを特徴とする請求項１０記載のフラッシュメモリを用
いた記憶装置。 - 【請求項１２】論理ブロックと物理ブロックのブロック
サイズは同一であることを特徴とする請求項９〜１１の
いずれかに記載のフラッシュメモリを用いた記憶装置。 - 【請求項１３】論理ブロックのブロックサイズは物理ブ
ロックのブロックサイズの複数倍であり、論理ブロック
の内容を圧縮し、かつ該圧縮されたデータを伸長する圧
縮伸長手段をさらに備え、１つの論理ブロックは、その
圧縮の度合いに応じて１ないし複数の物理ブロックに割
り当てられることを特徴とする請求項９〜１１のいずれ
かに記載のフラッシュメモリを用いた記憶装置。 - 【請求項１４】各物理ブロックグループ毎に、当該グル
ープに属する物理ブロックをその割り当てられている論
理ブロックの論理ブロックグループ単位に別々に連結し
た物理ブロックのキューを構成する手段と、該キューの
先頭を指示するグループテーブル手段とを備え、前記割
り当て制御手段は、該グループテーブル手段を参照して
前記交換処理を行なうことを特徴とする請求項９〜１３
のいずれかに記載のフラッシュメモリを用いた記憶装
置。 - 【請求項１５】前記グループテーブル手段は、各物理ブ
ロックグループ毎に、当該グループに属する空き物理ブ
ロックをも管理することを特徴とする請求項１４記載の
フラッシュメモリを用いた記憶装置。 - 【請求項１６】前記予め定めた条件は、ライト回数の多
い論理ブロックグループに属する論理ブロックに対する
ライト要求があった場合に、ライト対象となった空き物
理ブロックの消去回数が予め定めた数の倍数となったと
きであることを特徴とする請求項１０記載のフラッシュ
メモリを用いた記憶装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14794394A JP3507132B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法 |
| US08/495,165 US5737742A (en) | 1994-06-29 | 1995-06-27 | Memory system using flash memory and method of controlling the memory system |
| US08/998,998 US5930193A (en) | 1994-06-29 | 1997-12-29 | Memory system using a flash memory and method of controlling the memory system |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14794394A JP3507132B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法 |
| US08/495,165 US5737742A (en) | 1994-06-29 | 1995-06-27 | Memory system using flash memory and method of controlling the memory system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0816482A true JPH0816482A (ja) | 1996-01-19 |
| JP3507132B2 JP3507132B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=26478328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14794394A Expired - Lifetime JP3507132B2 (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | フラッシュメモリを用いた記憶装置およびその記憶制御方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5737742A (ja) |
| JP (1) | JP3507132B2 (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5930193A (en) | 1999-07-27 |
| US5737742A (en) | 1998-04-07 |
| JP3507132B2 (ja) | 2004-03-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031218 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071226 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081226 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091226 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101226 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111226 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121226 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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