JPH08167585A - 化学的機械研磨装置 - Google Patents
化学的機械研磨装置Info
- Publication number
- JPH08167585A JPH08167585A JP30726194A JP30726194A JPH08167585A JP H08167585 A JPH08167585 A JP H08167585A JP 30726194 A JP30726194 A JP 30726194A JP 30726194 A JP30726194 A JP 30726194A JP H08167585 A JPH08167585 A JP H08167585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing agent
- substrate
- abrasive
- agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被加工面となる基板面内での研磨速度の均一
性向上を図る。 【構成】 表面に研磨布が張設された研磨テーブル1
と、研磨テーブル1に対向する状態で回転可能に支持さ
れた基板保持部4を有し且つ基板保持部4にて保持した
基板5の被加工面を研磨布2を介して研磨テーブル1の
表面に圧接させる基板保持機構と、研磨布2に穿設され
た複数の研磨剤供給孔6を有し且つ研磨剤供給孔6を通
して研磨テーブル1側から研磨剤を供給する研磨剤供給
系と、研磨剤供給孔6に対応して研磨布2に穿設された
研磨剤排出孔8を有し且つ研磨剤排出孔8を通して研磨
テーブル1側に研磨剤を排出する研磨剤排出系とを備え
る。
性向上を図る。 【構成】 表面に研磨布が張設された研磨テーブル1
と、研磨テーブル1に対向する状態で回転可能に支持さ
れた基板保持部4を有し且つ基板保持部4にて保持した
基板5の被加工面を研磨布2を介して研磨テーブル1の
表面に圧接させる基板保持機構と、研磨布2に穿設され
た複数の研磨剤供給孔6を有し且つ研磨剤供給孔6を通
して研磨テーブル1側から研磨剤を供給する研磨剤供給
系と、研磨剤供給孔6に対応して研磨布2に穿設された
研磨剤排出孔8を有し且つ研磨剤排出孔8を通して研磨
テーブル1側に研磨剤を排出する研磨剤排出系とを備え
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の基板
表面を、化学研磨と機械研磨による組合せ研磨によって
平坦化する際に用いて好適な化学的機械研磨(Chemical
MechanicalPolishing :CMP)装置に関するもので
ある。
表面を、化学研磨と機械研磨による組合せ研磨によって
平坦化する際に用いて好適な化学的機械研磨(Chemical
MechanicalPolishing :CMP)装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの高密度化に伴い、回路
基板の配線技術は、ますます微細化、多層化の方向に進
んでいる。しかし、こうした高集積化の進展は、デバイ
スそのものの信頼性を低下させる要因にもなる。その理
由としては、配線の微細化と多層化の進展によって層間
絶縁膜の段差は大きく且つ急峻となり、その上に形成さ
れる配線の加工精度、信頼性が著しく低下してしまうこ
とが挙げられる。このため、アルミ配線の段差被覆性
(ステップカバレージ)を大幅に改善できない現状で
は、層間絶縁膜の平坦度を向上させることが急務となっ
ている。層間絶縁膜の形成及び平坦化技術としては、塗
布法、リフロー法、エンチング法、PVD法、CVD法
など、種々の技術が開示されているが、上記の微細化、
多層化した配線層に適用した場合は、配線間隔が広いと
きの平坦度不足や配線間隔における層間膜でのボイド発
生などにより、配線間における接続不良等の改善が重要
なテーマとなってきている。そこで、こうした不都合を
解消する手段として、最近では、シリコンウエハの鏡面
研磨を応用した化学的機械研磨法が提案され、この方法
はウエハ表面をグローバルに平坦化できる技術として有
望視されている。
基板の配線技術は、ますます微細化、多層化の方向に進
んでいる。しかし、こうした高集積化の進展は、デバイ
スそのものの信頼性を低下させる要因にもなる。その理
由としては、配線の微細化と多層化の進展によって層間
絶縁膜の段差は大きく且つ急峻となり、その上に形成さ
れる配線の加工精度、信頼性が著しく低下してしまうこ
とが挙げられる。このため、アルミ配線の段差被覆性
(ステップカバレージ)を大幅に改善できない現状で
は、層間絶縁膜の平坦度を向上させることが急務となっ
ている。層間絶縁膜の形成及び平坦化技術としては、塗
布法、リフロー法、エンチング法、PVD法、CVD法
など、種々の技術が開示されているが、上記の微細化、
多層化した配線層に適用した場合は、配線間隔が広いと
きの平坦度不足や配線間隔における層間膜でのボイド発
生などにより、配線間における接続不良等の改善が重要
なテーマとなってきている。そこで、こうした不都合を
解消する手段として、最近では、シリコンウエハの鏡面
研磨を応用した化学的機械研磨法が提案され、この方法
はウエハ表面をグローバルに平坦化できる技術として有
望視されている。
【0003】図2は従来の化学的機械研磨装置の構成を
示す側面概略図である。従来の化学的機械研磨装置は、
回転可能な研磨テーブル31と、この研磨テーブル31
の表面に張設された研磨布32と、研磨テーブル31に
対向する状態で回転可能に設けられた基板保持部33
と、研磨布32に研磨剤(スラリー)34を供給する供
給ノズル35とを備えている。被加工物となるウエハ等
の基板36は、基板保持部33の下端面に保持されてお
り、研磨テーブル31と基板保持部33とをそれぞれ回
転させた状態で、図示せぬ研磨圧力調整器によりテーブ
ル上の研磨布32に押し付けられる。これにより、基板
36の下面(被加工面)は、研磨剤34中のアルカリに
よる化学的研磨作用とシリカによる機械的研磨作用の双
方によって平坦に研磨される。
示す側面概略図である。従来の化学的機械研磨装置は、
回転可能な研磨テーブル31と、この研磨テーブル31
の表面に張設された研磨布32と、研磨テーブル31に
対向する状態で回転可能に設けられた基板保持部33
と、研磨布32に研磨剤(スラリー)34を供給する供
給ノズル35とを備えている。被加工物となるウエハ等
の基板36は、基板保持部33の下端面に保持されてお
り、研磨テーブル31と基板保持部33とをそれぞれ回
転させた状態で、図示せぬ研磨圧力調整器によりテーブ
ル上の研磨布32に押し付けられる。これにより、基板
36の下面(被加工面)は、研磨剤34中のアルカリに
よる化学的研磨作用とシリカによる機械的研磨作用の双
方によって平坦に研磨される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
装置では、基板保持部33の隣に設置された供給ノズル
35より研磨剤34を供給するため、基板36の周辺部
分に研磨剤34が過分に供給され、基板36の中央部分
にまで研磨剤34を十分に行き亘らせることができない
という問題があった。そこで、こうした問題を解消した
装置が本出願人により提案されている。これは、特開平
5−13389号公報にて開示されている装置で、この
装置では図3のような構成が採用されている。すなわ
ち、研磨テーブル41の表面に張設された研磨布42に
複数の研磨剤供給孔43を穿設し、これらの研磨剤供給
孔43を通して図中矢印で示すように研磨テーブル1側
から研磨剤を供給するものである。
装置では、基板保持部33の隣に設置された供給ノズル
35より研磨剤34を供給するため、基板36の周辺部
分に研磨剤34が過分に供給され、基板36の中央部分
にまで研磨剤34を十分に行き亘らせることができない
という問題があった。そこで、こうした問題を解消した
装置が本出願人により提案されている。これは、特開平
5−13389号公報にて開示されている装置で、この
装置では図3のような構成が採用されている。すなわ
ち、研磨テーブル41の表面に張設された研磨布42に
複数の研磨剤供給孔43を穿設し、これらの研磨剤供給
孔43を通して図中矢印で示すように研磨テーブル1側
から研磨剤を供給するものである。
【0005】ところが、図3に示す化学的機械研磨装置
にあっては、基板の中央部分Aに供給された研磨剤が、
基板の周辺部Bに向けて拡散することになるため、基板
中央部Aにおける研磨速度と基板周辺部Bにおける研磨
速度とを均一に制御することが難しかった。
にあっては、基板の中央部分Aに供給された研磨剤が、
基板の周辺部Bに向けて拡散することになるため、基板
中央部Aにおける研磨速度と基板周辺部Bにおける研磨
速度とを均一に制御することが難しかった。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたもので、表面に研磨布が張設され
た研磨テーブルと、この研磨テーブルに対向する状態で
回転可能に支持された基板保持部を有し、その基板保持
部にて基板を保持しつつ基板の被加工面を研磨布を介し
て研磨テーブルの表面に圧接させる基板保持機構と、研
磨布に穿設された複数の研磨剤供給孔を有し、その研磨
剤供給孔を通して研磨テーブル側から研磨剤を供給する
研磨剤供給系と、研磨剤供給孔に対応して研磨布に穿設
された研磨剤排出孔を有し、その研磨剤排出孔を通して
研磨テーブル側に研磨剤を排出する研磨剤排出系とを備
えた装置構成となっている。
決するためになされたもので、表面に研磨布が張設され
た研磨テーブルと、この研磨テーブルに対向する状態で
回転可能に支持された基板保持部を有し、その基板保持
部にて基板を保持しつつ基板の被加工面を研磨布を介し
て研磨テーブルの表面に圧接させる基板保持機構と、研
磨布に穿設された複数の研磨剤供給孔を有し、その研磨
剤供給孔を通して研磨テーブル側から研磨剤を供給する
研磨剤供給系と、研磨剤供給孔に対応して研磨布に穿設
された研磨剤排出孔を有し、その研磨剤排出孔を通して
研磨テーブル側に研磨剤を排出する研磨剤排出系とを備
えた装置構成となっている。
【0007】
【作用】本発明の化学的機械研磨装置においては、研磨
テーブル側から研磨剤供給孔を通して研磨布の表面に供
給された研磨剤が、その研磨剤供給孔に対応して穿設さ
れた研磨剤排出孔を通して研磨テーブル側に排出される
ため、基板の中央部から周辺部への研磨剤の拡散が抑制
されるようになる。
テーブル側から研磨剤供給孔を通して研磨布の表面に供
給された研磨剤が、その研磨剤供給孔に対応して穿設さ
れた研磨剤排出孔を通して研磨テーブル側に排出される
ため、基板の中央部から周辺部への研磨剤の拡散が抑制
されるようになる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は本発明に係わる化学的機
械研磨装置の第1実施例の構成を示す図であり、図中
(a)はその概略平面図、(b)はその側面概略図であ
る。図1において、1は研磨テーブルであり、この研磨
テーブル1の表面(上面)は、研磨加工時の基準面とな
ることから、非常に高い平坦度をもって形成されてい
る。また研磨テーブル1の表面には、例えば人工皮革等
を素材とした研磨布2が張設されている。一方、研磨テ
ーブル1の上方には、回転軸3にて回転可能に支持され
た基板保持部4が設置されている。この基板保持部4
は、その下端面にて例えば真空引きによる吸着力をもっ
て基板5を保持するもので、研磨時には図示のごとく研
磨テーブル1に対向する状態で配置される。
ながら詳細に説明する。図1は本発明に係わる化学的機
械研磨装置の第1実施例の構成を示す図であり、図中
(a)はその概略平面図、(b)はその側面概略図であ
る。図1において、1は研磨テーブルであり、この研磨
テーブル1の表面(上面)は、研磨加工時の基準面とな
ることから、非常に高い平坦度をもって形成されてい
る。また研磨テーブル1の表面には、例えば人工皮革等
を素材とした研磨布2が張設されている。一方、研磨テ
ーブル1の上方には、回転軸3にて回転可能に支持され
た基板保持部4が設置されている。この基板保持部4
は、その下端面にて例えば真空引きによる吸着力をもっ
て基板5を保持するもので、研磨時には図示のごとく研
磨テーブル1に対向する状態で配置される。
【0009】ここで本実施例の装置構成においては、研
磨テーブル1上に張設された研磨布2に複数の研磨剤供
給孔6が穿設されている。これらの研磨剤供給孔6は、
研磨布2の表面(上面)に研磨剤を供給するためのもの
で、例えば図示のごとく基板保持部3の回転中心に対し
て同心円状に配置されている。また、各々の研磨剤供給
孔6は、研磨テーブル1側に形成された研磨剤供給路7
にそれぞれ連通している。そして、図示せぬ研磨剤供給
部より送り出された研磨剤は、図中矢印で示すように研
磨剤供給路7を通して研磨剤供給孔6から研磨布2の表
面に供給されるようになっている。
磨テーブル1上に張設された研磨布2に複数の研磨剤供
給孔6が穿設されている。これらの研磨剤供給孔6は、
研磨布2の表面(上面)に研磨剤を供給するためのもの
で、例えば図示のごとく基板保持部3の回転中心に対し
て同心円状に配置されている。また、各々の研磨剤供給
孔6は、研磨テーブル1側に形成された研磨剤供給路7
にそれぞれ連通している。そして、図示せぬ研磨剤供給
部より送り出された研磨剤は、図中矢印で示すように研
磨剤供給路7を通して研磨剤供給孔6から研磨布2の表
面に供給されるようになっている。
【0010】さらに、上述のごとく研磨剤供給孔6、研
磨剤供給路7及び図示せぬ研磨剤供給部により成る研磨
剤供給系は、複数の系(図例では3つの系)から構成さ
れており、しかも各々の系は、基板保持部4の回転中心
に対して同心円状に配置された研磨剤供給孔6に対し、
それぞれ独立したかたちで設けられている。つまり、最
内の同心円上に配置された研磨剤供給孔6には図示せぬ
第1の研磨剤供給路及び研磨剤供給部が接続され、また
最外の同心円上に配置された研磨剤供給孔6には図示せ
ぬ第2の研磨剤供給路及び研磨剤供給部が接続され、真
ん中の同心円上に配置された研磨剤供給孔6には第3の
研磨剤供給路7及び研磨剤供給部(不図示)が接続され
ている。
磨剤供給路7及び図示せぬ研磨剤供給部により成る研磨
剤供給系は、複数の系(図例では3つの系)から構成さ
れており、しかも各々の系は、基板保持部4の回転中心
に対して同心円状に配置された研磨剤供給孔6に対し、
それぞれ独立したかたちで設けられている。つまり、最
内の同心円上に配置された研磨剤供給孔6には図示せぬ
第1の研磨剤供給路及び研磨剤供給部が接続され、また
最外の同心円上に配置された研磨剤供給孔6には図示せ
ぬ第2の研磨剤供給路及び研磨剤供給部が接続され、真
ん中の同心円上に配置された研磨剤供給孔6には第3の
研磨剤供給路7及び研磨剤供給部(不図示)が接続され
ている。
【0011】加えて研磨布2には、上記研磨剤供給孔6
に対応したかたち、例えば研磨剤供給孔6と交互の配置
形態で複数の研磨剤排出孔8が穿設されている。これら
の研磨剤排出孔8は、研磨布2の表面に供給された研磨
剤を排出するためのもので、上記研磨剤供給孔6と同様
に基板保持部3の回転中心に対して同心円状に配置され
ている。また、各々の研磨剤排出孔8は、研磨テーブル
1側に形成された研磨剤排出路9にそれぞれ連通してい
る。そして、図示せぬ研磨剤排出部の排出作用(真空引
きによる吸引作用や排気ファンにより排気作用)によ
り、研磨布2の表面に供給された研磨剤が研磨剤排出孔
8を介して研磨剤排出路9に取り込まれ、その研磨剤排
出路9を通して廃棄タンク等に排出されるようになって
いる。
に対応したかたち、例えば研磨剤供給孔6と交互の配置
形態で複数の研磨剤排出孔8が穿設されている。これら
の研磨剤排出孔8は、研磨布2の表面に供給された研磨
剤を排出するためのもので、上記研磨剤供給孔6と同様
に基板保持部3の回転中心に対して同心円状に配置され
ている。また、各々の研磨剤排出孔8は、研磨テーブル
1側に形成された研磨剤排出路9にそれぞれ連通してい
る。そして、図示せぬ研磨剤排出部の排出作用(真空引
きによる吸引作用や排気ファンにより排気作用)によ
り、研磨布2の表面に供給された研磨剤が研磨剤排出孔
8を介して研磨剤排出路9に取り込まれ、その研磨剤排
出路9を通して廃棄タンク等に排出されるようになって
いる。
【0012】さらに、上述のごとく研磨剤排出孔8、研
磨剤排出路9及び図示せぬ研磨剤排出部により成る研磨
剤排出系は、複数の系(図例では3つの系)から構成さ
れており、しかも各々の系は、基板保持部4の回転中心
に対して同心円状に配置された研磨剤排出孔8に対し、
それぞれ独立したかたちで設けられている。つまり、上
記研磨剤供給孔6と同様に、最内の同心円上に配置され
た研磨剤排出孔8には第1の研磨剤排出路9及び研磨剤
排出部(不図示)が接続され、また最外の同心円上に配
置された研磨剤排出孔6には第2の研磨剤排出路9及び
研磨剤排出部(不図示)が接続され、真ん中の同心円上
に配置された研磨剤排出孔8には図示せぬ第3の研磨剤
排出路及び研磨剤供給部が接続されている。
磨剤排出路9及び図示せぬ研磨剤排出部により成る研磨
剤排出系は、複数の系(図例では3つの系)から構成さ
れており、しかも各々の系は、基板保持部4の回転中心
に対して同心円状に配置された研磨剤排出孔8に対し、
それぞれ独立したかたちで設けられている。つまり、上
記研磨剤供給孔6と同様に、最内の同心円上に配置され
た研磨剤排出孔8には第1の研磨剤排出路9及び研磨剤
排出部(不図示)が接続され、また最外の同心円上に配
置された研磨剤排出孔6には第2の研磨剤排出路9及び
研磨剤排出部(不図示)が接続され、真ん中の同心円上
に配置された研磨剤排出孔8には図示せぬ第3の研磨剤
排出路及び研磨剤供給部が接続されている。
【0013】これに加えて本実施例においては、研磨剤
供給孔6からの研磨剤の供給量を制御するための手段と
して、各々の研磨剤供給系の研磨剤供給路7に開閉バル
ブ10が連結されており、この開閉バルブ10の開度を
適宜調整することで各同心円上に配置された研磨剤供給
孔6への研磨剤の供給量を個別に制御できるように構成
されている。また、研磨剤排出系についても、研磨剤排
出孔8からの研磨剤の排出量を制御するための手段とし
て、各々の研磨剤排出系の研磨剤排出路9に開閉バルブ
11が連結されており、この開閉バルブ11の開度を適
宜調整することで各同心円上に配置された研磨剤排出孔
8からの研磨剤の排出量を個別に制御できるように構成
されている。
供給孔6からの研磨剤の供給量を制御するための手段と
して、各々の研磨剤供給系の研磨剤供給路7に開閉バル
ブ10が連結されており、この開閉バルブ10の開度を
適宜調整することで各同心円上に配置された研磨剤供給
孔6への研磨剤の供給量を個別に制御できるように構成
されている。また、研磨剤排出系についても、研磨剤排
出孔8からの研磨剤の排出量を制御するための手段とし
て、各々の研磨剤排出系の研磨剤排出路9に開閉バルブ
11が連結されており、この開閉バルブ11の開度を適
宜調整することで各同心円上に配置された研磨剤排出孔
8からの研磨剤の排出量を個別に制御できるように構成
されている。
【0014】続いて、本実施例における化学的機械研磨
装置の動作について説明する。先ず、研磨テーブル1に
対向する状態で基板保持部4の下端面に基板5が保持さ
れると、研磨剤供給路8を通して送り込まれた研磨剤
(不図示)が研磨剤供給孔6から研磨布2の表面、つま
り研磨時における基板5と研磨布2との界面に供給され
る。次いで、回転軸3の回転とともに、基板保持部4に
て保持された基板5が回転し、そのまま図示せぬ研磨圧
力調整器の加圧力をもって研磨テーブル1上の研磨布2
に圧接される。
装置の動作について説明する。先ず、研磨テーブル1に
対向する状態で基板保持部4の下端面に基板5が保持さ
れると、研磨剤供給路8を通して送り込まれた研磨剤
(不図示)が研磨剤供給孔6から研磨布2の表面、つま
り研磨時における基板5と研磨布2との界面に供給され
る。次いで、回転軸3の回転とともに、基板保持部4に
て保持された基板5が回転し、そのまま図示せぬ研磨圧
力調整器の加圧力をもって研磨テーブル1上の研磨布2
に圧接される。
【0015】このとき、基板5の中央部を周辺部よりも
多く研磨したい場合は、各々の研磨剤供給系における開
閉バルブ10の開度を適宜調整することにより、最内の
同心円上に配置された研磨剤供給口6からの研磨剤の供
給量を、最外の同心円上に配置された研磨剤供給口6か
らの研磨剤の供給量よりも多めに設定し、反対に基板5
の周縁部をより多く研磨したい場合は、上記同様に開閉
バルブ10の開度調整により最外の同心円上に配置され
た研磨剤供給口6からの研磨剤の供給量を、最内の同心
円上に配置された研磨剤供給口6からの研磨剤の供給量
よりも多めに設定する。
多く研磨したい場合は、各々の研磨剤供給系における開
閉バルブ10の開度を適宜調整することにより、最内の
同心円上に配置された研磨剤供給口6からの研磨剤の供
給量を、最外の同心円上に配置された研磨剤供給口6か
らの研磨剤の供給量よりも多めに設定し、反対に基板5
の周縁部をより多く研磨したい場合は、上記同様に開閉
バルブ10の開度調整により最外の同心円上に配置され
た研磨剤供給口6からの研磨剤の供給量を、最内の同心
円上に配置された研磨剤供給口6からの研磨剤の供給量
よりも多めに設定する。
【0016】その際、本実施例の研磨装置の場合には、
基板5の中央部に供給された研磨剤が最内の同心円上に
配置された研磨剤排出孔8に、また基板5の周縁部に供
給された研磨剤が最外の同心円上に配置された研磨剤排
出孔8に、さらに最内と最外の中間部分に供給された研
磨剤が真ん中の同心円上に配置された研磨剤排出孔8に
それぞれ取り込まれ、そこから個別の研磨剤排出路9を
介して廃棄タンク等に排出される。このように本実施例
においては、研磨布2の表面に対する研磨剤の供給だけ
でなく、研磨布2の表面からの研磨剤の排出も行えるた
め、基板5の中央部から周辺部への研磨剤の拡散が効果
的に抑制され、基板5の被加工面内における研磨速度
を、基板全域にわたって均一に制御することができる。
さらに本実施例では、個々の研磨剤排出系に設けられた
開閉バルブ11の開度を適宜調整することにより、各研
磨剤排出孔8からの研磨剤の排出量を独立して制御する
ことができるため、基板5の被加工面内における研磨速
度をエリア毎にきめ細かく制御することもできる。
基板5の中央部に供給された研磨剤が最内の同心円上に
配置された研磨剤排出孔8に、また基板5の周縁部に供
給された研磨剤が最外の同心円上に配置された研磨剤排
出孔8に、さらに最内と最外の中間部分に供給された研
磨剤が真ん中の同心円上に配置された研磨剤排出孔8に
それぞれ取り込まれ、そこから個別の研磨剤排出路9を
介して廃棄タンク等に排出される。このように本実施例
においては、研磨布2の表面に対する研磨剤の供給だけ
でなく、研磨布2の表面からの研磨剤の排出も行えるた
め、基板5の中央部から周辺部への研磨剤の拡散が効果
的に抑制され、基板5の被加工面内における研磨速度
を、基板全域にわたって均一に制御することができる。
さらに本実施例では、個々の研磨剤排出系に設けられた
開閉バルブ11の開度を適宜調整することにより、各研
磨剤排出孔8からの研磨剤の排出量を独立して制御する
ことができるため、基板5の被加工面内における研磨速
度をエリア毎にきめ細かく制御することもできる。
【0017】なお、上記実施例の構成においては、研磨
布2に対して研磨剤供給孔6と研磨剤排出孔8とをそれ
ぞれ同心円状に交互に配置するようにしたが、各孔の配
置形態については、例えば、基板保持部4の回転中心か
ら放射状に配置したり、研磨布全域にわたってマトリク
ス状に配置したり、エリア毎に孔間の距離を変えつつ規
則的に配置する場合など種々の変形例が考えられ、特に
一つの形態に限定されるものではない。
布2に対して研磨剤供給孔6と研磨剤排出孔8とをそれ
ぞれ同心円状に交互に配置するようにしたが、各孔の配
置形態については、例えば、基板保持部4の回転中心か
ら放射状に配置したり、研磨布全域にわたってマトリク
ス状に配置したり、エリア毎に孔間の距離を変えつつ規
則的に配置する場合など種々の変形例が考えられ、特に
一つの形態に限定されるものではない。
【0018】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の化学的機
械研磨装置によれば、研磨テーブル側から研磨布の表面
に研磨剤を供給する研磨剤供給系に加えて、研磨布の表
面に供給された研磨剤を研磨テーブル側に排出する研磨
剤排出系を備えているため、基板の中央部から周辺部へ
の研磨剤の拡散が抑制され、基板の被加工面内における
研磨速度を均一に制御することが可能となる。その結
果、同一基板内での研磨速度の均一性が大幅に改善され
るとともに、被加工面内でエリア毎に任意に研磨速度を
制御することが可能となるため、化学的機械研磨におけ
る加工精度の向上が図られ、半導体装置としての信頼性
及び歩留りの向上に大いに貢献する。
械研磨装置によれば、研磨テーブル側から研磨布の表面
に研磨剤を供給する研磨剤供給系に加えて、研磨布の表
面に供給された研磨剤を研磨テーブル側に排出する研磨
剤排出系を備えているため、基板の中央部から周辺部へ
の研磨剤の拡散が抑制され、基板の被加工面内における
研磨速度を均一に制御することが可能となる。その結
果、同一基板内での研磨速度の均一性が大幅に改善され
るとともに、被加工面内でエリア毎に任意に研磨速度を
制御することが可能となるため、化学的機械研磨におけ
る加工精度の向上が図られ、半導体装置としての信頼性
及び歩留りの向上に大いに貢献する。
【図1】本発明に係わる化学的機械研磨装置の実施例の
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図2】従来装置の構成を示す図である。
【図3】他の従来装置の構成を示す図である。
1 研磨テーブル 2 研磨布 3 回転軸(基板保持機構の一構成部品) 4 基板保持部 5 基板 6 研磨剤供給孔 7 研磨剤供給路 8 研磨剤排出孔 9 研磨剤排出路 10 開閉バルブ(供給量制御用) 11 開閉バルブ(排出量制御用)
Claims (3)
- 【請求項1】 表面に研磨布が張設された研磨テーブル
と、 前記研磨テーブルに対向する状態で回転可能に支持され
た基板保持部を有し、該基板保持部にて基板を保持しつ
つ該基板の被加工面を前記研磨布を介して前記研磨テー
ブルの表面に圧接させる基板保持機構と、 前記研磨布に穿設された複数の研磨剤供給孔を有し、該
研磨剤供給孔を通して前記研磨テーブル側から研磨剤を
供給する研磨剤供給系と、 前記研磨剤供給孔に対応して前記研磨布に穿設された研
磨剤排出孔を有し、該研磨剤排出孔を通して前記研磨テ
ーブル側に研磨剤を排出する研磨剤排出系とを備えたこ
とを特徴とする化学的機械研磨装置。 - 【請求項2】 前記研磨剤排出系は研磨剤の排出量を制
御するための手段を具備したことを特徴とする請求項1
記載の化学的機械研磨装置。 - 【請求項3】 前記研磨剤排出系は複数の系から成るも
のであって、各々の系毎に前記研磨剤の排出量を制御す
るための手段を具備したことを特徴とする請求項2記載
の化学的機械研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30726194A JP3291946B2 (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30726194A JP3291946B2 (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167585A true JPH08167585A (ja) | 1996-06-25 |
| JP3291946B2 JP3291946B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=17966986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30726194A Expired - Fee Related JP3291946B2 (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3291946B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000280166A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-10-10 | Infineon Technol North America Corp | 改良されたcmp均一性 |
| CN1098746C (zh) * | 1998-02-26 | 2003-01-15 | 日本电气株式会社 | 化学机械抛光装置和化学机械抛光方法 |
| US6910955B2 (en) | 2000-03-27 | 2005-06-28 | Teijin Seiki Co., Ltd. | Rotary drive device of a polishing device |
| KR100546288B1 (ko) * | 1999-04-10 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 폴리싱 장치 |
| WO2007010717A1 (ja) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | ウエーハの両面研磨方法 |
| JP2009160695A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Nikon Corp | 研磨装置 |
| CN111805396A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抛光装置及抛光组件 |
| CN112264928A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种化学机械研磨设备 |
-
1994
- 1994-12-12 JP JP30726194A patent/JP3291946B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1098746C (zh) * | 1998-02-26 | 2003-01-15 | 日本电气株式会社 | 化学机械抛光装置和化学机械抛光方法 |
| JP2000280166A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-10-10 | Infineon Technol North America Corp | 改良されたcmp均一性 |
| KR100546288B1 (ko) * | 1999-04-10 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 폴리싱 장치 |
| US6910955B2 (en) | 2000-03-27 | 2005-06-28 | Teijin Seiki Co., Ltd. | Rotary drive device of a polishing device |
| WO2007010717A1 (ja) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | ウエーハの両面研磨方法 |
| JP2007021680A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | ウエーハの両面研磨方法 |
| US7727053B2 (en) | 2005-07-19 | 2010-06-01 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Double-side polishing method for wafer |
| JP2009160695A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Nikon Corp | 研磨装置 |
| CN111805396A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抛光装置及抛光组件 |
| CN112264928A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-01-26 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种化学机械研磨设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3291946B2 (ja) | 2002-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3334139B2 (ja) | 研磨装置 | |
| JP4217400B2 (ja) | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 | |
| US7108589B2 (en) | Polishing apparatus and method | |
| JP2943981B2 (ja) | 半導体ウェーハ用研磨パッドおよび研磨方法 | |
| JP2870537B1 (ja) | 研磨装置及び該装置を用いる半導体装置の製造方法 | |
| US6722949B2 (en) | Ventilated platen/polishing pad assembly for chemcial mechanical polishing and method of using | |
| JPH10286756A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法、ポリッシング装置及び半導体装置の製造方法 | |
| US5895270A (en) | Chemical mechanical polishing method and apparatus | |
| US6218306B1 (en) | Method of chemical mechanical polishing a metal layer | |
| JP3291946B2 (ja) | 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨法 | |
| CN100364720C (zh) | 在化学机械抛光过程中抛光晶片的方法和携载头 | |
| US6394882B1 (en) | CMP method and substrate carrier head for polishing with improved uniformity | |
| JPH09234670A (ja) | 化学機械的研磨装置及びこれを用いた化学機械的研磨方法 | |
| JP2005032959A (ja) | 真空チャック、研磨装置、露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| US6248006B1 (en) | CMP uniformity | |
| US6147001A (en) | Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device | |
| KR100423909B1 (ko) | 화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 헤드 및 그것을이용한 폴리싱방법 | |
| JP2001150333A (ja) | 研磨パッド | |
| US6769970B1 (en) | Fluid venting platen for optimizing wafer polishing | |
| KR100638995B1 (ko) | 화학기계적 연마장치 및 이 장치를 이용한 연마 방법 | |
| JPH08267357A (ja) | 基板の研磨装置及びその研磨方法 | |
| US6336853B1 (en) | Carrier having pistons for distributing a pressing force on the back surface of a workpiece | |
| JPH11114810A (ja) | 化学的機械研磨装置 | |
| JP3095516B2 (ja) | ワックスレス型研磨装置 | |
| JP2000228377A (ja) | 半導体装置の研磨方法および研磨装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080329 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090329 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100329 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |