JPH0817050A - Magnetic recording media - Google Patents
Magnetic recording mediaInfo
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- JPH0817050A JPH0817050A JP6146286A JP14628694A JPH0817050A JP H0817050 A JPH0817050 A JP H0817050A JP 6146286 A JP6146286 A JP 6146286A JP 14628694 A JP14628694 A JP 14628694A JP H0817050 A JPH0817050 A JP H0817050A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気記録媒体の摺動耐久性を向上し、信頼性
を高める。
【構成】 非磁性支持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性
層を形成し、前記磁性層上に二酸化珪素よりなる保護膜
を形成し、該保護膜のビッカース硬度を200以上とす
る。なお、二酸化珪素よりなる保護膜は、酸素雰囲気中
で珪素を蒸着して形成されることが好ましい。(57) [Summary] [Purpose] To improve the sliding durability of a magnetic recording medium and enhance its reliability. A magnetic layer made of a metal magnetic thin film is formed on a non-magnetic support, a protective film made of silicon dioxide is formed on the magnetic layer, and the Vickers hardness of the protective film is 200 or more. The protective film made of silicon dioxide is preferably formed by depositing silicon in an oxygen atmosphere.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、保護膜を有する磁気記
録媒体に関し、特に摺動耐久性の向上された磁気記録媒
体に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic recording medium having a protective film, and more particularly to a magnetic recording medium having improved sliding durability.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、磁気記録媒体としては、酸化
物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩
化ビニル−酢酸ビニル系共重合体,ポリエステル樹脂,
ウレタン樹脂,ポリウレタン樹脂等の有機結合剤中に分
散せしめた磁性塗料を非磁性支持体上に塗布、乾燥する
ことにより作成される塗布型の磁気記録媒体が広く使用
されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a magnetic recording medium, a powder magnetic material such as oxide magnetic powder or alloy magnetic powder is used as a vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyester resin,
A coating-type magnetic recording medium prepared by coating a non-magnetic support with a magnetic coating material dispersed in an organic binder such as urethane resin or polyurethane resin and drying it is widely used.
【0003】これに対して、高密度磁気記録への要求の
高まりと共に、Co−Ni合金、Co−Cr合金、Co
−O等の金属磁性材料を、メッキや真空薄膜形成手段
(真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティン
グ法等)によってポリエステルフィルムやポリアミド、
ポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に磁性層として
直接被着した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体
が提案され注目を集めている。On the other hand, with the increasing demand for high-density magnetic recording, Co--Ni alloys, Co--Cr alloys, Co
A metallic magnetic material such as —O is coated with a polyester film or polyamide by plating or a vacuum thin film forming means (vacuum deposition method, sputtering method, ion plating method, etc.).
A so-called metal magnetic thin film type magnetic recording medium, which is directly deposited as a magnetic layer on a non-magnetic support such as a polyimide film, has been proposed and attracted attention.
【0004】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は抗磁
力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性に優れる
ばかりでなく、磁性層の厚みをきわめて薄くできるため
記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さいこと、磁性
層中に非磁性材である結合剤を混入する必要が無いため
磁性材料の充填密度を高めることが出来ることなど、数
々の利点を有している。すなわち、上記金属磁性薄膜型
の磁気記録媒体は、磁気特性的な優位さ故に高密度磁気
記録に対応する磁気記録媒体の主流になると考えられ
る。This metal magnetic thin film type magnetic recording medium is excellent not only in coercive force and squareness ratio but also in electromagnetic conversion characteristics at short wavelengths, and since the thickness of the magnetic layer can be made extremely thin, recording demagnetization and reproduction are required. Has a number of advantages such as a significantly small thickness loss and the fact that it is not necessary to mix a binder which is a non-magnetic material in the magnetic layer, so that the packing density of the magnetic material can be increased. That is, it is considered that the metal magnetic thin film type magnetic recording medium is the mainstream of magnetic recording media compatible with high density magnetic recording because of its superior magnetic characteristics.
【0005】なお、この種の磁気記録媒体の電磁変換特
性を向上させ、より大きな出力を得ることを可能とする
ために、該磁気記録媒体の磁性層を形成する際に磁性層
を斜めに蒸着する、いわゆる斜方蒸着を行った磁気記録
媒体が提案され、実用化されている。In order to improve the electromagnetic conversion characteristics of this type of magnetic recording medium and to obtain a larger output, the magnetic layer is obliquely deposited when forming the magnetic layer of the magnetic recording medium. A magnetic recording medium that has been subjected to so-called oblique vapor deposition has been proposed and put into practical use.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、今後、さら
なる高記録密度化が要求されることが予想される。その
ため、上記のような磁気記録媒体をスペーシング損失を
少なくするために平滑化する傾向にある。しかしなが
ら、磁気記録媒体の平滑化に伴い、磁気ヘッド,磁気記
録媒体間の摩擦力は増大し、磁気記録媒体に生じるせん
断応力は大きくなる。そこで、このような磁気記録媒体
においては、摺動耐久性を向上させるべく、磁性層上に
保護膜を形成することが検討されている。なお、上記保
護膜としては、カーボン膜,二酸化珪素膜,ジルコニア
膜等が挙げられる。ところが、磁性層表面に単に保護膜
を形成しただけでは、摺動耐久性を向上させることは難
しい。By the way, it is expected that a higher recording density will be required in the future. Therefore, the above magnetic recording medium tends to be smoothed to reduce spacing loss. However, as the magnetic recording medium is smoothed, the frictional force between the magnetic head and the magnetic recording medium increases, and the shear stress generated in the magnetic recording medium also increases. Therefore, in such a magnetic recording medium, formation of a protective film on the magnetic layer has been studied in order to improve sliding durability. The protective film may be a carbon film, a silicon dioxide film, a zirconia film, or the like. However, it is difficult to improve sliding durability simply by forming a protective film on the surface of the magnetic layer.
【0007】そこで、本発明は従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、摺動耐久性が向上されて、特に磁気
テープ等の磁気記録媒体に適用して好適な磁気記録媒体
を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been proposed in view of the conventional circumstances, and provides a magnetic recording medium which is improved in sliding durability and is particularly applicable to a magnetic recording medium such as a magnetic tape. The purpose is to
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に金属磁
性薄膜よりなる磁性層が形成され、前記磁性層上に二酸
化珪素よりなる保護膜が形成されており、該保護膜のビ
ッカース硬度が200以上であることを特徴とするもの
である。In order to achieve the above object, the magnetic recording medium of the present invention comprises a magnetic layer comprising a metal magnetic thin film formed on a non-magnetic support, and the magnetic layer is formed of silicon dioxide. Is formed, and the Vickers hardness of the protective film is 200 or more.
【0009】上記二酸化珪素よりなる保護膜のビッカー
ス硬度が200よりも小さいと、十分な摺動耐久性を得
ることは難しい。If the Vickers hardness of the protective film made of silicon dioxide is less than 200, it is difficult to obtain sufficient sliding durability.
【0010】上記のような磁気記録媒体の保護膜を形成
する手法としては、蒸着法,イオンプレーディング法,
スパッタリング法,CVD法等の薄膜形成手段が挙げら
れる。そして、これらの薄膜形成手段により磁気記録媒
体の保護膜を形成する際、種々の条件を選定すること
で、二酸化珪素よりなる保護膜のビッカース硬度を20
0以上とすることができる。As a method of forming the protective film of the magnetic recording medium as described above, a vapor deposition method, an ion plating method,
A thin film forming means such as a sputtering method or a CVD method can be used. When the protective film of the magnetic recording medium is formed by these thin film forming means, the Vickers hardness of the protective film made of silicon dioxide is set to 20 by selecting various conditions.
It can be 0 or more.
【0011】上記蒸着法は、薄膜形成材料を加熱蒸発さ
せて蒸発粒子を基板上に堆積させて薄膜を形成する技術
である。加熱蒸発させる方法としては、抵抗加熱,高周
波加熱,フラッシュ加熱,電子ビーム加熱等が挙げられ
る。なお、蒸着中にガスを導入して蒸着粒子と反応させ
れば、反応性蒸着も可能である。The vapor deposition method is a technique for forming a thin film by heating and evaporating a thin film forming material to deposit evaporated particles on a substrate. Examples of the method of heating and evaporating include resistance heating, high frequency heating, flash heating, electron beam heating and the like. Reactive vapor deposition is also possible by introducing a gas during vapor deposition to react with vapor deposited particles.
【0012】また、イオンプレーディング法は、抵抗加
熱,高周波加熱,電子衝撃による加熱により薄膜形成材
料或いはその成分金属を、アルゴン等の不活性ガス或い
は酸素,窒素等の活性ガスを含む低真空中へ蒸発させ、
DC放電,RF放電,電子衝撃等によりイオン化して電
界で加速し、そのまま或いは雰囲気活性ガスと反応させ
て基板上に堆積させて薄膜を形成する技術である。In the ion plating method, the thin film forming material or its component metal is heated in a low vacuum containing an inert gas such as argon or an active gas such as oxygen or nitrogen by resistance heating, high frequency heating, or heating by electron impact. Evaporate to
It is a technique for forming a thin film by ionizing by DC discharge, RF discharge, electron impact, etc. and accelerating by an electric field, and as it is or by reacting with an atmosphere active gas to deposit it on a substrate.
【0013】そして、スパッタリング法は、電場や磁場
を利用してアルゴン等の不活性ガスを電離(プラズマ
化)してこの電離されたアルゴンイオンを加速し、その
運動エネルギーにより薄膜形成材料よりなるターゲット
から原子を叩き出し、この叩き出された原子を基板上に
堆積させて薄膜を形成する技術である。特に交流電場を
使用するRFスパッタリング法は、ターゲット材として
金属材料,非金属材料の両方が使用できることから、多
くの種類の薄膜の形成が可能である。In the sputtering method, an inert gas such as argon is ionized (converted into plasma) by utilizing an electric field or a magnetic field to accelerate the ionized argon ions, and the kinetic energy thereof is used to form a target made of a thin film forming material. This is a technique for forming a thin film by ejecting atoms from the substrate and depositing the ejected atoms on the substrate. In particular, the RF sputtering method using an alternating electric field can form many kinds of thin films because both a metallic material and a non-metallic material can be used as a target material.
【0014】さらに、CVD法は、電場や磁場を用いて
発生させたプラズマのエネルギーを利用し、気化された
原料に気相または基板表面で分解・結合等の化学反応を
起こして薄膜を形成する技術である。特に、最近では、
上記CVD法によりカーボン膜においてもより硬度な膜
であるダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜等の形
成を行う検討もなされている。Further, in the CVD method, the energy of plasma generated by using an electric field or a magnetic field is used to cause a chemical reaction such as decomposition / bonding on the vaporized raw material in the vapor phase or on the substrate surface to form a thin film. It is a technology. Especially recently
Studies have also been made to form a diamond-like carbon (DLC) film, which is a harder carbon film, by the above CVD method.
【0015】上記薄膜形成手段のうち、スパッタリング
法,CVD法は、蒸着法やイオンプレーディング法と比
較して薄膜形成速度が遅く、生産性が良好ではないとい
う不都合を有しており、生産性の観点からは、保護膜形
成手段としては蒸着法やイオンプレーディング法を用い
ることが好ましい。Among the above-mentioned thin film forming means, the sputtering method and the CVD method have a disadvantage that the thin film forming rate is slower than the vapor deposition method and the ion plating method, and the productivity is not good. From this point of view, it is preferable to use a vapor deposition method or an ion plating method as the protective film forming means.
【0016】なお、本発明の磁気記録媒体においては、
二酸化珪素よりなる保護膜を酸素雰囲気中で珪素を蒸着
して形成することが好ましい。In the magnetic recording medium of the present invention,
It is preferable to form a protective film made of silicon dioxide by depositing silicon in an oxygen atmosphere.
【0017】[0017]
【作用】本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に金
属磁性薄膜よりなる磁性層が形成され、前記磁性層上に
二酸化珪素よりなる保護膜が形成されており、該保護膜
のビッカース硬度が200以上とされているため、良好
な摺動耐久性を有する。In the magnetic recording medium of the present invention, a magnetic layer made of a metal magnetic thin film is formed on a non-magnetic support, and a protective film made of silicon dioxide is formed on the magnetic layer, and the Vickers of the protective film is formed. Since the hardness is 200 or more, it has good sliding durability.
【0018】なお、本発明の磁気記録媒体において、二
酸化珪素よりなる保護膜を酸素雰囲気中で珪素を蒸着し
て形成すれば、生産性が良好なものとなる。In the magnetic recording medium of the present invention, if the protective film made of silicon dioxide is formed by depositing silicon in an oxygen atmosphere, the productivity will be good.
【0019】[0019]
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて実験結果に基づいて説明する。本実験例において
は、磁気記録媒体として磁気テープを使用し、該磁気テ
ープの二酸化珪素よりなる保護膜を蒸着法,イオンプレ
ーディング法,スパッタリング法により形成して磁気テ
ープサンプルを製造し、これらの磁気テープサンプルの
摺動耐久性,スキャン傷の発生を測定した。また、それ
ぞれの保護膜のビッカース硬度も測定した。EXAMPLES Specific examples to which the present invention is applied will be described below based on experimental results. In this experimental example, a magnetic tape was used as a magnetic recording medium, and a protective film made of silicon dioxide of the magnetic tape was formed by an evaporation method, an ion plating method, and a sputtering method to manufacture a magnetic tape sample. The sliding durability of the magnetic tape sample and the occurrence of scan scratches were measured. The Vickers hardness of each protective film was also measured.
【0020】先ず、本実験例において使用した真空蒸着
装置について図面を参照しながら説明する。この真空蒸
着装置は、図1に示すように、内部が真空状態となされ
た真空室1内の上部左右に送り出しロール2,巻取りロ
ール3を配設するとともに、真空室1中央にキャンロー
ル4を配してなるものである。なお、真空室1の上下に
は排気口5a,5bが設けられており、ここから排気す
ることにより真空室1内部を真空状態とする。また、送
り出しロール2とキャンロール4の間にはガイドロール
6、キャンロール4と巻取りロール3の間にはガイドロ
ール7が配設されている。First, the vacuum vapor deposition apparatus used in this experimental example will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 1, this vacuum vapor deposition apparatus has delivery rolls 2 and take-up rolls 3 arranged on the upper and left sides of a vacuum chamber 1 whose inside is in a vacuum state, and a can roll 4 in the center of the vacuum chamber 1. Are arranged. It should be noted that exhaust ports 5a and 5b are provided above and below the vacuum chamber 1, and the interior of the vacuum chamber 1 is brought into a vacuum state by exhausting from there. Further, a guide roll 6 is arranged between the delivery roll 2 and the can roll 4, and a guide roll 7 is arranged between the can roll 4 and the winding roll 3.
【0021】上記キャンロール4は、送り出しロール2
に巻装されている磁性層の形成された可撓性連続基板8
を図中下方に引き出すように設けられ、送り出しロール
2や巻取りロール3の径よりも大径となされている。な
お、送り出しロール2、巻取りロール3及びキャンロー
ル4は、それぞれ可撓性連続基板8と略同一な幅を有す
る円筒状をなすものであり、上記キャンロール4には、
内部に図示しない温度制御装置が設けられ、上記可撓性
連続基板8の温度を任意に制御するようになっている。The can roll 4 is a delivery roll 2
Flexible continuous substrate 8 having a magnetic layer wound around it
Is provided so as to be drawn downward in the figure, and has a diameter larger than the diameter of the delivery roll 2 and the winding roll 3. The delivery roll 2, the winding roll 3, and the can roll 4 each have a cylindrical shape having a width substantially the same as that of the flexible continuous substrate 8.
A temperature control device (not shown) is provided inside, and the temperature of the flexible continuous substrate 8 is arbitrarily controlled.
【0022】そして、ガイドロール6,7は、それぞ
れ、送り出しロール2とキャンロール4の間、キャンロ
ール4と巻取りロール3の間に配設され、キャンロール
4よりも図中上方に設けられている。すなわち、ガイド
ロール6,7は、送り出しロール2からキャンロール4
に供給され、キャンロール4から巻取りロール3に巻取
られる可撓性連続基板8に所定のテンションをかけ、該
可撓性連続基板8が確実にキャンロール4の周面上を走
行するようにするものである。The guide rolls 6 and 7 are arranged between the feed roll 2 and the can roll 4 and between the can roll 4 and the take-up roll 3, respectively, and are provided above the can roll 4 in the figure. ing. That is, the guide rolls 6 and 7 are from the delivery roll 2 to the can roll 4
Is applied to the flexible continuous substrate 8 wound on the take-up roll 3 from the can roll 4 by applying a predetermined tension so that the flexible continuous substrate 8 reliably travels on the peripheral surface of the can roll 4. It is something to do.
【0023】また、キャンロール4の下方にはルツボ9
が設けられ、このルツボ9内には図示しない薄膜形成材
料が充填されている。上記キャンロール4と薄膜形成材
料の充填されたルツボ9の間にあって該キャンロール4
の近傍には、キャンロール4の周面に対向するように湾
曲形成されてシャッター10が配設されている。Below the can roll 4, a crucible 9 is provided.
The crucible 9 is filled with a thin film forming material (not shown). The can roll 4 is located between the can roll 4 and the crucible 9 filled with the thin film forming material.
In the vicinity of, the shutter 10 is provided so as to be curved so as to face the peripheral surface of the can roll 4.
【0024】さらに、真空室1外部の側壁部には電子銃
11が設けられている。この電子銃11は、該電子銃1
1から照射される図中破線で示すような電子線Xがルツ
ボ9内に充填される薄膜形成材料に掃引照射されるよう
な位置に配されており、上記電子線Xの照射により薄膜
形成材料を加熱蒸発させることが可能となされている。Further, an electron gun 11 is provided on the side wall portion outside the vacuum chamber 1. The electron gun 11 is the electron gun 1.
The thin film forming material filled in the crucible 9 is swept and irradiated with the electron beam X irradiated by the electron beam X in the figure, and the thin film forming material is irradiated by the electron beam X. Is capable of being heated and evaporated.
【0025】また、上記ルツボ9とシャッター10の間
にはガス導入管12が配され、このガス導入管12を通
じて蒸着中にガスを導入することが可能とされており、
加熱蒸発した薄膜形成材料とガスを反応させて蒸着させ
る、いわゆる反応性蒸着が可能とされている。A gas introducing pipe 12 is arranged between the crucible 9 and the shutter 10, and a gas can be introduced through the gas introducing pipe 12 during vapor deposition.
The so-called reactive vapor deposition is possible, in which a thin film forming material that has been heated and vaporized reacts with a gas for vapor deposition.
【0026】以上のように構成される真空蒸着装置にお
いては、送り出しロール2に巻装された可撓性連続基板
8は、例えば時計回り方向に定速回転する送り出しロー
ル2から図中矢印M1 方向に送り出され、ガイドロール
6による所定のテンションを受けながら、例えば時計回
り方向に定速回転するキャンロール4に供給される。そ
して、キャンロール4からガイドロール7によって所定
のテンションを受けながら図中上方に引き上げられ、例
えば時計回り方向に定速回転する巻取りロール3に図中
矢印M1 方向に走行して巻取られる。In the vacuum vapor deposition apparatus constructed as described above, the flexible continuous substrate 8 wound around the delivery roll 2 is fed from the delivery roll 2 which rotates at a constant speed in the clockwise direction, for example, as indicated by an arrow M 1 in the figure. And is supplied to the can roll 4 that rotates at a constant speed in the clockwise direction, for example, while receiving a predetermined tension from the guide roll 6. Then, it is pulled up from the can roll 4 by the guide roll 7 while receiving a predetermined tension, and is wound around the winding roll 3 rotating in the clockwise direction at a constant speed in the direction of the arrow M 1 in the drawing. .
【0027】そして、非磁性体である可撓性連続基板8
は、上記キャンロール4の周面を通過する際に蒸着加工
される。The flexible continuous substrate 8 which is a non-magnetic material
Is vapor-deposited when passing through the peripheral surface of the can roll 4.
【0028】すなわち、図1の真空室内には、上述のよ
うにキャンロール4の下方に薄膜形成材料が充填された
ルツボ9が設けられており、このルツボ9は上記キャン
ロール4の幅と同一の幅からなるものである。そして、
このルツボ9に充填された薄膜形成材料は真空室1外部
に設けられた電子銃11から照射される電子線Xによっ
て加熱蒸発させられる。このとき、ガス導入管12から
ガスが真空室内に導入されている。従って、上記電子線
Xによって蒸発した薄膜形成材料は、ガスと反応した
後、上記キャンロール4の周面を定速走行する可撓性連
続基板8上に被着し、保護膜として被着形成される。That is, in the vacuum chamber of FIG. 1, a crucible 9 filled with a thin film forming material is provided below the can roll 4 as described above, and the crucible 9 has the same width as the can roll 4. It consists of the width of. And
The thin film forming material with which the crucible 9 is filled is heated and evaporated by the electron beam X emitted from the electron gun 11 provided outside the vacuum chamber 1. At this time, the gas is introduced into the vacuum chamber from the gas introduction pipe 12. Therefore, the thin film forming material evaporated by the electron beam X reacts with the gas, and then adheres to the flexible continuous substrate 8 traveling at a constant speed on the peripheral surface of the can roll 4 to form a protective film. To be done.
【0029】なお、このとき、前述のシャッター10が
キャンロール4の所定の領域を覆うように配設されてい
るため、上記薄膜形成材料は所定の角度範囲で蒸着する
こととなる。At this time, since the shutter 10 is disposed so as to cover a predetermined region of the can roll 4, the thin film forming material is vapor-deposited within a predetermined angle range.
【0030】次に、本実験例において使用したイオンプ
レーディング装置について図面を参照しながら説明す
る。このイオンプレーディング装置は、前述の真空蒸着
装置と略同様の構成を有するものである。すなわち、上
下に排気口25a,25bが配され内部が真空状態とな
された真空室21内に、送り出しロール22,巻取りロ
ール23,冷却キャン24が配され、送り出しロール2
2,冷却キャン24,巻取りロール23の間にはそれぞ
れガイドロール26,27が配設されている。そして、
これら送り出しロール22,ガイドロール26,冷却キ
ャン24,ガイドロール27,巻取りロール23の上を
可撓性連続基板28が図中矢印M2 で示すような方向で
順次走行するようになされている。Next, the ion plating apparatus used in this experimental example will be described with reference to the drawings. This ion plating device has a configuration similar to that of the above-described vacuum vapor deposition device. That is, the delivery roll 22, the take-up roll 23, and the cooling can 24 are disposed in the vacuum chamber 21 in which the exhaust ports 25a and 25b are arranged above and below and the inside is in a vacuum state.
2, guide rolls 26 and 27 are arranged between the cooling can 24 and the winding roll 23, respectively. And
The flexible continuous substrate 28 sequentially runs on the feed roll 22, the guide roll 26, the cooling can 24, the guide roll 27, and the winding roll 23 in the direction indicated by the arrow M 2 in the figure. .
【0031】また、冷却キャン24の下方には図示しな
い薄膜形成材料の充填されたルツボ29が設けられ、上
記冷却キャン24とルツボ29の間の冷却キャン24の
近傍には、冷却キャン24の周面に対向するように湾曲
形成されてシャッター30が配設されている。A crucible 29 filled with a thin film forming material (not shown) is provided below the cooling can 24, and the cooling can 24 is provided between the cooling can 24 and the crucible 29 in the vicinity of the cooling can 24. A shutter 30 is arranged so as to be curved so as to face the surface.
【0032】さらに、真空室21外部の側壁部には電子
銃31が設けられている。また、上記ルツボ29とシャ
ッター30の間にはガス導入管32が配されている。Further, an electron gun 31 is provided on the side wall outside the vacuum chamber 21. A gas introduction pipe 32 is arranged between the crucible 29 and the shutter 30.
【0033】なお、これらの各構成部材の形状,役割等
は前述の真空蒸着装置と同様である。The shape, role, etc. of each of these constituent members are the same as those of the aforementioned vacuum vapor deposition apparatus.
【0034】そして、このイオンプレーディング装置に
おいては、薄膜形成材料の充填されているルツボ29と
シャッター30の間にコイル33が設けられ、該コイル
33には整合器35を介して高周波電源34が接続され
ている。In this ion plating apparatus, a coil 33 is provided between the crucible 29 filled with the thin film forming material and the shutter 30, and the coil 33 is provided with a high frequency power source 34 via a matching unit 35. It is connected.
【0035】この高周波電源34から整合器35を介し
てコイル33に高周波(例えば13.56MHz)を導
入させた状態で、ガス導入管32からガスを導入する
と、上記ガスは励起されプラズマ化される。すなわち、
電子銃31の図中破線で示す電子線Xにより加熱蒸発さ
せられた薄膜形成材料は上記プラズマ中を通ることとな
り、薄膜形成材料の蒸気の一部はイオン化されて、冷却
キャン24の周面を定速走行する可撓性連続基板28上
に被着され、保護膜として被着形成される。なお、冷却
キャン24上を走行する可撓性連続基板28には直流電
源37に接続されるバイアス電極36からDCバイアス
電圧が印加されるようになされている。When a high frequency (for example, 13.56 MHz) is introduced from the high frequency power source 34 into the coil 33 through the matching device 35, when the gas is introduced from the gas introduction pipe 32, the gas is excited and turned into plasma. . That is,
The thin film forming material heated and evaporated by the electron beam X shown by the broken line in the drawing of the electron gun 31 passes through the plasma, and a part of the vapor of the thin film forming material is ionized and the peripheral surface of the cooling can 24 is It is deposited on the flexible continuous substrate 28 that runs at a constant speed, and is deposited as a protective film. A DC bias voltage is applied to the flexible continuous substrate 28 running on the cooling can 24 from a bias electrode 36 connected to a DC power supply 37.
【0036】次に、本実験例において使用したスパッタ
リング装置について図面を参照しながら説明する。この
スパッタリング装置は、前述の真空蒸着装置と略同様の
構成を有するものである。すなわち、上下に排気口45
a,45bが配され内部が真空状態となされた真空室4
1内に、送り出しロール42,巻取りロール43,冷却
キャン44が配され、送り出しロール42,冷却キャン
44,巻取りロール43の間にはそれぞれガイドロール
46,47が配設されている。そして、これら送り出し
ロール42,ガイドロール46,冷却キャン44,ガイ
ドロール47,巻取りロール43の上を可撓性連続基板
48が図中矢印M3 で示すような方向で順次走行するよ
うになされている。Next, the sputtering apparatus used in this experimental example will be described with reference to the drawings. This sputtering apparatus has a configuration substantially similar to that of the vacuum vapor deposition apparatus described above. That is, the exhaust port 45
Vacuum chamber 4 in which a and 45b are arranged and the inside is in a vacuum state
A delivery roll 42, a take-up roll 43, and a cooling can 44 are arranged in the unit 1, and guide rolls 46 and 47 are provided between the delivery roll 42, the cooling can 44, and the take-up roll 43, respectively. Then, the flexible continuous substrate 48 is sequentially run on the feed roll 42, the guide roll 46, the cooling can 44, the guide roll 47, and the winding roll 43 in the direction shown by the arrow M 3 in the drawing. ing.
【0037】なお、これらの各構成部材の形状,役割等
は前述の真空蒸着装置と同様である。The shape and role of each of these constituent members are the same as those of the above-described vacuum vapor deposition apparatus.
【0038】そして、上記スパッタリング装置において
は、冷却キャン44の下方にスパッタ電極49が設けら
れ、上記スパッタ電極49上には薄膜形成材料よりなる
ターゲット51が配され、かつ整合器55を介して高周
波電源54が接続されている。なお、上記冷却キャン4
4とスパッタ電極49の間の冷却キャン44の近傍に
は、冷却キャン44の周面に対向するように湾曲形成さ
れてシャッター50が配設されている。さらに、上記ス
パッタ電極49とシャッター50の間にはガスを導入す
るガス導入管52が配されている。In the sputtering apparatus, a sputter electrode 49 is provided below the cooling can 44, a target 51 made of a thin film forming material is arranged on the sputter electrode 49, and a high frequency wave is passed through a matching unit 55. The power supply 54 is connected. The cooling can 4
A shutter 50, which is curved and formed so as to face the peripheral surface of the cooling can 44, is provided near the cooling can 44 between the electrode 4 and the sputter electrode 49. Further, a gas introduction pipe 52 for introducing gas is arranged between the sputtering electrode 49 and the shutter 50.
【0039】従って、ガス導入管52から導入されるガ
スにより、ターゲット51をスパッタリングすれば、冷
却キャン44の周面を定速走行する可撓性連続基板48
上に薄膜形成材料が被着され、保護膜として被着形成さ
れる。Therefore, if the target 51 is sputtered by the gas introduced from the gas introduction pipe 52, the flexible continuous substrate 48 traveling at a constant speed on the peripheral surface of the cooling can 44.
A thin film-forming material is applied on top and is formed as a protective film.
【0040】そして、上記のような装置を用いて磁気テ
ープの二酸化珪素よりなる保護膜を形成し、磁気テープ
サンプルを製造した。また、保護膜の硬度測定用サンプ
ルも製造した。Then, a protective film made of silicon dioxide of the magnetic tape was formed using the apparatus as described above to manufacture a magnetic tape sample. A sample for measuring the hardness of the protective film was also manufactured.
【0041】上記磁気テープサンプルは以下のようにし
て製造した。すなわち、先ず、図1に示した真空蒸着装
置を用い、可撓性連続基板8,28,48としてポリエ
チレンテレフタレート(PET)よりなるベースフィル
ムを用い、その上にCo−Ni−O金属磁性薄膜よりな
る磁性層を形成した。The above magnetic tape sample was manufactured as follows. That is, first, using the vacuum deposition apparatus shown in FIG. 1, a base film made of polyethylene terephthalate (PET) is used as the flexible continuous substrate 8, 28, 48, and a Co—Ni—O metal magnetic thin film is formed on the base film. Was formed.
【0042】上記金属磁性薄膜の形成は、電子銃パワー
を30kWとし、真空度を2×10 -2Paとし、蒸着材
料をCo−Niとし、導入ガスを酸素ガスとして反応性
蒸着により行い、その膜厚は200nmとした。The metal magnetic thin film is formed by electron gun power.
Is 30 kW and the degree of vacuum is 2 × 10 -2Pa, vapor deposition material
Reactivity with Co-Ni as the material and oxygen gas as the introduced gas
The film thickness was set to 200 nm by vapor deposition.
【0043】次に、上記金属磁性薄膜よりなる磁性層上
に各装置を用いて二酸化珪素よりなる保護膜をそれぞれ
形成して磁気テープサンプルを得た。すなわち、各装置
の可撓性連続基板8,28,48として磁性層の形成さ
れたベースフィルムを用い、この上に保護膜を形成して
磁気テープサンプルを製造した。Next, a protective film made of silicon dioxide was formed on each of the magnetic layers made of the metal magnetic thin film by using each device to obtain a magnetic tape sample. That is, a magnetic tape sample was manufactured by using a base film having a magnetic layer formed thereon as the flexible continuous substrate 8, 28, 48 of each device and forming a protective film on the base film.
【0044】上記保護膜を真空蒸着装置により形成する
場合には、電子銃パワーを5kWとし、真空度を2×1
0-2Paとし、蒸着材料をSiとし、導入ガスを酸素ガ
スとし、基板温度を45℃として反応性蒸着により形成
し、膜厚を10nmとし、製造された磁気テープサンプ
ルを実施例1とした。また、同装置を使用して基板温度
を20℃とし、他の条件を同条件として製造した磁気テ
ープサンプルを比較例1とした。When the protective film is formed by a vacuum vapor deposition apparatus, the electron gun power is 5 kW and the degree of vacuum is 2 × 1.
The magnetic tape sample was manufactured as Example 1 at 0 -2 Pa, Si as the vapor deposition material, oxygen gas as the introduction gas, reactive substrate vapor deposition at a substrate temperature of 45 ° C, and a film thickness of 10 nm. . Further, a magnetic tape sample manufactured under the same conditions with the substrate temperature set to 20 ° C. using the same apparatus was set as Comparative Example 1.
【0045】上記保護膜をイオンプレーディング装置に
より形成する場合には、電子銃パワーを6kWとし、真
空度を2×10-2Paとし、蒸着材料をSiとし、導入
ガスを酸素ガスとし、高周波電力を100Wとし、DC
バイアス電圧を−100Vとし、保護膜厚を10nmと
し、製造された磁気テープサンプルを実施例2とした。When the protective film is formed by an ion plating apparatus, the electron gun power is 6 kW, the vacuum degree is 2 × 10 -2 Pa, the vapor deposition material is Si, the introduction gas is oxygen gas, and the high frequency is used. DC power with 100W
The bias voltage was set to −100 V, the protective film thickness was set to 10 nm, and the manufactured magnetic tape sample was used as Example 2.
【0046】上記保護膜をスパッタリング装置により形
成する場合には、真空度を4.6×10-1Paとし、タ
ーゲットをSiO2 とし、スパッタガスをアルゴンガス
とし、高周波電力を300Wとし、保護膜厚を10nm
とし、製造された磁気テープサンプルを実施例3とし
た。When the protective film is formed by a sputtering apparatus, the degree of vacuum is 4.6 × 10 -1 Pa, the target is SiO 2 , the sputter gas is argon gas, the high frequency power is 300 W, and the protective film is Thickness 10 nm
The manufactured magnetic tape sample is referred to as Example 3.
【0047】また、上記保護膜の硬度測定用サンプルは
以下のようにして製造した。すなわち、PETよりなる
ベースフィルム上にSi基板を貼り付け、この上に実施
例1〜3及び比較例1の磁気テープサンプルの保護膜と
同様の保護膜を膜厚を100nmとして形成して硬度測
定用サンプルとした。A sample for measuring the hardness of the protective film was manufactured as follows. That is, a Si substrate was attached on a base film made of PET, and a protective film similar to the protective film of the magnetic tape samples of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 was formed on the Si substrate with a film thickness of 100 nm to measure hardness. Was used as a sample.
【0048】そして、上記実施例1〜3及び比較例1の
磁気テープサンプルの摺動耐久性とスキャン傷の発生を
測定し、それぞれの磁気テープサンプルと同様の保護膜
を有する硬度測定用サンプルのビッカース硬度を測定し
た。Then, the sliding durability and the occurrence of scan scratches of the magnetic tape samples of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were measured, and the hardness measurement samples having the same protective film as those of the magnetic tape samples were prepared. Vickers hardness was measured.
【0049】磁気テープサンプルの摺動耐久性は、ソニ
ー社製の8mmビデオデッキCVD−1000(機種
名)を改造したものを用い、出力が初期出力よりも3d
B低下したときの磁気ヘッド摺動回数(パス数)を測定
して評価した。また、このときのスキャン傷の発生も測
定した。一方、ビッカース硬度はNEC社製のMHA−
400(機種名)を用い、押し込み深さが50nmのと
きのビッカース硬度を測定した。結果を表1に示す。な
お、表1中スキャン傷は、全く生じていないものを○と
し、若干発生してはいるものの実用上差し支えないもの
を△とし、多く発生しており、実用上不都合なものを×
で表した。As for the sliding durability of the magnetic tape sample, a modified 8 mm video deck CVD-1000 (model name) manufactured by Sony Corporation was used, and the output was 3 d more than the initial output.
The number of times the magnetic head slid (the number of passes) when B was lowered was measured and evaluated. Further, the occurrence of scan scratches at this time was also measured. On the other hand, Vickers hardness is NEC MHA-
400 (model name) was used to measure the Vickers hardness when the indentation depth was 50 nm. The results are shown in Table 1. It should be noted that in Table 1, scan scratches are indicated by ○ when they are not generated at all, and Δ when they are slightly generated but do not cause any problems in practical use.
It was expressed by.
【0050】[0050]
【表1】 [Table 1]
【0051】表1の結果から明らかなように、非磁性支
持体上に金属磁性薄膜よりなる磁性層が形成され、前記
磁性層上に二酸化珪素よりなる保護膜が形成されてお
り、該保護膜のビッカース硬度が200以上である実施
例1〜3においては、摺動耐久性が良好で、高い信頼性
を得ることが可能であることが確認された。また、保護
膜のビッカース硬度が200未満である比較例1よりも
摺動耐久性が大幅に向上していることも確認された。As is clear from the results shown in Table 1, a magnetic layer made of a metal magnetic thin film is formed on a non-magnetic support, and a protective film made of silicon dioxide is formed on the magnetic layer. In Examples 1 to 3 having a Vickers hardness of 200 or more, it was confirmed that sliding durability was good and high reliability could be obtained. It was also confirmed that sliding durability was significantly improved as compared with Comparative Example 1 in which the Vickers hardness of the protective film was less than 200.
【0052】なお、実施例1においては、摺動耐久性は
良好であるものの、スキャン傷の発生がある。しかし、
実施例2,3においては、摺動耐久性が良好である上、
スキャン傷も発生していない。従って、保護膜のビッカ
ース硬度を490以上とすれば、摺動耐久性を良好なも
のとし、またスキャン傷が発生しないことが確認され
た。In Example 1, although the sliding durability was good, scanning scratches were generated. But,
In Examples 2 and 3, the sliding durability is good and
There are no scan scratches. Therefore, it was confirmed that when the Vickers hardness of the protective film was 490 or more, the sliding durability was improved and the scan scratches did not occur.
【0053】さらに、実施例1のように、二酸化珪素よ
りなる保護膜を酸素雰囲気中で珪素を蒸着して形成する
と、生産性が良好なものとなる。Further, when the protective film made of silicon dioxide is formed by vapor-depositing silicon in an oxygen atmosphere as in Example 1, the productivity becomes good.
【0054】[0054]
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に金属磁性薄膜よ
りなる磁性層が形成され、前記磁性層上に二酸化珪素よ
りなる保護膜が形成されており、該保護膜のビッカース
硬度が200以上とされているため、良好な摺動耐久性
を有し、高い信頼性を有する。As is apparent from the above description, in the magnetic recording medium of the present invention, a magnetic layer made of a metal magnetic thin film is formed on a non-magnetic support, and a protective layer made of silicon dioxide is formed on the magnetic layer. Since the film is formed and the Vickers hardness of the protective film is 200 or more, it has good sliding durability and high reliability.
【0055】なお、本発明の磁気記録媒体において、二
酸化珪素よりなる保護膜を酸素雰囲気中で珪素を蒸着し
て形成すれば、生産性が良好なものとなる。In the magnetic recording medium of the present invention, if the protective film made of silicon dioxide is formed by vapor deposition of silicon in an oxygen atmosphere, the productivity will be good.
【図1】真空蒸着装置の一構成例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a configuration example of a vacuum vapor deposition device.
【図2】イオンプレーディング装置の一構成例を示す模
式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration example of an ion plating device.
【図3】スパッタリング装置の一構成例を示す模式図で
ある。FIG. 3 is a schematic diagram showing a configuration example of a sputtering apparatus.
1,21,41 真空室 2,22,42 送り出しロール 3,23,43 巻取りロール 4 キャンロール 24,44 冷却キャン 8,28,48 可撓性連続基板 9,29 ルツボ 11,31 電子銃 12,32,42 ガス導入管 33 コイル 34,54 高周波電源 35,55 整合器 49 スパッタ電極 51 ターゲット X 電子線 1,21,41 Vacuum chamber 2,22,42 Sending roll 3,23,43 Winding roll 4 Can roll 24,44 Cooling can 8,28,48 Flexible continuous substrate 9,29 Crucible 11,31 Electron gun 12 , 32, 42 Gas introduction tube 33 Coil 34, 54 High frequency power supply 35, 55 Matching device 49 Sputtering electrode 51 Target X electron beam
Claims (2)
磁性層が形成され、前記磁性層上に二酸化珪素よりなる
保護膜が形成されており、該保護膜のビッカース硬度が
200以上であることを特徴とする磁気記録媒体。1. A magnetic layer made of a metal magnetic thin film is formed on a non-magnetic support, and a protective film made of silicon dioxide is formed on the magnetic layer, and the Vickers hardness of the protective film is 200 or more. A magnetic recording medium characterized by the above.
気中で珪素を蒸着して形成されることを特徴とする請求
項1記載の磁気記録媒体。2. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the protective film made of silicon dioxide is formed by depositing silicon in an oxygen atmosphere.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6146286A JPH0817050A (en) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | Magnetic recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6146286A JPH0817050A (en) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | Magnetic recording media |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817050A true JPH0817050A (en) | 1996-01-19 |
Family
ID=15404270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6146286A Withdrawn JPH0817050A (en) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | Magnetic recording media |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817050A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006010479A (en) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Manufacturing method for radiation image conversion panel |
-
1994
- 1994-06-28 JP JP6146286A patent/JPH0817050A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006010479A (en) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Manufacturing method for radiation image conversion panel |
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|---|---|---|---|
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