JPH0817082A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0817082A JPH0817082A JP12718595A JP12718595A JPH0817082A JP H0817082 A JPH0817082 A JP H0817082A JP 12718595 A JP12718595 A JP 12718595A JP 12718595 A JP12718595 A JP 12718595A JP H0817082 A JPH0817082 A JP H0817082A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁界感度が高く、高密度記録及び高速記録が
可能な光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 透明基板上に、第１誘電体層３、光磁気記録
層４、第２誘電体層６、反射層７を積層してなる光磁気
記録媒体であり、光磁気記録層４の下層、上層もしくは
その両層に１〜３０Ａの厚さのＦｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ合
金またはＣｏＮｉ合金のいずれかの磁性層５を光磁気記
録層４に接触して設けてある。磁性層５として１〜５０
０Ａの厚さのＮｉ層５を光磁気記録層に接触して設けて
もよい。
可能な光磁気記録媒体を提供する。 【構成】 透明基板上に、第１誘電体層３、光磁気記録
層４、第２誘電体層６、反射層７を積層してなる光磁気
記録媒体であり、光磁気記録層４の下層、上層もしくは
その両層に１〜３０Ａの厚さのＦｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ合
金またはＣｏＮｉ合金のいずれかの磁性層５を光磁気記
録層４に接触して設けてある。磁性層５として１〜５０
０Ａの厚さのＮｉ層５を光磁気記録層に接触して設けて
もよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク等の光
磁気記録媒体に関し、特に、磁界変調方式で記録に好適
な光磁気記録媒体に関する。
磁気記録媒体に関し、特に、磁界変調方式で記録に好適
な光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報化技術の発達及び情報量の増
大に伴って、大容量の情報を記録できる光メモリが使用
されている。光メモリのうち、記録した情報を書換え可
能な光磁気記録媒体の開発が盛んに行われている。かか
る光磁気記録媒体に情報を記録する方式として光変調方
式と磁界変調方式が知られている。磁界変調方式では、
光磁気膜に、直流レーザ光を照射しながら、コード化デ
ータに応じてパルス化された変調磁界を印加することに
よってデータが記録される（例えば、特開昭５１−１０
７１２１号参照）。この方法では、ビットデータの”
０””１”に応じて記録媒体の磁化の方向を直接反転し
てデータを記録することができるので、以前に記録した
データが存在する状態で直接データを書き込むオーバー
ライトが可能となる。この方式は２．５インチ径光磁気
ディスクに採用されている。
大に伴って、大容量の情報を記録できる光メモリが使用
されている。光メモリのうち、記録した情報を書換え可
能な光磁気記録媒体の開発が盛んに行われている。かか
る光磁気記録媒体に情報を記録する方式として光変調方
式と磁界変調方式が知られている。磁界変調方式では、
光磁気膜に、直流レーザ光を照射しながら、コード化デ
ータに応じてパルス化された変調磁界を印加することに
よってデータが記録される（例えば、特開昭５１−１０
７１２１号参照）。この方法では、ビットデータの”
０””１”に応じて記録媒体の磁化の方向を直接反転し
てデータを記録することができるので、以前に記録した
データが存在する状態で直接データを書き込むオーバー
ライトが可能となる。この方式は２．５インチ径光磁気
ディスクに採用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁界変
調方式で光磁気ディスクを記録する場合、記録密度及び
デ−タ転送速度の向上を図ろうとすると、記録磁界の変
調周波数を上げなければならず、記録磁界の変調周波数
が上がると磁気ヘッドが発生可能な磁界強度は低下して
しまう。このため、低磁界でも確実に記録が可能な光磁
気記録媒体、すなわち磁界感度（記録感度）が高い光磁
気記録媒体が要求されている。
調方式で光磁気ディスクを記録する場合、記録密度及び
デ−タ転送速度の向上を図ろうとすると、記録磁界の変
調周波数を上げなければならず、記録磁界の変調周波数
が上がると磁気ヘッドが発生可能な磁界強度は低下して
しまう。このため、低磁界でも確実に記録が可能な光磁
気記録媒体、すなわち磁界感度（記録感度）が高い光磁
気記録媒体が要求されている。
【０００４】この要求に応える技術として、例えば、特
開平４−１３４７４０号公報には、光磁気記録媒体の透
明基板側から見て光磁気記録層の背面に補助磁性層を設
けて光磁気記録層と補助磁性層の磁気交換結合により記
録に必要な磁界を低下させることができる技術が開示さ
れている。この光磁気記録媒体では、補助磁性層として
Ｐｔ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｈ元素群から選択さ
れた１種類の元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ元素群から選択さ
れた少なくとも１種類の元素との合金薄膜を使用してい
る。
開平４−１３４７４０号公報には、光磁気記録媒体の透
明基板側から見て光磁気記録層の背面に補助磁性層を設
けて光磁気記録層と補助磁性層の磁気交換結合により記
録に必要な磁界を低下させることができる技術が開示さ
れている。この光磁気記録媒体では、補助磁性層として
Ｐｔ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｒｈ元素群から選択さ
れた１種類の元素とＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ元素群から選択さ
れた少なくとも１種類の元素との合金薄膜を使用してい
る。
【０００５】本発明の目的は、磁界感度の高い新規な光
磁気記録媒体を提供するにある。さらに、本発明の目的
は、高密度記録及び高速度記録が可能な光磁気記録媒体
を提供することにある。
磁気記録媒体を提供するにある。さらに、本発明の目的
は、高密度記録及び高速度記録が可能な光磁気記録媒体
を提供することにある。
【０００６】
【０００７】本発明者は、強磁性金属膜として知られて
いるＦｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合金磁性
薄膜の膜厚を極めて薄くすることで、２次元化の効果や
表面異方性の寄与等により磁気特性が変化し、光磁気記
録媒体の磁界感度を高める働きをすること見出した。特
に、磁性薄膜の膜厚を１〜３０オングストローム（本明
細書においてＡで表す）の範囲内に限定すると、磁界感
度が著しく向上することを見出した。
いるＦｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合金磁性
薄膜の膜厚を極めて薄くすることで、２次元化の効果や
表面異方性の寄与等により磁気特性が変化し、光磁気記
録媒体の磁界感度を高める働きをすること見出した。特
に、磁性薄膜の膜厚を１〜３０オングストローム（本明
細書においてＡで表す）の範囲内に限定すると、磁界感
度が著しく向上することを見出した。
【０００８】本発明に従えば、透明基板上に光磁気記録
層を含む薄膜を形成してなる光磁気記録媒体において、
前記光磁気記録層の上層、下層及び上下層のいずれか
に、１〜３０Ａの厚さのＦｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ合金及び
ＣｏＮｉ合金のいずれかから構成された磁性薄膜層を光
磁気記録層と接触するように設けたことを特徴とする光
磁気記録媒体が提供される。
層を含む薄膜を形成してなる光磁気記録媒体において、
前記光磁気記録層の上層、下層及び上下層のいずれか
に、１〜３０Ａの厚さのＦｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ合金及び
ＣｏＮｉ合金のいずれかから構成された磁性薄膜層を光
磁気記録層と接触するように設けたことを特徴とする光
磁気記録媒体が提供される。
【０００９】上記磁性薄膜層の厚さは、１〜２０Ａが好
ましく、一層好ましくは、１〜１０Ａであり、特に２〜
５Ａの厚さが好ましい。
ましく、一層好ましくは、１〜１０Ａであり、特に２〜
５Ａの厚さが好ましい。
【００１０】上記の光磁気記録媒体では、所定の記録条
件下で、必要最小記録磁界を６０（Ｏｅ）以下にするこ
とができる。
件下で、必要最小記録磁界を６０（Ｏｅ）以下にするこ
とができる。
【００１１】また、本発明に従えば、透明基板上に光磁
気記録層を含む薄膜を形成してなる光磁気記録媒体にお
いて、前記光磁気記録層の上層、下層及び上下層のいず
れかに、１〜５００Ａの厚さのＮｉ薄膜層を光磁気記録
層と接触するように設けたことを特徴とする光磁気記録
媒体が提供される。
気記録層を含む薄膜を形成してなる光磁気記録媒体にお
いて、前記光磁気記録層の上層、下層及び上下層のいず
れかに、１〜５００Ａの厚さのＮｉ薄膜層を光磁気記録
層と接触するように設けたことを特徴とする光磁気記録
媒体が提供される。
【００１２】上記Ｎｉ薄膜層の厚さは、１〜３００Ａが
好ましく、１〜１００Ａが一層好ましく、特に好ましく
は１〜３０Ａである。
好ましく、１〜１００Ａが一層好ましく、特に好ましく
は１〜３０Ａである。
【００１３】上記Ｎｉ薄膜層を含む光磁気記録媒体は、
所定の記録条件下で必要最小記録磁界を５０（Ｏｅ）以
下にすることができる。
所定の記録条件下で必要最小記録磁界を５０（Ｏｅ）以
下にすることができる。
【００１４】上記本発明の光磁気記録媒体において、光
磁気記録層は、再生信号出力に比例するカー効果が大き
いという理由から希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化
膜であることが好ましい。希土類−遷移金属系の非晶質
垂直磁化膜として、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ、
ＴｂＤｙＦｅＣｏ等を使用することができる。光磁気記
録層の膜厚は、一般に１００〜５００Ａである。
磁気記録層は、再生信号出力に比例するカー効果が大き
いという理由から希土類−遷移金属系の非晶質垂直磁化
膜であることが好ましい。希土類−遷移金属系の非晶質
垂直磁化膜として、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＧｄＣｏ、ＤｙＧｄＦｅＣｏ、
ＴｂＤｙＦｅＣｏ等を使用することができる。光磁気記
録層の膜厚は、一般に１００〜５００Ａである。
【００１５】本発明の光磁気記録媒体において光磁気記
録層を含む薄膜が、第１誘電体層、光磁気記録層、第２
誘電体層及び金属反射層が順次積層されてなる薄膜であ
ることが好ましい。
録層を含む薄膜が、第１誘電体層、光磁気記録層、第２
誘電体層及び金属反射層が順次積層されてなる薄膜であ
ることが好ましい。
【００１６】本発明の光磁気記録媒体は、特に、印加磁
界の極性が高速で変化する磁界変調方式で記録・再生さ
れる光磁気記録媒体に好適である。
界の極性が高速で変化する磁界変調方式で記録・再生さ
れる光磁気記録媒体に好適である。
【００１７】本発明の実施例に従えば、透明基板上に第
１誘電体層、光磁気記録層、強磁性薄膜層、第２誘電体
層及び金属反射層が順次積層されてなる、磁界変調方式
で記録される光磁気ディスクであって、上記強磁性薄膜
層が、１〜３０Ａの厚さのＦｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ合金，
ＣｏＮｉ合金からなる群から選ばれた一種から構成され
ていることを特徴とする上記光磁気ディスクが提供され
る。
１誘電体層、光磁気記録層、強磁性薄膜層、第２誘電体
層及び金属反射層が順次積層されてなる、磁界変調方式
で記録される光磁気ディスクであって、上記強磁性薄膜
層が、１〜３０Ａの厚さのＦｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ合金，
ＣｏＮｉ合金からなる群から選ばれた一種から構成され
ていることを特徴とする上記光磁気ディスクが提供され
る。
【００１８】本発明の別の実施例に従えば、透明基板上
に第１誘電体層、光磁気記録層、強磁性薄膜層、第２誘
電体層及び金属反射層が順次積層されてなる、磁界変調
方式で記録される光磁気ディスクであって、上記強磁性
薄膜層が、１〜５００Ａの厚さのＮｉ層から構成されて
いることを特徴とする上記光磁気ディスクが提供され
る。
に第１誘電体層、光磁気記録層、強磁性薄膜層、第２誘
電体層及び金属反射層が順次積層されてなる、磁界変調
方式で記録される光磁気ディスクであって、上記強磁性
薄膜層が、１〜５００Ａの厚さのＮｉ層から構成されて
いることを特徴とする上記光磁気ディスクが提供され
る。
【００１９】
【作用】本発明の光磁気記録媒体では、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合金磁性膜を極めて薄
い膜厚で光磁気記録層に接触させて用いることにより、
磁界変調方式で記録する際に極めて高い磁界感度で記録
することができる。この作用は次のように考えられる。
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合金磁
性層の磁気モ−メントは、それらの磁性層の膜厚を非常
に薄くすると、膜面に垂直な方向の外部磁界に対する応
答性が良くなり、比較的小さな外部磁界で容易に磁界印
加方向に傾く。この磁気モ−メントと光磁気記録層の磁
気モ−メントとが交換結合しているために、その交換結
合力が記録時における光磁気記録層の磁化反転を助け
る。これにより、光磁気記録層の磁化反転の外部磁界に
対する応答性、すなわち、光磁気記録層の磁界感度が向
上し、光磁気記録の際に低磁界でも確実な記録が可能と
なる。
ｉ，ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合金磁性膜を極めて薄
い膜厚で光磁気記録層に接触させて用いることにより、
磁界変調方式で記録する際に極めて高い磁界感度で記録
することができる。この作用は次のように考えられる。
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合金磁
性層の磁気モ−メントは、それらの磁性層の膜厚を非常
に薄くすると、膜面に垂直な方向の外部磁界に対する応
答性が良くなり、比較的小さな外部磁界で容易に磁界印
加方向に傾く。この磁気モ−メントと光磁気記録層の磁
気モ−メントとが交換結合しているために、その交換結
合力が記録時における光磁気記録層の磁化反転を助け
る。これにより、光磁気記録層の磁化反転の外部磁界に
対する応答性、すなわち、光磁気記録層の磁界感度が向
上し、光磁気記録の際に低磁界でも確実な記録が可能と
なる。
【００２０】
【実施例】図１に本発明に従う光磁気記録ディスクの一
実施例の要部断面図を示す。この光磁気ディスクは、透
明基板１の信号面２に、透明基板１よりも高い屈折率を
有する、第１誘電体層３と、光磁気記録層４と、強磁性
薄膜層５と、第２誘電体層６と、金属反射膜層７とが順
次積層されてなる。第１誘電体層３は、光磁気記録層４
と透明基板１との間で再生用光ビ−ムを多重干渉させて
見かけ上のカ−回転角を大きくするために設けられる層
であり、誘電体材料としてＳｉＮを１０００Ａの膜厚で
用いた。光磁気記録層４として、Ｔｂ23Ｆｅ67Ｃｏ10を
３００Ａの膜厚で用いた。磁界感度を高めるための強磁
性薄膜層５としては、Ｆｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ合金または
ＣｏＮｉ合金を種々の膜厚で用いた。金属反射層７は、
光磁気記録層４及び強磁性薄膜層５を透過した再生用光
ビ−ムを反射させて透明基板１側に戻し、磁性層を透過
する際に受けるファラデ−効果によって見かけ上のカ−
回転角を増大させるための層である。反射層材料として
Ａｌ合金を８００Ａの膜厚で用いた。第２誘電体層６
は、光磁気記録層４及び強磁性薄膜５を透過した再生光
を金属反射層７と強磁性薄膜層５との間で多重干渉さ
せ、やはりカ−回転角を増加させるための層であり、誘
電体材料として第１誘電体層と同様にＳｉＮを３００Ａ
の膜厚で用いた。第２誘電体層６と金属反射層７は、適
当な記録パワ−感度または記録パワ−・マ−ジンを得る
ための熱制御層としての役目と光磁気記録層を化学的衝
撃から保護する役目をも担っている。表１にこの実施例
で用いた光磁気ディスクにおける各層の材料及び膜厚を
示した（強磁性薄膜層を除く）。
実施例の要部断面図を示す。この光磁気ディスクは、透
明基板１の信号面２に、透明基板１よりも高い屈折率を
有する、第１誘電体層３と、光磁気記録層４と、強磁性
薄膜層５と、第２誘電体層６と、金属反射膜層７とが順
次積層されてなる。第１誘電体層３は、光磁気記録層４
と透明基板１との間で再生用光ビ−ムを多重干渉させて
見かけ上のカ−回転角を大きくするために設けられる層
であり、誘電体材料としてＳｉＮを１０００Ａの膜厚で
用いた。光磁気記録層４として、Ｔｂ23Ｆｅ67Ｃｏ10を
３００Ａの膜厚で用いた。磁界感度を高めるための強磁
性薄膜層５としては、Ｆｅ，Ｃｏ，ＦｅＣｏ合金または
ＣｏＮｉ合金を種々の膜厚で用いた。金属反射層７は、
光磁気記録層４及び強磁性薄膜層５を透過した再生用光
ビ−ムを反射させて透明基板１側に戻し、磁性層を透過
する際に受けるファラデ−効果によって見かけ上のカ−
回転角を増大させるための層である。反射層材料として
Ａｌ合金を８００Ａの膜厚で用いた。第２誘電体層６
は、光磁気記録層４及び強磁性薄膜５を透過した再生光
を金属反射層７と強磁性薄膜層５との間で多重干渉さ
せ、やはりカ−回転角を増加させるための層であり、誘
電体材料として第１誘電体層と同様にＳｉＮを３００Ａ
の膜厚で用いた。第２誘電体層６と金属反射層７は、適
当な記録パワ−感度または記録パワ−・マ−ジンを得る
ための熱制御層としての役目と光磁気記録層を化学的衝
撃から保護する役目をも担っている。表１にこの実施例
で用いた光磁気ディスクにおける各層の材料及び膜厚を
示した（強磁性薄膜層を除く）。
【００２１】
【表１】
【００２２】上記光磁気ディスクを以下のような方法で
製造した。最初に、ポリカーボネート基板をスタンパを
用いて射出成形により作製した。この基板には、サーボ
信号等がピットとしてプリフォーマットされている。次
いで、複数のスパッタ成膜室を有する連続スパッタ装置
を用いて、基板上に各層を積層した。スパッタ雰囲気ガ
スとしてアルゴンガスまたはアルゴン／窒素混合ガスを
用いた。ポリカーボネート基板は、最初の成膜室での成
膜操作が終了した後に、専用のトレーで次の成膜室に搬
送される。第１、第２誘電体膜成膜室には、スパッタリ
ングターゲットとしてＳｉを用いた。光磁気記録膜成膜
室にはＴｂＦｅＣｏ合金を、強磁性薄膜成膜室には、Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合金のい
ずれかを、反射膜成膜室にはＡｌを、それぞれ、スパッ
タリングターゲットとして用いた。成膜条件として、Ａ
ｒ流量、Ｎ2 流量、ガス圧、投入電力を適宜調節して表
１に記載した膜厚の各層を有する光磁気ディスクを製造
した。各種の強磁性薄膜層の膜厚はスパッタリング条件
を変化させて種々の厚さに調整した。こうして磁性層と
してＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合
金のいずれかを磁性層５として有する図１に示した構造
の光磁気ディスクを得た。
製造した。最初に、ポリカーボネート基板をスタンパを
用いて射出成形により作製した。この基板には、サーボ
信号等がピットとしてプリフォーマットされている。次
いで、複数のスパッタ成膜室を有する連続スパッタ装置
を用いて、基板上に各層を積層した。スパッタ雰囲気ガ
スとしてアルゴンガスまたはアルゴン／窒素混合ガスを
用いた。ポリカーボネート基板は、最初の成膜室での成
膜操作が終了した後に、専用のトレーで次の成膜室に搬
送される。第１、第２誘電体膜成膜室には、スパッタリ
ングターゲットとしてＳｉを用いた。光磁気記録膜成膜
室にはＴｂＦｅＣｏ合金を、強磁性薄膜成膜室には、Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合金のい
ずれかを、反射膜成膜室にはＡｌを、それぞれ、スパッ
タリングターゲットとして用いた。成膜条件として、Ａ
ｒ流量、Ｎ2 流量、ガス圧、投入電力を適宜調節して表
１に記載した膜厚の各層を有する光磁気ディスクを製造
した。各種の強磁性薄膜層の膜厚はスパッタリング条件
を変化させて種々の厚さに調整した。こうして磁性層と
してＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合
金のいずれかを磁性層５として有する図１に示した構造
の光磁気ディスクを得た。
【００２３】比較例として、強磁性薄膜層を設けなかっ
た以外は、上記と同様にして光磁気ディスクを製造し
た。
た以外は、上記と同様にして光磁気ディスクを製造し
た。
【００２４】上記実施例及び比較例で得られた光磁気デ
ィスクについて、磁界変調方式で種々の磁界の大きさの
下でサンプル信号を記録した。以下の条件で再生するこ
とにより、再生可能な（完全な記録マーク（記録磁区）
が形成される）磁界の大きさを調べた。また、再生信号
からＣＮ比を測定した。図２に再生ＣＮ比の記録磁界依
存性を示す。再生ＣＮ比の測定は、マ−ク長０．８μｍ
のサンプル記録信号を、デュ−ティ−比５０％、線速
７．５ｍ／ｓｅｃで再生した。再生光として波長７８０
ｎｍのレーザ光を用い、レーザパワ−を１．５ｍＷとし
た。光ピックアップのレンズＮＡは０．５５であった。
ィスクについて、磁界変調方式で種々の磁界の大きさの
下でサンプル信号を記録した。以下の条件で再生するこ
とにより、再生可能な（完全な記録マーク（記録磁区）
が形成される）磁界の大きさを調べた。また、再生信号
からＣＮ比を測定した。図２に再生ＣＮ比の記録磁界依
存性を示す。再生ＣＮ比の測定は、マ−ク長０．８μｍ
のサンプル記録信号を、デュ−ティ−比５０％、線速
７．５ｍ／ｓｅｃで再生した。再生光として波長７８０
ｎｍのレーザ光を用い、レーザパワ−を１．５ｍＷとし
た。光ピックアップのレンズＮＡは０．５５であった。
【００２５】図２では、強磁性薄膜層として５Ａの厚さ
の純粋なＣｏ膜を付加した光磁気ディスクと、この層を
付加していない比較例の光磁気ディスクとを比較して示
す。図２より、完全な形状の記録マ−ク（記録磁区）が
形成され、再生ＣＮ比が飽和に達する記録磁界（図中に
矢印で示した必要最小記録磁界）が、純粋なＣｏ層を光
磁気記録層に付加することにより著しく低減しているこ
とがわかる。上記実施例で得られた光磁気ディスクの強
磁性薄膜層の膜厚を変化させたときの必要最小記録磁界
の変化を図３及び図４に示す。図３には、強磁性薄膜層
として、Ｆｅ、Ｃｏを用いた場合、また図４には、Ｆｅ
Ｃｏ合金、ＣｏＮｉ合金を用いた場合を示した。図３及
び図４から、いづれの材料の場合もその膜厚が３０Ａを
超えると必要最小磁界が急激に増加するが、膜厚が３０
Ａ以下であれば、必要最小記録磁界を、５０〜６０Ｏｅ
程度の極めて低い値に維持できることがわかる。
の純粋なＣｏ膜を付加した光磁気ディスクと、この層を
付加していない比較例の光磁気ディスクとを比較して示
す。図２より、完全な形状の記録マ−ク（記録磁区）が
形成され、再生ＣＮ比が飽和に達する記録磁界（図中に
矢印で示した必要最小記録磁界）が、純粋なＣｏ層を光
磁気記録層に付加することにより著しく低減しているこ
とがわかる。上記実施例で得られた光磁気ディスクの強
磁性薄膜層の膜厚を変化させたときの必要最小記録磁界
の変化を図３及び図４に示す。図３には、強磁性薄膜層
として、Ｆｅ、Ｃｏを用いた場合、また図４には、Ｆｅ
Ｃｏ合金、ＣｏＮｉ合金を用いた場合を示した。図３及
び図４から、いづれの材料の場合もその膜厚が３０Ａを
超えると必要最小磁界が急激に増加するが、膜厚が３０
Ａ以下であれば、必要最小記録磁界を、５０〜６０Ｏｅ
程度の極めて低い値に維持できることがわかる。
【００２６】図５は、強磁性層薄膜としてＮｉ層を用
い、その膜厚を変化させたときの必要最小記録磁界の変
化を示す。図３より、膜厚が５００Ａ以下であれば、最
小記録磁界を５０Ｏｅ以下にすることができることがわ
かる。
い、その膜厚を変化させたときの必要最小記録磁界の変
化を示す。図３より、膜厚が５００Ａ以下であれば、最
小記録磁界を５０Ｏｅ以下にすることができることがわ
かる。
【００２７】以上の結果から、１〜３０Ａの厚さのＦ
ｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合金を光磁気記
録層の補助層として用いることにより、あるいは１〜５
００Ａの厚さのＮｉ層を光磁気記録層の補助層として用
いることにより、高い磁界感度を得ることができること
が明らかである。
ｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金またはＣｏＮｉ合金を光磁気記
録層の補助層として用いることにより、あるいは１〜５
００Ａの厚さのＮｉ層を光磁気記録層の補助層として用
いることにより、高い磁界感度を得ることができること
が明らかである。
【００２８】本実施例では、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣ
ｏ合金またはＣｏＮｉ合金強磁性薄膜層５を光磁気記録
層４と第２誘電体層６との界面に設けたが、光磁気記録
層４と第１誘電体層３との界面に設けた場合でも、また
は、その両方に設けた場合でも同様な結果が得られた。
ｏ合金またはＣｏＮｉ合金強磁性薄膜層５を光磁気記録
層４と第２誘電体層６との界面に設けたが、光磁気記録
層４と第１誘電体層３との界面に設けた場合でも、また
は、その両方に設けた場合でも同様な結果が得られた。
【００２９】上記実施例では、光磁気ディスクとして、
図１に示した構造のものを製造したが、図６（ａ）に示
すような基板１上に、第１誘電体層３、光磁気記録層
４、磁性薄膜層５及び金属反射層７または熱制御層を積
層した構造のものや、図６（ｂ）に示すような基板１上
に、第１誘電体層３、光磁気記録層４、磁性薄膜層５及
び誘電体保護層８を積層した構造のものを採用してもよ
い。
図１に示した構造のものを製造したが、図６（ａ）に示
すような基板１上に、第１誘電体層３、光磁気記録層
４、磁性薄膜層５及び金属反射層７または熱制御層を積
層した構造のものや、図６（ｂ）に示すような基板１上
に、第１誘電体層３、光磁気記録層４、磁性薄膜層５及
び誘電体保護層８を積層した構造のものを採用してもよ
い。
【００３０】また、光磁気記録層５を、図７（ａ）及び
（ｂ）に示したような多層膜にして用いることもでき
る。この場合も、磁性薄膜は本発明で規定した範囲内の
膜厚であり且ついずれかの光磁気記録膜に接触している
必要がある。
（ｂ）に示したような多層膜にして用いることもでき
る。この場合も、磁性薄膜は本発明で規定した範囲内の
膜厚であり且ついずれかの光磁気記録膜に接触している
必要がある。
【００３１】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、極めて低磁
界での記録が可能である。本発明の光磁気記録媒体を用
いることにより高速で且つ高密度な磁界変調記録が可能
となる。
界での記録が可能である。本発明の光磁気記録媒体を用
いることにより高速で且つ高密度な磁界変調記録が可能
となる。
【図１】本発明の実施例で製造した光磁気ディスクの部
分断面図である。
分断面図である。
【図２】実施例及び比較例において製造された光磁気デ
ィスクに磁界変調記録した場合の再生ＣＮ比の記録磁界
依存性を示すグラフである。
ィスクに磁界変調記録した場合の再生ＣＮ比の記録磁界
依存性を示すグラフである。
【図３】本発明の光磁気ディスクにおいてＣｏまたはＦ
ｅ磁性層を光磁気記録層に付加した場合の必要最小記録
磁界と磁性層の厚さとの関係を示すグラフである。
ｅ磁性層を光磁気記録層に付加した場合の必要最小記録
磁界と磁性層の厚さとの関係を示すグラフである。
【図４】ＦｅＣｏ合金及びＣｏＮｉ合金薄膜層を光磁気
記録層に付加した場合の必要最小記録磁界と磁性層の厚
さとの関係を示すグラフである。
記録層に付加した場合の必要最小記録磁界と磁性層の厚
さとの関係を示すグラフである。
【図５】本発明の光磁気ディスクにおいてＮｉ層を光磁
気記録層に付加した場合の必要最小記録磁界と磁性層の
厚さとの関係を示すグラフである。
気記録層に付加した場合の必要最小記録磁界と磁性層の
厚さとの関係を示すグラフである。
【図６】実施例の光磁気記録媒体とは異なる構造を有す
る本発明の光磁気ディスク示す断面図であり、（ａ）は
第２誘電体層がない構造を示し、（ｂ）は反射層がない
構造を示す。
る本発明の光磁気ディスク示す断面図であり、（ａ）は
第２誘電体層がない構造を示し、（ｂ）は反射層がない
構造を示す。
【図７】実施例の光磁気記録媒体とは異なり２層以上の
光磁気記録層を有する本発明の光磁気ディスクの部分断
面図であり、（ａ）は３層の光磁気記録膜を有し、
（ｂ）は２層の光磁気記録層を有する。
光磁気記録層を有する本発明の光磁気ディスクの部分断
面図であり、（ａ）は３層の光磁気記録膜を有し、
（ｂ）は２層の光磁気記録層を有する。
１ 透明基板 ２ 基板信号面 ３ 第１誘電体層 ４ 光磁気記録層 ４’第２光磁気記録層 ４”第３光磁気記録層 ５ 強磁性薄膜層 ６ 第２誘電体層 ７ 金属反射層
Claims (17)
- 【請求項１】 透明基板上に光磁気記録層を含む薄膜を
形成してなる光磁気記録媒体において、 前記光磁気記録層の上層、下層及び上下層のいずれか
に、１〜３０Ａの厚さのＦｅ磁性薄膜層を光磁気記録層
と接触するように設けたことを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 透明基板上に光磁気記録層を含む薄膜を
形成してなる光磁気記録媒体において、 前記光磁気記録層の上層、下層及び上下層のいずれか
に、１〜３０Ａの厚さのＣｏ磁性薄膜層を光磁気記録層
と接触するように設けたことを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項３】 透明基板上に光磁気記録層を含む薄膜を
形成してなる光磁気記録媒体において、 前記光磁気記録層の上層、下層及び上下層のいずれか
に、１〜３０Ａの厚さのＦｅＣｏ合金磁性薄膜層を光磁
気記録層と接触するように設けたことを特徴とする光磁
気記録媒体。 - 【請求項４】 透明基板上に光磁気記録層を含む薄膜を
形成してなる光磁気記録媒体において、 前記光磁気記録層の上層、下層及び上下層のいずれか
に、１〜３０Ａの厚さのＣｏＮｉ合金磁性薄膜層を光磁
気記録層と接触するように設けたことを特徴とする光磁
気記録媒体。 - 【請求項５】 上記磁性薄膜層が、１〜２０Ａの厚さで
あることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項の光
磁気記録媒体。 - 【請求項６】 上記磁性薄膜層が、１〜１０Ａの厚さで
あることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項の光
磁気記録媒体。 - 【請求項７】 上記磁性薄膜層が、２〜５Ａの厚さであ
ることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項の光磁
気記録媒体。 - 【請求項８】 必要最小記録磁界が、６０（Ｏｅ）以下
である請求項１〜７のいずれか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項９】 透明基板上に光磁気記録層を含む薄膜を
形成してなる光磁気記録媒体において、 前記光磁気記録層の上層、下層及び上下層のいずれか
に、１〜５００Ａの厚さのＮｉ薄膜層を光磁気記録層と
接触するように設けたことを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項１０】 上記Ｎｉ薄膜層が、１〜３００Ａの厚
さであることを特徴とする請求項９の光磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 上記Ｎｉ薄膜層が、１〜１００Ａの厚
さであることを特徴とする請求項９または１０の光磁気
記録媒体。 - 【請求項１２】 上記Ｎｉ薄膜層が、１〜３０Ａの厚さ
であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項
の光磁気記録媒体。 - 【請求項１３】 必要最小記録磁界が、５０（Ｏｅ）以
下である請求項９〜１２のいずれか一項の光磁気記録媒
体。 - 【請求項１４】 前記光磁気記録層が、希土類−遷移金
属系の非晶質垂直磁化膜であることを特徴とする請求項
１〜１３のいずれか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 上記光磁気記録層を含む薄膜が、第１
誘電体層、光磁気記録層、第２誘電体層及び金属反射層
が順次積層されてなる薄膜であることを特徴とする請求
項１〜１４のいずれか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項１６】 磁界変調方式で記録・再生される請求
項１〜１５の光磁気記録媒体。 - 【請求項１７】 透明基板上に第１誘電体層、光磁気記
録層、磁性薄膜層、第２誘電体層及び金属反射層が順次
積層されてなる磁界変調方式で記録される光磁気ディス
クであって、 上記磁性薄膜層が、１〜３０Ａの厚さのＦｅ，Ｃｏ，Ｆ
ｅＣｏ，ＣｏＮｉからなる群から選ばれた一種から構成
されていることを特徴とする上記光磁気ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12718595A JPH0817082A (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-27 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-113828 | 1994-04-28 | ||
| JP11382894 | 1994-04-28 | ||
| JP12718595A JPH0817082A (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-27 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817082A true JPH0817082A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=26452740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12718595A Pending JPH0817082A (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-27 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817082A (ja) |
-
1995
- 1995-04-27 JP JP12718595A patent/JPH0817082A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041012 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050830 |