JPH081709B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH081709B2 JPH081709B2 JP16201889A JP16201889A JPH081709B2 JP H081709 B2 JPH081709 B2 JP H081709B2 JP 16201889 A JP16201889 A JP 16201889A JP 16201889 A JP16201889 A JP 16201889A JP H081709 B2 JPH081709 B2 JP H081709B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜利用分野＞ 本発明はレーザー等の光により、情報の記録、再生、
消去等を行なう光磁気記録媒体に関する。更に詳細に
は、透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有
した金属薄膜よりなる記録層を形成し、光熱磁気効果に
より情報を記録し、磁気光学効果により再生する光磁気
記録媒体に関する。
消去等を行なう光磁気記録媒体に関する。更に詳細に
は、透明基板上に膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有
した金属薄膜よりなる記録層を形成し、光熱磁気効果に
より情報を記録し、磁気光学効果により再生する光磁気
記録媒体に関する。
＜従来の技術＞ 光記録媒体は高密度・大容量の情報記録媒体として種
々の研究開発が行なわれている。特に情報の消去可能な
光磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システム
が発表されており、その実用化が待望されている。
々の研究開発が行なわれている。特に情報の消去可能な
光磁気記録媒体は応用分野が広く種々の材料・システム
が発表されており、その実用化が待望されている。
上述の光磁気記録材料としては、例えば、特開昭52−
31703号公報記載のFeTb、特開昭56−126907号公報記載
のFeTbGd、特開昭58−73746号公報記載のFeTbCo、FeCoD
y、特開昭61−165846号公報記載のFeNd等既に多くの提
案がある。しかし、これらの情報の消去可能な光磁気記
録媒体の実用化には、記録、再生特性のより一層の向上
が必要である。
31703号公報記載のFeTb、特開昭56−126907号公報記載
のFeTbGd、特開昭58−73746号公報記載のFeTbCo、FeCoD
y、特開昭61−165846号公報記載のFeNd等既に多くの提
案がある。しかし、これらの情報の消去可能な光磁気記
録媒体の実用化には、記録、再生特性のより一層の向上
が必要である。
これに対し、光磁気記録層上、もしくはその上に誘電
体層を介して金属反射層を設ける方法が提案されてい
る。この方法はカー効果とファラデー効果の併用により
高いC/N比を得る点で優れている。従来この金属反射層
として、Alを用いたもの（特開昭58−83346号公報、特
開昭59−132434号公報、）、Cuを用いたもの（特開昭59
−8150号公報）、Al系合金を用いたもの（特開昭62−13
7743号公報、特開昭64−4938号公報）、ステンレスを用
いたもの（特開昭59−171054号公報）、Teを用いたもの
（特開昭62−52744号公報）、非晶質金属膜を用いたも
の（特開昭61−57053号公報）等が提案されている。し
かしながら、高反射率のAl,Cu等を用いた場合にはその
高熱伝導性のため記録感度が大幅に低下し、一方比較的
熱伝導性の低いステンレス、Teを用いた場合には記録感
度は向上するが反射率が低いため、十分なC/N比が得ら
れないという欠点を有する。
体層を介して金属反射層を設ける方法が提案されてい
る。この方法はカー効果とファラデー効果の併用により
高いC/N比を得る点で優れている。従来この金属反射層
として、Alを用いたもの（特開昭58−83346号公報、特
開昭59−132434号公報、）、Cuを用いたもの（特開昭59
−8150号公報）、Al系合金を用いたもの（特開昭62−13
7743号公報、特開昭64−4938号公報）、ステンレスを用
いたもの（特開昭59−171054号公報）、Teを用いたもの
（特開昭62−52744号公報）、非晶質金属膜を用いたも
の（特開昭61−57053号公報）等が提案されている。し
かしながら、高反射率のAl,Cu等を用いた場合にはその
高熱伝導性のため記録感度が大幅に低下し、一方比較的
熱伝導性の低いステンレス、Teを用いた場合には記録感
度は向上するが反射率が低いため、十分なC/N比が得ら
れないという欠点を有する。
＜発明の目的＞ 本発明はかかる現状に鑑みなされたもので、高感度で
高C/N比の光磁気記録媒体を提供することを目的とした
ものである。
高C/N比の光磁気記録媒体を提供することを目的とした
ものである。
＜発明の構成及び作用＞ 本発明者らは、上述の欠点を克服すべく鋭意検討した
結果、特定の物質で金属反射層を形成することにより、
記録感度、C/N比が高く、更に経時安定性に優れた光磁
気記録媒体が得られることを見出した。
結果、特定の物質で金属反射層を形成することにより、
記録感度、C/N比が高く、更に経時安定性に優れた光磁
気記録媒体が得られることを見出した。
即ち本発明は、金属反射層を有する光磁気記録媒体に
おいて、該金属反射層がAgにCuを0.5〜30at％（原子
％）含有せしめ、さらにTa又はTiの少くとも一種を0.5
〜15at％含有せしめたAg合金からなることを特徴とする
光磁気記録媒体である。
おいて、該金属反射層がAgにCuを0.5〜30at％（原子
％）含有せしめ、さらにTa又はTiの少くとも一種を0.5
〜15at％含有せしめたAg合金からなることを特徴とする
光磁気記録媒体である。
上述の本発明は以下のようにしてなされたものであ
る。すなわち、本発明者らは、C/N向上目的に高反射率
のAg膜に着目したが、Agは耐食性のわるい材料であり、
Ag膜のみでは実用的でない。そこで、この改良として他
金属の添加を検討したところ、スライドガラス上に形成
したCuを0.5〜30at％添加したAgCu合金膜は高反射率
で、光磁気記録媒体の標準的な加速劣化テスト条件であ
る80℃85％相対湿度雰囲気下で72時間以上放置しても反
射率が低下せず、耐久性もあることが判明した。なお、
Cuの含有量が0.5at％より少くても、30at％より多くて
も24時間以内に反射率は初期値の９割以下に低下した。
AgCu合金膜は上述の通り高反射率（例えばAg85Cu15（添
字はat％組成）合金膜では830nmの波長で98％の反射
率）であり、耐久性も悪くないが、このAgCu膜は熱伝導
性が高く、そのためこれを反射膜とする光磁気記録媒体
では記録感度が低下することがさらに判明した。
る。すなわち、本発明者らは、C/N向上目的に高反射率
のAg膜に着目したが、Agは耐食性のわるい材料であり、
Ag膜のみでは実用的でない。そこで、この改良として他
金属の添加を検討したところ、スライドガラス上に形成
したCuを0.5〜30at％添加したAgCu合金膜は高反射率
で、光磁気記録媒体の標準的な加速劣化テスト条件であ
る80℃85％相対湿度雰囲気下で72時間以上放置しても反
射率が低下せず、耐久性もあることが判明した。なお、
Cuの含有量が0.5at％より少くても、30at％より多くて
も24時間以内に反射率は初期値の９割以下に低下した。
AgCu合金膜は上述の通り高反射率（例えばAg85Cu15（添
字はat％組成）合金膜では830nmの波長で98％の反射
率）であり、耐久性も悪くないが、このAgCu膜は熱伝導
性が高く、そのためこれを反射膜とする光磁気記録媒体
では記録感度が低下することがさらに判明した。
本発明者らは、さらにこの点の改良を第３元素の添加
に着目し、鋭意研究の結果、AgCu膜にTa又はTiの少なく
とも一種を0.5〜15at％添加すると、記録感度と耐食性
が大きく向上することを見い出し、本発明に想到した。
に着目し、鋭意研究の結果、AgCu膜にTa又はTiの少なく
とも一種を0.5〜15at％添加すると、記録感度と耐食性
が大きく向上することを見い出し、本発明に想到した。
なお、Ta,Tiの含有量がこの範囲より少いと記録感度
の向上の効果はなく、また逆に多くなると反射が低下
し、C/Nが悪くなる。更にTa,Tiの含有量は、感度向上効
果が大きく、且つC/N向上の効果が阻害されない点で２
〜10at％がより好ましい。なお、経時安定性を更に改善
するために、Cr、Nb、Reなどの他の元素を少量添加して
もよい。
の向上の効果はなく、また逆に多くなると反射が低下
し、C/Nが悪くなる。更にTa,Tiの含有量は、感度向上効
果が大きく、且つC/N向上の効果が阻害されない点で２
〜10at％がより好ましい。なお、経時安定性を更に改善
するために、Cr、Nb、Reなどの他の元素を少量添加して
もよい。
この金属反射層の膜厚は100〜1000Åが好ましく、200
〜700Åが更に好ましい。厚すぎる場合には感度が低下
し、薄すぎる場合には反射率が低下しC/Nがわるくな
る。
〜700Åが更に好ましい。厚すぎる場合には感度が低下
し、薄すぎる場合には反射率が低下しC/Nがわるくな
る。
なお、本発明において金属反射層の光磁気記録層側と
反対側に接して、付加的にTi等の熱伝導率の小さい金属
膜、又は誘電体膜を設けてもよい。特に熱伝導を抑える
ために本発明の金属反射層が400Å以下と薄いときにはT
i層の金属膜を設けると反射率の低下を防止するととも
に耐食性が向上して更に好ましい結果が得られる。同様
に誘電体膜は、光磁気記録媒体がきわめてきびしい環境
下で使用されることが想定される時は、保護層として設
けるとよい。
反対側に接して、付加的にTi等の熱伝導率の小さい金属
膜、又は誘電体膜を設けてもよい。特に熱伝導を抑える
ために本発明の金属反射層が400Å以下と薄いときにはT
i層の金属膜を設けると反射率の低下を防止するととも
に耐食性が向上して更に好ましい結果が得られる。同様
に誘電体膜は、光磁気記録媒体がきわめてきびしい環境
下で使用されることが想定される時は、保護層として設
けるとよい。
前記金属反射層の形成方法としては、公知の真空蒸着
法、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング
法、CVD法などが考えられるが、下地層との接着性、合
金組成の制御性、組成分布などの点でスパッタリング法
が好ましい。また膜の堆積速度、スパッタガス圧など
は、生産性、膜応力を考慮し、適宜選択される。
法、スパッタリング法、イオンビームスパッタリング
法、CVD法などが考えられるが、下地層との接着性、合
金組成の制御性、組成分布などの点でスパッタリング法
が好ましい。また膜の堆積速度、スパッタガス圧など
は、生産性、膜応力を考慮し、適宜選択される。
本発明の光磁気記録層としては、光熱磁気効果により
記録できるものであればよく、公知の、膜面に垂直な方
向に磁化容易方向を有し、磁気光学効果の大きい磁性金
属薄膜、例えば前述のFeTb合金、FeTbCo合金、FeTbGd合
金及びNdDvFeCo合金、等の希土類元素−遷移金属元素の
非晶質合金が代表例として挙げられる。光磁気記録層の
膜厚は150〜1000Å、好ましくは200〜500Åである。
記録できるものであればよく、公知の、膜面に垂直な方
向に磁化容易方向を有し、磁気光学効果の大きい磁性金
属薄膜、例えば前述のFeTb合金、FeTbCo合金、FeTbGd合
金及びNdDvFeCo合金、等の希土類元素−遷移金属元素の
非晶質合金が代表例として挙げられる。光磁気記録層の
膜厚は150〜1000Å、好ましくは200〜500Åである。
本発明における光磁気記録媒体は、その金属反射層が
光磁気記録層の光入射面と反対側に形成される点を除い
てその構成は特に限定されない。なお、金属反射層は光
磁気記録層上に直接設けても、またその上に感度、C/N
向上の目的で透明誘電体層を介して設けてもよい。しか
し本発明の前述のTa又はTiの少なくとも一方とCuを含有
するAg合金からなる金属反射膜は光磁気記録層に接して
直接設けた構成で、その記録感度とC/Nにおいて実用上
充分な性能を示し、上記透明誘電体層が不要となるの
で、この構成が生産性と媒体コストの観点より好まし
い。
光磁気記録層の光入射面と反対側に形成される点を除い
てその構成は特に限定されない。なお、金属反射層は光
磁気記録層上に直接設けても、またその上に感度、C/N
向上の目的で透明誘電体層を介して設けてもよい。しか
し本発明の前述のTa又はTiの少なくとも一方とCuを含有
するAg合金からなる金属反射膜は光磁気記録層に接して
直接設けた構成で、その記録感度とC/Nにおいて実用上
充分な性能を示し、上記透明誘電体層が不要となるの
で、この構成が生産性と媒体コストの観点より好まし
い。
なお、光磁気記録層と金属反射層との間に、透明誘電
体層を設ける場合においても、この透明誘電体層は最適
性能を得るためには600Å以下と薄くする必要があり、
その断熱作用が小さくなるため、本発明は効果的であ
る。また、一般的に、該透明誘電体層が厚くなる程、そ
の断熱効果が高くなり、本発明の金属反射膜のTa又はTi
の含有量は少なくてよい。
体層を設ける場合においても、この透明誘電体層は最適
性能を得るためには600Å以下と薄くする必要があり、
その断熱作用が小さくなるため、本発明は効果的であ
る。また、一般的に、該透明誘電体層が厚くなる程、そ
の断熱効果が高くなり、本発明の金属反射膜のTa又はTi
の含有量は少なくてよい。
本発明の光磁気記録媒体は、また、基板と光磁気記録
層の間に、C/N向上、媒体の反射率低減、さらには透湿
防止の目的で透明誘電体層を設けてもよい。
層の間に、C/N向上、媒体の反射率低減、さらには透湿
防止の目的で透明誘電体層を設けてもよい。
上記構成に用いる光磁気記録層の基板側、金属反射層
側の両透明誘電体層としては、その目的により光干渉効
果、カー効果エンハンスメント等の効果を奏することが
必要で、ある程度以上の高屈折率を有することが好まし
い。また使用するレーザー光に透明であることが必要で
あり、透明誘電体層としては公知の通り金属の酸化物、
窒化物、硫化物、炭化物、弗化物もしくはこれらの複合
体が適用できる。具体的には酸化ケイ素、酸化インジウ
ム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、チッ化ケイ素、
チッ化アルミニウム、チッ化チタン、硫化亜鉛、フッ化
マグネシウム、フッ化アルミニウム、炭化ケイ素及びこ
れらの複合物が挙げられるが、これに限定されないこと
は言うまでもない。またパリレン、ポリイミド、パラフ
ィンなど有機物も適用でき、これら透明誘電体層の膜厚
は、媒体構成、屈折率により最適値が変化し、一義的に
決めることはできないが、通常400〜1500Å程度、特に5
00〜1000Åが好適に用いられる。これら透明電体層は常
法により形成される。例えば前述の無機物よりなるもの
は公知の真空蒸着法、スパッタリング法、イオンビーム
スパッタリング法、CVD法等で作製される。
側の両透明誘電体層としては、その目的により光干渉効
果、カー効果エンハンスメント等の効果を奏することが
必要で、ある程度以上の高屈折率を有することが好まし
い。また使用するレーザー光に透明であることが必要で
あり、透明誘電体層としては公知の通り金属の酸化物、
窒化物、硫化物、炭化物、弗化物もしくはこれらの複合
体が適用できる。具体的には酸化ケイ素、酸化インジウ
ム、酸化タンタル、酸化アルミニウム、チッ化ケイ素、
チッ化アルミニウム、チッ化チタン、硫化亜鉛、フッ化
マグネシウム、フッ化アルミニウム、炭化ケイ素及びこ
れらの複合物が挙げられるが、これに限定されないこと
は言うまでもない。またパリレン、ポリイミド、パラフ
ィンなど有機物も適用でき、これら透明誘電体層の膜厚
は、媒体構成、屈折率により最適値が変化し、一義的に
決めることはできないが、通常400〜1500Å程度、特に5
00〜1000Åが好適に用いられる。これら透明電体層は常
法により形成される。例えば前述の無機物よりなるもの
は公知の真空蒸着法、スパッタリング法、イオンビーム
スパッタリング法、CVD法等で作製される。
また基板としては、ガラス、アクリル樹脂、ポリカー
ボネート樹脂、エポキシ樹脂、４−メチルペンテン樹脂
及びそれらの変成品などが好適に用いられるが、機械的
強度、価格、耐候性、耐熱性、透湿量の点でポリカーボ
ネート樹脂が好ましい。
ボネート樹脂、エポキシ樹脂、４−メチルペンテン樹脂
及びそれらの変成品などが好適に用いられるが、機械的
強度、価格、耐候性、耐熱性、透湿量の点でポリカーボ
ネート樹脂が好ましい。
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は以下の
実施例に限定されるものではない。
実施例に限定されるものではない。
＜実施例，比較例＞ 直径130mm、厚さ1.2mmの円盤で1.6μｍピッチのグル
ーブを有するポリカーボネート樹脂（PC）製のディスク
基板を、３ターゲット設置可能な高周波マグネトロンス
パッタ装置（アネルバ（株）製SPF−430H型）の真空槽
内に配置し、４×10-7Torrになるまで排気した。
ーブを有するポリカーボネート樹脂（PC）製のディスク
基板を、３ターゲット設置可能な高周波マグネトロンス
パッタ装置（アネルバ（株）製SPF−430H型）の真空槽
内に配置し、４×10-7Torrになるまで排気した。
次にAr、N2の混合ガス（Ar:N2＝70:30vol％）を真空
槽内に導入し、圧力10m TorrになるようにAr/N2混合ガ
ス流量を調整した。ターゲットとしては直径100mm、厚
さ5mmのAl50Si50（以下、添数字は組成（原子％）を示
す）の焼結体からなる円盤を用い、放電電力500W、放電
周波数13.56MHzで高周波スパッタリングを行ない、PC基
板を回転（自転）させながら、透明誘電体としてAlSiN
膜を800Å堆積した。
槽内に導入し、圧力10m TorrになるようにAr/N2混合ガ
ス流量を調整した。ターゲットとしては直径100mm、厚
さ5mmのAl50Si50（以下、添数字は組成（原子％）を示
す）の焼結体からなる円盤を用い、放電電力500W、放電
周波数13.56MHzで高周波スパッタリングを行ない、PC基
板を回転（自転）させながら、透明誘電体としてAlSiN
膜を800Å堆積した。
続いて光磁気記録層として、Tb21Fe71Co8合金ターゲ
ットを用い、Arガス圧2m Torr、放電電力150Wの条件で
高周波スパッタリングを行ない、約300ÅのTbFeCo合金
膜を堆積した。
ットを用い、Arガス圧2m Torr、放電電力150Wの条件で
高周波スパッタリングを行ない、約300ÅのTbFeCo合金
膜を堆積した。
更に引き続いて、Ag85Cu15合金ターゲットを用い、適
宜5mm角×1mm tのTaチップをターゲット上に配し、Arガ
ス圧2m Torr、放電電力100Wの条件で高周波スパッタリ
ングを行い、表−１の各組成で400Åの金属反射層を堆
積し、PC基板/AlSiN/TbFeCo/金属反射層の積層構成の光
磁気ディスクを得た。金属反射層の各AgCuTa合金膜のTa
量はAgCu合金ターゲット上のTaチップの数を変化させて
各組成に調整した。
宜5mm角×1mm tのTaチップをターゲット上に配し、Arガ
ス圧2m Torr、放電電力100Wの条件で高周波スパッタリ
ングを行い、表−１の各組成で400Åの金属反射層を堆
積し、PC基板/AlSiN/TbFeCo/金属反射層の積層構成の光
磁気ディスクを得た。金属反射層の各AgCuTa合金膜のTa
量はAgCu合金ターゲット上のTaチップの数を変化させて
各組成に調整した。
これら各層の形成時において、PC基板は20rpmで回転
させた。
させた。
得られた光磁気ディスクは光磁気記録再生装置（ナカ
ミチ（株）製OMS−1000型）を用い、下記条件でC/Nと最
適記録レーザーパワーを評価した。書込み時の半導体レ
ーザーパワーを変化させ、再生信号の二次高周波が最小
となる時が最適記録条件とした。
ミチ（株）製OMS−1000型）を用い、下記条件でC/Nと最
適記録レーザーパワーを評価した。書込み時の半導体レ
ーザーパワーを変化させ、再生信号の二次高周波が最小
となる時が最適記録条件とした。
［記録条件］ ディスク回転速度:1800rpm、記録トラック位置：半径
30mm位置、記録周波数:3.7MHz、記録時の印加磁界:500
エルステッド ［再生条件］ ディスク回転速度:1800rpm、読出レーザーパワー:1.2
mW 最適記録レーザーパワー及びC/Nの測定結果を表−１
に示す。
30mm位置、記録周波数:3.7MHz、記録時の印加磁界:500
エルステッド ［再生条件］ ディスク回転速度:1800rpm、読出レーザーパワー:1.2
mW 最適記録レーザーパワー及びC/Nの測定結果を表−１
に示す。
なお、表−１の比較例１は金属反射層以外は実施例１
〜４と同じ構成で、金属反射層を実施例１〜４のTaチッ
プを除去して形成したTaを含有しないAg85Cu15合金とし
た光磁気ディスクである。
〜４と同じ構成で、金属反射層を実施例１〜４のTaチッ
プを除去して形成したTaを含有しないAg85Cu15合金とし
た光磁気ディスクである。
また、比較例２として、金属反射層を除いた他の構成
は実施例１〜４と同じで、金属反射層としてTaチップを
配したAlターゲットを用い、実施例１〜４の金属反射層
と同じように高周波数スパッタリングすることにより、
Al92Ta8合金膜を400Å積層形成した光磁気ディスクを作
製し、同様に評価した。
は実施例１〜４と同じで、金属反射層としてTaチップを
配したAlターゲットを用い、実施例１〜４の金属反射層
と同じように高周波数スパッタリングすることにより、
Al92Ta8合金膜を400Å積層形成した光磁気ディスクを作
製し、同様に評価した。
また表−１の比較例１の最適記録レーザーパワー10mW
以上は、用いたレーザー最大出力10mWでも記録できなか
ったことを表わす。
以上は、用いたレーザー最大出力10mWでも記録できなか
ったことを表わす。
また実施例２と比較例２のディスクの金属反射層上
に、スピンコーターで紫外線硬化型のフェノールノボラ
ックエポキシアクリレート樹脂を塗布し、その後紫外線
照射により硬化させ、約20μｍの有機保護層を設けた。
これらのサンプルを、温度80℃、湿度85％の条件で1000
時間の加速試験を行なったところ、実施例２では全く変
化が見られなかったが、比較例２ではピンホールが十数
個発生した。
に、スピンコーターで紫外線硬化型のフェノールノボラ
ックエポキシアクリレート樹脂を塗布し、その後紫外線
照射により硬化させ、約20μｍの有機保護層を設けた。
これらのサンプルを、温度80℃、湿度85％の条件で1000
時間の加速試験を行なったところ、実施例２では全く変
化が見られなかったが、比較例２ではピンホールが十数
個発生した。
更に、実施例１〜４と同じにして、ただTaのかかわり
にTiのチップをAgCuターゲット上に配置して金属反射層
を表−２のAgCuTi合金とした以外は全く同じ構成の光磁
気ディスクのサンプルを作成し、同じようにして評価し
た。その結果を表−２に示す。
にTiのチップをAgCuターゲット上に配置して金属反射層
を表−２のAgCuTi合金とした以外は全く同じ構成の光磁
気ディスクのサンプルを作成し、同じようにして評価し
た。その結果を表−２に示す。
以上、実施例に示した如く、本発明のCuと、Ta又はTi
の少なくとも一方とを含有したAg合金からなる金属反射
膜ではC/N、感度が優れ、かつ耐久性も高い光磁気記録
媒体を得ることができる。特にTa,Tiの含有量が2at％以
上の範囲では、最適記録レーザーパワーの低下すなわち
記録感度の向上が顕著で、かつC/Nも公知の、例えばAlT
a合金膜を反射膜とする光磁気ディスクより格段にすぐ
れている。かかる効果の点でTa、Tiの含有量は２〜10at
％が特に好ましい。
の少なくとも一方とを含有したAg合金からなる金属反射
膜ではC/N、感度が優れ、かつ耐久性も高い光磁気記録
媒体を得ることができる。特にTa,Tiの含有量が2at％以
上の範囲では、最適記録レーザーパワーの低下すなわち
記録感度の向上が顕著で、かつC/Nも公知の、例えばAlT
a合金膜を反射膜とする光磁気ディスクより格段にすぐ
れている。かかる効果の点でTa、Tiの含有量は２〜10at
％が特に好ましい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中谷 忠則 東京都日野市旭が丘４丁目３番２号 帝人 株式会社東京研究センター内 (72)発明者 千葉 潔 東京都日野市旭が丘４丁目３番２号 帝人 株式会社東京研究センター内 (56)参考文献 特開 昭59−8150（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】金属反射層を有する光磁気記録媒体におい
て、該金属反射層がAgにCuを0.5〜30at％含有せしめ、
さらにTa又はTiの少くとも一種を0.5〜15at％含有せし
めたAg合金からなることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】前記金属反射層が光磁気記録層に接して設
けられた請求項第１項記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】前記Ta又はTiの含有量の合計が２〜10at％
である請求項第１項又は第２項記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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