JPH0817392A - イオン散乱分析装置 - Google Patents
イオン散乱分析装置Info
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- JPH0817392A JPH0817392A JP6150904A JP15090494A JPH0817392A JP H0817392 A JPH0817392 A JP H0817392A JP 6150904 A JP6150904 A JP 6150904A JP 15090494 A JP15090494 A JP 15090494A JP H0817392 A JPH0817392 A JP H0817392A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は，イオン散乱分析装置に係り，試料
表面で散乱された後方散乱粒子の内，イオンと中性粒子
とを各別に精度の良い分析を行い得るようにすることを
目的とする。 【構成】 イオンビーム発生装置１０から照射されたイ
オンビーム１１はウィーンフィルタ１５内でその軌道が
曲げられ，試料１７の表面に照射される。この試料１７
の表面に照射されたイオンビーム１１は，後方散乱され
てその内の中性粒子２４が上記ウィーンフィルタ１５内
を直進して検出器２７により検出される。他方，後方散
乱されたイオン２３は，上記ウィーンフィルタ１５内で
その軌道を曲げられ，検出器２５により検出される。こ
のようにイオン２３と中性粒子２４の各軌道を相対的に
偏向させて各別に検出することにより，精度の良い分析
を行うことができる。
表面で散乱された後方散乱粒子の内，イオンと中性粒子
とを各別に精度の良い分析を行い得るようにすることを
目的とする。 【構成】 イオンビーム発生装置１０から照射されたイ
オンビーム１１はウィーンフィルタ１５内でその軌道が
曲げられ，試料１７の表面に照射される。この試料１７
の表面に照射されたイオンビーム１１は，後方散乱され
てその内の中性粒子２４が上記ウィーンフィルタ１５内
を直進して検出器２７により検出される。他方，後方散
乱されたイオン２３は，上記ウィーンフィルタ１５内で
その軌道を曲げられ，検出器２５により検出される。こ
のようにイオン２３と中性粒子２４の各軌道を相対的に
偏向させて各別に検出することにより，精度の良い分析
を行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，イオン源からのイオン
ビームを試料表面に照射してこの試料表面で散乱された
後方散乱粒子を検出し，上記試料表面の分析を行うイオ
ン散乱分析装置に関するものである。
ビームを試料表面に照射してこの試料表面で散乱された
後方散乱粒子を検出し，上記試料表面の分析を行うイオ
ン散乱分析装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば半導体開発や結晶性薄膜の分野で
は，エピタキシャル成膜，ＭＢＥ成膜等によるデバイス
材料の研究開発が盛んに行われている。そして，これら
の材料の表面層，具体的には１原子層〜数原子層におけ
る欠陥（例えば空孔，不純物吸着，異常成長等）がその
特性に与える影響は大きい。このため，開発プロセスに
おいては，表面層の欠陥に関する情報は極めて重要とな
る。また，表面層の原子間の結合状態も材料特性を理解
する上で重要な情報となり得る。このように，デバイス
材料の開発には，その表面層の情報を知ることは極めて
重要である。そこで，近年では，数ｋｅＶオーダーの低
エネルギーイオンを用いた分析手法である低エネルギー
イオン散乱分析法が注目されている。図３に，この低エ
ネルギーイオン散乱法を利用した従来のイオン散乱分析
装置の一例を示す。同図に示すイオン散乱分析装置Ａで
は，イオンビーム発生装置１（イオン源）から出射され
たイオンビーム２は，マイクロチャンネルプレート検出
器３の中心部に設けられたパイプを通過して分析対象と
なる試料４の表面に照射される。この試料４にイオンビ
ーム２が照射されて完全後方散乱された粒子５の中に
は，電荷を持ったまま散乱されるイオンの他に，電荷を
試料４に奪われて中性粒子となって散乱されるものが含
まれる。即ち，試料４により散乱される粒子の内，電荷
を保有したままのものは試料４の表面に配列されている
原子により散乱されるものが多く，他方，中性化した粒
子は試料４の最表面層より内部に侵入し，試料原子との
間で交互作用があった後に散乱されたものが多く，各々
の散乱粒子は試料に関して異なった情報を担っている。
そして，このように完全後方散乱された粒子５のエネル
ギー分析は，上記試料４から上記マイクロチャンネルプ
レート検出器３に達するまでの粒子の飛行時間を測定す
ることにより行われる。このため，イオンビーム２は，
イオンビーム発生装置１の直後に設置されているビーム
チョッピング装置６により予めパルス化されている。更
に，上記マイクロチャンネルプレート検出器３の直前に
金属メッシュで形成された電極７が配置され，この電極
７に高電圧をかけて上記粒子５の内のイオンのみを加速
させ，このイオンと上記中性粒子とを弁別してそれぞれ
の分析を実現している。
は，エピタキシャル成膜，ＭＢＥ成膜等によるデバイス
材料の研究開発が盛んに行われている。そして，これら
の材料の表面層，具体的には１原子層〜数原子層におけ
る欠陥（例えば空孔，不純物吸着，異常成長等）がその
特性に与える影響は大きい。このため，開発プロセスに
おいては，表面層の欠陥に関する情報は極めて重要とな
る。また，表面層の原子間の結合状態も材料特性を理解
する上で重要な情報となり得る。このように，デバイス
材料の開発には，その表面層の情報を知ることは極めて
重要である。そこで，近年では，数ｋｅＶオーダーの低
エネルギーイオンを用いた分析手法である低エネルギー
イオン散乱分析法が注目されている。図３に，この低エ
ネルギーイオン散乱法を利用した従来のイオン散乱分析
装置の一例を示す。同図に示すイオン散乱分析装置Ａで
は，イオンビーム発生装置１（イオン源）から出射され
たイオンビーム２は，マイクロチャンネルプレート検出
器３の中心部に設けられたパイプを通過して分析対象と
なる試料４の表面に照射される。この試料４にイオンビ
ーム２が照射されて完全後方散乱された粒子５の中に
は，電荷を持ったまま散乱されるイオンの他に，電荷を
試料４に奪われて中性粒子となって散乱されるものが含
まれる。即ち，試料４により散乱される粒子の内，電荷
を保有したままのものは試料４の表面に配列されている
原子により散乱されるものが多く，他方，中性化した粒
子は試料４の最表面層より内部に侵入し，試料原子との
間で交互作用があった後に散乱されたものが多く，各々
の散乱粒子は試料に関して異なった情報を担っている。
そして，このように完全後方散乱された粒子５のエネル
ギー分析は，上記試料４から上記マイクロチャンネルプ
レート検出器３に達するまでの粒子の飛行時間を測定す
ることにより行われる。このため，イオンビーム２は，
イオンビーム発生装置１の直後に設置されているビーム
チョッピング装置６により予めパルス化されている。更
に，上記マイクロチャンネルプレート検出器３の直前に
金属メッシュで形成された電極７が配置され，この電極
７に高電圧をかけて上記粒子５の内のイオンのみを加速
させ，このイオンと上記中性粒子とを弁別してそれぞれ
の分析を実現している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが，上記のよう
な従来のイオン散乱分析装置Ａにおいては，試料４の表
面で後方散乱された粒子５の飛行時間は数マイクロ秒と
極めて短く，後方散乱されたイオンと中性粒子との時間
差分解機能を高めなければないことから，高速時間測定
装置等が必要となり装置構成全体が複雑となる。そこ
で，本発明は，上記事情に鑑みて創案されたものであ
り，試料表面で散乱された後方散乱粒子の内，イオンと
中性粒子とを各別に確実に分析することのできるイオン
散乱分析装置の提供を目的とするものである。
な従来のイオン散乱分析装置Ａにおいては，試料４の表
面で後方散乱された粒子５の飛行時間は数マイクロ秒と
極めて短く，後方散乱されたイオンと中性粒子との時間
差分解機能を高めなければないことから，高速時間測定
装置等が必要となり装置構成全体が複雑となる。そこ
で，本発明は，上記事情に鑑みて創案されたものであ
り，試料表面で散乱された後方散乱粒子の内，イオンと
中性粒子とを各別に確実に分析することのできるイオン
散乱分析装置の提供を目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に，本発明が採用する主たる手段は，その要旨とすると
ころが，イオン源からのイオンビームを試料表面に照射
してこの試料表面で散乱された後方散乱粒子を検出し，
上記試料表面の分析を行うイオン散乱分析装置におい
て，上記試料表面で散乱された後方散乱粒子の内，後方
散乱イオンと後方散乱中性粒子の各軌道を相対的に偏向
させる偏向手段を設けると共に，上記後方散乱イオンを
検出する第１の検出手段及び上記後方散乱中性粒子を検
出する第２の検出手段を配設した点に係るイオン散乱分
析装置である。
に，本発明が採用する主たる手段は，その要旨とすると
ころが，イオン源からのイオンビームを試料表面に照射
してこの試料表面で散乱された後方散乱粒子を検出し，
上記試料表面の分析を行うイオン散乱分析装置におい
て，上記試料表面で散乱された後方散乱粒子の内，後方
散乱イオンと後方散乱中性粒子の各軌道を相対的に偏向
させる偏向手段を設けると共に，上記後方散乱イオンを
検出する第１の検出手段及び上記後方散乱中性粒子を検
出する第２の検出手段を配設した点に係るイオン散乱分
析装置である。
【０００５】
【作用】本発明に係るイオン散乱分析装置では，後方散
乱イオンと後方散乱中性粒子の各軌道が偏向手段により
相対的に偏向され，それぞれが第１の検出手段及び第２
の検出手段により検出される。
乱イオンと後方散乱中性粒子の各軌道が偏向手段により
相対的に偏向され，それぞれが第１の検出手段及び第２
の検出手段により検出される。
【０００６】
【実施例】以下添付図面を参照して，本発明を具体化し
た実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，以
下の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定する性格のものではない。ここ
に，図１は本発明の一実施例に係るイオン散乱分析装置
を示す模式図，図２は上記イオン散乱分析装置を構成す
るウィーンフィルタ中でのイオン及び中性粒子の各軌道
を示す模式図である。この実施例に係るイオン散乱分析
装置Ｂでは，図１に示す如く，イオンビーム発生装置１
０（イオン源）から照射されたイオンビーム１１は，ビ
ームチョッピング装置１２によりパルス化されて収束レ
ンズ１３により平行ビーム化され，更にスリット１４を
通過する。上記スリット１４を通過したイオンビーム１
１は，ウィーンフィルタ１５（偏向手段）中でその軌道
が曲げられ，真空チャンバ１６内に配置された分析対象
となる試料１７に照射される。上記ウィーンフィルタ１
５（図２参照）は，磁場Ｂの偏向作用（イオンの運動量
に比例）と電場Ｅの偏向作用（イオンエネルギーに比
例）とが互いに反対方向に働くように，電磁石と平行電
極が配置された構造となっている。上記試料１７は，ロ
ードロック装置１８により上記真空チャンバ１６内に挿
入され，試料台としてのゴニオメータ１９に取り付けら
れる。そして，このゴニオメータ１９により，上記イオ
ンビーム１１に対し，上記試料１７上でのその照射位置
及び入射角度が調整される。上記真空チャンバ１６は，
図外のビームラインと作動排気系により連通されてお
り，この真空チャンバ１６内は，クライオポンプ２０の
作用によって１０-11Torr台の値の高い真空度で保たれ
る。そして，このクライオポンプ２０を構成する冷却板
２１により，上記試料１７は囲まれた状態にある。上記
イオンビーム１１の照射により試料１７の表面層の原子
にて１８０°後方散乱された粒子２２には，電荷を持っ
たまま散乱されたイオン２３とその散乱過程で電子を奪
われあるいはもらい受けた中性粒子２４とが含まれる。
この内，上記イオン２３は，上記ウィーンフィルタ１５
内でその軌道を曲げられて検出器２５（第１の検出手
段）にて検出され，信号処理装置２６により分析され
る。他方，上記中性粒子２４は，上記ウィーンフィルタ
１５内でその電場及び磁場によるローレンツ力を受ける
ことなく直進し，検出器２７（第２の検出手段）により
検出されて上記信号処理装置２６により分析される。こ
こで，上記検出器２７として，数ｍｅＶのエネルギーギ
ャップを持つ超伝導トンネル接合型のものを用いること
により，低エネルギーの中性粒子をも検出可能となる。
また，上記検出器２５は，上記イオン２３の光軸に対し
て垂直の面内で移動可能となるように位置調整機構２８
により支持されていることから，上記イオン２３の軌道
に対してこの検出器２５を相対的に移動させてその検出
位置を調節することができ，異なるエネルギーのイオン
を検出することができる。
た実施例につき説明し，本発明の理解に供する。尚，以
下の実施例は，本発明を具体化した一例であって，本発
明の技術的範囲を限定する性格のものではない。ここ
に，図１は本発明の一実施例に係るイオン散乱分析装置
を示す模式図，図２は上記イオン散乱分析装置を構成す
るウィーンフィルタ中でのイオン及び中性粒子の各軌道
を示す模式図である。この実施例に係るイオン散乱分析
装置Ｂでは，図１に示す如く，イオンビーム発生装置１
０（イオン源）から照射されたイオンビーム１１は，ビ
ームチョッピング装置１２によりパルス化されて収束レ
ンズ１３により平行ビーム化され，更にスリット１４を
通過する。上記スリット１４を通過したイオンビーム１
１は，ウィーンフィルタ１５（偏向手段）中でその軌道
が曲げられ，真空チャンバ１６内に配置された分析対象
となる試料１７に照射される。上記ウィーンフィルタ１
５（図２参照）は，磁場Ｂの偏向作用（イオンの運動量
に比例）と電場Ｅの偏向作用（イオンエネルギーに比
例）とが互いに反対方向に働くように，電磁石と平行電
極が配置された構造となっている。上記試料１７は，ロ
ードロック装置１８により上記真空チャンバ１６内に挿
入され，試料台としてのゴニオメータ１９に取り付けら
れる。そして，このゴニオメータ１９により，上記イオ
ンビーム１１に対し，上記試料１７上でのその照射位置
及び入射角度が調整される。上記真空チャンバ１６は，
図外のビームラインと作動排気系により連通されてお
り，この真空チャンバ１６内は，クライオポンプ２０の
作用によって１０-11Torr台の値の高い真空度で保たれ
る。そして，このクライオポンプ２０を構成する冷却板
２１により，上記試料１７は囲まれた状態にある。上記
イオンビーム１１の照射により試料１７の表面層の原子
にて１８０°後方散乱された粒子２２には，電荷を持っ
たまま散乱されたイオン２３とその散乱過程で電子を奪
われあるいはもらい受けた中性粒子２４とが含まれる。
この内，上記イオン２３は，上記ウィーンフィルタ１５
内でその軌道を曲げられて検出器２５（第１の検出手
段）にて検出され，信号処理装置２６により分析され
る。他方，上記中性粒子２４は，上記ウィーンフィルタ
１５内でその電場及び磁場によるローレンツ力を受ける
ことなく直進し，検出器２７（第２の検出手段）により
検出されて上記信号処理装置２６により分析される。こ
こで，上記検出器２７として，数ｍｅＶのエネルギーギ
ャップを持つ超伝導トンネル接合型のものを用いること
により，低エネルギーの中性粒子をも検出可能となる。
また，上記検出器２５は，上記イオン２３の光軸に対し
て垂直の面内で移動可能となるように位置調整機構２８
により支持されていることから，上記イオン２３の軌道
に対してこの検出器２５を相対的に移動させてその検出
位置を調節することができ，異なるエネルギーのイオン
を検出することができる。
【０００７】そして，上記イオンビーム発生装置１０，
ゴニオメータ１９，位置調整機構２８等は制御装置２９
により自動制御され，イオン２３，中性粒子２４の分析
が自動的に行われる。尚，分析に用いるイオン種は，試
料１７の構成元素の種類や分析目的に応じてＨｅ+ ，Ｎ
ａ+ 等，複数の中から適宜選択することができる。ここ
で，ウィーンフィルタ１５内での粒子の軌道を図２に示
すが，後方散乱されたイオンはそれぞれのエネルギーが
異なると，このウィーンフィルタ１５内での軌道が異な
るため，検出位置も異なる。電荷ｑ，出力ｍの入射イオ
ンビームの上記ウィーンフィルタ１５内での軌道は，同
図中に示した座標を用いて
ゴニオメータ１９，位置調整機構２８等は制御装置２９
により自動制御され，イオン２３，中性粒子２４の分析
が自動的に行われる。尚，分析に用いるイオン種は，試
料１７の構成元素の種類や分析目的に応じてＨｅ+ ，Ｎ
ａ+ 等，複数の中から適宜選択することができる。ここ
で，ウィーンフィルタ１５内での粒子の軌道を図２に示
すが，後方散乱されたイオンはそれぞれのエネルギーが
異なると，このウィーンフィルタ１５内での軌道が異な
るため，検出位置も異なる。電荷ｑ，出力ｍの入射イオ
ンビームの上記ウィーンフィルタ１５内での軌道は，同
図中に示した座標を用いて
【数１】 であらわされる。尚，ｘin，θinはウィーンフィルタ１
５への入射時の値である。また
５への入射時の値である。また
【数２】 ここで，次の条件式を満たす範囲で電場と磁場を変えて
もイオンビーム１１の試料１７への入射方向・位置は変
わらない。
もイオンビーム１１の試料１７への入射方向・位置は変
わらない。
【数３】
【０００８】一方，後方散乱されたイオン２３は，電場
及び磁場の変化に対し，ウィーンフィルタ１５からの出
射方向及び出射位置が変わる。即ち，上記（５）式が満
たされるように電場及び磁場の強度を変化させながら，
上記イオン２３の内測定しようとするエネルギーを持つ
もののみを検出器２５に入射させ，その他はスリット３
０により除去するように軌道を制御して所望のイオンの
エネルギー分析を行うことができる。本実施例に係るイ
オン散乱分析装置Ｂは，上記したように構成されている
ことから，以下に示すような効果を得ることができる。 ウィーンフィルタ１５によってイオンビーム１１と
完全後方散乱された粒子２２の軌道を分離することが実
現でき，イオンビーム発生装置１０と検出器２５，２７
とを異なる位置に配置して粒子２２の分析を容易に実施
することがでる。更に，完全後方散乱された粒子２２の
内，中性粒子２４はウィーンフィルタ１５内を直進する
ため，イオン２３と中性粒子２４とを分離して各別の検
出器２５，２７により分析することができる。従って，
正確で精度の高い分析が容易に実現される。 後方散乱されたイオン２２のエネルギー分散は，ウ
ィーンフィルタ１５の電場及び磁場の走査により容易に
実現できる。即ち，エネルギーの異なるイオン２３は，
ウィーンフィルタ１５内で異なる軌道を取り，イオンビ
ーム１１の照射位置を変えることなくエネルギー分析を
行うことができる。
及び磁場の変化に対し，ウィーンフィルタ１５からの出
射方向及び出射位置が変わる。即ち，上記（５）式が満
たされるように電場及び磁場の強度を変化させながら，
上記イオン２３の内測定しようとするエネルギーを持つ
もののみを検出器２５に入射させ，その他はスリット３
０により除去するように軌道を制御して所望のイオンの
エネルギー分析を行うことができる。本実施例に係るイ
オン散乱分析装置Ｂは，上記したように構成されている
ことから，以下に示すような効果を得ることができる。 ウィーンフィルタ１５によってイオンビーム１１と
完全後方散乱された粒子２２の軌道を分離することが実
現でき，イオンビーム発生装置１０と検出器２５，２７
とを異なる位置に配置して粒子２２の分析を容易に実施
することがでる。更に，完全後方散乱された粒子２２の
内，中性粒子２４はウィーンフィルタ１５内を直進する
ため，イオン２３と中性粒子２４とを分離して各別の検
出器２５，２７により分析することができる。従って，
正確で精度の高い分析が容易に実現される。 後方散乱されたイオン２２のエネルギー分散は，ウ
ィーンフィルタ１５の電場及び磁場の走査により容易に
実現できる。即ち，エネルギーの異なるイオン２３は，
ウィーンフィルタ１５内で異なる軌道を取り，イオンビ
ーム１１の照射位置を変えることなくエネルギー分析を
行うことができる。
【０００９】 検出器２７として，数ｍｅＶのエネル
ギーギャップを有するような超伝導体の素子を用いるこ
とにより，低エネルギーの中性粒子に対しても十分な検
出感度を得ることができる。 試料１７の周囲にクライオポンプ２０を構成する冷
却板２１を配設することにより，効果的に試料付近にお
ける超高真空（〜１０-11 Torr）の達成が可能となり，
測定途中での不純物吸着を回避することができ，精度の
良い分析を可能とする。 試料１７の位置及びイオンビーム１１の入射角度，
更には検出器２５を自動的に走査しながら完全方向散乱
された粒子２２の測定を行うため，迅速に精度の良い分
析を可能とする。 イオンビーム１１のエネルギーをｋｅＶ単位で変化
させながら分析し得ることから，試料１７の最表面層か
ら深さ方向に数原子層毎の分析を行うことができる。 複数のイオン種を備えていることから，分析対象と
なる試料やその分析目的に応じて最適なイオンビームを
選択することがてきる。
ギーギャップを有するような超伝導体の素子を用いるこ
とにより，低エネルギーの中性粒子に対しても十分な検
出感度を得ることができる。 試料１７の周囲にクライオポンプ２０を構成する冷
却板２１を配設することにより，効果的に試料付近にお
ける超高真空（〜１０-11 Torr）の達成が可能となり，
測定途中での不純物吸着を回避することができ，精度の
良い分析を可能とする。 試料１７の位置及びイオンビーム１１の入射角度，
更には検出器２５を自動的に走査しながら完全方向散乱
された粒子２２の測定を行うため，迅速に精度の良い分
析を可能とする。 イオンビーム１１のエネルギーをｋｅＶ単位で変化
させながら分析し得ることから，試料１７の最表面層か
ら深さ方向に数原子層毎の分析を行うことができる。 複数のイオン種を備えていることから，分析対象と
なる試料やその分析目的に応じて最適なイオンビームを
選択することがてきる。
【００１０】
【発明の効果】本発明は，上記したように，イオン源か
らのイオンビームを試料表面に照射してこの試料表面で
散乱された後方散乱粒子を検出し，上記試料表面の分析
を行うイオン散乱分析装置において，上記試料表面で散
乱された後方散乱粒子の内，後方散乱イオンと後方散乱
中性粒子の各軌道を相対的に偏向させる偏向手段を設け
ると共に，上記後方散乱イオンを検出する第１の検出手
段及び上記後方散乱中性粒子を検出する第２の検出手段
を配設したことを特徴とするイオン散乱分析装置である
から，試料表面で散乱された後方散乱粒子の内，イオン
と中性粒子とを各別に確実に且つ精度良く分析すること
ができる。
らのイオンビームを試料表面に照射してこの試料表面で
散乱された後方散乱粒子を検出し，上記試料表面の分析
を行うイオン散乱分析装置において，上記試料表面で散
乱された後方散乱粒子の内，後方散乱イオンと後方散乱
中性粒子の各軌道を相対的に偏向させる偏向手段を設け
ると共に，上記後方散乱イオンを検出する第１の検出手
段及び上記後方散乱中性粒子を検出する第２の検出手段
を配設したことを特徴とするイオン散乱分析装置である
から，試料表面で散乱された後方散乱粒子の内，イオン
と中性粒子とを各別に確実に且つ精度良く分析すること
ができる。
【図１】 本発明の一実施例に係るイオン散乱分析装置
を示す模式図。
を示す模式図。
【図２】 上記イオン散乱分析装置を構成するウィーン
フィルタ中でのイオン及び中性粒子の各軌道を示す模式
図。
フィルタ中でのイオン及び中性粒子の各軌道を示す模式
図。
【図３】 従来のイオン散乱分析装置を示す模式図。
１０…イオンビーム発生装置（イオン源） １１…イオンビーム １２…ビームチョッピング装置 １３…収束レンズ １４…スリット １５…ウィーンフィルタ（偏向手段） １６…真空チャンバ １７…試料 １８…モードロック装置 １９…ゴニオメータ ２０…クライオポンプ ２１…冷却板 ２２…粒子 ２３…イオン ２４…中性粒子 ２５…検出器（第１の検出手段） ２６…信号処理装置 ２７…検出器（第２の検出手段） ２８…位置調整機構 ２９…制御装置 ３０…スリット Ｂ…イオン散乱分析装置
Claims (4)
- 【請求項１】 イオン源からのイオンビームを試料表面
に照射してこの試料表面で散乱された後方散乱粒子を検
出し，上記試料表面の分析を行うイオン散乱分析装置に
おいて，上記試料表面で散乱された後方散乱粒子の内，
後方散乱イオンと後方散乱中性粒子の各軌道を相対的に
偏向させる偏向手段を設けると共に，上記後方散乱イオ
ンを検出する第１の検出手段及び上記後方散乱中性粒子
を検出する第２の検出手段を配設したことを特徴とする
イオン散乱分析装置。 - 【請求項２】 上記偏向手段がウィーンフィルタである
請求項１記載のイオン散乱分析装置。 - 【請求項３】 上記ウィーンフィルタの電場及び磁場の
強度を変化させて上記後方散乱イオンの軌道を制御し，
異なるエネルギーの後方散乱イオンを検出することとし
た請求項２記載のイオン散乱分析装置。 - 【請求項４】 上記後方散乱イオンの軌道に対して上記
第１の検出手段を相対的に移動させてその検出位置を制
御し，異なるエネルギーの後方散乱イオンを検出するこ
ととした請求項１，２若しくは３のいずれかに記載のイ
オン散乱分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6150904A JPH0817392A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | イオン散乱分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6150904A JPH0817392A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | イオン散乱分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817392A true JPH0817392A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15506933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6150904A Pending JPH0817392A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | イオン散乱分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817392A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006153751A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kyoto Univ | イオンビーム分析装置 |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP6150904A patent/JPH0817392A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006153751A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Kyoto Univ | イオンビーム分析装置 |
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