JPH08176511A - シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜および半導体装置 - Google Patents
シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜および半導体装置Info
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- JPH08176511A JPH08176511A JP32222894A JP32222894A JPH08176511A JP H08176511 A JPH08176511 A JP H08176511A JP 32222894 A JP32222894 A JP 32222894A JP 32222894 A JP32222894 A JP 32222894A JP H08176511 A JPH08176511 A JP H08176511A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被膜の表面の凹凸や塗布ムラを低減して配線
層間膜の平坦性を高め、半導体素子の信頼性を向上させ
るシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。 【構成】 【化１】 （式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は水素または炭素数１〜３のア
ルキル基を示し、ｎは整数を示す）で表されるポリシラ
ザン化合物およびジアミン化合物を含むシリカ系被膜形
成用塗布液、シリカ系被膜およびこのシリカ系被膜を用
いた半導体装置。
層間膜の平坦性を高め、半導体素子の信頼性を向上させ
るシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。 【構成】 【化１】 （式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は水素または炭素数１〜３のア
ルキル基を示し、ｎは整数を示す）で表されるポリシラ
ザン化合物およびジアミン化合物を含むシリカ系被膜形
成用塗布液、シリカ系被膜およびこのシリカ系被膜を用
いた半導体装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリカ系被膜形成用塗布
液、この塗布液の製造法、シリカ系被膜およびこのシリ
カ系被膜を用いた半導体装置に関する。
液、この塗布液の製造法、シリカ系被膜およびこのシリ
カ系被膜を用いた半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化にともない
配線幅が細くなり、かつその間隙は狭くなり、配線は多
層化が進んでいる。このため、上層の配線に断線が生じ
たり、またリソグラフィ工程においてフォーカスマージ
ンの確保が困難になってきている。これらの問題を解決
するため、配線の層間絶縁膜による平坦化が重要な技術
になってきている。層間絶縁膜による平坦化法として
は、バイアススパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vaper Dep
osition）法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g）法などが検討されている。しかし、量産性、平坦性
などの観点から、ＳＯＧ（Spin On Glass）と呼ばれる
シリカ系被膜形成用塗布液をウエハ上に回転塗布し、加
熱硬化させることによりシリカ系被膜を形成するＳＯＧ
法が広く用いられている。このシリカ系被膜形成用塗布
液は、アルコキシシラン化合物を溶媒中、触媒の存在
下、水を添加してアルコキシ基を加水分解し、縮重合さ
せて製造されたポリシロキサン溶液が多く用いられる。
このシリカ系被膜形成用塗布液により形成されたシリカ
系被膜を層間絶縁膜に適用する場合、エッチバック処理
を行い、膜の上下をＣＶＤによる酸化ケイ素系膜で挟ん
だ３層構造で用いられる。これは、半導体装置の信頼性
を向上させるためで、配線間をつなぐために形成された
層間絶縁膜のスルーホール側壁にシリカ系被膜を露出さ
せないためである。しかし、半導体装置は配線の多層化
が進んでおり、工程数低減のためエッチバックを行わず
に使用できるＳＯＧ材料が求められている。この要求に
応えるため、各種の材料、プロセスが検討されてきた。
エッチバックを行わずに使用できるＳＯＧ材料としては
ポリシラザンが検討されており、例えば特開平４−３４
１７０５号公報に示されるように、ポリシラザン溶液を
半導体装置形成基板に塗布液、非水条件下で加熱硬化し
シリカ系被膜を形成する方法がある。しかし、ポリシラ
ザン化合物溶液を半導体装置形成基板に回転塗布し、加
熱硬化させてシリカ系被膜を形成すると膜表面に細かい
凹凸や色の濃淡として観察される塗布ムラが現れる。こ
のような膜表面の凹凸や塗布ムラは半導体装置の層間絶
縁膜に適用した場合、層間絶縁膜の平坦性を損ない、半
導体装置の信頼性を低下させることになる。
配線幅が細くなり、かつその間隙は狭くなり、配線は多
層化が進んでいる。このため、上層の配線に断線が生じ
たり、またリソグラフィ工程においてフォーカスマージ
ンの確保が困難になってきている。これらの問題を解決
するため、配線の層間絶縁膜による平坦化が重要な技術
になってきている。層間絶縁膜による平坦化法として
は、バイアススパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vaper Dep
osition）法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishin
g）法などが検討されている。しかし、量産性、平坦性
などの観点から、ＳＯＧ（Spin On Glass）と呼ばれる
シリカ系被膜形成用塗布液をウエハ上に回転塗布し、加
熱硬化させることによりシリカ系被膜を形成するＳＯＧ
法が広く用いられている。このシリカ系被膜形成用塗布
液は、アルコキシシラン化合物を溶媒中、触媒の存在
下、水を添加してアルコキシ基を加水分解し、縮重合さ
せて製造されたポリシロキサン溶液が多く用いられる。
このシリカ系被膜形成用塗布液により形成されたシリカ
系被膜を層間絶縁膜に適用する場合、エッチバック処理
を行い、膜の上下をＣＶＤによる酸化ケイ素系膜で挟ん
だ３層構造で用いられる。これは、半導体装置の信頼性
を向上させるためで、配線間をつなぐために形成された
層間絶縁膜のスルーホール側壁にシリカ系被膜を露出さ
せないためである。しかし、半導体装置は配線の多層化
が進んでおり、工程数低減のためエッチバックを行わず
に使用できるＳＯＧ材料が求められている。この要求に
応えるため、各種の材料、プロセスが検討されてきた。
エッチバックを行わずに使用できるＳＯＧ材料としては
ポリシラザンが検討されており、例えば特開平４−３４
１７０５号公報に示されるように、ポリシラザン溶液を
半導体装置形成基板に塗布液、非水条件下で加熱硬化し
シリカ系被膜を形成する方法がある。しかし、ポリシラ
ザン化合物溶液を半導体装置形成基板に回転塗布し、加
熱硬化させてシリカ系被膜を形成すると膜表面に細かい
凹凸や色の濃淡として観察される塗布ムラが現れる。こ
のような膜表面の凹凸や塗布ムラは半導体装置の層間絶
縁膜に適用した場合、層間絶縁膜の平坦性を損ない、半
導体装置の信頼性を低下させることになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
シリカ系被膜表面の凹凸や塗布ムラを低減して配線層間
膜の平坦性を高め、半導体装置の信頼性を向上させるこ
とのできるシリカ系被膜形成用塗布液、この塗布液の製
造法、シリカ系被膜およびこのシリカ系被膜を用いた半
導体装置を提供するものである。
シリカ系被膜表面の凹凸や塗布ムラを低減して配線層間
膜の平坦性を高め、半導体装置の信頼性を向上させるこ
とのできるシリカ系被膜形成用塗布液、この塗布液の製
造法、シリカ系被膜およびこのシリカ系被膜を用いた半
導体装置を提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記の課題
に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、下記の一般式（Ｉ）で
示されるポリシラザン化合物およびジアミン化合物を含
むシリカ系被膜形成用塗布液を加熱硬化させて形成した
シリカ系被膜の表面の凹凸や塗布ムラが低減できること
を見いだし、本発明に到達した。
に鑑み、鋭意研究を重ねた結果、下記の一般式（Ｉ）で
示されるポリシラザン化合物およびジアミン化合物を含
むシリカ系被膜形成用塗布液を加熱硬化させて形成した
シリカ系被膜の表面の凹凸や塗布ムラが低減できること
を見いだし、本発明に到達した。
【０００５】本発明は、一般式（Ｉ）
【化６】 （式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は水素または炭素数１〜３のア
ルキル基を示し、ｎは整数を示す）で表されるポリシラ
ザン化合物およびジアミン化合物を含有してなるシリカ
系被膜形成用塗布液に関する。ポリシラザン化合物は、
例えば特公昭６３−１６３２５号公報に記載されている
ハロゲノシラン、オルガノハロゲノシラン等とアンモニ
ア、アミン化合物等とを有機溶媒中で反応させ、重合さ
せることにより得られる。ハロゲノシランとしては例え
ば
ルキル基を示し、ｎは整数を示す）で表されるポリシラ
ザン化合物およびジアミン化合物を含有してなるシリカ
系被膜形成用塗布液に関する。ポリシラザン化合物は、
例えば特公昭６３−１６３２５号公報に記載されている
ハロゲノシラン、オルガノハロゲノシラン等とアンモニ
ア、アミン化合物等とを有機溶媒中で反応させ、重合さ
せることにより得られる。ハロゲノシランとしては例え
ば
【化７】 などがある。オルガノハロゲノシランとしては例えば
【化８】 などがある。また、アミン化合物としては
【化９】 などがある。ハロゲノシラン、オルガノハロゲノシラン
等を反応溶媒中に溶解し、ハロゲノシラン１モルに対
し、４モル以上１０モル以下のアンモニア、アミン化合
物等を導入する。アンモニア、アミン化合物等中で窒
素、アルゴンなどの不活性ガスをキャリアガスとしてバ
ブリングし、気化したアンモニア、アミン化合物等をハ
ロゲノシラン溶液中に１時間以上かけてゆっくり導入す
る。また、反応中、液温は０℃以下に保持する。反応溶
媒としては、ピリジン、トルエン、キシレンなどが用い
られる。反応後、反応液を濾過し、エバポレータ等によ
り反応溶媒を除去することにより、ポリシラザン化合物
を得ることができる。この反応は水の存在により阻害さ
れるので、一連の操作は乾燥窒素雰囲気下で行う。ポリ
シラザン化合物は通常、ＧＰＣを用いて測定されるポリ
スチレン換算分子量で数平均分子量が６００〜５００
０、重量平均分子量が１０００〜２００００の範囲とさ
れ、一般式（Ｉ）におけるｎの値は１０〜１２０の範囲
とされる。ポリシラザン化合物は、有機溶媒に溶解して
塗布液とされるが有機溶媒としては、例えばトルエン、
キシレン、ジエチルエーテルなどが挙げられる。
等を反応溶媒中に溶解し、ハロゲノシラン１モルに対
し、４モル以上１０モル以下のアンモニア、アミン化合
物等を導入する。アンモニア、アミン化合物等中で窒
素、アルゴンなどの不活性ガスをキャリアガスとしてバ
ブリングし、気化したアンモニア、アミン化合物等をハ
ロゲノシラン溶液中に１時間以上かけてゆっくり導入す
る。また、反応中、液温は０℃以下に保持する。反応溶
媒としては、ピリジン、トルエン、キシレンなどが用い
られる。反応後、反応液を濾過し、エバポレータ等によ
り反応溶媒を除去することにより、ポリシラザン化合物
を得ることができる。この反応は水の存在により阻害さ
れるので、一連の操作は乾燥窒素雰囲気下で行う。ポリ
シラザン化合物は通常、ＧＰＣを用いて測定されるポリ
スチレン換算分子量で数平均分子量が６００〜５００
０、重量平均分子量が１０００〜２００００の範囲とさ
れ、一般式（Ｉ）におけるｎの値は１０〜１２０の範囲
とされる。ポリシラザン化合物は、有機溶媒に溶解して
塗布液とされるが有機溶媒としては、例えばトルエン、
キシレン、ジエチルエーテルなどが挙げられる。
【０００６】本発明で用いられるジアミン化合物として
は、一般式（II）
は、一般式（II）
【化１０】 （式中ｍは２〜１５の整数を示す）で示されるジアミン
化合物、一般式（III）
化合物、一般式（III）
【化１１】 （式中Ｒ4は炭素数６〜１５の脂環式基を示す）で示さ
れるジアミン化合物、一般式（IV）
れるジアミン化合物、一般式（IV）
【化１２】 （式中Ｒ5は芳香族基を示す）で示される化合物等が用
いられる。一般式（II）で示されるジアミン化合物とし
ては例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミ
ン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ヘプタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、
ドデカメチレンジアミンなどがある。
いられる。一般式（II）で示されるジアミン化合物とし
ては例えば、エチレンジアミン、トリメチレンジアミ
ン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ヘプタメチレンジアミン、デカメチレンジアミン、
ドデカメチレンジアミンなどがある。
【０００７】一般式（III）で示されるジアミン化合物
としては例えば、シクロヘキサメチレンジアミン、シク
ロヘプタメチレンジアミン、シクロデカメチレンジアミ
ン、シクロドデカメチレンジアミンなどがある。一般式
（IV）で示されるジアミン化合物としては例えば、パラ
フェニレンジアミンなどがある。
としては例えば、シクロヘキサメチレンジアミン、シク
ロヘプタメチレンジアミン、シクロデカメチレンジアミ
ン、シクロドデカメチレンジアミンなどがある。一般式
（IV）で示されるジアミン化合物としては例えば、パラ
フェニレンジアミンなどがある。
【０００８】また、本発明は、上記のポリシラザン化合
物の上記の有機溶媒を用いた溶液にジアミン化合物を添
加するシリカ系被膜形成用塗布液の製造法に関するが、
このような方法により製造されたシリカ系被膜形成用塗
布液は、主に回転塗布によりウエハなどの基板上に塗布
される。塗布方法としては、この他にディップ、スプレ
ーなどがある。また、塗布基板としてはガラス、セラミ
ック、金属などを用いることもできる。これらの方法で
塗布した後、大気中で１００〜２００℃で予備硬化し、
硬化炉中で３００〜５００℃で本硬化させることにより
シリカ系被膜が形成される。予備硬化は、ホットプレー
ト上で３０秒〜３分間、本硬化は１０〜３０分間行うこ
とが好ましい。本発明のシリカ系被膜は半導体装置の層
間絶縁膜として用いることが好ましい。半導体装置の層
間絶縁膜は、半導体装置上の配線間に本発明のシリカ系
被膜を形成して得られる。
物の上記の有機溶媒を用いた溶液にジアミン化合物を添
加するシリカ系被膜形成用塗布液の製造法に関するが、
このような方法により製造されたシリカ系被膜形成用塗
布液は、主に回転塗布によりウエハなどの基板上に塗布
される。塗布方法としては、この他にディップ、スプレ
ーなどがある。また、塗布基板としてはガラス、セラミ
ック、金属などを用いることもできる。これらの方法で
塗布した後、大気中で１００〜２００℃で予備硬化し、
硬化炉中で３００〜５００℃で本硬化させることにより
シリカ系被膜が形成される。予備硬化は、ホットプレー
ト上で３０秒〜３分間、本硬化は１０〜３０分間行うこ
とが好ましい。本発明のシリカ系被膜は半導体装置の層
間絶縁膜として用いることが好ましい。半導体装置の層
間絶縁膜は、半導体装置上の配線間に本発明のシリカ系
被膜を形成して得られる。
【０００９】以下本発明を実施例及び比較例により説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。 実施例１ 特公昭６３−１６３２５号公報に記載の製造法に準じて
ポリシラザン溶液を製造した。５００mlの４口フラスコ
中に乾燥ピリジン１５０mlを入れ、氷冷した。これにＨ
2ＳｉＣｌ2 １６．１ｇを１時間かけて徐々に加えたと
ころ、白色のアダクツが生成した。これにアンモニア１
０．９ｇを乾燥した窒素ガスと共に８０分かけて導入し
た。反応終了後、濾過し、濾液から溶媒を減圧除去し、
ポリシラザン化合物を得た。５０mlのなす型フラスコ中
でポリシラザン化合物２ｇにキシレン８ｇを加えて溶解
し、これにエチレンジアミン０．０４ｇを添加し塗布液
を作製した。これをウエハの上に回転塗布し、大気中、
ホットプレートで１５０℃で３０秒ついで２５０℃で３
０秒予備硬化した。次に石英炉の中に入れ、３００℃で
１０分ついで４００℃で２０分硬化した。金属顕微鏡を
用い、倍率２００倍でシリカ系被膜表面を観察したとこ
ろ表面の凹凸や塗布ムラは認められなかった。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。 実施例１ 特公昭６３−１６３２５号公報に記載の製造法に準じて
ポリシラザン溶液を製造した。５００mlの４口フラスコ
中に乾燥ピリジン１５０mlを入れ、氷冷した。これにＨ
2ＳｉＣｌ2 １６．１ｇを１時間かけて徐々に加えたと
ころ、白色のアダクツが生成した。これにアンモニア１
０．９ｇを乾燥した窒素ガスと共に８０分かけて導入し
た。反応終了後、濾過し、濾液から溶媒を減圧除去し、
ポリシラザン化合物を得た。５０mlのなす型フラスコ中
でポリシラザン化合物２ｇにキシレン８ｇを加えて溶解
し、これにエチレンジアミン０．０４ｇを添加し塗布液
を作製した。これをウエハの上に回転塗布し、大気中、
ホットプレートで１５０℃で３０秒ついで２５０℃で３
０秒予備硬化した。次に石英炉の中に入れ、３００℃で
１０分ついで４００℃で２０分硬化した。金属顕微鏡を
用い、倍率２００倍でシリカ系被膜表面を観察したとこ
ろ表面の凹凸や塗布ムラは認められなかった。
【００１０】実施例２ 実施例１と同様にして作製したポリシラザン化合物２ｇ
にキシレン８ｇを加えて溶解し、これにテトラエチレン
ジアミン０．０３ｇを添加し塗布液を作製した。この塗
布液を実施例１と同様にしてウエハの上に回転塗布し、
大気中、ホットプレートで１５０℃で３０秒ついで２５
０℃で３０秒予備硬化した。実施例１で用いた石英炉の
中に入れ、３００℃で１０分ついで４００℃で２０分硬
化した。金属顕微鏡を用い、倍率２００倍でシリカ系被
膜表面を観察したところ表面の凹凸や塗布ムラは認めら
れなかった。
にキシレン８ｇを加えて溶解し、これにテトラエチレン
ジアミン０．０３ｇを添加し塗布液を作製した。この塗
布液を実施例１と同様にしてウエハの上に回転塗布し、
大気中、ホットプレートで１５０℃で３０秒ついで２５
０℃で３０秒予備硬化した。実施例１で用いた石英炉の
中に入れ、３００℃で１０分ついで４００℃で２０分硬
化した。金属顕微鏡を用い、倍率２００倍でシリカ系被
膜表面を観察したところ表面の凹凸や塗布ムラは認めら
れなかった。
【００１１】実施例３ 実施例１と同様にして作製したポリシラザン化合物２ｇ
にキシレン８ｇを加えて溶解し、これにヘキサメチレン
ジアミン０．０２ｇを添加し塗布液を作製した。この塗
布液を実施例１と同様にしてウエハの上に回転塗布し、
大気中、ホットプレートで１５０℃で３０秒ついで２５
０℃で３０秒予備硬化した。実施例１で用いた石英炉の
中に入れ、３００℃で１０分ついで４００℃で２０分硬
化した。金属顕微鏡を用い、倍率２００倍でシリカ系被
膜表面を観察したところ表面の凹凸や塗布ムラは認めら
れなかった。
にキシレン８ｇを加えて溶解し、これにヘキサメチレン
ジアミン０．０２ｇを添加し塗布液を作製した。この塗
布液を実施例１と同様にしてウエハの上に回転塗布し、
大気中、ホットプレートで１５０℃で３０秒ついで２５
０℃で３０秒予備硬化した。実施例１で用いた石英炉の
中に入れ、３００℃で１０分ついで４００℃で２０分硬
化した。金属顕微鏡を用い、倍率２００倍でシリカ系被
膜表面を観察したところ表面の凹凸や塗布ムラは認めら
れなかった。
【００１２】実施例４ 実施例１と同様にして作製したポリシラザン化合物２ｇ
にキシレン８ｇを加えて溶解し、これにシクロヘキサメ
チレンジアミン０．０３ｇを添加し塗布液を作製した。
この塗布液を実施例１と同様にしてウエハの上に回転塗
布し、大気中、ホットプレートで１５０℃で３０秒つい
で２５０℃で３０秒予備硬化した。実施例１で用いた石
英炉の中に入れ、３００℃で１０分ついで４００℃で２
０分硬化した。金属顕微鏡を用い、倍率２００倍でシリ
カ系被膜表面を観察したところ表面の凹凸や塗布ムラは
認められなかった。
にキシレン８ｇを加えて溶解し、これにシクロヘキサメ
チレンジアミン０．０３ｇを添加し塗布液を作製した。
この塗布液を実施例１と同様にしてウエハの上に回転塗
布し、大気中、ホットプレートで１５０℃で３０秒つい
で２５０℃で３０秒予備硬化した。実施例１で用いた石
英炉の中に入れ、３００℃で１０分ついで４００℃で２
０分硬化した。金属顕微鏡を用い、倍率２００倍でシリ
カ系被膜表面を観察したところ表面の凹凸や塗布ムラは
認められなかった。
【００１３】実施例５ 実施例１と同様にして作製したポリシラザン化合物２ｇ
にキシレン８ｇを加えて溶解し、これにパラフェニレン
ジアミン０．０３ｇを添加し塗布液を作製した。この塗
布液を実施例１と同様にしてウエハの上に回転塗布し、
大気中、ホットプレートで１５０℃で３０秒ついで２５
０℃で３０秒予備硬化した。実施例１で用いた石英炉の
中に入れ、３００℃で１０分ついで４００℃で２０分硬
化した。金属顕微鏡を用い、倍率２００倍でシリカ系被
膜表面を観察したところ表面の凹凸や塗布ムラは認めら
れなかった。
にキシレン８ｇを加えて溶解し、これにパラフェニレン
ジアミン０．０３ｇを添加し塗布液を作製した。この塗
布液を実施例１と同様にしてウエハの上に回転塗布し、
大気中、ホットプレートで１５０℃で３０秒ついで２５
０℃で３０秒予備硬化した。実施例１で用いた石英炉の
中に入れ、３００℃で１０分ついで４００℃で２０分硬
化した。金属顕微鏡を用い、倍率２００倍でシリカ系被
膜表面を観察したところ表面の凹凸や塗布ムラは認めら
れなかった。
【００１４】比較例１ 実施例１と同様にして作製したポリシラザン化合物２ｇ
にキシレン８ｇを加えて溶解し、塗布液を作製した。こ
の塗布液を実施例１と同様にしてウエハの上に回転塗布
し、大気中、ホットプレートで１５０℃で３０秒ついで
２５０℃で３０秒予備硬化した。実施例１で用いた石英
炉の中に入れ、３００℃で１０分ついで４００℃で２０
分硬化した。金属顕微鏡を用い、倍率２００倍でシリカ
系被膜表面を観察したところ表面の凹凸や塗布ムラが無
数に発生した。一部、大きなものは肉眼でも確認され
た。
にキシレン８ｇを加えて溶解し、塗布液を作製した。こ
の塗布液を実施例１と同様にしてウエハの上に回転塗布
し、大気中、ホットプレートで１５０℃で３０秒ついで
２５０℃で３０秒予備硬化した。実施例１で用いた石英
炉の中に入れ、３００℃で１０分ついで４００℃で２０
分硬化した。金属顕微鏡を用い、倍率２００倍でシリカ
系被膜表面を観察したところ表面の凹凸や塗布ムラが無
数に発生した。一部、大きなものは肉眼でも確認され
た。
【００１５】
【発明の効果】本発明により、ポリシラザンから形成さ
れたシリカ系被膜の表面の凹凸や塗布ムラを低減して配
線層間膜の平坦性を高めることが可能になる。
れたシリカ系被膜の表面の凹凸や塗布ムラを低減して配
線層間膜の平坦性を高めることが可能になる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/768 (72)発明者 森嶋 浩之 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社山崎工場内
Claims (7)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は水素または炭素数１〜３のア
ルキル基を示し、ｎは整数を示す）で表されるポリシラ
ザン化合物およびジアミン化合物を含有してなるシリカ
系被膜形成用塗布液。 - 【請求項２】 ジアミン化合物が一般式（II） 【化２】 （式中ｍは２〜１５の整数を示す）で示されるジアミン
化合物である請求項１記載のシリカ系被膜形成用塗布
液。 - 【請求項３】 ジアミン化合物が一般式（III） 【化３】 （式中Ｒ4は炭素数６〜１５の脂環式基を示す）で示さ
れるジアミン化合物である請求項１記載のシリカ系被膜
形成用塗布液。 - 【請求項４】 ジアミン化合物が一般式（IV） 【化４】 （式中Ｒ5は芳香族基を示す）で示されるジアミン化合
物である請求項１記載のシリカ系被膜形成用塗布液。 - 【請求項５】 一般式（Ｉ） 【化５】 （式中Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は水素または炭素数１〜３のア
ルキル基を示し、ｎは整数を示す）で表されるポリシラ
ザン化合物の溶液にジアミン化合物を添加することを特
徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造法。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載のシリカ
系被膜形成用塗布液を用いて形成されたシリカ系被膜。 - 【請求項７】 請求項６記載のシリカ系被膜を層間絶縁
膜とした半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32222894A JPH08176511A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32222894A JPH08176511A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176511A true JPH08176511A (ja) | 1996-07-09 |
Family
ID=18141368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32222894A Pending JPH08176511A (ja) | 1994-12-26 | 1994-12-26 | シリカ系被膜形成用塗布液、シリカ系被膜形成用塗布液の製造法、シリカ系被膜および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08176511A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997003131A1 (en) * | 1995-07-13 | 1997-01-30 | Tonen Corporation | Composition for forming ceramic substances and process for producing ceramic substances |
| JPH09157544A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-17 | Tonen Corp | シリカ系被膜付き基材の製造方法及び本方法で製造されたシリカ系被膜付き基材 |
| JPH09183663A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-07-15 | Tonen Corp | プラスチックフィルムにＳｉＯ２系セラミックスを被覆する方法 |
| JPH10194826A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-28 | Tonen Corp | 低誘電率セラミックス材料及びその製造方法 |
| JPH10194719A (ja) * | 1996-12-28 | 1998-07-28 | Tonen Corp | 低誘電率シリカ質膜の形成方法及び同シリカ質膜 |
| WO2009054522A1 (ja) | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 緻密なシリカ質膜を得ることができるポリシラザン化合物含有組成物 |
| WO2017191049A1 (en) | 2016-05-02 | 2017-11-09 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Composition for forming dense siliceous film |
| CN108264647A (zh) * | 2018-02-11 | 2018-07-10 | 佛山凯仁精密材料有限公司 | 一种提高硅胶保护膜稳定性的方法及硅胶保护膜 |
| WO2018185044A2 (en) | 2017-04-04 | 2018-10-11 | Merck Patent Gmbh | Film forming composition |
| JP2018177859A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ | 膜形成組成物およびそれを用いた膜形成方法 |
| JP2022064056A (ja) * | 2020-10-13 | 2022-04-25 | 信越化学工業株式会社 | ポリシラザン化合物含有組成物 |
-
1994
- 1994-12-26 JP JP32222894A patent/JPH08176511A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| US8263717B2 (en) | 2007-10-26 | 2012-09-11 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Polysilazane-containing composition capable of forming a dense siliceous film |
| JP2019518811A (ja) * | 2016-05-02 | 2019-07-04 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ（ルクセンブルグ）ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 緻密なシリカ質膜形成用組成物 |
| KR20190004288A (ko) | 2016-05-02 | 2019-01-11 | 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. | 치밀한 규산질 필름을 형성하기 위한 조성물 |
| WO2017191049A1 (en) | 2016-05-02 | 2017-11-09 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Composition for forming dense siliceous film |
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| TWI698493B (zh) * | 2016-05-02 | 2020-07-11 | 盧森堡商Ａｚ電子材料盧森堡有限公司 | 緻密二氧化矽質膜形成用組成物 |
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| JP2018177860A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ | 膜形成組成物 |
| JP2018177859A (ja) * | 2017-04-04 | 2018-11-15 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ | 膜形成組成物およびそれを用いた膜形成方法 |
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