JPH0817656A - 半導体装置の磁気シールド方式および磁気シールド膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体基板上に形成されたインダクタ導体か
ら外部への磁気的影響を最小限に抑える。 【構成】 半導体基板１０にはその表面で隣接する位置
に２つのインダクタ導体１２，１４が形成されている。
一方のインダクタ導体１２は磁性体１６により、他方の
インダクタ導体１４は磁性体１８によりそれぞれ覆われ
ている。各インダクタ導体１２，１４によって発生する
磁束は、それぞれを覆っている磁性体１６，１８を磁路
として分布するため、磁性体１６，１８の外部への磁束
の漏れは殆どなく、各インダクタ導体１２，１４から外
部の素子等に対する磁気的な影響、およびインダクタ導
体１２，１４同士の磁気的結合が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に形成し
たインダクタ導体の磁気シールドを行う半導体装置の磁
気シールド方式および磁気シールド膜形成方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、コイルは重要な回路構成部品で
あり、構成する回路によっては必要不可欠な部品といえ
る。例えば、ＬＣ共振を利用した発振回路や送受信機に
含まれる同調回路は、コイルを使用してはじめて実現で
きるものである。

【０００３】ところで、上述した回路内に含まれるコイ
ルによって磁束が発生するため、この発生した磁束によ
って回りの部品に影響を与えないような設計を行う必要
がある。例えば、プリント配線基板上では２つのコイル
を離して配置したり、２つ以上のコイルを接近させて配
置しなければならない場合には、磁束の方向を考慮にい
れてコイルの配置を工夫する必要がある。

【０００４】図１１は、３つのコイルを隣接して配置す
る場合にその配置方向を工夫した図である。同図に示す
ように、隣接したコイル同士では互いにコイルを９０度
異なる方向に、すなわち、隣接するコイルによって発生
する磁束が直交するように、各コイルを配置する。この
ように、隣接した各コイルが発生する磁束を互いに直交
させることにより、各コイル間の磁気的結合を最小限に
抑えることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うにコイルの配置方向を工夫して発生する磁束を互いに
直交させ、各コイル間の磁気的結合を最小限に抑える従
来方式は、プリント配線基板上にコイルを配置するよう
な場合に限られる。

【０００６】一方、半導体基板上に薄膜形成技術を利用
して渦巻き形状のインダクタ導体を形成するような場合
には、磁束の発生方向は半導体基板に対して垂直方向に
限定される。そのため、接近して形成されたインダクタ
導体によるコイル同士が磁気的に結合してしまい、回路
素子として電気的に分離したい場合に好ましくない。特
に、半導体基板を利用して各種能動素子とともにインダ
クタ導体等の受動素子を形成する場合には、半導体製造
技術によって回路全体を小型化することになるため、回
路に含まれる複数のインダクタ導体を充分離して配置す
ることが困難となる。

【０００７】図１２は、半導体基板上に形成されたイン
ダクタ導体により発生する磁束を説明するための図であ
る。同図に示すように、半導体基板１００表面に、例え
ば渦巻き形状のインダクタ導体１０２，１０４が形成さ
れている。したがって、インダクタ導体１０２により形
成されるコイルに所定の電流を流すと、同図の矢印ａで
示すように半導体基板１００表面とほぼ垂直方向の磁束
が発生する。また、２つのインダクタ導体１０２，１０
４は、半導体基板１００表面に隣接して形成されている
ため、インダクタ導体１０２によって生じた磁束はイン
ダクタ導体１０４とほぼ垂直に交差することになり、２
つのインダクタ導体１０２，１０４が相互に磁気的結合
される。

【０００８】したがって、このように隣接して複数のイ
ンダクタ導体を半導体基板上に隣接して配置する場合に
は、各インダクタ導体間で何らかの磁気シールドを行う
ことが望まれる。また、１つのインダクタ導体を形成す
る場合も、他の素子等への磁気的な影響を最小限に抑え
ることが望ましいことに変わりはない。

【０００９】本発明は、このような点に鑑みて創作され
たものであり、その目的は、半導体基板上に形成された
インダクタ導体から外部への磁気的影響を最小限に抑え
ることができる半導体装置の磁気シールド方式および磁
気シールド膜形成方法に関する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項１の半導体装置の磁気シールド方式は、
半導体基板上にほぼ平面状に形成されたインダクタ導体
を絶縁性磁性体により覆うことにより、前記インダクタ
導体の磁気遮蔽を行うことを特徴とする。

【００１１】請求項２の半導体装置の磁気シールド方式
は、半導体基板上にほぼ平面状に形成されたインダクタ
導体を絶縁膜を介して導電性磁性体により覆うことによ
り、前記インダクタ導体の磁気遮蔽を行うことを特徴と
する。

【００１２】請求項３の半導体装置の磁気シールド方式
は、半導体基板上の隣接した位置にほぼ平面状に形成さ
れた複数のインダクタ導体のそれぞれを絶縁性磁性体に
より個別に覆うことにより、前記複数のインダクタ導体
間の磁気的絶縁を行うことを特徴とする。

【００１３】請求項４の半導体装置の磁気シールド方式
は、半導体基板上の隣接した位置にほぼ平面状に形成さ
れた複数のインダクタ導体のそれぞれを絶縁膜を介して
導電性磁性体により個別に覆うことにより、前記複数の
インダクタ導体間の磁気的絶縁を行うことを特徴とす
る。

【００１４】請求項５の半導体装置の磁気シールド方式
は、請求項１〜４のいずれかにおいて、前記磁性体は、
前記半導体基板の表面であって前記インダクタ導体との
間に形成された第１の磁性体膜と、前記インダクタ導体
の表面側であって前記第１の磁性体膜とほぼ対向して形
成された第２の磁性体膜とにより構成されることを特徴
とする。

【００１５】請求項６の半導体装置の磁気シールド方式
は、請求項１〜４のいずれかにおいて、前記磁性体は、
前記半導体基板の表面であって前記インダクタ導体との
間に形成された第１の磁性体膜により構成されることを
特徴とする。

【００１６】請求項７の半導体装置の磁気シールド方式
は、請求項１〜４のいずれかにおいて、前記磁性体は、
前記半導体基板上に形成された前記インダクタ導体のさ
らに表面側に形成された第２の磁性体膜により構成され
ることを特徴とする。

【００１７】請求項８の半導体装置の磁気シールド方式
は、請求項３または４において、前記複数のインダクタ
導体を覆う前記複数の磁性体は、前記半導体基板の表面
であって前記半導体基板と前記複数のインダクタ導体と
の間に形成された第１の磁性体膜と、前記複数のインダ
クタ導体のそれぞれの表面側を個別に覆うように形成さ
れた複数の第２の磁性体膜とにより構成されることを特
徴とする。

【００１８】請求項９の半導体装置の磁気シールド方式
は、請求項３または４において、前記複数のインダクタ
導体を覆う前記複数の磁性体は、前記半導体基板の表面
であって前記半導体基板と前記複数のインダクタ導体と
のそれぞれの間に個別に形成された第１の磁性体膜と、
前記複数のインダクタ導体の表面側を共通に覆うように
形成された第２の磁性体膜とにより構成されることを特
徴とする。

【００１９】請求項１０の半導体装置の磁気シールド膜
形成方法は、半導体基板上に第１の絶縁性磁性体膜を形
成する第１の工程と、前記第１の絶縁性磁性体膜表面の
隣接した位置に１あるいは複数のインダクタ導体を形成
する第２の工程と、前記１あるいは複数のインダクタ導
体を覆うように第２の絶縁性磁性体膜を形成する第３の
工程と、前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞ
れの周辺部分に形成された前記第１および第２の絶縁性
磁性体膜の両方あるいは第２の絶縁性磁性体膜のみを除
去する第４の工程と、を備え、前記１あるいは複数のイ
ンダクタ導体のそれぞれに対応して形成された前記絶縁
性磁性体膜により磁気遮蔽を行うことを特徴とする。

【００２０】請求項１１の半導体装置の磁気シールド膜
形成方法は、半導体基板上の隣接した位置に直接あるい
は第１の絶縁膜を介して１あるいは複数のインダクタ導
体を形成する第１の工程と、前記１あるいは複数のイン
ダクタ導体を覆うように絶縁性磁性体膜を形成する第２
の工程と、前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれ
ぞれの周辺部分に形成された前記絶縁性磁性体膜を除去
する第３の工程と、を備え、前記１あるいは複数のイン
ダクタ導体のそれぞれに対応して形成された前記絶縁性
磁性体膜により磁気遮蔽を行うことを特徴とする。

【００２１】請求項１２の半導体装置の磁気シールド膜
形成方法は、半導体基板上に絶縁性磁性体膜を形成する
第１の工程と、前記第１の絶縁性磁性体膜表面の隣接し
た位置に１あるいは複数のインダクタ導体を形成する第
２の工程と、前記１あるいは複数のインダクタ導体のそ
れぞれの周辺部分に形成された前記絶縁性磁性体膜を除
去する第３の工程と、を備え、前記１あるいは複数のイ
ンダクタ導体のそれぞれに対応して形成された前記絶縁
性磁性体膜により磁気遮蔽を行うことを特徴とする。

【００２２】請求項１３の半導体装置の磁気シールド膜
形成方法は、半導体基板上に第１の導電性磁性体膜を形
成する第１の工程と、前記第１の導電性磁性体膜の表面
に第１の絶縁膜を形成する第２の工程と、前記第１の絶
縁膜のさらに表面であって隣接した位置に１あるいは複
数のインダクタ導体を形成する第３の工程と、前記１あ
るいは複数のインダクタ導体の表面に第２の絶縁膜を形
成する第４の工程と、前記第２の絶縁膜が表面に形成さ
れた前記１あるいは複数のインダクタ導体を覆うように
第２の導電性磁性体膜を形成する第５の工程と、前記１
あるいは複数のインダクタ導体のそれぞれの周辺部分に
形成された前記第１および第２の導電性磁性体膜の両方
あるいは第２の導電性磁性体膜のみを除去する第６の工
程と、を備え、前記１あるいは複数のインダクタ導体の
それぞれに対応して形成された前記導電性磁性体膜によ
り磁気遮蔽を行うことを特徴とする。

【００２３】請求項１４の半導体装置の磁気シールド膜
形成方法は、半導体基板上の隣接した位置に直接あるい
は第１の絶縁膜を介して１あるいは複数のインダクタ導
体を形成する第１の工程と、前記１あるいは複数のイン
ダクタ導体の表面に第２の絶縁膜を形成する第２の工程
と、前記第２の絶縁膜が表面に形成された前記１あるい
は複数のインダクタ導体を覆うように導電性磁性体膜を
形成する第３の工程と、前記１あるいは複数のインダク
タ導体のそれぞれの周辺部分に形成された前記絶縁性磁
性体膜を除去する第４の工程と、を備え、前記１あるい
は複数のインダクタ導体のそれぞれに対応して形成され
た前記導電性磁性体膜により磁気遮蔽を行うことを特徴
とする。

【００２４】請求項１５の半導体装置の磁気シールド膜
形成方法は、半導体基板上に導電性磁性体膜を形成する
第１の工程と、前記導電性磁性体膜の表面に絶縁膜を形
成する第２の工程と、前記絶縁膜のさらに表面であって
隣接した位置に１あるいは複数のインダクタ導体を形成
する第３の工程と、前記１あるいは複数のインダクタ導
体のそれぞれの周辺部分に形成された前記導電性磁性体
膜を除去する第４の工程と、を備え、前記１あるいは複
数のインダクタ導体のそれぞれに対応して形成された前
記導電性磁性体膜により磁気遮蔽を行うことを特徴とす
る。

【００２５】請求項１６の半導体装置の磁気シールド膜
形成方法は、請求項１０〜１５のいずれかにおいて、前
記絶縁性磁性体膜あるいは前記導電性磁性体膜は、薄膜
形成技術により形成することを特徴とする。

【００２６】請求項１７の半導体装置の磁気シールド膜
形成方法は、請求項１０〜１５のいずれかにおいて、前
記絶縁性磁性体膜あるいは前記導電性磁性体膜の除去
は、エッチングあるいはレーザ光照射により行うことを
特徴とする。

【００２７】

【作用】請求項１または３の発明では、半導体基板上に
ほぼ平面状に形成されたインダクタ導体を絶縁性磁性体
で覆っている。したがって、このインダクタ導体に通電
したときに発生する磁束は、この絶縁性磁性体を磁路と
して分布することになり、インダクタ導体を覆った絶縁
性磁性体の外部にはほとんど漏れないため、外部への磁
気的影響を最小限に抑えることができる。特に、請求項
３では半導体基板上に複数のインダクタ導体が形成され
ており、それぞれが個別に磁気的に遮蔽されるため、隣
接したインダクタ同士の磁気的結合を防止することがで
きる。

【００２８】また、請求項２または４の発明では、半導
体基板上に形成されたインダクタ導体を絶縁膜を介して
導電性磁性体により覆っている。したがって、このイン
ダクタ導体と導電性磁性体との間の電気的絶縁は絶縁膜
によって確保されるとともに、インダクタ導体に通電し
たときに発生する磁束は、この導電性磁性体を磁路とし
て分布することになり、インダクタ導体を覆った導電性
磁性体の外部にはほとんど漏れないため、外部への磁気
的影響を最小限に抑えることができる。特に、請求項４
では半導体基板上に複数のインダクタ導体が形成されて
おり、それぞれが個別に磁気的に遮蔽されるため、隣接
したインダクタ同士の磁気的結合を防止することができ
る。

【００２９】また、請求項５の発明では、上述した絶縁
性あるいは導電性の磁性体を第１および第２の磁性体膜
により構成しており、これら第１および第２の磁性体膜
によってインダクタ導体を挟み込んでいる。したがっ
て、これら第１および第２の磁性体膜によって磁路が形
成され、インダクタ導体に通電することにより発生した
磁束は、磁路を形成する第１の磁性体膜および第２の磁
性体膜の内部を通って再びインダクタ導体に戻ってくる
ことになり、外部への磁束の漏れがほとんどなくなる。

【００３０】また、請求項６の発明では、上述した絶縁
性あるいは導電性の磁性体を請求項５で用いた第１の磁
性体膜のみで構成しており、この第１の磁性体膜をイン
ダクタ導体と半導体基板との間に介在させている。した
がって、インダクタ導体に沿って形成されたこの第１の
磁性体膜を通るように磁路が形成され、インダクタ導体
から遠く離れた部分には磁束が分布しないため、インダ
クタ導体から外部への磁束の漏れがほとんどなくなる。

【００３１】また、請求項７の発明では、上述した絶縁
性あるいは導電性の磁性体を請求項５で用いた第２の磁
性体膜のみで構成しており、この第２の磁性体膜を半導
体基板上に形成されたインダクタ導体のさらに表面側に
形成している。したがって、請求項６と同様に、インダ
クタ導体に沿って形成されたこの第２の磁性体膜を通る
ように磁路が形成され、インダクタ導体から遠くはなれ
た部分には磁束が分布しないため、インダクタ導体から
外部への磁束の漏れがほとんどなくなる。

【００３２】また、請求項８または９の発明では、半導
体基板上に複数のインダクタ導体を形成する場合におい
て、各インダクタ導体を挟むように形成する第１および
第２の磁性体膜のいずれか一方を各インダクタ導体に沿
って連続するように形成している。このように、一方の
磁性体膜を切れ間なく連続させた場合であっても、他方
の磁性体膜によって各インダクタ導体を個別に覆うこと
により、この個別に覆うように形成された他方の磁性体
膜を通るように磁路が形成される。したがって、インダ
クタ導体から外部への磁束の漏れががほとんどなく、し
かもインダクタ導体間が相互に磁気的に結合されること
もない。

【００３３】また、請求項１０の発明では、半導体基板
上に第１の絶縁性磁性体膜を形成した後、１あるいは複
数のインダクタ導体を形成し、さらにそれらの全体を覆
うように第２の絶縁性磁性体膜を形成し、最後にインダ
クタ導体周辺の絶縁性磁性体膜を除去することにより、
各インダクタ導体を個別に覆った絶縁性磁性体膜を形成
している。したがって、隣接して配置されたインダクタ
導体の数にかかわらず、その全体を覆う第１および第２
の絶縁性磁性体膜を形成すればよく、製造工程の簡略化
が可能となる。

【００３４】また、請求項１１の発明では、半導体基板
上に１あるいは複数のインダクタ導体を形成した後、そ
れらの全体を覆うように絶縁性磁性体膜を形成し、最後
にインダクタ導体周辺の絶縁性磁性体膜を除去すること
により、各インダクタ導体を片側から個別に覆った絶縁
性磁性体膜を形成している。したがって、隣接して配置
されたインダクタ導体の数にかかわらず、その片面側を
全体に覆う絶縁性磁性体膜を形成すればよく、製造工程
の簡略化が可能となる。

【００３５】また、請求項１２の発明では、半導体基板
上に絶縁性磁性体膜を形成した後、その上に１あるいは
複数のインダクタ導体を形成し、最後にインダクタ導体
周辺の絶縁性磁性体膜を除去することにより、各インダ
クタ導体の片側に個別に介在させた絶縁性磁性体膜を形
成している。したがって、隣接して配置されたインダク
タ導体の数にかかわらず、半導体基板表面を広範囲にわ
たって覆う絶縁性磁性体膜を形成すればよく、製造工程
の簡略化が可能となる。

【００３６】また、請求項１３〜１５の発明では、請求
項１０〜１２で用いた絶縁性磁性体膜を導電性磁性体膜
に置き換えるとともに、インダクタ導体の表面にこの導
電性磁性体膜との電気的な絶縁を行う絶縁膜を介在させ
たものである。したがって、請求項１０〜１２の場合と
同様に、隣接して配置されたインダクタ導体の数にかか
わらず、その全体あるいは片面側を覆う導電性磁性体膜
を形成すればよく、製造工程の簡略化が可能となる。

【００３７】また、請求項１６の発明では、上述した絶
縁性磁性体膜あるいは導電性磁性体膜を薄膜形成技術に
より形成している。したがって、ＩＣやＬＳＩ等の半導
体基板上に超小型のインダクタ導体を形成するような場
合であっても、容易に膜形成を行うことができる。

【００３８】また、請求項１７の発明では、上述した絶
縁性磁性体膜あるいは導電性磁性体膜の除去をエッチン
グあるいはレーザ光照射により行っており、容易に微細
加工を行うことができる。

【００３９】

【実施例】以下、本発明の半導体装置の磁気シールド方
式および磁気シールド膜形成方法を適用した一実施例の
半導体装置について、図面を参照しながら具体的に説明
する。

【００４０】図１は、半導体基板上の隣接した位置に形
成された２つのインダクタ導体の磁気シールドを行う一
実施例の概略を示す図である。

【００４１】本実施例の半導体基板１０は、その表面で
隣接する位置に２つのインダクタ導体１２，１４が形成
されている。しかも、一方のインダクタ導体１２は絶縁
性の磁性体１６により、他方のインダクタ導体１４は絶
縁性の磁性体１８によりそれぞれ覆われている。

【００４２】上述した半導体基板１０は、例えばｎ形シ
リコン基板（ｎ−Ｓｉ基板）やその他の半導体材料（例
えばゲルマニウムやアモルファスシリコン等の非晶質材
料）が用いられる。また、インダクタ導体１２，１４の
それぞれは、アルミニウムや金等の金属薄膜あるいはポ
リシリコン等の半導体材料を渦巻き形状あるいは蛇行形
状等に形成している。

【００４３】なお、図１に示した半導体基板１０には、
２つのインダクタ導体１２，１４以外にもトランジス
タ，ダイオード等の能動素子や抵抗，コンデンサ等の受
動素子が形成されており、２つのインダクタ導体１２，
１４と他の各素子とが配線されてＩＣやＬＳＩ等が構成
されているが、説明を簡単なものとするため、インダク
タ導体１２，１４のみに着目して図示してある。

【００４４】図２は、図１に示したインダクタ導体部分
の断面を示す図である。

【００４５】図２において、一方のインダクタ導体１２
近傍に着目すると、半導体基板１０表面に絶縁性の磁性
体膜１６ａを介してインダクタ導体１２が形成されてお
り、さらにその表面に絶縁性の磁性体膜１６ｂが被覆形
成されている。これら２つの磁性体膜１６ａ，１６ｂに
よって図１に示した磁性体１６が構成される。

【００４６】同様に、他方のインダクタ導体１４近傍に
着目すると、半導体基板１０表面に絶縁性の磁性体膜１
８ａを介してインダクタ導体１４が形成されており、さ
らにその表面に絶縁性の磁性体膜１８ｂが被覆形成され
ている。これら２つの磁性体膜１８ａ，１８ｂによって
図１に示した磁性体１８が構成される。

【００４７】図３は、図２に示したインダクタ導体近傍
の磁束の流れを示す図であり、一方のインダクタ導体１
２近傍の断面を拡大した図である。

【００４８】同図に示すように、両面に形成された磁性
体膜１６ａ，１６ｂによってインダクタ導体１２が覆わ
れており、これら２つの磁性体膜１６ａ，１６ｂによっ
て磁路が形成される。したがって、インダクタ導体１２
とほぼ垂直方向に発生した磁束は、これら２つの磁性体
膜１６ａ，１６ｂの内部を通って再びインダクタ導体１
２に戻ってくる。このため、磁性体膜１６ａ，１６ｂの
外部への磁束の漏れを減らして、インダクタ導体１２が
発生する磁束による外部への影響を最小限に抑えること
ができる。

【００４９】また、他方のインダクタ導体１４について
も同様であり、インダクタ導体１４とほぼ垂直方向に発
生した磁束は、これら２つの磁性体膜１８ａ，１８ｂの
内部を通って再びインダクタ導体１４に戻ってくる。こ
のため、磁性体膜１８ａ，１８ｂの外部への磁束の漏れ
を減らして、インダクタ導体１４が発生する磁束による
外部への影響を最小限に抑えることができる。

【００５０】さらに、半導体基板１０表面の隣接した位
置に形成された２つのインダクタ導体１２，１４のそれ
ぞれにおいて、上述したように外部への漏れ磁束を最小
限に抑えることができるため、２つのインダクタ導体１
２，１４相互の磁気的な結合の度合いも最小限に抑える
ことができる。したがって、半導体基板１０を利用して
構成した回路内で別々に動作しているインダクタ導体が
相互にトランス結合して誤動作することを防止すること
ができる。

【００５１】図４は、インダクタ導体の両側に磁性体膜
を形成する製造工程を示す図であり、一例として図２に
示した２つのインダクタ導体のそれぞれの両面を磁性体
膜で別個に覆う場合が示されている。

【００５２】(1) まず、半導体基板１０の表面に絶縁性
の磁性体膜２０を各種薄膜形成技術を利用して形成する
（同図（Ａ））。

【００５３】例えば、磁性体膜２０としては、ガンマ・
フェライトやバリウム・フェライト等の各種磁性体膜を
用いることができる。特に、磁気記憶媒体として一般的
なガンマ・フェライトは、ガンマ・フェライトの薄膜を
形成する基板に平行な面方向に微小磁石を並べたような
磁化方向を有しており、図３に示したような磁路を形成
する際に好都合となる。また、ガンマ・フェライトを用
いる場合には、塗布により磁性体膜を形成することがで
きるため、製造が容易となる。

【００５４】なお、磁性体膜の材質や形成方法について
は各種のものが考えられ、例えばＦｅＯ等を真空蒸着し
て磁性体膜を形成する方法や、その他分子線エピタキシ
ー法（ＭＢＥ法），化学気相成長法（ＣＶＤ法），スパ
ッタ法等を用いて磁性体膜を形成する方法等が考えられ
る。

【００５５】(2) 次に、磁性体膜２０のさらに表面にイ
ンダクタ導体１２，１４のそれぞれを形成する（同図
（Ｂ））。

【００５６】各インダクタ導体１２，１４は、最も一般
的な場合には渦巻き形状に形成されており、所定のイン
ダクタンスを有する形状とする。

【００５７】また、各インダクタ導体１２，１４は、一
般には金属薄膜によって形成されるが、ポリシリコン等
の半導体材料で形成するようにしてもよい。例えば、ア
ルミニウム等の金属薄膜を絶縁性磁性体膜２０のほぼ全
面に形成したのち、フォトリソグラフィによって金属薄
膜を部分的に除去して渦巻き形状のインダクタ導体１
２，１４が形成される。

【００５８】(3) 次に、インダクタ導体１２，１４およ
び露出した磁性体膜２０の表面に絶縁性の磁性体膜２２
を形成する（同図（Ｃ））。

【００５９】(4) 最後に、インダクタ導体１２，１４を
覆う部分を残して、磁性体膜２０，２２を部分的に除去
する（同図（Ｄ））。このようにして残った磁性体膜２
０，２２が、一方のインダクタ導体１２を覆う磁性体膜
１６ａ，１６ｂを、他方のインダクタ導体１４を覆う磁
性体膜１８ａ，１８ｂをそれぞれ形成する。

【００６０】なお、磁性体膜２０，２２を部分的に除去
する手法としては、半導体製造工程の一部として汎用さ
れているエッチングによる方法やレーザ光照射による方
法が考えられる。エッチングによる方法は、半導体製造
工程に含ませることができるため、半導体製造工程によ
ってインダクタ導体１２，１４やその他の部品を含むＩ
ＣやＬＳＩを製造する際に同時に磁性体膜２０，２２の
部分的除去も行うことができ、製造工程の簡略化が可能
となる利点がある。また、レーザ光照射による方法は、
磁性体膜２０，２２の一部を正確な寸法精度で除去する
ことができる利点がある。

【００６１】このように、半導体基板１０上に形成した
２つのインダクタ導体１２，１４の全体を覆うように大
きな磁性体膜２０，２２を形成しておいて、その後これ
らの磁性体膜２０，２２の一部を除去することにより、
各インダクタ導体１２，１４を個別に磁性体膜１６ａ，
１６ｂあるいは１８ａ，１８ｂで覆っている。したがっ
て、インダクタ導体１２等の数にかかわらず各インダク
タ導体を個別に覆う磁性体膜を容易に形成することがで
き、製造工程の簡略化が可能となる。

【００６２】図５は、本実施例の変形例を示す図であ
り、図２および図３に対応する断面が示されている。

【００６３】図５（Ａ）は、一方のインダクタ導体１２
に着目すると、半導体基板１０表面に直接インダクタ導
体１２が形成されており、さらにその表面に絶縁性の磁
性体膜１６ｂが被覆形成されている。また、他方のイン
ダクタ導体１４に着目すると、半導体基板１０表面に直
接インダクタ導体１４が形成されており、さらにその表
面に絶縁性の磁性体膜１８ｂが被覆形成されている。し
たがって、図２に示した磁性体膜１６ａ，１８ａが省略
されたものであり、各インダクタ導体１２，１４の表面
側の片面のみに、磁性体膜１６ｂ，１８ｂのそれぞれが
形成されている。

【００６４】このような構造は、例えば図４に示した工
程を用いて製造することができ、その中で同図（Ａ）に
示した磁性体膜２０を形成する工程のみを省略すればよ
い。

【００６５】図５（Ｂ）は、同図（Ａ）に示したインダ
クタ導体近傍の磁束の流れを示す図であり、一方のイン
ダクタ導体１２近傍の断面を拡大したものである。同図
（Ｂ）に示すように、インダクタ導体１２の表面側のみ
に形成された磁性体膜１６ｂが磁路となるため、この磁
路に沿った磁束分布となり、インダクタ導体１２によっ
て発生した磁束はこの磁路を含む近傍の領域を通ってイ
ンダクタ導体１２に戻ってくる。このため、磁性体膜１
６ｂに隣接する空間への磁束の漏れを減らして、インダ
クタ導体１２が発生する磁束による外部への影響を最小
限に抑えることができる。

【００６６】また、インダクタ導体１４についても同様
であり、半導体基板１０表面の隣接した位置に形成され
た２つのインダクタ導体１２，１４のそれぞれにおい
て、上述したように外部への漏れ磁束を最小限に抑える
ことができるため、２つのインダクタ導体１２，１４相
互の磁気的な結合の度合いも最小限に抑えることができ
る。

【００６７】図６は、本実施例の他の変形例を示す図で
あり、図５に示した場合とは反対に半導体基板１０とイ
ンダクタ導体１２，１４との間に挟み込むように形成し
た磁性体膜１６ａ，１８ａのみを残して、図２に示した
磁性体膜１６ｂ，１８ｂを省略した場合が示されてい
る。

【００６８】図６（Ａ）は、一方のインダクタ導体１２
に着目すると、半導体基板１０表面に絶縁性の磁性体膜
１６ａが形成されており、さらにその上にインダクタ導
体１２が形成されている。このとき同図（Ｂ）に示すよ
うに、磁性体膜１６ａの一部を掘り下げて凹部を形成し
た後にインダクタ導体１２を形成することが望ましい。
また、他方のインダクタ導体１４も同様であり、半導体
基板１０表面に磁性体膜１８ａが形成されており、さら
にその上にインダクタ導体１４が形成されている。

【００６９】このような構造は、例えば図４に示した工
程を用いて製造することができ、その中で同図（Ｃ）に
示した磁性体膜２２を形成する工程のみを省略すればよ
い。また、磁性体膜１６ａの一部を掘り下げる場合に
は、図４（Ａ）に示した磁性体膜２０を形成した後イン
ダクタ導体１２等に対応する部分のみエッチング等によ
り若干掘り下げればよい。

【００７０】図６（Ｃ）は、同図（Ｂ）に示したインダ
クタ導体近傍の磁束の流れを示す図であり、一方のイン
ダクタ導体１２近傍の断面を拡大したものである。

【００７１】同図（Ｃ）に示すように、半導体基板１０
とインダクタ導体１２との間に形成された磁性体膜１６
ａが磁路となるため、この磁路に沿った磁束分布とな
り、インダクタ導体１２によって発生した磁束はこの磁
路を含む近傍の領域を通ってインダクタ導体１２に戻っ
てくる。このため、磁性体膜１６ａに隣接する空間への
磁束の漏れを減らして、インダクタ導体１２が発生する
磁束による外部への影響を最小限に抑えることができ
る。

【００７２】また、インダクタ導体１４についても同様
であり、半導体基板１０表面の隣接した位置に形成され
た２つのインダクタ導体１２，１４のそれぞれにおい
て、上述したように外部への漏れ磁束を最小限に抑える
ことができるため、２つのインダクタ導体１２，１４相
互の磁気的な結合の度合いも最小限に抑えることができ
る。

【００７３】図７は、本実施例の他の変形例を示す図で
あり、同図（Ａ）には図２に示した各インダクタ導体１
２，１４毎に形成された磁性体膜１６ａ，１８ａを共通
する１つの絶縁性の磁性体膜２４に置き換えた場合が示
されている。このような構造は、例えば図４に示した工
程を用いて製造することができ、その中で同図（Ｄ）に
示した磁性体膜２０，２２の一部を除去する工程で表面
側にある一方の磁性体膜２２のみを除去するようにすれ
ばよい。

【００７４】また、同図（Ｂ）は同図（Ａ）に示したイ
ンダクタ導体近傍の磁束の流れを示す図であり、一方の
インダクタ導体１２近傍の断面を拡大したものである。
同図（Ｂ）に示すように、インダクタ導体１２の表面に
形成された磁性体膜１６ｂが磁路となるように磁束分布
が決定されるため、インダクタ導体１２によって発生し
た磁束は磁性体膜１６ｂおよび２４の内部を通ってイン
ダクタ導体１２に戻ってくる。このため、磁性体膜１６
ｂに隣接する空間への磁束の漏れを減らして、インダク
タ導体１２が発生する磁束による外部への影響を最小限
に抑えることができる。

【００７５】図８は、本実施例の他の変形例を示す図で
あり、同図（Ａ）には図４に示した場合とは反対に、図
２に示した各インダクタ導体１２，１４毎に形成された
磁性体膜１６ｂ，１８ｂを共通する１つの絶縁性の磁性
体膜２６に置き換えた場合が示されている。このような
構造は、例えば図４に示した工程を用いて製造すること
ができ、その中で最後に磁性体膜の一部を除去する工程
を、同図（Ａ）に示した磁性体膜２０を形成する工程の
次に行えばよい。

【００７６】また、同図（Ｂ）には同図（Ａ）に示した
インダクタ導体近傍の磁束の流れを示す図であり、一方
のインダクタ導体１２近傍の断面を拡大したものであ
る。同図（Ｂ）に示すように、インダクタ導体１２と半
導体基板１０との間に形成された磁性体膜１６ａが磁路
となるように磁束分布が決定されるため、インダクタ導
体１２によって発生した磁束は磁性体膜１６ａおよび１
６ｂの内部を通ってインダクタ導体１２に戻ってくる。
このため、磁性体膜１６ｂに隣接する空間への磁束の漏
れを減らして、インダクタ導体１２が発生する磁束によ
る外部への影響を最小限に抑えることができる。

【００７７】ところで、上述した本実施例のインダクタ
導体１２等は、その周辺部分に形成される磁性体１６
（磁性体膜１６ａ，１６ｂ）の透磁率や容積等によりイ
ンダクタンスが変化する。したがって、透磁率が磁性体
膜全体で均一でない場合や、若干磁性体膜の容積が変動
するような場合には、磁性体膜を形成した後に各インダ
クタ導体１２等のインダクタンスを調整することができ
れば便利である。

【００７８】図９は、半導体基板上に平面状に形成され
たインダクタ導体のインダクタンスを調整する機構を示
す図である。

【００７９】同図に示すように、インダクタ導体１２は
渦巻き形状を有しており、その外周を周回するように所
定ターン数（例えば２ターン）の調整用導体２８が形成
されている。この調整用導体２８の両端部には、印加電
圧を可変に制御することができるバイアス用電源３０が
接続されている。バイアス用電源３０から調整用導体２
８に所定の直流バイアス電圧を印加して一定電流ｉを流
すことにより、インダクタ導体１２およびその周辺部分
に形成された磁性体膜１６ａ，１６ｂにより決定される
インダクタンスをある範囲で調整することができる。

【００８０】このように、インダクタ導体１２等のイン
ダクタンスを調整する機構を備えることにより、磁性体
膜１６ａ等の特性のばらつきによるインダクタンスの変
動を防止することができ、インダクタ導体の安定した特
性を確保することができる。

【００８１】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。

【００８２】例えば、上述した実施例では、２つのイン
ダクタ導体１２，１４を半導体基板１０上の隣接した位
置に形成する場合を例にとり説明したが、３つ以上のイ
ンダクタ導体を形成する場合、あるいは１つのインダク
タ導体を形成する場合についても同様である。１つのイ
ンダクタ導体のみを形成する場合には、このインダクタ
導体のみを覆うように磁性体膜を形成することにより、
外部への磁束の漏れを防止して、他の部品に対する磁束
の影響を最小限に抑えることができる。

【００８３】また、各インダクタ導体の形状は渦巻き形
状としたが、高周波信号を使用する場合等においては必
ずしも渦巻き形状に限定する必要はなく、蛇行形状や曲
線形状あるいはほぼ直線形状でもよく、所望のインダク
タンスを得られればよい。

【００８４】また、図９に示した調整用導体２８は、イ
ンダクタ導体１２の外側を周回するように形成したが、
インダクタ導体１２に重ねて形成するようにしてもよ
い。

【００８５】また、上述した実施例では、磁性体膜１６
ａ，１６ｂ，１８ａ，１８ｂとして絶縁性材料を用いた
が、メタル粉（ＭＰ）のような導電性材料を用いるよう
にしてもよい。但し、このような導電性の磁性体膜を上
述した絶縁性の磁性体膜１６ａ等に置き換えて使用する
と、インダクタ導体１２等の各周回部分が短絡されてイ
ンダクタ導体として機能しなくなるため、各インダクタ
導体と導電性の磁性体膜との間を電気的に絶縁する必要
がある。この絶縁方法としては、インダクタ導体１２等
を酸化して絶縁酸化膜を形成する方法や、化学気相法等
によりシリコン酸化膜あるいは窒化膜を形成する方法等
がある。このような各種の方法により絶縁膜を形成する
には、例えば図４で説明した製造工程において絶縁性磁
性体膜を導電性磁性体膜に置き換えるとともに、磁性体
膜を形成する工程とインダクタ導体を形成する工程との
間に絶縁膜を製造する工程を挿入すればよい。

【００８６】特に、メタル粉等の導電性材料は、ガンマ
−フェライト等の絶縁性材料に比べると透磁率が大きい
ため、大きなインダクタンスを確保することができる利
点がある。

【００８７】また、上述した実施例では、インダクタ導
体１２等を半導体基板１０の表面に形成する場合を例に
とり説明したが、各インダクタ導体１２等は半導体基板
１０の一部をエッチング等により掘り下げて埋没させる
ようにしてもよく、この場合にはさらにその上に蓋をす
るように磁性体膜を形成することにより、各インダクタ
導体１２等から外部への磁束の漏れを最小限に抑えるこ
とができる。

【００８８】また、インダクタ導体１２等は、半導体基
板１０の表面近傍に熱拡散やイオン注入により渦巻き形
状や蛇行形状等のｐ領域あるいはｎ領域を形成すること
により実現してもよい。この場合もさらにその上に磁性
体膜を形成することにより、各インダクタ導体から外部
への磁束の漏れを最小限に抑えることができる。

【００８９】また、上述した各インダクタ導体１２等は
１本のコイル状に形成したが、各周回部分が並行するよ
うに２本の導体を渦巻き形状に形成し、これら２本の導
体をトランス結合させて用いるようにしてもよい。

【００９０】図１０は、２本の導体をトランス結合させ
た変形例を示す図である。同図に示すように、２本のイ
ンダクタ導体３２，３４を１組としてトランス結合させ
るとともに、これらの全体を覆うように磁性体膜３６を
形成する。したがって、これら２本のインダクタ導体３
２，３４同士が磁気的に結合されるとともに、これらの
インダクタ導体３２，３４により発生する磁束は磁性体
膜３６の外部には漏れないため、図示しない他のインダ
クタ導体あるいは他の部品に対する磁気的な影響をなく
すことができる。

【００９１】

【発明の効果】上述したように請求項１または３の発明
によれば、半導体基板上にほぼ平面状に形成されたイン
ダクタ導体を絶縁性磁性体で覆っており、発生する磁束
はこの絶縁性磁性体を磁路として分布して外部にはほと
んど漏れないため、外部への磁気的影響を最小限に抑え
ることができる。特に、請求項３では半導体基板上に複
数のインダクタ導体が形成されており、それぞれが個別
に磁気的に遮蔽されるため、隣接したインダクタ同士の
磁気的結合を防止することができる。

【００９２】また、請求項２または４の発明によれば、
半導体基板上にほぼ平面状に形成されたインダクタ導体
を絶縁膜を介して導電性磁性体により覆っており、イン
ダクタ導体と導電性磁性体との間の電気的絶縁は絶縁膜
によって確保されるとともに、発生する磁束はこの導電
性磁性体を磁路として分布して外部にはほとんど漏れな
いため、外部への磁気的影響を最小限に抑えることがで
きる。特に、請求項４では半導体基板上に複数のインダ
クタ導体が形成されており、それぞれが個別に磁気的に
遮蔽されるため、隣接したインダクタ同士の磁気的結合
を防止することができる。

【００９３】また、請求項５の発明によれば、上述した
磁性体を第１および第２の磁性体膜によってインダクタ
導体を挟み込んでおり、これら第１および第２の磁性体
膜によって磁路が形成されるため、インダクタ導体に通
電することにより発生した磁束は、磁路を形成する第１
の磁性体膜および第２の磁性体膜の内部を通って再びイ
ンダクタ導体に戻ってくることになり、外部への磁束の
漏れがほとんどなくなる。

【００９４】また、請求項６の発明によれば、上述した
磁性体を請求項５で用いた第１の磁性体膜のみで構成し
ており、インダクタ導体に沿って形成されたこの第１の
磁性体膜を通るように磁路が形成されるため、インダク
タ導体から遠く離れた部分には磁束が分布せずに、イン
ダクタ導体から外部への磁束の漏れがほとんどなくな
る。

【００９５】また、請求項７の発明によれば、上述した
磁性体を請求項５で用いた第２の磁性体膜のみで個性し
ており、請求項６と同様に、インダクタ導体に沿って形
成されたこの第２の磁性体膜を通るように磁路が形成さ
れるため、インダクタ導体から遠くはなれた部分には磁
束が分布せずに、インダクタ導体から外部への磁束の漏
れがほとんどなくなる。

【００９６】また、請求項８または９の発明によれば、
半導体基板上に複数のインダクタ導体を形成する場合に
おいて、各インダクタ導体を挟むように形成する第１お
よび第２の磁性体膜のいずれか一方を各インダクタ導体
に沿って連続するように形成している。したがって、こ
のように一方の磁性体膜を切れ間なく連続させた場合で
あっても、他方の磁性体膜によって各インダクタ導体を
個別に覆うことにより、この個別に覆うように形成され
た他方の磁性体膜を通るように磁路が形成されるため、
インダクタ導体から外部への磁束の漏れおよびインダク
タ導体相互の磁気的結合を防止することができる。

【００９７】また、請求項１０の発明によれば、半導体
基板上に第１の絶縁性磁性体膜，インダクタ導体，第２
の絶縁性磁性体膜を形成した後、最後にインダクタ導体
周辺の絶縁性磁性体膜を除去することにより、各インダ
クタ導体を個別に覆った絶縁性磁性体膜を形成してお
り、隣接して配置されたインダクタ導体の数にかかわら
ず、その全体を覆う第１および第２の絶縁性磁性体膜を
形成すればよく、製造工程の簡略化が可能となる。

【００９８】また、請求項１１の発明によれば、半導体
基板上にインダクタ導体，絶縁性磁性体膜を形成した
後、最後にインダクタ導体周辺の絶縁性磁性体膜を除去
することにより、各インダクタ導体を片側から個別に覆
った絶縁性磁性体膜を形成しており、隣接して配置され
たインダクタ導体の数にかかわらず、その片面側を全体
に覆う絶縁性磁性体膜を形成すればよく、製造工程の簡
略化が可能となる。

【００９９】また、請求項１２の発明によれば、半導体
基板上に絶縁性磁性体膜，インダクタ導体を形成した
後、最後にインダクタ導体周辺の絶縁性磁性体膜を除去
することにより、各インダクタ導体の片側に個別に介在
させた絶縁性磁性体膜を形成しており、隣接して配置さ
れたインダクタ導体の数にかかわらず、半導体基板表面
を広範囲にわたって覆う絶縁性磁性体膜を形成すればよ
く、製造工程の簡略化が可能となる。

【０１００】また、請求項１３〜１５の発明によれば、
請求項１０〜１２で用いた絶縁性磁性体膜を導電性磁性
体膜に置き換えるとともに、インダクタ導体の表面にこ
の導電性磁性体膜との電気的な絶縁を行う絶縁膜を介在
させており、請求項１０〜１２の場合と同様に、隣接し
て配置されたインダクタ導体の数にかかわらず、その全
体あるいは片面側を覆う導電性磁性体膜を形成すればよ
く、製造工程の簡略化が可能となる。

【０１０１】また、請求項１６の発明によれば、上述し
た磁性体膜を薄膜形成技術により形成しており、ＩＣや
ＬＳＩ等の半導体基板上に超小型のインダクタ導体を形
成するような場合であっても、容易に膜形成を行うこと
ができる。

【０１０２】また、請求項１７の発明によれば、上述し
た絶縁性磁性体膜あるいは導電性磁性体膜の除去をエッ
チングあるいはレーザ光照射により行っており、容易に
微細加工を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施例の半導体装置の磁気シールド方式の概
略を示す図である。

【図２】図１に示したインダクタ導体部分の断面を示す
図である。

【図３】インダクタ導体近傍の磁束分布を示す図であ
る。

【図４】本実施例のインダクタ導体の磁気遮蔽を行う磁
性体膜を形成する工程を示す図である。

【図５】本実施例の変形例を示す図である。

【図６】本実施例の他の変形例を示す図である。

【図７】本実施例の他の変形例を示す図である。

【図８】本実施例の他の変形例を示す図である。

【図９】インダクタンス調整機構を追加した本実施例の
他の変形例を示す図である。

【図１０】２本のインダクタ導体を１組として磁気遮蔽
を行った変形例を示す図である。

【図１１】プリント配線基板上における磁気的影響を考
慮した複数のコイル配置を示す図である。

【図１２】半導体基板上のインダクタ導体によって生じ
る磁束を説明するための図である。

【符号の説明】

１０ 半導体基板 １２，１４ インダクタ導体 １６，１８ 磁性体 １６ａ，１６ｂ，１８ａ，１８ｂ 磁性体膜

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上にほぼ平面状に形成された
   インダクタ導体を絶縁性磁性体により覆うことにより、
   前記インダクタ導体の磁気遮蔽を行うことを特徴とする
   半導体装置の磁気シールド方式。
2. 【請求項２】 半導体基板上にほぼ平面状に形成された
   インダクタ導体を絶縁膜を介して導電性磁性体により覆
   うことにより、前記インダクタ導体の磁気遮蔽を行うこ
   とを特徴とする半導体装置の磁気シールド方式。
3. 【請求項３】 半導体基板上の隣接した位置にほぼ平面
   状に形成された複数のインダクタ導体のそれぞれを絶縁
   性磁性体により個別に覆うことにより、前記複数のイン
   ダクタ導体間の磁気的絶縁を行うことを特徴とする半導
   体装置の磁気シールド方式。
4. 【請求項４】 半導体基板上の隣接した位置にほぼ平面
   状に形成された複数のインダクタ導体のそれぞれを絶縁
   膜を介して導電性磁性体により個別に覆うことにより、
   前記複数のインダクタ導体間の磁気的絶縁を行うことを
   特徴とする半導体装置の磁気シールド方式。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれかにおいて、 前記磁性体は、前記半導体基板の表面であって前記イン
   ダクタ導体との間に形成された第１の磁性体膜と、前記
   インダクタ導体の表面側であって前記第１の磁性体膜と
   ほぼ対向して形成された第２の磁性体膜とにより構成さ
   れることを特徴とする半導体装置の磁気シールド方式。
6. 【請求項６】 請求項１〜４のいずれかにおいて、 前記磁性体は、前記半導体基板の表面であって前記イン
   ダクタ導体との間に形成された第１の磁性体膜により構
   成されることを特徴とする半導体装置の磁気シールド方
   式。
7. 【請求項７】 請求項１〜４のいずれかにおいて、 前記磁性体は、前記半導体基板上に形成された前記イン
   ダクタ導体のさらに表面側に形成された第２の磁性体膜
   により構成されることを特徴とする半導体装置の磁気シ
   ールド方式。
8. 【請求項８】 請求項３または４において、 前記複数のインダクタ導体を覆う前記複数の磁性体は、
   前記半導体基板の表面であって前記半導体基板と前記複
   数のインダクタ導体との間に形成された第１の磁性体膜
   と、前記複数のインダクタ導体のそれぞれの表面側を個
   別に覆うように形成された複数の第２の磁性体膜とによ
   り構成されることを特徴とする半導体装置の磁気シール
   ド方式。
9. 【請求項９】 請求項３または４において、 前記複数のインダクタ導体を覆う前記複数の磁性体は、
   前記半導体基板の表面であって前記半導体基板と前記複
   数のインダクタ導体とのそれぞれの間に個別に形成され
   た第１の磁性体膜と、前記複数のインダクタ導体の表面
   側を共通に覆うように形成された第２の磁性体膜とによ
   り構成されることを特徴とする半導体装置の磁気シール
   ド方式。
10. 【請求項１０】 半導体基板上に第１の絶縁性磁性体膜
    を形成する第１の工程と、 前記第１の絶縁性磁性体膜表面の隣接した位置に１ある
    いは複数のインダクタ導体を形成する第２の工程と、 前記１あるいは複数のインダクタ導体を覆うように第２
    の絶縁性磁性体膜を形成する第３の工程と、 前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞれの周辺
    部分に形成された前記第１および第２の絶縁性磁性体膜
    の両方あるいは第２の絶縁性磁性体膜のみを除去する第
    ４の工程と、 を備え、前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞ
    れに対応して形成された前記絶縁性磁性体膜により磁気
    遮蔽を行うことを特徴とする半導体装置の磁気シールド
    膜形成方法。
11. 【請求項１１】 半導体基板上の隣接した位置に直接あ
    るいは第１の絶縁膜を介して１あるいは複数のインダク
    タ導体を形成する第１の工程と、 前記１あるいは複数のインダクタ導体を覆うように絶縁
    性磁性体膜を形成する第２の工程と、 前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞれの周辺
    部分に形成された前記絶縁性磁性体膜を除去する第３の
    工程と、 を備え、前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞ
    れに対応して形成された前記絶縁性磁性体膜により磁気
    遮蔽を行うことを特徴とする半導体装置の磁気シールド
    膜形成方法。
12. 【請求項１２】 半導体基板上に絶縁性磁性体膜を形成
    する第１の工程と、 前記第１の絶縁性磁性体膜表面の隣接した位置に１ある
    いは複数のインダクタ導体を形成する第２の工程と、 前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞれの周辺
    部分に形成された前記絶縁性磁性体膜を除去する第３の
    工程と、 を備え、前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞ
    れに対応して形成された前記絶縁性磁性体膜により磁気
    遮蔽を行うことを特徴とする半導体装置の磁気シールド
    膜形成方法。
13. 【請求項１３】 半導体基板上に第１の導電性磁性体膜
    を形成する第１の工程と、 前記第１の導電性磁性体膜の表面に第１の絶縁膜を形成
    する第２の工程と、 前記第１の絶縁膜のさらに表面であって隣接した位置に
    １あるいは複数のインダクタ導体を形成する第３の工程
    と、 前記１あるいは複数のインダクタ導体の表面に第２の絶
    縁膜を形成する第４の工程と、 前記第２の絶縁膜が表面に形成された前記１あるいは複
    数のインダクタ導体を覆うように第２の導電性磁性体膜
    を形成する第５の工程と、 前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞれの周辺
    部分に形成された前記第１および第２の導電性磁性体膜
    の両方あるいは第２の導電性磁性体膜のみを除去する第
    ６の工程と、 を備え、前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞ
    れに対応して形成された前記導電性磁性体膜により磁気
    遮蔽を行うことを特徴とする半導体装置の磁気シールド
    膜形成方法。
14. 【請求項１４】 半導体基板上の隣接した位置に直接あ
    るいは第１の絶縁膜を介して１あるいは複数のインダク
    タ導体を形成する第１の工程と、 前記１あるいは複数のインダクタ導体の表面に第２の絶
    縁膜を形成する第２の工程と、 前記第２の絶縁膜が表面に形成された前記１あるいは複
    数のインダクタ導体を覆うように導電性磁性体膜を形成
    する第３の工程と、 前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞれの周辺
    部分に形成された前記絶縁性磁性体膜を除去する第４の
    工程と、 を備え、前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞ
    れに対応して形成された前記導電性磁性体膜により磁気
    遮蔽を行うことを特徴とする半導体装置の磁気シールド
    膜形成方法。
15. 【請求項１５】 半導体基板上に導電性磁性体膜を形成
    する第１の工程と、 前記導電性磁性体膜の表面に絶縁膜を形成する第２の工
    程と、 前記絶縁膜のさらに表面であって隣接した位置に１ある
    いは複数のインダクタ導体を形成する第３の工程と、 前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞれの周辺
    部分に形成された前記導電性磁性体膜を除去する第４の
    工程と、 を備え、前記１あるいは複数のインダクタ導体のそれぞ
    れに対応して形成された前記導電性磁性体膜により磁気
    遮蔽を行うことを特徴とする半導体装置の磁気シールド
    膜形成方法。
16. 【請求項１６】 請求項１０〜１５のいずれかにおい
    て、 前記絶縁性磁性体膜あるいは前記導電性磁性体膜は、薄
    膜形成技術により形成することを特徴とする半導体装置
    の磁気シールド膜形成方法。
17. 【請求項１７】 請求項１０〜１５のいずれかにおい
    て、 前記絶縁性磁性体膜あるいは前記導電性磁性体膜の除去
    は、エッチングあるいはレーザ光照射により行うことを
    特徴とする半導体装置の磁気シールド膜形成方法。