JPH0817708A - 樹脂膜剥離方法及び装置とマスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂膜剥離方法及び装置とマスク及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH0817708A JPH0817708A JP14650294A JP14650294A JPH0817708A JP H0817708 A JPH0817708 A JP H0817708A JP 14650294 A JP14650294 A JP 14650294A JP 14650294 A JP14650294 A JP 14650294A JP H0817708 A JPH0817708 A JP H0817708A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 樹脂膜剥離方法及びそれに用いる装置と、前
記樹脂膜剥離方法を用いたマスク及び半導体装置の製造
方法に関し、選択的な樹脂膜剥離における剥離時間の短
縮及び剥離品質の向上を図る。 【構成】 被処理基板１上に被着された樹脂膜３に集光
した遠紫外光(DUV) を連続的に移動照射して該樹脂膜３
の該遠紫外光に照射された周辺領域４を選択的に除去す
る樹脂膜剥離方法において、該遠紫外光(DUV) の照射と
同時に、該遠紫外光(DUV) に照射されている周辺領域４
に異なる種類のアシストガスを噴射ノズル14を介し交互
に吹きつけ該領域４の雰囲気を交互に変化させる樹脂膜
剥離方法と、上記機能を備えた樹脂膜剥離装置、及び前
記樹脂膜剥離方法を用いて基板周辺部の樹脂膜を選択的
に除去するマスク及び半導体装置の製造方法。
記樹脂膜剥離方法を用いたマスク及び半導体装置の製造
方法に関し、選択的な樹脂膜剥離における剥離時間の短
縮及び剥離品質の向上を図る。 【構成】 被処理基板１上に被着された樹脂膜３に集光
した遠紫外光(DUV) を連続的に移動照射して該樹脂膜３
の該遠紫外光に照射された周辺領域４を選択的に除去す
る樹脂膜剥離方法において、該遠紫外光(DUV) の照射と
同時に、該遠紫外光(DUV) に照射されている周辺領域４
に異なる種類のアシストガスを噴射ノズル14を介し交互
に吹きつけ該領域４の雰囲気を交互に変化させる樹脂膜
剥離方法と、上記機能を備えた樹脂膜剥離装置、及び前
記樹脂膜剥離方法を用いて基板周辺部の樹脂膜を選択的
に除去するマスク及び半導体装置の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂膜剥離方法及びそれ
に用いる装置と、前記樹脂膜剥離方法を用いたマスク及
び半導体装置の製造方法に関する。
に用いる装置と、前記樹脂膜剥離方法を用いたマスク及
び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】近年、デバイスパターンの微細化及び高精
度化に伴い、デバイスの性能に悪影響を及ぼし問題とな
る欠陥サイズはより一層細かくなってきている。そのた
め、半導体装置やその製造に用いられるマスクの製造工
程では、上記欠陥の原因になる微細な異物（パーティク
ル）の発生を防止することが極めて重要になる。
度化に伴い、デバイスの性能に悪影響を及ぼし問題とな
る欠陥サイズはより一層細かくなってきている。そのた
め、半導体装置やその製造に用いられるマスクの製造工
程では、上記欠陥の原因になる微細な異物（パーティク
ル）の発生を防止することが極めて重要になる。
【０００３】上記欠陥につながる異物の発生原因の一つ
に、マスクパターンやデバイスパターンのパターニング
マスクに用いるレジストの砕片（レジストダスト）があ
る。このレジストダストは、ガラスや半導体の基板上に
スピンコート法によりレジストを塗布した際、基板の周
辺部にレジストが厚く被着し、基板搬送時等における基
板のクランプでこの厚いレジストがフレーク状に欠け落
ちることによるもので、このレジストダストの発生を防
止することが前記マスク及び半導体装置を製造する際の
レジストプロセスにおいて重要な課題になっている。
に、マスクパターンやデバイスパターンのパターニング
マスクに用いるレジストの砕片（レジストダスト）があ
る。このレジストダストは、ガラスや半導体の基板上に
スピンコート法によりレジストを塗布した際、基板の周
辺部にレジストが厚く被着し、基板搬送時等における基
板のクランプでこの厚いレジストがフレーク状に欠け落
ちることによるもので、このレジストダストの発生を防
止することが前記マスク及び半導体装置を製造する際の
レジストプロセスにおいて重要な課題になっている。
【０００４】
【従来の技術】図５はレチクル（マスク）製造工程にお
ける乾板60のレジスト塗布後の状態を示す模式図で、図
５(a) は該乾板の平面図、図５(b) は同側面断面図を示
す。
ける乾板60のレジスト塗布後の状態を示す模式図で、図
５(a) は該乾板の平面図、図５(b) は同側面断面図を示
す。
【０００５】レチクル製造工程における乾板60は図５
(b) に示すように、ガラス基板51の表面に遮光膜として
のクロム層52が形成されており、その上に例えば厚さ 5
00nmのレジスト膜53が通常スピンコート法により設けら
れている。この形成方法に由来してレジスト膜53の周辺
から２〜５mm以内の周辺部54は厚く盛り上がり、最高が
1.5μｍ程度にまで達する。
(b) に示すように、ガラス基板51の表面に遮光膜として
のクロム層52が形成されており、その上に例えば厚さ 5
00nmのレジスト膜53が通常スピンコート法により設けら
れている。この形成方法に由来してレジスト膜53の周辺
から２〜５mm以内の周辺部54は厚く盛り上がり、最高が
1.5μｍ程度にまで達する。
【０００６】この周辺部54の厚く盛り上がったレジスト
53P は、搬送あるいは露光等のために乾板をクランプす
る場合等において他の物体と接触することによってフレ
ーク状のダストとなって剥離し易く、このレジストダス
トは、乾板の状態ではレジスト表面に付着しているが、
露光の後、現像してレジスト膜53をパターニングした段
階においてレジストの除去された部分に付着し、該レジ
ストパターンをマスクにして行われるクロム層52のパタ
ーンエッチングの際にパターン欠陥を発生させるという
問題を生ずる。
53P は、搬送あるいは露光等のために乾板をクランプす
る場合等において他の物体と接触することによってフレ
ーク状のダストとなって剥離し易く、このレジストダス
トは、乾板の状態ではレジスト表面に付着しているが、
露光の後、現像してレジスト膜53をパターニングした段
階においてレジストの除去された部分に付着し、該レジ
ストパターンをマスクにして行われるクロム層52のパタ
ーンエッチングの際にパターン欠陥を発生させるという
問題を生ずる。
【０００７】そこで従来、レジストが遠紫外光の照射に
より分解して除去されることに着目し、ガラス基板上に
スピンコートによりレジスト膜を形成した後、レジスト
膜が被着された基板面に触れずに、ガラス基板の周辺部
のレジスト膜が厚く被着した領域に選択的に遠紫外光を
照射し、その部分のレジスト膜を除去する下記の装置を
用いたレジスト膜の選択的な剥離方法が開発され、これ
によって露光、搬送等に際してクランプされる周辺部の
レジスト膜を予め選択的に除去して上記問題を回避する
方法が提供された。（特開平０５−３３３５６４） 図６は上記レジスト膜を選択的に除去する機構を備え、
且つレジスト膜のスピンコート機構を兼ね備えた従来の
レジスト剥離装置の模式図である。
より分解して除去されることに着目し、ガラス基板上に
スピンコートによりレジスト膜を形成した後、レジスト
膜が被着された基板面に触れずに、ガラス基板の周辺部
のレジスト膜が厚く被着した領域に選択的に遠紫外光を
照射し、その部分のレジスト膜を除去する下記の装置を
用いたレジスト膜の選択的な剥離方法が開発され、これ
によって露光、搬送等に際してクランプされる周辺部の
レジスト膜を予め選択的に除去して上記問題を回避する
方法が提供された。（特開平０５−３３３５６４） 図６は上記レジスト膜を選択的に除去する機構を備え、
且つレジスト膜のスピンコート機構を兼ね備えた従来の
レジスト剥離装置の模式図である。
【０００８】図６において、１はガラス基板、２はクロ
ム(Cr)層、３はレジスト膜、４はレジスト膜の周辺部、
５は遠紫外光(DUV) ランプ、６は反射鏡、７は集光レン
ズ、８は遮光板、９はホットプレート、10は乾板、11は
遠紫外光投光器、23はスピンコータ、24は支持台、25は
レジスト注下用のノズル、26は搬送ロボットを示す。
ム(Cr)層、３はレジスト膜、４はレジスト膜の周辺部、
５は遠紫外光(DUV) ランプ、６は反射鏡、７は集光レン
ズ、８は遮光板、９はホットプレート、10は乾板、11は
遠紫外光投光器、23はスピンコータ、24は支持台、25は
レジスト注下用のノズル、26は搬送ロボットを示す。
【０００９】この装置を用いるレジスト剥離方法におい
ては、先ず乾板10をホットプレート９上に固定し、これ
をスピンコータ23の支持台24上に置く。そして、乾板10
のCr膜２上にレジスト膜３を、ノズル25からレジストを
供給しスピンコートして形成する。次いで、レジスト膜
３周辺部４の除去に際しては、搬送ロボット26によりホ
ットプレート９と共に乾板10を遠紫外光投光位置へ搬送
する。そして、ホットプレート９によりレジストのプリ
ベーク温度である例えば 200℃に保持しながらレジスト
周辺部４に５mm程度の幅で例えば 200mW/cm2の照度を有
する遠紫外光を100mm/min 程度の走査速度で順次照射
し、乾板10の周辺部のレジスト膜３を５mm程度の幅で選
択的に除去する。
ては、先ず乾板10をホットプレート９上に固定し、これ
をスピンコータ23の支持台24上に置く。そして、乾板10
のCr膜２上にレジスト膜３を、ノズル25からレジストを
供給しスピンコートして形成する。次いで、レジスト膜
３周辺部４の除去に際しては、搬送ロボット26によりホ
ットプレート９と共に乾板10を遠紫外光投光位置へ搬送
する。そして、ホットプレート９によりレジストのプリ
ベーク温度である例えば 200℃に保持しながらレジスト
周辺部４に５mm程度の幅で例えば 200mW/cm2の照度を有
する遠紫外光を100mm/min 程度の走査速度で順次照射
し、乾板10の周辺部のレジスト膜３を５mm程度の幅で選
択的に除去する。
【００１０】このようにして形成されたレジスト膜３を
表面に有する乾板10は、露光等に際してクランプされる
乾板10周辺部のレジスト膜４が予め除去されるので、レ
ジストダストの発生が防止されるという効果を生ずる。
表面に有する乾板10は、露光等に際してクランプされる
乾板10周辺部のレジスト膜４が予め除去されるので、レ
ジストダストの発生が防止されるという効果を生ずる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のレジスト剥離方法は、レジストの剥離速度が遅く、特
に乾板の周辺部にレジスト膜が厚く被着されている場
合、上記走査速度では該周辺部のレジストが十分に除去
されず、レジストダストの発生が完全に防止できないと
いう問題があり、更に走査速度を遅くしなければならな
かった。
のレジスト剥離方法は、レジストの剥離速度が遅く、特
に乾板の周辺部にレジスト膜が厚く被着されている場
合、上記走査速度では該周辺部のレジストが十分に除去
されず、レジストダストの発生が完全に防止できないと
いう問題があり、更に走査速度を遅くしなければならな
かった。
【００１２】そこで本発明は遠紫外光を用いるレジスト
剥離方法におけるレジストの剥離速度を向上させること
によって遠紫外光の走査速度を低下させずにレジスト膜
周辺部の剥離除去を完全にし、工程手番の増大を伴わず
に前記露光工程等において発生するレジストダストによ
る障害を完全に防止することを目的とする。
剥離方法におけるレジストの剥離速度を向上させること
によって遠紫外光の走査速度を低下させずにレジスト膜
周辺部の剥離除去を完全にし、工程手番の増大を伴わず
に前記露光工程等において発生するレジストダストによ
る障害を完全に防止することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、被処
理基板上に被着された樹脂膜に集光した遠紫外光を連続
的に移動照射して該樹脂膜の該遠紫外光に照射された領
域を選択的に除去する樹脂膜剥離方法において、該遠紫
外光の照射と同時に、該遠紫外光に照射されている領域
にアシストガスを間欠的に吹きつけ該領域の雰囲気を間
欠的に変化せしめる本発明による樹脂膜剥離方法、若し
くは、被処理基板上に被着された樹脂膜に集光した遠紫
外光を連続的に移動照射して該樹脂膜の該遠紫外光に照
射された領域を選択的に除去する樹脂膜剥離方法におい
て、該遠紫外光の照射と同時に、該遠紫外光に照射され
ている領域に異なる種類のアシストガスを交互に吹きつ
け該領域の雰囲気を交互に変化せしめる本発明による樹
脂膜剥離方法、若しくは、移動ステージと、該移動ステ
ージ上に載置され樹脂膜を表面に有する被処理基板を搭
載加熱するホットプレートと、集光系を備え該樹脂膜の
一部領域上に遠紫外光を照射する遠紫外光照射機構と、
該遠紫外光が照射されている該一部領域に１種類のアシ
ストガスを間欠的に若しくは２種類以上のアシストガス
を交互に吹きつけるアシストガス吹きつけ機構とを有し
てなる本発明による樹脂膜剥離装置、若しくは、遮光膜
が形成されたガラス基板上にレジスト膜を塗布した後、
該レジスト膜にパターン露光を行う前に、該ガラス基板
周辺部上の該レジスト膜を前記請求項１、２または３記
載の樹脂膜剥離方法により選択的に除去する工程を有す
る本発明によるマスクの製造方法、若しくは、半導体基
板上にレジスト膜を塗布した後、該レジスト膜にパター
ン露光を行う前に、該半導体基板の周辺部上の該レジス
ト膜を前記請求項１、２または３記載の樹脂膜剥離方法
により選択的に除去する工程を有する本発明による半導
体装置の製造方法によって達成される。
理基板上に被着された樹脂膜に集光した遠紫外光を連続
的に移動照射して該樹脂膜の該遠紫外光に照射された領
域を選択的に除去する樹脂膜剥離方法において、該遠紫
外光の照射と同時に、該遠紫外光に照射されている領域
にアシストガスを間欠的に吹きつけ該領域の雰囲気を間
欠的に変化せしめる本発明による樹脂膜剥離方法、若し
くは、被処理基板上に被着された樹脂膜に集光した遠紫
外光を連続的に移動照射して該樹脂膜の該遠紫外光に照
射された領域を選択的に除去する樹脂膜剥離方法におい
て、該遠紫外光の照射と同時に、該遠紫外光に照射され
ている領域に異なる種類のアシストガスを交互に吹きつ
け該領域の雰囲気を交互に変化せしめる本発明による樹
脂膜剥離方法、若しくは、移動ステージと、該移動ステ
ージ上に載置され樹脂膜を表面に有する被処理基板を搭
載加熱するホットプレートと、集光系を備え該樹脂膜の
一部領域上に遠紫外光を照射する遠紫外光照射機構と、
該遠紫外光が照射されている該一部領域に１種類のアシ
ストガスを間欠的に若しくは２種類以上のアシストガス
を交互に吹きつけるアシストガス吹きつけ機構とを有し
てなる本発明による樹脂膜剥離装置、若しくは、遮光膜
が形成されたガラス基板上にレジスト膜を塗布した後、
該レジスト膜にパターン露光を行う前に、該ガラス基板
周辺部上の該レジスト膜を前記請求項１、２または３記
載の樹脂膜剥離方法により選択的に除去する工程を有す
る本発明によるマスクの製造方法、若しくは、半導体基
板上にレジスト膜を塗布した後、該レジスト膜にパター
ン露光を行う前に、該半導体基板の周辺部上の該レジス
ト膜を前記請求項１、２または３記載の樹脂膜剥離方法
により選択的に除去する工程を有する本発明による半導
体装置の製造方法によって達成される。
【００１４】
【作用】波長が 200〜300nm 程度の遠紫外光を樹脂の例
えばレジストに照射すると、レジストは炭酸ガスと水と
に分解して除去されることが知られている。
えばレジストに照射すると、レジストは炭酸ガスと水と
に分解して除去されることが知られている。
【００１５】しかしその際、遠紫外光の照射を例えば酸
素(O2)等の一定種類のアシストガスの雰囲気内で行う
と、時間の経過と共にレジスト表面が不活性になって上
記反応の速度が低下しレジストの剥離速度が遅くなる。
素(O2)等の一定種類のアシストガスの雰囲気内で行う
と、時間の経過と共にレジスト表面が不活性になって上
記反応の速度が低下しレジストの剥離速度が遅くなる。
【００１６】そこで本発明の樹脂膜剥離方法において
は、例えば大気中で遠紫外光を照射してレジスト剥離を
行う際、遠紫外光の照射されている領域に大気と種類の
異なる１種類のアシストガスを間欠的に吹きつけるか、
あるいは種類の異なる２種類以上のアシストガスを交互
に吹きつけることにより該遠紫外光照射中の該領域のア
シストガスの雰囲気を交互に変化させてやる。
は、例えば大気中で遠紫外光を照射してレジスト剥離を
行う際、遠紫外光の照射されている領域に大気と種類の
異なる１種類のアシストガスを間欠的に吹きつけるか、
あるいは種類の異なる２種類以上のアシストガスを交互
に吹きつけることにより該遠紫外光照射中の該領域のア
シストガスの雰囲気を交互に変化させてやる。
【００１７】このようにすることにより、１種類のアシ
ストガス中で連続して照射される遠紫外光の照射時間は
ごく短時間に分割されるので、形成される不活性物質膜
の膜厚は極めて薄くなり、次の異なる種類のアシストガ
ス中における遠紫外光照射のステップで容易に剥離除去
される。
ストガス中で連続して照射される遠紫外光の照射時間は
ごく短時間に分割されるので、形成される不活性物質膜
の膜厚は極めて薄くなり、次の異なる種類のアシストガ
ス中における遠紫外光照射のステップで容易に剥離除去
される。
【００１８】従って、遠紫外光照射中、レジスト膜の表
面は不活性物質に覆われず常に活性なレジスト表出面と
なるため、前記アシストガス中での最大のレジストの剥
離レートが維持され、従来に比べてレジストの剥離速度
が大幅に向上する。
面は不活性物質に覆われず常に活性なレジスト表出面と
なるため、前記アシストガス中での最大のレジストの剥
離レートが維持され、従来に比べてレジストの剥離速度
が大幅に向上する。
【００１９】従って、上記本発明に係る樹脂膜剥離方法
を適用して乾板あるいは半導体基板上にスピンコートさ
れたレジスト膜の周辺部を選択的に除去することによ
り、該乾板あるいは半導体基板がクランプされるそれら
の周辺部のレジスト膜は従来より短時間で完全に除去で
きるので、製造手番の短縮が図れると同時に、露光等に
際しての乾板あるいは半導体基板のクランプによるレジ
ストダストの発生は回避され、該レジストダストに起因
して生ずるマスクあるいは半導体装置のパターン欠陥は
防止される。
を適用して乾板あるいは半導体基板上にスピンコートさ
れたレジスト膜の周辺部を選択的に除去することによ
り、該乾板あるいは半導体基板がクランプされるそれら
の周辺部のレジスト膜は従来より短時間で完全に除去で
きるので、製造手番の短縮が図れると同時に、露光等に
際しての乾板あるいは半導体基板のクランプによるレジ
ストダストの発生は回避され、該レジストダストに起因
して生ずるマスクあるいは半導体装置のパターン欠陥は
防止される。
【００２０】
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図１は本発明に係る樹脂膜剥離装置の一実施例
の要部模式図（その１）、図２は本発明に係る樹脂膜剥
離装置の一実施例の要部模式図（その２）、図３は本発
明の樹脂膜剥離方法の一実施例のタイムチャート、図４
は本発明の樹脂剥離方法の一実施例の工程断面図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
明する。図１は本発明に係る樹脂膜剥離装置の一実施例
の要部模式図（その１）、図２は本発明に係る樹脂膜剥
離装置の一実施例の要部模式図（その２）、図３は本発
明の樹脂膜剥離方法の一実施例のタイムチャート、図４
は本発明の樹脂剥離方法の一実施例の工程断面図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
【００２１】本発明に係る樹脂膜剥離装置の剥離処理部
を示す図１の要部模式図（その１）において、１はガラ
ス基板、２はCr層、３はレジスト膜、４は該レジスト膜
の周辺部、５は遠紫外光(DUV) ランプ、６は反射鏡、７
は集光レンズ、８は遮光板、９はホットプレート、10は
乾板、11はDUV ランプ, 遠紫外光投光器, 反射鏡, 遮光
板, 集光レンズ等により構成された遠紫外光透光器、12
は光ファイバ、13はアシストガス噴出・排気ノズル、14
はアシストガス噴出ノズル、15は局所排気ノズル、16は
アシストガス供給管、17は排気配管、18は移動ステー
ジ、DUV は遠紫外光を示す。
を示す図１の要部模式図（その１）において、１はガラ
ス基板、２はCr層、３はレジスト膜、４は該レジスト膜
の周辺部、５は遠紫外光(DUV) ランプ、６は反射鏡、７
は集光レンズ、８は遮光板、９はホットプレート、10は
乾板、11はDUV ランプ, 遠紫外光投光器, 反射鏡, 遮光
板, 集光レンズ等により構成された遠紫外光透光器、12
は光ファイバ、13はアシストガス噴出・排気ノズル、14
はアシストガス噴出ノズル、15は局所排気ノズル、16は
アシストガス供給管、17は排気配管、18は移動ステー
ジ、DUV は遠紫外光を示す。
【００２２】また、本発明に係る樹脂膜剥離装置のアシ
ストガス供給制御部を示す図２の要部模式図（その２）
において、16はアシストガス供給管、19A は第１の電磁
弁、19B は第２の電磁弁、20A は第１のアシストガス供
給管、20B は第２のアシストガス供給管、21A1、21A2、
21A3は流量計、22A1、22B1はO2が供給される流量調整バ
ルブ、22A2、22B2はO3が供給される流量調整バルブ、22
A3、22B3はN2が供給される流量調整バルブ、23はアシス
トガス制御部を示している。
ストガス供給制御部を示す図２の要部模式図（その２）
において、16はアシストガス供給管、19A は第１の電磁
弁、19B は第２の電磁弁、20A は第１のアシストガス供
給管、20B は第２のアシストガス供給管、21A1、21A2、
21A3は流量計、22A1、22B1はO2が供給される流量調整バ
ルブ、22A2、22B2はO3が供給される流量調整バルブ、22
A3、22B3はN2が供給される流量調整バルブ、23はアシス
トガス制御部を示している。
【００２３】例えば 125mm角のマスク製造において、２
種類のアシストガスO2とO3を用いる本発明の方法により
乾板上にスピンコートされたレジスト膜の周辺部を選択
的に除去する際には、前記図１及び図２に示した樹脂膜
剥離装置を用い、該装置に付属する従来装置（図６参
照）同様の図示されないスピンコータにより、ホットプ
レート９上搭載された状態で 125mm角のガラス基板１の
表面のCr層２上に厚さ 500nm程度のレジスト膜３をスピ
ンコートした後、このレジスト膜３を有する乾板10を、
ホットプレート９ごと移動ステージ18上に載置し、ホッ
トプレート９により 200℃程度に加熱し、その状態にお
いてステージ18を乾板10の辺に沿う方向に移動しながら
遠紫外光投光器11の集光レンズ７から放出される波長 2
00〜300nmの遠紫外光(DUV) を光ファイバ９を介しレジ
スト膜４の周辺部の５mm程度の幅の領域に照射し、且つ
前記ステージ18の移動に従ってレジスト膜３の周辺部を
５mm程度の幅で乾板10の辺に沿って順次連続的に照射し
て行く。そしてそれに並行して、レジスト膜３の前記遠
紫外光に照射されている部分を含む領域にアシストガス
噴出・排気ノズル13を介して異なる２種類のアシストガ
スのO2とO3を交互に吹きつけ、該遠紫外光に照射されて
いる領域の雰囲気をO2とO3に交互に切り換えてやる。こ
のアシストガスのO2とO3との交互吹きつけのガスの種
類、ガス流量、タイミング等の制御は、図２に示すアシ
ストガス供給制御部によってなされる。即ち、例えば第
１のアシストガス供給管20A 内にそれに接続された流量
調整バルブ22A1からO2を所定の流量に制御して供給し、
第２のアシストガス供給管20B 内にそれに接続された流
量調整バルブ22B2からO3を例えばO2と等しい所定の流量
に制御して供給し、アシストガス制御部23により第１の
電磁弁19A と第２の電磁弁19B を所定のタイミングで交
互に開閉し、アシストガス供給管16にO2とO3を所定のタ
イミングで交互に供給することによってなされる。
種類のアシストガスO2とO3を用いる本発明の方法により
乾板上にスピンコートされたレジスト膜の周辺部を選択
的に除去する際には、前記図１及び図２に示した樹脂膜
剥離装置を用い、該装置に付属する従来装置（図６参
照）同様の図示されないスピンコータにより、ホットプ
レート９上搭載された状態で 125mm角のガラス基板１の
表面のCr層２上に厚さ 500nm程度のレジスト膜３をスピ
ンコートした後、このレジスト膜３を有する乾板10を、
ホットプレート９ごと移動ステージ18上に載置し、ホッ
トプレート９により 200℃程度に加熱し、その状態にお
いてステージ18を乾板10の辺に沿う方向に移動しながら
遠紫外光投光器11の集光レンズ７から放出される波長 2
00〜300nmの遠紫外光(DUV) を光ファイバ９を介しレジ
スト膜４の周辺部の５mm程度の幅の領域に照射し、且つ
前記ステージ18の移動に従ってレジスト膜３の周辺部を
５mm程度の幅で乾板10の辺に沿って順次連続的に照射し
て行く。そしてそれに並行して、レジスト膜３の前記遠
紫外光に照射されている部分を含む領域にアシストガス
噴出・排気ノズル13を介して異なる２種類のアシストガ
スのO2とO3を交互に吹きつけ、該遠紫外光に照射されて
いる領域の雰囲気をO2とO3に交互に切り換えてやる。こ
のアシストガスのO2とO3との交互吹きつけのガスの種
類、ガス流量、タイミング等の制御は、図２に示すアシ
ストガス供給制御部によってなされる。即ち、例えば第
１のアシストガス供給管20A 内にそれに接続された流量
調整バルブ22A1からO2を所定の流量に制御して供給し、
第２のアシストガス供給管20B 内にそれに接続された流
量調整バルブ22B2からO3を例えばO2と等しい所定の流量
に制御して供給し、アシストガス制御部23により第１の
電磁弁19A と第２の電磁弁19B を所定のタイミングで交
互に開閉し、アシストガス供給管16にO2とO3を所定のタ
イミングで交互に供給することによってなされる。
【００２４】図３はこの実施例における、遠紫外光(DU
V) 照射のタイミングと異なるアシストガスのO2、O3の
噴出のタイミングの関係を示したタイムチャートで、 D
UVの照射時間ａ中に交互に噴射されるO2とO3の噴射時間
ｂ及びｃはそれぞれ３〜５secに制御されている。
V) 照射のタイミングと異なるアシストガスのO2、O3の
噴出のタイミングの関係を示したタイムチャートで、 D
UVの照射時間ａ中に交互に噴射されるO2とO3の噴射時間
ｂ及びｃはそれぞれ３〜５secに制御されている。
【００２５】この実施例において、 DUVランプにはメタ
ルハライドランプを用い、波長 250nm付近の遠紫外光照
度は200mW/cm2 に調整した。また遠紫外光照射の移動
（走査）速度即ちステージ18の移動速度は 100mm/minに
調整した。また、アシストガスのO2、O3の流量はそれぞ
れ２l/min に制御し、それらの切り換えのタイミングは
３〜５sec とした。なお、アシストガス噴出・排気ノズ
ル13によりアシストガスが吹きつけられる領域は約30mm
φである。
ルハライドランプを用い、波長 250nm付近の遠紫外光照
度は200mW/cm2 に調整した。また遠紫外光照射の移動
（走査）速度即ちステージ18の移動速度は 100mm/minに
調整した。また、アシストガスのO2、O3の流量はそれぞ
れ２l/min に制御し、それらの切り換えのタイミングは
３〜５sec とした。なお、アシストガス噴出・排気ノズ
ル13によりアシストガスが吹きつけられる領域は約30mm
φである。
【００２６】図４は上記マスク製造工程の実施例の模式
工程断面図である。図４(a) はレジスト膜３のスピンコ
ートを終わった乾板10を示した図で、レジスト膜３のス
ピンコート厚さは 500nmを目標にしてなされているが、
レジスト膜３の周辺部４では厚さ１〜1.5 μｍ程度の厚
さに形成される。
工程断面図である。図４(a) はレジスト膜３のスピンコ
ートを終わった乾板10を示した図で、レジスト膜３のス
ピンコート厚さは 500nmを目標にしてなされているが、
レジスト膜３の周辺部４では厚さ１〜1.5 μｍ程度の厚
さに形成される。
【００２７】図４(b) は上記実施例の方法によりレジス
ト膜周辺部４のレジストの盛り上がり部3Pが除去された
レジスト剥離の途中の状態を示す。そしてさらに DUV照
射とアシストガスO2、O3の交互吹きつけが継続され、図
４(c) に示すように、該乾板10の周辺部10P の幅５mmの
領域のレジスト膜３が完全に除去され該領域のCr膜２が
完全に表出された時点でレジスト膜３の選択的な剥離除
去が完了する。
ト膜周辺部４のレジストの盛り上がり部3Pが除去された
レジスト剥離の途中の状態を示す。そしてさらに DUV照
射とアシストガスO2、O3の交互吹きつけが継続され、図
４(c) に示すように、該乾板10の周辺部10P の幅５mmの
領域のレジスト膜３が完全に除去され該領域のCr膜２が
完全に表出された時点でレジスト膜３の選択的な剥離除
去が完了する。
【００２８】この実施例によれば、上記遠紫外光の走査
速度 100/minで図４(c) に示すように、１〜1.5 μｍ程
度に厚く付着していた乾板10周辺部のレジスト膜４は完
全に除去された。このことは、レジストの剥離速度が従
来の２〜３倍に向上したことを示している。
速度 100/minで図４(c) に示すように、１〜1.5 μｍ程
度に厚く付着していた乾板10周辺部のレジスト膜４は完
全に除去された。このことは、レジストの剥離速度が従
来の２〜３倍に向上したことを示している。
【００２９】上記実施例においては、本発明に係る樹脂
膜剥離方法をマスク製造に適用したが、上記乾板を半導
体基板に置き換えることにより、半導体装置の製造にも
適用され、且つ同様の効果をうることができることは勿
論である。
膜剥離方法をマスク製造に適用したが、上記乾板を半導
体基板に置き換えることにより、半導体装置の製造にも
適用され、且つ同様の効果をうることができることは勿
論である。
【００３０】また 上記実施例においては、異なる２種
類のアシストガスを交互に吹きつけて遠紫外光照射領域
の雰囲気を交互に変化させたが、大気中において上記実
施例の装置を用い大気と異なる成分組成の１種類のアシ
ストガス例えばO3を上記実施例と類似の間隔で間欠的に
吹きつけても、遠紫外光照射領域の雰囲気が大気とO3と
に交互に変わるので、ほぼ前記実施例同様の効果が得ら
れる。
類のアシストガスを交互に吹きつけて遠紫外光照射領域
の雰囲気を交互に変化させたが、大気中において上記実
施例の装置を用い大気と異なる成分組成の１種類のアシ
ストガス例えばO3を上記実施例と類似の間隔で間欠的に
吹きつけても、遠紫外光照射領域の雰囲気が大気とO3と
に交互に変わるので、ほぼ前記実施例同様の効果が得ら
れる。
【００３１】更にまた、異なる２種類のアシストガスを
用いる場合、図２に示したアシストガス制御部で、単一
成分のアシストガスを混合して形成した異なる組成の混
合ガスを、異なる２種類のアシストガスとして用いても
よい。
用いる場合、図２に示したアシストガス制御部で、単一
成分のアシストガスを混合して形成した異なる組成の混
合ガスを、異なる２種類のアシストガスとして用いても
よい。
【００３２】更にまた、３種類以上の異なる種類のアシ
ストガスを用いても勿論さしつかえない。
ストガスを用いても勿論さしつかえない。
【００３３】
【発明の効果】以上説明のように本発明に係る樹脂膜剥
離方法によれば、乾板あるいは半導体基板上にスピンコ
ートされたレジスト膜の周辺部を選択的に、従来より短
時間で且つ完全に除去することができるので、マスクあ
るいは半導体基板の製造手番の短縮が図れると同時に、
レジストダストに起因してマスクあるいは半導体装置に
生ずるパターン欠陥も防止される。従って本発明は、微
細且つ高精度なパターンを有するマスク及び半導体装置
の、品質及び歩留りの向上等に寄与するところが大き
い。
離方法によれば、乾板あるいは半導体基板上にスピンコ
ートされたレジスト膜の周辺部を選択的に、従来より短
時間で且つ完全に除去することができるので、マスクあ
るいは半導体基板の製造手番の短縮が図れると同時に、
レジストダストに起因してマスクあるいは半導体装置に
生ずるパターン欠陥も防止される。従って本発明は、微
細且つ高精度なパターンを有するマスク及び半導体装置
の、品質及び歩留りの向上等に寄与するところが大き
い。
【図１】 本発明に係る樹脂膜剥離装置の要部模式図
（その１）
（その１）
【図２】 本発明に係る樹脂膜剥離装置の要部模式図
（その２）
（その２）
【図３】 本発明の樹脂膜剥離方法の一実施例のタイム
チャート
チャート
【図４】 本発明の樹脂膜剥離方法の一実施例の工程断
面図
面図
【図５】 乾板のレジスト塗布後の状態の模式図
【図６】 従来のレジスト剥離装置の模式図
１ ガラス基板 ２ Cr層 ３ レジスト膜 ４ 該レジスト膜の周辺部 ５ 遠紫外光(DUV) ランプ ６ 反射鏡 ７ 集光レンズ ８ 遮光板 ９ ホットプレート 10 乾板 11 遠紫外光投光器 12 光ファイバ 13 アシストガス噴出・排気ノズル 14 アシストガス噴出ノズル 15 局所排気ノズル 16 アシストガス供給管 17 排気配管 18 移動ステージ DUV 遠紫外光
Claims (6)
- 【請求項１】 被処理基板(1) 上に被着された樹脂膜
(3) に集光した遠紫外光(DUV) を連続的に移動照射して
該樹脂膜(3) の該遠紫外光(DUV) に照射された領域(4)
を選択的に除去する樹脂膜剥離方法において、該遠紫外
光(DUV) の照射と同時に、該遠紫外光(DUV) に照射され
ている領域(4) にアシストガスを間欠的に吹きつけ該領
域の雰囲気を間欠的に変化せしめることを特徴とする樹
脂膜剥離方法。 - 【請求項２】 被処理基板(1) 上に被着された樹脂膜
(3) に集光した遠紫外光(DUV) を連続的に移動照射して
該樹脂膜(3) の該遠紫外光(DUV) に照射された領域(4)
を選択的に除去する樹脂膜剥離方法において、該遠紫外
光(DUV) の照射と同時に、該遠紫外光(DUV) に照射され
ている領域(4) に異なる種類のアシストガスを交互に吹
きつけ該領域の雰囲気を交互に変化せしめることを特徴
とする樹脂膜剥離方法。 - 【請求項３】 前記樹脂膜がレジスト膜からなることを
特徴とする請求項１または２記載の樹脂膜剥離方法。 - 【請求項４】 移動ステージ(18)と、該移動ステージ(1
8)上に載置され、表面に樹脂膜(3) を有する被処理基板
(1) を搭載加熱するホットプレート(9) と、集光系を備
え該樹脂膜(3) の一部領域(4) 上に遠紫外光(DUV) を照
射する遠紫外光照射機構(11)と、該遠紫外光(DUV) が照
射されている該一部領域(4) に、１種類のアシストガス
を間欠的に、若しくは２種類以上のアシストガスを交互
に吹きつけるアシストガス吹きつけ機構(13)とを有して
なることを特徴とする樹脂膜剥離装置。 - 【請求項５】 遮光膜が形成されたガラス基板上にレジ
スト膜を塗布した後、該レジスト膜にパターン露光を行
う前に、該ガラス基板周辺部上の該レジスト膜を前記請
求項１、２または３記載の樹脂膜剥離方法により選択的
に除去する工程を有することを特徴とするマスクの製造
方法。 - 【請求項６】 半導体基板上にレジスト膜を塗布した
後、該レジスト膜にパターン露光を行う前に、該半導体
基板の周辺部上の該レジスト膜を前記請求項１、２また
は３記載の樹脂膜剥離方法により選択的に除去する工程
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14650294A JPH0817708A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 樹脂膜剥離方法及び装置とマスク及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14650294A JPH0817708A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 樹脂膜剥離方法及び装置とマスク及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817708A true JPH0817708A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15409084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14650294A Withdrawn JPH0817708A (ja) | 1994-06-28 | 1994-06-28 | 樹脂膜剥離方法及び装置とマスク及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817708A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6554205B1 (en) | 1997-02-26 | 2003-04-29 | Ebara Corporation | Gas polishing method, gas polishing nozzle and polishing apparatus |
| WO2004088421A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Hoya Corporation | マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| US7470344B1 (en) * | 1996-02-27 | 2008-12-30 | Micron Technology, Inc. | Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing |
-
1994
- 1994-06-28 JP JP14650294A patent/JPH0817708A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7470344B1 (en) * | 1996-02-27 | 2008-12-30 | Micron Technology, Inc. | Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing |
| US6554205B1 (en) | 1997-02-26 | 2003-04-29 | Ebara Corporation | Gas polishing method, gas polishing nozzle and polishing apparatus |
| WO2004088421A1 (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-14 | Hoya Corporation | マスクブランクス、マスクブランクスの製造方法、転写マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| US7713663B2 (en) | 2003-03-31 | 2010-05-11 | Hoya Corporation | Mask blank, manufacturing method of mask blank, manufacturing method of transfer mask and manufacturing method of semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |