JPH08181073A - 半導体ウエハ及び結晶成長方法 - Google Patents
半導体ウエハ及び結晶成長方法Info
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- JPH08181073A JPH08181073A JP31823794A JP31823794A JPH08181073A JP H08181073 A JPH08181073 A JP H08181073A JP 31823794 A JP31823794 A JP 31823794A JP 31823794 A JP31823794 A JP 31823794A JP H08181073 A JPH08181073 A JP H08181073A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良質のＧａＮ単結晶を実現するヘテロエピタ
キシャル成長法を提供するとともに、ＧａＮデバイスに
使用可能な大面積ＧａＮエピウエハ及びその製造方法を
提供する。 【構成】 ＧａＮを主成分とする単結晶の結晶成長方法
において、Ｇａを主成分とする冷却されたターゲット８
と、スパッタリング・ガス１６とＮ2 ガス２０とを主成
分とし、Ｈ2 以外の不純物ガス分圧が１０-8ｔｏｒｒ以
下の放電ガスとを用い、該スパッタリング・ガスの高周
波プラズマ中のイオンのエネルギーを制御して結晶成長
表面へイオン照射しながら結晶成長を行なう反応性スパ
ッタリング法により、ＧａＮ以外の材料からなる基体５
上に、ＧａＮを主成分とする単結晶を成長させることを
特徴とする結晶成長方法。
キシャル成長法を提供するとともに、ＧａＮデバイスに
使用可能な大面積ＧａＮエピウエハ及びその製造方法を
提供する。 【構成】 ＧａＮを主成分とする単結晶の結晶成長方法
において、Ｇａを主成分とする冷却されたターゲット８
と、スパッタリング・ガス１６とＮ2 ガス２０とを主成
分とし、Ｈ2 以外の不純物ガス分圧が１０-8ｔｏｒｒ以
下の放電ガスとを用い、該スパッタリング・ガスの高周
波プラズマ中のイオンのエネルギーを制御して結晶成長
表面へイオン照射しながら結晶成長を行なう反応性スパ
ッタリング法により、ＧａＮ以外の材料からなる基体５
上に、ＧａＮを主成分とする単結晶を成長させることを
特徴とする結晶成長方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に用いる半
導体結晶の成長方法に関し、特にＧａＮのエピタキシャ
ルウエハ及びその結晶成長方法として必要なヘテロ・エ
ピタキシャル成長法に関する。
導体結晶の成長方法に関し、特にＧａＮのエピタキシャ
ルウエハ及びその結晶成長方法として必要なヘテロ・エ
ピタキシャル成長法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光ダイオードや半導体レーザー
のような発光デバイス用の半導体材料としては、ＳｉＣ
等のIV族系半導体、ＧａＡｓ等のIII −Ｖ族半導体、Ｚ
ｎＳｅ等のII−VI半導体、あるいはIII −Ｖ族系四元混
晶系や、カルコパライト等の更に複雑な組成を持つもの
が検討されてきた。これらの中でもIV族系の間接遷移型
の半導体よりもIII −Ｖ族系やII−VI族系などの直接遷
移型半導体は、発光効率が高いこと、レーザー発振が期
待できること等のために、発光材料として重要性が高
い。
のような発光デバイス用の半導体材料としては、ＳｉＣ
等のIV族系半導体、ＧａＡｓ等のIII −Ｖ族半導体、Ｚ
ｎＳｅ等のII−VI半導体、あるいはIII −Ｖ族系四元混
晶系や、カルコパライト等の更に複雑な組成を持つもの
が検討されてきた。これらの中でもIV族系の間接遷移型
の半導体よりもIII −Ｖ族系やII−VI族系などの直接遷
移型半導体は、発光効率が高いこと、レーザー発振が期
待できること等のために、発光材料として重要性が高
い。
【０００３】これまでは、ＧａＡｌＡｓ系を中心とした
近赤外から赤の領域（〜７８０ｎｍ）の発振波長の半導
体レーザーが光記録用等に広く使われてきた。また、こ
れよりも長波長の赤外域の半導体レーザーが光通信用に
使われている。しかし、従来よりも高密度の光、又は光
磁気記録装置や、カラー画像表示装置などのために、よ
り短波長の小型半導体レーザーが必要とされている。
近赤外から赤の領域（〜７８０ｎｍ）の発振波長の半導
体レーザーが光記録用等に広く使われてきた。また、こ
れよりも長波長の赤外域の半導体レーザーが光通信用に
使われている。しかし、従来よりも高密度の光、又は光
磁気記録装置や、カラー画像表示装置などのために、よ
り短波長の小型半導体レーザーが必要とされている。
【０００４】短波長発光用半導体材料としては、これま
でＳｉＣ，ＺｎＳｅ，ＧａＮ，カルコパライト等の広い
バンドギャップを持つものが検討されてきたが、種々の
課題を抱えている。
でＳｉＣ，ＺｎＳｅ，ＧａＮ，カルコパライト等の広い
バンドギャップを持つものが検討されてきたが、種々の
課題を抱えている。
【０００５】例えば、ＳｉＣは間接遷移型半導体であり
ながらバンドギャップ内に発光中心を形成することによ
り発光ダイオードを実現しているが、発光強度は充分で
はない。
ながらバンドギャップ内に発光中心を形成することによ
り発光ダイオードを実現しているが、発光強度は充分で
はない。
【０００６】また、ＺｎＳｅ系のII−VI族は、短波長レ
ーザー・ダイオードとしては初めてレーザー発振に成功
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
第５９巻 第１１号 １２７２ページ、１９９１年）と
しているが、発光を続けると結晶欠陥が増加するなどの
ため、まだ長時間の連続発振が困難である。
ーザー・ダイオードとしては初めてレーザー発振に成功
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ
第５９巻 第１１号 １２７２ページ、１９９１年）と
しているが、発光を続けると結晶欠陥が増加するなどの
ため、まだ長時間の連続発振が困難である。
【０００７】また、ＧａＮは、気相成長以外で実用的な
大きさの単結晶成長に成功した例が無く、今のところ結
晶基板上のエピ（エピタキシャル）成長（Ａｐｐｌｉｅ
ｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ 第１５巻 第１０
号 ３２７ページ、１９６９年）を用いる以外には無い
が、ＧａＮに格子整合する適当な基板が無いため何らか
のバッファ層を介したヘテロエピにならざるを得ず、ど
うしても結晶欠陥が残るという問題点が有った。
大きさの単結晶成長に成功した例が無く、今のところ結
晶基板上のエピ（エピタキシャル）成長（Ａｐｐｌｉｅ
ｄＰｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ 第１５巻 第１０
号 ３２７ページ、１９６９年）を用いる以外には無い
が、ＧａＮに格子整合する適当な基板が無いため何らか
のバッファ層を介したヘテロエピにならざるを得ず、ど
うしても結晶欠陥が残るという問題点が有った。
【０００８】しかし、バッファ層として配向のそろった
ＡｌＮ、ＧａＮあるいはＺｎＯ多結晶を用いることによ
り、欠陥は大幅に減少する。さらにＺｎ等の発光中心を
作る元素を添加する事により、発光効率を飛躍的に向上
させる試みもあり、ＭＯＣＶＤ法などによりかなり成功
している。
ＡｌＮ、ＧａＮあるいはＺｎＯ多結晶を用いることによ
り、欠陥は大幅に減少する。さらにＺｎ等の発光中心を
作る元素を添加する事により、発光効率を飛躍的に向上
させる試みもあり、ＭＯＣＶＤ法などによりかなり成功
している。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＧａＮ
のヘテロエピタキシャル成長層の結晶欠陥は、上記のよ
うなバッファ層により完全に無くなる訳ではなく、これ
だけでは発光強度は必ずしも充分とはいえない。
のヘテロエピタキシャル成長層の結晶欠陥は、上記のよ
うなバッファ層により完全に無くなる訳ではなく、これ
だけでは発光強度は必ずしも充分とはいえない。
【００１０】また、従来最も良質のＧａＮ単結晶を得る
ことが出来ているＭＯＣＶＤ法では、結晶成長温度が約
１０００℃程度であるが、ヘテロエピ成長であるため、
基板とＧａＮ層との熱膨張率に差が有り、熱歪みによる
欠陥生成が無視出来ないという問題点が有る。
ことが出来ているＭＯＣＶＤ法では、結晶成長温度が約
１０００℃程度であるが、ヘテロエピ成長であるため、
基板とＧａＮ層との熱膨張率に差が有り、熱歪みによる
欠陥生成が無視出来ないという問題点が有る。
【００１１】また、通常用いられるサファイア等の基板
を用いる場合には、ＧａＮ中へのＡｌ拡散などの問題が
ある。
を用いる場合には、ＧａＮ中へのＡｌ拡散などの問題が
ある。
【００１２】このような欠陥が有る程度残っても充分な
発光強度を得るために、発光中心を添加する方法も有る
が、この場合、発光強度は増加するけれども誘導放出を
効率的に起こすことが困難なのでレーザー発振は難しい
という問題が残る。
発光強度を得るために、発光中心を添加する方法も有る
が、この場合、発光強度は増加するけれども誘導放出を
効率的に起こすことが困難なのでレーザー発振は難しい
という問題が残る。
【００１３】また、発光中心を添加する方法では、バン
ドギャップ内に形成されるエネルギー準位を利用するの
で、必然的に発光波長は、バンドギャップに相当するエ
ネルギーよりも低エネルギー、すなわち長波長になるた
め、短波長化にとっては不利であるという問題がある。
ドギャップ内に形成されるエネルギー準位を利用するの
で、必然的に発光波長は、バンドギャップに相当するエ
ネルギーよりも低エネルギー、すなわち長波長になるた
め、短波長化にとっては不利であるという問題がある。
【００１４】さらに、結晶成長にＭＯＣＶＤ法を用いる
場合には、トリメチルガリウム等の有毒で高価で不安定
な半導体ガスが必要になるので、反応に使用した後の廃
ガスの除害装置や、ガス漏洩を検知する警報システム、
その他の高価で大がかりな安全対策が必要となり、高額
の設備投資が必要となるという問題もある。
場合には、トリメチルガリウム等の有毒で高価で不安定
な半導体ガスが必要になるので、反応に使用した後の廃
ガスの除害装置や、ガス漏洩を検知する警報システム、
その他の高価で大がかりな安全対策が必要となり、高額
の設備投資が必要となるという問題もある。
【００１５】［発明の目的］本発明の目的は、上記のよ
うな問題点を解決し、良質のＧａＮ単結晶を実現するヘ
テロエピタキシャル成長法を提供することにある。
うな問題点を解決し、良質のＧａＮ単結晶を実現するヘ
テロエピタキシャル成長法を提供することにある。
【００１６】また本発明の他の目的は、ＧａＮデバイス
に使用可能な大面積ＧａＮエピウエハ及びその製造方法
を提供することである。
に使用可能な大面積ＧａＮエピウエハ及びその製造方法
を提供することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段及び作用】上記本発明の目
的は、ＧａＮを主成分とする単結晶の成長において、Ｇ
ａを主成分とする冷却されたターゲットと、スパッタリ
ング・ガスとＮ2 ガス、ＮＨ3、Ｎ2 Ｈ4 等のＮを含む
ガスを主成分とし、Ｈ2 以外の不純物ガス分圧が１０-8
ｔｏｒｒ以下の放電ガスとを用い、スパッタリング・ガ
スの高周波プラズマ中のイオンのエネルギーを制御して
結晶成長表面へイオン照射しながら結晶成長を行なう反
応性スパッタリング法により、ＧａＮ以外の材料からな
る基体上に、ＧａＮを主成分とする単結晶を成長させる
ことを特徴とする成長法により達成される。
的は、ＧａＮを主成分とする単結晶の成長において、Ｇ
ａを主成分とする冷却されたターゲットと、スパッタリ
ング・ガスとＮ2 ガス、ＮＨ3、Ｎ2 Ｈ4 等のＮを含む
ガスを主成分とし、Ｈ2 以外の不純物ガス分圧が１０-8
ｔｏｒｒ以下の放電ガスとを用い、スパッタリング・ガ
スの高周波プラズマ中のイオンのエネルギーを制御して
結晶成長表面へイオン照射しながら結晶成長を行なう反
応性スパッタリング法により、ＧａＮ以外の材料からな
る基体上に、ＧａＮを主成分とする単結晶を成長させる
ことを特徴とする成長法により達成される。
【００１８】本発明者等は、上記の方法により、６００
℃以下、特に４００℃程度の成長温度でもＧａＮ以外の
材料の基板上に、極めて低欠陥のＧａＮ単結晶を成長で
きることを見い出し、本発明に至った。
℃以下、特に４００℃程度の成長温度でもＧａＮ以外の
材料の基板上に、極めて低欠陥のＧａＮ単結晶を成長で
きることを見い出し、本発明に至った。
【００１９】欠陥の少ない良質のエピタキシャル膜を成
長するためには、エピ成長の際の不純物混入を防止する
ことが必要不可欠である。これを実現するためには、ス
パッタリングを行なう成長室内のガス中のスパッタリン
グ・ガスとＮ2 とＨ2 以外の汚染不純物分圧が１×１０
-8ｔｏｒｒ以下に抑える必要がある。これにより、結晶
成長表面の汚染が避けられ、結晶の原子の表面移動性が
向上して結晶欠陥の発生を抑制する効果もある。１×１
０-8ｔｏｒｒ以上の不純物分圧では欠陥が急激に増加す
るので、低欠陥の単結晶成長は困難になる。
長するためには、エピ成長の際の不純物混入を防止する
ことが必要不可欠である。これを実現するためには、ス
パッタリングを行なう成長室内のガス中のスパッタリン
グ・ガスとＮ2 とＨ2 以外の汚染不純物分圧が１×１０
-8ｔｏｒｒ以下に抑える必要がある。これにより、結晶
成長表面の汚染が避けられ、結晶の原子の表面移動性が
向上して結晶欠陥の発生を抑制する効果もある。１×１
０-8ｔｏｒｒ以上の不純物分圧では欠陥が急激に増加す
るので、低欠陥の単結晶成長は困難になる。
【００２０】Ｎは、ＧａＮの構成元素として必要である
から、高純度のＮ2 ガスとして供給する。
から、高純度のＮ2 ガスとして供給する。
【００２１】スパッタリング・ガスとしては、高純度の
Ａｒガスを使うことが出来るが、Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋ
ｒ等のガスでも良い。水素は成長条件により結晶欠陥の
低減に効果がある場合が有るので存在しても良い。
Ａｒガスを使うことが出来るが、Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋ
ｒ等のガスでも良い。水素は成長条件により結晶欠陥の
低減に効果がある場合が有るので存在しても良い。
【００２２】ＡｒとＮ2 などのＮを含むガスの放電プラ
ズマを用いたスパッタリングにより、Ｇａターゲットか
ら高純度のＧａを基体上に供給して結晶成長を行ないな
がら、結晶成長表面にＡｒ等のスパッタリング・ガスの
低エネルギーイオン照射を行なう事により、Ｇａ原子や
Ｎ原子の成長表面での表面拡散性が向上して低温での単
結晶成長が可能になる。
ズマを用いたスパッタリングにより、Ｇａターゲットか
ら高純度のＧａを基体上に供給して結晶成長を行ないな
がら、結晶成長表面にＡｒ等のスパッタリング・ガスの
低エネルギーイオン照射を行なう事により、Ｇａ原子や
Ｎ原子の成長表面での表面拡散性が向上して低温での単
結晶成長が可能になる。
【００２３】このイオンエネルギーが小さすぎると、上
記の原子の表面拡散性が不十分なために結晶欠陥が発生
しやすくなり、単結晶成長が不可能になる。反対にイオ
ンエネルギーが大きすぎると、成長したエピ成長層がイ
オンダメージを受け、結晶欠陥が増大する。従ってイオ
ンエネルギーを最適な値に制御することが必要である。
記の原子の表面拡散性が不十分なために結晶欠陥が発生
しやすくなり、単結晶成長が不可能になる。反対にイオ
ンエネルギーが大きすぎると、成長したエピ成長層がイ
オンダメージを受け、結晶欠陥が増大する。従ってイオ
ンエネルギーを最適な値に制御することが必要である。
【００２４】結晶成長表面に入射するイオンの制御は、
基体側に直流バイアス電圧を印加することにより可能で
あるが、プラズマ中のイオンのエネルギー分布が広いと
バイアス電圧印加によりイオンエネルギーのピーク値を
制御しても基体表面に入射するイオンのエネルギーは広
い分布を持つことになり、小さすぎるエネルギーを持つ
イオンと大きすぎるイオンの両方が基体表面に飛び込ん
でくる。このため正確なイオンエネルギー制御は実際上
不可能となり、例えば全体としてエネルギーは不足だ
が、イオンダメージは避けられないといった不都合が生
じてしまう。この問題を解決するためにはプラズマ中の
イオンが充分に狭いエネルギー分布を持っている必要が
ある。
基体側に直流バイアス電圧を印加することにより可能で
あるが、プラズマ中のイオンのエネルギー分布が広いと
バイアス電圧印加によりイオンエネルギーのピーク値を
制御しても基体表面に入射するイオンのエネルギーは広
い分布を持つことになり、小さすぎるエネルギーを持つ
イオンと大きすぎるイオンの両方が基体表面に飛び込ん
でくる。このため正確なイオンエネルギー制御は実際上
不可能となり、例えば全体としてエネルギーは不足だ
が、イオンダメージは避けられないといった不都合が生
じてしまう。この問題を解決するためにはプラズマ中の
イオンが充分に狭いエネルギー分布を持っている必要が
ある。
【００２５】図１は、プラズマ中のイオンのエネルギー
分布を測定したものであるが、通常の高周波スパッタリ
ングに使用される周波数１３．５６ＭＨｚでは、エネル
ギー分布が広すぎて充分なイオンエネルギー制御が出来
ない。これに対し１００ＭＨｚ又はそれ以上の周波数で
はイオンエネルギーの分布がシャープになり、基体バイ
アス制御によりイオンエネルギーの制御が可能になる。
分布を測定したものであるが、通常の高周波スパッタリ
ングに使用される周波数１３．５６ＭＨｚでは、エネル
ギー分布が広すぎて充分なイオンエネルギー制御が出来
ない。これに対し１００ＭＨｚ又はそれ以上の周波数で
はイオンエネルギーの分布がシャープになり、基体バイ
アス制御によりイオンエネルギーの制御が可能になる。
【００２６】イオンエネルギー分布をシャープにすると
いう点では周波数は高い程よいが、その分波長が短くな
っていくので、広い領域でプラズマ密度の均一性を得難
くなる。このため、１００〜５００ＭＨｚ程度の周波数
は実用上適当な周波数である。１００ＭＨｚ以下の周波
数は、目的によっては使用出来るが結晶欠陥は増大す
る。エネルギーの最適値は、基体温度、イオン照射量、
基体材質等により変化するので基体バイアスを変えて最
適化を行なえば良い。具体的な例は実施例の中で述べ
る。
いう点では周波数は高い程よいが、その分波長が短くな
っていくので、広い領域でプラズマ密度の均一性を得難
くなる。このため、１００〜５００ＭＨｚ程度の周波数
は実用上適当な周波数である。１００ＭＨｚ以下の周波
数は、目的によっては使用出来るが結晶欠陥は増大す
る。エネルギーの最適値は、基体温度、イオン照射量、
基体材質等により変化するので基体バイアスを変えて最
適化を行なえば良い。具体的な例は実施例の中で述べ
る。
【００２７】ＧａＮは、単結晶基板が存在しないので、
基体としてはサファイア、ＳｉＣ，Ｓｉ等を用いる必要
が有るが、ＧａＮとの格子不整合が大きいため欠陥の少
ない単結晶成長は容易ではない。ＡｌＮ，ＧａＮ、Ｚｎ
Ｏ等のアモルファス層等をバッファ層として用いて欠陥
を下げる方法が試みられ、ある程度成功しているが、欠
陥は完全には無くならない上にＭＯＣＶＤ等の高温プロ
セスではＡｌ，Ｚｎ等の拡散が起きる。
基体としてはサファイア、ＳｉＣ，Ｓｉ等を用いる必要
が有るが、ＧａＮとの格子不整合が大きいため欠陥の少
ない単結晶成長は容易ではない。ＡｌＮ，ＧａＮ、Ｚｎ
Ｏ等のアモルファス層等をバッファ層として用いて欠陥
を下げる方法が試みられ、ある程度成功しているが、欠
陥は完全には無くならない上にＭＯＣＶＤ等の高温プロ
セスではＡｌ，Ｚｎ等の拡散が起きる。
【００２８】本発明によれば、以下の方法により結晶欠
陥の少ないヘテロエピ成長が可能になる。
陥の少ないヘテロエピ成長が可能になる。
【００２９】即ち、ＧａＮ以外の基体の表面をクリーニ
ングした後、基体バイアスを制御して若干のイオンダメ
ージが入る程度にイオンエネルギーを高くしてＧａＮ膜
の堆積をスタートさせる。１００〜１０００オングスト
ロームの欠陥を含む層を堆積させた後、再び基体バイア
スを制御してイオンエネルギーを下げイオンダメージを
受けない低欠陥のＧａＮ単結晶膜を成長させる。
ングした後、基体バイアスを制御して若干のイオンダメ
ージが入る程度にイオンエネルギーを高くしてＧａＮ膜
の堆積をスタートさせる。１００〜１０００オングスト
ロームの欠陥を含む層を堆積させた後、再び基体バイア
スを制御してイオンエネルギーを下げイオンダメージを
受けない低欠陥のＧａＮ単結晶膜を成長させる。
【００３０】このように、膜堆積の途中でイオンエネル
ギーを変化させる事は、本発明においては自由に行なえ
る。イオンエネルギーを強くして堆積する層はヘテロエ
ピのためのバッファ層として機能するが、ＭＯＣＶＤの
様に基板温度変化によらず電圧印加が可能であるため、
低温で瞬時に簡単に切り替えが出来るばかりでなく、様
々な精密制御が可能であるという利点がある。
ギーを変化させる事は、本発明においては自由に行なえ
る。イオンエネルギーを強くして堆積する層はヘテロエ
ピのためのバッファ層として機能するが、ＭＯＣＶＤの
様に基板温度変化によらず電圧印加が可能であるため、
低温で瞬時に簡単に切り替えが出来るばかりでなく、様
々な精密制御が可能であるという利点がある。
【００３１】ＧａＮのエピ成長を本発明により行なう場
合は、Ｓｉの場合に較べてイオンダメージの影響を受け
にくい事が見い出された。この理由は解明できていない
が、Ｓｉエピの場合よりも使用できるイオンエネルギー
の範囲が広く取れるという利点もある。
合は、Ｓｉの場合に較べてイオンダメージの影響を受け
にくい事が見い出された。この理由は解明できていない
が、Ｓｉエピの場合よりも使用できるイオンエネルギー
の範囲が広く取れるという利点もある。
【００３２】基体としては、通常ＧａＮのエピタキシャ
ル成長に使われるＡｌＮだけでなくＳｉＣやＺｎＯも可
能である。低抵抗のｎ型やｐ型のＳｉウエハはデバイス
として基板のコンタクトを取る上でも本発明のエピ成長
時に基板バイアスを印加する上でも好都合である。
ル成長に使われるＡｌＮだけでなくＳｉＣやＺｎＯも可
能である。低抵抗のｎ型やｐ型のＳｉウエハはデバイス
として基板のコンタクトを取る上でも本発明のエピ成長
時に基板バイアスを印加する上でも好都合である。
【００３３】ＡｌＮやＳｉＣのような高抵抗基体上にＧ
ａＮをエピ成長する場合には、特開昭６３−５００２５
号公報に開示されているような、基体側にも高周波印加
するような方法により基体バイアス制御が可能である。
ａＮをエピ成長する場合には、特開昭６３−５００２５
号公報に開示されているような、基体側にも高周波印加
するような方法により基体バイアス制御が可能である。
【００３４】基体表面の不純物汚染は、エピタキシャル
成長に大きく影響を与える。大気中での酸などによる洗
浄の他に、本発明では基体上にイオン照射出来ることを
利用して真空中でプラズマを利用してイオンボンバード
メントを行なうことが容易に可能である。ボンバードメ
ントの後そのまま真空を破らずにエピ成長を行なう事が
出来る。
成長に大きく影響を与える。大気中での酸などによる洗
浄の他に、本発明では基体上にイオン照射出来ることを
利用して真空中でプラズマを利用してイオンボンバード
メントを行なうことが容易に可能である。ボンバードメ
ントの後そのまま真空を破らずにエピ成長を行なう事が
出来る。
【００３５】ターゲットとして使用するＧａは、Ｎ以外
の成分が出来るだけ少ないものが望ましい。Ｇａの融点
は３０℃以下であるのでターゲットの冷却は徹底して行
なう必要がある。通常のスパッタリングで用いられる水
冷では不充分であり、液体窒素による冷却が望ましい。
ただし、これ以外の方法でも充分な冷却効果が得られる
ものならば使用可能である。
の成分が出来るだけ少ないものが望ましい。Ｇａの融点
は３０℃以下であるのでターゲットの冷却は徹底して行
なう必要がある。通常のスパッタリングで用いられる水
冷では不充分であり、液体窒素による冷却が望ましい。
ただし、これ以外の方法でも充分な冷却効果が得られる
ものならば使用可能である。
【００３６】もし、発光デバイスにバンドギャップが異
なる活性層やクラッド層を設ける場合には、ＧａＮ層に
Ｉｎ等のバンドギャップ調整元素を添加すれば良い。こ
のようなことは、ＧａターゲットにＩｎ等の必要な元素
をあらかじめ添加しておくことにより可能である。
なる活性層やクラッド層を設ける場合には、ＧａＮ層に
Ｉｎ等のバンドギャップ調整元素を添加すれば良い。こ
のようなことは、ＧａターゲットにＩｎ等の必要な元素
をあらかじめ添加しておくことにより可能である。
【００３７】また、発光中心が必要なら、発光中心とし
て機能するＺｎその他の元素を添加しておけば良い。
て機能するＺｎその他の元素を添加しておけば良い。
【００３８】また、ｐ型のエピ膜を得たければ、Ｍｇ等
のアクセプター不純物をあらかじめターゲット中に添加
しておけば良い。同様にｎ型のエピ膜の場合には、Ｓｉ
等のドナー不純物を添加しておけば良い。ｐｉｎその他
の積層構造を堆積する場合には、エピ成長の途中で成長
を中断してターゲットの交換を行うか、又は各層ごとに
別のターゲットを設置した成長室を用意し基板を移動す
ることによって積層するなどの方法が可能である。
のアクセプター不純物をあらかじめターゲット中に添加
しておけば良い。同様にｎ型のエピ膜の場合には、Ｓｉ
等のドナー不純物を添加しておけば良い。ｐｉｎその他
の積層構造を堆積する場合には、エピ成長の途中で成長
を中断してターゲットの交換を行うか、又は各層ごとに
別のターゲットを設置した成長室を用意し基板を移動す
ることによって積層するなどの方法が可能である。
【００３９】また本発明でＧａＮ以外の基板上にＧａＮ
のヘテロエピウエハをつくり、これを基板としてＭＢＥ
やＭＯＣＶＤなどの他の方法で薄膜のホモエピ成長を行
なう事で結晶欠陥を減少させる方法も可能である。
のヘテロエピウエハをつくり、これを基板としてＭＢＥ
やＭＯＣＶＤなどの他の方法で薄膜のホモエピ成長を行
なう事で結晶欠陥を減少させる方法も可能である。
【００４０】本発明の結晶成長法に使用する装置の一例
を図２に示す。超高真空を達成出来る結晶成長室１の中
にターゲット電極８を設置し、Ｇａを主成分とするター
ゲットを取り付けてある。基板５は基板サセプター６に
取り付け、基板ヒーター７で加熱する事が出来る。ター
ゲット電極８はマッチング・ボックス１１を介して高周
波電源１２に接続されている。さらにローパスフィルタ
ー１３を介して直流電源と接続され直流バイアスを重ね
て印加できるようにしてある。基板電極も別のローパス
フィルター１３を介して別の直流電源１４に接続されて
いる。Ａｒなどのスパッタリング・ガスはボンベ１６か
ら供給し、ガス純化器１５とマスフローコントローラー
１８を介して成長室１に導入される。Ｎ2 ガスは別のボ
ンベ２０から供給され別のガス純化器１９とマスフロー
コントローラー２２を介して成長室１へ導入される。成
長室１はターボ分子ポンプ３と補助排気ポンプ４により
超高真空へ排気される。
を図２に示す。超高真空を達成出来る結晶成長室１の中
にターゲット電極８を設置し、Ｇａを主成分とするター
ゲットを取り付けてある。基板５は基板サセプター６に
取り付け、基板ヒーター７で加熱する事が出来る。ター
ゲット電極８はマッチング・ボックス１１を介して高周
波電源１２に接続されている。さらにローパスフィルタ
ー１３を介して直流電源と接続され直流バイアスを重ね
て印加できるようにしてある。基板電極も別のローパス
フィルター１３を介して別の直流電源１４に接続されて
いる。Ａｒなどのスパッタリング・ガスはボンベ１６か
ら供給し、ガス純化器１５とマスフローコントローラー
１８を介して成長室１に導入される。Ｎ2 ガスは別のボ
ンベ２０から供給され別のガス純化器１９とマスフロー
コントローラー２２を介して成長室１へ導入される。成
長室１はターボ分子ポンプ３と補助排気ポンプ４により
超高真空へ排気される。
【００４１】
［実施例１］充分に洗浄したｎ型Ｓｉウエハ基板を、図
２に示す装置の真空に保たれた成長室１内のサセプター
６上に設置する。同じく充分に洗浄したＧａターゲット
８をターゲットサセプターに設置する。
２に示す装置の真空に保たれた成長室１内のサセプター
６上に設置する。同じく充分に洗浄したＧａターゲット
８をターゲットサセプターに設置する。
【００４２】真空度をターボ分子ポンプ３と補助排気ポ
ンプ４により５×１０-10 Ｔｏｒｒ以下に保ち、液体窒
素トラップ２３に液体窒素を注入してターゲットを冷却
し、基板温度を基板ヒーター７により５５０℃に保つ。
ンプ４により５×１０-10 Ｔｏｒｒ以下に保ち、液体窒
素トラップ２３に液体窒素を注入してターゲットを冷却
し、基板温度を基板ヒーター７により５５０℃に保つ。
【００４３】Ａｒガスボンベ１６よりＡｒガス純化器１
５、マスフローコントローラー１８を介して成長室１内
へ導入し、Ｎ2 ガスボンベ２０よりＮ2 ガス純化器１
９、マスフローコントローラ２２を介して成長室１内へ
導入し、成長室１内を１０ｍＴｏｒｒに保つ。
５、マスフローコントローラー１８を介して成長室１内
へ導入し、Ｎ2 ガスボンベ２０よりＮ2 ガス純化器１
９、マスフローコントローラ２２を介して成長室１内へ
導入し、成長室１内を１０ｍＴｏｒｒに保つ。
【００４４】ローパスフィルター１３を介して直流電源
１４によりターゲット側に−５Ｖ、基板側に＋５Ｖの直
流バイアスを印加する。高周波発振器１２を用いマッチ
ングボックス１１を介して１０５ＭＨｚの高周波をター
ゲットに印加してターゲット８と基板５との間に高周波
プラズマを発生させる。投入する高周波パワーは８０Ｗ
とした。
１４によりターゲット側に−５Ｖ、基板側に＋５Ｖの直
流バイアスを印加する。高周波発振器１２を用いマッチ
ングボックス１１を介して１０５ＭＨｚの高周波をター
ゲットに印加してターゲット８と基板５との間に高周波
プラズマを発生させる。投入する高周波パワーは８０Ｗ
とした。
【００４５】プラズマ発生により基板へのイオン照射が
起きることが、基板への流入電流モニターにより確認で
きる。ターゲットバイアスが充分低いので膜堆積は起き
ない。こうして基板表面をイオン照射によりクリーニン
グした後、ターゲットバイアスを−１００Ｖに下げ、膜
堆積を開始する。
起きることが、基板への流入電流モニターにより確認で
きる。ターゲットバイアスが充分低いので膜堆積は起き
ない。こうして基板表面をイオン照射によりクリーニン
グした後、ターゲットバイアスを−１００Ｖに下げ、膜
堆積を開始する。
【００４６】このターゲット・バイアス変化により、Ａ
ｒ+ 及びＮ+ イオンがＧａターゲットを叩きＧａを基板
上へ供給し始める。膜は初め結晶粒径の小さい多結晶で
あるが膜厚が増えるにつれて配向した粒径のより大きな
多結晶となり欠陥の多い単結晶に変化する。堆積膜が５
００オングストロームになったところで基板バイアスを
＋１５Ｖに上げ入射イオンのエネルギーを下げる。する
と結晶中の欠陥は減少し低欠陥のエピ膜が成長する。放
電を停止し基板を冷却してから大気中へ取り出して結晶
成長が完了する。
ｒ+ 及びＮ+ イオンがＧａターゲットを叩きＧａを基板
上へ供給し始める。膜は初め結晶粒径の小さい多結晶で
あるが膜厚が増えるにつれて配向した粒径のより大きな
多結晶となり欠陥の多い単結晶に変化する。堆積膜が５
００オングストロームになったところで基板バイアスを
＋１５Ｖに上げ入射イオンのエネルギーを下げる。する
と結晶中の欠陥は減少し低欠陥のエピ膜が成長する。放
電を停止し基板を冷却してから大気中へ取り出して結晶
成長が完了する。
【００４７】こうして、低抵抗のｎ型Ｓｉ上に多結晶の
バッファ層を介して約５０００オングストロームのＧａ
Ｎ単結晶層をヘテロエピ成長させる事が出来る。ＴＥＭ
観察によれば上記バッファ層の上のＧａＮ層の欠陥はほ
とんど検知されない。熱歪みによるとみられる欠陥生成
も検知されない。
バッファ層を介して約５０００オングストロームのＧａ
Ｎ単結晶層をヘテロエピ成長させる事が出来る。ＴＥＭ
観察によれば上記バッファ層の上のＧａＮ層の欠陥はほ
とんど検知されない。熱歪みによるとみられる欠陥生成
も検知されない。
【００４８】［実施例２］実施例１と概略同様の方法に
てＡｌＮ基板上にＧａＮのエピタキシャル成長を行なっ
た。
てＡｌＮ基板上にＧａＮのエピタキシャル成長を行なっ
た。
【００４９】図２の装置において、基板側の直流電源と
ローパスフィルターをターゲット側と同様の高周波電源
とマッチング・ボックスに交換した装置を用いる。基板
サセプター上に良く洗浄したＡｌＮ基板を設置し成長室
１内を５×１０-10 Ｔｏｒｒまで減圧する。液体窒素ト
ラップ２３に液体窒素を注入してターゲットを冷却し、
基板温度を基板ヒーター７により４５０℃に保つ。
ローパスフィルターをターゲット側と同様の高周波電源
とマッチング・ボックスに交換した装置を用いる。基板
サセプター上に良く洗浄したＡｌＮ基板を設置し成長室
１内を５×１０-10 Ｔｏｒｒまで減圧する。液体窒素ト
ラップ２３に液体窒素を注入してターゲットを冷却し、
基板温度を基板ヒーター７により４５０℃に保つ。
【００５０】Ａｒガスボンベ１６よりＡｒガス純化器１
５、マスフローコントローラー１８を介して成長室１内
へ導入し、Ｎ2 ガスボンベ２０よりＮ2 ガス純化器１
９、マスフローコントローラ２２を介して成長室１内へ
導入し、成長室１内を１０ｍＴｏｒｒに保つ。
５、マスフローコントローラー１８を介して成長室１内
へ導入し、Ｎ2 ガスボンベ２０よりＮ2 ガス純化器１
９、マスフローコントローラ２２を介して成長室１内へ
導入し、成長室１内を１０ｍＴｏｒｒに保つ。
【００５１】ローパスフィルター１３を介して直流電源
１４によりターゲット側に−５Ｖを印加する。基板側に
２００ＭＨｚの高周波バイアスを印加し、５０ＷのＲＦ
パワーを投入する。高周波発振器１２を用いてマッチン
グ・ボックス１１を介して１０５ＭＨｚの高周波をター
ゲットに印加してターゲット８と基板５との間に高周波
プラズマを発生させる。投入する高周波パワーは１００
Ｗとした。絶縁性のＡｌＮ基板には高周波バイアスター
ゲットへの高周波投入による自己バイアスがかかる。こ
のバイアスは基板側の高周波バイアスの投入パワーによ
り最適値に制御する。
１４によりターゲット側に−５Ｖを印加する。基板側に
２００ＭＨｚの高周波バイアスを印加し、５０ＷのＲＦ
パワーを投入する。高周波発振器１２を用いてマッチン
グ・ボックス１１を介して１０５ＭＨｚの高周波をター
ゲットに印加してターゲット８と基板５との間に高周波
プラズマを発生させる。投入する高周波パワーは１００
Ｗとした。絶縁性のＡｌＮ基板には高周波バイアスター
ゲットへの高周波投入による自己バイアスがかかる。こ
のバイアスは基板側の高周波バイアスの投入パワーによ
り最適値に制御する。
【００５２】プラズマ発生により基板へのイオン照射が
起きることが基板への流入電流モニターにより確認でき
る。ターゲットバイアスが充分低いので膜堆積は起きな
い。こうして基板表面をイオン照射によりクリーニング
した後、ターゲットバイアスを−７０Ｖに下げ、膜堆積
を開始する。
起きることが基板への流入電流モニターにより確認でき
る。ターゲットバイアスが充分低いので膜堆積は起きな
い。こうして基板表面をイオン照射によりクリーニング
した後、ターゲットバイアスを−７０Ｖに下げ、膜堆積
を開始する。
【００５３】このターゲット・バイアス変化によりＡｒ
+ 及びＮ+ イオンがＧａターゲットを叩きＧａを基板上
へ供給し始める。膜は初め結晶粒径の小さい多結晶であ
るが膜厚が増えるにつれて配向した粒径のより大きな多
結晶となり欠陥の多い単結晶に変化する。堆積を継続す
ると結晶中の欠陥は減少し低欠陥のエピ膜が成長する。
放電を停止し基板を冷却してから大気中へ取り出して結
晶成長を完了する。
+ 及びＮ+ イオンがＧａターゲットを叩きＧａを基板上
へ供給し始める。膜は初め結晶粒径の小さい多結晶であ
るが膜厚が増えるにつれて配向した粒径のより大きな多
結晶となり欠陥の多い単結晶に変化する。堆積を継続す
ると結晶中の欠陥は減少し低欠陥のエピ膜が成長する。
放電を停止し基板を冷却してから大気中へ取り出して結
晶成長を完了する。
【００５４】こうして、高抵抗のＡｌＮ基板上に多結晶
のバッファ層を介して約７０００オングストロームのＧ
ａＮ単結晶層をヘテロエピ成長させる事が出来る。ＴＥ
Ｍ観察によれば表面から深さ６０００オングストローム
までのＧａＮ層の欠陥はほとんど検知されない。熱歪み
によるとみられる欠陥生成も検知されない。
のバッファ層を介して約７０００オングストロームのＧ
ａＮ単結晶層をヘテロエピ成長させる事が出来る。ＴＥ
Ｍ観察によれば表面から深さ６０００オングストローム
までのＧａＮ層の欠陥はほとんど検知されない。熱歪み
によるとみられる欠陥生成も検知されない。
【００５５】［実施例３］実施例１とほぼ同様の装置が
ゲートバルブを介して成長室で２個つながった成長室を
２個持つ装置を使用する。基板は図示されていない基板
搬送装置により真空を破らずに２つの成長室間を移動さ
せる事が可能である様にする。
ゲートバルブを介して成長室で２個つながった成長室を
２個持つ装置を使用する。基板は図示されていない基板
搬送装置により真空を破らずに２つの成長室間を移動さ
せる事が可能である様にする。
【００５６】片方の成長室１Ａのターゲット・サセプタ
ーにはＳｉを添加したＧａターゲットを、もう一方の成
長室１Ｂのターゲット・サセプターにはＭｇを添加した
Ｇａターゲットを設置する。
ーにはＳｉを添加したＧａターゲットを、もう一方の成
長室１Ｂのターゲット・サセプターにはＭｇを添加した
Ｇａターゲットを設置する。
【００５７】Ｓｉ基板を成長室１Ａの基板サセプター上
に設置し、実施例１と同様の方法によりＳｉ基板上にＳ
ｉを含むｎ型のＧａＮのバッファ層約４００オングスト
ロームと結晶層５０００オングストロームをエピ成長さ
せる。
に設置し、実施例１と同様の方法によりＳｉ基板上にＳ
ｉを含むｎ型のＧａＮのバッファ層約４００オングスト
ロームと結晶層５０００オングストロームをエピ成長さ
せる。
【００５８】次に成長室１Ａと１Ｂとの間のゲートバル
ブを空けて真空を破らずに基板搬送装置により基板を成
長室１Ｂへ移す。ゲートバルブを閉じてから全く同様の
条件でＭｇを含むｐ型のＧａＮを既にエピ成長したｎ型
ＧａＮの上に１０００オングストローム成長させる。ｐ
層の方は既にｎ層が単結晶ＧａＮになっているのでバッ
ファ層は無しに直接基板バイアス＋１５Ｖで堆積する。
ブを空けて真空を破らずに基板搬送装置により基板を成
長室１Ｂへ移す。ゲートバルブを閉じてから全く同様の
条件でＭｇを含むｐ型のＧａＮを既にエピ成長したｎ型
ＧａＮの上に１０００オングストローム成長させる。ｐ
層の方は既にｎ層が単結晶ＧａＮになっているのでバッ
ファ層は無しに直接基板バイアス＋１５Ｖで堆積する。
【００５９】こうしてＳｉ基板上に図３に示すようなＧ
ａＮの単結晶ｐｎ接合を形成する事が出来た。電極を形
成して順方向バイアスをかけると表面側から強いブルー
の発光が認められた。
ａＮの単結晶ｐｎ接合を形成する事が出来た。電極を形
成して順方向バイアスをかけると表面側から強いブルー
の発光が認められた。
【００６０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＧａＮ以外の基体上に低欠陥のＧａＮをヘテロエピタキ
シャル成長する事が出来る。例えば８インチφ程度のＳ
ｉウエハ上にＧａＮをエピ成長させることによりＧａＮ
の８インチエピウエハが可能となる。そこで、この上に
ＧａＮ発光デバイスを本発明の方法により、あるいはＭ
ＯＣＶＤやＭＢＥにより形成することにより低コストの
発光デバイスが実現可能となる。
ＧａＮ以外の基体上に低欠陥のＧａＮをヘテロエピタキ
シャル成長する事が出来る。例えば８インチφ程度のＳ
ｉウエハ上にＧａＮをエピ成長させることによりＧａＮ
の８インチエピウエハが可能となる。そこで、この上に
ＧａＮ発光デバイスを本発明の方法により、あるいはＭ
ＯＣＶＤやＭＢＥにより形成することにより低コストの
発光デバイスが実現可能となる。
【図１】本発明に用いる高周波放電プラズマ中のイオン
エネルギー分布を従来の１３．５６ＭＨｚのプラズマの
イオン・エネルギー分布と比較した図である。
エネルギー分布を従来の１３．５６ＭＨｚのプラズマの
イオン・エネルギー分布と比較した図である。
【図２】本発明に用いる高周波スパッタリング装置の一
例を示す概略構成図である。
例を示す概略構成図である。
【図３】本発明により形成したｐｎダイオードの構造を
示す概念図である。
示す概念図である。
１ 結晶成長室 ２ 排気ダクト ３ ターボ分子ポンプ ４ 補助排気ポンプ ５ 基板 ６ 基板サセプター ７ 基板ヒーター ８ ターゲット ９ マグネット １１ マッチングボックス １２ 高周波電源 １３ 低周波透過フィルター １４ 直流電源 １５，１６ ガス純化器 １６，２０ ガスボンベ １７，２１ ガス配管 １８，２２ マスフローコントローラー １０ コンデンサー １７ メインバルブ ２３ 液体窒素トラップ
Claims (11)
- 【請求項１】 ＧａＮを主成分とする単結晶層を有する
半導体ウエハにおいて、 ＧａＮ以外の材料からなる基体上に、 Ｇａを主成分とする冷却されたターゲットと、 スパッタリング・ガスとＮを含むガスとを主成分とし、
Ｈ2 以外の不純物ガス分圧が１０-8ｔｏｒｒ以下の放電
ガスとを用い、 該スパッタリング・ガスの高周波プラズマ中のイオンの
エネルギーを制御して結晶成長表面上へイオン照射しな
がら結晶成長を行なう反応性スパッタリング法により成
長された、前記ＧａＮを主成分とする単結晶層を有する
ことを特徴とする半導体ウエハ。 - 【請求項２】 前記基体はＳｉウエハであり、該Ｓｉウ
エハ上にヘテロエピタキシャル成長された前記ＧａＮ層
を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエ
ハ。 - 【請求項３】 ＧａＮを主成分とする単結晶の結晶成長
方法において、 Ｇａを主成分とする冷却されたターゲットと、 スパッタリング・ガスとＮを含むガスとを主成分とし、
Ｈ2 以外の不純物ガス分圧が１０-8ｔｏｒｒ以下の放電
ガスとを用い、 該スパッタリング・ガスの高周波プラズマ中のイオンの
エネルギーを制御して結晶成長表面上へイオン照射しな
がら結晶成長を行なう反応性スパッタリング法により、
ＧａＮ以外の材料からなる基体上に、ＧａＮを主成分と
する単結晶を成長させることを特徴とする結晶成長方
法。 - 【請求項４】 前記結晶成長表面へのイオン照射のエネ
ルギーを制御する手段として、１００ＭＨｚ以上の高周
波放電プラズマを用い、前記ターゲットと前記基体の少
なくとも一方に、直流又は交流のバイアス電圧印加を行
なう反応性スパッタリング法を用いることを特徴とする
請求項３に記載の結晶成長方法。 - 【請求項５】 前記結晶成長表面へのイオン照射のエネ
ルギーは、結晶成長の途中で変化させて制御されること
を特徴とする請求項３に記載の結晶成長方法。 - 【請求項６】 前記スパッタリングガスは、Ａｒガスで
あることを特徴とする請求項３に記載の結晶成長方法。 - 【請求項７】 前記Ｎを含むガスは、Ｎ2 ガスであるこ
とを特徴とする請求項３に記載の結晶成長方法。 - 【請求項８】 前記単結晶成長の成長温度は、６００℃
以下であることを特徴とする請求項３に記載の結晶成長
方法。 - 【請求項９】 前記結晶成長の前に、前記基体表面を不
活性ガスのイオン照射によりクリーニングし、そのまま
表面を大気にさらすことなく結晶成長することを特徴と
する請求項３に記載の結晶成長方法。 - 【請求項１０】 前記ターゲットの冷却は、液体窒素で
行なわれることを特徴とする請求項３に記載の結晶成長
方法。 - 【請求項１１】 ＧａＮ以外の材料からなる基体上に、
ＧａＮを主成分とする単結晶層を成長させる結晶成長方
法において、 Ｇａを主成分とする冷却されたターゲットと、 スパッタリング・ガスとＮ2 ガスとを主成分とし、Ｈ2
以外の不純物ガス分圧が１０-8ｔｏｒｒ以下の放電ガス
と、 １００ＭＨｚ以上の高周波放電プラズマと、 前記ターゲットと前記基体の少なくとも一方に、直流又
は交流のバイアス電圧印加手段と、を具備して行われる
反応性スパッタリング法を用い、 前記ＧａＮ以外の材料からなる基体の表面を不活性ガス
のイオン照射によりクリーニングし、 その後、該基体を大気にさらすことなく、前記基体バイ
アスを制御して若干のイオンダメージが入る程度にイオ
ンエネルギーを高くして、前記基体上に任意の層厚の欠
陥を含むＧａＮ膜を堆積させ、 その後、再び前記基体バイアスを制御してイオンエネル
ギーを下げ、イオンダメージを受けない低欠陥のＧａＮ
単結晶膜を前記基体上に成長させることを特徴とする結
晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31823794A JPH08181073A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体ウエハ及び結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31823794A JPH08181073A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体ウエハ及び結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181073A true JPH08181073A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18096964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31823794A Pending JPH08181073A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体ウエハ及び結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181073A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381742B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2003-04-26 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | Ⅲ-ⅴ족 질화물반도체의 성장방법 및 기상성장장치 |
| JP2004327905A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Doshisha | 薄膜材料の形成方法および形成装置 |
| JP2008153619A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-07-03 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造装置、ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP2008159954A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP2008159958A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP2008198705A (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-28 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| WO2008152944A1 (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Showa Denko K.K. | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP2008311420A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Showa Denko Kk | スパッタターゲットの製造方法、スパッタターゲット、スパッタ装置、ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP2009155672A (ja) * | 2007-12-25 | 2009-07-16 | Showa Denko Kk | Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体製造装置、ｉｉｉ族窒化物半導体及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| WO2009113497A1 (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-17 | 昭和電工株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体層の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
| JP2011119720A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-06-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体素子、及び半導体装置の作製方法、並びに成膜装置 |
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| JP2024537366A (ja) * | 2021-10-19 | 2024-10-10 | 高麗大学校産学協力団 | 発光素子－薄膜トランジスタのインテグレーション構造 |
-
1994
- 1994-12-21 JP JP31823794A patent/JPH08181073A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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