JPH08181148A

JPH08181148A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH08181148A
Application number: JP32550794A
Authority: JP
Inventors: Yasutsugu Suzuki; 木康嗣鈴
Original assignee: Kawasaki Steel Corp
Current assignee: JFE Steel Corp
Priority date: 1994-12-27
Filing date: 1994-12-27
Publication date: 1996-07-12

Abstract

(57)【要約】【目的】レジストマスクを除去した後、所定流量比のＳ
Ｆ₆ガスおよびＯ₂ガスを含有する混合ガスを用いてプ
ラズマ処理を行うことにより、残留塩素成分を除去して
配線パターンのアフターコロージョン発生を防止するこ
とができ、配線パターンの信頼性を向上させることがで
きる半導体装置の製造方法の提供。【構成】配線層の上にレジストマスクを形成し、塩素系
ガスを用いて前記配線層を前記レジストマスクに応じて
エッチングして配線パターンを形成した後、前記レジス
トマスクを除去し、次いで、少なくともＳＦ₆ガスおよ
びＯ₂ガスを含有する混合ガスを用いて、ＳＦ₆／（Ｓ
Ｆ₆＋Ｏ₂）の比率が０．１５以上かつ０．３０以下と
なるガス流量でプラズマ処理を行うことにより、上記目
的を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、詳しくは、配線層を塩素系エッチングガスを用
いてエッチングしても、配線パターンにアフターコロー
ジョンが発生するのを防止することができる半導体装置
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】通常、半導体装置の配線材料としてはア
ルミニウム合金膜、例えばアルミニウム・シリコン合金
膜、アルミニウム・銅合金膜、アルミニウム・シリコン
・銅合金膜などが用いられる。また、半導体装置が微細
化されるに伴って、配線層はアルミニウム合金膜単層で
はなく、例えば上層から反射防止膜となるチタン・ナイ
トライド膜、配線膜となるアルミニウム合金膜、バリア
メタルとなるチタン・ナイトライド膜およびチタン膜の
ように、積層構造が用いられる。この配線層は、例えば
プラズマエッチング、反応性イオンエッチングなどによ
り、真空チャンバー内において、ＢＣｌ₃ 、ＣＣｌ₄ 、
ＳｉＣｌ₄、Ｃｌ₂などの塩素系エッチングガスを用い
てエッチングされ、配線パターンが形成される。

【０００３】一般的に、上述する配線層は、配線パター
ンのショート不良を防止するために、配線層の膜厚より
も余分にオーバーエッチングされる。このため、配線層
の下地である酸化膜までエッチングされ、これがエッチ
ングガスと反応して酸化膜生成物を発生する。また、ア
ルミニウム合金膜の配線層は塩素系エッチングガスを用
いてエッチングされるため、塩素原子が配線パターンの
側壁やレジストマスクの表面に付着したり、酸化膜生成
物、レジストマスクのエッチング残渣、エッチングガス
により発生するポリマー等のエッチング生成物の内部に
塩素成分が取り込まれて、レジストマスクの表面や配線
パターンの側壁、特に、積層配線パターンの場合には積
層膜の界面に付着したり、レジストマスクの内部にも塩
素成分が残留する。このため、ウエハーが真空チャンバ
ーから大気中に開放されると、この残留塩素成分が大気
中の水分と反応して塩酸を発生し、これが配線パターン
の材料であるアルミニウム合金膜を腐食させてしまうと
いう、いわゆるアフターコロージョンの問題点があっ
た。

【０００４】アフターコロージョンは、上述するような
残留塩素成分により引き起こされるため、従来はヒータ
加熱、リンス処理、ＣＦ₄−Ｏ₂ 、ＣＨＦ₃−Ｏ₂など
のフッ素化合物ガスおよび酸素ガスを用いるプラズマ処
理、あるいはＣＨ₃ ＯＨ（メチルアルコール）−Ｏ₂ 、
（ＣＨ₃ ）₂ＣＨＯＨ（イソプロピルアルコール）−Ｏ
₂ などのアルコールガスおよび酸素ガスを用いるプラズ
マ処理等によって残留塩素濃度の低減を行うことによ
り、アフターコロージョンの防止が試みられていた。

【０００５】しかし、ヒータ加熱、リンス処理、あるい
はＣＦ₄−Ｏ₂ 、ＣＨＦ₃−Ｏ₂などのフッ素化合物ガ
スおよび酸素ガスを用いるプラズマ処理等では、単層配
線パターンである場合には、アフターコロージョンが発
生しない程度にまで残留塩素成分の濃度を低減すること
ができるが、例えばチタン・ナイトライド、チタン・タ
ングステン等の反射防止膜やバリアメタルを有する積層
配線パターンである場合には、配線パターンの側壁やレ
ジストマスクの表面に付着する塩素原子をある程度除去
することはできるが、積層配線パターン側壁、特に、積
層膜の界面に付着するエッチング生成物や、レジストマ
スクの内部に残留する塩素成分までは除去することがで
きず、即ち、アフターコロージョンが発生しない程度に
まで残留塩素濃度を低減することができず、積層配線パ
ターンは単層配線パターンと比較して電池効果が増大す
るため、アフターコロージョンが発生してしまうという
問題点があった。

【０００６】また、配線パターンの側壁に付着するエッ
チング生成物の内部の残留塩素成分や、レジストマスク
の内部の残留塩素成分等の除去効果が大きいＣＨ₃ ＯＨ
−Ｏ ₂ 、（ＣＨ₃ ）₂ＣＨＯＨ−Ｏ₂ などのアルコール
ガスおよび酸素ガスを用いるプラズマ処理においても、
例えば配線パターンの間隔が狭くなり、かつそのアスペ
クト比が増大してくると、その除去効果が急速に低下す
るという問題点があった。また、この防食処理は、Ｏ₂
ガスを主体とするレジストマスクの除去工程（アッシン
グ）と同時に行われるが、防食効果を高めるためにアル
コールガスの添加量を増加するとアッシングレートが低
下し、スループットが悪化するという問題があり、これ
とは逆に、アッシングレートを高めるためにアルコール
ガスの添加量を低減すると防食効果が低下するという相
反する問題点を有していた。

【０００７】上述する問題点を解決する方法として、特
開平２−１６２７３０号公報に開示された半導体装置の
製造方法や、特開平４−３７１２８号公報に開示された
Ａｌエッチング方法等がある。

【０００８】特開平２−１６２７３０号公報に開示され
た半導体装置の製造方法は、ＣＣｌ ₄ 等の塩素系ガスを
用いる反応性イオンエッチングにより、アルミニウム合
金膜をエッチングした後、ＳＦ₆ガスあるいはＮＦ₃ガ
スを用いて、流量５０sccm、圧力１０Paの条件でプラズ
マ放電処理を行うことにより、即ち、アルミニウム合金
膜をフッ素ラジカル濃度の多いガスのプラズマ放電で処
理することにより、アルミニウム合金膜の側壁に付着し
ていた塩素原子をフッ素原子に置換した後、Ｏ ₂ガスを
用いてレジストマスクおよびアルミニウム合金膜の側壁
に付着したフッ素原子を除去するというものである。

【０００９】しかしながら、上述する半導体装置の製造
方法では、以下に示す理由により充分な防食効果を得る
ことは困難である。まず、第１の理由として、既に述べ
たように、残留塩素成分は配線パターンの側壁およびレ
ジストマスクの表面だけに存在するのではなく、レジス
トマスクの内部、配線パターンの側壁に付着するエッチ
ング生成物の内部、積層配線パターンの積層膜の界面等
にも存在する。この半導体装置の製造方法においては、
この点が全く考慮されておらず、配線パターンの側壁や
レジストマスクの表面に存在する塩素原子だけをフッ素
原子で置換しても防食効果は殆ど発揮されないという問
題点がある。

【００１０】また、第２の理由として、アルミニウム合
金膜を塩素系ガスを用いてエッチングした後、ＳＦ₆ガ
ス単体でプラズマ放電処理を行うと、フッ素成分により
下地酸化膜がエッチングされて硫黄酸化物が形成され、
例えば硫黄酸化物であるＳ₂Ｏ₃は、その分解温度が７
０〜９５℃と高いため、常温ではウエハーの表面に残留
してしまう。このため、ウエハーが真空チャンバーから
大気中に開放されると、この硫黄成分が大気中の水分と
反応して硫酸を発生し、これが配線パターンの材料であ
るアルミニウム合金膜を腐食してまうという問題点もあ
る。これを防止するためには、例えばＳＦ₆ガスに対し
てＯ₂ガスを過剰に供給し、硫黄（Ｓ）を硫黄酸化物で
あるＳＯ₂ガス（沸点−１０℃）の形で酸化して除去す
る必要があるが、フッ素ラジカル濃度が減少するため、
防食効果も低減されてしまうという問題点がある。

【００１１】さらに、第３の理由として、フッ素ラジカ
ル濃度の多いガスを用いるプラズマ放電処理が、レジス
トマスクが形成された状態で行われるため、レジストマ
スクのフッ化が進行し、例えばＯ₂プラズマ放電処理や
有機洗浄を行っても、レジストマスクが除去するこがで
きないまでに変質されてしまう。このことは、後工程で
ある上層膜の成膜工程や、さらに上層に配線パターンが
形成される場合には、電流の層間リークや線間リークを
引き起こしてしまうという問題点もある。このため、フ
ッ素ラジカル濃度を最適化する必要がある。

【００１２】次に、特開平４−３７１２８号公報に開示
されたＡｌエッチング方法は、アルミニウム合金膜をＢ
Ｃｌ₃＋Ｃｌ₂＝４０＋１０sccm、真空度＝１００mTor
r 、ＲＦパワー＝２００Ｗの条件で、真空チャンバー内
で発生させた塩素系プラズマでエッチングした後、Ｏ₂
＋ＳＦ₆＝５０＋６sccm、真空度＝３００mTorr 、ＲＦ
パワー＝１５０Ｗの条件で、真空チャンバー内に発生さ
せたプラズマでレジストマスクを除去することにより、
レジストマスク表面およびアルミニウム合金膜のエッチ
ング側壁に付着している塩素を含むポリマーを除去する
とともに、下地酸化膜をエッチングすること無しに高速
でレジストマスクを除去するというものである。

【００１３】しかしながら、上述するＡｌエッチング方
法では、以下に示す理由により充分な防食効果を得るこ
とは困難である。まず、第１の理由として、このＡｌエ
ッチング方法においては、温度の限定がされていないた
め詳細は不明であるが、Ｏ₂ガスおよびＳＦ₆ガスを用
いてアッシングを行うと、下地酸化膜がフッ素成分によ
りエッチングされ、必要以上に除去されてしまう。例え
ば、ウエハーステージを常温程度に冷却してアッシング
を行えば、これを多少抑制することはできるが、酸化膜
生成物やポリマー等のエッチング生成物は、例えばウエ
ハーステージを２００〜２５０℃程度に加熱しなければ
除去することが困難であるため、防食効果が低減されて
しまい、これとは逆にウエハーステージを加熱してアッ
シングを行うと、さらに下地酸化膜がエッチングされて
しまうという相反する問題点がある。また、下地酸化膜
のエッチングを抑制するために、例えばＳＦ₆ガス流量
を減少させ、Ｏ₂ガスを増加させることが考えられる
が、フッ素ラジカル濃度が減少するため、防食効果も低
減されてしまうという問題点がある。

【００１４】また、第２の理由として、Ｏ₂ガスおよび
ＳＦ₆ガスを用いてアッシングを行うと、積層配線パタ
ーンである場合、積層配線パターンの最上層である反射
防止膜もエッチングされて除去されてしまうという問題
点がある。配線パターンの表面は平坦面ではなくて部分
的に段差を有しているため、レジストマスクは、段差上
では薄く形成され、段差下では厚く形成される。このた
め、段差上のレジストマスクの方が速くエッチング除去
され、反射防止膜の表面が露出されても、段差下のレジ
ストマスクは厚いため、段差下のレジストマスク全部を
除去するためには、さらにレジストマスクをエッチング
除去しなければならない。ところが、チタン・ナイトラ
イド膜やチタン・タングステン膜などの反射防止膜は、
フッ素成分によりエッチングされるため、積層配線パタ
ーンでは反射防止膜が部分的にエッチング除去されてし
まう。例えば、ＳＦ₆ガス流量を減少させ、Ｏ₂ガスを
増加させることにより、これを防止することはできる
が、フッ素ラジカル濃度が減少するため、防食効果も低
減されてしまう。

【００１５】さらに、第３の理由として、このＡｌエッ
チング方法において、例えばＯ₂ガスとＳＦ₆ガスとの
混合比率を１対１にしてアッシングを行うと、アルミニ
ウム合金膜を逆に腐食してしまう場合があるという問題
点がある。既に述べたように、フッ素成分により下地酸
化膜がエッチングされて硫黄酸化物が形成され、この硫
黄成分が大気中の水分と反応して硫酸を発生し、これが
配線パターンの材料であるアルミニウム合金膜を腐食し
てしまうため、上述する特開平２−１６２７３０号公報
に開示された半導体装置の製造方法と全く同じ問題点が
存在する。従って、Ｏ₂ガスとＳＦ₆ガスとの混合比率
は、あらゆる混合比率において充分な防食効果を発揮す
るわけではなく、その適切な範囲が限定されなければ、
充分な効果を発揮することはできない。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
従来技術に基づく種々の問題点をかえりみて、レジスト
マスクを除去した後、所定流量比のＳＦ₆ガスおよびＯ
₂ガスを含有する混合ガスを用いてプラズマ処理を行う
ことにより、残留塩素成分を除去して配線パターンのア
フターコロージョン発生を防止することができ、配線パ
ターンの信頼性を向上させることができる半導体装置の
製造方法を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、配線層の上にレジストマスクを形成し、
塩素系ガスを用いて前記配線層を前記レジストマスクに
応じてエッチングして配線パターンを形成した後、前記
レジストマスクを除去し、次いで、少なくともＳＦ₆ガ
スおよびＯ₂ガスを含有する混合ガスを用いて、ＳＦ₆
／（ＳＦ₆＋Ｏ ₂）の比率が０．１５以上かつ０．３０
以下となるガス流量でプラズマ処理を行うことを特徴と
する半導体装置の製造方法を提供するものである。

【００１８】ここで、前記プラズマ処理は、前記レジス
トマスクの除去後、かつ前記配線パターンの上に上層膜
を形成する前に行われるのが好ましい。

【００１９】

【発明の作用】本発明の半導体装置の製造方法は、塩素
系エッチングガスを用いて、配線層をエッチングして配
線パターンを形成した後、配線層のエッチングに用いら
れたレジストマスクを除去し、その後、所定流量比のＳ
Ｆ₆（六フッ化硫黄）ガスおよびＯ₂（酸素）ガスを含
有する混合ガスを用いてプラズマ処理を行うことによ
り、残留塩素成分の濃度を極めて低濃度に低減させ、配
線パターンのアフターコロージョン発生を防止するもの
である。本発明の半導体装置の製造方法によれば、レジ
ストマスクの除去（アッシング）と、配線パターンの防
食処理とが独立して行われるため、アッシングと防食処
理とをそれぞれ最適な条件で、短い処理時間で行うこと
ができる。即ち、アッシングにおいては、アッシングレ
ートを向上させることができることは勿論、下地酸化膜
や積層配線パターンの反射防止膜がエッチングされて除
去されるということが無く、レジストマスクがフッ化さ
れて変質するということも無い。また、防食処理におい
ては、ＳＦ₆ガスおよびＯ₂ガスの流量比を適宜選択す
ることにより、配線パターン側壁に付着する塩素成分だ
けでなく、配線パターン側壁に付着する酸化膜生成物、
レジストマスク残渣、ポリマーなどのエッチング生成物
が分解除去され、配線パターンの表面がフッ化されるた
め、残留塩素成分を極めて低濃度に低減することがで
き、配線パターンのアフターコロージョンを防止するこ
とができるとともに、硫黄成分が大気中の水分と反応し
て硫酸を発生し、これが配線パターンを腐食してしまう
ということも無い。従って、本発明の半導体装置の製造
方法によれば、配線パターンのアフターコロージョンを
防止することができるため、配線パターンが細くなって
配線抵抗が増大したり、配線パターンが断線するという
ことが無く、半導体装置の信頼性を向上させることがで
きる。

【００２０】

【実施例】以下に、添付の図面に示す好適実施例に基づ
いて、本発明の半導体装置の製造方法を詳細に説明す
る。

【００２１】図１は、本発明の半導体装置の製造方法を
説明する一実施例の断面工程図である。まず、図１
（ａ）に示すように、ウエハー１０の表面全面に層間絶
縁膜１２を形成し、この層間絶縁膜１２の表面全面に配
線層を堆積する。続いて、この配線層の表面全面にフォ
トレジストを塗布し、配線パターンのフォトマスクを用
いて、このフォトレジストを露光、現像してレジストマ
スク１４を形成する。続いて、塩素系エッチングガスを
用いて、このレジストマスク１４に応じて配線層をエッ
チングして配線パターン１６を形成する。

【００２２】なお、上述する配線層は、例えばアルミニ
ウム・シリコン合金膜、アルミニウム・銅合金膜、アル
ミニウム・シリコン・銅合金膜等のアルミニウム合金
膜、チタン・ナイトライド、チタン・タングステン等の
高融点金属化合物など、例えばＢＣｌ₃ 、ＣＣｌ₄ 、Ｓ
ｉＣｌ₄、Ｃｌ₂、ＨＣｌなどの塩素系エッチングガス
を用いてエッチングされるものであれば、どのような配
線材料を用いても良い。また、配線層は単層膜であって
も良いし、例えば下層からバリアメタル、配線膜、反射
防止膜を備える積層構造に形成されていても良いことは
言うまでもない。また、配線層のエッチングは、例えば
プラズマエッチング、反応性イオンエッチングなど、ど
のようなエッチング方法によりエッチングしても良い。

【００２３】従来技術において既に述べたように、配線
層を塩素系エッチングガスを用いてエッチングすると、
レジストマスク１４の表面や配線パターン１６の側壁に
塩素原子が付着するだけで無く、酸化膜生成物、レジス
トマスクのエッチング残渣、エッチングガスにより発生
するポリマー等のエッチング生成物の内部に塩素成分１
８が取り込まれて、レジストマスク１４の表面に付着し
たり、配線パターン１６の側壁、特に、積層配線パター
ン１６の場合には積層膜の界面に付着するとともに、レ
ジストマスク１４の内部にも残留塩素成分１８が取り込
まれてしまう。

【００２４】次に、図１（ｂ）に示すように、例えばＯ
₂ガスを用いて、温度２００℃以上の高温でレジストマ
スク１４を除去する。本発明の半導体装置の製造方法に
よれば、アッシング処理と防食処理とが独立して行われ
るため、アッシング処理および防食処理を最適な条件
で、短い処理時間で行うことができる。即ち、配線パタ
ーン１６の下地である層間絶縁膜１２を必要以上にエッ
チングして除去すること無く、積層配線パターン１６で
あっても最上層の反射防止膜をエッチング除去すること
無く、アッシングレートを向上することができる条件で
レジストマスク１４を除去することができる。また、防
食処理を行う前にレジストマスク１４を除去してしまう
ため、防食処理によりレジストマスク１４が変質し、除
去することが困難になる等の問題点も無い。

【００２５】最後に、図１（ｃ）に示すように、ＳＦ₆
ガスおよびＯ₂ガスを含有する混合ガス２０を用いて、
ＳＦ₆／（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比率が０．１５以上かつ
０．３０以下となるガス流量でプラズマ処理（防食処
理）を行い、図１（ｄ）に示すように、残留塩素成分１
８が除去された半導体装置を形成する。このため、レジ
ストマスク１４の表面や配線パターン１６の側壁に付着
する塩素原子１８だけでなく、配線パターン側壁に付着
する酸化膜生成物、レジストマスク残渣、ポリマーなど
のエッチング生成物が分解除去され、配線パターン１６
の表面がフッ化されるため、残留塩素成分１８を極めて
低濃度に低減することができ、配線パターン１６のアフ
ターコロージョンを防止することができる。これに加
え、ＳＦ₆ガスおよびＯ₂ガスの流量比が上述する範囲
以内であれば、硫黄成分が大気中の水分と反応して硫酸
を発生し、これが配線パターン１６を腐食してしまうと
いうことも無い。従って、本発明においては、ＳＦ₆／
（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比を０．１５〜０．３０に限定して
いる。

【００２６】なお、上述する配線パターン１６側壁に付
着する酸化膜生成物、レジストマスク残渣、ポリマーな
どのエッチング生成物を除去するために、プラズマ処理
を２００℃以上の高温で行うのが好ましい。また、この
プラズマ処理は、アッシング処理を行った後、配線パタ
ーン１６の上に上層膜、例えば層間絶縁膜やパッシベー
ション膜などの上層膜を形成する前であれば、例えばア
ッシング処理を行い、有機洗浄、リンス処理、純水洗浄
などの処理の途中でプラズマ処理を行っても良い。ま
た、混合ガス２０は、少なくともＳＦ₆ガスおよびＯ₂
ガスがＳＦ₆／（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比率が０．１５以上
かつ０．３０以下の比率で含有されていれば良く、これ
以外にも任意の反応ガスが含有されていても良い。さら
に、上述するエッチング処理、アッシング処理およびプ
ラズマ処理は、同一のチャンバー内で行われても良い
し、それぞれ異なるチャンバー内で行われても良いこと
は言うまでもない。

【００２７】（実施例１）下層からバリアメタルとなる
チタン膜（Ｔｉ）およびチタン・ナイトライド膜（Ｔｉ
Ｎ）、配線膜となるアルミニウム・銅合金膜（Ａｌ−Ｃ
ｕ）、反射防止膜となるチタン・ナイトライド膜の順番
に堆積された積層配線層を形成した後、この積層配線層
の表面全面にフォトレジストを塗布し、配線パターンの
フォトマスクを用いて、このフォトレジストをパターニ
ングしてレジストマスクを形成し、ＢＣｌ₃ガスおよび
Ｃｌ₂ガスを用いて、このレジストマスクに応じて積層
配線層をエッチングして配線パターンを形成した。続い
て、真空搬送装置により接続されているインラインアッ
シャーを用いて、Ｏ₂ガス流量２００sccm、圧力１．２
Torr、マイクロ波パワー１２００Ｗ、ウエハーステージ
温度２５０℃の条件で、９０秒間アッシング処理を行
い、レジストマスクを除去した。最後に、同一チャンバ
ー内において、ＳＦ₆ガス：Ｏ₂ガス流量２０：８０sc
cm、圧力８mTorr 、マイクロ波パワー１２００Ｗ、ウエ
ハーステージ温度２５０℃の条件で、２０秒間プラズマ
処理を行った。

【００２８】（比較例１）一方、従来比較例として、同
じ積層構造を有する積層配線層を同一条件でエッチング
して配線パターンを形成した後、インラインアッシャー
によりＯ₂ガス：ＣＦ₄ガス流量２０：２００sccm、圧
力０．８Torr、マイクロ波パワー１２００Ｗ、ウエハー
ステージ温度２５℃の条件で、防食処理を兼ねるアッシ
ング処理を行った。

【００２９】上述する本実施例１により形成されたウエ
ハーおよび従来比較例１により形成されたウエハーを、
有機洗浄前に４８時間クリーンルーム内に放置し、コロ
ージョンの発生個数を比較した結果、本実施例１により
形成されたウエハーのコロージョン発生個数は、従来比
較例１により形成されたウエハーのコロージョン発生個
数の１／１００以下にまで低減されていた。

【００３０】（実施例２）上述した実施例１および比較
例１において、それぞれのガス流量比、即ち、実施例１
においてはＳＦ₆ガス：Ｏ₂ガス流量比、比較例１にお
いてはＣＦ₄ガス：Ｏ₂ガス流量比だけを順次変更し、
これ以外の条件は全く同一にして実施例１および比較例
１の条件によるウエハーを形成して、それぞれのガス流
量比と腐食発生密度との関係を調査した。

【００３１】図２のグラフに示したように、実施例１の
条件により形成されたウエハーの方が、比較例１の条件
により形成されたウエハーよりも、全体的に腐食発生密
度が低いことは勿論、実施例１の条件によるウエハー
は、ＳＦ₆／（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比率が０．１５以上か
つ０．３０以下の範囲において、最も腐食発生密度が低
くなり、比較例１と比べて１／２０〜１／１２５にまで
腐食の発生を抑制することができた。

【００３２】

【発明の効果】以上詳細に説明した様に、本発明の半導
体装置の製造方法は、塩素系エッチングガスを用いてエ
ッチングされた配線パターンに適用され、エッチングに
用いられたレジストマスクを除去した後、所定流量のＳ
Ｆ₆ガスおよびＯ₂ガスを用いて、プラズマ処理を行う
ものである。従って、本発明の半導体装置の製造方法に
よれば、アッシング処理と防食処理とを独立して行うた
め、アッシング処理および防食処理を最適条件で行うこ
とができる。即ち、アッシングレートを向上させること
ができるとともに、防食効果を向上させて、配線パター
ンの側壁に付着するエッチング生成物が分解除去され、
配線パターンの表面がフッ化されて、残留塩素成分を極
めて低濃度にすることができるため、配線パターンのア
フターコロージョンを防止することができ、配線パター
ンの信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の半導体装置の製造
方法を説明する一実施例の断面工程図である。

【図２】本発明の半導体装置の製造方法によるエッチャ
ント濃度と腐食発生密度との関係を示す一実施例のグラ
フである。

【符号の説明】

１０ウエハー１２層間絶縁膜１４レジストマスク１６配線パターン１８残留塩素成分２０混合ガス

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｇ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線層の上にレジストマスクを形成し、塩
素系ガスを用いて前記配線層を前記レジストマスクに応
じてエッチングして配線パターンを形成した後、前記レ
ジストマスクを除去し、次いで、少なくともＳＦ₆ガス
およびＯ₂ガスを含有する混合ガスを用いて、ＳＦ₆／
（ＳＦ₆＋Ｏ₂）の比率が０．１５以上かつ０．３０以
下となるガス流量でプラズマ処理を行うことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記プラズマ処理は、前記レジストマスク
の除去後、かつ前記配線パターンの上に上層膜を形成す
る前に行われる請求項１に記載の半導体装置の製造方
法。