JPH08181378A - 半導体レーザ素子 - Google Patents
半導体レーザ素子Info
- Publication number
- JPH08181378A JPH08181378A JP31795494A JP31795494A JPH08181378A JP H08181378 A JPH08181378 A JP H08181378A JP 31795494 A JP31795494 A JP 31795494A JP 31795494 A JP31795494 A JP 31795494A JP H08181378 A JPH08181378 A JP H08181378A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】短波長半導体レーザにおける特性を改善する。
【構成】直接遷移Γ点エネルギが間接遷移Ｘ点エネルギ
に接近した材料により発光活性層が形成される短波長半
導体レーザで、ｎ型不純物ドープによって５×１０18／
cm3 以上の電子濃度を設定し、発光活性層の伝導帯の電
子密度を過剰にするバンドフィリング効果を容易に引き
起こさせる。このとき、発光活性層を多重量子井戸構造
とし、不純物散乱の影響を受けないように、量子障壁層
にｎ型不純物を変調ドープする。 【効果】ｎ型不純物をドーピングしない従来素子に比べ
て、閾値電流を２／３に、内部量子効率を２倍以上に改
善させた高効率のレーザ素子を得た。
に接近した材料により発光活性層が形成される短波長半
導体レーザで、ｎ型不純物ドープによって５×１０18／
cm3 以上の電子濃度を設定し、発光活性層の伝導帯の電
子密度を過剰にするバンドフィリング効果を容易に引き
起こさせる。このとき、発光活性層を多重量子井戸構造
とし、不純物散乱の影響を受けないように、量子障壁層
にｎ型不純物を変調ドープする。 【効果】ｎ型不純物をドーピングしない従来素子に比べ
て、閾値電流を２／３に、内部量子効率を２倍以上に改
善させた高効率のレーザ素子を得た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光情報処理或いは光応
用計測用に適した光源となる半導体レーザ素子に関す
る。
用計測用に適した光源となる半導体レーザ素子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術では、GaInP／AlGaInP可視発
光材料を用いてダブルヘテロ構造を作製することによ
り、赤色発光ダイオードの発光効率をホモ接合の場合に
比べて約十倍に高めたことについて、例えば、公知例
１）エレクトロニクス・レタース１９９３年，２９巻，
１３４６頁（Electron. Lett.,２９，１３４６−１３４
７（１９９３)．)に述べられている。
光材料を用いてダブルヘテロ構造を作製することによ
り、赤色発光ダイオードの発光効率をホモ接合の場合に
比べて約十倍に高めたことについて、例えば、公知例
１）エレクトロニクス・レタース１９９３年，２９巻，
１３４６頁（Electron. Lett.,２９，１３４６−１３４
７（１９９３)．)に述べられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、短波長
半導体レーザの量子効率を向上させるための構造的な手
段について述べていない。また発光活性層に対するキャ
リア注入の効率を向上させる方法について詳細を述べて
いない。
半導体レーザの量子効率を向上させるための構造的な手
段について述べていない。また発光活性層に対するキャ
リア注入の効率を向上させる方法について詳細を述べて
いない。
【０００４】本発明の目的は、直接遷移のバンド構造が
間接遷移のバンド構造に接近している場合にも、直接遷
移のバンド構造に蓄積するキャリア密度を向上させる手
段を用いて、発光活性層に対するキャリア注入の効率を
向上させ、低閾値でかつ高効率のレーザ動作を達成する
ことにある。
間接遷移のバンド構造に接近している場合にも、直接遷
移のバンド構造に蓄積するキャリア密度を向上させる手
段を用いて、発光活性層に対するキャリア注入の効率を
向上させ、低閾値でかつ高効率のレーザ動作を達成する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の主な目的は、直
接遷移Γ点エネルギが間接遷移Ｘ点エネルギに接近した
材料により半導体レーザの発光活性層が形成されるとき
に、これまでよりも低閾値でかつ高効率で動作する素子
を得るための手段を講じることである。この手段では、
発光活性層で伝導帯の電子密度を過剰にするバンドフィ
リング効果を容易に引き起こさせるために、ｎ型不純物
ドープによって５×１０18／cm3 以上の電子濃度を設定
する。このとき、発光活性層を多重量子井戸構造とし、
不純物散乱の影響を受けないように、量子障壁層に変調
ドープする。また、光導波層から発光活性層に電子を供
給するために、まず間接遷移型の光導波層を超格子構造
としてゾーンフォルディング効果によって直接遷移型の
バンド構造を形成させ、さらに超格子障壁層にｎ型不純
物を変調ドープする。超格子導波層に発生した電子は、
トンネル効果により発光活性層へ注入させる。
接遷移Γ点エネルギが間接遷移Ｘ点エネルギに接近した
材料により半導体レーザの発光活性層が形成されるとき
に、これまでよりも低閾値でかつ高効率で動作する素子
を得るための手段を講じることである。この手段では、
発光活性層で伝導帯の電子密度を過剰にするバンドフィ
リング効果を容易に引き起こさせるために、ｎ型不純物
ドープによって５×１０18／cm3 以上の電子濃度を設定
する。このとき、発光活性層を多重量子井戸構造とし、
不純物散乱の影響を受けないように、量子障壁層に変調
ドープする。また、光導波層から発光活性層に電子を供
給するために、まず間接遷移型の光導波層を超格子構造
としてゾーンフォルディング効果によって直接遷移型の
バンド構造を形成させ、さらに超格子障壁層にｎ型不純
物を変調ドープする。超格子導波層に発生した電子は、
トンネル効果により発光活性層へ注入させる。
【０００６】
【作用】本発明では、直接遷移Γ点エネルギが間接遷移
Ｘ点エネルギに接近した材料の伝導帯バンド構造で、バ
ンドフィリング効果を十分生じる５×１０18／cm3 以上
のキャリア濃度を発生させるにより、電子過剰の状態を
作り出す。このように、発光活性層と光導波層でｎ型不
純物をドープすることにより、間接遷移Ｘバンド構造に
分布する電子密度を極端に増大させると、直接遷移Γバ
ンド構造から間接遷移Ｘバンド構造へ移行する電子を抑
制させることができる。その結果、直接遷移Γバンド構
造に蓄積する電子密度を増大させることができ、キャリ
ア閉じ込めの効果が向上する。発光活性層では、直接遷
移の確率が増して発光効率が改善されることになる。
Ｘ点エネルギに接近した材料の伝導帯バンド構造で、バ
ンドフィリング効果を十分生じる５×１０18／cm3 以上
のキャリア濃度を発生させるにより、電子過剰の状態を
作り出す。このように、発光活性層と光導波層でｎ型不
純物をドープすることにより、間接遷移Ｘバンド構造に
分布する電子密度を極端に増大させると、直接遷移Γバ
ンド構造から間接遷移Ｘバンド構造へ移行する電子を抑
制させることができる。その結果、直接遷移Γバンド構
造に蓄積する電子密度を増大させることができ、キャリ
ア閉じ込めの効果が向上する。発光活性層では、直接遷
移の確率が増して発光効率が改善されることになる。
【０００７】
（実施例１）本発明の一実施例を図１，図２により説明
する。まず図１で、（００１）面から２５.２°傾いた
(３１１）面を有するｎ型ＧａＡｓ基板１（Ｎ＝５×１
０17〜１×１０18／cm3)を用いて、その上にＰの組成が
グレーデッドに変化したｎ型ＧａＡｓ1-xＰxバッファ層
２（ｄ＝５０〜７０μｍ，Ｎ＝５×１０17〜１×1018／
cm3，ｘ＝０〜０.４），ｎ型Ｇａ0.7Ｉｎ0.3Ｐ層３（ｄ
＝５μｍ，Ｎ＝７〜９×１０17／cm3），ｎ型（ＡｌyＧ
ａ1-y)0.7Ｉｎ0.3Ｐ 光導波層４（ｄ＝１.３μｍ，Ｎ＝
５〜７×１０17／cm3，ｙ＝０.７），膜厚５０ｎｍのア
ンドープＧａ0.7Ｉｎ0.3Ｐ活性層５，ｐ型（ＡｌyＧａ
1-y)0.7Ｉｎ0.3Ｐ 光導波層６（ｄ＝１.０μｍ，Ｎ＝３
〜５×１０17／cm3，ｙ＝０.７），ｐ型Ｇａ0.7Ｉｎ0.3
Ｐ層７（ｄ＝０.１μｍ，Ｎ＝７×１０17〜１×１０18
／cm3）をエピタキシャル成長した。
する。まず図１で、（００１）面から２５.２°傾いた
(３１１）面を有するｎ型ＧａＡｓ基板１（Ｎ＝５×１
０17〜１×１０18／cm3)を用いて、その上にＰの組成が
グレーデッドに変化したｎ型ＧａＡｓ1-xＰxバッファ層
２（ｄ＝５０〜７０μｍ，Ｎ＝５×１０17〜１×1018／
cm3，ｘ＝０〜０.４），ｎ型Ｇａ0.7Ｉｎ0.3Ｐ層３（ｄ
＝５μｍ，Ｎ＝７〜９×１０17／cm3），ｎ型（ＡｌyＧ
ａ1-y)0.7Ｉｎ0.3Ｐ 光導波層４（ｄ＝１.３μｍ，Ｎ＝
５〜７×１０17／cm3，ｙ＝０.７），膜厚５０ｎｍのア
ンドープＧａ0.7Ｉｎ0.3Ｐ活性層５，ｐ型（ＡｌyＧａ
1-y)0.7Ｉｎ0.3Ｐ 光導波層６（ｄ＝１.０μｍ，Ｎ＝３
〜５×１０17／cm3，ｙ＝０.７），ｐ型Ｇａ0.7Ｉｎ0.3
Ｐ層７（ｄ＝０.１μｍ，Ｎ＝７×１０17〜１×１０18
／cm3）をエピタキシャル成長した。
【０００８】ここで活性層５の周辺の伝導帯および価電
子帯バンド構造の概略は図２のようになり、活性層５に
はｎ型不純物をドープして１×１０19／cm3 濃度のキャ
リアを設定する。
子帯バンド構造の概略は図２のようになり、活性層５に
はｎ型不純物をドープして１×１０19／cm3 濃度のキャ
リアを設定する。
【０００９】この後、ホトリソグラフィによりＳｉＯ2
マスク（膜厚ｄ＝０.１μｍ）を形成し、ケミカルエッ
チングにより層６を活性層５から０.２μｍ 残すところ
まで層７と層６をエッチング除去してリッジストライプ
を形成する。次に、ＳｉＯ2 マスクを残したまま、ｎ型
ＧａＡｓ0.6Ｐ0.4電流狭窄層８（ｄ＝１μｍ，Ｎ＝１×
１０18／cm3）を選択成長する。ＳｉＯ2 マスクを除去
した後、ｐ型GaAs0.6P0.4コンタクト層９（ｄ＝２〜３
μｍ，ＮA＝５×１０18〜１×１０19／cm3）を埋め込み
成長する。その後、ｐ電極１０及びｎ電極１１を蒸着す
る。さらに、劈開してバー状の素子に切り出し、図１の
断面を有する素子を得る。
マスク（膜厚ｄ＝０.１μｍ）を形成し、ケミカルエッ
チングにより層６を活性層５から０.２μｍ 残すところ
まで層７と層６をエッチング除去してリッジストライプ
を形成する。次に、ＳｉＯ2 マスクを残したまま、ｎ型
ＧａＡｓ0.6Ｐ0.4電流狭窄層８（ｄ＝１μｍ，Ｎ＝１×
１０18／cm3）を選択成長する。ＳｉＯ2 マスクを除去
した後、ｐ型GaAs0.6P0.4コンタクト層９（ｄ＝２〜３
μｍ，ＮA＝５×１０18〜１×１０19／cm3）を埋め込み
成長する。その後、ｐ電極１０及びｎ電極１１を蒸着す
る。さらに、劈開してバー状の素子に切り出し、図１の
断面を有する素子を得る。
【００１０】本実施例における素子では、波長範囲５７
０〜５９０ｎｍで、閾値電流は７０〜９０ｍＡであり、
内部量子効率３０〜５０％のレーザ発振が可能であっ
た。これらは、ｎ型不純物をドーピングしない素子に比
べて、閾値電流は２／３に低減できており、内部量子効
率は２倍以上の値である。
０〜５９０ｎｍで、閾値電流は７０〜９０ｍＡであり、
内部量子効率３０〜５０％のレーザ発振が可能であっ
た。これらは、ｎ型不純物をドーピングしない素子に比
べて、閾値電流は２／３に低減できており、内部量子効
率は２倍以上の値である。
【００１１】（実施例２）本発明の他の実施例を図３，
図４により説明する。まず図３で、実施例１と同様に素
子を作製し、発光活性層は膜厚８ｎｍのアンドープＧａ
0.65Ｉｎ0.35Ｐ歪量子井戸層３層と，膜厚８ｎｍのアン
ドープ（ＡｌyＧａ1-y)0.7Ｉｎ0.3Ｐ(ｙ＝０.５ ）量子
障壁層２層、および両側に設けた膜厚３０ｎｍのアンド
ープ（ＡｌyＧａ1-y)0.7Ｉｎ0.3Ｐ（ｙ＝０.５）光分離
閉じ込め層から構成される歪多重量子井戸構造１２とす
る。
図４により説明する。まず図３で、実施例１と同様に素
子を作製し、発光活性層は膜厚８ｎｍのアンドープＧａ
0.65Ｉｎ0.35Ｐ歪量子井戸層３層と，膜厚８ｎｍのアン
ドープ（ＡｌyＧａ1-y)0.7Ｉｎ0.3Ｐ(ｙ＝０.５ ）量子
障壁層２層、および両側に設けた膜厚３０ｎｍのアンド
ープ（ＡｌyＧａ1-y)0.7Ｉｎ0.3Ｐ（ｙ＝０.５）光分離
閉じ込め層から構成される歪多重量子井戸構造１２とす
る。
【００１２】このとき多重量子井戸層周辺の伝導帯およ
び価電子帯バンド構造の概略は図４のようになる。
び価電子帯バンド構造の概略は図４のようになる。
【００１３】ｎ型不純物を変調ドープする量子障壁層と
光分離閉じ込め層には、１×１０19／cm 3濃度のキャリ
アを設定する。その他、実施例１と全く同様に素子を作
製する。
光分離閉じ込め層には、１×１０19／cm 3濃度のキャリ
アを設定する。その他、実施例１と全く同様に素子を作
製する。
【００１４】本実施例の素子では、波長範囲５７０〜５
９０ｎｍで、閾値電流は５０〜７０ｍＡであり、内部量
子効率５０〜７０％のレーザ発振が可能であった。これ
らは実施例１よりも改善できており、ｎ型不純物をドー
ピングしない素子に比べて、閾値電流は２／３に低減で
きており、内部量子効率は２倍以上の値を得た。
９０ｎｍで、閾値電流は５０〜７０ｍＡであり、内部量
子効率５０〜７０％のレーザ発振が可能であった。これ
らは実施例１よりも改善できており、ｎ型不純物をドー
ピングしない素子に比べて、閾値電流は２／３に低減で
きており、内部量子効率は２倍以上の値を得た。
【００１５】（実施例３）本発明の他の実施例を図５，
図６により説明する。まず図５で、実施例２と同様に素
子を作製し、発光活性層は同様の歪多重量子井戸構造と
するが、量子障壁層と光閉じ込め層の一部を３原子層か
ら成るアンドープＧａ0.7Ｉｎ0.3Ｐ超格子井戸層とｎ型
変調ドープした４原子層から成る（ＡｌyＧａ1-y)0.7Ｉ
ｎ0.3Ｐ （ｙ＝０.５)超格子障壁層により形成した超格
子構造の層１３および層１４とする。
図６により説明する。まず図５で、実施例２と同様に素
子を作製し、発光活性層は同様の歪多重量子井戸構造と
するが、量子障壁層と光閉じ込め層の一部を３原子層か
ら成るアンドープＧａ0.7Ｉｎ0.3Ｐ超格子井戸層とｎ型
変調ドープした４原子層から成る（ＡｌyＧａ1-y)0.7Ｉ
ｎ0.3Ｐ （ｙ＝０.５)超格子障壁層により形成した超格
子構造の層１３および層１４とする。
【００１６】このとき多重量子井戸層周辺の伝導帯およ
び価電子帯バンド構造の概略は図６のようになる。
び価電子帯バンド構造の概略は図６のようになる。
【００１７】ｎ型不純物を変調ドープする超格子障壁層
には、１×１０19／cm3 濃度のキャリアを設定する。そ
の他、実施例２と全く同様に素子を作製する。
には、１×１０19／cm3 濃度のキャリアを設定する。そ
の他、実施例２と全く同様に素子を作製する。
【００１８】本実施例における素子では、波長範囲５７
０〜５９０ｎｍで、閾値電流は３０〜５０ｍＡであり、
内部量子効率６０〜８０％のレーザ発振が可能であっ
た。これらは実施例１および２よりも改善できており、
ｎ型不純物をドーピングしない素子に比べて、閾値電流
は２／３に低減できており、内部量子効率は２倍以上の
値を得た。
０〜５９０ｎｍで、閾値電流は３０〜５０ｍＡであり、
内部量子効率６０〜８０％のレーザ発振が可能であっ
た。これらは実施例１および２よりも改善できており、
ｎ型不純物をドーピングしない素子に比べて、閾値電流
は２／３に低減できており、内部量子効率は２倍以上の
値を得た。
【００１９】
【発明の効果】本発明により、短波長半導体レーザで、
直接遷移のバンド構造が間接遷移のバンド構造に接近し
ている場合でも、直接遷移のバンド構造に蓄積されるキ
ャリア密度を向上させることにより、キャリア注入効率
を改善して発光効率を向上させることができた。これ
は、間接遷移を示すＸバンド構造にバンドフィリング効
果を引き起こさせて十分キャリアを充満させることによ
り、直接遷移Γバンド構造から間接遷移Ｘバンド構造へ
移行するキャリアを抑制した効果を発現させた。本発明
では、従来よりも低閾値で高効率のレーザ素子を得るこ
とができ、ｎ型不純物をドーピングしない素子に比べ
て、閾値電流を２／３に低減し、内部量子効率を２倍以
上の値に改善した。例えば、GaInP／AlGaInP材料系で、
発振波長５７０〜５９０ｎｍでレーザ発振し、閾値電流
は３０〜５０ｍＡであり、内部量子効率は６０〜８０％
を得ることが可能であった。
直接遷移のバンド構造が間接遷移のバンド構造に接近し
ている場合でも、直接遷移のバンド構造に蓄積されるキ
ャリア密度を向上させることにより、キャリア注入効率
を改善して発光効率を向上させることができた。これ
は、間接遷移を示すＸバンド構造にバンドフィリング効
果を引き起こさせて十分キャリアを充満させることによ
り、直接遷移Γバンド構造から間接遷移Ｘバンド構造へ
移行するキャリアを抑制した効果を発現させた。本発明
では、従来よりも低閾値で高効率のレーザ素子を得るこ
とができ、ｎ型不純物をドーピングしない素子に比べ
て、閾値電流を２／３に低減し、内部量子効率を２倍以
上の値に改善した。例えば、GaInP／AlGaInP材料系で、
発振波長５７０〜５９０ｎｍでレーザ発振し、閾値電流
は３０〜５０ｍＡであり、内部量子効率は６０〜８０％
を得ることが可能であった。
【図１】本発明の一実施例を示す素子の断面図。
【図２】本発明の一実施例における活性層内の伝導帯お
よび価電子帯バンド構造とｎ型不純物ドープを示す説明
図。
よび価電子帯バンド構造とｎ型不純物ドープを示す説明
図。
【図３】本発明の他の実施例を示す素子の断面図。
【図４】本発明の他の実施例における多重量子井戸活性
層内の伝導帯および価電子帯バンド構造と量子障壁層へ
のｎ型変調ドープを示す説明図。
層内の伝導帯および価電子帯バンド構造と量子障壁層へ
のｎ型変調ドープを示す説明図。
【図５】本発明の他の実施例を示す素子の断面図。
【図６】本発明の他の実施例における多重量子井戸活性
層内の伝導帯および価電子帯バンド構造と超格子量子障
壁層へのｎ型変調ドープを示す説明図。
層内の伝導帯および価電子帯バンド構造と超格子量子障
壁層へのｎ型変調ドープを示す説明図。
１…ｎ型ＧａＡｓ基板、２…ｎ型ＧａＡｓＰバッファ
層、３…ｎ型ＧａＩｎＰ層、４…ｎ型AlGaInP光導波
層、６…ｐ型AlGaInP光導波層、７…ｐ型ＧａＩｎＰ
層、８…ｐ型ＧａＡｓＰ光吸収電流狭窄層、９…ｐ型Ｇ
ａＡｓＰコンタクト層、１０…ｐ電極、１１…ｎ電極、
１３…超格子光導波層、１４…超格子量子障壁層。
層、３…ｎ型ＧａＩｎＰ層、４…ｎ型AlGaInP光導波
層、６…ｐ型AlGaInP光導波層、７…ｐ型ＧａＩｎＰ
層、８…ｐ型ＧａＡｓＰ光吸収電流狭窄層、９…ｐ型Ｇ
ａＡｓＰコンタクト層、１０…ｐ電極、１１…ｎ電極、
１３…超格子光導波層、１４…超格子量子障壁層。
Claims (7)
- 【請求項１】半導体発光活性層において、間接遷移を示
すＸバンド構造に十分キャリアを充満させてバンドフィ
リング（Band Filling）効果を引き起こし、直接遷移Γ
バンド構造から前記間接遷移Ｘバンド構造へ移行するキ
ャリアを抑制することにより、前記直接遷移Γバンド構
造にキャリアが閉じ込められるバンド構造を形成し、前
記バンド構造の前記直接遷移Γバンド構造から発光する
遷移確率が増大してレーザ動作することを特徴とする半
導体レーザ素子。 - 【請求項２】請求項１において、前記発光活性層が、前
記直接遷移Γ点エネルギが前記間接遷移Ｘ点エネルギに
接近した材料によって形成されるときに、ｎ型不純物を
前記発光活性層へ直接ドープするか或いは前記発光活性
層にキャリアを閉じ込めるための障壁となる層にドープ
する半導体レーザ素子。 - 【請求項３】請求項１または２において、前記発光活性
層は量子井戸層と量子障壁層を周期的に設けた多重量子
井戸構造から成り、前記量子障壁層にのみｎ型不純物を
変調ドープする半導体レーザ素子。 - 【請求項４】請求項１または２において、半導体基板上
に前記発光活性層の両側に光導波層を設けてあり、前記
光導波層は原子層オーダの膜厚から成る超格子構造から
形成されており、前記超格子構造が間接遷移型の材料で
形成されていても前記間接遷移Ｘバンド構造の前記直接
遷移Γバンド構造への折り返しによるゾーンフォルディ
ング（Zone Folding）効果により直接遷移のエネルギバ
ンド構造を示し、前記超格子障壁層にのみｎ型不純物を
変調ドープする半導体レーザ素子。 - 【請求項５】請求項１または４において、前記超格子障
壁層にドープしたｎ型不純物により発生したキャリアが
トンネル効果により輸送されて、前記発光活性層に注入
され蓄積される半導体レーザ素子。 - 【請求項６】請求項１または５において、前記発光活性
層に蓄積されるレーザ発振に必要なキャリア密度より
も、前記発光活性層における量子障壁層や前記超格子構
造における超格子障壁層に変調ドープした不純物による
キャリア濃度の方が相対的に高く、活性化したキャリア
濃度はバンドフィリング効果を容易に引き起こすために
十分な５×１０18／cm3 以上に設定してある半導体レー
ザ素子。 - 【請求項７】請求項１，２，３，４，５または６におい
て、前記半導体基板は基板面方位が（００１）面から０
°〜５４.７°の範囲に傾いている半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31795494A JPH08181378A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体レーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31795494A JPH08181378A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体レーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181378A true JPH08181378A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18093863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31795494A Pending JPH08181378A (ja) | 1994-12-21 | 1994-12-21 | 半導体レーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181378A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0851547A1 (en) * | 1996-12-21 | 1998-07-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Laser devices |
| US7211822B2 (en) | 1997-01-09 | 2007-05-01 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Nitride semiconductor device |
| JP2007288218A (ja) * | 2007-07-06 | 2007-11-01 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ |
| US7365369B2 (en) | 1997-06-11 | 2008-04-29 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| US7684456B2 (en) | 1999-08-04 | 2010-03-23 | Ricoh Company, Ltd. | Laser diode and semiconductor light-emitting device producing visible-wavelength radiation |
-
1994
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