JPH0818182A - 回路基板 - Google Patents
回路基板Info
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- JPH0818182A JPH0818182A JP14962194A JP14962194A JPH0818182A JP H0818182 A JPH0818182 A JP H0818182A JP 14962194 A JP14962194 A JP 14962194A JP 14962194 A JP14962194 A JP 14962194A JP H0818182 A JPH0818182 A JP H0818182A
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- JP
- Japan
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- insulating layer
- high thermal
- circuit board
- heat
- metal
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放熱効果を向上し、電子部品を高密度に実装
することのできる回路基板を提供する。 【構成】 本発明に係る回路基板は、高熱伝導率で電気
絶縁性の無機粉末を含有してなる高熱伝導絶縁層1と、
この高熱伝導絶縁層1の表裏に積層された金属箔2、4
と、この金属箔2、4の少なくとも一方に放熱フィン3
を密着していることを特徴とする。
することのできる回路基板を提供する。 【構成】 本発明に係る回路基板は、高熱伝導率で電気
絶縁性の無機粉末を含有してなる高熱伝導絶縁層1と、
この高熱伝導絶縁層1の表裏に積層された金属箔2、4
と、この金属箔2、4の少なくとも一方に放熱フィン3
を密着していることを特徴とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子、電気機器、通信
機器、計算機器等の放熱性を要求する機器で使用するの
に適した回路基板に関するものである。
機器、計算機器等の放熱性を要求する機器で使用するの
に適した回路基板に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子機器のの分野においては、高
密度化の方向にあり、IC、MSI、LSI、パワート
ランジスタ等の高発熱部品に生じる熱をいかに放熱し、
半導体チップに熱影響を与えず、高密度に実装するかが
大きな課題となっている。
密度化の方向にあり、IC、MSI、LSI、パワート
ランジスタ等の高発熱部品に生じる熱をいかに放熱し、
半導体チップに熱影響を与えず、高密度に実装するかが
大きな課題となっている。
【0003】従来、上記の電子機器を搭載するプリント
配線板の基板材料には、紙基材フェノール樹脂積層板あ
るいはガラス基材エポキシ樹脂積層板などの有機高分子
材料や、アルミナ基板などのセラミック材料が用いられ
ているが、いずれも熱伝導率が小さく熱発散が不充分な
ため、IC、MSI、LSI、パワートランジスタ等の
高発熱部品を高密度に実装することができなかった。
配線板の基板材料には、紙基材フェノール樹脂積層板あ
るいはガラス基材エポキシ樹脂積層板などの有機高分子
材料や、アルミナ基板などのセラミック材料が用いられ
ているが、いずれも熱伝導率が小さく熱発散が不充分な
ため、IC、MSI、LSI、パワートランジスタ等の
高発熱部品を高密度に実装することができなかった。
【0004】そこで、熱伝導性の優れた金属をベースと
した高熱伝導性金属ベースプリント配線板が使用される
ようになった。
した高熱伝導性金属ベースプリント配線板が使用される
ようになった。
【0005】この高熱伝導性金属ベースプリント配線板
は、図4に示すごとく、金属ベース7と、この金属ベー
ス7の上に配した絶縁層8と、この絶縁層8の上に貼着
した銅箔9とから構成される。この高熱伝導性金属ベー
スプリント配線板は、放熱効果を向上させるため、金属
ベース7の下面には、シリコングリース10を介し、放
熱フィン3がビス11で固定されている。
は、図4に示すごとく、金属ベース7と、この金属ベー
ス7の上に配した絶縁層8と、この絶縁層8の上に貼着
した銅箔9とから構成される。この高熱伝導性金属ベー
スプリント配線板は、放熱効果を向上させるため、金属
ベース7の下面には、シリコングリース10を介し、放
熱フィン3がビス11で固定されている。
【0006】しかし、この高熱伝導性金属ベースプリン
ト配線板は、銅箔9に搭載される高発熱部品の熱を放熱
するために、金属ベース7の厚さを1.0〜3.0mm
として厚いものを使用する必要があった。このため、高
熱伝導性金属ベースプリント配線板の軽量化を図るの
は、非常に困難であった。
ト配線板は、銅箔9に搭載される高発熱部品の熱を放熱
するために、金属ベース7の厚さを1.0〜3.0mm
として厚いものを使用する必要があった。このため、高
熱伝導性金属ベースプリント配線板の軽量化を図るの
は、非常に困難であった。
【0007】また、銅箔9に搭載される高発熱部品の熱
を金属ベース7へ効率よく伝達するために、絶縁層8を
薄くしていた。しかし、この絶縁層8の厚みは周波数特
性に影響を与えるコンデンサ容量に相当するもので、こ
の絶縁層8の厚さがコンデンサ容量に反比例するため、
コンデンサ容量を軽減することができなかった。
を金属ベース7へ効率よく伝達するために、絶縁層8を
薄くしていた。しかし、この絶縁層8の厚みは周波数特
性に影響を与えるコンデンサ容量に相当するもので、こ
の絶縁層8の厚さがコンデンサ容量に反比例するため、
コンデンサ容量を軽減することができなかった。
【0008】また、この金属ベース7の熱を放熱する放
熱フィン3は、金属ベース7との間にシリコングリース
10やシリコン樹脂にシリカを含有した熱伝導性シート
等を備えるため、密着性が悪かった。そこで、金属ベー
ス7と放熱フィン3との密着性を高めて熱伝導性を向上
させるために、複数のビス11で放熱フィン3を金属ベ
ース7に固定していた。
熱フィン3は、金属ベース7との間にシリコングリース
10やシリコン樹脂にシリカを含有した熱伝導性シート
等を備えるため、密着性が悪かった。そこで、金属ベー
ス7と放熱フィン3との密着性を高めて熱伝導性を向上
させるために、複数のビス11で放熱フィン3を金属ベ
ース7に固定していた。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題を
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、放熱
効果を向上し、電子部品を高密度に実装することのでき
る回路基板を提供することにある。
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、放熱
効果を向上し、電子部品を高密度に実装することのでき
る回路基板を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
回路基板は、高熱伝導率で電気絶縁性の無機粉末を含有
してなる高熱伝導絶縁層1と、この高熱伝導絶縁層1の
表裏に積層された金属箔2、4と、この金属箔2、4の
少なくとも一方に放熱フィン3を密着していることを特
徴とする。
回路基板は、高熱伝導率で電気絶縁性の無機粉末を含有
してなる高熱伝導絶縁層1と、この高熱伝導絶縁層1の
表裏に積層された金属箔2、4と、この金属箔2、4の
少なくとも一方に放熱フィン3を密着していることを特
徴とする。
【0011】また、本発明の請求項2に係る回路基板
は、放熱フィン3と金属箔4とを半田5により固着して
いることを特徴とする。
は、放熱フィン3と金属箔4とを半田5により固着して
いることを特徴とする。
【0012】また、本発明の請求項3に係る回路基板
は、高熱伝導絶縁層1の表裏の金属箔2、4を導通する
スルーホール6を備えたことを特徴とする。
は、高熱伝導絶縁層1の表裏の金属箔2、4を導通する
スルーホール6を備えたことを特徴とする。
【0013】
【作用】本発明に係る回路基板は、高熱伝導率で電気絶
縁性の無機粉末を含有してなる高熱伝導絶縁層1と、こ
の高熱伝導絶縁層1の表裏に積層された金属箔2、4
と、この金属箔2、4の少なくとも一方に放熱フィン3
を密着しているので、表面の金属箔2での発熱を、高熱
伝導絶縁層1を介し、効率良く放熱フィン3に伝導する
ことができる。また、放熱フィン3を金属箔4に半田5
を用いて固着しているので、熱伝導効果を高くすること
ができる。また、高熱伝導絶縁層1の表裏の金属箔2、
4を導通するスルーホール6を備えるので、表面の金属
箔2と裏面の金属箔4を導通し、アース回路を形成する
ことができる。
縁性の無機粉末を含有してなる高熱伝導絶縁層1と、こ
の高熱伝導絶縁層1の表裏に積層された金属箔2、4
と、この金属箔2、4の少なくとも一方に放熱フィン3
を密着しているので、表面の金属箔2での発熱を、高熱
伝導絶縁層1を介し、効率良く放熱フィン3に伝導する
ことができる。また、放熱フィン3を金属箔4に半田5
を用いて固着しているので、熱伝導効果を高くすること
ができる。また、高熱伝導絶縁層1の表裏の金属箔2、
4を導通するスルーホール6を備えるので、表面の金属
箔2と裏面の金属箔4を導通し、アース回路を形成する
ことができる。
【0014】以下、本発明を添付した図面に沿って詳細
に説明する。
に説明する。
【0015】
【実施例】図1は、本発明に係る回路基板に放熱フィン
3を固着した断面図である。
3を固着した断面図である。
【0016】実施例1 図1に示す如く、本発明に係る回路基板は、高熱伝導率
で電気絶縁性の無機粉末を含有してなる高熱伝導絶縁層
1と、この高熱伝導絶縁層1の表裏の面に金属箔2、4
を積層し、裏面の金属箔4に放熱フィン3を固着してい
る。
で電気絶縁性の無機粉末を含有してなる高熱伝導絶縁層
1と、この高熱伝導絶縁層1の表裏の面に金属箔2、4
を積層し、裏面の金属箔4に放熱フィン3を固着してい
る。
【0017】上記高熱伝導率で電気絶縁性の無機粉末を
含有してなる高熱伝導絶縁層1は、フェノール樹脂、ク
レゾール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、ポリイミド樹脂、イソシアネート樹
脂、ポリウレタン樹脂等や、ポリブチレンテレフタレー
ト樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹
脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂等が単独、変性物、
混合物の何れかで使用される。特に、溶剤を使用しなけ
れば絶縁層の溶剤残留等の問題がなく、無溶剤系液状樹
脂を使用するのが好ましい。
含有してなる高熱伝導絶縁層1は、フェノール樹脂、ク
レゾール樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポ
リエステル樹脂、ポリイミド樹脂、イソシアネート樹
脂、ポリウレタン樹脂等や、ポリブチレンテレフタレー
ト樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、フッ素樹
脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂等が単独、変性物、
混合物の何れかで使用される。特に、溶剤を使用しなけ
れば絶縁層の溶剤残留等の問題がなく、無溶剤系液状樹
脂を使用するのが好ましい。
【0018】高熱伝導絶縁層1に含有させる無機粉末と
しては、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ボ
ロン粉末、窒化けい素粉末、酸化マグネシウム粉末、シ
リカ粉末などが挙げられる。窒化アルミニウム粉末の場
合、放熱性は良好であるが、耐水性が悪いため表面に酸
化物層を形成し耐水性を高めたものが好ましい。耐水性
を高めるための酸化物層としては、けい素系酸化物やリ
ン酸アパタイト系酸化物などが挙げられる。
しては、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化ボ
ロン粉末、窒化けい素粉末、酸化マグネシウム粉末、シ
リカ粉末などが挙げられる。窒化アルミニウム粉末の場
合、放熱性は良好であるが、耐水性が悪いため表面に酸
化物層を形成し耐水性を高めたものが好ましい。耐水性
を高めるための酸化物層としては、けい素系酸化物やリ
ン酸アパタイト系酸化物などが挙げられる。
【0019】なお、上記無機粉末は単独、または、複数
種の粉末を併用してもよく、これらの粉末は、平均粒径
が0.1〜0.9μmの小径のもの、平均粒径が10.
0〜30.0μmの大径のものを併用して用いるのが好
ましく、平均粒径が2.0〜6.0μmの中径のものを
併用してもよい。この無機粉末は、高熱伝導絶縁層1を
100重量%とすると、50〜90重量%で、80〜8
7重量%の範囲であることが好ましい。この高熱伝導絶
縁層1は、塗布しての金属箔2、4に配されるだけでな
く、フィルム、シート、プリプレグ等の形で配すること
ができ、その厚みは、100〜500μmが好ましい。
種の粉末を併用してもよく、これらの粉末は、平均粒径
が0.1〜0.9μmの小径のもの、平均粒径が10.
0〜30.0μmの大径のものを併用して用いるのが好
ましく、平均粒径が2.0〜6.0μmの中径のものを
併用してもよい。この無機粉末は、高熱伝導絶縁層1を
100重量%とすると、50〜90重量%で、80〜8
7重量%の範囲であることが好ましい。この高熱伝導絶
縁層1は、塗布しての金属箔2、4に配されるだけでな
く、フィルム、シート、プリプレグ等の形で配すること
ができ、その厚みは、100〜500μmが好ましい。
【0020】金属箔2、4は、銅、アルミニウム、鉄、
ニッケル、亜鉛等の単独箔、合金箔、複合箔を用いるこ
とができ、その厚みは、18μm〜1mmの範囲で放熱
フィン3と接する金属箔4は、熱伝導効率より18〜7
0μmの範囲が好ましい。金属箔2、4と高熱伝導絶縁
層1の接着一体化の方法としては、プレス、ロール等の
ように一体化できるものであればよく、特に限定はしな
い。
ニッケル、亜鉛等の単独箔、合金箔、複合箔を用いるこ
とができ、その厚みは、18μm〜1mmの範囲で放熱
フィン3と接する金属箔4は、熱伝導効率より18〜7
0μmの範囲が好ましい。金属箔2、4と高熱伝導絶縁
層1の接着一体化の方法としては、プレス、ロール等の
ように一体化できるものであればよく、特に限定はしな
い。
【0021】この高熱伝導絶縁層1の上面の金属箔2は
エッチングなどにより回路2aが形成され、高発熱部品
等が実装される。
エッチングなどにより回路2aが形成され、高発熱部品
等が実装される。
【0022】また、高熱伝導絶縁層1の下面の金属箔4
には、放熱フィン3が固着されている。この放熱フィン
3は、アルミニウムで形成され、放熱性を向上するため
に凹凸形状で表面積が大きくなっている。この放熱フィ
ン3を金属箔4に固着する方法は、半田付けによる方法
であるが、アルミニウムには半田5が溶着しないので、
放熱フィン3の金属箔4との接着面にニッケルメッキを
施し、半田5が溶着するようにしている。
には、放熱フィン3が固着されている。この放熱フィン
3は、アルミニウムで形成され、放熱性を向上するため
に凹凸形状で表面積が大きくなっている。この放熱フィ
ン3を金属箔4に固着する方法は、半田付けによる方法
であるが、アルミニウムには半田5が溶着しないので、
放熱フィン3の金属箔4との接着面にニッケルメッキを
施し、半田5が溶着するようにしている。
【0023】この放熱フィン3を固着する半田5は、高
温溶融半田を使用するのが好ましく、高温溶融半田を使
用すると、この回路基板の表面に電子部品を搭載し半田
付けする時に、低温溶融半田を使用することができる。
温溶融半田を使用するのが好ましく、高温溶融半田を使
用すると、この回路基板の表面に電子部品を搭載し半田
付けする時に、低温溶融半田を使用することができる。
【0024】また、図2に示す如く、高熱伝導絶縁層1
の回路2aの一部に、スルーホール6を形成し、スルー
ホール6内に施されたメッキにより、この上面の回路2
aと下面の回路4aとを導通するのも好ましい。
の回路2aの一部に、スルーホール6を形成し、スルー
ホール6内に施されたメッキにより、この上面の回路2
aと下面の回路4aとを導通するのも好ましい。
【0025】次に、上記回路基板の製造方法の一実施例
を説明する。まず、35μmの銅箔に、アルミナ粉末を
含有するエポキシ樹脂ワニスを厚み400μmで塗布し
たあとBステージ化し、高熱伝導絶縁層を形成する。ア
ルミナ粉末の粉末含有量は、高熱伝導絶縁層を100重
量%とすると、85重量%である。このアルミナ粉末
は、平均粒径0.4μmのものを20重量%、平均粒径
3.2μmのものを30重量%、平均粒径15μmのも
のを50重量%、の割合で併用する。ついで、厚み35
μmの銅箔を高熱伝導絶縁層1の上に配して20kg/
cm2 、160℃の温度、60分の条件で加熱加圧して
回路基板を得る。
を説明する。まず、35μmの銅箔に、アルミナ粉末を
含有するエポキシ樹脂ワニスを厚み400μmで塗布し
たあとBステージ化し、高熱伝導絶縁層を形成する。ア
ルミナ粉末の粉末含有量は、高熱伝導絶縁層を100重
量%とすると、85重量%である。このアルミナ粉末
は、平均粒径0.4μmのものを20重量%、平均粒径
3.2μmのものを30重量%、平均粒径15μmのも
のを50重量%、の割合で併用する。ついで、厚み35
μmの銅箔を高熱伝導絶縁層1の上に配して20kg/
cm2 、160℃の温度、60分の条件で加熱加圧して
回路基板を得る。
【0026】この回路基板の表面にエッチング処理を行
い回路を形成する。そして、この回路の一部に、スルー
ホール6を形成し、表裏の銅箔の導通を図る。
い回路を形成する。そして、この回路の一部に、スルー
ホール6を形成し、表裏の銅箔の導通を図る。
【0027】次に、アルミニウムで形成された放熱フィ
ンの上記回路基板との接着面にニッケルメッキを施し、
回路基板に半田付けにより固着する。この放熱フィンを
回路基板に半田付けする条件としては、280〜320
℃で溶融する高温溶融半田を使用し、上記回路基板に固
着するのが好ましい。
ンの上記回路基板との接着面にニッケルメッキを施し、
回路基板に半田付けにより固着する。この放熱フィンを
回路基板に半田付けする条件としては、280〜320
℃で溶融する高温溶融半田を使用し、上記回路基板に固
着するのが好ましい。
【0028】この放熱フィン3を固着した回路基板に電
子部品を搭載し、200〜250℃で溶融する低温溶融
半田を使用し、半田付けを行う。
子部品を搭載し、200〜250℃で溶融する低温溶融
半田を使用し、半田付けを行う。
【0029】このようにして得られた回路基板は、熱抵
抗値が0.5℃/Wで、従来の高熱伝導性金属プリント
配線板の熱抵抗値が1.3℃/Wに比べ、放熱性が向上
している。この熱抵抗値は、回路基板に搭載したトラン
ジスタにコレクタ電流を流して、単位コレクタ損失当た
りの上昇温度を求めたものである。
抗値が0.5℃/Wで、従来の高熱伝導性金属プリント
配線板の熱抵抗値が1.3℃/Wに比べ、放熱性が向上
している。この熱抵抗値は、回路基板に搭載したトラン
ジスタにコレクタ電流を流して、単位コレクタ損失当た
りの上昇温度を求めたものである。
【0030】上述のようにして得られた回路基板は、従
来の高熱伝導性金属プリント配線板に比べ、金属ベース
が無く軽量化を図ることができ、絶縁層の厚みも2mm
厚くすることができるため、絶縁層のコンデンサ容量が
小さくなり、低ノイズ設計をすることが可能になった。
来の高熱伝導性金属プリント配線板に比べ、金属ベース
が無く軽量化を図ることができ、絶縁層の厚みも2mm
厚くすることができるため、絶縁層のコンデンサ容量が
小さくなり、低ノイズ設計をすることが可能になった。
【0031】
【発明の効果】本発明に係る回路基板によると、高熱伝
導率で電気絶縁性の無機粉末を含有してなる高熱伝導絶
縁層と、この高熱伝導絶縁層の表裏に積層された金属箔
と、この金属箔の少なくとも一方に放熱フィンが半田を
用いて固着しているので、放熱フィンと金属箔との間に
隙間がなく、熱伝導効果を向上することができる。ま
た、銅箔に搭載される高発熱部品の熱を高熱伝導絶縁層
を介して、効率よく放熱フィンに伝達できるので、軽量
化を図ることができる。さらに、高熱伝導絶縁層の表裏
の金属箔を導通するスルーホールを備えると、容易に表
面の回路とアース回路とを接続することができ、熱伝導
効率を上げるとともに表面の回路とアース回路の導通を
図ることができる。
導率で電気絶縁性の無機粉末を含有してなる高熱伝導絶
縁層と、この高熱伝導絶縁層の表裏に積層された金属箔
と、この金属箔の少なくとも一方に放熱フィンが半田を
用いて固着しているので、放熱フィンと金属箔との間に
隙間がなく、熱伝導効果を向上することができる。ま
た、銅箔に搭載される高発熱部品の熱を高熱伝導絶縁層
を介して、効率よく放熱フィンに伝達できるので、軽量
化を図ることができる。さらに、高熱伝導絶縁層の表裏
の金属箔を導通するスルーホールを備えると、容易に表
面の回路とアース回路とを接続することができ、熱伝導
効率を上げるとともに表面の回路とアース回路の導通を
図ることができる。
【図1】本発明の一実施例の回路基板の断面図である。
【図2】本発明の他の一実施例の回路基板の断面図であ
る。
る。
【図3】従来の高熱伝導性金属ベースプリント配線板金
属の断面図である。
属の断面図である。
1 高熱伝導絶縁層 2 金属箔 3 放熱フィン 4 金属箔 5 半田 6 スルーホール 7 金属ベース 8 絶縁層 9 銅箔 10 シリコングリース 11 ピン
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成6年7月13日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0030
【補正方法】変更
【補正内容】
【0030】上述のようにして得られた回路基板は、従
来の高熱伝導性金属プリント配線板に比べ、金属ベース
が無く軽量化を図ることができ、絶縁層の厚みも厚くす
ることができるため、絶縁層のコンデンサ容量が小さく
なり、低ノイズ設計をすることが可能になった。
来の高熱伝導性金属プリント配線板に比べ、金属ベース
が無く軽量化を図ることができ、絶縁層の厚みも厚くす
ることができるため、絶縁層のコンデンサ容量が小さく
なり、低ノイズ設計をすることが可能になった。
Claims (3)
- 【請求項1】 高熱伝導率で電気絶縁性の無機粉末を含
有してなる高熱伝導絶縁層1と、この高熱伝導絶縁層1
の表裏に積層された金属箔2、4と、この金属箔2、4
の少なくとも一方に放熱フィン3を密着してなることを
特徴とする回路基板。 - 【請求項2】 放熱フィン3と金属箔4とを半田5によ
り固着していることを特徴とする請求項1記載の回路基
板。 - 【請求項3】 高熱伝導絶縁層1の表裏の金属箔2、4
を導通するスルーホール6を備えたことを特徴とする請
求項1または請求項2記載の回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14962194A JPH0818182A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14962194A JPH0818182A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818182A true JPH0818182A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15479226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14962194A Pending JPH0818182A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818182A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260796A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nec Corp | 放熱構造プリント基板 |
| JP2009253034A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Toyota Industries Corp | 半導体素子冷却装置 |
| KR101037470B1 (ko) * | 2009-09-15 | 2011-05-26 | 삼성전기주식회사 | 방열기판 및 그 제조방법 |
| US8378360B2 (en) | 2004-12-17 | 2013-02-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting package |
| CN108135075A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-08 | 珠海欣中祺电子科技有限公司 | 一种高导热印制电路板 |
| JP2022169595A (ja) * | 2017-09-28 | 2022-11-09 | 京セラ株式会社 | 電子素子搭載用基板および電子装置 |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP14962194A patent/JPH0818182A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260796A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nec Corp | 放熱構造プリント基板 |
| US8878200B2 (en) | 2004-12-17 | 2014-11-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting package having a guiding member guiding an optical member |
| US8378360B2 (en) | 2004-12-17 | 2013-02-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting package |
| US8445922B2 (en) | 2004-12-17 | 2013-05-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting package |
| US8598601B2 (en) | 2004-12-17 | 2013-12-03 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting package |
| US9240534B2 (en) | 2004-12-17 | 2016-01-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting package having a guiding member guiding an optical member |
| US9362469B2 (en) | 2004-12-17 | 2016-06-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting package having a guiding member guiding an optical member |
| US9705059B2 (en) | 2004-12-17 | 2017-07-11 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting package having a guiding member guiding an optical member |
| US10193044B2 (en) | 2004-12-17 | 2019-01-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting package having a guiding member guiding an optical member |
| US10490722B2 (en) | 2004-12-17 | 2019-11-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting package having a guiding member guiding an optical member |
| JP2009253034A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Toyota Industries Corp | 半導体素子冷却装置 |
| KR101037470B1 (ko) * | 2009-09-15 | 2011-05-26 | 삼성전기주식회사 | 방열기판 및 그 제조방법 |
| JP2022169595A (ja) * | 2017-09-28 | 2022-11-09 | 京セラ株式会社 | 電子素子搭載用基板および電子装置 |
| CN108135075A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-06-08 | 珠海欣中祺电子科技有限公司 | 一种高导热印制电路板 |
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