JPH0818430A - 磁気スイッチ - Google Patents
磁気スイッチInfo
- Publication number
- JPH0818430A JPH0818430A JP6173365A JP17336594A JPH0818430A JP H0818430 A JPH0818430 A JP H0818430A JP 6173365 A JP6173365 A JP 6173365A JP 17336594 A JP17336594 A JP 17336594A JP H0818430 A JPH0818430 A JP H0818430A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- oscillation
- voltage
- amorphous wire
- load
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、数エルステッド程度の微小な磁界に
よりオンオフされ得ると共に、簡単な構成によりコスト
が低減され得るようにした、磁気スイッチを提供するこ
とを目的とする。 【構成】コバルト系アモルファスワイヤをＬ負荷とする
発振回路１１と、該発振回路の発振電圧に基づいてオン
オフの判別を行なう制御回路１４とから、磁気スイッチ
１０を構成する。
よりオンオフされ得ると共に、簡単な構成によりコスト
が低減され得るようにした、磁気スイッチを提供するこ
とを目的とする。 【構成】コバルト系アモルファスワイヤをＬ負荷とする
発振回路１１と、該発振回路の発振電圧に基づいてオン
オフの判別を行なう制御回路１４とから、磁気スイッチ
１０を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁束の強弱に基づいて
オンオフされる磁気スイッチに関するものである。
オンオフされる磁気スイッチに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このような磁気スイッチとして
は、例えばリードスイッチや、半導体スイッチが知られ
ている。
は、例えばリードスイッチや、半導体スイッチが知られ
ている。
【０００３】リードスイッチは、磁束の強弱に基づい
て、リードスイッチ片を機械的に動作させるものであ
る。また、半導体スイッチは、ホール素子，ＭＲ素子の
磁気−電気変換効果を利用して、電気的に動作させるも
のである。
て、リードスイッチ片を機械的に動作させるものであ
る。また、半導体スイッチは、ホール素子，ＭＲ素子の
磁気−電気変換効果を利用して、電気的に動作させるも
のである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな磁気スイッチにおいては、以下のような問題があっ
た。即ち、リードスイッチも半導体スイッチも、オンオ
フ動作のためには、数十エルステッド以上の磁界が必要
であることから、微小な磁界では、オンオフ動作させる
ことができないという問題があった。
うな磁気スイッチにおいては、以下のような問題があっ
た。即ち、リードスイッチも半導体スイッチも、オンオ
フ動作のためには、数十エルステッド以上の磁界が必要
であることから、微小な磁界では、オンオフ動作させる
ことができないという問題があった。
【０００５】また、特に半導体スイッチにおいては、検
出素子部即ちホール素子，ＭＲ素子が非磁性体であるこ
とから、スイッチ動作のためには、比較的強い磁界を与
えたり、または検出素子部に磁束を集中させるように、
フェライト等の集磁鋼が必要であると共に、これらのホ
ール素子，ＭＲ素子の出力電圧のレベルに基づいてオン
オフ動作を判別するようにしているため、判別回路に安
定化電源が必要であるという問題があった。
出素子部即ちホール素子，ＭＲ素子が非磁性体であるこ
とから、スイッチ動作のためには、比較的強い磁界を与
えたり、または検出素子部に磁束を集中させるように、
フェライト等の集磁鋼が必要であると共に、これらのホ
ール素子，ＭＲ素子の出力電圧のレベルに基づいてオン
オフ動作を判別するようにしているため、判別回路に安
定化電源が必要であるという問題があった。
【０００６】本発明は、以上の点に鑑み、数エルステッ
ド程度の微小な磁界によりオンオフされ得ると共に、簡
単な構成によりコストが低減され得るようにした、磁気
スイッチを提供することを目的としている。
ド程度の微小な磁界によりオンオフされ得ると共に、簡
単な構成によりコストが低減され得るようにした、磁気
スイッチを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、コバルト系アモルファスワイヤをＬ負荷とする発
振回路と、該発振回路の発振電圧に基づいてオンオフの
判別を行なう制御回路とから構成されていることを特徴
とする、磁気スイッチにより、達成される。
れば、コバルト系アモルファスワイヤをＬ負荷とする発
振回路と、該発振回路の発振電圧に基づいてオンオフの
判別を行なう制御回路とから構成されていることを特徴
とする、磁気スイッチにより、達成される。
【０００８】本発明による磁気スイッチは、好ましく
は、制御回路が、発振回路の発振電圧を整流する整流回
路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧より大きい
ときオン信号を出力する判別回路とから構成されてい
る。
は、制御回路が、発振回路の発振電圧を整流する整流回
路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧より大きい
ときオン信号を出力する判別回路とから構成されてい
る。
【０００９】本発明による磁気スイッチは、好ましく
は、制御回路が、発振回路の発振電圧を増幅する高周波
アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を検波する検
波回路とから構成されている。
は、制御回路が、発振回路の発振電圧を増幅する高周波
アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を検波する検
波回路とから構成されている。
【００１０】本発明による磁気スイッチは、好ましく
は、Ｌ負荷が、アモルファスワイヤに巻回したコイルに
より構成されている。
は、Ｌ負荷が、アモルファスワイヤに巻回したコイルに
より構成されている。
【００１１】本発明による磁気スイッチは、好ましく
は、Ｌ負荷が、直線状のアモルファスワイヤと、該アモ
ルファスワイヤに直列に接続された補助コイルから構成
されている。
は、Ｌ負荷が、直線状のアモルファスワイヤと、該アモ
ルファスワイヤに直列に接続された補助コイルから構成
されている。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、Ｌ負荷として、コバルト系
アモルファスワイヤを使用しており、このコバルト系ア
モルファスワイヤは、数エルステッド程度の磁界の強弱
により、インダクタンス及び高周波抵抗が著しく変化す
るので、Ｌ負荷であるコバルト系アモルファスワイヤに
対して、数エルステッド程度の微小な磁界が作用するこ
とによって、発振回路の高周波抵抗が百数十Ωから十数
Ωに大幅に減少する。従って、発振回路における発振持
続条件が成立し、発振が継続すると共に、発振電圧が増
大することになる。これにより、発振回路の発振電圧を
制御回路により基準電圧と比較することにより、該発振
電圧が基準電圧より高いとき、制御回路からオン信号が
出力されることになる。
アモルファスワイヤを使用しており、このコバルト系ア
モルファスワイヤは、数エルステッド程度の磁界の強弱
により、インダクタンス及び高周波抵抗が著しく変化す
るので、Ｌ負荷であるコバルト系アモルファスワイヤに
対して、数エルステッド程度の微小な磁界が作用するこ
とによって、発振回路の高周波抵抗が百数十Ωから十数
Ωに大幅に減少する。従って、発振回路における発振持
続条件が成立し、発振が継続すると共に、発振電圧が増
大することになる。これにより、発振回路の発振電圧を
制御回路により基準電圧と比較することにより、該発振
電圧が基準電圧より高いとき、制御回路からオン信号が
出力されることになる。
【００１３】制御回路が、発振回路の発振電圧を整流す
る整流回路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧よ
り大きいときオン信号を出力する判別回路とから構成さ
れている場合には、発振回路の発振電圧が整流回路によ
り直流電圧に変換された後、判別回路により、基準電圧
と比較され、直流電圧が基準電圧より高いとき、判別回
路からオン信号が出力される。
る整流回路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧よ
り大きいときオン信号を出力する判別回路とから構成さ
れている場合には、発振回路の発振電圧が整流回路によ
り直流電圧に変換された後、判別回路により、基準電圧
と比較され、直流電圧が基準電圧より高いとき、判別回
路からオン信号が出力される。
【００１４】制御回路が、発振回路の発振電圧を増幅す
る高周波アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を検
波する検波回路とから構成されている場合には、発振回
路の発振電圧が高周波アンプにより増幅され、この高周
波アンプからの交流電圧から、検波回路によって、交流
磁界による発振電圧の変化が検出され得る。これによ
り、発振電圧が基準電圧より高いとき、検波回路からオ
ン信号が出力される。
る高周波アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を検
波する検波回路とから構成されている場合には、発振回
路の発振電圧が高周波アンプにより増幅され、この高周
波アンプからの交流電圧から、検波回路によって、交流
磁界による発振電圧の変化が検出され得る。これによ
り、発振電圧が基準電圧より高いとき、検波回路からオ
ン信号が出力される。
【００１５】Ｌ負荷が、アモルファスワイヤに巻回した
コイルにより構成されている場合には、このコイルが、
コイル及び高周波抵抗を直列接続した等価回路を有する
ことになり、磁界により、アモルファスワイヤの高周波
抵抗及びインダクタンスが大幅に減少することにより、
発振回路の発振持続条件が満たされることになる。
コイルにより構成されている場合には、このコイルが、
コイル及び高周波抵抗を直列接続した等価回路を有する
ことになり、磁界により、アモルファスワイヤの高周波
抵抗及びインダクタンスが大幅に減少することにより、
発振回路の発振持続条件が満たされることになる。
【００１６】Ｌ負荷が、直線状のアモルファスワイヤ
と、該アモルファスワイヤに直列に接続された補助コイ
ルから構成されている場合には、補助回路に直列接続さ
れたアモルファスワイヤの高周波抵抗が、磁界によって
大幅に減少することにより、発振回路の発振持続条件が
満たされることになる。
と、該アモルファスワイヤに直列に接続された補助コイ
ルから構成されている場合には、補助回路に直列接続さ
れたアモルファスワイヤの高周波抵抗が、磁界によって
大幅に減少することにより、発振回路の発振持続条件が
満たされることになる。
【００１７】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図１は、本発明による磁気スイッ
チの一実施例を示している。即ち、図１において、磁気
スイッチ１０は、コバルト系アモルファスワイヤをＬ負
荷とする発振回路１１と、該発振回路１１の発振電圧を
整流する整流回路１２と、該整流回路１２からの直流電
圧が基準電圧より大きいときオン信号を出力する判別回
路１３とから構成されている。ここで、上記整流回路１
２及び判別回路１３により、該発振回路１１の発振電圧
に基づいてオンオフの判別を行なう制御回路１４が構成
されている。
明を詳細に説明する。図１は、本発明による磁気スイッ
チの一実施例を示している。即ち、図１において、磁気
スイッチ１０は、コバルト系アモルファスワイヤをＬ負
荷とする発振回路１１と、該発振回路１１の発振電圧を
整流する整流回路１２と、該整流回路１２からの直流電
圧が基準電圧より大きいときオン信号を出力する判別回
路１３とから構成されている。ここで、上記整流回路１
２及び判別回路１３により、該発振回路１１の発振電圧
に基づいてオンオフの判別を行なう制御回路１４が構成
されている。
【００１８】上記発振回路１１は、コバルト系アモルフ
ァスワイヤに巻回されたコイル１１ａと、発振トランジ
スタ１１ｂとを含んでいる。該コイル１１ａは、一端が
Ｂ電源に接続されていると共に、他端が、発振トランジ
スタ１１ｂのコレクタに接続されている。該発振トラン
ジスタ１１ｂのベースは、抵抗１１ｃを介して上記Ｂ電
源に接続されていると共に、コンデンサ１１ｄ及びダイ
オード１１ｅ，抵抗１１ｆを介してアース接続されてい
る。さらに、該発振トランジスタ１１ｂのエミッタは、
コンデンサ１１ｇを介してコレクタに接続されていると
共に、抵抗１１ｈ，コンデンサ１１ｉを介してアース接
続されている。
ァスワイヤに巻回されたコイル１１ａと、発振トランジ
スタ１１ｂとを含んでいる。該コイル１１ａは、一端が
Ｂ電源に接続されていると共に、他端が、発振トランジ
スタ１１ｂのコレクタに接続されている。該発振トラン
ジスタ１１ｂのベースは、抵抗１１ｃを介して上記Ｂ電
源に接続されていると共に、コンデンサ１１ｄ及びダイ
オード１１ｅ，抵抗１１ｆを介してアース接続されてい
る。さらに、該発振トランジスタ１１ｂのエミッタは、
コンデンサ１１ｇを介してコレクタに接続されていると
共に、抵抗１１ｈ，コンデンサ１１ｉを介してアース接
続されている。
【００１９】上記コイル１１ａは、図２（Ａ）に示すよ
うに、φ２０μｍ乃至φ１００μｍであるコバルト系ア
モルファスワイヤに対して、数十ターンの巻線によるコ
イルが巻回されることにより構成されており、図２
（Ｂ）に示すように、コイルと高周波抵抗を直列接続し
た等価回路になっている。これにより、この等価回路に
おけるコイルのインダクタンスＬと高周波抵抗の抵抗値
Ｒは、磁界に対して、図３に示すように、変化する。従
って、高周波抵抗の抵抗値Ｒは、オフ領域からオン領域
への数エルステッドの磁界増大によって、例えば百数十
Ωから十数Ωに大幅に減少する。尚、図２（Ａ）の場
合、アモルファスワイヤの長さは、数ミリであっても、
微小な磁界で高周波抵抗が大きく変化し得る。
うに、φ２０μｍ乃至φ１００μｍであるコバルト系ア
モルファスワイヤに対して、数十ターンの巻線によるコ
イルが巻回されることにより構成されており、図２
（Ｂ）に示すように、コイルと高周波抵抗を直列接続し
た等価回路になっている。これにより、この等価回路に
おけるコイルのインダクタンスＬと高周波抵抗の抵抗値
Ｒは、磁界に対して、図３に示すように、変化する。従
って、高周波抵抗の抵抗値Ｒは、オフ領域からオン領域
への数エルステッドの磁界増大によって、例えば百数十
Ωから十数Ωに大幅に減少する。尚、図２（Ａ）の場
合、アモルファスワイヤの長さは、数ミリであっても、
微小な磁界で高周波抵抗が大きく変化し得る。
【００２０】このように高周波抵抗の抵抗値Ｒが減少す
ると、発振回路１１における発振持続条件が成立するこ
とになり、発振回路１１は発振を継続することになる。
このときの発振トランジスタ１１ｂのエミッタ電圧即ち
発振電圧は、図４に示すようにオフ領域からオン領域へ
の磁界増大に伴って、大きく上昇することになる。
ると、発振回路１１における発振持続条件が成立するこ
とになり、発振回路１１は発振を継続することになる。
このときの発振トランジスタ１１ｂのエミッタ電圧即ち
発振電圧は、図４に示すようにオフ領域からオン領域へ
の磁界増大に伴って、大きく上昇することになる。
【００２１】また、整流回路１２は、発振回路１１の発
振トランジスタ１１ｂのエミッタに直列に接続されたダ
イオード１２ａと、該ダイオード１２ａの出力側とアー
ス間に接続された抵抗１２ｂ及びコンデンサ１２ｃから
構成されている。これにより、発振回路１１の発振トラ
ンジスタ１１ｂのエミッタの発振電圧は、該整流回路１
２のダイオード１２ａによって整流され、抵抗１２ｂ及
びコンデンサ１２ｃによって平滑されることになる。
振トランジスタ１１ｂのエミッタに直列に接続されたダ
イオード１２ａと、該ダイオード１２ａの出力側とアー
ス間に接続された抵抗１２ｂ及びコンデンサ１２ｃから
構成されている。これにより、発振回路１１の発振トラ
ンジスタ１１ｂのエミッタの発振電圧は、該整流回路１
２のダイオード１２ａによって整流され、抵抗１２ｂ及
びコンデンサ１２ｃによって平滑されることになる。
【００２２】さらに、判別回路１３は、判別用のトラン
ジスタ１３ａから構成されている。該トランジスタ１３
ａは、ベースが整流回路１２のダイオード１２ａの出力
側に接続され、コレクタが抵抗１３ｂを介して上記Ｂ電
源に接続されていると共に、エミッタがアース接続され
ており、さらにコレクタが外部出力端子１５に接続され
ている。
ジスタ１３ａから構成されている。該トランジスタ１３
ａは、ベースが整流回路１２のダイオード１２ａの出力
側に接続され、コレクタが抵抗１３ｂを介して上記Ｂ電
源に接続されていると共に、エミッタがアース接続され
ており、さらにコレクタが外部出力端子１５に接続され
ている。
【００２３】本発明実施例による磁気スイッチ１０は、
以上のように構成されており、発振回路１１のコイル１
１ａに磁界が作用していない場合には、アモルファスワ
イヤには磁界の磁束が集束せず、コイル１１ａの高周波
抵抗が比較的大きいので、Ｌ負荷のＱが低く、発振回路
１１は発振持続条件が満たされない。従って、発振回路
１１は発振せず、発振トランジスタ１１ｂの発振電圧
は、図４にて、左側のオフ領域にて比較的低い電圧であ
る。このため、整流回路１２により整流平滑された直流
電圧も比較的低い。かくして、判別回路１３のトランジ
スタ１３ａに入力されるベース電圧が低いことから、該
トランジスタ１３ａはオフのままである。従って、外部
出力端子１５からは、Ｈレベルの信号、即ちオフ信号が
出力されることになる。
以上のように構成されており、発振回路１１のコイル１
１ａに磁界が作用していない場合には、アモルファスワ
イヤには磁界の磁束が集束せず、コイル１１ａの高周波
抵抗が比較的大きいので、Ｌ負荷のＱが低く、発振回路
１１は発振持続条件が満たされない。従って、発振回路
１１は発振せず、発振トランジスタ１１ｂの発振電圧
は、図４にて、左側のオフ領域にて比較的低い電圧であ
る。このため、整流回路１２により整流平滑された直流
電圧も比較的低い。かくして、判別回路１３のトランジ
スタ１３ａに入力されるベース電圧が低いことから、該
トランジスタ１３ａはオフのままである。従って、外部
出力端子１５からは、Ｈレベルの信号、即ちオフ信号が
出力されることになる。
【００２４】ここで、発振回路１１のコイル１１ａに磁
界が作用せしめられると、アモルファスワイヤ自体が高
い透磁率を有していることから、この磁界の磁束がアモ
ルファスワイヤに集束せしめられるので、コイル１１ａ
の高周波抵抗の抵抗値Ｒが図３に示すように、オン領域
で、大幅に減少することになる。従って、Ｌ負荷のＱが
高くなって、発振回路１１は発振持続条件が満たされる
ことになり、発振回路１１は発振する。これにより、発
振トランジスタ１１ｂの発振電圧は、図４にて、右側の
オン領域にて比較的高くなるので、整流回路１２により
整流平滑された直流電圧も高くなる。かくして、判別回
路１３のトランジスタ１３ａに入力されるベース電圧が
高くなって、該トランジスタ１３ａがオンになる。従っ
て、外部出力端子１５からは、Ｌレベルの信号即ちオン
信号が出力されることになる。
界が作用せしめられると、アモルファスワイヤ自体が高
い透磁率を有していることから、この磁界の磁束がアモ
ルファスワイヤに集束せしめられるので、コイル１１ａ
の高周波抵抗の抵抗値Ｒが図３に示すように、オン領域
で、大幅に減少することになる。従って、Ｌ負荷のＱが
高くなって、発振回路１１は発振持続条件が満たされる
ことになり、発振回路１１は発振する。これにより、発
振トランジスタ１１ｂの発振電圧は、図４にて、右側の
オン領域にて比較的高くなるので、整流回路１２により
整流平滑された直流電圧も高くなる。かくして、判別回
路１３のトランジスタ１３ａに入力されるベース電圧が
高くなって、該トランジスタ１３ａがオンになる。従っ
て、外部出力端子１５からは、Ｌレベルの信号即ちオン
信号が出力されることになる。
【００２５】この場合、判別回路１３のトランジスタ１
３ａのベースには、Ｂ電源から発振トランジスタ１１ｂ
のエミッタ電圧が供給されることになる。従って、Ｂ電
源の供給電圧がドリフトによって変動したとしても、該
トランジスタ１３ａによるオンオフ判定のしきい値は変
動しない。また、アモルファスワイヤの高周波抵抗は、
温度に対して、−１８０℃乃至１８０℃の範囲で安定し
て変化するので、磁気スイッチ１０は、優れた温度特性
を有することになる。
３ａのベースには、Ｂ電源から発振トランジスタ１１ｂ
のエミッタ電圧が供給されることになる。従って、Ｂ電
源の供給電圧がドリフトによって変動したとしても、該
トランジスタ１３ａによるオンオフ判定のしきい値は変
動しない。また、アモルファスワイヤの高周波抵抗は、
温度に対して、−１８０℃乃至１８０℃の範囲で安定し
て変化するので、磁気スイッチ１０は、優れた温度特性
を有することになる。
【００２６】図５は、上記実施例による磁気スイッチ１
０における発振回路１１の変形例を示している。図５に
おいて、発振回路２０は、図１のコイル１１ａの代わり
に、直線状のアモルファスワイヤ２１と、該アモルファ
スワイヤ２１に直列に接続された補助コイル２２とを含
んでいる。補助コイル２２はアモルファスワイヤ２１の
インダクタンス成分のみでは発振持続条件のＬ負荷とし
て不足する為に付加する。これにより、発振回路１１と
同様に、発振回路２０のアモルファスワイヤ２１に磁界
が作用しない場合には、発振回路２０は発振せず、また
発振回路２０のアモルファスワイヤ２１に磁界が作用す
る場合には、発振回路２０は発振する。かくして、該発
振トランジスタ１１ｂの発振電圧を、同様に整流回路１
２で整流・平滑して、判別回路１３により判定すること
により、判別回路１３の外部出力端子１５から、オンオ
フ信号が出力され得ることになる。
０における発振回路１１の変形例を示している。図５に
おいて、発振回路２０は、図１のコイル１１ａの代わり
に、直線状のアモルファスワイヤ２１と、該アモルファ
スワイヤ２１に直列に接続された補助コイル２２とを含
んでいる。補助コイル２２はアモルファスワイヤ２１の
インダクタンス成分のみでは発振持続条件のＬ負荷とし
て不足する為に付加する。これにより、発振回路１１と
同様に、発振回路２０のアモルファスワイヤ２１に磁界
が作用しない場合には、発振回路２０は発振せず、また
発振回路２０のアモルファスワイヤ２１に磁界が作用す
る場合には、発振回路２０は発振する。かくして、該発
振トランジスタ１１ｂの発振電圧を、同様に整流回路１
２で整流・平滑して、判別回路１３により判定すること
により、判別回路１３の外部出力端子１５から、オンオ
フ信号が出力され得ることになる。
【００２７】図６は、本発明による磁気スイッチの他の
実施例を示している。図６において、磁気スイッチ３０
は、コバルト系アモルファスワイヤをＬ負荷とする発振
回路３１と、該発振回路３１の発振電圧を増幅する高周
波アンプ３２と、該高周波アンプ３２からの交流電圧を
検波する検波回路３３とから構成されている。ここで、
上記高周波アンプ３２及び検波回路３３により、該発振
回路３１の発振電圧に基づいてオンオフの判別を行なう
制御回路３４が構成されている。
実施例を示している。図６において、磁気スイッチ３０
は、コバルト系アモルファスワイヤをＬ負荷とする発振
回路３１と、該発振回路３１の発振電圧を増幅する高周
波アンプ３２と、該高周波アンプ３２からの交流電圧を
検波する検波回路３３とから構成されている。ここで、
上記高周波アンプ３２及び検波回路３３により、該発振
回路３１の発振電圧に基づいてオンオフの判別を行なう
制御回路３４が構成されている。
【００２８】上記発振回路３１は、コバルト系アモルフ
ァスワイヤに巻回されたコイル３１ａと、発振トランジ
スタ３１ｂとを含んでいる。該コイル３１ａは、一端が
Ｂ電源に接続されていると共に、他端が、発振トランジ
スタ３１ｂのコレクタに接続されている。該発振トラン
ジスタ３１ｂのベースは、抵抗３１ｃを介して上記Ｂ電
源に接続されていると共に、コンデンサ３１ｄ及びダイ
オード３１ｅ，抵抗３１ｆを介してアース接続されてい
る。さらに、該発振トランジスタ３１ｂのエミッタは、
コンデンサ３１ｇを介してコレクタに接続されていると
共に、抵抗３１ｈ，コンデンサ３１ｉを介してアース接
続されている。
ァスワイヤに巻回されたコイル３１ａと、発振トランジ
スタ３１ｂとを含んでいる。該コイル３１ａは、一端が
Ｂ電源に接続されていると共に、他端が、発振トランジ
スタ３１ｂのコレクタに接続されている。該発振トラン
ジスタ３１ｂのベースは、抵抗３１ｃを介して上記Ｂ電
源に接続されていると共に、コンデンサ３１ｄ及びダイ
オード３１ｅ，抵抗３１ｆを介してアース接続されてい
る。さらに、該発振トランジスタ３１ｂのエミッタは、
コンデンサ３１ｇを介してコレクタに接続されていると
共に、抵抗３１ｈ，コンデンサ３１ｉを介してアース接
続されている。
【００２９】上記コイル３１ａは、図１の磁気スイッチ
１０の場合と同様に、図２（Ａ）に示すように、φ２０
μｍ乃至φ１００μｍであるコバルト系アモルファスワ
イヤに対して、数十ターンの巻線によるコイルが巻回さ
れることにより構成されている。
１０の場合と同様に、図２（Ａ）に示すように、φ２０
μｍ乃至φ１００μｍであるコバルト系アモルファスワ
イヤに対して、数十ターンの巻線によるコイルが巻回さ
れることにより構成されている。
【００３０】また、高周波アンプ３２は、発振回路３１
の発振トランジスタ３１ｂのエミッタからの比較的低い
発振電圧を増幅して、検波回路３３に出力する。検波回
路３３は、高周波アンプ３２で増幅された発振電圧か
ら、交流磁界を検出する。
の発振トランジスタ３１ｂのエミッタからの比較的低い
発振電圧を増幅して、検波回路３３に出力する。検波回
路３３は、高周波アンプ３２で増幅された発振電圧か
ら、交流磁界を検出する。
【００３１】このような構成の磁気スイッチ３０によれ
ば、発振回路３１のコイル３１ａに磁界が作用していな
い場合には、アモルファスワイヤには磁界の磁束が集束
せず、コイル３１ａの高周波抵抗が比較的大きいので、
Ｌ負荷のＱが低く、発振回路３１は発振持続条件が満た
されない。従って、発振回路３１は発振せず、発振トラ
ンジスタ３１ｂの発振電圧は、図４にて、左側のオフ領
域にて比較的低い電圧である。このため、高周波アンプ
３２で増幅された発振電圧も比較的低い。かくして、検
波回路３３は、交流磁界を検出しないので、外部出力端
子３４からはオフ信号が出力される。
ば、発振回路３１のコイル３１ａに磁界が作用していな
い場合には、アモルファスワイヤには磁界の磁束が集束
せず、コイル３１ａの高周波抵抗が比較的大きいので、
Ｌ負荷のＱが低く、発振回路３１は発振持続条件が満た
されない。従って、発振回路３１は発振せず、発振トラ
ンジスタ３１ｂの発振電圧は、図４にて、左側のオフ領
域にて比較的低い電圧である。このため、高周波アンプ
３２で増幅された発振電圧も比較的低い。かくして、検
波回路３３は、交流磁界を検出しないので、外部出力端
子３４からはオフ信号が出力される。
【００３２】ここで、発振回路３１のコイル３１ａに磁
界が作用せしめられると、アモルファスワイヤ自体が高
い透磁率を有していることから、この磁界の磁束がアモ
ルファスワイヤに集束せしめられるので、コイル３１ａ
の高周波抵抗の抵抗値Ｒが図３に示すように、オン領域
で、大幅に減少することになる。従って、Ｌ負荷のＱが
高くなって、発振回路３１は発振持続条件が満たされる
ことになり、発振回路１３は発振する。これにより、発
振トランジスタ３１ｂの発振電圧は、図４にて、右側の
オン領域にて比較的高くなるので、高周波アンプ３２で
増幅された発振電圧も高くなる。かくして、検波回路３
３は、交流磁界を検出して、オン信号を出力することに
なる。
界が作用せしめられると、アモルファスワイヤ自体が高
い透磁率を有していることから、この磁界の磁束がアモ
ルファスワイヤに集束せしめられるので、コイル３１ａ
の高周波抵抗の抵抗値Ｒが図３に示すように、オン領域
で、大幅に減少することになる。従って、Ｌ負荷のＱが
高くなって、発振回路３１は発振持続条件が満たされる
ことになり、発振回路１３は発振する。これにより、発
振トランジスタ３１ｂの発振電圧は、図４にて、右側の
オン領域にて比較的高くなるので、高周波アンプ３２で
増幅された発振電圧も高くなる。かくして、検波回路３
３は、交流磁界を検出して、オン信号を出力することに
なる。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、Ｌ
負荷として、コバルト系アモルファスワイヤを使用して
いるので、Ｌ負荷であるコバルト系アモルファスワイヤ
に対して、数エルステッド程度の微小な磁界が作用する
ことによって、発振回路の高周波抵抗が百数十Ωから十
数Ωに大幅に減少して、発振回路における発振持続条件
が成立して、発振電圧が増大することになる。これによ
り、発振回路の発振電圧を制御回路により基準電圧と比
較することにより、該発振電圧が基準電圧より高いと
き、制御回路からオン信号が出力されることになる。
負荷として、コバルト系アモルファスワイヤを使用して
いるので、Ｌ負荷であるコバルト系アモルファスワイヤ
に対して、数エルステッド程度の微小な磁界が作用する
ことによって、発振回路の高周波抵抗が百数十Ωから十
数Ωに大幅に減少して、発振回路における発振持続条件
が成立して、発振電圧が増大することになる。これによ
り、発振回路の発振電圧を制御回路により基準電圧と比
較することにより、該発振電圧が基準電圧より高いと
き、制御回路からオン信号が出力されることになる。
【００３４】従って、数エルステッド程度の微小な磁界
により、Ｌ負荷であるアモルファスワイヤの高周波抵抗
が大幅に減少して、発振持続条件が満たされ、発振電圧
が上昇することにより、制御回路により、オン信号また
はオフ信号が出力され得ることになる。
により、Ｌ負荷であるアモルファスワイヤの高周波抵抗
が大幅に減少して、発振持続条件が満たされ、発振電圧
が上昇することにより、制御回路により、オン信号また
はオフ信号が出力され得ることになる。
【００３５】制御回路が、発振回路の発振電圧を整流す
る整流回路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧よ
り大きいときオン信号を出力する判別回路とから構成さ
れている場合には、発振回路の発振電圧が整流回路によ
り直流電圧に変換された後、判別回路により、基準電圧
と比較され、直流電圧が基準電圧より高いとき、判別回
路からオン信号が出力される。
る整流回路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧よ
り大きいときオン信号を出力する判別回路とから構成さ
れている場合には、発振回路の発振電圧が整流回路によ
り直流電圧に変換された後、判別回路により、基準電圧
と比較され、直流電圧が基準電圧より高いとき、判別回
路からオン信号が出力される。
【００３６】制御回路が、発振回路の発振電圧を増幅す
る高周波アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を検
波する検波回路とから構成されている場合には、発振回
路の発振電圧が高周波アンプにより増幅され、この高周
波アンプからの交流電圧から、検波回路によって、交流
磁界による発振電圧の変化が検出され得る。これによ
り、発振電圧が基準電圧より高いとき、検波回路からオ
ン信号が出力される。
る高周波アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を検
波する検波回路とから構成されている場合には、発振回
路の発振電圧が高周波アンプにより増幅され、この高周
波アンプからの交流電圧から、検波回路によって、交流
磁界による発振電圧の変化が検出され得る。これによ
り、発振電圧が基準電圧より高いとき、検波回路からオ
ン信号が出力される。
【００３７】Ｌ負荷が、アモルファスワイヤを巻回した
コイルにより構成されている場合には、このコイルが、
コイル及び高周波抵抗を直列接続した等価回路を有する
ことになり、磁界により、アモルファスワイヤの高周波
抵抗及びインダクタンスが大幅に減少することにより、
発振回路の発振持続条件が満たされることになる。
コイルにより構成されている場合には、このコイルが、
コイル及び高周波抵抗を直列接続した等価回路を有する
ことになり、磁界により、アモルファスワイヤの高周波
抵抗及びインダクタンスが大幅に減少することにより、
発振回路の発振持続条件が満たされることになる。
【００３８】Ｌ負荷が、直線状のアモルファスワイヤ
と、該アモルファスワイヤに直列に接続された補助コイ
ルから構成されている場合には、補助回路に直列接続さ
れたアモルファスワイヤの高周波抵抗が、磁界によって
大幅に減少することにより、発振回路の発振持続条件が
満たされることになる。
と、該アモルファスワイヤに直列に接続された補助コイ
ルから構成されている場合には、補助回路に直列接続さ
れたアモルファスワイヤの高周波抵抗が、磁界によって
大幅に減少することにより、発振回路の発振持続条件が
満たされることになる。
【００３９】かくして、本発明によれば、数エルステッ
ド程度の微小な磁界によりオンオフされ得ると共に、簡
単な構成によりコストが低減され得るようにした、極め
て優れた磁気スイッチが提供され得ることになる。
ド程度の微小な磁界によりオンオフされ得ると共に、簡
単な構成によりコストが低減され得るようにした、極め
て優れた磁気スイッチが提供され得ることになる。
【図１】本発明による磁気スイッチの一実施例を示す回
路図である。
路図である。
【図２】図１の磁気スイッチにおけるＬ負荷を示す、
（Ａ）は概略図、及び（Ｂ）は等価回路図である。
（Ａ）は概略図、及び（Ｂ）は等価回路図である。
【図３】図２のＬ負荷の磁界による変化を示すグラフで
ある。
ある。
【図４】図１の磁気スイッチの発振回路の出力電圧の磁
界による変化を示すグラフである。
界による変化を示すグラフである。
【図５】図１の磁気スイッチの発振回路の変形例を示す
回路図である。
回路図である。
【図６】本発明による磁気スイッチの他の実施例を示す
回路図である。
回路図である。
１０，３０ 磁気スイッチ １１，２０，３１ 発振回路 １１ａ，３１ａ コイル １１ｂ，３１ｂ 発振トランジスタ １２ 整流回路 １３ 判別回路 １３ａ 判別用トランジスタ １４ 制御回路 １５，３４ 外部出力端子 ２１ コバルト系アモルファスワイヤ ２２ 補助コイル ３２ 高周波アンプ ３３ 検波回路
Claims (5)
- 【請求項１】 コバルト系アモルファスワイヤをＬ負荷
とする発振回路と、該発振回路の発振電圧に基づいてオ
ンオフの判別を行なう制御回路とから構成されているこ
とを特徴とする、磁気スイッチ。 - 【請求項２】 制御回路が、発振回路の発振電圧を整流
する整流回路と、該整流回路からの直流電圧が基準電圧
より大きいときオン信号を出力する判別回路とから構成
されていることを特徴とする、請求項１に記載の磁気ス
イッチ。 - 【請求項３】 制御回路が、発振回路の発振電圧を増幅
する高周波アンプと、該高周波アンプからの交流電圧を
検波する検波回路とから構成されていることを特徴とす
る、請求項１に記載の磁気スイッチ。 - 【請求項４】 Ｌ負荷が、アモルファスワイヤに巻回し
たコイルにより構成されていることを特徴とする、請求
項１から３の何れかに記載の磁気スイッチ。 - 【請求項５】 Ｌ負荷が、直線状のアモルファスワイヤ
と、該アモルファスワイヤに直列に接続された補助コイ
ルから構成されていることを特徴とする、請求項１から
３の何れかに記載の磁気スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173365A JPH0818430A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173365A JPH0818430A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818430A true JPH0818430A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15959053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6173365A Pending JPH0818430A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818430A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015068774A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | トナーセンサー及び画像形成装置 |
| JP2021110549A (ja) * | 2020-01-06 | 2021-08-02 | オムロン株式会社 | 近接センサ |
-
1994
- 1994-06-30 JP JP6173365A patent/JPH0818430A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015068774A (ja) * | 2013-09-30 | 2015-04-13 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | トナーセンサー及び画像形成装置 |
| JP2021110549A (ja) * | 2020-01-06 | 2021-08-02 | オムロン株式会社 | 近接センサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1155174A (en) | Voltage regulator using saturable transformer | |
| JP3212985B2 (ja) | 磁気センサ装置および電流センサ装置 | |
| US6335619B1 (en) | Inductive proximity sensor comprising a resonant oscillatory circuit responding to changes in inductive reaction | |
| US5012206A (en) | Inductive proximity switch | |
| US4298838A (en) | Transformer device | |
| JPH09139661A (ja) | 磁性金属物体および非磁性金属物体の検出のための誘導近接検出器 | |
| JPH02312316A (ja) | 高周波発振型近接スイッチ | |
| EP0171013B1 (en) | Proximity switch | |
| US5446379A (en) | Method and system for searching and sensing reinforcing steel in concrete by employing an oscillator driver sensor coil | |
| US4761603A (en) | High frequency oscillation proximity switch | |
| EP0169582A1 (en) | Proximity switch | |
| JP2635714B2 (ja) | 変圧器鉄心の直流偏磁検出方法 | |
| JP2550621B2 (ja) | 高周波発振型近接スイッチ | |
| JPH0818430A (ja) | 磁気スイッチ | |
| Yoshida et al. | Quick response field sensor using 200 MHz amorphous MI element FET multivibrator resonance oscillator | |
| US4626782A (en) | Magnetometer operated at a self-resonant frequency by a sense winding | |
| JPH0211109B2 (ja) | ||
| JPH09121585A (ja) | ロータの回転位置を磁気的に検出する手段を備えたモータ | |
| JPH05315929A (ja) | 物体近接検出装置 | |
| JPS60235524A (ja) | 近接スイツチ | |
| CN1174549C (zh) | 具有电感回馈振荡电路的感应式邻近传感器 | |
| KR920005726Y1 (ko) | 레이저 구동장치의 고전압 공급회로 | |
| JP2001242260A (ja) | 金属体検出装置 | |
| US5122764A (en) | Circuit for exciting a resonator | |
| JPH0548646B2 (ja) |