JPH081843B2 - マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 - Google Patents
マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物Info
- Publication number
- JPH081843B2 JPH081843B2 JP1153128A JP15312889A JPH081843B2 JP H081843 B2 JPH081843 B2 JP H081843B2 JP 1153128 A JP1153128 A JP 1153128A JP 15312889 A JP15312889 A JP 15312889A JP H081843 B2 JPH081843 B2 JP H081843B2
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- Japan
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- microwave
- millimeter wave
- 4πms
- tan
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 この発明は、マイクロ波やミリ波などの高周波領域に
おいて使用される磁性体組成物に関するものである。
おいて使用される磁性体組成物に関するものである。
〈従来の技術〉 従来、高周波用磁性体材料としては、Mn-Mgフェライ
ト、Ni-Znフェライト、YIGフェライト、リチウムフェラ
イトなどが用いられている。
ト、Ni-Znフェライト、YIGフェライト、リチウムフェラ
イトなどが用いられている。
これらは、飽和磁化（４πMs）の値が500〜4000ガウ
スを有する優れた材料である。
スを有する優れた材料である。
これらの中でも特にリチウムフェライトは４πMsが37
00ガウス程度と大きく、かつキュリー点（Tc）が650℃
付近の高い温度にあるため、４πMsの室温付近における
温度変化率が小さいので、高安定なアイソレータやサー
キュレータなどの回路素子に応用可能な材料である。
00ガウス程度と大きく、かつキュリー点（Tc）が650℃
付近の高い温度にあるため、４πMsの室温付近における
温度変化率が小さいので、高安定なアイソレータやサー
キュレータなどの回路素子に応用可能な材料である。
〈発明が解決しようとする課題〉 しかしながら、リチウムフェライトは、強磁性共鳴吸
収半値幅（ΔＨ）の誘電損失（tan δｅ）等の損失が他
のマイクロ波・ミリ波用フェライトに比べて大きいとい
う欠点を有している。
収半値幅（ΔＨ）の誘電損失（tan δｅ）等の損失が他
のマイクロ波・ミリ波用フェライトに比べて大きいとい
う欠点を有している。
例えば、純粋なリチウムフェライトLi0.5Fe2.5O4はΔ
Ｈとtan δｅが周波数10GH2で、それぞれ500エルステッ
ド以上、0.01以上と大きく、実際のマイクロ波・ミリ波
用回路素子には使用できない場合が多い。
Ｈとtan δｅが周波数10GH2で、それぞれ500エルステッ
ド以上、0.01以上と大きく、実際のマイクロ波・ミリ波
用回路素子には使用できない場合が多い。
この発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもの
で、Li0.5Fe2.5O4の一部をTiで置換して４πMsを任意の
値に設定できるようにすると共に、B2O3、SiO2の何れか
１種以上を添加含有させてΔＨとtan δｅについて改善
されたマイクロ波・ミリ波用磁性体材料を提供すること
を目的としている。
で、Li0.5Fe2.5O4の一部をTiで置換して４πMsを任意の
値に設定できるようにすると共に、B2O3、SiO2の何れか
１種以上を添加含有させてΔＨとtan δｅについて改善
されたマイクロ波・ミリ波用磁性体材料を提供すること
を目的としている。
〈課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために、この発明のマイクロ波・
ミリ波用磁性体組成物はLixFeyTizO0.5+y+1.5z（但し、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表わされる組成において、ｘ、ｙ、
ｚがれぞれ0.15≦ｘ≦0.30、0.55≦ｙ＜0.85、０＜ｚ≦
0.30の範囲にある組成を主成分とし、これにB2O3、SiO2
の何れか１種類以上を合計0.02モル％以上、1.0モル％
以下添加したことを特徴としている。。
ミリ波用磁性体組成物はLixFeyTizO0.5+y+1.5z（但し、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表わされる組成において、ｘ、ｙ、
ｚがれぞれ0.15≦ｘ≦0.30、0.55≦ｙ＜0.85、０＜ｚ≦
0.30の範囲にある組成を主成分とし、これにB2O3、SiO2
の何れか１種類以上を合計0.02モル％以上、1.0モル％
以下添加したことを特徴としている。。
〈作用〉 この発明によれば、４πMsを600〜3700ガウスの範囲
で任意に設定でき、従って、その使用する周波数に最も
適した４πMsの値を有する材料を選択でき、Tcが高いゆ
えに室温付近での４πMsの温度変化率が小さく、更に、
ΔＨ及びtan δｅが十分に小さい、マイクロ波・ミリ波
特性の良好な磁性体を得ることができる。
で任意に設定でき、従って、その使用する周波数に最も
適した４πMsの値を有する材料を選択でき、Tcが高いゆ
えに室温付近での４πMsの温度変化率が小さく、更に、
ΔＨ及びtan δｅが十分に小さい、マイクロ波・ミリ波
特性の良好な磁性体を得ることができる。
上述したこの発明の目的、特徴、および利点につい
て、以下図面を参照して実施例により説明する。
て、以下図面を参照して実施例により説明する。
〈実施例〉 先ず、原料として、高純度のLi2CO3、Fe2O3、TiO2、B
2O3およびSiO2を準備した。これらの原料を第１表に示
す組成が得られるように秤量し、エチルアルコールを分
散媒に用いてボールミルで16時間湿式混合した。この混
合物を乾燥した後、850℃で２時間仮焼し、仮焼物を得
た。この仮焼物をエチルアルコールおよび有機バインダ
と共に、ボールミルに入れ、16時間湿式粉砕した。この
粉砕物を乾燥した後、50メッシュの網を通して造粒し、
得られた粉末を2000kg/cm2の圧力で3mm×3mm×20mmの角
柱に成形した。この成形物を1050〜1200℃で２時間焼成
した後、機械加工により直径1.3mmの球および直径1.3m
m、長さ16mmの円柱のサンプルを得た。
2O3およびSiO2を準備した。これらの原料を第１表に示
す組成が得られるように秤量し、エチルアルコールを分
散媒に用いてボールミルで16時間湿式混合した。この混
合物を乾燥した後、850℃で２時間仮焼し、仮焼物を得
た。この仮焼物をエチルアルコールおよび有機バインダ
と共に、ボールミルに入れ、16時間湿式粉砕した。この
粉砕物を乾燥した後、50メッシュの網を通して造粒し、
得られた粉末を2000kg/cm2の圧力で3mm×3mm×20mmの角
柱に成形した。この成形物を1050〜1200℃で２時間焼成
した後、機械加工により直径1.3mmの球および直径1.3m
m、長さ16mmの円柱のサンプルを得た。
得られた球形サンプルについて、振動形磁力計を用い
て４πMsおよびTcを測定し、TE106空胴共振器中で10GHz
におけるΔＨを測定した。
て４πMsおよびTcを測定し、TE106空胴共振器中で10GHz
におけるΔＨを測定した。
また、円柱形サンプルについて、TM010空胴共振器中
で攝動法を用いて10GHzにおけるε、tan δｅを測定し
た。それらの結果を第１表に示す。
で攝動法を用いて10GHzにおけるε、tan δｅを測定し
た。それらの結果を第１表に示す。
尚、第１表中試料番号１〜７、12、13、18〜25、30、
31、36〜42はこの発明の範囲外であり、そのうち※印の
付されたものはΔＨおよびtanδｅの値が大きくなり実
用に適さないものを示している。
31、36〜42はこの発明の範囲外であり、そのうち※印の
付されたものはΔＨおよびtanδｅの値が大きくなり実
用に適さないものを示している。
又、試料番号１〜６及び19〜24は、Tiを添加しない比
較例であり、Tiを添加した他の試料との比較により、Ti
の添加やその添加量によって４πMsの値を任意に設定で
きるのがわかる。
較例であり、Tiを添加した他の試料との比較により、Ti
の添加やその添加量によって４πMsの値を任意に設定で
きるのがわかる。
更に、第１表に示した実験例の結果を、LixFeyTizO
0.5+y+1.5zの組成比を表わす３成分組成図中に示した。
この図面中の番号は、各試料番号を表わす。尚、この図
面において、発明の範囲内にある組成比を示す領域は、
頂点Ａ、Ｂ、ＣおよびＤを有する四角形（但し、ｚ＝０
の部分は含まず）で示されている。
0.5+y+1.5zの組成比を表わす３成分組成図中に示した。
この図面中の番号は、各試料番号を表わす。尚、この図
面において、発明の範囲内にある組成比を示す領域は、
頂点Ａ、Ｂ、ＣおよびＤを有する四角形（但し、ｚ＝０
の部分は含まず）で示されている。
次に、この発明の組成範囲を限定した理由について説
明する。
明する。
試料番号１、７、13、19、25および31のように、B
2O3、SiO2の何れか１種以上の添加量が合計0.02モル％
未満のものは、ΔＨ およびtan δｅが大きくなり、実
用に適さない。
2O3、SiO2の何れか１種以上の添加量が合計0.02モル％
未満のものは、ΔＨ およびtan δｅが大きくなり、実
用に適さない。
また、試料番号６、12、18、24、30および36のようにB2
O3、SiO2の何れか１種以上の添加量が合計1.0モル％を
越えるものはtan δｅが大きくなり好ましくない。
O3、SiO2の何れか１種以上の添加量が合計1.0モル％を
越えるものはtan δｅが大きくなり好ましくない。
試料番号37および38のように、ｘが0.15未満になる
と、ΔＨおよびtan δｅが大きくなり好ましくない。
と、ΔＨおよびtan δｅが大きくなり好ましくない。
試料番号39および40のように、ｙが0.55未満になる
と、ΔＨおよびtan δｅが大きく、かつTcが低くなり、
従って４πMsの温度変化率が大きくなり好ましくない。
と、ΔＨおよびtan δｅが大きく、かつTcが低くなり、
従って４πMsの温度変化率が大きくなり好ましくない。
試料番号41および42のように、ｘが0.3を越えると、
ΔＨおよびtan δｅが大きくなり好ましくない。
ΔＨおよびtan δｅが大きくなり好ましくない。
これに対して、この発明の磁性体組成物では十分に小
さいΔＨとtan δｅを有し、かつ高いTcを有している。
更に、LixFeyTizO0.5+y+1.5zの化学式で表わされるｘ、
ｙおよびｚをこの発明の範囲内で適宜変化させることに
よって、４πMsの値を600〜3700ガウスの間で自由に選
択することができ、従って、使用する周波数に最も適し
た４πMsの値を得ることができるのである。
さいΔＨとtan δｅを有し、かつ高いTcを有している。
更に、LixFeyTizO0.5+y+1.5zの化学式で表わされるｘ、
ｙおよびｚをこの発明の範囲内で適宜変化させることに
よって、４πMsの値を600〜3700ガウスの間で自由に選
択することができ、従って、使用する周波数に最も適し
た４πMsの値を得ることができるのである。
図面はこの発明にかかるマイクロ波・ミリ波用磁性体組
成物のLixFeyTizO0.5+y+1.5zの組成比を表わす３成分組
成図である。
成物のLixFeyTizO0.5+y+1.5zの組成比を表わす３成分組
成図である。
Claims (1)
- 【請求項１】LixFeyTizO0.5+y+1.5z（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１）で表される組成において、ｘ、ｙ、ｚがそれぞれ
0.15≦ｘ≦0.30、 0.55≦ｙ＜0.85、０＜ｚ≦0.30の範囲にある組成を主成
分とし、これにB2O3、SiO2の何れか１種類以上を合計0.
02モル％以上、1.0モル％以下添加含有してなるマイク
ロ波・ミリ波用磁性体組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153128A JPH081843B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 |
| US07/452,704 US5028348A (en) | 1988-12-19 | 1989-12-19 | Magnetic material for high frequencies |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1153128A JPH081843B2 (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319203A JPH0319203A (ja) | 1991-01-28 |
| JPH081843B2 true JPH081843B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=15555598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1153128A Expired - Fee Related JPH081843B2 (ja) | 1988-12-19 | 1989-06-15 | マイクロ波・ミリ波用磁性体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH081843B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5815923B2 (ja) * | 1974-10-04 | 1983-03-28 | 日本電気株式会社 | マイクロハ ミリハヨウフエライト |
| JPS5853496B2 (ja) * | 1975-08-27 | 1983-11-29 | 株式会社東芝 | マイクロハヨウフエリジセイザイリヨウ |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1153128A patent/JPH081843B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0319203A (ja) | 1991-01-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |