JPH08184817A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH08184817A JPH08184817A JP6326158A JP32615894A JPH08184817A JP H08184817 A JPH08184817 A JP H08184817A JP 6326158 A JP6326158 A JP 6326158A JP 32615894 A JP32615894 A JP 32615894A JP H08184817 A JPH08184817 A JP H08184817A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】遮光層、透明電極、及び金属電極を１つのフォ
トマスクによって形成し、製造コストの増加を防止す
る。 【構成】ネガ型レジスト２１とフォトマスク２２とを用
いて露光を行い、その後に現像及びエッチングを行う
と、露光された部分には遮光層３，…が形成される（図
(a) 〜(c) 参照）。一方、ポジ型レジスト２６と上述の
フォトマスク２２とを用いて露光を行い、その後に現像
及びエッチングを行うと、露光されていない部分には透
明電極６，…が形成される（図(e) 〜(g) 参照）。さら
に、上述のフォトマスク２２を少しずらした上でネガ型
レジスト２９を用いて露光を行い、その後に現像及びエ
ッチングを行うと、透明電極６，…の表面には金属電極
７，…が形成される（図(j) 参照）。
トマスクによって形成し、製造コストの増加を防止す
る。 【構成】ネガ型レジスト２１とフォトマスク２２とを用
いて露光を行い、その後に現像及びエッチングを行う
と、露光された部分には遮光層３，…が形成される（図
(a) 〜(c) 参照）。一方、ポジ型レジスト２６と上述の
フォトマスク２２とを用いて露光を行い、その後に現像
及びエッチングを行うと、露光されていない部分には透
明電極６，…が形成される（図(e) 〜(g) 参照）。さら
に、上述のフォトマスク２２を少しずらした上でネガ型
レジスト２９を用いて露光を行い、その後に現像及びエ
ッチングを行うと、透明電極６，…の表面には金属電極
７，…が形成される（図(j) 参照）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には、液晶を利
用して情報を表示する液晶表示素子の製造方法に係り、
詳しくは１枚のフォトマスクによって複数の層を形成す
るようにしたものに関する。
用して情報を表示する液晶表示素子の製造方法に係り、
詳しくは１枚のフォトマスクによって複数の層を形成す
るようにしたものに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶を用いて情報を表示する
液晶表示素子は種々提案されている。
液晶表示素子は種々提案されている。
【０００３】かかる液晶表示素子Ｐは、図１に示すよう
に一対のガラス基板１，２を備えており、下側のガラス
基板１（以下、“下基板１”とする）の表面には、Ｃｒ
膜等による遮光層３，…が多数ストライプ状に形成され
ている。また、これらの遮光層３，…の間にはカラーフ
ィルタ５，…が配置されており、さらにカラーフィルタ
５，…の表面には、同じくストライプ状の透明電極６，
…、及び金属電極７，…が順に形成されている。一方、
上側のガラス基板２（以下、“上基板２”とする）の表
面には透明電極９，…が形成されている。なお、これら
の透明電極６，…及び９，…等は、それぞれ絶縁膜（不
図示）及び配向膜（同じく不図示）によって被覆されて
いる。また、これらの基板１，２はスペーサ（不図示）
を介して貼り合わされており、基板間には液晶１０が注
入されている。
に一対のガラス基板１，２を備えており、下側のガラス
基板１（以下、“下基板１”とする）の表面には、Ｃｒ
膜等による遮光層３，…が多数ストライプ状に形成され
ている。また、これらの遮光層３，…の間にはカラーフ
ィルタ５，…が配置されており、さらにカラーフィルタ
５，…の表面には、同じくストライプ状の透明電極６，
…、及び金属電極７，…が順に形成されている。一方、
上側のガラス基板２（以下、“上基板２”とする）の表
面には透明電極９，…が形成されている。なお、これら
の透明電極６，…及び９，…等は、それぞれ絶縁膜（不
図示）及び配向膜（同じく不図示）によって被覆されて
いる。また、これらの基板１，２はスペーサ（不図示）
を介して貼り合わされており、基板間には液晶１０が注
入されている。
【０００４】次に、液晶表示素子Ｐの製造方法について
説明する。
説明する。
【０００５】液晶表示素子Ｐの製造に際しては、まず、
下基板１の表面にＣｒ膜を形成する。そして、該Ｃｒ膜
の表面にポジ型レジストを塗布し、遮光層形成用のフォ
トマスクを用いて露光し、その後、現像及びエッチング
を行って所定形状の遮光層３，…を形成していた。さら
に、カラーフィルタ５，…等の絶縁層を形成した後に、
これらのカラーフィルタ５，…及び遮光層３，…を覆う
ようにＩＴＯ膜（インジウム−スズ酸化物）を形成し、
このＩＴＯ膜の表面にポジ型レジストを塗布する。そし
て、透明電極形成用のフォトマスクを用いて露光し、そ
の後、現像及びエッチングを行って所定形状の透明電極
６，…を得ていた。さらに、透明電極６，…等の表面に
は金属電極用の金属薄膜を形成し、該金属薄膜の表面に
はポジ型レジストを塗布し、金属電極用のフォトマスク
を用いて露光し、その後、現像及びエッチングを行って
所定形状の金属電極７，…を形成していた。
下基板１の表面にＣｒ膜を形成する。そして、該Ｃｒ膜
の表面にポジ型レジストを塗布し、遮光層形成用のフォ
トマスクを用いて露光し、その後、現像及びエッチング
を行って所定形状の遮光層３，…を形成していた。さら
に、カラーフィルタ５，…等の絶縁層を形成した後に、
これらのカラーフィルタ５，…及び遮光層３，…を覆う
ようにＩＴＯ膜（インジウム−スズ酸化物）を形成し、
このＩＴＯ膜の表面にポジ型レジストを塗布する。そし
て、透明電極形成用のフォトマスクを用いて露光し、そ
の後、現像及びエッチングを行って所定形状の透明電極
６，…を得ていた。さらに、透明電極６，…等の表面に
は金属電極用の金属薄膜を形成し、該金属薄膜の表面に
はポジ型レジストを塗布し、金属電極用のフォトマスク
を用いて露光し、その後、現像及びエッチングを行って
所定形状の金属電極７，…を形成していた。
【０００６】ところで、上述従来例においては、ポジ型
レジストを用いていたため、露光後の現像により光が照
射された部分のレジストが溶解され、該部分の層が残さ
れることとなる。
レジストを用いていたため、露光後の現像により光が照
射された部分のレジストが溶解され、該部分の層が残さ
れることとなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した遮
光層３，…、透明電極６，…及び金属電極７，…は、い
ずれも成膜工程、フォトリソ工程（露光・現像工程）、
及びエッチング工程を経て形成されているが、一般に、
フォトマスクは、形成する層（遮光層、透明電極、及び
金属電極等）の数だけ必要であった。しかし、このフォ
トマスクは一般に高価なものであり、液晶表示素子の製
造に際して必要なフォトマスクの数が上述のように多い
と、製造コストが高くなってしまうという問題があっ
た。特に、４分割露光方式のマスクアライナーを用い、
１つの層の形成に４つのフォトマスクを必要とする場合
には、さらにフォトマスクの枚数が多くなってしまい、
上述問題は顕著であった。
光層３，…、透明電極６，…及び金属電極７，…は、い
ずれも成膜工程、フォトリソ工程（露光・現像工程）、
及びエッチング工程を経て形成されているが、一般に、
フォトマスクは、形成する層（遮光層、透明電極、及び
金属電極等）の数だけ必要であった。しかし、このフォ
トマスクは一般に高価なものであり、液晶表示素子の製
造に際して必要なフォトマスクの数が上述のように多い
と、製造コストが高くなってしまうという問題があっ
た。特に、４分割露光方式のマスクアライナーを用い、
１つの層の形成に４つのフォトマスクを必要とする場合
には、さらにフォトマスクの枚数が多くなってしまい、
上述問題は顕著であった。
【０００８】ここで、フォトマスクが層毎に必要である
理由について簡単に説明する。
理由について簡単に説明する。
【０００９】従来より、パターニング精度、露光工程の
スループット、現像液や剥離液の取扱い易さの観点か
ら、一般にはポジ型レジストのみが用いられていた。か
かるポジ型レジストを使用した場合には、上述したよう
に光を照射した部分が溶解・除去されるが、該除去すべ
き部分の形状や面積は、遮光層３，…、透明電極６，
…、及び金属電極７，…によって異なり、したがって、
異なる形状のフォトマスクを多数使用する必要があっ
た。
スループット、現像液や剥離液の取扱い易さの観点か
ら、一般にはポジ型レジストのみが用いられていた。か
かるポジ型レジストを使用した場合には、上述したよう
に光を照射した部分が溶解・除去されるが、該除去すべ
き部分の形状や面積は、遮光層３，…、透明電極６，
…、及び金属電極７，…によって異なり、したがって、
異なる形状のフォトマスクを多数使用する必要があっ
た。
【００１０】そこで、本発明は、ネガ型レジストとポジ
型レジストとを使い分けることにより、形成領域の異な
る複数の層を１つのフォトマスクによって形成可能と
し、製造コストの増加を防止する液晶表示素子の製造方
法を提供することを目的とするものである。
型レジストとを使い分けることにより、形成領域の異な
る複数の層を１つのフォトマスクによって形成可能と
し、製造コストの増加を防止する液晶表示素子の製造方
法を提供することを目的とするものである。
【００１１】また、本発明は、露光条件を相対的に調整
して金属層である第１の層と透明電極である第２の層と
がオーバーラップするように形成することにより、表示
品質の高い液晶表示素子の製造を可能とした液晶表示素
子の製造方法を提供することを目的とするものである。
して金属層である第１の層と透明電極である第２の層と
がオーバーラップするように形成することにより、表示
品質の高い液晶表示素子の製造を可能とした液晶表示素
子の製造方法を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、基板上に所定間隙を開けて第
１の層を複数形成する第１層形成工程と、前記複数の第
１の層の所定間隙内に第２の層を形成する第２層形成工
程と、を備えた液晶表示素子の製造方法について、前記
第１層形成工程が、ネガ型レジストを塗布する第１レジ
スト塗布工程と、フォトマスクを使用して露光する第１
露光工程と、を少なくとも有し、前記第２層形成工程
が、ポジ型レジストを塗布する第２レジスト塗布工程
と、前記フォトマスクを使用して露光する第２露光工程
と、を少なくとも有し、かつ、前記第１露光工程及び前
記第２露光工程にて同じフォトマスクを使用する、こと
を特徴とする。この場合、前記第１の層が、画素間の遮
光を行う金属層であり、かつ、前記第２の層が、これら
の金属層の間隙に形成される透明電極である、ようにし
てもよい。また、前記第１露光工程と前記第２露光工程
における露光条件を相対的に調整し、かつ、前記第１の
層と前記第２の層とがオーバーラップするように形成す
ると好ましい。
みなされたものであって、基板上に所定間隙を開けて第
１の層を複数形成する第１層形成工程と、前記複数の第
１の層の所定間隙内に第２の層を形成する第２層形成工
程と、を備えた液晶表示素子の製造方法について、前記
第１層形成工程が、ネガ型レジストを塗布する第１レジ
スト塗布工程と、フォトマスクを使用して露光する第１
露光工程と、を少なくとも有し、前記第２層形成工程
が、ポジ型レジストを塗布する第２レジスト塗布工程
と、前記フォトマスクを使用して露光する第２露光工程
と、を少なくとも有し、かつ、前記第１露光工程及び前
記第２露光工程にて同じフォトマスクを使用する、こと
を特徴とする。この場合、前記第１の層が、画素間の遮
光を行う金属層であり、かつ、前記第２の層が、これら
の金属層の間隙に形成される透明電極である、ようにし
てもよい。また、前記第１露光工程と前記第２露光工程
における露光条件を相対的に調整し、かつ、前記第１の
層と前記第２の層とがオーバーラップするように形成す
ると好ましい。
【００１３】
【作用】以上構成に基づき、第１レジスト塗布工程にて
ポジ型レジストを使用すると、エッチングによって光の
照射された部分の第１の層が除去される。また、第２レ
ジスト塗布工程にてネガ型レジストを使用すると、エッ
チングによって光の照射されていない部分の第２の層が
除去される。したがって、第１露光工程と第２露光工程
とにおいて同じフォトマスクを使用するにもかかわら
ず、前記第１の層が形成される領域と、前記第２の層が
形成される領域とは異なる。換言すれば、互いに異なる
形状である第１の層と第２の層とを形成するに際し、同
一形状のフォトマスクを使用できる。
ポジ型レジストを使用すると、エッチングによって光の
照射された部分の第１の層が除去される。また、第２レ
ジスト塗布工程にてネガ型レジストを使用すると、エッ
チングによって光の照射されていない部分の第２の層が
除去される。したがって、第１露光工程と第２露光工程
とにおいて同じフォトマスクを使用するにもかかわら
ず、前記第１の層が形成される領域と、前記第２の層が
形成される領域とは異なる。換言すれば、互いに異なる
形状である第１の層と第２の層とを形成するに際し、同
一形状のフォトマスクを使用できる。
【００１４】
【実施例】以下、図面に沿って、本発明の実施例につい
て説明する。なお、図１に示すものと同一部分は同一符
号を付して説明を省略する。
て説明する。なお、図１に示すものと同一部分は同一符
号を付して説明を省略する。
【００１５】まず、本発明の第１実施例について、図２
に沿って説明する。
に沿って説明する。
【００１６】本実施例においては、遮光層（第１の層）
３，…、透明電極（第２の層）６，…、及び金属電極
７，…の形成には、同一のフォトマスク２２を使用して
いる。また、かかるフォトマスク２２は多数の開口部２
２ａ，…を有するが、それらの開口面積をＳ0 とする。
そして、本実施例に係る液晶表示素子の製造方法は、以
下の通りである。 〈遮光層３，…の形成（第１層形成工程）〉いま、下基
板１の表面にＣｒ膜等の金属膜２０を形成し、該金属膜
２０の表面にはネガ型レジスト２１を塗布する（第１レ
ジスト塗布工程）。そして、所定形状のフォトマスク２
２を用いてオーバー露光を行う（第１露光工程、図２
(a) 参照）。このオーバー露光によって、露光される面
積Ｓ1 はフォトマスク２２の開口面積Ｓ0 よりも大きな
ものとなる。次に、レジスト２１の現像を行うが、この
レジスト２１はネガ型であることから、光が照射された
部分（面積Ｓ1 の部分）は現像液に不溶であり、光の照
射されていない部分のレジスト２１は溶解される（図２
(b) 参照）。次に、所定のエッチング液にてエッチング
処理を行うが、光が照射されなかった部分にはレジスト
２１は被覆されていないため、該部分の金属膜２０は溶
解される。これにより遮光層３，…が所定間隙を開けて
形成されるが、その形状は、フォトマスク２２の開口部
形状に相当するものとなる（図２(c) 参照）。 〈カラーフィルタ２３，…の形成〉次に、カラーフィル
タ２３，…を形成する（図２(d) 参照）。このカラーフ
ィルタ２３，…は、各色毎に成膜、現像、エッチングを
行い遮光層３，…の間隙部に形成するが、各カラーフィ
ルタ２３，…は、遮光層３，…に多少オーバーラップす
るように形成する。 〈透明電極６，…の形成（第２層形成工程）〉さらに、
これらのカラーフィルタ２３，…及び遮光層３，…の表
面には透明な導電膜２５を形成する（図２(e) 参照）。
そして、該導電膜２５の表面にはポジ型レジスト２６を
塗布し（第２レジスト塗布工程）、遮光層３，…の形成
の際に用いたフォトマスク２２を再び使用して露光を行
う（第２露光工程）。なお、このフォトマスク２２をセ
ットする位置は、遮光層３，…の形成の際と同一とし、
また、露光面積Ｓ2 がフォトマスク２２の開口面積Ｓ0
と同一となるように露光量を調節する。そして、現像を
行うと、レジスト２６はポジ型であることから、光が照
射された部分（面積Ｓ2 の部分）のレジスト２６は溶解
され、光の照射されない部分にのみレジスト２６が残存
する（図２(f) 参照）。さらに、エッチング処理を行う
と、レジスト２６によって被覆されていない部分（面積
Ｓ2 の部分）が選択的に溶解され、カラーフィルタ２
３，…と同一形状の透明電極６，…が形成されることと
なる（図２(g) 参照）。すなわち、遮光層３，…の間隙
内、詳しくは該間隙の上方にストライプ上の透明電極
６，…が多数形成される。なお、本実施例においては、
露光量を調整して露光面積（Ｓ1 ＞Ｓ0 ＝Ｓ2 ）を変化
させることにより、遮光層３，…の端部と透明電極６，
…の端部とをオーバーラップさせている。 〈金属電極７，…の形成〉上述のように透明電極６，…
を形成した後には、モリブデン等による金属薄膜２７を
下基板１の全体に形成し、さらに該薄膜２７の表面には
ネガ型レジスト２９を塗布する（図２(h) 参照）。そし
て、上述したフォトマスク２２を用いて再び露光を行う
が、このときのフォトマスク２２の位置は、フォトマス
ク２２の開口部２２ａ，…の端縁が透明電極６，…の端
縁と一致し（図中、破線Ｌ参照）、かつ透明電極６，…
の上方部分が露光されるような位置にした。なお、この
ときの露光面積Ｓ3 は開口面積Ｓ0 よりも小さくなるよ
うに露光量を調整し、アンダー露光を行うようにした
（図２(i) 参照）。さらに、現像及びエッチングを行う
ことにより、透明電極６，…の表面に金属電極７，…を
形成した（図２(j) 参照）。
３，…、透明電極（第２の層）６，…、及び金属電極
７，…の形成には、同一のフォトマスク２２を使用して
いる。また、かかるフォトマスク２２は多数の開口部２
２ａ，…を有するが、それらの開口面積をＳ0 とする。
そして、本実施例に係る液晶表示素子の製造方法は、以
下の通りである。 〈遮光層３，…の形成（第１層形成工程）〉いま、下基
板１の表面にＣｒ膜等の金属膜２０を形成し、該金属膜
２０の表面にはネガ型レジスト２１を塗布する（第１レ
ジスト塗布工程）。そして、所定形状のフォトマスク２
２を用いてオーバー露光を行う（第１露光工程、図２
(a) 参照）。このオーバー露光によって、露光される面
積Ｓ1 はフォトマスク２２の開口面積Ｓ0 よりも大きな
ものとなる。次に、レジスト２１の現像を行うが、この
レジスト２１はネガ型であることから、光が照射された
部分（面積Ｓ1 の部分）は現像液に不溶であり、光の照
射されていない部分のレジスト２１は溶解される（図２
(b) 参照）。次に、所定のエッチング液にてエッチング
処理を行うが、光が照射されなかった部分にはレジスト
２１は被覆されていないため、該部分の金属膜２０は溶
解される。これにより遮光層３，…が所定間隙を開けて
形成されるが、その形状は、フォトマスク２２の開口部
形状に相当するものとなる（図２(c) 参照）。 〈カラーフィルタ２３，…の形成〉次に、カラーフィル
タ２３，…を形成する（図２(d) 参照）。このカラーフ
ィルタ２３，…は、各色毎に成膜、現像、エッチングを
行い遮光層３，…の間隙部に形成するが、各カラーフィ
ルタ２３，…は、遮光層３，…に多少オーバーラップす
るように形成する。 〈透明電極６，…の形成（第２層形成工程）〉さらに、
これらのカラーフィルタ２３，…及び遮光層３，…の表
面には透明な導電膜２５を形成する（図２(e) 参照）。
そして、該導電膜２５の表面にはポジ型レジスト２６を
塗布し（第２レジスト塗布工程）、遮光層３，…の形成
の際に用いたフォトマスク２２を再び使用して露光を行
う（第２露光工程）。なお、このフォトマスク２２をセ
ットする位置は、遮光層３，…の形成の際と同一とし、
また、露光面積Ｓ2 がフォトマスク２２の開口面積Ｓ0
と同一となるように露光量を調節する。そして、現像を
行うと、レジスト２６はポジ型であることから、光が照
射された部分（面積Ｓ2 の部分）のレジスト２６は溶解
され、光の照射されない部分にのみレジスト２６が残存
する（図２(f) 参照）。さらに、エッチング処理を行う
と、レジスト２６によって被覆されていない部分（面積
Ｓ2 の部分）が選択的に溶解され、カラーフィルタ２
３，…と同一形状の透明電極６，…が形成されることと
なる（図２(g) 参照）。すなわち、遮光層３，…の間隙
内、詳しくは該間隙の上方にストライプ上の透明電極
６，…が多数形成される。なお、本実施例においては、
露光量を調整して露光面積（Ｓ1 ＞Ｓ0 ＝Ｓ2 ）を変化
させることにより、遮光層３，…の端部と透明電極６，
…の端部とをオーバーラップさせている。 〈金属電極７，…の形成〉上述のように透明電極６，…
を形成した後には、モリブデン等による金属薄膜２７を
下基板１の全体に形成し、さらに該薄膜２７の表面には
ネガ型レジスト２９を塗布する（図２(h) 参照）。そし
て、上述したフォトマスク２２を用いて再び露光を行う
が、このときのフォトマスク２２の位置は、フォトマス
ク２２の開口部２２ａ，…の端縁が透明電極６，…の端
縁と一致し（図中、破線Ｌ参照）、かつ透明電極６，…
の上方部分が露光されるような位置にした。なお、この
ときの露光面積Ｓ3 は開口面積Ｓ0 よりも小さくなるよ
うに露光量を調整し、アンダー露光を行うようにした
（図２(i) 参照）。さらに、現像及びエッチングを行う
ことにより、透明電極６，…の表面に金属電極７，…を
形成した（図２(j) 参照）。
【００１７】次に、本実施例の効果について説明する。
【００１８】本実施例によれば、遮光層３，…が形成さ
れる領域と、透明電極６，…が形成される領域とが相反
するにもかかわらず、ネガ型レジスト２１とポジ型レジ
スト２６とを使い分けることにより、同一のフォトマス
ク２２でそれらの形成を可能とした。また、金属電極
７，…の形成に際しては、フォトマスク２２をシフトさ
せると共にアンダー露光を行って露光面積Ｓ3 を調整す
ることにより、同一のフォトマスク２２での金属電極
７，…の形成を可能とした。このように、１つのフォト
マスク２２によって遮光層３，…、透明電極６，…、及
び金属電極７，…の形成が可能となり、高価なフォトマ
スクを多数用意する必要がないため、液晶表示素子の製
造原価が低減される。
れる領域と、透明電極６，…が形成される領域とが相反
するにもかかわらず、ネガ型レジスト２１とポジ型レジ
スト２６とを使い分けることにより、同一のフォトマス
ク２２でそれらの形成を可能とした。また、金属電極
７，…の形成に際しては、フォトマスク２２をシフトさ
せると共にアンダー露光を行って露光面積Ｓ3 を調整す
ることにより、同一のフォトマスク２２での金属電極
７，…の形成を可能とした。このように、１つのフォト
マスク２２によって遮光層３，…、透明電極６，…、及
び金属電極７，…の形成が可能となり、高価なフォトマ
スクを多数用意する必要がないため、液晶表示素子の製
造原価が低減される。
【００１９】また、本実施例によれば、露光量を調整し
て遮光層３，…の端部と、透明電極６，…の端部とをオ
ーバーラップさせるようにしたため、遮光層３，…の形
成されていない部分を最大限に活用して表示面積を拡大
できると共に、完全な遮光を行ってコントラストの向上
が図れる。したがって、表示品質の高い液晶表示素子を
得ることができる。
て遮光層３，…の端部と、透明電極６，…の端部とをオ
ーバーラップさせるようにしたため、遮光層３，…の形
成されていない部分を最大限に活用して表示面積を拡大
できると共に、完全な遮光を行ってコントラストの向上
が図れる。したがって、表示品質の高い液晶表示素子を
得ることができる。
【００２０】ついで、本発明の第２実施例について、図
３に沿って簡単に説明する。
３に沿って簡単に説明する。
【００２１】上述実施例においては、遮光層３，…の形
成にネガ型レジスト２１を用い、透明電極６，…の形成
にポジ型レジスト２６を用い、さらに金属電極７，…の
形成にネガ型レジスト２９を用いたが、もちろんこれに
限る必要はない。
成にネガ型レジスト２１を用い、透明電極６，…の形成
にポジ型レジスト２６を用い、さらに金属電極７，…の
形成にネガ型レジスト２９を用いたが、もちろんこれに
限る必要はない。
【００２２】すなわち、本実施例に用いるフォトマスク
３２は、上述実施例で用いたフォトマスク２２の開口部
２２ａ，…と遮蔽部分（開口部以外の部分）とが逆にな
っており、図３に詳示するように、フォトマスク２２の
遮蔽部分に相当する部分に開口部３２ａ，…が形成さ
れ、フォトマスク２２の開口部２２ａ，…に相当する部
分が遮蔽部分となっている。そして、本実施例において
は、遮光層３，…の形成にポジ型レジストを用い、透明
電極６，…の形成にネガ型レジストを用い、さらに金属
電極７，…の形成にポジ型レジストを用いる。なお、露
光量を調整して遮光層３，…の端部と透明電極６，…の
端部とをオーバーラップさせること、及び金属電極形成
時における露光面積を小さくすることは、上述実施例と
同様である。
３２は、上述実施例で用いたフォトマスク２２の開口部
２２ａ，…と遮蔽部分（開口部以外の部分）とが逆にな
っており、図３に詳示するように、フォトマスク２２の
遮蔽部分に相当する部分に開口部３２ａ，…が形成さ
れ、フォトマスク２２の開口部２２ａ，…に相当する部
分が遮蔽部分となっている。そして、本実施例において
は、遮光層３，…の形成にポジ型レジストを用い、透明
電極６，…の形成にネガ型レジストを用い、さらに金属
電極７，…の形成にポジ型レジストを用いる。なお、露
光量を調整して遮光層３，…の端部と透明電極６，…の
端部とをオーバーラップさせること、及び金属電極形成
時における露光面積を小さくすることは、上述実施例と
同様である。
【００２３】次に、本実施例の効果について説明する。
【００２４】本実施例によれば、透明電極６，…の形成
にはネガ型レジストを用いるため、透明電極６，…への
ゴミの付着が低減され、それに伴いショート（短絡）の
発生が低減される。
にはネガ型レジストを用いるため、透明電極６，…への
ゴミの付着が低減され、それに伴いショート（短絡）の
発生が低減される。
【００２５】また、本実施例においても、上述第１実施
例と同様の効果を奏する。すなわち、遮光層３，…、透
明電極６，…、及び金属電極７，…の形成が１つのフォ
トマスクによって可能となり、高価なフォトマスクを多
数用意する必要がないため、液晶表示素子の製造原価が
低減される。また、露光量を調整して遮光層３，…の端
部と透明電極６，…の端部とをオーバーラップさせるこ
とにより、遮光層３，…の形成されていない部分を最大
限に活用して表示面積を拡大できると共に、完全な遮光
を行ってコントラストの向上が図れる。したがって、表
示品質の高い液晶表示素子を得ることができる。
例と同様の効果を奏する。すなわち、遮光層３，…、透
明電極６，…、及び金属電極７，…の形成が１つのフォ
トマスクによって可能となり、高価なフォトマスクを多
数用意する必要がないため、液晶表示素子の製造原価が
低減される。また、露光量を調整して遮光層３，…の端
部と透明電極６，…の端部とをオーバーラップさせるこ
とにより、遮光層３，…の形成されていない部分を最大
限に活用して表示面積を拡大できると共に、完全な遮光
を行ってコントラストの向上が図れる。したがって、表
示品質の高い液晶表示素子を得ることができる。
【００２６】なお、本発明者は、図４に示したモザイク
カラーフィルタ３３，…を用いた構成の液晶表示素子
を、上述第１及び第２実施例に沿って製造し、表示品質
等を調べた。その結果、このモザイクカラーフィルタ３
３，…を用いたものは、色再現性に優れ、表示品位が向
上していることが確認できた。
カラーフィルタ３３，…を用いた構成の液晶表示素子
を、上述第１及び第２実施例に沿って製造し、表示品質
等を調べた。その結果、このモザイクカラーフィルタ３
３，…を用いたものは、色再現性に優れ、表示品位が向
上していることが確認できた。
【００２７】ところで、上述実施例はどのようなタイプ
の液晶表示素子にも適用が可能であるが、強誘電性液晶
を用いた素子に適用することが好ましい。
の液晶表示素子にも適用が可能であるが、強誘電性液晶
を用いた素子に適用することが好ましい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
第１の層が形成される領域と、第２の層が形成される領
域とが相反するにもかかわらず、ネガ型レジストとポジ
型レジストとを使い分けることにより、同一のフォトマ
スクでそれらの形成を可能とした。したがって、高価な
フォトマスクを多数用意する必要がないため、液晶表示
素子の製造原価が低減される。
第１の層が形成される領域と、第２の層が形成される領
域とが相反するにもかかわらず、ネガ型レジストとポジ
型レジストとを使い分けることにより、同一のフォトマ
スクでそれらの形成を可能とした。したがって、高価な
フォトマスクを多数用意する必要がないため、液晶表示
素子の製造原価が低減される。
【００２９】また、前記第１露光工程と前記第２露光工
程における露光条件を相対的に調整し、かつ、金属層で
ある第１の層と透明電極である第２の層とがオーバーラ
ップするようにした場合には、前記金属層の形成されて
いない部分を最大限に活用して表示面積を拡大できると
共に、完全な遮光を行ってコントラストの向上が図れ
る。したがって、表示品質の高い液晶表示素子を得るこ
とができる。
程における露光条件を相対的に調整し、かつ、金属層で
ある第１の層と透明電極である第２の層とがオーバーラ
ップするようにした場合には、前記金属層の形成されて
いない部分を最大限に活用して表示面積を拡大できると
共に、完全な遮光を行ってコントラストの向上が図れ
る。したがって、表示品質の高い液晶表示素子を得るこ
とができる。
【図１】液晶表示素子の構造を説明するための断面図。
【図２】本発明の第１実施例を説明するための図で、
(a) 〜(c) は遮光層の形成過程を示す図、(d) はカラー
フィルタを形成した状態を示す図、(e) 〜(g) は透明電
極の形成過程を示す図、(h) 〜(j) は金属電極の形成過
程を示す図。
(a) 〜(c) は遮光層の形成過程を示す図、(d) はカラー
フィルタを形成した状態を示す図、(e) 〜(g) は透明電
極の形成過程を示す図、(h) 〜(j) は金属電極の形成過
程を示す図。
【図３】第２実施例に用いるフォトマスクの形状を説明
するための端面図。
するための端面図。
【図４】モザイクカラーフィルタの形状を示す図。
１ ガラス基板（基板） ３，… 遮光層（第１の層、金属層） ６，… 透明電極（第２の層） ２１ ポジ型レジスト ２２ フォトマスク ２６ ネガ型レジスト ３２ フォトマスク Ｐ 液晶表示素子
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に所定間隙を開けて第１の層を複
数形成する第１層形成工程と、前記複数の第１の層の所
定間隙内に第２の層を形成する第２層形成工程と、を備
えた液晶表示素子の製造方法について、 前記第１層形成工程が、ネガ型レジストを塗布する第１
レジスト塗布工程と、フォトマスクを使用して露光する
第１露光工程と、を少なくとも有し、 前記第２層形成工程が、ポジ型レジストを塗布する第２
レジスト塗布工程と、前記フォトマスクを使用して露光
する第２露光工程と、を少なくとも有し、かつ、 前記第１露光工程及び前記第２露光工程にて同じフォト
マスクを使用する、 ことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の層が、画素間の遮光を行う金
属層であり、かつ、 前記第２の層が、これらの金属層の間隙に形成される透
明電極である、 ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示素子の製造方
法。 - 【請求項３】 前記第１露光工程と前記第２露光工程に
おける露光条件を相対的に調整し、かつ、 前記第１の層と前記第２の層とがオーバーラップするよ
うにした、 ことを特徴とする請求項２記載の液晶表示素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6326158A JPH08184817A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6326158A JPH08184817A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08184817A true JPH08184817A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18184704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6326158A Pending JPH08184817A (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08184817A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009216978A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置、電子機器、カラーフィルタ基板及び製造方法 |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP6326158A patent/JPH08184817A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009216978A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置、電子機器、カラーフィルタ基板及び製造方法 |
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