JPH08185794A - マイクロエミッタ電極の製造方法およびマイクロエミッタ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電子を放出するためのマイクロエミッタ電極
の集積度を向上すると共に、これらを個々に制御して微
細領域での電子放出を可能にする。 【構成】 シリコン基板１１上に複数のテーパ状のトレ
ンチ１３を形成するプロセスと、トレンチ１３に金属１
４を堆積するプロセスと、金属１４の上およびシリコン
基板１１上に絶縁物１５を形成するプロセスと、シリコ
ン基板１１をエッチングして、トレンチ１３に堆積され
た金属１４の少なくとも１部を露出させて電極１６とす
るプロセスと、によりマイクロエミッタ電極を製造す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はマイクロエミッタ電極の
製造方法およびマイクロエミッタ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】マイクロエミッタ電極は、細かい電極を
多数、高い集積度で配置し、ここから電子を放出させる
ための電極である。このマイクロエミッタ電極は、従来
から、シリコン基板を等方エッチングすることにより電
子を放出する電極を形成することにより構成される。

【０００３】より詳しくは、マイクロエミッタ電極は、
図７からわかるように、シリコン基板１０１上にマスク
１０２を形成し、この状態で等方性エッチングを施し
て、マスク１０２とマスク１０２の間の材料を除去して
溝１０１ａを形成し、各マスク１０２の真下に電極１０
１ｂ，１０１ｂ，……を残存させることにより構成され
ていた。この図７からわかるように、電極１０１ｂは２
つの溝１０１ａ，１０１ａの間に形成されるものである
ため、この電極１０１ｂを先端の細いものとするには、
２つのマスク１０２の間をある程度広げ且つ溝１０１ａ
をある程度深くする必要がある。これにより、２つの電
極１０１ｂ，１０１ｂ間の間隔は必然的にある程度広い
ものとなるのが避けられない。電極１０１ｂの集積度は
一般に１０^４〜１０^５（個／ｍｍ² ）程度となる。集積
度を高める要求はあるものの、このような加工方法で作
っている限り限度があり、このことが一般に知られてい
るため、この程度以上の集積度、例えば１桁あるいは２
桁程度集積度を上げることについての要求は従来は特別
なかった。つまり、従来は、従来行われている加工方法
のもとで工夫することによる集積度の向上についての要
求はあったが、それ以上についての要求は、もともと無
理と思われていたためなかった。

【０００４】しかるに、本発明者は、独自に、従来の常
識を越えた高集積度の製品の必要性を感じ、従来の加工
方法に基づく制限を越えて大幅に集積度を向上させよう
という全く新たな課題を持つに至った。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来のマ
イクロエミッタ電極には、それが等方性エッチング技術
により形成されていたため、高集積化に限界があった
が、本発明者はその限界をはるかに越えた集積化を可能
にした製品を提供するという新たな課題を持つに至っ
た。

【０００６】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
その目的は、非常に高い集積度のマイクロエミッタ電極
を提供することにある。

【０００７】請求項１に記載のマイクロエミッタ電極の
製造方法は、基板に複数の先端の尖ったトレンチを形成
する工程と、前記トレンチ内に電極材料を堆積する工程
と、前記電極材料上に電極支持層を形成する工程と、前
記基板をエッチングして、前記トレンチに堆積された電
極材料の少なくとも１部を露出させてマイクロエミッタ
電極とする工程と、を備えることを特徴とするマイクロ
エミッタ電極の製造方法を提供するものである。

【０００８】請求項２に記載のマイクロエミッタ電極の
製造方法は、基板に複数の先端の尖ったトレンチを形成
する工程と、前記トレンチ内に電極材料を堆積する工程
と、前記電極材料上に電極支持層を形成する工程と、前
記各トレンチ内の電極材料を互いに絶縁し、且つ、前記
各トレンチ内の電極材料に選択的に配線を施す工程と、
前記基板をエッチングして、前記トレンチに堆積された
電極材料の少なくとも１部を露出させてマイクロエミッ
タ電極とする工程と、を備えることを特徴とするマイク
ロエミッタ電極の製造方法を提供するものである。

【０００９】請求項３に記載のマイクロエミッタ電極の
製造方法は、基板に複数の先端の尖ったトレンチを形成
する工程と、前記基板の表面およびトレンチ内に絶縁膜
を形成する工程と、前記絶縁膜のうちの前記トレンチの
先端部分を除去して穴を形成し、前記基板を露出させる
工程と、前記絶縁膜の穴を介して、前記基板内の一部に
前記トレンチの先端を囲う形に電極囲繞層を形成する工
程と、前記トレンチに電極材料を堆積する工程と、前記
電極材料の上および基板上に電極支持層を形成する工程
と、前記基板を前記電極支持層と反対側からエッチング
して、前記半導体層の一部を露出させる工程と、前記基
板上にアノードとなる導電膜を形成する工程と、前記導
電膜の前記トレンチに対応する部分のみを除去開口する
工程と、前記電極囲繞層および前記トレンチ内の先端部
分の絶縁膜をエッチングして、前記トレンチに堆積され
た電極材料の少なくとも先端部分を露出させてマイクロ
エミッタ電極とする工程と、を備えることを特徴とする
マイクロエミッタ電極の製造方法を提供するものであ
る。

【００１０】請求項４記載のマイクロエミッタ装置は、
高集積度に配置された、各々が互いに絶縁された複数の
マイクエミッタ電極と、前記各マイクロエミッタ電極の
任意のものに選択的に接続され、前記各マイクロエミッ
タ電極を任意に個別に制御可能とする配線と、を備える
ことを特徴とするマイクロエミッタ装置を提供するもの
である。

【００１１】請求項５に記載のマイクロエミッタ装置
は、高集積度で配置されるマイクロエミッタ電極と、前
記各マイクロエミッタ電極の任意のものに選択的に配線
され、前記各マイクロエミッタ電極を個別に制御する配
線と、前記マイクロエミッタ電極に対応して配置される
基板上に前記マイクロエミッタ電極に対面して配置され
る被露光材と、前記基板と、前記各マイクロエミッタ電
極に接続された各配線との間に、選択的に電圧を印加し
て、前記マイクロエミッタ電極から前記被露光材に電子
を照射させて、前記被露光材を所望のパターンで露光さ
せる電圧印加手段と、を備えることを特徴とするマイク
ロエミッタ装置を提供するものである。

【００１２】請求項６のマイクロエミッタ装置は、高集
積度で配置されるマイクロエミッタ電極と、前記各マイ
クロエミッタ電極の任意のものに選択的に配置され、前
記各マイクロエミッタ電極を個別に制御する配線と、前
記マイクロエミッタ電極に対応して配置される蛍光板
と、前記蛍光板と、前記各マイクロエミッタ電極に接続
された各配線との間に、選択的に電圧を印加して、前記
マイクロエミッタ電極から前記蛍光板に電子を照射さ
せ、前記蛍光板上に所望のパターンを表示させる電圧印
加手段と、を備えることを特徴とするマイクロエミッタ
装置を提供するものである。

【００１３】請求項７に記載のマイクロエミッタ装置
は、高集積度で配置されるマイクロエミッタ電極と、前
記マイクロエミッタ電極に対向して配置されるアノード
電極と、前記各マイクロエミッタ電極に対応して配置さ
れるトランジスタと、前記トランジスタを制御すること
により前記マイクロエミッタ電極と前記アノード電極の
間の電圧を制御する電圧印加手段と、を備えることを特
徴とするマイクロエミッタ装置を提供するものである。

【００１４】

【作用】本発明のマイクロエミッタ電極の製造方法で
は、微細に作ることのできるトレンチの中に電極材料を
堆積するようにしたので、この電極材料によりマイクロ
エミッタ電極が高集積度で形成される。さらに、高集積
度で形成された電極に、個々に配線が施され、個別に選
択制御可能なマイクロエミッタ電極を実現される。さら
に、各電極に対向してアノード電極を配置するようにし
たので、電子の放出の制御が可能である。

【００１５】また、高集積度のマイクロエミッタ電極の
解像度に対応したパターンの露光が実現され、さらにマ
イクロエミッタ電極に対向して設けたアノード電極と、
マイクロエミッタ電極との間の印加電圧を制御できるの
で、マイクロエミッタ電極からの電子の放出量が個別に
制御される。

【００１６】

【実施例】本発明の実施例を説明するに先立ち、本発明
がなされるに至った経緯について説明する。

【００１７】先にも説明したように、従来は、シリコン
基板の上にマスクパターンを形成し、その状態で等方性
エッチングすることにより、尖鋭状態に残存する部分を
電極としている。これに対し、本発明者は、独自に研究
を重ねることにより、材料にエッチングによりトレンチ
を形成して型を作り、このトレンチに電極材料を埋め込
み、その後に型を取り除けば、従来方法では考えられな
かったレベルに高集積化されたマイクロエミッタ電極を
得ることができることに想到した。しかるに、この想到
は従来技術の常識に反するものであることから、この想
到は極めて困難性の高いものといえる。即ち、従来は、
材料をエッチングして残存する部分を電極とするもので
あったため、エッチングとしては等方性エッチングを用
いねばならず、これが常識化していた。また、製品を作
るに当っては、最少のプロセスによって作るのが当然で
ある。よって、ある材料にマスクパターンを形成し、エ
ッチングし、残存する部分を電極とする、というプロセ
スを採るのが常識である。これ以外の方法では、工程数
が増し、コストが上昇するのが避けられないからであ
る。本発明は、マイクロエミッタ電極を作るに当っての
このような従来の常識を打ち破り、残存する部分を電極
とするのではなく、異方性エッチングを用い、工程数が
増えることにこだわらず、実現されたものである。

【００１８】以下、図面を参照しながら本発明の実施例
を説明する。 実施例１ 図１は、本発明の実施例１のマイクロエミッタ電極の製
造方法のプロセス図であり、特に、高集積度の電極を形
成する方法を示すものである。

【００１９】図１において示すように、マイクロエミッ
タ電極は、（ａ）〜（ｅ）のプロセスで製造される。そ
の製造過程を順を追って説明する。

【００２０】（ａ）に示すように、シリコン基板１１に
トレンチを作るためのマスク１２を形成する。

【００２１】（ｂ）に示すように、反応性イオンエッチ
ングなどにより、テーパ状のトレンチ１３を形成する。

【００２２】このとき、マグネトロンＲＩＥ装置におい
てＳｉウェハーにトレンチを形成する場合、エッチング
条件を、 ガス流量 Ｃｌ_２ ４０ ＳＣＣＭ ＋ Ｏ_２ １０ ＳＣＣＭ 圧 力 ７５ｍＴｏｒｒ ＲＦパワー ８００Ｗ 基板温度 ０℃ なる条件とすれば、図１（ｂ）に示すように、幅０．３
μｍ、深さ１μｍのトレンチが得られる。

【００２３】（ｃ）に示すように、スパッタリングなど
により、タングステン、アルミニウム、銅などの金属１
４を、トレンチ１３内部に堆積により埋め込むと共にシ
リコン基板１１上に堆積する。

【００２４】（ｄ）に示すように、堆積させた金属１４
の上に、絶縁物１５を、ＣＶＤまたはスパッタにより堆
積させるか、または絶縁板の接着により形成する。

【００２５】（ｅ）に示すように、シリコン基板１１を
ドライエッチングまたはウエットエッチングにより除去
し、トレンチ１３に埋め込まれた金属１４を、針状の電
極１６として露出させる。

【００２６】以上のようなプロセスを通じて、絶縁物１
５の上に、電極１６を配置したマイクロエミッタ電極を
製造することができる。

【００２７】以上のような製造プロセスによれば、等方
エッチングにより直接電極を形成する場合に比較して、
電極１６の集積度を向上することが可能となり、電極１
６の集積度を１０^６（個／ｍｍ² ）程度以上に上げるこ
とができる。 実施例２ 図２は、本発明の実施例２のマイクロエミッタ電極の製
造方法のプロセス図であり、特に、電極毎に個別に配線
を形成する方法を示すものである。

【００２８】図２において示すように、マイクロエミッ
タ電極は、（ａ）〜（ｇ）のプロセスで製造される。そ
の製造過程を順を追って説明する。

【００２９】（ａ）に示すように、シリコン基板１１に
トレンチを作るためのマスク１２を形成する。

【００３０】（ｂ）に示すように、反応性イオンエッチ
ングなどにより、テーパ状のトレンチ１３を形成する。

【００３１】（ｃ）に示すように、スパッタリングなど
により、タングステン、アルミニウム、銅などの金属１
４を、トレンチ１３内部に堆積により埋め込むと共にシ
リコン基板１１上に堆積する。

【００３２】（ｄ）に示すように、トレンチ１３間の金
属１４をエッチングし、ここに絶縁物２１を埋め込むこ
とにより、トレンチ１３間の絶縁を行う。

【００３３】（ｅ）に示すように、任意のトレンチ１３
に対応して、配線２２を施す。

【００３４】（ｆ）に示すように、絶縁物２１および配
線２２の上に、絶縁物１５を、ＣＶＤまたはスパッタに
より堆積させるか、または絶縁板の接着により形成す
る。

【００３５】（ｇ）に示すように、シリコン基板１１を
ドライエッチングまたはウエットエッチングにより除去
し、トレンチ１３に埋め込まれた金属１４を、針状の電
極１６として露出させる。

【００３６】以上のようなプロセスを通じて、絶縁物１
５の上に、電極１６およびこれに接続される配線２２を
配置したマイクロエミッタ電極を製造することができ
る。

【００３７】従来は、電極を全て並列に接続していたの
で、これらの電極を制御するためにはそれぞれの電極上
にゲート電極を配置し、ゲート電極を通じて各電極から
の電子の放出を制御しなければならなかった。しかし、
ゲート電極は複数個の電極の群毎にしか配線できないた
め、電極を個別に制御することはできず、電極の大きさ
に相当する微細な領域において、個別に電子の放出制御
を行うことは不可能であった。

【００３８】これに対し、以上のような製造プロセスに
よれば、電極１６に対応して、個別に配線２２を形成で
きるので、電極１６を個々に制御可能であり、微細領域
での電子放出が可能なマイクロエミッタ電極を実現でき
る。

【００３９】上記のように、スラップ（ｄ），（ｅ）に
よって、電極１６の裏側に処理を施して配線２２を形成
できるのは、その裏側の反対側（電極１６の先端側）が
基板１１によって強度的に補強、保持されているからで
ある。このような加工は、従来例のように、電極１０１
ｂを作ってしまうと必然的に電極１０ｂの先端側には補
強材的なものが何も存在しなくなるものにおいては、不
可能なことである。このような利点は、以下に述べる他
の実施例においても同様に得られる。 実施例３ 図３は、本発明の実施例３のマイクロエミッタ電極の製
造方法のプロセス図であり、特に、アノード付きの電極
を持ったマイクロエミッタ電極の製作手順を示すもので
ある。

【００４０】図３において示すように、マイクロエミッ
タ電極は、（ａ）〜（ｊ）のプロセスで製造される。そ
の製造過程を順を追って説明する。

【００４１】（ａ）に示すように、シリコン基板１１に
トレンチを作るためのマスク１２を形成する。

【００４２】（ｂ）に示すように、反応性イオンエッチ
ングなどにより、テーパ状のトレンチ１３を形成する。

【００４３】（ｃ）に示すように、トレンチ１３および
シリコン基板１１の上に、酸化物３１を堆積または熱拡
散により形成する。

【００４４】（ｄ）に示すように、反応性イオンエッチ
ングなどにより、トレンチ１３の底部のみの酸化物３１
をエッチング除去し、トレンチ１３の底部に穴を開け
る。

【００４５】（ｅ）に示すように、トレンチ１３の底部
に開けた酸化物３１の穴から、燐などを注入して、ｎ型
半導体３２を形成する。

【００４６】（ｆ）に示すように、スパッタリングなど
により、タングステン、アルミニウム、銅などの金属１
４をトレンチ１３内部および酸化物３１上に堆積し、そ
の上に、絶縁物１５を、堆積または絶縁板の接着により
形成する。

【００４７】（ｇ）に示すように、シリコン基板１１を
上下反転させ、ｎ型半導体３２の一部が露出するまで、
シリコン基板１１をエッチングする。

【００４８】（ｈ）に示すように、シリコン基板１１の
上に、アノードとなる金属板３３を堆積させる。

【００４９】（ｉ）に示すように、ｎ型半導体３２が露
出している領域の上の金属をエッチングにより除去す
る。

【００５０】（ｊ）に示すように、ｎ型半導体３２およ
びトレンチ１３底部の酸化物３１をエッチングし、トレ
ンチ１３に埋め込まれた金属１４を針状の電極１６とし
て露出させる。

【００５１】以上のようなプロセスを通じて、金属板３
３をアノードとした針状の電極１６を対向させたマイク
ロエミッタ電極を製造することができる。

【００５２】以上のような製造プロセスによれば、高集
積度の電極１６に対応して、アノードを形成できるの
で、放出電子量の制御が可能なマイクロエミッタ電極を
実現することが可能となる。 実施例４ 図４は、本発明の実施例４のマイクロエミッタ装置の概
略構成図であり、特に図２の方法により製造されたマイ
クロエミッタ電極を露光装置に適用した場合の構造を示
すものである。

【００５３】図４において示すように、マイクロエミッ
タ電極４１に対応して、被露光物４２を載せた基板４３
が配置される。マイクロエミッタ電極４１の電極１６と
基板４３の間には、バイアスをかけるための電源４４が
接続される。

【００５４】以上述べたような構成において、次に、そ
の動作を説明する。

【００５５】基板４３と電極１６の間にバイアスを印加
することにより、電極１６から電子を放出させ、被露光
物４２に照射させ、これにより被露光物４２に露光を行
う。この時、所望の露光パターンを得るために、パター
ンに応じた電極１６にのみ、電源４４からバイアスが印
加されるように制御することにより、高集積度で配置さ
れた電極１６の集積度に対応する解像度での露光を一度
に実施することができる。 実施例５ 図５は、本発明の実施例５のマイクロエミッタ装置の概
略構成図であり、特に図２の方法により製造されたマイ
クロエミッタ電極をディスプレイ装置に適用した場合の
構造を示すものである。

【００５６】図５において示すように、マイクロエミッ
タ電極４１に対応して、蛍光板５１を配置する。マイク
ロエミッタ電極４１と蛍光板５１の間にはスペーサ５２
が配置される。マイクロエミッタ電極４１の電極１６と
蛍光板５１の間には、バイアスをかけるための電源４４
が接続される。

【００５７】以上述べたような構成において、次に、そ
の動作を説明する。

【００５８】基板４３と電極１６の間にバイアスを印加
することにより、電極１６から電子を放出させ、蛍光板
５１に照射させ、これにより蛍光板５１を発光させる。

【００５９】この時、所望の発光パターンを得るため
に、パターンに応じた電極１６にのみ、電源４４からバ
イアスが印加されるように制御することにより、高集積
度で配置された電極１６を個別に制御することが可能な
ため、蛍光板５１に表示できるパターンの解像度を、最
高で電極１６の大きさまで高めることができる。

【００６０】つまり、高集積度で形成された電極１６の
集積度に対応する解像度での高品質の表示を実現するこ
とができる。

【００６１】ちなみに、この実施例の場合、電極１６の
集積度が高いので、単位面積当たりの電子の放出量が大
きくなり、発光強度が大きくなるという特長もある。 実施例６ 図６は、本発明の実施例６のマイクロエミッタ装置の概
略構成図であり、特に図３の方法により製造されたアノ
ード付きマイクロエミッタ電極に、トランジスタを組み
込んだ構造を示すものである。

【００６２】図６において示すように、金属１４の上
に、トランジスタのコレクタとなるｎ型半導体６４を堆
積し、さらにｐ型半導体６５とｎ型半導体６４の層を形
成し、その上に酸化膜６３を形成する。そして、酸化膜
６３のｎ型半導体６４に対応する部分およびｐ型半導体
６５に対応する部分をエッチをエッチングし、ｎ型半導
体６４に対応する部分からエミッタ電極６２を取り出
し、ｐ型半導体６５に対応する部分からベース電極６１
を取り出す。次に、エミッタ電極６２と金属板３３の間
を配線し、ベース電極６１には電源６６から電圧を印加
する。

【００６３】以上述べたような構成において、次にその
動作を説明する。

【００６４】電極１６に電気的に接続される金属１４
は、トランジスタのコレクタに対応するｐ型半導体６５
に接続され、エミッタ電極６２は金属板３３に接続され
るので、電源６６により、ベース電極６１に印加される
ベース電圧を制御することにより、電極１６の金属板３
３に対する電圧を制御できるので、結果として電極１６
から放出される電子の量を制御することができる。

【００６５】特に、個々の電極１６毎にトランジスタを
配置することにより、各電極１６毎に電子の放出量を制
御できるので、高集積度で配置された電極１６からの電
子放出をきめ細かく制御することができるようになる。

【００６６】本発明の各実施例によれば、以下のような
効果が得られる。

【００６７】実施例１によれば、微細に配置可能なトレ
ンチの中に金属を堆積し、この金属によりマイクロエミ
ッタ電極を形成するようにしたので、高集積度で配置さ
れたマイクロエミッタ電極を形成できる。

【００６８】実施例２によれば、高集積度で形成された
電極に、個々に配線を施すようにしたので、高集積度で
配置されたマイクロエミッタ電極を、個別に選択制御で
きる。

【００６９】実施例３によれば、各電極に対向してアノ
ード電極を配置するようにしたので、アノード電極によ
り電子の放出を制御することができるマイクロエミッタ
電極を構成できる。

【００７０】実施例４によれば、個別に選択制御できる
マイクロエミッタ電極により、被露光材にパターンの露
光するように構成したので、高集積度のマイクロエミッ
タ電極の解像度に対応したパターンの露光を実現でき
る。

【００７１】実施例５によれば、個別に選択制御できる
マイクロエミッタ電極により、蛍光板にパターンの表示
できるように構成したので、高集積度のマイクロエミッ
タ電極の解像度に対応した表示を実現できる。

【００７２】実施例６によれば、マイクロエミッタ電極
に対向して設けたアノード電極と、マイクロエミッタ電
極の間の印加電圧を制御できるように構成したので、マ
イクロエミッタ電極からの電子の放出量を個別に制御で
きる。

【００７３】

【発明の効果】本発明によれば、基板にトレンチを作っ
て、そこに電極材料を埋め込んで電極を作るようにした
ので、集積度を著しく高めることができると共に、電極
の裏側についての加工も可能となり、よって各電極に選
択的に配線を施して各電極を個別に制御可能なエミッタ
電極を実現でき、さらに、電極の密度に応じた高密度な
パターンを表示でき、さらに電極からの電子の放出量を
制御することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１のマイクロエミッタ電極の製
造方法のプロセス図である。

【図２】本発明の実施例２のマイクロエミッタ電極の製
造方法のプロセス図である。

【図３】本発明の実施例３のマイクロエミッタ電極の製
造方法のプロセス図である。

【図４】本発明の実施例４のマイクロエミッタ装置の概
略構成図である。

【図５】本発明の実施例５のマイクロエミッタ装置の概
略構成図である。

【図６】本発明の実施例６のマイクロエミッタ装置の概
略構成図である。

【図７】従来例におけるマイクロエミッタ電極の製造方
法のプロセス図である。

【符号の説明】

１１ シリコン基板 １２ マスク １３ トレンチ １４ 金属 １５ 絶縁物 １６ 電極 ２１ 絶縁物 ２２ 配線 ３１ 酸化物 ３２ ｎ型半導体 ３３ 金属板 ４１ マイクロエミッタ電極 ４２ 被露光物 ４３ 基板 ４４ 電源 ５１ 蛍光板 ５２ スペーサ ６１ ベース電極 ６２ エミッタ電極 ６３ 酸化膜 ６４ ｎ型半導体 ６５ ｐ型半導体 ６６ 電源

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板に複数の先端の尖ったトレンチを形成
   する工程と、 前記トレンチ内に電極材料を堆積する工程と、 前記電極材料上に電極支持層を形成する工程と、 前記基板をエッチングして、前記トレンチに堆積された
   電極材料の少なくとも１部を露出させてマイクロエミッ
   タ電極とする工程と、 を備えることを特徴とするマイクロエミッタ電極の製造
   方法。
2. 【請求項２】基板に複数の先端の尖ったトレンチを形成
   する工程と、 前記トレンチ内に電極材料を堆積する工程と、 前記電極材料上に電極支持層を形成する工程と、 前記各トレンチ内の電極材料を互いに絶縁し、且つ、前
   記各トレンチ内の電極材料に選択的に配線を施す工程
   と、 前記基板をエッチングして、前記トレンチに堆積された
   電極材料の少なくとも１部を露出させてマイクロエミッ
   タ電極とする工程と、 を備えることを特徴とするマイクロエミッタ電極の製造
   方法。
3. 【請求項３】基板に複数の先端の尖ったトレンチを形成
   する工程と、 前記基板の表面およびトレンチ内に絶縁膜を形成する工
   程と、 前記絶縁膜のうちの前記トレンチの先端部分を除去して
   穴を形成し、前記基板を露出させる工程と、 前記絶縁膜の穴を介して、前記基板内の一部に前記トレ
   ンチの先端を囲う形に電極囲繞層を形成する工程と、 前記トレンチに電極材料を堆積する工程と、 前記電極材料の上および基板上に電極支持層を形成する
   工程と、 前記基板を前記電極支持層と反対側からエッチングし
   て、前記半導体層の一部を露出させる工程と、 前記基板上にアノードとなる導電膜を形成する工程と、 前記導電膜の前記トレンチに対応する部分のみを除去開
   口する工程と、 前記電極囲繞層および前記トレンチ内の先端部分の絶縁
   膜をエッチングして、前記トレンチに堆積された電極材
   料の少なくとも先端部分を露出させてマイクロエミッタ
   電極とする工程と、 を備えることを特徴とするマイクロエミッタ電極の製造
   方法。
4. 【請求項４】高集積度に配置された、各々が互いに絶縁
   された複数のマイクエミッタ電極と、 前記各マイクロエミッタ電極の任意のものに選択的に接
   続され、前記各マイクロエミッタ電極を任意に個別に制
   御可能とする配線と、 を備えることを特徴とするマイクロエミッタ装置。
5. 【請求項５】高集積度で配置されるマイクロエミッタ電
   極と、 前記各マイクロエミッタ電極の任意のものに選択的に配
   線され、前記各マイクロエミッタ電極を個別に制御する
   配線と、 前記マイクロエミッタ電極に対応して配置される基板上
   に前記マイクロエミッタ電極に対面して配置される被露
   光材と、 前記基板と、前記各マイクロエミッタ電極に接続された
   各配線との間に、選択的に電圧を印加して、前記マイク
   ロエミッタ電極から前記被露光材に電子を照射させて、
   前記被露光材を所望のパターンで露光させる電圧印加手
   段と、 を備えることを特徴とするマイクロエミッタ装置。
6. 【請求項６】高集積度で配置されるマイクロエミッタ電
   極と、 前記各マイクロエミッタ電極の任意のものに選択的に配
   置され、前記各マイクロエミッタ電極を個別に制御する
   配線と、 前記マイクロエミッタ電極に対応して配置される蛍光板
   と、 前記蛍光板と、前記各マイクロエミッタ電極に接続され
   た各配線との間に、選択的に電圧を印加して、前記マイ
   クロエミッタ電極から前記蛍光板に電子を照射させ、前
   記蛍光板上に所望のパターンを表示させる電圧印加手段
   と、 を備えることを特徴とするマイクロエミッタ装置。
7. 【請求項７】高集積度で配置されるマイクロエミッタ電
   極と、 前記マイクロエミッタ電極に対向して配置されるアノー
   ド電極と、 前記各マイクロエミッタ電極に対応して配置されるトラ
   ンジスタと、 前記トランジスタを制御することにより前記マイクロエ
   ミッタ電極と前記アノード電極の間の電圧を制御する電
   圧印加手段と、 を備えることを特徴とするマイクロエミッタ装置。