JPH08185984A - 有機エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス素子Info
- Publication number
- JPH08185984A JPH08185984A JP6336968A JP33696894A JPH08185984A JP H08185984 A JPH08185984 A JP H08185984A JP 6336968 A JP6336968 A JP 6336968A JP 33696894 A JP33696894 A JP 33696894A JP H08185984 A JPH08185984 A JP H08185984A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- thin film
- metal
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子としては透明で、かつ発光効率のよい有
機ＥＬ素子を得ること。 【構成】 従来の有機ＥＬ素子では、電子注入金属層と
しては膜厚が１００ｎｍ程度の仕事関数の小さな金属層
を用いたが、本発明ではこの電子注入金属層６膜厚を数
ｎｍと薄くし、さらにこの電子注入金属層６上に第２の
透明導電層７を積層する。 【効果】 発光強度を支配する電子注入特性は数ｎｍの
電子注入金属層により確保し、しかもこの電子注入金金
属層での可視光の吸収は無視できるので、透明度が高
く、かつ発光効率のよい有機ＥＬ素子を得ることができ
る。
機ＥＬ素子を得ること。 【構成】 従来の有機ＥＬ素子では、電子注入金属層と
しては膜厚が１００ｎｍ程度の仕事関数の小さな金属層
を用いたが、本発明ではこの電子注入金属層６膜厚を数
ｎｍと薄くし、さらにこの電子注入金属層６上に第２の
透明導電層７を積層する。 【効果】 発光強度を支配する電子注入特性は数ｎｍの
電子注入金属層により確保し、しかもこの電子注入金金
属層での可視光の吸収は無視できるので、透明度が高
く、かつ発光効率のよい有機ＥＬ素子を得ることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機エレクトロルミネ
センス素子（以下有機ＥＬ素子と記載する）の構造に関
するものである。
センス素子（以下有機ＥＬ素子と記載する）の構造に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子は
表示用あるいは照明用の発光素子として有用で、とりわ
け低電圧で駆動可能な有機ＥＬ素子は、非常に優れた表
示素子あるいは発光素子といえる。
表示用あるいは照明用の発光素子として有用で、とりわ
け低電圧で駆動可能な有機ＥＬ素子は、非常に優れた表
示素子あるいは発光素子といえる。
【０００３】図７は典型的な有機ＥＬ素子を示す断面図
である。有機ＥＬ素子はガラスなどの透明基板１の上
に、酸化インジュウムスズ（ＩＴＯ）や酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2 ）などの透明導電層７２と、トリフェニルジアミン
誘導体などの正孔輸送層３と、ジスチリルビフェニル誘
導体などの発光層４と、アルミキレート錯体（Ａｌｑ）
などの電子輸送層５と、金属電極層７６との各薄膜を順
次積層している。
である。有機ＥＬ素子はガラスなどの透明基板１の上
に、酸化インジュウムスズ（ＩＴＯ）や酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2 ）などの透明導電層７２と、トリフェニルジアミン
誘導体などの正孔輸送層３と、ジスチリルビフェニル誘
導体などの発光層４と、アルミキレート錯体（Ａｌｑ）
などの電子輸送層５と、金属電極層７６との各薄膜を順
次積層している。
【０００４】ここで金属電極層７６の材質としてマグネ
シウム（Ｍｇ）やリチウム（Ｌｉ）のような仕事関数の
小さな金属、またはＭｇ−Ａｇ、Ｍｇ−Ａｌ、Ａｌ−Ｌ
ｉのような仕事関数の小さな合金を選ぶ。
シウム（Ｍｇ）やリチウム（Ｌｉ）のような仕事関数の
小さな金属、またはＭｇ−Ａｇ、Ｍｇ−Ａｌ、Ａｌ−Ｌ
ｉのような仕事関数の小さな合金を選ぶ。
【０００５】そして金属電極層７６に対して透明導電層
７２が正になるように直流電圧を印加すると、発光層４
においてＥＬ発光が起こり、透明基板１を通して光は外
部に放射する。
７２が正になるように直流電圧を印加すると、発光層４
においてＥＬ発光が起こり、透明基板１を通して光は外
部に放射する。
【０００６】さて発光素子が透明体として得られると、
種々の実用上の効果が期待できる。たとえば、アメリカ
特許４，７７５，９６４号に開示されたように、時計用
文字板の照明に用いると、非発光時には発光素子の下部
の配置物が見えるので、きわめてデザイン性に優れた照
明付き時計とすることができる。
種々の実用上の効果が期待できる。たとえば、アメリカ
特許４，７７５，９６４号に開示されたように、時計用
文字板の照明に用いると、非発光時には発光素子の下部
の配置物が見えるので、きわめてデザイン性に優れた照
明付き時計とすることができる。
【０００７】この点、図７を用いて説明したごく一般的
な有機ＥＬ素子は、１００ｎｍ程度の膜厚の金属電極層
７６があり不透明である。透明な有機ＥＬ素子について
は、特開平６−１５１０６３号公報に記載されている。
な有機ＥＬ素子は、１００ｎｍ程度の膜厚の金属電極層
７６があり不透明である。透明な有機ＥＬ素子について
は、特開平６−１５１０６３号公報に記載されている。
【０００８】図８は上記公報に記載の構造を示す断面図
である。透明導電層７２と金属電極層７６とは、ともに
金属添加の第１の透明導電層８２と第２の透明導電層８
６とに置き変わっている。
である。透明導電層７２と金属電極層７６とは、ともに
金属添加の第１の透明導電層８２と第２の透明導電層８
６とに置き変わっている。
【０００９】金属添加を行う目的は、添加金属によりそ
れぞれの第１の透明導電層８２と第２の透明導電層８６
との仕事関数を制御し、有機ＥＬ素子内への電子あるい
は正孔の注入効率を上げ、しかも発光強度を高めようと
するものである。
れぞれの第１の透明導電層８２と第２の透明導電層８６
との仕事関数を制御し、有機ＥＬ素子内への電子あるい
は正孔の注入効率を上げ、しかも発光強度を高めようと
するものである。
【００１０】なお、ここでは図７での発光層４と電子輸
送層５とが、１層構成の電子輸送性発光層８４で置き換
えてている。
送層５とが、１層構成の電子輸送性発光層８４で置き換
えてている。
【００１１】発光層４と電子輸送層５との各層をどのよ
うに機能分離するかは、有機ＥＬ素子構造のバリエーシ
ョンとして公知であり、発光効率や発光色などを勘案し
て選択するものであって、本発明に関する限りその選択
が自由にできることは今後の説明から明かといえよう。
うに機能分離するかは、有機ＥＬ素子構造のバリエーシ
ョンとして公知であり、発光効率や発光色などを勘案し
て選択するものであって、本発明に関する限りその選択
が自由にできることは今後の説明から明かといえよう。
【００１２】なお、黒色染料層８７は、表示体としての
コントラストを向上する目的で設けている。
コントラストを向上する目的で設けている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】図８に示す従来の有機
ＥＬ素子構造について、本発明者等が上記公報に記載の
構造を形成し実施した実験によれば、充分な発光強度
と、充分な素子の透過率とを同時に実現することは困難
であった。
ＥＬ素子構造について、本発明者等が上記公報に記載の
構造を形成し実施した実験によれば、充分な発光強度
と、充分な素子の透過率とを同時に実現することは困難
であった。
【００１４】これは、１％程度以下の微量の金属添加の
場合は、透明導電層の透明度はほとんど影響は受けない
ものの、発光強度が著しく低下し、数％以上の金属添加
では透明性が維持できないためと本発明者等は考えた。
場合は、透明導電層の透明度はほとんど影響は受けない
ものの、発光強度が著しく低下し、数％以上の金属添加
では透明性が維持できないためと本発明者等は考えた。
【００１５】そして１％程度以下の微量の金属添加の場
合、それぞれの透明導電層の仕事関数を充分に制御でき
ないことが、発光強度低下の原因として、本発明者等は
想定する。
合、それぞれの透明導電層の仕事関数を充分に制御でき
ないことが、発光強度低下の原因として、本発明者等は
想定する。
【００１６】本発明の目的は、上記の課題点を解決し
て、素子としては透明で、しかも発光効率のよい有機Ｅ
Ｌ素子を提供ことである。
て、素子としては透明で、しかも発光効率のよい有機Ｅ
Ｌ素子を提供ことである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における有機ＥＬ素子は、下記記載の手段を
採用する。
に、本発明における有機ＥＬ素子は、下記記載の手段を
採用する。
【００１８】本発明における有機ＥＬ素子は、複数の層
よりなる有機薄膜と、有機薄膜の両面に設ける第１と第
２の電極層とを透明基板上に層状に設けており、第１の
電極層が透明導電層よりなり、第２の電極層が有機薄膜
上に設ける低仕事関数の金属またはその金属の合金の超
薄膜の電子注入金属層と、電子注入金属層上に設ける透
明導電層とよりなることを特徴とする。
よりなる有機薄膜と、有機薄膜の両面に設ける第１と第
２の電極層とを透明基板上に層状に設けており、第１の
電極層が透明導電層よりなり、第２の電極層が有機薄膜
上に設ける低仕事関数の金属またはその金属の合金の超
薄膜の電子注入金属層と、電子注入金属層上に設ける透
明導電層とよりなることを特徴とする。
【００１９】本発明における有機ＥＬ素子は、複数の層
よりなる有機薄膜と、有機薄膜の両面に設ける第１と第
２の電極層とを透明基板上に層状に設けており、第１の
電極層が透明導電層よりなり、第２の電極層が有機薄膜
上に設ける低仕事関数の金属またはその金属の合金の超
薄膜の電子注入金属層と、電子注入金属層上に設ける透
明導電層とよりなる構成体、および構成体の一方の側の
一部または全部に着色層を設けることを特徴とする。
よりなる有機薄膜と、有機薄膜の両面に設ける第１と第
２の電極層とを透明基板上に層状に設けており、第１の
電極層が透明導電層よりなり、第２の電極層が有機薄膜
上に設ける低仕事関数の金属またはその金属の合金の超
薄膜の電子注入金属層と、電子注入金属層上に設ける透
明導電層とよりなる構成体、および構成体の一方の側の
一部または全部に着色層を設けることを特徴とする。
【００２０】本発明における有機ＥＬ素子は、複数の層
よりなる有機薄膜と、有機薄膜の両面に設ける第１と第
２の電極層とを透明基板上に層状に設けており、第１の
電極層が透明導電層よりなり、第２の電極層が有機薄膜
上に設ける低仕事関数の金属またはその金属の合金の超
薄膜の電子注入金属層と、電子注入金属層上に設ける透
明導電層とよりなる構成体、および構成体の一方の側に
反射防止層または光拡散層のいずれかを設けることを特
徴とする。
よりなる有機薄膜と、有機薄膜の両面に設ける第１と第
２の電極層とを透明基板上に層状に設けており、第１の
電極層が透明導電層よりなり、第２の電極層が有機薄膜
上に設ける低仕事関数の金属またはその金属の合金の超
薄膜の電子注入金属層と、電子注入金属層上に設ける透
明導電層とよりなる構成体、および構成体の一方の側に
反射防止層または光拡散層のいずれかを設けることを特
徴とする。
【００２１】本発明における有機ＥＬ素子は、複数の層
よりなる有機薄膜と、有機薄膜の両面に設ける第１と第
２の電極層とを透明基板上に層状に設けており、第１の
電極層が透明導電層よりなり、第２の電極層が有機薄膜
上に設ける低仕事関数の金属またはその金属の合金の超
薄膜の電子注入金属層と、電子注入金属層上に設ける透
明導電層とよりなる構成体、および構成体の一方の側の
一部または全部に着色層をもう一方の側に反射防止層ま
たは光拡散層のいずれかを設けることを特徴とする。
よりなる有機薄膜と、有機薄膜の両面に設ける第１と第
２の電極層とを透明基板上に層状に設けており、第１の
電極層が透明導電層よりなり、第２の電極層が有機薄膜
上に設ける低仕事関数の金属またはその金属の合金の超
薄膜の電子注入金属層と、電子注入金属層上に設ける透
明導電層とよりなる構成体、および構成体の一方の側の
一部または全部に着色層をもう一方の側に反射防止層ま
たは光拡散層のいずれかを設けることを特徴とする。
【００２２】本発明における有機ＥＬ素子の着色層は、
着色層の色と有機エレクトロルミネセンスの発光色とが
ほぼ補色関係にあることを特徴とする。
着色層の色と有機エレクトロルミネセンスの発光色とが
ほぼ補色関係にあることを特徴とする。
【００２３】本発明における有機ＥＬ素子の電子注入金
属層は、平均の厚さは数ｎｍであることを特徴とする。
属層は、平均の厚さは数ｎｍであることを特徴とする。
【００２４】
【作用】本発明の有機ＥＬ素子は、複数の層よりなる有
機薄膜と、有機薄膜の両側に設ける第１と第２の電極層
とを透明基板上に層状に設ける。
機薄膜と、有機薄膜の両側に設ける第１と第２の電極層
とを透明基板上に層状に設ける。
【００２５】そして、第１の電極層は透明導電層よりな
り、第２の電極層は有機薄膜上に設ける低仕事関数の金
属またはその合金の極薄の電子注入金属層と、電子注入
金属層上に形成した透明導電層とよりなる。そして、電
子注入金属層は、その平均の厚さを数ｎｍの薄膜とす
る。
り、第２の電極層は有機薄膜上に設ける低仕事関数の金
属またはその合金の極薄の電子注入金属層と、電子注入
金属層上に形成した透明導電層とよりなる。そして、電
子注入金属層は、その平均の厚さを数ｎｍの薄膜とす
る。
【００２６】本発明によれば、数ｎｍのきわめて薄い膜
厚の電子注入金属層を設けている。このため、光の吸収
はほとんど無視でき、しかも金属材料本来の仕事関数の
特性を示すので有機薄膜への電子注入を効率よく行うこ
とができる。
厚の電子注入金属層を設けている。このため、光の吸収
はほとんど無視でき、しかも金属材料本来の仕事関数の
特性を示すので有機薄膜への電子注入を効率よく行うこ
とができる。
【００２７】このことから、透明でなおかつ発光特性の
よい有機ＥＬ素子を得ることができる。
よい有機ＥＬ素子を得ることができる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例おける有機ＥＬ素子の
構造を図面に基づいて説明する。図１は本発明の第１の
実施例における有機ＥＬ素子を示す断面図である。
構造を図面に基づいて説明する。図１は本発明の第１の
実施例における有機ＥＬ素子を示す断面図である。
【００２９】図１の断面図に示すように、透明基板１の
上に第１の透明導電層２と、正孔輸送層３と、発光層４
と、電子輸送層５と、電子注入金属層６と、第２の透明
導電層７とを順次積層するように設ける。
上に第１の透明導電層２と、正孔輸送層３と、発光層４
と、電子輸送層５と、電子注入金属層６と、第２の透明
導電層７とを順次積層するように設ける。
【００３０】本発明における有機ＥＬ素子の構造のポイ
ントは、電子注入金属層６である。すなわち、電子注入
金属層６材質は従来例と同様に、電子注入効率のよい仕
事関数の小さな金属またはその合金を選ぶものである
が、電子注入金属層６の厚さを数ｎｍときわめて薄くす
ることが、本発明において非常に重要である。
ントは、電子注入金属層６である。すなわち、電子注入
金属層６材質は従来例と同様に、電子注入効率のよい仕
事関数の小さな金属またはその合金を選ぶものである
が、電子注入金属層６の厚さを数ｎｍときわめて薄くす
ることが、本発明において非常に重要である。
【００３１】このとき、電子注入金属層６が完全な膜と
はならず、島状に成長したものになることも考えられる
が、そのような不完全な膜であっても平均の厚さが数ｎ
ｍであれば問題はない。
はならず、島状に成長したものになることも考えられる
が、そのような不完全な膜であっても平均の厚さが数ｎ
ｍであれば問題はない。
【００３２】この厚さの電子注入金属層６では、金属層
における可視光の吸収は最大で数％であり、有機ＥＬ素
子としての透明性は維持することができる。
における可視光の吸収は最大で数％であり、有機ＥＬ素
子としての透明性は維持することができる。
【００３３】ここで、電子注入電極層側からの電子注入
効率は、電子注入金属層６の膜厚が１００ｎｍ程度の従
来のときとほぼ同等である。
効率は、電子注入金属層６の膜厚が１００ｎｍ程度の従
来のときとほぼ同等である。
【００３４】図１の構成要素としては、透明基板１はガ
ラスあるいはポリエステルなどの高分子フィルムで構成
する。
ラスあるいはポリエステルなどの高分子フィルムで構成
する。
【００３５】さらに、第１の透明導電層２と第２の透明
導電層６は１００ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚のＩＴＯやＳ
ｎＯ2 で構成する。
導電層６は１００ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚のＩＴＯやＳ
ｎＯ2 で構成する。
【００３６】さらに、正孔輸送層３は膜厚５０ｎｍ〜１
００ｎｍのトリフェニルアミン誘導体を用い、発光層４
は膜厚５０ｎｍ程度のジスチリルビフェニル誘導体を用
い、電子輸送層５は５０ｎｍ程度のアルミキレート錯体
（Ａｌｑ）を用いる。
００ｎｍのトリフェニルアミン誘導体を用い、発光層４
は膜厚５０ｎｍ程度のジスチリルビフェニル誘導体を用
い、電子輸送層５は５０ｎｍ程度のアルミキレート錯体
（Ａｌｑ）を用いる。
【００３７】つぎに図１に示す有機ＥＬ素子構造を形成
するための製造方法を説明する。まずはじめに、１．１
ｍｍ厚の研磨ガラス上に膜厚１００ｎｍのＩＴＯをスパ
ッタリング法により形成する。
するための製造方法を説明する。まずはじめに、１．１
ｍｍ厚の研磨ガラス上に膜厚１００ｎｍのＩＴＯをスパ
ッタリング法により形成する。
【００３８】さらに真空蒸着法により膜厚６０ｎｍのト
リフェニルジアミン（ＴＰＤ：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジア
ミノビフェニル）を形成し、膜厚４０ｎｍのジスチリル
ビフェニル（ＤＰＶＢｉ：４，４’−ビス（２，２−ジ
フェニルビニル）ビフェニル）を形成し、さらに膜厚２
０ｎｍのアルミキレート錯体（Ａｌｑ：トリス（８−キ
ノリノール）アルミニウム）を形成する。
リフェニルジアミン（ＴＰＤ：Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジア
ミノビフェニル）を形成し、膜厚４０ｎｍのジスチリル
ビフェニル（ＤＰＶＢｉ：４，４’−ビス（２，２−ジ
フェニルビニル）ビフェニル）を形成し、さらに膜厚２
０ｎｍのアルミキレート錯体（Ａｌｑ：トリス（８−キ
ノリノール）アルミニウム）を形成する。
【００３９】さらに、その上にマグネシウム（Ｍｇ）−
銀（Ａｇ）を同時真空蒸着法にて、膜厚２ｎｍ形成す
る。
銀（Ａｇ）を同時真空蒸着法にて、膜厚２ｎｍ形成す
る。
【００４０】その後、膜厚１５０ｎｍのＩＴＯをスッパ
タリング法で形成して、図１に示す有機ＥＬ素子とす
る。
タリング法で形成して、図１に示す有機ＥＬ素子とす
る。
【００４１】このようにして得た有機ＥＬ素子に９Ｖの
電圧を印加したところ、９０ｃｄ／ｍ2 の発光輝度が得
られた。
電圧を印加したところ、９０ｃｄ／ｍ2 の発光輝度が得
られた。
【００４２】この発光輝度値は、従来の図７に示す構造
で金属電極層７６が１００ｎｍの膜厚のＭｇ−Ａｇの素
子の場合と変わらなかった。
で金属電極層７６が１００ｎｍの膜厚のＭｇ−Ａｇの素
子の場合と変わらなかった。
【００４３】そしてさらに、本発明の有機ＥＬ素子は、
可視光の透過率が８７％と、ほぼ透明であった。
可視光の透過率が８７％と、ほぼ透明であった。
【００４４】すでに述べたように、本発明の実施例にお
ける有機ＥＬ素子では、数ｎｍのきわめて薄い電子注入
金属層６を設けることが重要である。
ける有機ＥＬ素子では、数ｎｍのきわめて薄い電子注入
金属層６を設けることが重要である。
【００４５】したがって、図１の第１の透明導電層２か
ら第２の透明導電層７までの積層構造を一体としてみ
て、透明基板１を第２の透明導電層７の側に配したとし
ても、まったく同一の効果がある。
ら第２の透明導電層７までの積層構造を一体としてみ
て、透明基板１を第２の透明導電層７の側に配したとし
ても、まったく同一の効果がある。
【００４６】また、有機ＥＬ素子の発光に関する正孔輸
送層３と、発光層４と、電子輸送層５との有機薄膜部分
は、正孔輸送層と電子輸送性発光層などの他の組み合わ
せでも、以上の説明とまったく同一の効果を有する。
送層３と、発光層４と、電子輸送層５との有機薄膜部分
は、正孔輸送層と電子輸送性発光層などの他の組み合わ
せでも、以上の説明とまったく同一の効果を有する。
【００４７】図２は本発明の第２の実施例における有機
ＥＬ素子を示す断面図である。図１と同じ構成の有機Ｅ
Ｌ素子において、第２の透明導電層側に着色層８を付加
したものである。
ＥＬ素子を示す断面図である。図１と同じ構成の有機Ｅ
Ｌ素子において、第２の透明導電層側に着色層８を付加
したものである。
【００４８】着色層７は、染料または顔料を用いた塗布
膜であるが、必ずしも単色である必要はなく、任意の模
様をも含むものである。
膜であるが、必ずしも単色である必要はなく、任意の模
様をも含むものである。
【００４９】着色層８の厚さは数μｍ〜数百μｍの範囲
で選択して問題ない。さらに、着色層８は第２の透明導
電層７に接着する構造である必要はなく、単に接してい
るだけ、あるいは分離した構造でもよい。
で選択して問題ない。さらに、着色層８は第２の透明導
電層７に接着する構造である必要はなく、単に接してい
るだけ、あるいは分離した構造でもよい。
【００５０】さらにまた着色層８は、塗装あるいは全体
に着色したプラスチック板を用い、第２の透明導電層７
の側に重ねることもできる。
に着色したプラスチック板を用い、第２の透明導電層７
の側に重ねることもできる。
【００５１】図２の構造は従来例の構造を示す図８の構
成と類似している。しかしながら、図８が単に表示素子
としてのコントラストの向上を計るものであるのに対し
て、本発明によれば、有機ＥＬ素子の非発光時におい
て、透明基板１の側から見たときに透明な有機ＥＬ素子
を通して、着色層８の色や模様を見ることができるので
ある発光時にはほぼその発光色に見えるので、種々の照
明効果が実現できるものである。
成と類似している。しかしながら、図８が単に表示素子
としてのコントラストの向上を計るものであるのに対し
て、本発明によれば、有機ＥＬ素子の非発光時におい
て、透明基板１の側から見たときに透明な有機ＥＬ素子
を通して、着色層８の色や模様を見ることができるので
ある発光時にはほぼその発光色に見えるので、種々の照
明効果が実現できるものである。
【００５２】さらに、たとえば図３の光学スペクトルに
示すように、着色層８として反射スペクトル３１で示し
た赤色と、発光色としてこの赤色とは補色関係にある発
光スペクトル３２で示したような青色との組み合わせと
する場合を考える。なお、赤色としては鉛丹を用い、青
色としてはジスチリルビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を色素
として用いた。
示すように、着色層８として反射スペクトル３１で示し
た赤色と、発光色としてこの赤色とは補色関係にある発
光スペクトル３２で示したような青色との組み合わせと
する場合を考える。なお、赤色としては鉛丹を用い、青
色としてはジスチリルビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を色素
として用いた。
【００５３】有機ＥＬ非発光時には、当然、着色層８の
赤色に見えることになる。一方、有機ＥＬ発光時には、
外光が着色層から反射した赤色と発光色の青色とが混色
し、外光の強度に応じて、赤系、青系、白系などの種々
の色相となることから、きわめて変化に富んだ色彩を演
出することができる。
赤色に見えることになる。一方、有機ＥＬ発光時には、
外光が着色層から反射した赤色と発光色の青色とが混色
し、外光の強度に応じて、赤系、青系、白系などの種々
の色相となることから、きわめて変化に富んだ色彩を演
出することができる。
【００５４】図４は本発明の別の実施例で、図２の透明
基板１の下面にさらに反射防止層９を形成したものであ
る。なお、ここでいう下面を、より一般化して正確に表
現するならば、有機ＥＬ素子の発光を見る側における空
気との境界面となる。
基板１の下面にさらに反射防止層９を形成したものであ
る。なお、ここでいう下面を、より一般化して正確に表
現するならば、有機ＥＬ素子の発光を見る側における空
気との境界面となる。
【００５５】反射防止層としては通常よく知られている
ように、屈折率の異なる多層干渉薄膜で形成した無反射
膜のごときものを用いる。
ように、屈折率の異なる多層干渉薄膜で形成した無反射
膜のごときものを用いる。
【００５６】このようにして透明基板１の表面での反射
を抑えるならば、非発光状態で明るい環境に有機ＥＬ素
子おいたとき、より鮮明に着色層の色や模様を見ること
ができるのである。
を抑えるならば、非発光状態で明るい環境に有機ＥＬ素
子おいたとき、より鮮明に着色層の色や模様を見ること
ができるのである。
【００５７】さらに、反射防止層９の部分に、その代わ
りとしてスリガラスや半透明のセラミックスのような光
拡散性を有する層を設けることも、非常に有効である。
りとしてスリガラスや半透明のセラミックスのような光
拡散性を有する層を設けることも、非常に有効である。
【００５８】このとき、透明基板１の下面での鏡面反射
が防ぐことができるため、非発光時と発光時の何れにお
いてもソフトな色調を得ることができるばかりでなく、
有機ＥＬ素子形成時や使用時に時として発生する、素子
発光時には黒点となる微小な非発光部を視覚的に遮蔽す
る効果があり、実用上の大きな利点となる。
が防ぐことができるため、非発光時と発光時の何れにお
いてもソフトな色調を得ることができるばかりでなく、
有機ＥＬ素子形成時や使用時に時として発生する、素子
発光時には黒点となる微小な非発光部を視覚的に遮蔽す
る効果があり、実用上の大きな利点となる。
【００５９】図５と図６とは、本発明の有機ＥＬ素子を
時計に応用したときの構成を示す断面図である。
時計に応用したときの構成を示す断面図である。
【００６０】図５は、図１の説明でも述べたように、透
明基板１を第２の透明導電層７の側に配置する構成の実
施例を示し、さらに図２と同様の着色層８を透明基板１
の下面に設ける。さらにまた、透明な時計用文字板１０
を図５のように配するものである。
明基板１を第２の透明導電層７の側に配置する構成の実
施例を示し、さらに図２と同様の着色層８を透明基板１
の下面に設ける。さらにまた、透明な時計用文字板１０
を図５のように配するものである。
【００６１】ここでは、時刻文字を印刷した文字板と有
機ＥＬ素子とを別体としてあり、部品製造を容易にでき
るという利点がある。
機ＥＬ素子とを別体としてあり、部品製造を容易にでき
るという利点がある。
【００６２】図６は本発明の実施例の有機ＥＬ素子を組
み込んだ時計を示す断面図である。有機ＥＬ素子は図２
と同一の構成であり、ここでは透明基板１が文字板を兼
ねているため、透明基板１の発光層を形成していない側
に時刻文字を印刷する。
み込んだ時計を示す断面図である。有機ＥＬ素子は図２
と同一の構成であり、ここでは透明基板１が文字板を兼
ねているため、透明基板１の発光層を形成していない側
に時刻文字を印刷する。
【００６３】図６では、透明ガラスやサファイアからな
る風防６３を組み込んだ外装６４内に、指針６１を駆動
するムーブメント６２を設ける。
る風防６３を組み込んだ外装６４内に、指針６１を駆動
するムーブメント６２を設ける。
【００６４】このムーブメント６２内には、図示はしな
いが、水晶振動子と、パルスモーターを駆動するための
半導体集積回路と、指針６１を駆動する輪列機構とを備
えている。さらに、外装６４は裏蓋６５によって封じ
て、時計完成体とするものである。
いが、水晶振動子と、パルスモーターを駆動するための
半導体集積回路と、指針６１を駆動する輪列機構とを備
えている。さらに、外装６４は裏蓋６５によって封じ
て、時計完成体とするものである。
【００６５】このような構造で、ここでは図示はしなか
った電源である電池とスイッチとを用いて有機ＥＬ素子
に電圧を印加すると発光し、暗所においても時計表示を
鮮やかに認識できる。
った電源である電池とスイッチとを用いて有機ＥＬ素子
に電圧を印加すると発光し、暗所においても時計表示を
鮮やかに認識できる。
【００６６】一方、明所においては文字板として着色層
８の色または模様が認識され、時計としての各種のデザ
イン性を追求できる。
８の色または模様が認識され、時計としての各種のデザ
イン性を追求できる。
【００６７】さらにまた図６において、着色層８の全部
あるいは一部を省略するならば、有機ＥＬ素子が非発光
のときには、ムーブメント６２の全体あるいは一部が見
えることになる。たとえば、輪列機構部を見えるように
することで、非常に面白い時計を構成することができ
る。
あるいは一部を省略するならば、有機ＥＬ素子が非発光
のときには、ムーブメント６２の全体あるいは一部が見
えることになる。たとえば、輪列機構部を見えるように
することで、非常に面白い時計を構成することができ
る。
【００６８】
【発明の効果】以上野説明で明かなように、本発明の有
機ＥＬ素子によれば、発光状態においては、通常の有機
ＥＬの発光色を、また非発光状態においては、透明な有
機ＥＬ素子の裏側に配置する物の形状や色彩などを見る
ことができる。
機ＥＬ素子によれば、発光状態においては、通常の有機
ＥＬの発光色を、また非発光状態においては、透明な有
機ＥＬ素子の裏側に配置する物の形状や色彩などを見る
ことができる。
【００６９】この結果、時計用文字板として使用したと
きには、デザイン性に富みしかも暗所においても容易に
時刻表示を見ることのできる時計を提供することができ
る。
きには、デザイン性に富みしかも暗所においても容易に
時刻表示を見ることのできる時計を提供することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施例における有機ＥＬ素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例における有機ＥＬ素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図３】本発明の実施例における有機ＥＬ素子の光学ス
ペクトルを示すグラフである。
ペクトルを示すグラフである。
【図４】本発明の第３の実施例における有機ＥＬ素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】本発明の第４の実施例における有機ＥＬ素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】本発明の実施例における有機ＥＬ素子を用いる
時計を示す断面図である。
時計を示す断面図である。
【図７】従来例における有機ＥＬ素子を示す断面図であ
る。
る。
【図８】従来例における有機ＥＬ素子を示す断面図であ
る。
る。
１ 透明基板 ２ 第１の透明導電層 ４ 発光層 ５ 電子輸送層 ６ 電子注入金属層 ７ 第２の透明導電層 ８ 着色層 ６２ ムーブメント
フロントページの続き (72)発明者 風間 亜矢子 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シ チズン時計株式会社技術研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の層よりなる有機薄膜と、有機薄膜
の両面に設ける第１と第２の電極層とを透明基板上に層
状に設け、第１の電極層は透明導電層よりなり、第２の
電極層は有機薄膜上に設ける低仕事関数の金属またはそ
の金属の合金の超薄膜の電子注入金属層と、電子注入金
属層上に設ける透明導電層とよりなることを特徴とする
有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項２】 複数の層よりなる有機薄膜と、有機薄膜
の両面に設ける第１と第２の電極層とを透明基板上に層
状に設け、第１の電極層は透明導電層よりなり、第２の
電極層は有機薄膜上に設ける低仕事関数の金属またはそ
の金属の合金の超薄膜の電子注入金属層と、電子注入金
属層上に設ける透明導電層とよりなる構成体とこの構成
体の一方の側の一部または全部に着色層を設けることを
特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項３】 複数の層よりなる有機薄膜と、有機薄膜
の両面に設ける第１と第２の電極層とを透明基板上に層
状に設け、第１の電極層は透明導電層よりなり、第２の
電極層が有機薄膜上に設ける低仕事関数の金属またはそ
の金属の合金の超薄膜の電子注入金属層と、電子注入金
属層上に設ける透明導電層とよりなる構成体と構成体の
一方の側に反射防止層または光拡散層のいずれかを設け
ることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項４】 複数の層よりなる有機薄膜と、有機薄膜
の両面に設ける第１と第２の電極層とを透明基板上に層
状に設け、第１の電極層は透明導電層よりなり、第２の
電極層は有機薄膜上に設ける低仕事関数の金属またはそ
の金属の合金の超薄膜の電子注入金属層と、電子注入金
属層上に設ける透明導電層とよりなる構成体と構成体の
一方の側の一部または全部に着色層を、もう一方の側に
反射防止層または光拡散層のいずれかを設けることを特
徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項５】 着色層の色と、有機エレクトロルミネセ
ンスの発光色とがほぼ補色関係にあることを特徴とする
請求項２あるいは４に記載の有機エレクトロルミネセン
ス素子。 - 【請求項６】 電子注入金属層の平均の厚さは数ｎｍで
あることを特徴とする請求項１、２、３、４あるいは５
に記載の有機エレクトロルミネセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33696894A JP3560375B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33696894A JP3560375B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08185984A true JPH08185984A (ja) | 1996-07-16 |
| JP3560375B2 JP3560375B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=18304274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33696894A Expired - Lifetime JP3560375B2 (ja) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3560375B2 (ja) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0845924A3 (en) * | 1996-11-29 | 1999-01-20 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescent device |
| JP2001148292A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-05-29 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子 |
| JP2002033185A (ja) * | 2000-05-06 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
| JP2002532849A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機発光デバイスの製造方法 |
| JP2002289357A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
| JP2002313582A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| US6569697B2 (en) | 2001-08-20 | 2003-05-27 | Universal Display Corporation | Method of fabricating electrodes |
| WO2004025997A1 (ja) * | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Ｅｌ素子、それを用いた表示体 |
| US6716662B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production method for organic electroluminescent device |
| JP2004127639A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント画像表示装置 |
| JP2004361423A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびそれを用いた電子機器 |
| JP2005191015A (ja) * | 2005-03-09 | 2005-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電子機器 |
| US7071615B2 (en) | 2001-08-20 | 2006-07-04 | Universal Display Corporation | Transparent electrodes |
| WO2007058318A1 (ja) | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 焼成体及びその製造方法 |
| US7271535B2 (en) | 2002-12-05 | 2007-09-18 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent display device, method for manufacturing the same, and electronic equipment |
| US7466294B2 (en) | 2003-02-28 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electric appliance |
| JP2009016115A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Dainippon Printing Co Ltd | エリア発光型有機ｅｌ表示パネル |
| JP2009070759A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光型有機ｅｌ表示パネル |
| US7592193B2 (en) | 2001-10-30 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| WO2010010611A1 (ja) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | パイオニア株式会社 | 透明自発光パネルを使用した表示装置 |
| JP2010505246A (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光デバイス |
| US7683535B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US7843125B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-11-30 | Cambridge Display Technology Limited | Organic light emitting diode |
| JP2011513958A (ja) * | 2008-02-26 | 2011-04-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光構成体 |
| US8319419B2 (en) | 2009-06-16 | 2012-11-27 | Futaba Corporation | Organic EL display apparatus |
| US8415658B2 (en) | 2009-06-23 | 2013-04-09 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device, display unit including the same, and method of manufacturing an organic electroluminescence device |
| EP3206231A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| US10243028B2 (en) | 2014-04-08 | 2019-03-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and lighting device with buffer layer |
| CN114551739A (zh) * | 2020-11-26 | 2022-05-27 | 夏普株式会社 | 用于改进注入电子传输层的超薄金属夹层 |
| JP2022124370A (ja) * | 2021-02-15 | 2022-08-25 | 日本放送協会 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8906517B2 (en) | 2005-04-04 | 2014-12-09 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device |
| WO2012133425A1 (ja) | 2011-03-29 | 2012-10-04 | 日本ゼオン株式会社 | 発光素子及び照明器具 |
-
1994
- 1994-12-27 JP JP33696894A patent/JP3560375B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0845924A3 (en) * | 1996-11-29 | 1999-01-20 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescent device |
| EP1119221A3 (en) * | 1996-11-29 | 2002-09-18 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescent device |
| EP1119222A3 (en) * | 1996-11-29 | 2002-09-18 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescent device |
| JP2002532849A (ja) * | 1998-12-17 | 2002-10-02 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 有機発光デバイスの製造方法 |
| JP2001148292A (ja) * | 1999-09-08 | 2001-05-29 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子 |
| US6356032B1 (en) | 1999-09-08 | 2002-03-12 | Denso Corporation | Organic element with metallic cathode |
| JP2014060179A (ja) * | 2000-02-03 | 2014-04-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US7745993B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device comprising reflective film |
| US7867053B2 (en) | 2000-02-03 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device |
| US9419066B2 (en) | 2000-02-03 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US7683535B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2002033185A (ja) * | 2000-05-06 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
| JP2002289357A (ja) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
| JP2002313582A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子及び表示装置 |
| US7071615B2 (en) | 2001-08-20 | 2006-07-04 | Universal Display Corporation | Transparent electrodes |
| US6569697B2 (en) | 2001-08-20 | 2003-05-27 | Universal Display Corporation | Method of fabricating electrodes |
| US6716662B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production method for organic electroluminescent device |
| US7592193B2 (en) | 2001-10-30 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| GB2409338B (en) * | 2002-09-13 | 2007-01-31 | Dainippon Printing Co Ltd | EL element |
| GB2409338A (en) * | 2002-09-13 | 2005-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | El device and display using same |
| WO2004025997A1 (ja) * | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Ｅｌ素子、それを用いた表示体 |
| US7733018B2 (en) | 2002-09-13 | 2010-06-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | EL and display device having sealant layer |
| JP2004127639A (ja) * | 2002-10-01 | 2004-04-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント画像表示装置 |
| US7271535B2 (en) | 2002-12-05 | 2007-09-18 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent display device, method for manufacturing the same, and electronic equipment |
| US7641533B2 (en) | 2002-12-05 | 2010-01-05 | Seiko Epson Corporation | Electroluminescent display device, method for manufacturing the same, and electronic equipment |
| US7466294B2 (en) | 2003-02-28 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electric appliance |
| US8760375B2 (en) | 2003-04-09 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and an electronic apparatus using the same |
| US8009145B2 (en) | 2003-04-09 | 2011-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and an electronic apparatus using the same |
| JP2004361423A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-12-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびそれを用いた電子機器 |
| US8330670B2 (en) | 2003-04-09 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and an electronic apparatus using the same |
| US7843125B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-11-30 | Cambridge Display Technology Limited | Organic light emitting diode |
| JP2005191015A (ja) * | 2005-03-09 | 2005-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電子機器 |
| WO2007058318A1 (ja) | 2005-11-21 | 2007-05-24 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 焼成体及びその製造方法 |
| US8339034B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-12-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lighting device having two light sides and an organic layer stack |
| JP2010505246A (ja) * | 2006-09-29 | 2010-02-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光デバイス |
| JP2009016115A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Dainippon Printing Co Ltd | エリア発光型有機ｅｌ表示パネル |
| JP2009070759A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 発光型有機ｅｌ表示パネル |
| JP2011513958A (ja) * | 2008-02-26 | 2011-04-28 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 発光構成体 |
| WO2010010611A1 (ja) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | パイオニア株式会社 | 透明自発光パネルを使用した表示装置 |
| US8319419B2 (en) | 2009-06-16 | 2012-11-27 | Futaba Corporation | Organic EL display apparatus |
| US8415658B2 (en) | 2009-06-23 | 2013-04-09 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device, display unit including the same, and method of manufacturing an organic electroluminescence device |
| US8916861B2 (en) | 2009-06-23 | 2014-12-23 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device, display unit including the same, and method of manufacturing an organic electroluminescence device |
| US10243028B2 (en) | 2014-04-08 | 2019-03-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and lighting device with buffer layer |
| EP3206231A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| US10230069B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-03-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus with substrate hole, and method of manufacturing the same |
| CN107085475A (zh) * | 2016-02-12 | 2017-08-22 | 三星显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
| US10431772B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-10-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus with substrate hole and touch electrode |
| US10680205B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus with substrate hole and touch electrode |
| TWI714676B (zh) * | 2016-02-12 | 2021-01-01 | 南韓商三星顯示器有限公司 | 顯示設備及其製造方法 |
| US10978674B2 (en) | 2016-02-12 | 2021-04-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus with substrate hole |
| CN107085475B (zh) * | 2016-02-12 | 2021-11-09 | 三星显示有限公司 | 显示设备及其制造方法 |
| US11793023B2 (en) | 2016-02-12 | 2023-10-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus having pixels around hole in substrate and touch layer overlapped with passivation layer |
| CN114551739A (zh) * | 2020-11-26 | 2022-05-27 | 夏普株式会社 | 用于改进注入电子传输层的超薄金属夹层 |
| JP2022124370A (ja) * | 2021-02-15 | 2022-08-25 | 日本放送協会 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、及び照明装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3560375B2 (ja) | 2004-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3560375B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子 | |
| TWI448195B (zh) | 有機電致發光裝置，包括該有機電致發光裝置之顯示裝置及製造有機電致發光裝置之方法 | |
| US6820994B2 (en) | Lighting device, and electronic device using the same | |
| JPH06275381A (ja) | 多色発光素子とその基板 | |
| JP2007529868A (ja) | 安定性が改善された有機発光デバイス | |
| JP3724732B2 (ja) | 有機ｅｌ発光素子 | |
| JP2001338770A (ja) | 発光表示装置及びその製造方法 | |
| CN100464615C (zh) | 有机场致发光装置 | |
| JP2008533655A (ja) | 透明発光部品 | |
| JP4003472B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 | |
| KR20070004801A (ko) | 유기 전기 발광 표시장치 | |
| JP2003249381A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 | |
| JP2002260858A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JPH03141588A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP2004152699A (ja) | 発光装置及び照明装置 | |
| JP2001237074A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス光源 | |
| JP4104339B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法、並びに表示装置 | |
| JP2004342522A (ja) | 自発光デバイス | |
| US20250234741A1 (en) | Light-emitting module and light-emitting device | |
| CN218851229U (zh) | 发光模组和发光装置 | |
| JP2004342521A (ja) | 自発光デバイス | |
| JP2005093074A (ja) | 発光素子及びその製造方法、並びに、その発光素子を用いた表示装置及び照明装置 | |
| JP2004342523A (ja) | 自発光デバイス | |
| JP2000041807A (ja) | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子を用いた自発光型鏡 | |
| JP4395216B2 (ja) | 計器用自発光指針と自発光指針を有する計器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031215 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040119 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040123 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040212 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040123 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040518 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040525 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100604 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110604 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120604 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130604 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |