JPH08186332A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPH08186332A JPH08186332A JP70495A JP70495A JPH08186332A JP H08186332 A JPH08186332 A JP H08186332A JP 70495 A JP70495 A JP 70495A JP 70495 A JP70495 A JP 70495A JP H08186332 A JPH08186332 A JP H08186332A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＧａＮ系化合物半導体層中におけるＭｇ不純
物の電気的活性化率を上げて高品質のｐ型層を形成する
ことができ、高性能・短波長の半導体レーザ等の実現を
可能とした半導体素子の製造方法を提供すること。 【構成】 基板上に化合物半導体層を積層して半導体素
子を製造する方法において、Ｍｇを添加したＧａＮ系化
合物半導体層１５，１６上にＭｇを添加したＡｌＮキャ
ップ層１７を形成したのち、ＧａＮ系化合物半導体層１
５，１６に熱処理を施し、しかるのちＡｌＮキャップ層
１７を除去することを特徴とする。
物の電気的活性化率を上げて高品質のｐ型層を形成する
ことができ、高性能・短波長の半導体レーザ等の実現を
可能とした半導体素子の製造方法を提供すること。 【構成】 基板上に化合物半導体層を積層して半導体素
子を製造する方法において、Ｍｇを添加したＧａＮ系化
合物半導体層１５，１６上にＭｇを添加したＡｌＮキャ
ップ層１７を形成したのち、ＧａＮ系化合物半導体層１
５，１６に熱処理を施し、しかるのちＡｌＮキャップ層
１７を除去することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の製造方法
に係わり、特にアクセプタ不純物の添加方法を改良した
半導体素子の製造方法に関する。
に係わり、特にアクセプタ不純物の添加方法を改良した
半導体素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】窒素を含むIII-Ｖ族化合物半導体の一つ
であるＧａＮは、バンドギャップが３．４ｅＶと大き
く、また直接遷移型であることから、短波長発光素子用
材料として期待されている。この材料は低抵抗のｐ型層
の成長が困難であったが、最近、アクセプタとしてＭｇ
を添加したＧａＮ層を電子ビーム照射又は窒素ガス雰囲
気中で加熱することにより抵抗の低下が可能となってい
る。この抵抗低下は、結晶中に混入した水素の脱離の効
果によると考えられている。
であるＧａＮは、バンドギャップが３．４ｅＶと大き
く、また直接遷移型であることから、短波長発光素子用
材料として期待されている。この材料は低抵抗のｐ型層
の成長が困難であったが、最近、アクセプタとしてＭｇ
を添加したＧａＮ層を電子ビーム照射又は窒素ガス雰囲
気中で加熱することにより抵抗の低下が可能となってい
る。この抵抗低下は、結晶中に混入した水素の脱離の効
果によると考えられている。
【０００３】しかし、本発明者らの研究によれば、未だ
ＧａＮ層中のＭｇの電気的活性化率は低く、半導体レー
ザ等の高性能素子作成に必要な１Ωｃｍ以下の低抵抗ｐ
型層作成のためには、Ｍｇを１０19ｃｍ-3以上１０20ｃ
ｍ-3程度の非常な高濃度に添加する必要があることが判
明した。このような高濃度Ｍｇ添加では、結晶欠陥増大
と共に表面平坦性が悪化するために、高性能・短波長の
半導体レーザ等を実現することは不可能である。
ＧａＮ層中のＭｇの電気的活性化率は低く、半導体レー
ザ等の高性能素子作成に必要な１Ωｃｍ以下の低抵抗ｐ
型層作成のためには、Ｍｇを１０19ｃｍ-3以上１０20ｃ
ｍ-3程度の非常な高濃度に添加する必要があることが判
明した。このような高濃度Ｍｇ添加では、結晶欠陥増大
と共に表面平坦性が悪化するために、高性能・短波長の
半導体レーザ等を実現することは不可能である。
【０００４】一方、Ｍｇを添加したＧａＮ層の上にＡｌ
Ｎ層をキャップ層として形成した後にアニールすること
により、低抵抗なｐ型ＧａＮ層を形成する方法が提案さ
れている（特開平５−１８３１８９号公報）。しかしな
がら、この種の方法においても、Ｍｇの十分な電気的活
性化は達成できていないのが現状である。
Ｎ層をキャップ層として形成した後にアニールすること
により、低抵抗なｐ型ＧａＮ層を形成する方法が提案さ
れている（特開平５−１８３１８９号公報）。しかしな
がら、この種の方法においても、Ｍｇの十分な電気的活
性化は達成できていないのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、Ｇａ
Ｎ系の化合物半導体層（窒化物系III-Ｖ族化合物半導体
層）を成長するに際しては、低抵抗のｐ型を得るために
過剰にＭｇ（アクセプタ不純物）を添加する必要があ
り、結晶欠陥増大と共に表面平坦性が悪化するという問
題があった。
Ｎ系の化合物半導体層（窒化物系III-Ｖ族化合物半導体
層）を成長するに際しては、低抵抗のｐ型を得るために
過剰にＭｇ（アクセプタ不純物）を添加する必要があ
り、結晶欠陥増大と共に表面平坦性が悪化するという問
題があった。
【０００６】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、窒化物系III-Ｖ族化合
物半導体層中におけるアクセプタ不純物の電気的活性化
率を上げて高品質のｐ型層を形成することができ、高性
能・短波長の半導体レーザ等の実現を可能とした半導体
素子の製造方法を提供することにある。
ので、その目的とするところは、窒化物系III-Ｖ族化合
物半導体層中におけるアクセプタ不純物の電気的活性化
率を上げて高品質のｐ型層を形成することができ、高性
能・短波長の半導体レーザ等の実現を可能とした半導体
素子の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、次のような構成を採用している。即ち本発
明は、基板上に化合物半導体層を積層して半導体素子を
製造する方法において、アクセプタを添加した窒化物系
III-Ｖ族化合物半導体層上にアクセプタを添加したＡｌ
Ｎキャップ層を形成したのち、窒化物系III-Ｖ族化合物
半導体層に熱処理を施し、しかるのちＡｌＮキャップ層
の少なくとも一部を除去することを特徴とする。また本
発明は、アクセプタを添加したＡｌＮの代わりにＡｌ2
Ｏ3 をキャップ層として用いることを特徴とする。
に本発明は、次のような構成を採用している。即ち本発
明は、基板上に化合物半導体層を積層して半導体素子を
製造する方法において、アクセプタを添加した窒化物系
III-Ｖ族化合物半導体層上にアクセプタを添加したＡｌ
Ｎキャップ層を形成したのち、窒化物系III-Ｖ族化合物
半導体層に熱処理を施し、しかるのちＡｌＮキャップ層
の少なくとも一部を除去することを特徴とする。また本
発明は、アクセプタを添加したＡｌＮの代わりにＡｌ2
Ｏ3 をキャップ層として用いることを特徴とする。
【０００８】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) ＡｌＮ中のアクセプタ添加濃度が１０17〜１０20ｃ
ｍ-3であること (2) 熱処理温度が７００℃以上、好ましくは８００℃以
上１２００℃以下であること。 (3) 窒化物系III-Ｖ族化合物半導体はＧａＮ又はＡｌＧ
ａＮであり、アクセプタ不純物はＭｇであること。
は、次のものがあげられる。 (1) ＡｌＮ中のアクセプタ添加濃度が１０17〜１０20ｃ
ｍ-3であること (2) 熱処理温度が７００℃以上、好ましくは８００℃以
上１２００℃以下であること。 (3) 窒化物系III-Ｖ族化合物半導体はＧａＮ又はＡｌＧ
ａＮであり、アクセプタ不純物はＭｇであること。
【０００９】
【作用】窒化物系III-Ｖ族化合物半導体のアクセプタ不
純物として用いられるＭｇについて考える。Ｍｇの活性
化率を上げることができればＭｇ添加量を減少でき、表
面平坦性の良い低欠陥・低抵抗のｐ型層を実現できる。
そこで、本発明者らはＭｇの活性化率の低下に深く係わ
っていると考えられている結晶中の水素濃度について調
べた。この結果、アンドープ層に比べ多量のＭｇ濃度と
同程度の水素がＭｇドーピング層に混入しており、その
水素混入量は熱処理を行うことにより減少することが分
った。
純物として用いられるＭｇについて考える。Ｍｇの活性
化率を上げることができればＭｇ添加量を減少でき、表
面平坦性の良い低欠陥・低抵抗のｐ型層を実現できる。
そこで、本発明者らはＭｇの活性化率の低下に深く係わ
っていると考えられている結晶中の水素濃度について調
べた。この結果、アンドープ層に比べ多量のＭｇ濃度と
同程度の水素がＭｇドーピング層に混入しており、その
水素混入量は熱処理を行うことにより減少することが分
った。
【００１０】図１に、温度を変化させて熱処理を行った
際の熱処理温度と水素濃度の関係を示す。試料はＭｇド
ープのＧａＮである。７００℃以上の温度にて熱処理を
行うことにより水素濃度を低下させることができる。な
お、半導体レーザ等のキャリア濃度の精密なコントロー
ルが必要な素子の場合は水素濃度を飽和濃度の１０％以
下に抑える必要があり、その場合は１０００℃以上の処
理が必要となる。ところが、８００℃以上の処理では表
面からの窒素等の構成元素の蒸発が急激に激しくなり結
晶表面が顕著に劣化する。
際の熱処理温度と水素濃度の関係を示す。試料はＭｇド
ープのＧａＮである。７００℃以上の温度にて熱処理を
行うことにより水素濃度を低下させることができる。な
お、半導体レーザ等のキャリア濃度の精密なコントロー
ルが必要な素子の場合は水素濃度を飽和濃度の１０％以
下に抑える必要があり、その場合は１０００℃以上の処
理が必要となる。ところが、８００℃以上の処理では表
面からの窒素等の構成元素の蒸発が急激に激しくなり結
晶表面が顕著に劣化する。
【００１１】高温処理による表面劣化を防ぐためには表
面からの窒素等の構成元素の蒸発を抑えることが重要で
ある。本発明者らの研究によれば、適切な方法を選択す
ることにより、水素を十分除去できるような高温域にお
いても構成元素の蒸発を抑えられることが分かった。そ
れは、別の材料（キャップ層）で表面を覆って熱処理を
行う方法である。その際のキャップ層としては耐熱性が
あること、拡散により窒化物層のｐ型化に悪影響を含む
元素（例えばＳｉ，Ｓｅ等のドナー性不純物）を含まな
いこと、水素透過性が良いこと、格子定数が窒化物と近
く熱歪みが入らないこと、窒素やＧａを通さない緻密な
膜であることが重要である。また、キャップ層は熱処理
終了後に取り除かれるので、下地の窒化物層と選択的に
エッチングできる材料が適している。
面からの窒素等の構成元素の蒸発を抑えることが重要で
ある。本発明者らの研究によれば、適切な方法を選択す
ることにより、水素を十分除去できるような高温域にお
いても構成元素の蒸発を抑えられることが分かった。そ
れは、別の材料（キャップ層）で表面を覆って熱処理を
行う方法である。その際のキャップ層としては耐熱性が
あること、拡散により窒化物層のｐ型化に悪影響を含む
元素（例えばＳｉ，Ｓｅ等のドナー性不純物）を含まな
いこと、水素透過性が良いこと、格子定数が窒化物と近
く熱歪みが入らないこと、窒素やＧａを通さない緻密な
膜であることが重要である。また、キャップ層は熱処理
終了後に取り除かれるので、下地の窒化物層と選択的に
エッチングできる材料が適している。
【００１２】これらの条件のうち最も重要なものは、抵
抗増大の要因となるドナー性又は深い準位を形成する不
純物を含まないことである。このためにはIII-Ｖ族化合
物半導体が適している。III-Ｖ族化合物半導体のうち窒
化物と格子定数が近いものとしては窒化物それ自身とＢ
Ｐがある。しかし、ＢＰは化学的に安定でありエッチン
グは困難である。また、ＧａＮも選択的エッチングが困
難であり、ＩｎＮは耐熱性がない。
抗増大の要因となるドナー性又は深い準位を形成する不
純物を含まないことである。このためにはIII-Ｖ族化合
物半導体が適している。III-Ｖ族化合物半導体のうち窒
化物と格子定数が近いものとしては窒化物それ自身とＢ
Ｐがある。しかし、ＢＰは化学的に安定でありエッチン
グは困難である。また、ＧａＮも選択的エッチングが困
難であり、ＩｎＮは耐熱性がない。
【００１３】一方、ＡｌＮは耐熱性に優れ、塩酸等によ
り選択的なエッチングも可能であるが、水素透過性の点
で問題があった。しかし、本発明者らの研究ではIII-Ｖ
族窒化物の水素透過率はアクセプタを添加することによ
り大幅に増大することが分かった。例えばＡｌＮの場
合、Ｍｇを１０17〜１０20ｃｍ-3添加することにより十
分な水素透過性が得られる。特に、クラッド層のアクセ
プタ不純物と同じ不純物をキャップ層にドープすること
により、熱処理中の表面キャリア濃度減少によるコンタ
クト抵抗増大が防げる。従って、アクセプタをドープし
たＡｌＮをキャップ層に用いることにより、窒素等の構
成元素の蒸発を抑えながら水素の除去が可能になる。
り選択的なエッチングも可能であるが、水素透過性の点
で問題があった。しかし、本発明者らの研究ではIII-Ｖ
族窒化物の水素透過率はアクセプタを添加することによ
り大幅に増大することが分かった。例えばＡｌＮの場
合、Ｍｇを１０17〜１０20ｃｍ-3添加することにより十
分な水素透過性が得られる。特に、クラッド層のアクセ
プタ不純物と同じ不純物をキャップ層にドープすること
により、熱処理中の表面キャリア濃度減少によるコンタ
クト抵抗増大が防げる。従って、アクセプタをドープし
たＡｌＮをキャップ層に用いることにより、窒素等の構
成元素の蒸発を抑えながら水素の除去が可能になる。
【００１４】また、Ａｌ2 Ｏ3 は格子定数こそ窒化物と
は異なるが、通常窒化物層形成のための基板として用い
られている材料であり、熱処理後の冷却の際に導入され
る熱歪みが大きく問題となることはない。しかも、その
他の点で、上述したようなキャップ層に対する条件を全
て満足する。さらに、Ａｌ2 Ｏ3 キャップ層は、特にス
パッタリングにより容易に形成でき、かつ酸又はアルカ
リによるエッチングが容易なので有利である。従って本
発明においては、Ａｌ2 Ｏ3 をキャップ層として用いて
も同様の効果が期待できる。
は異なるが、通常窒化物層形成のための基板として用い
られている材料であり、熱処理後の冷却の際に導入され
る熱歪みが大きく問題となることはない。しかも、その
他の点で、上述したようなキャップ層に対する条件を全
て満足する。さらに、Ａｌ2 Ｏ3 キャップ層は、特にス
パッタリングにより容易に形成でき、かつ酸又はアルカ
リによるエッチングが容易なので有利である。従って本
発明においては、Ａｌ2 Ｏ3 をキャップ層として用いて
も同様の効果が期待できる。
【００１５】このように本発明では、アクセプタを添加
したＡｌＮやＡｌ2 Ｏ3 を耐熱性のキャップ層として堆
積した後に熱処理を行うことにより、熱処理温度の高温
化がはかれ、窒素等の構成元素の蒸発を抑えながら水素
の除去ができる。従って、Ｍｇの活性化率が上がり、過
剰のＭｇ添加を行わずに表面平坦性に優れた低抵抗高品
質のｐ型窒化物層の作成が可能となるので、半導体レー
ザ等の高性能短波長発光素子が実現できる。
したＡｌＮやＡｌ2 Ｏ3 を耐熱性のキャップ層として堆
積した後に熱処理を行うことにより、熱処理温度の高温
化がはかれ、窒素等の構成元素の蒸発を抑えながら水素
の除去ができる。従って、Ｍｇの活性化率が上がり、過
剰のＭｇ添加を行わずに表面平坦性に優れた低抵抗高品
質のｐ型窒化物層の作成が可能となるので、半導体レー
ザ等の高性能短波長発光素子が実現できる。
【００１６】なお、上記の説明ではアクセプタ不純物と
してＭｇを例に取ったが、窒化物系III-Ｖ族化合物半導
体のアクセプタとして機能するもので、そのドープによ
ってドープ層に水素が取り込まれるような材料であれ
ば、キャップ層を設けて熱処理することにより同様の効
果が期待できる。
してＭｇを例に取ったが、窒化物系III-Ｖ族化合物半導
体のアクセプタとして機能するもので、そのドープによ
ってドープ層に水素が取り込まれるような材料であれ
ば、キャップ層を設けて熱処理することにより同様の効
果が期待できる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。図２に、Ｍｇを５×１０19ｃｍ-3添加したＧ
ａＮにおける、本発明によるアクセプタ添加ＡｌＮキャ
ップ層を用いた方法により熱処理を行った場合と、アク
セプタを添加しないＡｌＮキャップ層を用いた場合、キ
ャップ層を用いなかった場合の熱処理温度に対する抵抗
値の変化を示す。
説明する。図２に、Ｍｇを５×１０19ｃｍ-3添加したＧ
ａＮにおける、本発明によるアクセプタ添加ＡｌＮキャ
ップ層を用いた方法により熱処理を行った場合と、アク
セプタを添加しないＡｌＮキャップ層を用いた場合、キ
ャップ層を用いなかった場合の熱処理温度に対する抵抗
値の変化を示す。
【００１８】キャップ層を用いなかった場合は４００℃
以上の熱処理温度にて抵抗値の低減効果が認められ、抵
抗値は処理温度の上昇と共にさらに低下する。７００℃
から９００℃の間では最も低い抵抗値が得られるが、９
００℃以上の熱処理では再び抵抗は増大する。また、ア
ンドープＡｌＮキャップ層を用いた場合には、処理温度
の上昇と共に抵抗値は単調に減少するが、８００℃以上
では飽和してしまう。一方、本発明による方法では、７
００℃以上の処理温度にても処理温度上昇と共に抵抗は
顕著に低下し、８００℃以上では抵抗低減効果は大きく
は変化しないが１０００℃以上の処理温度領域まで温度
と共に単調に低下する。
以上の熱処理温度にて抵抗値の低減効果が認められ、抵
抗値は処理温度の上昇と共にさらに低下する。７００℃
から９００℃の間では最も低い抵抗値が得られるが、９
００℃以上の熱処理では再び抵抗は増大する。また、ア
ンドープＡｌＮキャップ層を用いた場合には、処理温度
の上昇と共に抵抗値は単調に減少するが、８００℃以上
では飽和してしまう。一方、本発明による方法では、７
００℃以上の処理温度にても処理温度上昇と共に抵抗は
顕著に低下し、８００℃以上では抵抗低減効果は大きく
は変化しないが１０００℃以上の処理温度領域まで温度
と共に単調に低下する。
【００１９】即ち、キャップ層を用いない場合、７００
℃以上の処理温度では水素の除去効果は温度と共に改善
されるが、窒素等の構成元素の蒸発が同時に激しくなる
ために結晶欠陥が増大する。そのために抵抗値低減効果
が阻害され、９００℃以上では処理温度を高めたにも拘
らず抵抗値が上昇したものと考えられる。ＡｌＮキャッ
プ層を用いることにより表面からの構成元素の脱離を抑
えることができるが、アクセプタを添加しない場合は水
素透過性が悪いため抵抗値は飽和してしまう。それに対
して本発明による方法では、キャップ層なしでは表面か
らの構成元素の脱離が無視できなかった７００℃以上の
温度にても構成元素の脱離による欠陥等の増大がなく、
かつ水素透過性が良いことに基づき水素を有効に除去で
きるので、従来よりも低抵抗の結晶が得られた。この効
果は８００℃以上の処理温度にて特に顕著である。但
し、１２００℃を越えると、ＧａＮの結晶品質を損なう
恐れがある。
℃以上の処理温度では水素の除去効果は温度と共に改善
されるが、窒素等の構成元素の蒸発が同時に激しくなる
ために結晶欠陥が増大する。そのために抵抗値低減効果
が阻害され、９００℃以上では処理温度を高めたにも拘
らず抵抗値が上昇したものと考えられる。ＡｌＮキャッ
プ層を用いることにより表面からの構成元素の脱離を抑
えることができるが、アクセプタを添加しない場合は水
素透過性が悪いため抵抗値は飽和してしまう。それに対
して本発明による方法では、キャップ層なしでは表面か
らの構成元素の脱離が無視できなかった７００℃以上の
温度にても構成元素の脱離による欠陥等の増大がなく、
かつ水素透過性が良いことに基づき水素を有効に除去で
きるので、従来よりも低抵抗の結晶が得られた。この効
果は８００℃以上の処理温度にて特に顕著である。但
し、１２００℃を越えると、ＧａＮの結晶品質を損なう
恐れがある。
【００２０】またここで、アクセプタ添加によるＡｌＮ
の水素透過性の向上の効果は１０17ｃｍ-3以上で顕著と
なるが、１０20ｃｍ-3より多いアクセプタ添加は製造上
困難である。従って本発明において、ＡｌＮキャップ層
の好ましいアクセプタ添加量は１０17〜１０20ｃｍ-3と
する。
の水素透過性の向上の効果は１０17ｃｍ-3以上で顕著と
なるが、１０20ｃｍ-3より多いアクセプタ添加は製造上
困難である。従って本発明において、ＡｌＮキャップ層
の好ましいアクセプタ添加量は１０17〜１０20ｃｍ-3と
する。
【００２１】図３に、Ａｒ雰囲気中８００℃，３０分の
熱処理をした場合のＧａＮ層におけるＭｇ濃度と抵抗値
の関係を示す。キャップ層を用いない従来の方法では、
白濁が生じる１０19ｃｍ-3を越えるＭｇ添加を行わなけ
れば抵抗値の低下は見られなかった。これに対し、アク
セプタドープのＡｌＮキャップ層を用いた本発明による
方法では、Ｍｇの電気的活性化率を向上できるので、平
坦な膜が得られる１０19ｃｍ-3以下のＭｇ濃度において
も抵抗値を低下することができた。これらの効果は、Ａ
ｌＮ，ＩｎＮとの混晶においてもほぼ同様であった。
熱処理をした場合のＧａＮ層におけるＭｇ濃度と抵抗値
の関係を示す。キャップ層を用いない従来の方法では、
白濁が生じる１０19ｃｍ-3を越えるＭｇ添加を行わなけ
れば抵抗値の低下は見られなかった。これに対し、アク
セプタドープのＡｌＮキャップ層を用いた本発明による
方法では、Ｍｇの電気的活性化率を向上できるので、平
坦な膜が得られる１０19ｃｍ-3以下のＭｇ濃度において
も抵抗値を低下することができた。これらの効果は、Ａ
ｌＮ，ＩｎＮとの混晶においてもほぼ同様であった。
【００２２】図４は、本発明の実施例方法により作成し
た半導体レーザの素子構造断面図である。サファイア基
板１０のｃ面上にＡｌＮ（１０ｎｍ）の第１バッファ層
１１、ＧａＮ（１．０μｍ）の第２バッファ層１２、Ｓ
ｉドープｎ型ＡｌＧａＮ（１．０μｍ）のクラッド層１
３、ＧａＮ（０．５μｍ）の活性層１４、Ｍｇドープｐ
型ＡｌＧａＮ（１．０μｍ）のクラッド層１５、Ｍｇド
ープｐ型ＧａＮ（０．５μｍ）のコンタクト層１６が順
次形成されている。また、図には示さないが、ｎ型クラ
ッド層１３の側面及びｐ型コンタクト層１６の上面にそ
れぞれ電極が設けられている。
た半導体レーザの素子構造断面図である。サファイア基
板１０のｃ面上にＡｌＮ（１０ｎｍ）の第１バッファ層
１１、ＧａＮ（１．０μｍ）の第２バッファ層１２、Ｓ
ｉドープｎ型ＡｌＧａＮ（１．０μｍ）のクラッド層１
３、ＧａＮ（０．５μｍ）の活性層１４、Ｍｇドープｐ
型ＡｌＧａＮ（１．０μｍ）のクラッド層１５、Ｍｇド
ープｐ型ＧａＮ（０．５μｍ）のコンタクト層１６が順
次形成されている。また、図には示さないが、ｎ型クラ
ッド層１３の側面及びｐ型コンタクト層１６の上面にそ
れぞれ電極が設けられている。
【００２３】図５は、本発明の実施例方法に使用した成
長装置を示す概略構成図である。図中の２１は石英製の
反応管であり、この反応管２１内にはガス導入口２２か
ら原料混合ガスが導入される。そして、反応管２１内の
ガスはガス排気口２３から排気されるものとなってる。
反応管２１内には、カーボン製のサセプタ２４が配置さ
れており、試料基板２０はこのサセプタ２４上に載置さ
れる。また、サセプタ２４は高周波コイル２５により誘
導加熱されるものとなっている。なお、基板２０の濃度
は図示の熱電対２６によって測定され、別の装置（図示
せず）によりコントロールされる。
長装置を示す概略構成図である。図中の２１は石英製の
反応管であり、この反応管２１内にはガス導入口２２か
ら原料混合ガスが導入される。そして、反応管２１内の
ガスはガス排気口２３から排気されるものとなってる。
反応管２１内には、カーボン製のサセプタ２４が配置さ
れており、試料基板２０はこのサセプタ２４上に載置さ
れる。また、サセプタ２４は高周波コイル２５により誘
導加熱されるものとなっている。なお、基板２０の濃度
は図示の熱電対２６によって測定され、別の装置（図示
せず）によりコントロールされる。
【００２４】次に、図５の成長装置を用いて図４の構造
の半導体レーザを製造する方法について簡単に説明す
る。まず、基板１０を水素中で１１００℃に加熱し表面
を清浄化する。次いで、基板温度を４５０〜９００℃に
低下させた後、Ｈ2 ガスをＮＨ3 ガス或いはＮを含む有
機化合物、例えば（ＣＨ3 ）2 Ｎ2 Ｈ2 に切り替えると
共に、成長すべき層に応じて有機金属化合物を導入して
成長を行う。ＡｌＮバッファ層１１の形成の際には、有
機金属Ａｌ化合物、例えばＡｌ（ＣＨ3 ）3 或いはＡｌ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 を導入してＡｌＮ第１バッファ層１１の
成長を行う。ＧａＮの第２バッファ層１２，活性層１
４，コンタクト層１６の形成の際には、有機金属Ｇａ化
合物、例えばＧａ（ＣＨ3 ）3 或いはＧａ（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 を導入して成長を行う。ＡｌＧａＮクラッド層１３，
１５の形成の際には、有機金属Ａｌ化合物と有機金属Ｇ
ａ化合物の両方を導入して成長を行う。
の半導体レーザを製造する方法について簡単に説明す
る。まず、基板１０を水素中で１１００℃に加熱し表面
を清浄化する。次いで、基板温度を４５０〜９００℃に
低下させた後、Ｈ2 ガスをＮＨ3 ガス或いはＮを含む有
機化合物、例えば（ＣＨ3 ）2 Ｎ2 Ｈ2 に切り替えると
共に、成長すべき層に応じて有機金属化合物を導入して
成長を行う。ＡｌＮバッファ層１１の形成の際には、有
機金属Ａｌ化合物、例えばＡｌ（ＣＨ3 ）3 或いはＡｌ
（Ｃ2 Ｈ5 ）3 を導入してＡｌＮ第１バッファ層１１の
成長を行う。ＧａＮの第２バッファ層１２，活性層１
４，コンタクト層１６の形成の際には、有機金属Ｇａ化
合物、例えばＧａ（ＣＨ3 ）3 或いはＧａ（Ｃ2 Ｈ5 ）
3 を導入して成長を行う。ＡｌＧａＮクラッド層１３，
１５の形成の際には、有機金属Ａｌ化合物と有機金属Ｇ
ａ化合物の両方を導入して成長を行う。
【００２５】なお、ＧａＮ活性層１４のバンドギャップ
を狭めるためにＩｎを添加してもよく、その場合有機金
属Ｉｎ化合物、例えばＩｎ（ＣＨ3 ）3 或いはＩｎ（Ｃ
2 Ｈ5 ）3 を導入してＩｎの添加を行う。
を狭めるためにＩｎを添加してもよく、その場合有機金
属Ｉｎ化合物、例えばＩｎ（ＣＨ3 ）3 或いはＩｎ（Ｃ
2 Ｈ5 ）3 を導入してＩｎの添加を行う。
【００２６】ドーピングの際にはドーピング用原料も同
時に導入する。クラッド層１３を形成する際のｎ型ドー
ピング用原料としてはＳｉ水素化物、例えばＳｉＨ4 或
いは有機金属Ｓｉ化合物、例えばＳｉ（ＣＨ3 ）4 を用
いる。また、クラッド層１５及びコンタクト層１６を形
成する際のｐ型ドーピング用原料としては有機金属Ｍｇ
化合物、例えばＣｐ2 Ｍｇ或いは有機金属Ｚｎ化合物、
例えばＺｎ（ＣＨ3 ）2 等を使用する。
時に導入する。クラッド層１３を形成する際のｎ型ドー
ピング用原料としてはＳｉ水素化物、例えばＳｉＨ4 或
いは有機金属Ｓｉ化合物、例えばＳｉ（ＣＨ3 ）4 を用
いる。また、クラッド層１５及びコンタクト層１６を形
成する際のｐ型ドーピング用原料としては有機金属Ｍｇ
化合物、例えばＣｐ2 Ｍｇ或いは有機金属Ｚｎ化合物、
例えばＺｎ（ＣＨ3 ）2 等を使用する。
【００２７】ここで、本実施例では、Ｍｇドープのｐ型
ＡｌＧａＮクラッド層１５及びｐ型ＧａＮコンタクト層
１６におけるｐ型ドーパントＭｇの活性化率を上げるた
めに、図６に示すように、コンタクト層１６上にＭｇド
ープのＡｌＮキャップ層１７（１０〜１０００ｎｍ）を
形成し、室温まで冷却した後に、Ａｒ，Ｈｅ，窒素等の
水素を含まないガス中又は真空中で８００〜１２００℃
で熱処理を行う。その後、塩酸，燐酸，硫酸を含む酸若
しくはＮａＯＨ，ＫＯＨ等を含むアルカリエッチング液
により７０〜２００℃の温度でエッチングして、ＡｌＮ
キャップ層１７を取り除く。熱処理は真空中で行っても
構わないが、水素を含まないガス中で行った方が構成元
素の蒸発が妨げるのでより効果的である。またここで、
ＡｌＮキャップ層１７の膜厚を１０〜１０００ｎｍとし
たのは、この膜厚が薄いと窒素等の構成元素の蒸発防止
が不十分となる恐れがあり、膜厚が厚いと水素透過性が
低下する傾向があるからである。
ＡｌＧａＮクラッド層１５及びｐ型ＧａＮコンタクト層
１６におけるｐ型ドーパントＭｇの活性化率を上げるた
めに、図６に示すように、コンタクト層１６上にＭｇド
ープのＡｌＮキャップ層１７（１０〜１０００ｎｍ）を
形成し、室温まで冷却した後に、Ａｒ，Ｈｅ，窒素等の
水素を含まないガス中又は真空中で８００〜１２００℃
で熱処理を行う。その後、塩酸，燐酸，硫酸を含む酸若
しくはＮａＯＨ，ＫＯＨ等を含むアルカリエッチング液
により７０〜２００℃の温度でエッチングして、ＡｌＮ
キャップ層１７を取り除く。熱処理は真空中で行っても
構わないが、水素を含まないガス中で行った方が構成元
素の蒸発が妨げるのでより効果的である。またここで、
ＡｌＮキャップ層１７の膜厚を１０〜１０００ｎｍとし
たのは、この膜厚が薄いと窒素等の構成元素の蒸発防止
が不十分となる恐れがあり、膜厚が厚いと水素透過性が
低下する傾向があるからである。
【００２８】より具体的には、原料としてＮＨ3 を１×
１０-3 mol/min、Ｇａ（ＣＨ3 ）3を１×１０-5 mol/mi
n、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 を１×１０-6 mol/min導入してＡ
ｌＧａＮクラッド層１５の成長を行う。ＧａＮコンタク
ト層１６の場合はＡｌの供給を停止し、ＡｌＮキャップ
層１７の場合はＧａの供給を停止する。基板温度は１０
５０℃、圧力７５Torr、原料ガスの総流量は１ l/min、
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１５，ｐ型ＧａＮコンタクト
層１６及びＡｌＮキャップ層１７へのＭｇ添加両は５×
１０18ｃｍ-3とした。クラッド層１３，１５におけるド
ーピング用原料は、ｎ型としてＳｉＨ4 、ｐ型としてＣ
ｐ2 Ｍｇを使用する。ＡｌＮキャップ層１７形成後の熱
処理は図５の成長装置内でＡｒ中で１０００℃，３０分
間行った。キャップ層１７の除去は、燐酸（８５％）に
より１２０℃，１５分間エッチングして行った。
１０-3 mol/min、Ｇａ（ＣＨ3 ）3を１×１０-5 mol/mi
n、Ａｌ（ＣＨ3 ）3 を１×１０-6 mol/min導入してＡ
ｌＧａＮクラッド層１５の成長を行う。ＧａＮコンタク
ト層１６の場合はＡｌの供給を停止し、ＡｌＮキャップ
層１７の場合はＧａの供給を停止する。基板温度は１０
５０℃、圧力７５Torr、原料ガスの総流量は１ l/min、
ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１５，ｐ型ＧａＮコンタクト
層１６及びＡｌＮキャップ層１７へのＭｇ添加両は５×
１０18ｃｍ-3とした。クラッド層１３，１５におけるド
ーピング用原料は、ｎ型としてＳｉＨ4 、ｐ型としてＣ
ｐ2 Ｍｇを使用する。ＡｌＮキャップ層１７形成後の熱
処理は図５の成長装置内でＡｒ中で１０００℃，３０分
間行った。キャップ層１７の除去は、燐酸（８５％）に
より１２０℃，１５分間エッチングして行った。
【００２９】かくして製造された半導体レーザは、ｐ型
ＧａＮ系化合物半導体層（ＡｌＧａＮクラッド層１５，
ＧａＮコンタクト層１６）のＭｇの活性化率を高めるこ
とができるので、Ｍｇを過剰に添加することなしに低抵
抗のｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を形成することができ
る。このため、高品質なｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を
成長することができ、短波長の半導体レーザの高性能化
及び長寿命化をはかることができる。
ＧａＮ系化合物半導体層（ＡｌＧａＮクラッド層１５，
ＧａＮコンタクト層１６）のＭｇの活性化率を高めるこ
とができるので、Ｍｇを過剰に添加することなしに低抵
抗のｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を形成することができ
る。このため、高品質なｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を
成長することができ、短波長の半導体レーザの高性能化
及び長寿命化をはかることができる。
【００３０】次に、ＭｇドープのＡｌＮキャップ層に代
えてＡｌ2 Ｏ3 キャップ層を形成した以外は全く同様に
して半導体レーザを製造した。より具体的には、スパッ
タリングによりＡｌ2 Ｏ3 キャップ層を形成し、室温ま
で冷却した後にＡｒ中で１０００℃，３０分感の熱処理
を行い、塩酸（８５％）により７０℃，１５分間エッチ
ングしてＡｌ2 Ｏ3 キャップ層を除去した。この場合
も、得られるｐ型ＧａＮ系化合物半導体層のＭｇの活性
化率を高め、Ｍｇを過剰に添加することなく低抵抗高品
質のｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を成長することができ
た。
えてＡｌ2 Ｏ3 キャップ層を形成した以外は全く同様に
して半導体レーザを製造した。より具体的には、スパッ
タリングによりＡｌ2 Ｏ3 キャップ層を形成し、室温ま
で冷却した後にＡｒ中で１０００℃，３０分感の熱処理
を行い、塩酸（８５％）により７０℃，１５分間エッチ
ングしてＡｌ2 Ｏ3 キャップ層を除去した。この場合
も、得られるｐ型ＧａＮ系化合物半導体層のＭｇの活性
化率を高め、Ｍｇを過剰に添加することなく低抵抗高品
質のｐ型ＧａＮ系化合物半導体層を成長することができ
た。
【００３１】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。実施例では、低抵抗のｐ型化合物半導
体層にＧａＮ又はＡｌＧａＮを用いたが、本発明はこれ
らのＧａＮ系化合物半導体に限るものではなく、窒化物
系III-Ｖ族化合物半導体であれば適用可能である。ま
た、キャップ層の膜厚やアクセプタのドーピング量、更
にはキャップ層形成後の熱処理温度等は仕様に応じて適
宜変更可能である。また、半導体レーザに限らず発光ダ
イオードの製造に適用することができ、さらにｐ型の窒
化物系III-Ｖ族化合物半導体層を有する各種の半導体素
子の製造に適用することが可能である。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
るものではない。実施例では、低抵抗のｐ型化合物半導
体層にＧａＮ又はＡｌＧａＮを用いたが、本発明はこれ
らのＧａＮ系化合物半導体に限るものではなく、窒化物
系III-Ｖ族化合物半導体であれば適用可能である。ま
た、キャップ層の膜厚やアクセプタのドーピング量、更
にはキャップ層形成後の熱処理温度等は仕様に応じて適
宜変更可能である。また、半導体レーザに限らず発光ダ
イオードの製造に適用することができ、さらにｐ型の窒
化物系III-Ｖ族化合物半導体層を有する各種の半導体素
子の製造に適用することが可能である。その他、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。
【００３２】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ア
クセプタ添加の窒化物系III-Ｖ族化合物半導体層上に、
アクセプタ添加のＡｌＮやＡｌ2 Ｏ3 のキャップ層を形
成した後に熱処理を行うことにより、熱処理温度の高温
化がはかれ、窒素等の構成元素の蒸発を抑えながら水素
の除去ができるので、窒化物系III-Ｖ族化合物半導体層
中におけるアクセプタ不純物の電気的活性化率を上げて
高品質のｐ型層を形成することができ、高性能・短波長
の半導体レーザ等の実現に寄与することが可能となる。
クセプタ添加の窒化物系III-Ｖ族化合物半導体層上に、
アクセプタ添加のＡｌＮやＡｌ2 Ｏ3 のキャップ層を形
成した後に熱処理を行うことにより、熱処理温度の高温
化がはかれ、窒素等の構成元素の蒸発を抑えながら水素
の除去ができるので、窒化物系III-Ｖ族化合物半導体層
中におけるアクセプタ不純物の電気的活性化率を上げて
高品質のｐ型層を形成することができ、高性能・短波長
の半導体レーザ等の実現に寄与することが可能となる。
【図１】本発明の作用を説明するためのもので、ＧａＮ
の熱処理温度と水素濃度との関係を示す特性図。
の熱処理温度と水素濃度との関係を示す特性図。
【図２】Ｍｇを添加したＧａＮにおける熱処理温度と抵
抗値との関係を示す特性図。
抗値との関係を示す特性図。
【図３】Ａｒ雰囲気中で熱処理した場合のＭｇ濃度と抵
抗値との関係を示す特性図。
抗値との関係を示す特性図。
【図４】本発明の実施例方法により作成した半導体レー
ザを示す素子構造断面図。
ザを示す素子構造断面図。
【図５】本発明の実施例方法に使用した結晶成長装置を
示す概略構成図。
示す概略構成図。
【図６】ＭｇドープＡｌＮキャップ層を形成して熱処理
を行う場合の手順を示す模式図。
を行う場合の手順を示す模式図。
１０…サファイア基板 １１…ＡｌＮ第１バッファ層 １２…ＧａＮ第２バッファ層 １３…Ｓｉドープｎ型ＡｌＧａＮクラッド層 １４…ＧａＮ活性層 １５…Ｍｇドープｐ型ＡｌＧａＮクラッド層 １６…Ｍｇドープｐ型ＧａＮコンタクト層 １７…ＭｇドープＡｌＮキャップ層 ２０…試料基板 ２１…石英製の反応管 ２２…ガス導入口 ２３…ガス排気口 ２４…サセプタ ２５…高周波コイル ２６…熱電対
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年２月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正内容】
Claims (2)
- 【請求項１】アクセプタを添加した窒化物系III-Ｖ族化
合物半導体層上にアクセプタを添加したＡｌＮキャップ
層を形成する工程と、前記窒化物系III-Ｖ族化合物半導
体層に熱処理を施す工程と、前記ＡｌＮキャップ層の少
なくとも一部を除去する工程とを含むことを特徴とする
半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】アクセプタを添加した窒化物系III-Ｖ族化
合物半導体層上にアクセプタを添加したＡｌ2 Ｏ3 キャ
ップ層を形成する工程と、前記窒化物系III-Ｖ族化合物
半導体層に熱処理を施す工程と、前記Ａｌ2 Ｏ3 キャッ
プ層の少なくとも一部を除去する工程とを含むことを特
徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP70495A JP3244980B2 (ja) | 1995-01-06 | 1995-01-06 | 半導体素子の製造方法 |
| US08/400,865 US5656832A (en) | 1994-03-09 | 1995-03-08 | Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness |
| US08/866,056 US5909040A (en) | 1994-03-09 | 1997-05-30 | Semiconductor device including quaternary buffer layer with pinholes |
| US08/874,299 US5929466A (en) | 1994-03-09 | 1997-06-13 | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US09/915,710 USRE38805E1 (en) | 1994-03-09 | 2001-07-27 | Semiconductor device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP70495A JP3244980B2 (ja) | 1995-01-06 | 1995-01-06 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08186332A true JPH08186332A (ja) | 1996-07-16 |
| JP3244980B2 JP3244980B2 (ja) | 2002-01-07 |
Family
ID=11481166
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP70495A Expired - Fee Related JP3244980B2 (ja) | 1994-03-09 | 1995-01-06 | 半導体素子の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3244980B2 (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323751A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Pioneer Electronic Corp | ３族窒化物半導体素子製造方法 |
| JP2004528700A (ja) * | 2000-03-14 | 2004-09-16 | クリー インコーポレイテッド | 制御された導電率を有する半導体材料および半導体デバイスの製造方法 |
| JP2011216578A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Advanced Power Device Research Association | 窒化物半導体及び窒化物半導体素子 |
| WO2015015973A1 (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2015046441A (ja) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2015082641A (ja) * | 2013-10-24 | 2015-04-27 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、ｉｉｉ族窒化物半導体素子の製造方法 |
| US9805930B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-10-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers |
| US9905433B2 (en) | 2016-07-04 | 2018-02-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer |
| US10121876B2 (en) | 2016-07-13 | 2018-11-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer |
| US10141192B2 (en) | 2016-06-23 | 2018-11-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| CN111033752A (zh) * | 2017-08-25 | 2020-04-17 | 苏州晶湛半导体有限公司 | p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法 |
| CN113330536A (zh) * | 2019-01-24 | 2021-08-31 | 加利福尼亚大学董事会 | 用于减少蒸发和降解的处理半导体膜的方法 |
| CN114267756A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-04-01 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管外延片制备方法及外延片 |
| JP2022533187A (ja) * | 2019-05-16 | 2022-07-21 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティー | イオン注入及びイオン注入後の焼鈍を用いた埋込ドーパントの活性化を備える装置及び方法 |
| US11646357B2 (en) | 2017-08-25 | 2023-05-09 | Enkris Semiconductor, Inc. | Method for preparing a p-type semiconductor structure, enhancement mode device and method for manufacturing the same |
| WO2025182513A1 (ja) * | 2024-02-29 | 2025-09-04 | Ｊｓｗアフティ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6669029B2 (ja) | 2016-09-28 | 2020-03-18 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-01-06 JP JP70495A patent/JP3244980B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323751A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Pioneer Electronic Corp | ３族窒化物半導体素子製造方法 |
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| JP6070846B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2017-02-01 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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| US9425348B2 (en) | 2013-10-24 | 2016-08-23 | Summitomo Electric Industries, Ltd. | Group III nitride semiconductor device, and method for fabricating group III nitride semiconductor device |
| US9805930B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-10-31 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers |
| US10141192B2 (en) | 2016-06-23 | 2018-11-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US9905433B2 (en) | 2016-07-04 | 2018-02-27 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer |
| US10121876B2 (en) | 2016-07-13 | 2018-11-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer |
| CN111033752A (zh) * | 2017-08-25 | 2020-04-17 | 苏州晶湛半导体有限公司 | p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法 |
| US11646357B2 (en) | 2017-08-25 | 2023-05-09 | Enkris Semiconductor, Inc. | Method for preparing a p-type semiconductor structure, enhancement mode device and method for manufacturing the same |
| CN111033752B (zh) * | 2017-08-25 | 2024-02-09 | 苏州晶湛半导体有限公司 | p型半导体的制造方法、增强型器件及其制造方法 |
| CN113330536A (zh) * | 2019-01-24 | 2021-08-31 | 加利福尼亚大学董事会 | 用于减少蒸发和降解的处理半导体膜的方法 |
| JP2022518458A (ja) * | 2019-01-24 | 2022-03-15 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 低減された蒸発および劣化を伴う半導体膜の加工のための方法 |
| JP2022533187A (ja) * | 2019-05-16 | 2022-07-21 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ レランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティー | イオン注入及びイオン注入後の焼鈍を用いた埋込ドーパントの活性化を備える装置及び方法 |
| CN114267756A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-04-01 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管外延片制备方法及外延片 |
| WO2025182513A1 (ja) * | 2024-02-29 | 2025-09-04 | Ｊｓｗアフティ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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