JPH08187426A - 反応管冷却方法 - Google Patents
反応管冷却方法Info
- Publication number
- JPH08187426A JPH08187426A JP1741095A JP1741095A JPH08187426A JP H08187426 A JPH08187426 A JP H08187426A JP 1741095 A JP1741095 A JP 1741095A JP 1741095 A JP1741095 A JP 1741095A JP H08187426 A JPH08187426 A JP H08187426A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- cooling
- infrared lamp
- partition wall
- quartz
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、赤外線ランプを使用した放射加熱
により基板を加熱処理する方法に於いて、反応ガスが分
解して反応管の内側の壁面に成膜するのを防止した反応
管冷却方法を提供することを目的とする。 【構成】この発明に於いては、赤外線ランプ７と赤外線
を通過させる石英反応管３との間に石英の隔壁４を設け
て石英反応管を二重構造とし、前記赤外線ランプと前記
隔壁との間及び前記隔壁と前記石英反応管との間に形成
された通路に冷却用エア−を通過させる。
により基板を加熱処理する方法に於いて、反応ガスが分
解して反応管の内側の壁面に成膜するのを防止した反応
管冷却方法を提供することを目的とする。 【構成】この発明に於いては、赤外線ランプ７と赤外線
を通過させる石英反応管３との間に石英の隔壁４を設け
て石英反応管を二重構造とし、前記赤外線ランプと前記
隔壁との間及び前記隔壁と前記石英反応管との間に形成
された通路に冷却用エア−を通過させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体若しくはＬＣ
Ｄの生産に於いて、赤外線ランプを使用して熱処理を行
う真空熱処理装置の反応管を効果的に冷却する反応管冷
却方法に関するものである。
Ｄの生産に於いて、赤外線ランプを使用して熱処理を行
う真空熱処理装置の反応管を効果的に冷却する反応管冷
却方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の赤外線ランプ加熱による
真空熱処理装置の反応管の冷却は、赤外線ランプと反応
管との間に、冷却用のエア−を流したり、赤外線ランプ
と反応管との間に発生した熱気を排気していた。
真空熱処理装置の反応管の冷却は、赤外線ランプと反応
管との間に、冷却用のエア−を流したり、赤外線ランプ
と反応管との間に発生した熱気を排気していた。
【０００３】しかしながら、上記したように従来の冷却
方法は、赤外線ランプと反応管との間の熱気をエア−で
押し出すか、排気することで行っていたので、反応管壁
面を積極的に冷却しているわけではないから、反応管の
内側（真空側）の壁面温度が十分冷却されない問題があ
り、そのため、場合によっては、この部分にガスが分解
して析出し、壁面へ成膜し、光透過率が変化する問題が
あった。
方法は、赤外線ランプと反応管との間の熱気をエア−で
押し出すか、排気することで行っていたので、反応管壁
面を積極的に冷却しているわけではないから、反応管の
内側（真空側）の壁面温度が十分冷却されない問題があ
り、そのため、場合によっては、この部分にガスが分解
して析出し、壁面へ成膜し、光透過率が変化する問題が
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、このよう
な問題点を解決しようとするものであり、反応管の内側
の壁面温度を冷却し、ガスが分解して壁面に成膜するの
を防止した反応管冷却方法を提供することを目的とす
る。
な問題点を解決しようとするものであり、反応管の内側
の壁面温度を冷却し、ガスが分解して壁面に成膜するの
を防止した反応管冷却方法を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的に沿う本発明の
構成は、赤外線ランプを使用した放射加熱により基板を
加熱処理する方法に於いて、前記赤外線ランプと赤外線
を通過させる石英反応管との間に石英の隔壁を設けて石
英反応管を二重構造とし、前記赤外線ランプと前記隔壁
との間及び前記隔壁と前記石英反応管との間に形成され
た通路に冷却用エア−を通過させることを特徴とする。
要するにこの発明は、石英反応管を二重構造とし、該二
重構造の隔壁と石英反応管との間には、低い温度の冷却
用エア−を通過させるようにして、反応管内壁を効果的
に冷却し得るようにしたことを要旨とするものである。
構成は、赤外線ランプを使用した放射加熱により基板を
加熱処理する方法に於いて、前記赤外線ランプと赤外線
を通過させる石英反応管との間に石英の隔壁を設けて石
英反応管を二重構造とし、前記赤外線ランプと前記隔壁
との間及び前記隔壁と前記石英反応管との間に形成され
た通路に冷却用エア−を通過させることを特徴とする。
要するにこの発明は、石英反応管を二重構造とし、該二
重構造の隔壁と石英反応管との間には、低い温度の冷却
用エア−を通過させるようにして、反応管内壁を効果的
に冷却し得るようにしたことを要旨とするものである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は、本発明の実施例を示す縦断面図、図２は
図１のＡ−Ａ′矢視図、図３は図１の反応管と隔壁部分
の斜視図である。石英反応管３と赤外線ランプ７との間
に、石英の隔壁４が形成され、赤外線ランプ７と隔壁４
との間に、冷却用エア−の通路１３が、隔壁４と石英反
応管３との間に冷却用エア−の通路１４が形成されてい
る。赤外線ランプ７を固定したランプモジュ−ル８の側
部には、図１及び図２に示すように、冷却用エア−の通
路１３と連通する排気孔９と、冷却用エア−の通路１４
と連通する排気孔１０とが、間隔付けてリング状に多数
形成されている。
する。図１は、本発明の実施例を示す縦断面図、図２は
図１のＡ−Ａ′矢視図、図３は図１の反応管と隔壁部分
の斜視図である。石英反応管３と赤外線ランプ７との間
に、石英の隔壁４が形成され、赤外線ランプ７と隔壁４
との間に、冷却用エア−の通路１３が、隔壁４と石英反
応管３との間に冷却用エア−の通路１４が形成されてい
る。赤外線ランプ７を固定したランプモジュ−ル８の側
部には、図１及び図２に示すように、冷却用エア−の通
路１３と連通する排気孔９と、冷却用エア−の通路１４
と連通する排気孔１０とが、間隔付けてリング状に多数
形成されている。
【０００７】ランプモジュ−ル８の中央には、冷却用エ
ア−の通路１３と連通するエア−導入口５と、冷却用エ
ア−の通路１４と連通するエア−導入口２７が形成され
ている。冷却用エア−は、図１の矢印で示すように、別
々の導入口５，２７から、別の通路１３，１４を通っ
て、別の排気孔９，１０から排気される。隔壁４とラン
プモジュ−ル８とは、その外周部でシ−ル材１２によっ
て、前記通路１３と１４を通ったエア−が混合しないよ
うに連結されている。このように構成しているので、通
路１３と１４を通ったエア−は、それぞれ別の排気口
９，１０から排気される。排気口９，１０は、エア−を
吸い込んで排気する装置（図示せず）に連結されてい
る。
ア−の通路１３と連通するエア−導入口５と、冷却用エ
ア−の通路１４と連通するエア−導入口２７が形成され
ている。冷却用エア−は、図１の矢印で示すように、別
々の導入口５，２７から、別の通路１３，１４を通っ
て、別の排気孔９，１０から排気される。隔壁４とラン
プモジュ−ル８とは、その外周部でシ−ル材１２によっ
て、前記通路１３と１４を通ったエア−が混合しないよ
うに連結されている。このように構成しているので、通
路１３と１４を通ったエア−は、それぞれ別の排気口
９，１０から排気される。排気口９，１０は、エア−を
吸い込んで排気する装置（図示せず）に連結されてい
る。
【０００８】通路１３を通った冷却用エア−の排気孔９
を通過したエア−は、両側部に設けた排気管２２，２
２′から排気される。排気管２２，２２′には、排気量
調節弁１１，１１′が接続されている。排気量調節弁１
１，１１′は、エア−導入口５からのエア−の吸い込み
量を少なく調節する役割をするものであり、エア−導入
口５からの吸い込み量を少なくすると、必然的にエア−
導入口２７からの吸い込み量は多くなる。従って、反応
管３の目的とする冷却度合に応じて、排気量調節弁１１
を調節して、それぞれの通路１３及び１４を通る冷却用
エア−の流量及び流速を調節することができる。上記実
施例に於いては、排気孔１０を通過したエア−の通路に
は、排気量調節弁が接続されていない。これは、接続し
ても差し支えないが、接続しても特に利点はないからで
ある。
を通過したエア−は、両側部に設けた排気管２２，２
２′から排気される。排気管２２，２２′には、排気量
調節弁１１，１１′が接続されている。排気量調節弁１
１，１１′は、エア−導入口５からのエア−の吸い込み
量を少なく調節する役割をするものであり、エア−導入
口５からの吸い込み量を少なくすると、必然的にエア−
導入口２７からの吸い込み量は多くなる。従って、反応
管３の目的とする冷却度合に応じて、排気量調節弁１１
を調節して、それぞれの通路１３及び１４を通る冷却用
エア−の流量及び流速を調節することができる。上記実
施例に於いては、排気孔１０を通過したエア−の通路に
は、排気量調節弁が接続されていない。これは、接続し
ても差し支えないが、接続しても特に利点はないからで
ある。
【０００９】赤外線ランプ７は、リング状に形成され、
同心状で且つ外方にいくほど基板１に近付く傾斜となる
ように多数本配設されている。このように構成したこと
によって、放熱度合が高い外周部ほどよりエネルギ−を
与えることができるから、基板温度が略均一となるよう
に加熱することができ、基板１の温度むらが生じ難くな
る。上記実施例に於いては、基板１を載置したサセプタ
−２は、基板保持具６によって、回動自在に支持されて
いる。このように構成し、基板下方からのみ赤外線で照
射すると、保持する治具による局所的な光照射の影をな
くすと共に、基板表面に放射率の異なる部分が生じるこ
とに起因する膜厚分布の悪化を防止することができる。
しかしながら、本発明は、反応管の冷却方法であるの
で、赤外線ランプは、反応管の上方に配設しても、上下
方向に配設しても差し支えない。
同心状で且つ外方にいくほど基板１に近付く傾斜となる
ように多数本配設されている。このように構成したこと
によって、放熱度合が高い外周部ほどよりエネルギ−を
与えることができるから、基板温度が略均一となるよう
に加熱することができ、基板１の温度むらが生じ難くな
る。上記実施例に於いては、基板１を載置したサセプタ
−２は、基板保持具６によって、回動自在に支持されて
いる。このように構成し、基板下方からのみ赤外線で照
射すると、保持する治具による局所的な光照射の影をな
くすと共に、基板表面に放射率の異なる部分が生じるこ
とに起因する膜厚分布の悪化を防止することができる。
しかしながら、本発明は、反応管の冷却方法であるの
で、赤外線ランプは、反応管の上方に配設しても、上下
方向に配設しても差し支えない。
【００１０】上部チャンバ１５の内壁フランジ部１６に
は、基板突き上げ具１７が係止されている。基板突き上
げ具１７の先端に形成した突き上げピン１８は、前記サ
セプタ−２に形成した貫通孔１９に対向している。基板
保持具６を下降させるか、突き上げピン１８を上昇させ
ることによって、突き上げピン１８は、貫通孔１９を突
き抜けて、基板１を持ち上げる。このようにして上昇し
た基板１は、ゲ−トバルブ２０を開口して、ゲ−ト開口
部からチャックを挿入して、自動的にチャンバ外に搬出
させる。本発明方法は、基板の加熱処理及び成膜処理の
いずれにも適用することができる。
は、基板突き上げ具１７が係止されている。基板突き上
げ具１７の先端に形成した突き上げピン１８は、前記サ
セプタ−２に形成した貫通孔１９に対向している。基板
保持具６を下降させるか、突き上げピン１８を上昇させ
ることによって、突き上げピン１８は、貫通孔１９を突
き抜けて、基板１を持ち上げる。このようにして上昇し
た基板１は、ゲ−トバルブ２０を開口して、ゲ−ト開口
部からチャックを挿入して、自動的にチャンバ外に搬出
させる。本発明方法は、基板の加熱処理及び成膜処理の
いずれにも適用することができる。
【００１１】
【作用】本発明によれば、反応管壁面と赤外線ランプと
を隔壁で隔離し、それぞれを独立して冷却するものであ
るので、反応管壁面を効果的に冷却することができるか
ら、反応管壁面への反応ガスの分解に起因する成膜を効
果的に防止することができる。
を隔壁で隔離し、それぞれを独立して冷却するものであ
るので、反応管壁面を効果的に冷却することができるか
ら、反応管壁面への反応ガスの分解に起因する成膜を効
果的に防止することができる。
【００１２】
【効果】以上述べたごとく、本発明によれば、反応管壁
面を冷却する冷却用エア−が、赤外線ランプで加熱され
難くなるので、反応管壁面を効果的に冷却することがで
きるから、反応管壁面への反応ガスの分解に起因する成
膜を効果的に防止することができ、反応管の光透過率の
変化を防止することができる。
面を冷却する冷却用エア−が、赤外線ランプで加熱され
難くなるので、反応管壁面を効果的に冷却することがで
きるから、反応管壁面への反応ガスの分解に起因する成
膜を効果的に防止することができ、反応管の光透過率の
変化を防止することができる。
【００１３】
【図１】本発明の実施例を示す縦断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ′矢視図である。
【図３】本発明に使用する反応管と隔壁とを示す斜視図
である。
である。
３ 石英反応管 ４ 隔壁 ７ 赤外線ランプ ８ ランプモジュ−ル １１，１１′ 排気量調節弁 １３ 冷却用エア−の通路 １４ 冷却用エア−の通路 ２１ 排気量調節弁
Claims (4)
- 【請求項１】赤外線ランプを使用した放射加熱により基
板を加熱処理する方法に於いて、前記赤外線ランプと赤
外線を通過させる石英反応管との間に石英の隔壁を設け
て石英反応管を二重構造とし、前記赤外線ランプと前記
隔壁との間及び前記隔壁と前記石英反応管との間に形成
された通路に冷却用エア−を通過させることを特徴とす
る反応管冷却方法。 - 【請求項２】前記赤外線ランプを固定するランプモジュ
−ルに、それぞれ前記赤外線ランプと前記隔壁との間を
通った冷却用エア−の排気口と、前記隔壁と前記石英反
応管との間を通った冷却用エア−の排気口とを別に設け
てなる請求項１に記載の反応管冷却方法。 - 【請求項３】前記両冷却用エア−の排気口は、エアーを
吸い込んで排気する装置に連結され、前記赤外線ランプ
と前記隔壁との間を通った冷却用エア−の排気口に連通
するエア−の排気通路には、排気量調節弁を設けてな
り、該排気量調節弁により、前記両通路を通過する冷却
用エア−の流量と流速とを調節し得るように構成してな
る請求項２に記載の反応管冷却方法。 - 【請求項４】前記赤外線ランプを、リング状に形成し、
該リング状赤外線ランプを、同心状で且つ外方にいくほ
ど基板に近付く傾斜となるように複数本配設してなる請
求項１に記載の反応管冷却方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1741095A JPH08187426A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 反応管冷却方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1741095A JPH08187426A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 反応管冷却方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08187426A true JPH08187426A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11943242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1741095A Pending JPH08187426A (ja) | 1995-01-10 | 1995-01-10 | 反応管冷却方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08187426A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013112313A1 (en) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Applied Materials, Inc. | Thermal processing chamber with top substrate support assembly |
| JP2014116552A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
-
1995
- 1995-01-10 JP JP1741095A patent/JPH08187426A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013112313A1 (en) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | Applied Materials, Inc. | Thermal processing chamber with top substrate support assembly |
| US8993933B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Top wafer rotation and support |
| US9240341B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-01-19 | Applied Materials, Inc. | Top wafer rotation and support |
| CN106935532A (zh) * | 2012-01-26 | 2017-07-07 | 应用材料公司 | 具有顶部基板支撑组件的热处理腔室 |
| JP2014116552A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置および熱処理方法 |
| US9831108B2 (en) | 2012-12-12 | 2017-11-28 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Thermal processing apparatus and thermal processing method for heating substrate by light irradiation |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101677438B1 (ko) | 향상된 가스 유동 분포를 가진 열 반응기 | |
| JP4219441B2 (ja) | 膜を堆積する方法及び堆積装置 | |
| KR102386812B1 (ko) | 샤워헤드 설계 | |
| US5164012A (en) | Heat treatment apparatus and method of forming a thin film using the apparatus | |
| KR100380213B1 (ko) | 반도체 처리 시스템 및 기판 처리 장치 | |
| KR20010014782A (ko) | 반도체 처리 시스템의 매엽식 처리 장치 | |
| TWM569933U (zh) | 用於處理基板之設備 | |
| TW202122626A (zh) | 用於改進基板上的邊緣薄膜厚度均勻性的處理套件 | |
| CN116324052A (zh) | 重叠基座及预热环 | |
| TW201730968A (zh) | 基板的熱處理裝置及方法以及基板的接收單元 | |
| JP2002155366A (ja) | 枚葉式熱処理方法および枚葉式熱処理装置 | |
| TWI868647B (zh) | 基板處理裝置及腔室內襯 | |
| KR101876963B1 (ko) | 박막형성 장치 | |
| JPH0860371A (ja) | 熱処理装置用ランプの冷却装置 | |
| JP2000306851A (ja) | 枚葉式の処理装置 | |
| JPH11168045A5 (ja) | ||
| JP2005032883A (ja) | 基板処理装置 | |
| US12601053B2 (en) | Dog bone exhaust slit tunnel for processing chambers | |
| JPH11147787A (ja) | エピタキシャル成長炉 | |
| KR101876960B1 (ko) | 박막형성 장치 | |
| KR101876961B1 (ko) | 박막형성 장치 | |
| TW202613370A (zh) | 用於調整紅外線傳輸的外殼和隔離板 | |
| JPS62154616A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH02260528A (ja) | 半導体製造装置における熱処理方法 | |
| JPS5954219A (ja) | 連続エピタキシヤルウエハ−炉 |