JPH08188872A - スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法Info
- Publication number
- JPH08188872A JPH08188872A JP19791795A JP19791795A JPH08188872A JP H08188872 A JPH08188872 A JP H08188872A JP 19791795 A JP19791795 A JP 19791795A JP 19791795 A JP19791795 A JP 19791795A JP H08188872 A JPH08188872 A JP H08188872A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- backing plate
- target
- joining
- convexities
- concavities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
ーゲットとバッキングプレートの接合方法を確立するこ
と。 【構成】 接合されるスパッタリングターゲットとバッ
キングプレートとの双方の接合面に互いに隙間なく嵌合
しうる凹凸を形成し、接合面において該凹凸を互いに嵌
合した状態で接合工程(低融点ロウ材による接合、ホッ
トプレス、HIP等)を実施する。1〜数個のリング状
長方形断面の凹凸や同心円状の多数の凹凸を形成可能。
凹凸は、接合面積を増加させることにより単位面積あた
りの剪断応力を低減するとともに、凹凸自体が剪断によ
る剥離の拘束点となる。
Description
ットとバッキングプレートの接合方法に関するものであ
る。
ットと云う)は、スパッタリングにより各種半導体デバ
イスの電極、ゲート、配線、素子、保護膜等を基板上に
形成するためのスパッタリング源となる、通常は円盤状
の板である。加速された粒子がターゲット表面に衝突す
るとき運動量の交換によりターゲットを構成する原子が
空間に放出されて対向する基板上に堆積する。ターゲッ
トとしては、Al乃至Al合金ターゲット、高融点金属
及び合金(W、Mo、Ti、Ta、Zr、Nb等及びそ
の合金)ターゲット、高融点シリサイド(MoSiX 、
WSix 等)ターゲット、白金族ターゲット等が代表的
に使用されている。
ッキングプレート(BP)と呼ばれる裏当材とボンディ
ングした組立体の状態で使用される。スパッタリング装
置にターゲット組立体が組付けられ、バッキングプレー
トの裏面が冷却されてスパッタリング動作時ターゲット
中で発生する熱を奪い取る。バッキングプレートとして
は、OFC(無酸素銅)、Cu合金、Al合金、SUS
(ステンレス鋼)若しくはTi乃至Ti合金等の熱伝導
性の良い金属及び合金が使用されている。
接合にはIn若しくはSn合金系等の低融点ロウ材を用
いたロウ付け法が主として採用されてきた。また、特開
平4−143268号及び特開平4−143269号に
は、爆発接合法、ホットプレス等によるターゲットとバ
ッキングプレートの一体化が記載されている。
ングプレートとを必要に応じインサート材を使用してタ
ーゲットの大きな変形や結晶特性の劣化を伴うことなく
両者間を固相接合することを提唱している。
グプレートの組立体は、スパッタリング時にバッキング
プレート側より冷却され、ターゲット面はイオンボンバ
ートメントにより温度が上昇する。この結果、ターゲッ
トとバッキングプレートの接合界面には熱膨張差による
剪断応力が発生する。また、ターゲットとバッキングプ
レートの接合工程においては、ロウ材を使うにせよ、ホ
ットプレス、固相接合等の設備を利用するにせよ接合時
にターゲットとバッキングプレートの温度が室温以上に
高くなることがほとんどである。この場合、ターゲット
とバッキングプレートの材質が異なれば熱膨張差により
接合面に剪断応力が生じる。
熱的及び電気的に確実なコンタクトが必要であり、確固
とした接合が要求される。しかしながら、上述した剪断
力の存在は、スパッタリングの条件によってはターゲッ
トとバッキングプレートとの部分的な剥離等の原因とな
ることが予想される。
プレートの接合において、ターゲットの品質を低下する
ことなく、上記剪断応力の存在下での接合強度(接合界
面の剪断強度)を改善する接合方法を確立することであ
る。
く、本発明者は、接合面積を増加させることにより単位
面積あたりの剪断応力を低減するとともに、剪断による
剥離の拘束点となる効果を有する凹凸を接合されるター
ゲットとバッキングプレートの双方の接合面に互いに隙
間なく嵌合するように形成することを想到し、試行の結
果好成績を得た。この知見に基づいて、本発明は、スパ
ッタリングターゲットとバッキングプレートの接合を行
うに際して、接合されるスパッタリングターゲットとバ
ッキングプレートとの双方の接合面に互いに隙間なく嵌
合しうる凹凸を形成し、接合面において該凹凸を互いに
嵌合した状態で接合工程を実施することを特徴とするス
パッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方
法を提供する。少なくとも1本のリング状凹凸を形成す
ることが好ましい。本発明においては、接合工程は、ロ
ウ付け法、ホットプレス法、HIP法、固相接合法等い
ずれをも採用することができる。上述した従来技術はい
ずれの場合も、ターゲットとバッキングプレートの接合
面はフラットに仕上げられるか、一方の面のみに凹凸を
設けるものであり、本発明のような、スパッタリングタ
ーゲットとバッキングプレートとの双方の接合面に互い
に隙間なく組み合わさる凹凸を設けるような工夫はなさ
れていない。
接合面に存在する凹凸は互いに隙間なく組み合わされる
寸法と位置関係を有している。これらの凹凸は、接合面
積を増加させることにより単位面積あたりの剪断応力を
低減するとともに、凹凸自体が剪断による剥離の拘束点
となる効果も持ち合わせている。凹凸は可能な限り互い
に隙間なく組み合わされる寸法と位置関係を有している
ため、接合に際して、金属の流動は実質上生じないか
ら、ターゲットの変形や結晶組織と関連する品質低下は
起こらない。
られるものではなく、予想される剪断応力や、ターゲッ
トとバッキングプレートの形状、接合方法等により決定
される。例えば、図1は長方形の断面を持つリング状の
凹凸を外周部近くに一つ形成した例であり、図2は同様
のリング状凹凸を外周部近くと1/4直径位置に計二つ
つけた例である。また、図3に示すように同心円状に多
数の凹凸をつけることもできる。ここでは、いずれもタ
ーゲットに凸部を形成しそしてバッキングプレートに凹
部を形成してある。図1〜3はいずれも円盤状のターゲ
ットを想定しているが、矩形のターゲットでも同様であ
り、また、リング状でなく直線状、あるいは部分的な凹
凸も同様の効果を持つ。大切なことはターゲットとバッ
キングプレートのそれぞれの接合面に存在する凹凸が可
能な限り互いに隙間なくぴったりと組み合わさる寸法と
位置関係を有していることである。これらの凹凸は、接
合面積を増加させることにより単位面積あたりの剪断応
力を低減するとともに、凹凸自体が剪断による剥離の拘
束点となって剥離の発生を抑制する効果も持ち合わせ
る。こうした効果を奏するためには、凹凸の深さ(高
さ)は少なくとも0.2mm以上とすることが望まし
い。一般には、凹凸の形成部位が多数であるほど、凹凸
の深さ(高さ)を小さくすることができる。
低融点ロウ材による接合や、あるいは、ホットプレスや
HIPを使った圧着などが用いられる。また、ターゲッ
トとバッキングプレートの材質も特に制限されるもので
はない。ターゲット材質としては、Al乃至Al合金、
高融点金属及び合金(W、Mo、Ti、Ta、Zr、N
b等及びW−Ti等のその合金)、高融点シリサイド
(MoSiX 、WSix等)、白金族金属、ニッケルそ
の他を使用することができ、バッキングプレートの材質
としては、Ti乃至Ti合金、OFC(無酸素銅)、C
u合金、Al及びAl合金、SUS(ステンレス鋼)等
を使用することができる。更に、ターゲットやバッキン
グプレートの接合面の接合前の表面処理の有無や種類、
インサート材の有無等に関しても特に制限のあるもので
はない。
方法も有効に使用することができる。この固相接合方法
は、ターゲット材の結晶組織の不均一化を抑えつつしか
もターゲット材の大きな変形や変質等の悪影響なく、バ
ッキングプレートに高強度で接合することを目的とし
て、ターゲット材とバッキングプレートの間に1種以上
のインサート材を挿入して或いはインサート材を使用せ
ずに、ターゲットとバッキングプレートを溶融せしめる
ことなく固相状態に維持したまま、真空中で軽度の加熱
及び加圧条件(150〜350℃×1〜15kg/mm
2 )下で最終寸法形状に仕上げたターゲット材を接合す
るものである。
ングプレート組立体は、スパッタリング装置に組込ま
れ、スパッタリング操作の下に置かれる。近時、成膜速
度の増大等を目的として投入パワーがハイパワー化され
る傾向にあり、それだけ剥離が生じやすいが、本発明に
従って製造されたターゲット−バッキングプレート組立
体は投入パワーのハイパワー化に対応することができ
る。
340mmそして厚さ16mmのTi及びTaターゲッ
トと直径340mmそして厚さ17mmのAl、Ti及
びCu製バッキングプレートの接合を実施した。実施例
1では、図2に示した型式の幅5mmそして深さ(高
さ)4mmの凹凸を加工した。Tiターゲット側の接合
面に凸部を設けそしてAl製バッキングプレートの接合
面に凹部を設けた。凹凸の位置は、外周から10mm内
側の位置と1/4直径位置とした。実施例2では、図3
に示したように同心円状に凹凸を多数加工した。実施例
1と同様に、TiターゲットとAl製バッキングプレー
トの接合面に凹部を設けた。凹凸の幅は3mm、そして
深さ(高さ)は1mmとし、20mm間隔で加工した。
実施例3では直径340mmそして厚さ16mmのTa
ターゲットを実施例1と同じ方法でTi製バッキングプ
レートに接合した。実施例4では直径340mmそして
厚さ16mmのTiターゲットと直径340mmそして
厚さ17mmのCu製バッキングプレートの接合を実施
した。接合面は実施例2と同様図3に示す同心円状の凹
凸を多数加工した。比較例として、接合面を凹凸なくフ
ラットに機械加工したTi及びTaターゲットとAl、
Ti及びCu製バッキングプレートを用意した。実施例
1、2及び3では凹凸部を含め接合面を密着するように
組み立てそして比較例ではフラットな接合面が密着する
ように組み立てた後、HIPにより接合を行った。HI
P処理は525℃×1000気圧で実施した。また実施
例4では接合面を密着するように組み立てた後真空ホッ
トプレスにより接合を行った。ホットプレス条件は52
5℃×15kg/mm2 で実施した。
い、バッキングプレート側からのエコーの有無を確認し
た。接合面に剥離があれば、接合面でほとんどが反射さ
れ、バッキングプレート側底面からのエコーは観察され
なくなる。結果を表1に示す。実施例1、2、3、4と
も全域からバッキングプレート側底面エコーが確認され
た。比較例では約半分の領域でバッキングプレート側底
面エコーが確認されなかった。また接合面外周には、一
部剥離が目視でも確認された。
上記熱膨張の差異による剪断応力の存在下での接合強度
を改善し、ターゲットとバッキングプレートとの剥離を
防止する。投入パワーのハイパワー化に対応することが
できる。
くに一つ形成した具体例の、中心線からの半部分の接合
前及び接合後の断面を示す断面図である。
く及び1/4直径部ににおいて二つ形成した具体例の、
中心線からの半部分の接合前及び接合後の断面を示す断
面図である。
からの半部分の接合前及び接合後の断面を示す断面図で
ある。
Claims (2)
- 【請求項1】 スパッタリングターゲットとバッキング
プレートの接合を行うに際して、接合されるスパッタリ
ングターゲットとバッキングプレートとの双方の接合面
に互いに隙間なく嵌合しうる凹凸を形成し、接合面にお
いて該凹凸を互いに嵌合した状態で接合工程を実施する
ことを特徴とするスパッタリングターゲットとバッキン
グプレートの接合方法。 - 【請求項2】 スパッタリングターゲットとバッキング
プレートの接合を行うに際して、接合されるスパッタリ
ングターゲットとバッキングプレートとの双方の接合面
に互いに隙間なく嵌合しうる少なくとも1本のリング状
凹凸を形成し、接合面において該凹凸を互いに嵌合した
状態で接合工程を実施することを特徴とするスパッタリ
ングターゲットとバッキングプレートの接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19791795A JP4017198B2 (ja) | 1994-11-02 | 1995-07-12 | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-291975 | 1994-11-02 | ||
| JP29197594 | 1994-11-02 | ||
| JP19791795A JP4017198B2 (ja) | 1994-11-02 | 1995-07-12 | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08188872A true JPH08188872A (ja) | 1996-07-23 |
| JP4017198B2 JP4017198B2 (ja) | 2007-12-05 |
Family
ID=26510651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19791795A Expired - Lifetime JP4017198B2 (ja) | 1994-11-02 | 1995-07-12 | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4017198B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005144510A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Japan Atom Energy Res Inst | 高融点異種金属材の高温等方加圧接合法 |
| JP2006508239A (ja) * | 2002-10-21 | 2006-03-09 | キャボット コーポレイション | スパッタターゲット集成体の形成方法およびその方法で作製する集成体 |
| JP2007245211A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | バッキングプレート付きターゲットの製造方法 |
| JP2008138274A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2010088292A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-04-15 | Nippon Signal Co Ltd:The | プレーナ型電磁アクチュエータ及びその製造方法 |
| JP2015152285A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 日新製鋼株式会社 | プレート式熱交換器およびその製造方法 |
| US10006117B2 (en) | 2010-10-27 | 2018-06-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target-backing plate assembly and method for producing same |
| JP2022180456A (ja) * | 2019-03-28 | 2022-12-06 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9062371B2 (en) | 2009-11-20 | 2015-06-23 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target-backing plate assembly, and its production method |
| EP2853617A4 (en) | 2012-07-04 | 2016-03-09 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | SPRAY TARGET |
| JP6271798B2 (ja) * | 2016-07-13 | 2018-01-31 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
-
1995
- 1995-07-12 JP JP19791795A patent/JP4017198B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006508239A (ja) * | 2002-10-21 | 2006-03-09 | キャボット コーポレイション | スパッタターゲット集成体の形成方法およびその方法で作製する集成体 |
| JP4768266B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2011-09-07 | キャボット コーポレイション | スパッタターゲット集成体の形成方法およびその方法で作製する集成体 |
| JP2005144510A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Japan Atom Energy Res Inst | 高融点異種金属材の高温等方加圧接合法 |
| JP2007245211A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Mitsubishi Materials Corp | バッキングプレート付きターゲットの製造方法 |
| JP2008138274A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | バッキングプレート付きスパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2010088292A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-04-15 | Nippon Signal Co Ltd:The | プレーナ型電磁アクチュエータ及びその製造方法 |
| US10006117B2 (en) | 2010-10-27 | 2018-06-26 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target-backing plate assembly and method for producing same |
| JP2015152285A (ja) * | 2014-02-18 | 2015-08-24 | 日新製鋼株式会社 | プレート式熱交換器およびその製造方法 |
| JP2022180456A (ja) * | 2019-03-28 | 2022-12-06 | Jx金属株式会社 | スパッタリングターゲット製品及びスパッタリングターゲット製品の再生品を製造する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4017198B2 (ja) | 2007-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7721939B2 (en) | Sputter target and backing plate assembly | |
| EP0590904B1 (en) | Method of manufacturing a diffusion-bonded sputtering target assembly | |
| US5230459A (en) | Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby | |
| JPH08188872A (ja) | スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合方法 | |
| JP3525348B2 (ja) | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体の製造方法 | |
| KR100246682B1 (ko) | 스퍼터링용 티타늄 타겟 조립체의 제조방법 및 스퍼터링용 티타늄 타겟 조립체 | |
| KR100348437B1 (ko) | 스퍼터링타겟어셈블리의제조방법및새로운타겟어셈블리 | |
| US20050061857A1 (en) | Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof | |
| JP4594488B2 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2000239838A (ja) | 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体およびその製造方法 | |
| JP2898515B2 (ja) | モザイクターゲット | |
| JPH09143704A (ja) | スパッタリング用チタンターゲットおよびその製造方法 | |
| JP4615746B2 (ja) | スパッタリング用チタンターゲット組立て体及びその製造方法 | |
| JP3469261B2 (ja) | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 | |
| JP2000239837A (ja) | 固相拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体の分離方法 | |
| US20040134776A1 (en) | Assemblies comprising molybdenum and aluminum; and methods of utilizing interlayers in forming target/backing plate assemblies | |
| JPH06158296A (ja) | 拡散接合されたスパッタリングターゲット組立体及びその製造方法 | |
| JPH0243362A (ja) | スパッターターゲットとバッキングプレートの接合体 | |
| JP4367796B2 (ja) | スパッタリング用チタンターゲット組立体の製造方法 | |
| TW202214893A (zh) | 濺鍍靶材-背板接合體、其製造方法及濺鍍靶材之回收方法 | |
| JPH07316802A (ja) | モザイクターゲット及びその製造方法 | |
| JPH07316801A (ja) | モザイクターゲット及びその製造方法 | |
| JP3211961B2 (ja) | ターゲットの製造方法 | |
| JP2001295038A (ja) | モザイク型スパッタリングターゲット | |
| JPH06128734A (ja) | スパッタリングターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040331 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040511 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040706 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050222 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050328 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050401 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20050621 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20050722 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070918 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100928 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928 Year of fee payment: 4 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928 Year of fee payment: 4 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110928 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120928 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130928 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130928 Year of fee payment: 6 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |