JPH08190816A - 酸化物超電導線及びその製造方法 - Google Patents
酸化物超電導線及びその製造方法Info
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- JPH08190816A JPH08190816A JP7232320A JP23232095A JPH08190816A JP H08190816 A JPH08190816 A JP H08190816A JP 7232320 A JP7232320 A JP 7232320A JP 23232095 A JP23232095 A JP 23232095A JP H08190816 A JPH08190816 A JP H08190816A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】液体窒素冷却可能な温度領域で使用可能で、磁
場中における輸送臨界電流密度の高い超電導体を提供す
ること、及びそれらを使用することによって、従来の超
電導システムよりコスト的に有利な超電導応用機器を提
供する。 【構成】立方体集合組織を有する金属体と、酸化物超電
導物質を複合化して超電導線材を作製することによって
達成される。 【効果】高磁界中においても高い超電導臨界電流密度を
有する超電導体が得られ、安価な液体窒素冷却で動作
し、従来よりも安いコストで製造できる。
場中における輸送臨界電流密度の高い超電導体を提供す
ること、及びそれらを使用することによって、従来の超
電導システムよりコスト的に有利な超電導応用機器を提
供する。 【構成】立方体集合組織を有する金属体と、酸化物超電
導物質を複合化して超電導線材を作製することによって
達成される。 【効果】高磁界中においても高い超電導臨界電流密度を
有する超電導体が得られ、安価な液体窒素冷却で動作
し、従来よりも安いコストで製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液体窒素の凝固点６３
Ｋまで冷却することによって超電導性を発現する酸化物
系超電導物質と、結晶の方位制御を行った金属体を複合
体化することによって、磁場中においても高い超電導臨
界電流密度（Ｊｃ）を流すことが可能である超電導線材
或いは超電導体の構成及びその作製方法に関するもので
ある。また、それら本発明による超電導線材或いは超電
導体を使用することで、従来のものに比べて大幅に経済
的メリットを生じる超電導マグネット，超電導ＮＭＲ装
置，超電導ＭＲＩ装置，超電導発電装置，超電導エネル
ギー貯蔵装置，磁気シ−ルド装置，シンクロトロン放射
光発生装置，磁気分別装置，素粒子加速器などの装置に
関する。
Ｋまで冷却することによって超電導性を発現する酸化物
系超電導物質と、結晶の方位制御を行った金属体を複合
体化することによって、磁場中においても高い超電導臨
界電流密度（Ｊｃ）を流すことが可能である超電導線材
或いは超電導体の構成及びその作製方法に関するもので
ある。また、それら本発明による超電導線材或いは超電
導体を使用することで、従来のものに比べて大幅に経済
的メリットを生じる超電導マグネット，超電導ＮＭＲ装
置，超電導ＭＲＩ装置，超電導発電装置，超電導エネル
ギー貯蔵装置，磁気シ−ルド装置，シンクロトロン放射
光発生装置，磁気分別装置，素粒子加速器などの装置に
関する。
【０００２】また磁場中においても高いＪｃを有する超
電導線材或いは超電導体を開発する過程で発明した立方
体集合組織を有する銀テープ及びその作製方法に関する
ものである。
電導線材或いは超電導体を開発する過程で発明した立方
体集合組織を有する銀テープ及びその作製方法に関する
ものである。
【０００３】
【従来の技術】１９８６年に最初の酸化物高温超電導物
質が発見されて以来、数十種類以上に及ぶ酸化物超電導
物質が発見されている。それらの中で、物質の安定性，
合成のしやすさの程度等の理由から、実用化を目指した
研究が現在も行われている酸化物超電導物質は、 （１）(Ｔｌ1-X1-X2ＰｂX1ＢｉX2)(Ｓｒ1-X3ＢａX3)2Ｃ
ａnー1ＣｕnＯ2n+3 ここで、０≦Ｘ１≦０.９， ０≦Ｘ２≦０.５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２≦１， ０≦Ｘ３≦１， ｎ＝１，２，３，４，５ （以下、Ｔｌ−１層系と略す） （２）Ｔｌ2Ｂａ2Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+4 ここで、ｎ＝１，２，３，４，５ （以下、Ｔｌ−２層系と略す） （３）(Ｂｉ1ーX1ＰｂX1)2Ｓｒ2Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+4 ここで、０≦Ｘ１≦０.４， ｎ＝１，２，３ （以下、Ｂｉ−２層系と略す） （４）ＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ7+X1 ここで、ＬｎはＹもしくは希土類元素 −０.５≦Ｘ１≦０.１ （以下、Ｙ系と略す） の４種類の物質系にほぼしぼられてきている。
質が発見されて以来、数十種類以上に及ぶ酸化物超電導
物質が発見されている。それらの中で、物質の安定性，
合成のしやすさの程度等の理由から、実用化を目指した
研究が現在も行われている酸化物超電導物質は、 （１）(Ｔｌ1-X1-X2ＰｂX1ＢｉX2)(Ｓｒ1-X3ＢａX3)2Ｃ
ａnー1ＣｕnＯ2n+3 ここで、０≦Ｘ１≦０.９， ０≦Ｘ２≦０.５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２≦１， ０≦Ｘ３≦１， ｎ＝１，２，３，４，５ （以下、Ｔｌ−１層系と略す） （２）Ｔｌ2Ｂａ2Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+4 ここで、ｎ＝１，２，３，４，５ （以下、Ｔｌ−２層系と略す） （３）(Ｂｉ1ーX1ＰｂX1)2Ｓｒ2Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+4 ここで、０≦Ｘ１≦０.４， ｎ＝１，２，３ （以下、Ｂｉ−２層系と略す） （４）ＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ7+X1 ここで、ＬｎはＹもしくは希土類元素 −０.５≦Ｘ１≦０.１ （以下、Ｙ系と略す） の４種類の物質系にほぼしぼられてきている。
【０００４】これらの中でＢｉ−２層系の物質は結晶の
配向化（結晶を特定の向きに揃えること）が行いやす
く、また結晶粒界部での超電導電流の通りが良く、従っ
て磁場が掛かっていない状態での超電導輸送電流密度
（トランスポートＪｃ）は高い値がえられている（Japa
nese Journal Of Applied Physics, vol. 30, 1991, p
p.L2083−L2084）。しかしながら、この物質系はその結
晶構造に由来する本質的な問題によって、液体窒素での
冷却が可能な温度領域でのピンニング力が非常に弱くな
るという致命的な問題がある（Physica C, vol. 177, 1
991, pp.431-437)。それ故、４０Ｋ程度以下の温度領域
で使用するには非常に良い特性を持った超電導線材を作
製することが可能であるが、６０Ｋ以上の温度領域で使
用する線材には用いることができなかった。
配向化（結晶を特定の向きに揃えること）が行いやす
く、また結晶粒界部での超電導電流の通りが良く、従っ
て磁場が掛かっていない状態での超電導輸送電流密度
（トランスポートＪｃ）は高い値がえられている（Japa
nese Journal Of Applied Physics, vol. 30, 1991, p
p.L2083−L2084）。しかしながら、この物質系はその結
晶構造に由来する本質的な問題によって、液体窒素での
冷却が可能な温度領域でのピンニング力が非常に弱くな
るという致命的な問題がある（Physica C, vol. 177, 1
991, pp.431-437)。それ故、４０Ｋ程度以下の温度領域
で使用するには非常に良い特性を持った超電導線材を作
製することが可能であるが、６０Ｋ以上の温度領域で使
用する線材には用いることができなかった。
【０００５】一方、Ｔｌ−１層系，Ｔｌ−２層系とＹ系
の物質は、その臨界温度（Ｔｃ）近傍まで高いピンニン
グ力を発揮することは可能であるが、結晶の方位を揃え
ることが難しく、それ故に結晶粒界部での超電導電流の
通りが悪く、現在までに実用化に必要な一応の目安と考
えられる温度７７Ｋ，磁場１Ｔにおけるトランスポート
Ｊｃが１万Ａ／cm2 を越える超電導線材は得られていな
い（Physica C, vol.220, 1994, pp.310−322, Hitachi
Review, vol. 39, 1990, p.55, Japanese Journal Of
Applied Physics, vol. 27, 1988, pp. L185−L187)。
の物質は、その臨界温度（Ｔｃ）近傍まで高いピンニン
グ力を発揮することは可能であるが、結晶の方位を揃え
ることが難しく、それ故に結晶粒界部での超電導電流の
通りが悪く、現在までに実用化に必要な一応の目安と考
えられる温度７７Ｋ，磁場１Ｔにおけるトランスポート
Ｊｃが１万Ａ／cm2 を越える超電導線材は得られていな
い（Physica C, vol.220, 1994, pp.310−322, Hitachi
Review, vol. 39, 1990, p.55, Japanese Journal Of
Applied Physics, vol. 27, 1988, pp. L185−L187)。
【０００６】最近、７７Ｋにおけるピンニング力の強い
Ｔｌ−１層系，Ｙ系の物質の結晶の方位を揃えて、７７
Ｋでの磁場中でも高いＪｃが得られるような超電導線材
を作製することを目指した研究も各所で行われるように
なってきた。例えば、Iijima達は「Proceedings of 5th
International Symposium on Superconductivity,Nove
mber 16−19, 1992, Kobe, Japan, pp.661−664」にお
いて、多結晶のＮｉ基合金上にIon−Beam−Assisted De
position法で結晶の方向を揃えたYttria−Stabilized−
Zirconiaを作製し、その上にpulsed laser deposition
法でＹ系超電導物質を作製する方法を開示している。ま
たDeluca達は「Physica C vol. 205,1993, pp.21−31」
において、多結晶Yttria−Stabilized−Zirconiaの上に
spraypyrolysis法によってＴｌ−１層系超電導物質
を作製する方法を開示している。また、芳野達は、特開
平3−9311 号において、（１００）または（１１０）結
晶面が圧延面に平行に並んだ銀テープを用いることで、
結晶の方向を揃えた超電導体の作製方法を開示してい
る。またYoshino達は「Abstracts of 6th Internat
ional Symposium on Superconductivity, October26−2
3, 1992,Hiroshima, Japan. p．119」において、銀結晶
の（１１０）面がテープ表面に平行に並んだ銀テープ上
にionized−cluster−beam−deposition法でＹ系超電導
物質を作製する方法を開示している。
Ｔｌ−１層系，Ｙ系の物質の結晶の方位を揃えて、７７
Ｋでの磁場中でも高いＪｃが得られるような超電導線材
を作製することを目指した研究も各所で行われるように
なってきた。例えば、Iijima達は「Proceedings of 5th
International Symposium on Superconductivity,Nove
mber 16−19, 1992, Kobe, Japan, pp.661−664」にお
いて、多結晶のＮｉ基合金上にIon−Beam−Assisted De
position法で結晶の方向を揃えたYttria−Stabilized−
Zirconiaを作製し、その上にpulsed laser deposition
法でＹ系超電導物質を作製する方法を開示している。ま
たDeluca達は「Physica C vol. 205,1993, pp.21−31」
において、多結晶Yttria−Stabilized−Zirconiaの上に
spraypyrolysis法によってＴｌ−１層系超電導物質
を作製する方法を開示している。また、芳野達は、特開
平3−9311 号において、（１００）または（１１０）結
晶面が圧延面に平行に並んだ銀テープを用いることで、
結晶の方向を揃えた超電導体の作製方法を開示してい
る。またYoshino達は「Abstracts of 6th Internat
ional Symposium on Superconductivity, October26−2
3, 1992,Hiroshima, Japan. p．119」において、銀結晶
の（１１０）面がテープ表面に平行に並んだ銀テープ上
にionized−cluster−beam−deposition法でＹ系超電導
物質を作製する方法を開示している。
【０００７】また、現在までのところでは、液体窒素で
冷却できる温度以上の領域においては、実用に耐える性
能の超電導線材を作製することができなかったため、液
体窒素等の液体ヘリウムより沸点の高い冷媒による冷却
によって動作するような超電導機器は存在しなかった。
冷却できる温度以上の領域においては、実用に耐える性
能の超電導線材を作製することができなかったため、液
体窒素等の液体ヘリウムより沸点の高い冷媒による冷却
によって動作するような超電導機器は存在しなかった。
【０００８】また、結晶の｛１００｝面が＜１００＞方
向に揃ったいわゆる立方体集合組織となった銀テープ
は、現在まで得られていなかった（例えば、長島晋一編
著「集合組織」、丸善株式会社）。
向に揃ったいわゆる立方体集合組織となった銀テープ
は、現在まで得られていなかった（例えば、長島晋一編
著「集合組織」、丸善株式会社）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術の中で、
Ｂｉ−２層系の超電導物質を用いている技術は、７７Ｋ
におけるピンニング力が弱いと云う点問題があって、６
０Ｋ以上の温度領域では磁場がＢｉ−２層系超電導物質
に印加された場合に臨界電流密度が大きく低下するとい
う問題があって、液体窒素冷却で作動する超電導機器へ
の利用が大きく制限されるといった点が問題であった。
Ｂｉ−２層系の超電導物質を用いている技術は、７７Ｋ
におけるピンニング力が弱いと云う点問題があって、６
０Ｋ以上の温度領域では磁場がＢｉ−２層系超電導物質
に印加された場合に臨界電流密度が大きく低下するとい
う問題があって、液体窒素冷却で作動する超電導機器へ
の利用が大きく制限されるといった点が問題であった。
【００１０】Iijima達の技術では結晶の方向を揃えたYt
tria−Stabilized−Zirconiaを作製する際に真空を必要
とするプロセスIon−Beam−Assisted Deposition法を使
用しなければいけない。しかし、長尺（例ば１km）の線
材を作製することを想定した場合、この様なプロセスは
非常に経済性が悪いことが予想される。従って、Ｎｉ基
合金上に結晶の方向を揃えたYttria−Stabilized−Zirc
oniaを作製し、その上にＹ系超電導物質を作製する様な
技術では長尺の超電導線材を製品として作製することは
難しいと考えられる。
tria−Stabilized−Zirconiaを作製する際に真空を必要
とするプロセスIon−Beam−Assisted Deposition法を使
用しなければいけない。しかし、長尺（例ば１km）の線
材を作製することを想定した場合、この様なプロセスは
非常に経済性が悪いことが予想される。従って、Ｎｉ基
合金上に結晶の方向を揃えたYttria−Stabilized−Zirc
oniaを作製し、その上にＹ系超電導物質を作製する様な
技術では長尺の超電導線材を製品として作製することは
難しいと考えられる。
【００１１】Deluca達の技術ではセラッミクスであるYt
tria−Stabilized−Zirconiaを長尺のものとして作製す
る点に大きな困難が予想され、長尺の超電導線材を製品
として作製することは難しいと考えられる。
tria−Stabilized−Zirconiaを長尺のものとして作製す
る点に大きな困難が予想され、長尺の超電導線材を製品
として作製することは難しいと考えられる。
【００１２】芳野達の技術では、超電導物質の結晶のｃ
軸の方向を揃えることにしか留意されておらず、結晶の
ａ軸の方向を揃えられていないため、７７Ｋにおける臨
界電流密度は１万Ａ／cm2 と低い値に留まっている。
軸の方向を揃えることにしか留意されておらず、結晶の
ａ軸の方向を揃えられていないため、７７Ｋにおける臨
界電流密度は１万Ａ／cm2 と低い値に留まっている。
【００１３】Yoshino 達の技術では銀結晶の（１１０）
面がテープ表面に平行に並んでいる。高いＪｃを得るた
めには超電導結晶の（００１）面の向きを平行に揃える
必要があるが、銀結晶の（１１０）面と超電導結晶の
（００１）面のマッチングはあまりよくないため、Yosh
ino 達の技術では超電導結晶の向きがまだ充分に揃って
おらず、その結果Ｊｃの値も７７Ｋ，０Ｔで４万５千Ａ
／cm2 とそれほど高いものにはなっていない。
面がテープ表面に平行に並んでいる。高いＪｃを得るた
めには超電導結晶の（００１）面の向きを平行に揃える
必要があるが、銀結晶の（１１０）面と超電導結晶の
（００１）面のマッチングはあまりよくないため、Yosh
ino 達の技術では超電導結晶の向きがまだ充分に揃って
おらず、その結果Ｊｃの値も７７Ｋ，０Ｔで４万５千Ａ
／cm2 とそれほど高いものにはなっていない。
【００１４】Iijima達，Deluca達，Yoshino 達の開示す
る従来の技術では、超電導物質と複合化させる基材の性
質に充分な配慮がなされていないため、長尺の超電導線
材を製品として作製することは難しかった。
る従来の技術では、超電導物質と複合化させる基材の性
質に充分な配慮がなされていないため、長尺の超電導線
材を製品として作製することは難しかった。
【００１５】本発明の目的は、酸化物超電導物質の結晶
を好ましい方向に揃えるために好適な基材を提供し、そ
の基材と酸化物超電導物質を複合化することで、磁場中
においても高い臨界電流密度を有する超電導体及び超電
導線材を提供することにある。また、本発明による超電
導線材を使用することで初めて可能になる、液体窒素で
冷却できる温度以上の温度領域で動作する超電導マグネ
ット，ＮＭＲ装置，ＭＲＩ装置，磁気浮上列車，超電導
発電機，エネルギー貯蔵装置，磁気シールド装置，シン
クロトロン放射光装置，素粒子加速器等の超電導を利用
する応用機器を提供することも本発明の目的である。
を好ましい方向に揃えるために好適な基材を提供し、そ
の基材と酸化物超電導物質を複合化することで、磁場中
においても高い臨界電流密度を有する超電導体及び超電
導線材を提供することにある。また、本発明による超電
導線材を使用することで初めて可能になる、液体窒素で
冷却できる温度以上の温度領域で動作する超電導マグネ
ット，ＮＭＲ装置，ＭＲＩ装置，磁気浮上列車，超電導
発電機，エネルギー貯蔵装置，磁気シールド装置，シン
クロトロン放射光装置，素粒子加速器等の超電導を利用
する応用機器を提供することも本発明の目的である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、酸化物超電
導物質を立方体集合組織を有している金属体と複合化し
て超電導線材または超電導体とすることによって達成さ
れる。立方体集合組織とは、例えば長嶋晋一編著「集合
組織」丸善株式会社出版の１３３，１８５ページに記載
のあるように｛１００｝＜００１＞方位の集合組織のこ
とである。
導物質を立方体集合組織を有している金属体と複合化し
て超電導線材または超電導体とすることによって達成さ
れる。立方体集合組織とは、例えば長嶋晋一編著「集合
組織」丸善株式会社出版の１３３，１８５ページに記載
のあるように｛１００｝＜００１＞方位の集合組織のこ
とである。
【００１７】立方体集合組織を有している金属体の金属
結晶の｛１００｝面を、該金属体と酸化物超電導物質の
界面に平行に揃えた場合のほうが、両者の複合体である
超電導体の超電導臨界電流密度（Ｊｃ）は高くできる。
結晶の｛１００｝面を、該金属体と酸化物超電導物質の
界面に平行に揃えた場合のほうが、両者の複合体である
超電導体の超電導臨界電流密度（Ｊｃ）は高くできる。
【００１８】立方体集合組織を有している金属体の金属
結晶の｛１００｝面と酸化物超電導物質の（００１）面
を平行になるようにした場合のほうが、酸化物超電導物
質の結晶粒子の結晶方位を揃えやすく、Ｊｃを高くする
ことができる。ここで、平行とは、両者の方向が１０度
以内で揃っていることを指す。金属結晶の｛１００｝面
の方向と界面の角度，金属結晶の｛１００｝面と酸化物
超電導物質の(００１)面の角度を色々と変化させてＪｃ
を測定したところ、５度以上になると１０％程度に、１
０度以上になると急激にＪｃが低下した。
結晶の｛１００｝面と酸化物超電導物質の（００１）面
を平行になるようにした場合のほうが、酸化物超電導物
質の結晶粒子の結晶方位を揃えやすく、Ｊｃを高くする
ことができる。ここで、平行とは、両者の方向が１０度
以内で揃っていることを指す。金属結晶の｛１００｝面
の方向と界面の角度，金属結晶の｛１００｝面と酸化物
超電導物質の(００１)面の角度を色々と変化させてＪｃ
を測定したところ、５度以上になると１０％程度に、１
０度以上になると急激にＪｃが低下した。
【００１９】立方体集合組織を有する金属体の金属結晶
のａ，ｂ，ｃの全ての結晶軸と、酸化物超電導物質の
ａ，ｂ，ｃの全ての結晶軸が全て平行である場合が最も
高いＪｃを与える。１軸だけでも平行に揃えることで、
ある程度はＪｃの値を向上させることはできるが、実用
化を考えた際には不十分である。
のａ，ｂ，ｃの全ての結晶軸と、酸化物超電導物質の
ａ，ｂ，ｃの全ての結晶軸が全て平行である場合が最も
高いＪｃを与える。１軸だけでも平行に揃えることで、
ある程度はＪｃの値を向上させることはできるが、実用
化を考えた際には不十分である。
【００２０】９９％の結晶の｛１００｝面が平行でかつ
＜００１＞方位が揃っている状態（立方体集合組織を有
している）の銀テープを作製し、その上に、酸化物超電
導物質を、その結晶方位を揃える程度を種々に変化させ
て作製し、Ｊｃの変化を調べた。金属結晶の｛１００｝
面と酸化物超電導物質の（００１）面の角度が１０度以
内になっているものが全体の６０％を下回らない範囲で
は、従来技術による超電導線もしくは超電導体のＪｃよ
りも高いＪｃ値が得られている。ただし、金属結晶の
｛１００｝面と酸化物超電導物質の（００１）面の角度
が１０度以内になっているものが全体の８０％を下回る
ようになると、Ｊｃは急激に低下していることから、金
属結晶の｛１００｝面と酸化物超電導物質の（００１）
面の角度が１０度以内になっているものが全体の８０％
以上となっている事が好ましい。また、金属の結晶の＜
１１０＞方向と酸化物超電導物質結晶の［１１０］方向
が１０度以内になっているものが全体の６０％を下回ら
ない範囲では、従来技術による超電導線もしくは超電導
体のＪｃよりも高いＪｃ値が得られている。ただし、金
属の結晶の＜１１０＞方向と酸化物超電導物質結晶の
［１１０］方向が１０度以内になっているものが全体の
８０％を下回るようになると、Ｊｃは急激に低下してい
ることから、金属の結晶の＜１１０＞方向と酸化物超電
導物質結晶の［１１０］方向が１０度以内になっている
ものが全体の８０％以上となっている事が好ましい。ま
た、金属の結晶の＜１００＞方向と酸化物超電導物質結
晶の［１００］方向が１０度以内になっているものが全
体の６０％を下回らない範囲では、従来技術による超電
導線もしくは超電導体のＪｃよりも高いＪｃ値が得られ
ている。ただし、金属の結晶の＜１００＞方向と酸化物
超電導物質結晶の［１００］方向が１０度以内になって
いるものが全体の８０％を下回るようになると、Ｊｃは
急激に低下していることから、金属の結晶の＜１００＞
方向と酸化物超電導物質結晶の［１００］方向が１０度
以内になっているものが全体の８０％となっている事が
好ましい。
＜００１＞方位が揃っている状態（立方体集合組織を有
している）の銀テープを作製し、その上に、酸化物超電
導物質を、その結晶方位を揃える程度を種々に変化させ
て作製し、Ｊｃの変化を調べた。金属結晶の｛１００｝
面と酸化物超電導物質の（００１）面の角度が１０度以
内になっているものが全体の６０％を下回らない範囲で
は、従来技術による超電導線もしくは超電導体のＪｃよ
りも高いＪｃ値が得られている。ただし、金属結晶の
｛１００｝面と酸化物超電導物質の（００１）面の角度
が１０度以内になっているものが全体の８０％を下回る
ようになると、Ｊｃは急激に低下していることから、金
属結晶の｛１００｝面と酸化物超電導物質の（００１）
面の角度が１０度以内になっているものが全体の８０％
以上となっている事が好ましい。また、金属の結晶の＜
１１０＞方向と酸化物超電導物質結晶の［１１０］方向
が１０度以内になっているものが全体の６０％を下回ら
ない範囲では、従来技術による超電導線もしくは超電導
体のＪｃよりも高いＪｃ値が得られている。ただし、金
属の結晶の＜１１０＞方向と酸化物超電導物質結晶の
［１１０］方向が１０度以内になっているものが全体の
８０％を下回るようになると、Ｊｃは急激に低下してい
ることから、金属の結晶の＜１１０＞方向と酸化物超電
導物質結晶の［１１０］方向が１０度以内になっている
ものが全体の８０％以上となっている事が好ましい。ま
た、金属の結晶の＜１００＞方向と酸化物超電導物質結
晶の［１００］方向が１０度以内になっているものが全
体の６０％を下回らない範囲では、従来技術による超電
導線もしくは超電導体のＪｃよりも高いＪｃ値が得られ
ている。ただし、金属の結晶の＜１００＞方向と酸化物
超電導物質結晶の［１００］方向が１０度以内になって
いるものが全体の８０％を下回るようになると、Ｊｃは
急激に低下していることから、金属の結晶の＜１００＞
方向と酸化物超電導物質結晶の［１００］方向が１０度
以内になっているものが全体の８０％となっている事が
好ましい。
【００２１】｛１００｝面がテープ表面に平行で、かつ
＜１１０＞方向がテープ長手方向に揃っている結晶の割
合を変化させた銀テープを作製し、その上に酸化物超電
導物質層を注意深く形成し、Ｊｃの変化を調べた。｛１
００｝面が＜１１０＞方向に揃っている結晶の割合が８
０％を下回るようになると、Ｊｃは急激に低下すること
が分かった。
＜１１０＞方向がテープ長手方向に揃っている結晶の割
合を変化させた銀テープを作製し、その上に酸化物超電
導物質層を注意深く形成し、Ｊｃの変化を調べた。｛１
００｝面が＜１１０＞方向に揃っている結晶の割合が８
０％を下回るようになると、Ｊｃは急激に低下すること
が分かった。
【００２２】立方体集合組織を有している金属テープは
銀の他にも、使用する酸化物超電導物質の性質を、超電
導体の熱処理時に損なわないものであればどのような元
素からなるものであっても構わない。例えば、純銀，銀
と金の合金，銀とパラジウムの合金，銀と銅の合金，銀
のマトリックス相にＭｇＯ等の酸化物を分散させた分散
強化型合金等であっても構わない。ＦＣＣ構造の金属の
方が、立方体集合組織を得やすいので好ましい。ただ
し、ＢＣＣ構造の金属であっても、立方体集合組織は得
られるので、ＢＣＣ金属でも構わないが、ＨＣＰ構造の
金属では良い特性の超電導体を得ることはできない。
銀の他にも、使用する酸化物超電導物質の性質を、超電
導体の熱処理時に損なわないものであればどのような元
素からなるものであっても構わない。例えば、純銀，銀
と金の合金，銀とパラジウムの合金，銀と銅の合金，銀
のマトリックス相にＭｇＯ等の酸化物を分散させた分散
強化型合金等であっても構わない。ＦＣＣ構造の金属の
方が、立方体集合組織を得やすいので好ましい。ただ
し、ＢＣＣ構造の金属であっても、立方体集合組織は得
られるので、ＢＣＣ金属でも構わないが、ＨＣＰ構造の
金属では良い特性の超電導体を得ることはできない。
【００２３】超電導線としての高い臨界電流密度を得る
ためには、超電導部分を流れる超電導臨界電流密度を高
くする必要があるのはもちろんであるが、超電導物質と
超電導でない物質の構成比率も重要なファクターにな
る。当然のことながら、超電導物質の占める割合が高い
ほど、超電導線のＪｃは高くなる。本発明による方法で
は、金属テープは薄ければ薄いほど良く、一方、超電導
物質層は厚ければ厚いほど良い。しかしながらそれらの
厚さには自ずと限界がある。経済性を考えたとき、金属
テープは圧延で作る必要があるが、その場合５ミクロン
未満の厚さの金属テープを作製することは非常に困難で
あった。また、超電導物質の結晶は、基材の結晶からの
影響を受けることによって、その方向が揃うので、超電
導物質層が３ミクロンを越えると結晶の方向が乱れてく
る。この様なことから、長手方向に垂直な断面における
金属体の面積Ｓ１と酸化物超電導物質の面積Ｓ２の比
率、Ｓ１／Ｓ２を０.６ より大きくすることは難しい。
また、Ｓ１／Ｓ２の値が小さくなりすぎると超電導線全
体としての臨界電流密度が低くなりすぎるので好ましく
ない。経済的な観点から考慮するとＳ１／Ｓ２の値は最
低でも０.０１ は必要である。
ためには、超電導部分を流れる超電導臨界電流密度を高
くする必要があるのはもちろんであるが、超電導物質と
超電導でない物質の構成比率も重要なファクターにな
る。当然のことながら、超電導物質の占める割合が高い
ほど、超電導線のＪｃは高くなる。本発明による方法で
は、金属テープは薄ければ薄いほど良く、一方、超電導
物質層は厚ければ厚いほど良い。しかしながらそれらの
厚さには自ずと限界がある。経済性を考えたとき、金属
テープは圧延で作る必要があるが、その場合５ミクロン
未満の厚さの金属テープを作製することは非常に困難で
あった。また、超電導物質の結晶は、基材の結晶からの
影響を受けることによって、その方向が揃うので、超電
導物質層が３ミクロンを越えると結晶の方向が乱れてく
る。この様なことから、長手方向に垂直な断面における
金属体の面積Ｓ１と酸化物超電導物質の面積Ｓ２の比
率、Ｓ１／Ｓ２を０.６ より大きくすることは難しい。
また、Ｓ１／Ｓ２の値が小さくなりすぎると超電導線全
体としての臨界電流密度が低くなりすぎるので好ましく
ない。経済的な観点から考慮するとＳ１／Ｓ２の値は最
低でも０.０１ は必要である。
【００２４】尚、金属体はテープ状である場合が多い
が、あっても、線状，管状等の形状であっても同じ原理
で、高いＪｃの超電導線材が得られる。
が、あっても、線状，管状等の形状であっても同じ原理
で、高いＪｃの超電導線材が得られる。
【００２５】酸化物超電導物質としては、液体窒素で冷
却できる温度以上の領域で必要とする磁場よりも高い不
可逆磁場（その磁場以上では有限の抵抗を発生してしま
う最小の磁場）を有している超電導物質を用いる必要が
ある。例えば、Ｔｌ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｏをベースに
して合成された超電導物質は高いＴｃと高い不可逆磁場
Ｈｃ＊の故に好ましい。この超電導物質群はフレキシビ
リテイーに富んでおり結晶のサイトの元素置換が非常に
起こりやすい。具体的な組成式を示すと （ＴｌX1ＰｂX2ＢｉX3ＨｇX4ＣｕX5)(Ｓｒ1-X6ＢａX6)2
Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+3+X7 （ここで、０≦Ｘ１≦１.０，０≦Ｘ２≦１.０，０≦Ｘ
３≦０.５，０≦Ｘ４≦１.０，０≦Ｘ５≦１.０ ，０.
５≦Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｘ４＋Ｘ５≦１，０≦Ｘ６≦
１，−０.５≦Ｘ７≦０.５，ｎ＝１，２，３，４，５）
である。また、ＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ7+X1(ここで、Ｌｎは
Ｙもしくは希土類元素、−０.５≦Ｘ１≦０.１ ）の組
成式で表わされる酸化物超電導物質群も、高い不可逆磁
場を有しており、本発明に好ましい物質である。また、
組成が (Ｔｌ1-X1-X2-X3ＰｂX1ＢｉX2ＨｇX3)2(Ｓｒ1-X4Ｂ
ａX4)2Ｃａn-1ＣunＯ2n+3+X5 （ここでｎ＝２，３，４，５，６，０≦Ｘ１≦０.８，
０≦Ｘ２≦０.５，０≦Ｘ３≦１.０，０≦Ｘ１＋Ｘ２＋
Ｘ３≦１，０≦Ｘ４≦１，−０.５≦Ｘ５≦０.５)であ
る超電導物質は、上記のＴｌ−１層系或いはＹ系の超電
導物質群に比べて、不可逆磁場は少し小さくなるが、こ
のような物質群を使用しても構わない。
却できる温度以上の領域で必要とする磁場よりも高い不
可逆磁場（その磁場以上では有限の抵抗を発生してしま
う最小の磁場）を有している超電導物質を用いる必要が
ある。例えば、Ｔｌ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｃｕ，Ｏをベースに
して合成された超電導物質は高いＴｃと高い不可逆磁場
Ｈｃ＊の故に好ましい。この超電導物質群はフレキシビ
リテイーに富んでおり結晶のサイトの元素置換が非常に
起こりやすい。具体的な組成式を示すと （ＴｌX1ＰｂX2ＢｉX3ＨｇX4ＣｕX5)(Ｓｒ1-X6ＢａX6)2
Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+3+X7 （ここで、０≦Ｘ１≦１.０，０≦Ｘ２≦１.０，０≦Ｘ
３≦０.５，０≦Ｘ４≦１.０，０≦Ｘ５≦１.０ ，０.
５≦Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｘ４＋Ｘ５≦１，０≦Ｘ６≦
１，−０.５≦Ｘ７≦０.５，ｎ＝１，２，３，４，５）
である。また、ＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ7+X1(ここで、Ｌｎは
Ｙもしくは希土類元素、−０.５≦Ｘ１≦０.１ ）の組
成式で表わされる酸化物超電導物質群も、高い不可逆磁
場を有しており、本発明に好ましい物質である。また、
組成が (Ｔｌ1-X1-X2-X3ＰｂX1ＢｉX2ＨｇX3)2(Ｓｒ1-X4Ｂ
ａX4)2Ｃａn-1ＣunＯ2n+3+X5 （ここでｎ＝２，３，４，５，６，０≦Ｘ１≦０.８，
０≦Ｘ２≦０.５，０≦Ｘ３≦１.０，０≦Ｘ１＋Ｘ２＋
Ｘ３≦１，０≦Ｘ４≦１，−０.５≦Ｘ５≦０.５)であ
る超電導物質は、上記のＴｌ−１層系或いはＹ系の超電
導物質群に比べて、不可逆磁場は少し小さくなるが、こ
のような物質群を使用しても構わない。
【００２６】組成式、(Ｂｉ1ーX1ＰｂX1)2Ｓｒ2Ｃａnー1
ＣｕnＯ2n+4（ここで、０≦Ｘ１≦０.４，ｎ＝１，２，
３)で表される超電導物質群は、液体窒素冷却できる温
度領域ではそれほど高い不可逆磁場を持っていないの
で、本発明の趣旨から少し外れるが、この様な超電導物
質を使用した場合でも、立方体集合組織を有する金属体
と複合体化させることによって、Ｊｃ（ただし、不可逆
磁場以下の磁場中での）をより高くすることができる。
また、より低温度領域（例えば、液体ヘリウムで冷却）
で使用した場合のＪｃが大幅に向上する。
ＣｕnＯ2n+4（ここで、０≦Ｘ１≦０.４，ｎ＝１，２，
３)で表される超電導物質群は、液体窒素冷却できる温
度領域ではそれほど高い不可逆磁場を持っていないの
で、本発明の趣旨から少し外れるが、この様な超電導物
質を使用した場合でも、立方体集合組織を有する金属体
と複合体化させることによって、Ｊｃ（ただし、不可逆
磁場以下の磁場中での）をより高くすることができる。
また、より低温度領域（例えば、液体ヘリウムで冷却）
で使用した場合のＪｃが大幅に向上する。
【００２７】本発明が適用できる超電導物質はこれらに
限らず、一般的に結晶の方向を揃えることで特性が向上
する全ての物質にたいして適用できる技術である。
限らず、一般的に結晶の方向を揃えることで特性が向上
する全ての物質にたいして適用できる技術である。
【００２８】従来の超電導応用機器はすべて３０Ｋ以下
の温度領域でしか超電導状態にならない超電導物質を使
用していたため、その運転には液体ヘリウムを必要と
し、コストが非常に掛かった。この点を解決するために
本発明では液体窒素での冷却で十分に超電導状態になる
物質を用いた超電導線材或いは超電導体を使用するの
で、冷却に掛かるコストを大幅に低減することができ
る。更に、本発明で作製した超電導線材或いは超電導体
を使用して、超電導応用機器を作製した場合、従来の超
電導機器においては非常に考慮する必要のあった、クエ
ンチ（何らかの原因によって、超電導体の一部が常電導
状態に転移したとき、それが急激に伝播して超電導体の
全体が常電導状態に転移してしまい、その際に急激に多
量の熱を発生する現象）に関する問題が大いに低減さ
れ、実質的にはまずクエンチが起こらないような超電導
機器とすることができる。従って、従来は行う必要のあ
ったクエンチ対策が必要なくなり、それに見合った大幅
なコスト低減が図れる。
の温度領域でしか超電導状態にならない超電導物質を使
用していたため、その運転には液体ヘリウムを必要と
し、コストが非常に掛かった。この点を解決するために
本発明では液体窒素での冷却で十分に超電導状態になる
物質を用いた超電導線材或いは超電導体を使用するの
で、冷却に掛かるコストを大幅に低減することができ
る。更に、本発明で作製した超電導線材或いは超電導体
を使用して、超電導応用機器を作製した場合、従来の超
電導機器においては非常に考慮する必要のあった、クエ
ンチ（何らかの原因によって、超電導体の一部が常電導
状態に転移したとき、それが急激に伝播して超電導体の
全体が常電導状態に転移してしまい、その際に急激に多
量の熱を発生する現象）に関する問題が大いに低減さ
れ、実質的にはまずクエンチが起こらないような超電導
機器とすることができる。従って、従来は行う必要のあ
ったクエンチ対策が必要なくなり、それに見合った大幅
なコスト低減が図れる。
【００２９】本発明を実用製品に適用する際の立方体集
合組織を有する金属体としては、銀がもっとも好ましい
が、立方体集合組織を有する銀の多結晶体は、これまで
存在しなかった。そこで、我々は銀の純度，加工度，圧
延温度，熱処理温度及び時間を種々検討することによっ
て、遂に銀の立方体集合組織を得ることに成功した。具
体的には、９９.０ ％以上の純度の銀を、１００℃以上
３００℃以下、好ましくは１５０℃以上２００℃以下の
温度で、加工度８０％以上になるように線引き、或いは
圧延加工を施し、その後４００℃以上の温度で５分以上
の熱処理を行うことで、銀の立方体集合組織を得ること
ができる。この立方体集合組織を持つ銀は、酸化物超電
導物質と複合化して使用する他にも、異方性が全くない
ため、電流や信号を伝えたりする導線等に使用すると従
来の銀線よりも良い特性が得られる。また、ＧａＡｓ半
導体素子の基板として使用したところ、ＧａＡｓ単結晶
基板上に作成したＧａＡｓ半導体素子の性能と同等の特
性が確認できた。このことから、本発明の立方体集合組
織を持つ銀はＧａＡｓ単結晶よりも安価な基板として利
用できることがわかる。また、何らかの物質の結晶方位
を揃えて作製する必要がある場合、本発明による立方体
集合組織の銀を基板に用いれば、大きな面積のものが安
価に得られる。
合組織を有する金属体としては、銀がもっとも好ましい
が、立方体集合組織を有する銀の多結晶体は、これまで
存在しなかった。そこで、我々は銀の純度，加工度，圧
延温度，熱処理温度及び時間を種々検討することによっ
て、遂に銀の立方体集合組織を得ることに成功した。具
体的には、９９.０ ％以上の純度の銀を、１００℃以上
３００℃以下、好ましくは１５０℃以上２００℃以下の
温度で、加工度８０％以上になるように線引き、或いは
圧延加工を施し、その後４００℃以上の温度で５分以上
の熱処理を行うことで、銀の立方体集合組織を得ること
ができる。この立方体集合組織を持つ銀は、酸化物超電
導物質と複合化して使用する他にも、異方性が全くない
ため、電流や信号を伝えたりする導線等に使用すると従
来の銀線よりも良い特性が得られる。また、ＧａＡｓ半
導体素子の基板として使用したところ、ＧａＡｓ単結晶
基板上に作成したＧａＡｓ半導体素子の性能と同等の特
性が確認できた。このことから、本発明の立方体集合組
織を持つ銀はＧａＡｓ単結晶よりも安価な基板として利
用できることがわかる。また、何らかの物質の結晶方位
を揃えて作製する必要がある場合、本発明による立方体
集合組織の銀を基板に用いれば、大きな面積のものが安
価に得られる。
【００３０】
【作用】我々は図１，図２，図３に示す様な結晶構造
（図１，図２は２単位格子で、図３は単位格子で描いて
いる）をもつ超電導物質が高い不可逆磁場（ある温度に
おいて、電気抵抗がゼロである超電導電流を試料に流す
ことが可能である最大印加磁場の値のこと。これ以上の
磁場を試料に印加すると試料は抵抗を発生する。）を持
ちえることを示し、その超電導物質にピンニングセンタ
を導入して高い不可逆磁場を持つ超電導体を作製する方
法を可能にしてきた。その過程で、不可逆磁場を高くす
ることの出来る超電導物質を用いて多結晶体（要するに
単結晶ではなく、結晶粒界が存在する超電導体）で超電
導線材を作製するときには、超電導物質の結晶のｃ軸が
同じ方向を向いている（ｃ軸配向）ようにしてやった方
が高いＪｃを持った超電導体が出来ることを、超電導物
質の結晶のａ，ｂ，ｃ軸が全て同じ方向を向いている
（３軸配向）ようにしてやった方がより高いＪｃを持っ
た超電導体が出来ることを、見いだした。そこで今回高
い不可逆磁場を持ちえる超電導物質を配向させて高いＪ
ｃを持つ超電導線材或いは超電導体の構造及び作製方法
を考案した。
（図１，図２は２単位格子で、図３は単位格子で描いて
いる）をもつ超電導物質が高い不可逆磁場（ある温度に
おいて、電気抵抗がゼロである超電導電流を試料に流す
ことが可能である最大印加磁場の値のこと。これ以上の
磁場を試料に印加すると試料は抵抗を発生する。）を持
ちえることを示し、その超電導物質にピンニングセンタ
を導入して高い不可逆磁場を持つ超電導体を作製する方
法を可能にしてきた。その過程で、不可逆磁場を高くす
ることの出来る超電導物質を用いて多結晶体（要するに
単結晶ではなく、結晶粒界が存在する超電導体）で超電
導線材を作製するときには、超電導物質の結晶のｃ軸が
同じ方向を向いている（ｃ軸配向）ようにしてやった方
が高いＪｃを持った超電導体が出来ることを、超電導物
質の結晶のａ，ｂ，ｃ軸が全て同じ方向を向いている
（３軸配向）ようにしてやった方がより高いＪｃを持っ
た超電導体が出来ることを、見いだした。そこで今回高
い不可逆磁場を持ちえる超電導物質を配向させて高いＪ
ｃを持つ超電導線材或いは超電導体の構造及び作製方法
を考案した。
【００３１】通常の市販の銀テープの上にＹ系，Ｔｌ−
１層系，Ｔｌ−２層系等の超電導物質を作製しても、酸
化物超電導物質の結晶の向きが十分に揃わず、温度７７
Ｋ，磁場１Ｔ中におけるＪｃも数千Ａ／cm2 程度と高い
値は得られない。また、結晶の｛１１０｝面が表面に平
行に揃った銀テープの上にＹ系，Ｔｌ−１層系，Ｔｌ−
２層系等の超電導物質を作製しても、酸化物超電導物質
の結晶の向きが十分に揃わず、温度７７Ｋ，無磁場でＪ
ｃ＝数万Ａ／cm2 ，温度７７Ｋ，磁場１Ｔ中におけるＪ
ｃは数千Ａ／cm2 程度と十分に高い値は得られない。ま
た、結晶の｛１００｝が表面に平行に揃っているが＜１
００＞方向は揃っていない銀テープの上にＹ系，Ｔｌ−
１層系，Ｔｌ−２層系等の超電導物質を作製しても、酸
化物超電導物質の結晶の向きが十分に揃わず、温度７７
Ｋ，無磁場でＪｃ＝数万Ａ／cm2 ，温度７７Ｋ，磁場１
Ｔ中におけるＪｃは数千Ａ／cm2 程度とやはり十分に高
い値は得られない。しかし、立方体集合組織を有する銀
テープの上に、酸化物超電導物質を作製したところ、温
度７７Ｋ，磁場１Ｔ中におけるＪｃが１万Ａ／cm2 以上
の非常に特性の良い超電導線材を得ることができた。こ
の理由に関しては色々な可能性が考えられるが、恐ら
く、立方体集合組織を持つ銀テープの表面の銀原子の配
列が、超電導物質の理想的な結晶配向である３軸配向に
とって好ましい状況になっている為であると考えられ
る。
１層系，Ｔｌ−２層系等の超電導物質を作製しても、酸
化物超電導物質の結晶の向きが十分に揃わず、温度７７
Ｋ，磁場１Ｔ中におけるＪｃも数千Ａ／cm2 程度と高い
値は得られない。また、結晶の｛１１０｝面が表面に平
行に揃った銀テープの上にＹ系，Ｔｌ−１層系，Ｔｌ−
２層系等の超電導物質を作製しても、酸化物超電導物質
の結晶の向きが十分に揃わず、温度７７Ｋ，無磁場でＪ
ｃ＝数万Ａ／cm2 ，温度７７Ｋ，磁場１Ｔ中におけるＪ
ｃは数千Ａ／cm2 程度と十分に高い値は得られない。ま
た、結晶の｛１００｝が表面に平行に揃っているが＜１
００＞方向は揃っていない銀テープの上にＹ系，Ｔｌ−
１層系，Ｔｌ−２層系等の超電導物質を作製しても、酸
化物超電導物質の結晶の向きが十分に揃わず、温度７７
Ｋ，無磁場でＪｃ＝数万Ａ／cm2 ，温度７７Ｋ，磁場１
Ｔ中におけるＪｃは数千Ａ／cm2 程度とやはり十分に高
い値は得られない。しかし、立方体集合組織を有する銀
テープの上に、酸化物超電導物質を作製したところ、温
度７７Ｋ，磁場１Ｔ中におけるＪｃが１万Ａ／cm2 以上
の非常に特性の良い超電導線材を得ることができた。こ
の理由に関しては色々な可能性が考えられるが、恐ら
く、立方体集合組織を持つ銀テープの表面の銀原子の配
列が、超電導物質の理想的な結晶配向である３軸配向に
とって好ましい状況になっている為であると考えられ
る。
【００３２】また、立方体集合組織を有する銀と金の合
金，銀とパラジウムの合金，銀と銅の合金，銀のマトリ
ックス相にＭｇＯを分散させた分散強化型合金，銀のマ
トリックス相に金属間化合物を分散させた分散強化型合
金を使用した場合にも、立方体集合組織を有する銀テー
プの上に、酸化物超電導物質を作製した場合と同様に高
いＪｃが得られた。また、立方体集合組織を有するＮ
ｉ，Ｎｉ−Ｆｅ合金，Ｃｕ，Ｃｕ−Ａｌ合金を使用した
場合にも、立方体集合組織を有する銀テープの上に、酸
化物超電導物質を作製した場合と同様に高いＪｃが得ら
れるものと考えられる。
金，銀とパラジウムの合金，銀と銅の合金，銀のマトリ
ックス相にＭｇＯを分散させた分散強化型合金，銀のマ
トリックス相に金属間化合物を分散させた分散強化型合
金を使用した場合にも、立方体集合組織を有する銀テー
プの上に、酸化物超電導物質を作製した場合と同様に高
いＪｃが得られた。また、立方体集合組織を有するＮ
ｉ，Ｎｉ−Ｆｅ合金，Ｃｕ，Ｃｕ−Ａｌ合金を使用した
場合にも、立方体集合組織を有する銀テープの上に、酸
化物超電導物質を作製した場合と同様に高いＪｃが得ら
れるものと考えられる。
【００３３】本発明に記載の超電導物質，非超電導物質
及びその他の物質の組成は、厳密にこの値だけに限られ
るものではない。実際には、これらの酸化物には若干の
組成不定性があり各構成元素の含有比率が、十数パ−セ
ントから３０パ−セント程度までずれることもある。従
って、本発明において記載している物質の組成が若干異
なっていても、その結晶構造が基本的に同じであれば、
本発明に記載の物質と同じものである。
及びその他の物質の組成は、厳密にこの値だけに限られ
るものではない。実際には、これらの酸化物には若干の
組成不定性があり各構成元素の含有比率が、十数パ−セ
ントから３０パ−セント程度までずれることもある。従
って、本発明において記載している物質の組成が若干異
なっていても、その結晶構造が基本的に同じであれば、
本発明に記載の物質と同じものである。
【００３４】本発明によって作製した超電導体を使用す
ることによって、液体窒素冷却で動作する、特性の良い
超電導マグネットの作製が可能になる。そしてこのマグ
ネットを使用することによって液体窒素冷却で動作する
ＮＭＲ装置，ＳＱＵＩＤ装置，ＭＲＩ装置，磁気浮上列
車等の作製が可能になる。超電導マグネットを利用した
装置の全てを、本発明の超電導体を使用した線材を使用
した超電導で置き換えることが可能であり、そのことに
よって液体窒素冷却で動作する様にできる。液体窒素冷
却で動作するようにすることによって、単に運転コスト
（液体ヘリウムと液体窒素の価格差）が安くなるメリッ
ト以上に超電導装置の信頼性（クエンチと呼ばれる超電
導が急激に破壊する現象を抑え込む為に、種々の措置が
施される必要がある）を確保するためのコスト，冷凍機
に掛かるコスト，断熱にかかるコストが大幅に低減す
る。従って、本発明による超電導線材，コイルを用いて
超電導装置を作製することによって、装置の価格を大幅
に低減することが可能になる。
ることによって、液体窒素冷却で動作する、特性の良い
超電導マグネットの作製が可能になる。そしてこのマグ
ネットを使用することによって液体窒素冷却で動作する
ＮＭＲ装置，ＳＱＵＩＤ装置，ＭＲＩ装置，磁気浮上列
車等の作製が可能になる。超電導マグネットを利用した
装置の全てを、本発明の超電導体を使用した線材を使用
した超電導で置き換えることが可能であり、そのことに
よって液体窒素冷却で動作する様にできる。液体窒素冷
却で動作するようにすることによって、単に運転コスト
（液体ヘリウムと液体窒素の価格差）が安くなるメリッ
ト以上に超電導装置の信頼性（クエンチと呼ばれる超電
導が急激に破壊する現象を抑え込む為に、種々の措置が
施される必要がある）を確保するためのコスト，冷凍機
に掛かるコスト，断熱にかかるコストが大幅に低減す
る。従って、本発明による超電導線材，コイルを用いて
超電導装置を作製することによって、装置の価格を大幅
に低減することが可能になる。
【００３５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００３６】［実施例１］まず最初に、立方体集合組織
を有する銀テープを作製した。幅１０mm，厚さ５mm，長
さ５０mmの市販の銀（９９.９９％ ）の塊を、２２０℃
に保った状態のまま５回の圧延処理で、厚さ０.０５mm
まで薄くした。このとき途中で焼鈍工程を入れてはいけ
ない。このテープを８００℃で２時間アニールして、銀
テープ基板とした。Ｘ線回折測定で銀の結晶の方位を調
べたところ、約８０％の結晶粒の｛１００｝面がテープ
表面に平行でかつその＜１００＞方位が圧延を掛けた方
向に平行に揃っていることが確認できた。
を有する銀テープを作製した。幅１０mm，厚さ５mm，長
さ５０mmの市販の銀（９９.９９％ ）の塊を、２２０℃
に保った状態のまま５回の圧延処理で、厚さ０.０５mm
まで薄くした。このとき途中で焼鈍工程を入れてはいけ
ない。このテープを８００℃で２時間アニールして、銀
テープ基板とした。Ｘ線回折測定で銀の結晶の方位を調
べたところ、約８０％の結晶粒の｛１００｝面がテープ
表面に平行でかつその＜１００＞方位が圧延を掛けた方
向に平行に揃っていることが確認できた。
【００３７】次に、上で作った立方体集合組織を有する
銀テープの上に、超電導物質を作製した。１リットルの
蒸留水に、純度９８％以上の硝酸タリウムを０.０１ モ
ル，硝酸バリウムを０.０２モル，硝酸カルシウムを０.
０２モル，硝酸銅を０.０３モル，グリシンを０.０５
モルを溶かして原料溶液を作製した。超音波振動子を用
いて、この溶液を直径数ミクロンの液滴にして銀テープ
基板の上に吹き付け、厚さ３ミクロンの前駆体を堆積し
た。この時の基板温度は８００℃とした。これを酸素ガ
スとＴｌ2Ｏ 蒸気が共存する雰囲気下で８５０℃におい
て５０時間アニールすることによって超電導物質にし
た。図４に、でき上がった超電導体の構造を示す。１０
は立方体集合組織を有する銀テープ基板であり、１１は
酸化物超電導物質である。
銀テープの上に、超電導物質を作製した。１リットルの
蒸留水に、純度９８％以上の硝酸タリウムを０.０１ モ
ル，硝酸バリウムを０.０２モル，硝酸カルシウムを０.
０２モル，硝酸銅を０.０３モル，グリシンを０.０５
モルを溶かして原料溶液を作製した。超音波振動子を用
いて、この溶液を直径数ミクロンの液滴にして銀テープ
基板の上に吹き付け、厚さ３ミクロンの前駆体を堆積し
た。この時の基板温度は８００℃とした。これを酸素ガ
スとＴｌ2Ｏ 蒸気が共存する雰囲気下で８５０℃におい
て５０時間アニールすることによって超電導物質にし
た。図４に、でき上がった超電導体の構造を示す。１０
は立方体集合組織を有する銀テープ基板であり、１１は
酸化物超電導物質である。
【００３８】出来上がった超電導体の超電導臨界温度を
直流４端子法で測定したところ107Kで電気抵抗がゼロに
なることが確認できた。７７Ｋの臨界電流密度を測定し
たところ、ゼロ磁場で500,000Ａ／cm2，１Ｔの磁場を基
板に垂直に印加したときには80,000Ａ／cm2であった。
直流４端子法で測定したところ107Kで電気抵抗がゼロに
なることが確認できた。７７Ｋの臨界電流密度を測定し
たところ、ゼロ磁場で500,000Ａ／cm2，１Ｔの磁場を基
板に垂直に印加したときには80,000Ａ／cm2であった。
【００３９】Ｘ線回折測定によって超電導物質の結晶の
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して１度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。また、超電導物質の結晶のａ軸（或いはｂ
軸）が銀テープの圧延方向と一致しているものが８０％
以上あることが確認できた。
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して１度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。また、超電導物質の結晶のａ軸（或いはｂ
軸）が銀テープの圧延方向と一致しているものが８０％
以上あることが確認できた。
【００４０】［比較例１］実施例１で使用したものと同
じ市販の銀の塊を、室温状態のまま５回の圧延処理で、
厚さ０.０５mm まで薄くし、その後８００℃で５時間ア
ニールして、比較用の銀テープ基板とした。Ｘ線回折測
定で銀の結晶の方位を調べたところ、｛１１０｝面がテ
ープ表面に平行に揃っていた。この基板上に、実施例１
とまったく同様にして超電導物質を作製した。出来上が
った超電導体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定し
たところ１０７Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認で
きた。７７Ｋの臨界電流密度を測定したところ、ゼロ磁
場で48,000Ａ／cm2 ，１Ｔの磁場を基板に垂直に印加し
たときには５,０００Ａ／cm2であった。
じ市販の銀の塊を、室温状態のまま５回の圧延処理で、
厚さ０.０５mm まで薄くし、その後８００℃で５時間ア
ニールして、比較用の銀テープ基板とした。Ｘ線回折測
定で銀の結晶の方位を調べたところ、｛１１０｝面がテ
ープ表面に平行に揃っていた。この基板上に、実施例１
とまったく同様にして超電導物質を作製した。出来上が
った超電導体の超電導臨界温度を直流４端子法で測定し
たところ１０７Ｋで電気抵抗がゼロになることが確認で
きた。７７Ｋの臨界電流密度を測定したところ、ゼロ磁
場で48,000Ａ／cm2 ，１Ｔの磁場を基板に垂直に印加し
たときには５,０００Ａ／cm2であった。
【００４１】Ｘ線回折測定によって超電導物質の結晶の
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
【００４２】［比較例２］実施例１で使用したものと同
じ市販の銀の塊の上に、実施例１とまったく同様にして
超電導物質を作製した。出来上がった超電導体の超電導
臨界温度を直流４端子法で測定したところ１０７Ｋで電
気抵抗がゼロになることが確認できた。７７Ｋの臨界電
流密度を測定したところ、ゼロ磁場で35,000Ａ／cm2 ，
１Ｔの磁場を基板に垂直に印加したときには１,０００
Ａ／cm2であった。
じ市販の銀の塊の上に、実施例１とまったく同様にして
超電導物質を作製した。出来上がった超電導体の超電導
臨界温度を直流４端子法で測定したところ１０７Ｋで電
気抵抗がゼロになることが確認できた。７７Ｋの臨界電
流密度を測定したところ、ゼロ磁場で35,000Ａ／cm2 ，
１Ｔの磁場を基板に垂直に印加したときには１,０００
Ａ／cm2であった。
【００４３】Ｘ線回折測定によって超電導物質の結晶の
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
【００４４】以上のように、実施例１，比較例１，２の
結果から、立方体集合組織を有している金属体と、酸化
物超電導物質を組み合わせて超電導体とすることによっ
て、非常にＪｃの高い超電導体或いは超電導線材が得ら
れることが分かる。
結果から、立方体集合組織を有している金属体と、酸化
物超電導物質を組み合わせて超電導体とすることによっ
て、非常にＪｃの高い超電導体或いは超電導線材が得ら
れることが分かる。
【００４５】［実施例２］実施例１で使用した立方体集
合組織を有する銀テープの上に、超電導物質を作製し
た。１リットルの蒸留水に、純度９８％以上の硝酸タリ
ウムを０.００５ モル，硝酸鉛を０.００５モル，硝酸
ストロンチウムを０.０２モル，硝酸カルシウムを０.０
２モル，硝酸銅を０.０３モル，グリシンを０.０４ モ
ルを溶かして原料溶液を作製した。超音波振動子を用い
て、この溶液を直径数ミクロンの液滴にして銀テープ基
板の上に吹き付け、厚さ３ミクロンの前駆体を堆積し
た。この時の基板温度は８００℃とした。これを酸素ガ
スとＴｌ2Ｏ 蒸気が共存する雰囲気下で８６０℃におい
て５０時間アニールすることによって超電導体を得た。
合組織を有する銀テープの上に、超電導物質を作製し
た。１リットルの蒸留水に、純度９８％以上の硝酸タリ
ウムを０.００５ モル，硝酸鉛を０.００５モル，硝酸
ストロンチウムを０.０２モル，硝酸カルシウムを０.０
２モル，硝酸銅を０.０３モル，グリシンを０.０４ モ
ルを溶かして原料溶液を作製した。超音波振動子を用い
て、この溶液を直径数ミクロンの液滴にして銀テープ基
板の上に吹き付け、厚さ３ミクロンの前駆体を堆積し
た。この時の基板温度は８００℃とした。これを酸素ガ
スとＴｌ2Ｏ 蒸気が共存する雰囲気下で８６０℃におい
て５０時間アニールすることによって超電導体を得た。
【００４６】出来上がった超電導体の超電導臨界温度を
直流４端子法で測定したところ121Kで電気抵抗がゼロに
なることが確認できた。７７Ｋの臨界電流密度を測定し
たところ、ゼロ磁場で800,000Ａ／cm2，１Ｔの磁場を基
板に垂直に印加したときには100,000Ａ／cm2であった。
直流４端子法で測定したところ121Kで電気抵抗がゼロに
なることが確認できた。７７Ｋの臨界電流密度を測定し
たところ、ゼロ磁場で800,000Ａ／cm2，１Ｔの磁場を基
板に垂直に印加したときには100,000Ａ／cm2であった。
【００４７】Ｘ線回折測定によって超電導物質の結晶の
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して１度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。また、超電導物質の結晶のａ軸（或いはｂ
軸）が銀テープの圧延方向と一致しているものが８０％
以上あることが確認できた。
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して１度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。また、超電導物質の結晶のａ軸（或いはｂ
軸）が銀テープの圧延方向と一致しているものが８０％
以上あることが確認できた。
【００４８】［比較例３］実施例１で使用したものと同
じ市販の銀の塊を、２０℃に保った状態のまま５回の圧
延処理で、厚さ０.０５mm まで薄くし、その後８００℃
で２時間アニールして、比較用の銀テープ基板とした。
この基板上に、実施例２とまったく同様にして超電導物
質を作製した。出来上がった超電導体の超電導臨界温度
を直流４端子法で測定したところ１２１Ｋで電気抵抗が
ゼロになることが確認できた。７７Ｋの臨界電流密度を
測定したところ、ゼロ磁場で30,000Ａ／cm2 ，１Ｔの磁
場を基板に垂直に印加したときには２，０００Ａ／cm2
であった。
じ市販の銀の塊を、２０℃に保った状態のまま５回の圧
延処理で、厚さ０.０５mm まで薄くし、その後８００℃
で２時間アニールして、比較用の銀テープ基板とした。
この基板上に、実施例２とまったく同様にして超電導物
質を作製した。出来上がった超電導体の超電導臨界温度
を直流４端子法で測定したところ１２１Ｋで電気抵抗が
ゼロになることが確認できた。７７Ｋの臨界電流密度を
測定したところ、ゼロ磁場で30,000Ａ／cm2 ，１Ｔの磁
場を基板に垂直に印加したときには２，０００Ａ／cm2
であった。
【００４９】Ｘ線回折測定によって超電導物質の結晶の
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
【００５０】［比較例４］実施例１で使用したものと同
じ市販の銀の塊の上に、実施例２とまったく同様にして
超電導物質を作製した。出来上がった超電導体の超電導
臨界温度を直流４端子法で測定したところ１２１Ｋで電
気抵抗がゼロになることが確認できた。７７Ｋの臨界電
流密度を測定したところ、ゼロ磁場で25,000Ａ／cm2 ，
１Ｔの磁場を基板に垂直に印加したときには１,０００
Ａ／cm2であった。
じ市販の銀の塊の上に、実施例２とまったく同様にして
超電導物質を作製した。出来上がった超電導体の超電導
臨界温度を直流４端子法で測定したところ１２１Ｋで電
気抵抗がゼロになることが確認できた。７７Ｋの臨界電
流密度を測定したところ、ゼロ磁場で25,000Ａ／cm2 ，
１Ｔの磁場を基板に垂直に印加したときには１,０００
Ａ／cm2であった。
【００５１】Ｘ線回折測定によって超電導物質の結晶の
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
【００５２】以上のように、実施例２，比較例３，４の
結果から、立方体集合組織を有している金属体と、酸化
物超電導物質を組み合わせて超電導体とすることによっ
て、非常にＪｃの高い超電導体或いは超電導線材が得ら
れることが分かる。
結果から、立方体集合組織を有している金属体と、酸化
物超電導物質を組み合わせて超電導体とすることによっ
て、非常にＪｃの高い超電導体或いは超電導線材が得ら
れることが分かる。
【００５３】［実施例３］実施例１で使用した立方体集
合組織を有する銀テープの上に、超電導物質を作製し
た。１リットルの蒸留水に、純度９８％以上の硝酸イッ
トリウムを０.０１モル，硝酸バリウムを０.０２モル，
硝酸銅を０.０３モル，グリシンを０.０２モルを溶かし
て原料溶液を作製した。超音波振動子を用いて、この溶
液を直径数ミクロンの液滴にして銀テープ基板の上に吹
き付け、厚さ３ミクロンの前駆体を堆積した。この時の
基板温度は８００℃とした。これを酸素ガス雰囲気下で
870℃において５０時間アニールすることによって超電
導体を得た。
合組織を有する銀テープの上に、超電導物質を作製し
た。１リットルの蒸留水に、純度９８％以上の硝酸イッ
トリウムを０.０１モル，硝酸バリウムを０.０２モル，
硝酸銅を０.０３モル，グリシンを０.０２モルを溶かし
て原料溶液を作製した。超音波振動子を用いて、この溶
液を直径数ミクロンの液滴にして銀テープ基板の上に吹
き付け、厚さ３ミクロンの前駆体を堆積した。この時の
基板温度は８００℃とした。これを酸素ガス雰囲気下で
870℃において５０時間アニールすることによって超電
導体を得た。
【００５４】出来上がった超電導体の超電導臨界温度を
直流４端子法で測定したところ９２Ｋで電気抵抗がゼロ
になることが確認できた。７７Ｋの臨界電流密度を測定
したところ、ゼロ磁場で400,000Ａ／cm2，１Ｔの磁場を
基板に垂直に印加したときには80,000Ａ／cm2 であっ
た。
直流４端子法で測定したところ９２Ｋで電気抵抗がゼロ
になることが確認できた。７７Ｋの臨界電流密度を測定
したところ、ゼロ磁場で400,000Ａ／cm2，１Ｔの磁場を
基板に垂直に印加したときには80,000Ａ／cm2 であっ
た。
【００５５】Ｘ線回折測定によって超電導物質の結晶の
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して１度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。また、超電導物質の結晶のａ軸（或いはｂ
軸）が銀テープの圧延方向と一致しているものが８０％
以上あることが確認できた。
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して１度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。また、超電導物質の結晶のａ軸（或いはｂ
軸）が銀テープの圧延方向と一致しているものが８０％
以上あることが確認できた。
【００５６】［比較例５］実施例１で使用したものと同
じ市販の銀の塊を、２０℃に保った状態のまま５回の圧
延処理で、厚さ０.０５mm まで薄くし、その後８００℃
で２時間アニールして、比較用の銀テープ基板とした。
この基板上に、実施例３とまったく同様にして超電導物
質を作製した。出来上がった超電導体の超電導臨界温度
を直流４端子法で測定したところ８３Ｋで電気抵抗がゼ
ロになることが確認できた。７７Ｋの臨界電流密度を測
定したところ、ゼロ磁場で10,000Ａ／cm2 ，１Ｔの磁場
を基板に垂直に印加したときには８００Ａ／cm2であっ
た。
じ市販の銀の塊を、２０℃に保った状態のまま５回の圧
延処理で、厚さ０.０５mm まで薄くし、その後８００℃
で２時間アニールして、比較用の銀テープ基板とした。
この基板上に、実施例３とまったく同様にして超電導物
質を作製した。出来上がった超電導体の超電導臨界温度
を直流４端子法で測定したところ８３Ｋで電気抵抗がゼ
ロになることが確認できた。７７Ｋの臨界電流密度を測
定したところ、ゼロ磁場で10,000Ａ／cm2 ，１Ｔの磁場
を基板に垂直に印加したときには８００Ａ／cm2であっ
た。
【００５７】Ｘ線回折測定によって超電導物質の結晶の
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
【００５８】［比較例６］実施例１で使用したものと同
じ市販の銀の塊の上に、実施例３とまったく同様にして
超電導物質を作製した。出来上がった超電導体の超電導
臨界温度を直流４端子法で測定したところ８３Ｋで電気
抵抗がゼロになることが確認できた。７７Ｋの臨界電流
密度を測定したところ、ゼロ磁場で９,０００Ａ／cm2，
１Ｔの磁場を基板に垂直に印加したときには９００Ａ／
cm2 であった。
じ市販の銀の塊の上に、実施例３とまったく同様にして
超電導物質を作製した。出来上がった超電導体の超電導
臨界温度を直流４端子法で測定したところ８３Ｋで電気
抵抗がゼロになることが確認できた。７７Ｋの臨界電流
密度を測定したところ、ゼロ磁場で９,０００Ａ／cm2，
１Ｔの磁場を基板に垂直に印加したときには９００Ａ／
cm2 であった。
【００５９】Ｘ線回折測定によって超電導物質の結晶の
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
ｃ軸がどの方向を向いているのかを調べたところ、基板
の法線に対して５度以内に８０％の結晶のｃ軸の向きが
入っていた。しかし、超電導物質の結晶のａ軸（或いは
ｂ軸）の方位に関しては特に揃っているようなことはな
かった。
【００６０】以上のように、実施例３，比較例５，６の
結果から、立方体集合組織を有している金属体と、酸化
物超電導物質を組み合わせて超電導体とすることによっ
て、非常にＪｃの高い超電導体或いは超電導線材が得ら
れることが分かる。
結果から、立方体集合組織を有している金属体と、酸化
物超電導物質を組み合わせて超電導体とすることによっ
て、非常にＪｃの高い超電導体或いは超電導線材が得ら
れることが分かる。
【００６１】［実施例４］実施例１，２および３で用い
た立方体集合組織を有する銀テープ基板の代りに、Ａｇ
−４０％Ａｕ，Ａｇ−２０％Ａｕ，Ａｇ−１０％Ｐｄ，
Ａｇ−１０％Ｃｕ合金、及びＡｇ母相に粒径０.１ミク
ロンのＭｇＯを堆積率にして０.１％分散させた酸化物
分散型合金を、圧延＋熱処理加工して立方体集合組織を
有する金属テープとして、その上に実施例１，２および
３と同様にして超電導物質を作製し、超電導テープを得
た。いずれの場合においても、実施例１，２および３で
得られたものと同程度（Ｊｃで９０％以内）の性能のも
のが得られた。
た立方体集合組織を有する銀テープ基板の代りに、Ａｇ
−４０％Ａｕ，Ａｇ−２０％Ａｕ，Ａｇ−１０％Ｐｄ，
Ａｇ−１０％Ｃｕ合金、及びＡｇ母相に粒径０.１ミク
ロンのＭｇＯを堆積率にして０.１％分散させた酸化物
分散型合金を、圧延＋熱処理加工して立方体集合組織を
有する金属テープとして、その上に実施例１，２および
３と同様にして超電導物質を作製し、超電導テープを得
た。いずれの場合においても、実施例１，２および３で
得られたものと同程度（Ｊｃで９０％以内）の性能のも
のが得られた。
【００６２】［実施例５］実施例１と同様にして、厚さ
５ミクロン，幅１cm，長さ１００ｍの立方体集合組織を
有する銀テープを作製した。この上に、実施例３と同様
な方法で長さ100ｍの超電導線材を作製した。外径３０c
mのボビンにテープ状の超電導線材を巻取って熱処理を
行い、その後、線材全長に渡るＪｃを測定したところゼ
ロ磁場においてＪｃ(ａｌｌ)＝50,000Ａ／cm2であった
（このＪｃ(ａｌｌ）は臨界電流値を銀を含む線材全体
の断面積で割ったものである）。磁場中でのＪｃ(ａｌ
ｌ)を測定するために１００ｍの線材より１０cm長さの
試料片を１０ピース無作為に切りだして直流４端子法で
Ｊｃ(ａｌｌ)を測定した。最も特性の悪かった試料片の
測定結果は、７７Ｋにおいて磁場を掛けない状態、０.
０１Ｔ，０.１Ｔ，１Ｔ，５Ｔの磁場を試料の長手方向
に対して直角な方向に印加したときのＪｃ(ａｌｌ)はそ
れぞれ50,000，38,000，23,000，11,000，10,000Ａ／cm
2 であった。
５ミクロン，幅１cm，長さ１００ｍの立方体集合組織を
有する銀テープを作製した。この上に、実施例３と同様
な方法で長さ100ｍの超電導線材を作製した。外径３０c
mのボビンにテープ状の超電導線材を巻取って熱処理を
行い、その後、線材全長に渡るＪｃを測定したところゼ
ロ磁場においてＪｃ(ａｌｌ)＝50,000Ａ／cm2であった
（このＪｃ(ａｌｌ）は臨界電流値を銀を含む線材全体
の断面積で割ったものである）。磁場中でのＪｃ(ａｌ
ｌ)を測定するために１００ｍの線材より１０cm長さの
試料片を１０ピース無作為に切りだして直流４端子法で
Ｊｃ(ａｌｌ)を測定した。最も特性の悪かった試料片の
測定結果は、７７Ｋにおいて磁場を掛けない状態、０.
０１Ｔ，０.１Ｔ，１Ｔ，５Ｔの磁場を試料の長手方向
に対して直角な方向に印加したときのＪｃ(ａｌｌ)はそ
れぞれ50,000，38,000，23,000，11,000，10,000Ａ／cm
2 であった。
【００６３】［実施例６］２枚のＳrＴiＯ3(１００）単
結晶基板を用意し、それらの単結晶の［００１］方向は
平行に保ち、かつ互いの［１００］方向のなす角度（ａ
度）のみを色々と変化させた状態で２枚のＳｒＴｉＯ
3(１００）単結晶基板を接合して、バイクリスタル基板
を作製した。このバイクリスタル基板の上に実施例１と
同様の方法で超電導物質を作製した。Ｘ線回折測定によ
って、超電導物質の結晶の向きを調べたところ、下のＳ
ｒＴｉＯ3(１００）単結晶の［００１］及び［１００］
及び［０１０］方向と、超電導結晶の［００１］及び
［１００］及び［０１０］方向が一致する結晶が全体の
９８％以上あることが確認された。従って、バイクリス
タル基板上に作製した超電導物質の結晶は、バイクリス
タル基板の結晶粒界の丁度上の場所で、［１００］方向
がａ度ずれた状態（ｃ軸方向は一致）になることがわか
る。即ち、角度ａを種々に変化させたバイクリスタル基
板の上に超電導物質を作製すれば、ｃ軸の方向を揃えた
状態で、ａ軸方向のなす角度を違えた種々の試料を作製
できることがわかる。
結晶基板を用意し、それらの単結晶の［００１］方向は
平行に保ち、かつ互いの［１００］方向のなす角度（ａ
度）のみを色々と変化させた状態で２枚のＳｒＴｉＯ
3(１００）単結晶基板を接合して、バイクリスタル基板
を作製した。このバイクリスタル基板の上に実施例１と
同様の方法で超電導物質を作製した。Ｘ線回折測定によ
って、超電導物質の結晶の向きを調べたところ、下のＳ
ｒＴｉＯ3(１００）単結晶の［００１］及び［１００］
及び［０１０］方向と、超電導結晶の［００１］及び
［１００］及び［０１０］方向が一致する結晶が全体の
９８％以上あることが確認された。従って、バイクリス
タル基板上に作製した超電導物質の結晶は、バイクリス
タル基板の結晶粒界の丁度上の場所で、［１００］方向
がａ度ずれた状態（ｃ軸方向は一致）になることがわか
る。即ち、角度ａを種々に変化させたバイクリスタル基
板の上に超電導物質を作製すれば、ｃ軸の方向を揃えた
状態で、ａ軸方向のなす角度を違えた種々の試料を作製
できることがわかる。
【００６４】図５に、ｃ軸の方向を揃えた状態のＴｌＢ
ａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ9超電導物質膜で、ａ軸方向のなす角度
がａである結晶粒界を流れる臨界電流密度Ｊｃ(ａ)を、
ａ軸方向のなす角度が０である結晶粒界を流れる臨界電
流密度Ｊｃ(０)で割った値を示す。図から分かるよう
に、ａ軸方向のなす角度が１０度以上になると、その結
晶粒界を越えて流れうる臨界電流密度の値が急に小さく
なることが分かる。従って、特性の良い超電導線材を作
製するためには、超電導物質の結晶のｃ軸を揃えるのみ
ならず、ａ軸の方向も１０度以内に揃えねばならないこ
とが分かる。
ａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ9超電導物質膜で、ａ軸方向のなす角度
がａである結晶粒界を流れる臨界電流密度Ｊｃ(ａ)を、
ａ軸方向のなす角度が０である結晶粒界を流れる臨界電
流密度Ｊｃ(０)で割った値を示す。図から分かるよう
に、ａ軸方向のなす角度が１０度以上になると、その結
晶粒界を越えて流れうる臨界電流密度の値が急に小さく
なることが分かる。従って、特性の良い超電導線材を作
製するためには、超電導物質の結晶のｃ軸を揃えるのみ
ならず、ａ軸の方向も１０度以内に揃えねばならないこ
とが分かる。
【００６５】［実施例７］圧延及び熱処理条件を変える
ことによって、立方体集合組織となっている割合を変化
させた銀テープを作製し、その上に実施例１と同様の方
法で超電導物質を作製した。Ｘ線回折測定によって、テ
ープ表面に｛１００｝面が平行でかつ圧延方向に対して
＜１００＞方向が平行である銀結晶の割合を調べた。ま
た、作製した超電導体（ＴｌＢａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ9）試料
の臨界電流密度を直流４端子法で測定した。
ことによって、立方体集合組織となっている割合を変化
させた銀テープを作製し、その上に実施例１と同様の方
法で超電導物質を作製した。Ｘ線回折測定によって、テ
ープ表面に｛１００｝面が平行でかつ圧延方向に対して
＜１００＞方向が平行である銀結晶の割合を調べた。ま
た、作製した超電導体（ＴｌＢａ2Ｃａ2Ｃｕ3Ｏ9）試料
の臨界電流密度を直流４端子法で測定した。
【００６６】図６に、両者の関係を示す。図から分かる
ように、テープ表面に｛１００｝面が平行でかつ圧延方
向に対して＜１００＞方向が平行である銀結晶の割合
（立方体集合組織の割合）が８０％以下になると磁場中
の臨界電流密度の値が大幅に低下することが分かる。従
って、特性の良い超電導線材を作製するためには、テー
プ表面に｛１００｝面が平行でかつ圧延方向に対して＜
１００＞方向が平行である銀結晶の割合（立方体集合組
織の割合）を８０％以上にした銀テープを用いなければ
ならないことが分かる。
ように、テープ表面に｛１００｝面が平行でかつ圧延方
向に対して＜１００＞方向が平行である銀結晶の割合
（立方体集合組織の割合）が８０％以下になると磁場中
の臨界電流密度の値が大幅に低下することが分かる。従
って、特性の良い超電導線材を作製するためには、テー
プ表面に｛１００｝面が平行でかつ圧延方向に対して＜
１００＞方向が平行である銀結晶の割合（立方体集合組
織の割合）を８０％以上にした銀テープを用いなければ
ならないことが分かる。
【００６７】また、Ｘ線回折測定によって、超電導結晶
の［１００］方向が、立方体集合組織を形成している銀
結晶の＜１００＞方向に対して１０度以内であるものの
割合を見積もったところ、８０％であった。
の［１００］方向が、立方体集合組織を形成している銀
結晶の＜１００＞方向に対して１０度以内であるものの
割合を見積もったところ、８０％であった。
【００６８】［実施例８］実施例５で作製したものと同
じ超電導テープ線材を１０本作製した。この線材を１０
本束ねて集合体化し、図７に示す断面構造を有する１０
０ｍ長さの超電導線を作製した。この超電導線の表面に
５ミクロン程度の厚さにアルミナをコーテイングし、そ
れをパンケーキ状に巻いて、超電導コイルを作製した。
この様なコイルを８つ作製し、縦方向に積層して、図８
に示す超電導マグネットを作製した。コイルを液体窒素
に浸漬し、電流を流して磁場を発生させたところ、最大
磁場２.６ テスラーを発生させることが出来た。
じ超電導テープ線材を１０本作製した。この線材を１０
本束ねて集合体化し、図７に示す断面構造を有する１０
０ｍ長さの超電導線を作製した。この超電導線の表面に
５ミクロン程度の厚さにアルミナをコーテイングし、そ
れをパンケーキ状に巻いて、超電導コイルを作製した。
この様なコイルを８つ作製し、縦方向に積層して、図８
に示す超電導マグネットを作製した。コイルを液体窒素
に浸漬し、電流を流して磁場を発生させたところ、最大
磁場２.６ テスラーを発生させることが出来た。
【００６９】［実施例９］実施例１での作製方法に準じ
て作製した超電導テープ線材を用いて種々の断面構造を
有する超電導導体を作製した。その断面構造を、図９，
図１０，図１１に示す。この超電導線の表面に５ミクロ
ン程度の厚さにアルミナをコーテイングし、それをパン
ケーキ状に巻いて、超電導コイルを作製した。この様な
コイルを８つ作製し、縦方向に積層して、図８に示す構
成の超電導マグネットを作製した。コイルを液体窒素に
浸漬し、電流を流して磁場を発生させたところ、何れの
超電導導体を使用した場合でも最大磁場２.１〜２.８テ
スラーの磁場を発生させることが出来た。
て作製した超電導テープ線材を用いて種々の断面構造を
有する超電導導体を作製した。その断面構造を、図９，
図１０，図１１に示す。この超電導線の表面に５ミクロ
ン程度の厚さにアルミナをコーテイングし、それをパン
ケーキ状に巻いて、超電導コイルを作製した。この様な
コイルを８つ作製し、縦方向に積層して、図８に示す構
成の超電導マグネットを作製した。コイルを液体窒素に
浸漬し、電流を流して磁場を発生させたところ、何れの
超電導導体を使用した場合でも最大磁場２.１〜２.８テ
スラーの磁場を発生させることが出来た。
【００７０】［実施例１０］実施例８で作製した超電導
マグネットを使用して図１２に示すような構成のＮＭＲ
装置を作製し、水素原子の核磁気共鳴が測定できること
を確認した。市販のＨｅ冷却で運転するタイプの物に比
べて、断熱が簡略化出来ることから、製造コストが１０
％以上削減出来ることが分かった。また高価な液体ヘリ
ウムを用いないですむことから運転コストも大幅に低減
出来ることが分かった。
マグネットを使用して図１２に示すような構成のＮＭＲ
装置を作製し、水素原子の核磁気共鳴が測定できること
を確認した。市販のＨｅ冷却で運転するタイプの物に比
べて、断熱が簡略化出来ることから、製造コストが１０
％以上削減出来ることが分かった。また高価な液体ヘリ
ウムを用いないですむことから運転コストも大幅に低減
出来ることが分かった。
【００７１】ＮＭＲ装置とＭＲＩ装置の基本的な動作原
理は同じであるので本発明による超電導体を用いて作製
した超電導線材を使用した超電導マグネットを使ったＭ
ＲＩ装置の作製が可能であることが分かる。製造コスト
を見積ったところ、ヘリウム冷凍機の代わりに構造がず
っと簡単で安価な窒素冷凍機で済むこと、断熱が１重で
済むこと、更に動作温度が７７Ｋと従来のＭＲＩ装置の
動作温度４.２Ｋ に比べて随分と高くなっていることか
ら、超電導線材の比熱が１００程度大きくなっているた
めクエンチの心配がなく、その対策を行う必要がないこ
とから、少なくとも２０％のコストダウンが可能である
ことが分かった。
理は同じであるので本発明による超電導体を用いて作製
した超電導線材を使用した超電導マグネットを使ったＭ
ＲＩ装置の作製が可能であることが分かる。製造コスト
を見積ったところ、ヘリウム冷凍機の代わりに構造がず
っと簡単で安価な窒素冷凍機で済むこと、断熱が１重で
済むこと、更に動作温度が７７Ｋと従来のＭＲＩ装置の
動作温度４.２Ｋ に比べて随分と高くなっていることか
ら、超電導線材の比熱が１００程度大きくなっているた
めクエンチの心配がなく、その対策を行う必要がないこ
とから、少なくとも２０％のコストダウンが可能である
ことが分かった。
【００７２】［実施例１１］本発明で作製した超電導体
を使用した磁気シールドを作製した。厚さ３cmの超電導
体の板で立方体を作製し、７８Ｋの窒素ガスで冷却し、
シールド超電導状態にして、外部より５０ガウスの磁場
を与えた。内部に入れたホール素子で内部の磁場を測定
したところ、ホール素子の検出可能限界以下の小さな磁
場であった。外部磁場を３０００ガウスにしたとき内部
の磁場は１ガウス程度であった。本発明による超電導体
を用いて作製した磁気シールドは十分な特性を有するこ
とが確認できた。
を使用した磁気シールドを作製した。厚さ３cmの超電導
体の板で立方体を作製し、７８Ｋの窒素ガスで冷却し、
シールド超電導状態にして、外部より５０ガウスの磁場
を与えた。内部に入れたホール素子で内部の磁場を測定
したところ、ホール素子の検出可能限界以下の小さな磁
場であった。外部磁場を３０００ガウスにしたとき内部
の磁場は１ガウス程度であった。本発明による超電導体
を用いて作製した磁気シールドは十分な特性を有するこ
とが確認できた。
【００７３】［実施例１２］大型の粒子加速器、例えば
リングの直径が１kmの加速器リングにつける粒子ビーム
収束用の４極電磁石をすべて本発明による超電導線材を
用いたマグネットで作製した場合、従来の液体ヘリウム
冷却の超電導マグネットで作製した場合に比べてどの程
度のコスト低減になるかを見積った。ヘリウム冷凍機の
代わりに構造がずっと簡単で安価な窒素冷凍機で済むこ
と、断熱が簡単で良いこと、比熱の大きい液体窒素であ
ることから冷媒を超電導マグネットに供給するシステム
が非常に簡略化出来ることから、２０％以上のコスト低
減になることが分かった。
リングの直径が１kmの加速器リングにつける粒子ビーム
収束用の４極電磁石をすべて本発明による超電導線材を
用いたマグネットで作製した場合、従来の液体ヘリウム
冷却の超電導マグネットで作製した場合に比べてどの程
度のコスト低減になるかを見積った。ヘリウム冷凍機の
代わりに構造がずっと簡単で安価な窒素冷凍機で済むこ
と、断熱が簡単で良いこと、比熱の大きい液体窒素であ
ることから冷媒を超電導マグネットに供給するシステム
が非常に簡略化出来ることから、２０％以上のコスト低
減になることが分かった。
【００７４】［実施例１３］酸化物超電導物質として、 （ＴｌX1ＰｂX2ＢｉX3ＨｇX4ＣｕX5)(Ｓｒ1-X6ＢａX6)2
Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+3+X7 （ここで、０≦Ｘ１≦１.０，０≦Ｘ２≦１.０，０≦Ｘ
３≦０.５，０≦Ｘ４≦１.０，０≦Ｘ５≦１.０ ，０.
５≦Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｘ４＋Ｘ５≦１，０≦Ｘ６≦
１，−０.５≦Ｘ７≦０.５，ｎ＝１，２，３，４，５）
を用いても、実施例１から９と同様の結果が得られた。
この結果を表１に示す。
Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+3+X7 （ここで、０≦Ｘ１≦１.０，０≦Ｘ２≦１.０，０≦Ｘ
３≦０.５，０≦Ｘ４≦１.０，０≦Ｘ５≦１.０ ，０.
５≦Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｘ４＋Ｘ５≦１，０≦Ｘ６≦
１，−０.５≦Ｘ７≦０.５，ｎ＝１，２，３，４，５）
を用いても、実施例１から９と同様の結果が得られた。
この結果を表１に示す。
【００７５】
【表１】
【００７６】［実施例１４］酸化物超電導物質として、
ＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ7+X1（ここで、ＬｎはＹもしくは希土
類元素、−０.５≦Ｘ１≦０.１）を用いても、実施例１
から９とほぼ同様の結果が得られたが、超電導物質の結
晶のａ軸のなす角度が６度以内になるようにする必要が
あった。
ＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ7+X1（ここで、ＬｎはＹもしくは希土
類元素、−０.５≦Ｘ１≦０.１）を用いても、実施例１
から９とほぼ同様の結果が得られたが、超電導物質の結
晶のａ軸のなす角度が６度以内になるようにする必要が
あった。
【００７７】［実施例１５］酸化物超電導物質として、 (Ｔｌ1-X1-X2-X3ＰｂX1ＢｉX2ＨｇX3)2(Ｓｒ1-X4Ｂ
ａX4)2Ｃａn-1ＣunＯ2n+3+X5 （ここでｎ＝２，３，４，５，６，０≦Ｘ１≦０.８，
０≦Ｘ２≦０.５，０≦Ｘ３≦１.０ ，０≦Ｘ１＋Ｘ２
＋Ｘ３≦１，０≦Ｘ４≦１，−０.５ ≦Ｘ５≦０.５)を
用いても、従来技術による超電導線材或いは超電導体よ
りも２倍程度高い臨界電流密度が得られることが確認で
きた。
ａX4)2Ｃａn-1ＣunＯ2n+3+X5 （ここでｎ＝２，３，４，５，６，０≦Ｘ１≦０.８，
０≦Ｘ２≦０.５，０≦Ｘ３≦１.０ ，０≦Ｘ１＋Ｘ２
＋Ｘ３≦１，０≦Ｘ４≦１，−０.５ ≦Ｘ５≦０.５)を
用いても、従来技術による超電導線材或いは超電導体よ
りも２倍程度高い臨界電流密度が得られることが確認で
きた。
【００７８】［実施例１６］酸化物超電導物質として、
(Ｂｉ1-X1ＰｂX1)2Ｓｒ2Ｃａn-1ＣｕnＯ2n+4（ここで、
０≦Ｘ１≦０.４，ｎ＝１，２，３)を用いても、従来技
術による超電導線材或いは超電導体よりも２倍程度高い
臨界電流密度が得られることが確認できた。 ［実施例１７］純度９９.９９％ までの銀板を種々の温
度で圧延し、８００℃で１０時間アニールして、結晶の
どれだけの割合のものが立方体方位（圧延面と｛１０
０｝面が平行で圧延方向と＜１００＞方向が平行）から
１０度以内に入っているのかを調べた。圧延前の板厚は
３mmで圧延後の板厚は０.１mm とした。結果を図１３に
示す。図から、立方体集合組織を得るためには１００℃
以上３００℃以下で、好ましくは１５０℃以上２００℃
以下の温度で圧延することが好ましいことが分かる。
(Ｂｉ1-X1ＰｂX1)2Ｓｒ2Ｃａn-1ＣｕnＯ2n+4（ここで、
０≦Ｘ１≦０.４，ｎ＝１，２，３)を用いても、従来技
術による超電導線材或いは超電導体よりも２倍程度高い
臨界電流密度が得られることが確認できた。 ［実施例１７］純度９９.９９％ までの銀板を種々の温
度で圧延し、８００℃で１０時間アニールして、結晶の
どれだけの割合のものが立方体方位（圧延面と｛１０
０｝面が平行で圧延方向と＜１００＞方向が平行）から
１０度以内に入っているのかを調べた。圧延前の板厚は
３mmで圧延後の板厚は０.１mm とした。結果を図１３に
示す。図から、立方体集合組織を得るためには１００℃
以上３００℃以下で、好ましくは１５０℃以上２００℃
以下の温度で圧延することが好ましいことが分かる。
【００７９】［実施例１８］純度９９.９９ ％までの銀
板を１６０℃で圧延し、種々の温度で１０時間アニール
して、結晶のどれだけの割合のものが立方体方位（圧延
面と｛１００｝面が平行で圧延方向と＜１００＞方向が
平行）から１０度以内に入っているのかを調べた。圧延
前の板厚は３mmで圧延後の板厚は０.１mm とした。結果
を図１４に示す。図から、立方体集合組織を得るために
は４００℃以上銀の融点以下の温度でアニールすること
が好ましいことが分かる。
板を１６０℃で圧延し、種々の温度で１０時間アニール
して、結晶のどれだけの割合のものが立方体方位（圧延
面と｛１００｝面が平行で圧延方向と＜１００＞方向が
平行）から１０度以内に入っているのかを調べた。圧延
前の板厚は３mmで圧延後の板厚は０.１mm とした。結果
を図１４に示す。図から、立方体集合組織を得るために
は４００℃以上銀の融点以下の温度でアニールすること
が好ましいことが分かる。
【００８０】
【発明の効果】本発明によれば、液体ヘリウムによる冷
却は勿論、液体窒素による冷却によって運転される、高
磁界中においても高い超電導臨界電流密度を有する超電
導体，超電導線材，超電導マグネット，超電導利用機器
が得られる。本発明による超電導体，超電導線材を用い
た超電導利用機器は、液体窒素による冷却で運転するこ
とが可能になるため、装置全体として見たとき、単に超
電導の部分を従来の超電導体，超電導線材で置き換えた
に留まらず、冷却システム，断熱構造，クエンチ対策
（超電導の破壊が急激に起こる現象を抑制する対策）な
どを大幅に簡素化することが出来、それ以上のコストメ
リットがある。
却は勿論、液体窒素による冷却によって運転される、高
磁界中においても高い超電導臨界電流密度を有する超電
導体，超電導線材，超電導マグネット，超電導利用機器
が得られる。本発明による超電導体，超電導線材を用い
た超電導利用機器は、液体窒素による冷却で運転するこ
とが可能になるため、装置全体として見たとき、単に超
電導の部分を従来の超電導体，超電導線材で置き換えた
に留まらず、冷却システム，断熱構造，クエンチ対策
（超電導の破壊が急激に起こる現象を抑制する対策）な
どを大幅に簡素化することが出来、それ以上のコストメ
リットがある。
【図１】超電導物質の結晶構造を表す模式図。
【図２】Ｔｌ−２層系の超電導物質の結晶構造を表す模
式図。
式図。
【図３】超電導物質の結晶構造を表す模式図。
【図４】本発明による超電導線材の構造を表す模式図。
【図５】ｃ軸の方向を揃えた状態のTlBa2Ca2Cu3O9超電
導物質膜の特性図。
導物質膜の特性図。
【図６】基材として使用する銀テープの結晶が立方体集
合組織となっている割合と、その上に作製した超電導物
質膜の臨界電流密度の関係図。
合組織となっている割合と、その上に作製した超電導物
質膜の臨界電流密度の関係図。
【図７】本発明による１００ｍ長さの超電導線の断面
図。
図。
【図８】本発明による超電導マグネットの模式図。
【図９】本発明による超電導導体の断面拡大図。
【図１０】本発明による超電導導体の断面拡大図。
【図１１】本発明による超電導導体の断面拡大図。
【図１２】本発明によるＮＭＲ装置の模式図。
【図１３】本発明を説明するために実施例１７での説明
に使用した、銀の圧延温度と立方体集合組織となってい
る割合の関係図。
に使用した、銀の圧延温度と立方体集合組織となってい
る割合の関係図。
【図１４】本発明を説明するために実施例１８での説明
に使用した、圧延後の銀のアニール温度と立方体集合組
織となっている割合の関係図。
に使用した、圧延後の銀のアニール温度と立方体集合組
織となっている割合の関係図。
１…Ｔｌ原子もしくはＰｂ原子もしくはＢｉ原子もしく
はＨｇ原子、２…Ｓｒ原子もしくはＢａ原子、３…Ｃａ
原子、４，６…Ｃｕ原子、５，９…酸素原子、７…Ｂａ
原子、８…Ｙ原子もしくは希土類原子、１０…立方体集
合組織を有する金属、１１，１４…酸化物超電導物質、
１２…立方体集合組織を有する銀テープ、１３…銀被覆
材、１５…励磁用電源、１６…サービスポート、１７…
冷媒体排出口、１８…熱反射板、１９…液体窒素、２０
…積層した超電導コイル、２１…クライオスタット。
はＨｇ原子、２…Ｓｒ原子もしくはＢａ原子、３…Ｃａ
原子、４，６…Ｃｕ原子、５，９…酸素原子、７…Ｂａ
原子、８…Ｙ原子もしくは希土類原子、１０…立方体集
合組織を有する金属、１１，１４…酸化物超電導物質、
１２…立方体集合組織を有する銀テープ、１３…銀被覆
材、１５…励磁用電源、１６…サービスポート、１７…
冷媒体排出口、１８…熱反射板、１９…液体窒素、２０
…積層した超電導コイル、２１…クライオスタット。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０１Ｇ 21/00 ＺＡＡ 29/00 ＺＡＡ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５６５ Ｄ Ｈ０１Ｌ 39/20 ＺＡＡ (72)発明者 東山 和寿 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (50)
- 【請求項１】少なくとも金属体と酸化物超電導物質を含
む超電導線であって、該金属体は多結晶体であり、かつ
該金属体を構成する金属結晶の６０％以上の｛１００｝
面が、該金属体と該酸化物超電導物質の界面に対して１
０度以内で平行であり、かつ該金属結晶の６０％以上の
＜１００＞方向が互いに１０度以内で揃っていることを
特徴とする超電導線。 - 【請求項２】少なくとも金属体と酸化物超電導物質を含
む超電導線であって、該金属体は多結晶体であり、かつ
該金属体を構成する金属結晶の７０％以上の｛１００｝
面が、該金属体と該酸化物超電導物質の界面に対して１
０度以内で平行であり、かつ該金属結晶の７０％以上の
＜１００＞方向が互いに１０度以内で揃っていることを
特徴とする超電導線。 - 【請求項３】少なくとも金属体と酸化物超電導物質を含
む超電導線であって、該金属体は多結晶体であり、かつ
該金属体を構成する金属結晶の８０％以上の｛１００｝
面が、該金属体と該酸化物超電導物質の界面に対して１
０度以内で平行であり、かつ該金属結晶の８０％以上の
＜１００＞方向が互いに１０度以内で揃っていることを
特徴とする超電導線。 - 【請求項４】少なくとも金属体と酸化物超電導物質を含
む超電導線であって、該金属体は多結晶体であり、かつ
該金属体を構成する金属結晶の６０％以上の｛１００｝
面が、該超電導線材の長手方向に１０度以内で平行であ
り、かつ該金属結晶の６０％以上の＜１００＞方向が長
手方向に１０度以内で揃っていることを特徴とする超電
導線。 - 【請求項５】少なくとも金属体と酸化物超電導物質を含
む超電導線であって、該金属体は多結晶体であり、かつ
該金属体を構成する金属結晶の７０％以上の｛１００｝
面が、該超電導線材の長手方向に１０度以内で平行であ
り、かつ該金属結晶の７０％以上の＜１００＞方向が長
手方向に１０度以内で揃っていることを特徴とする超電
導線。 - 【請求項６】少なくとも金属体と酸化物超電導物質を含
む超電導線であって、該金属体は多結晶体であり、かつ
該金属体を構成する金属結晶の８０％以上の｛１００｝
面が、該超電導線材の長手方向に１０度以内で平行であ
り、かつ該金属結晶の８０％以上の＜１００＞方向が長
手方向に１０度以内で揃っていることを特徴とする超電
導線。 - 【請求項７】少なくとも金属体と酸化物超電導物質を含
む超電導線であって、該金属体は多結晶体の金属テープ
であり、かつ該金属テープを構成する金属結晶の６０％
以上の｛１００｝面が、該金属テープ表面に１０度以内
で平行であり、かつ該金属結晶の６０％以上の＜１００
＞方向が該金属テープの長手方向に１０度以内で揃って
いることを特徴とする超電導線。 - 【請求項８】少なくとも金属体と酸化物超電導物質を含
む超電導線であって、該金属体は多結晶体の金属テープ
であり、かつ該金属テープを構成する金属結晶の７０％
以上の｛１００｝面が、該金属テープ表面に１０度以内
で平行であり、かつ該金属結晶の７０％以上の＜１００
＞方向が該金属テープの長手方向に１０度以内で揃って
いることを特徴とする超電導線。 - 【請求項９】少なくとも金属体と酸化物超電導物質を含
む超電導線であって、該金属体は多結晶体の金属テープ
であり、かつ該金属テープを構成する金属結晶の８０％
以上の｛１００｝面が、該金属テープ表面に１０度以内
で平行であり、かつ該金属結晶の８０％以上の＜１００
＞方向が該金属テープの長手方向に１０度以内で揃って
いることを特徴とする超電導線。 - 【請求項１０】請求項１，４あるいは７のいずれかに記
載の超電導線において、該酸化物超電導物質の６０％以
上の結晶の（００１）面が、該金属の結晶の｛１００｝
面と１０度以内で平行である事を特徴とする超電導線。 - 【請求項１１】請求項２，５あるいは８のいずれかに記
載の超電導線において、該酸化物超電導物質の７０％以
上の結晶の（００１）面が、該金属の結晶の｛１００｝
面と１０度以内で平行である事を特徴とする超電導線。 - 【請求項１２】請求項３，６あるいは９のいずれかに記
載の超電導線において、該酸化物超電導物質の８０％以
上の結晶の（００１）面が、該金属の結晶の｛１００｝
面と１０度以内で平行である事を特徴とする超電導線。 - 【請求項１３】請求項１，４あるいは７のいずれかに記
載の超電導線において、該酸化物超電導物質の６０％以
上の結晶の［１１０］方向が、該金属の結晶の＜１１０
＞方向と１０度以内で平行であることを特徴とする超電
導線。 - 【請求項１４】請求項２，５あるいは８のいずれかに記
載の超電導線において、該酸化物超電導物質の７０％以
上の結晶の［１１０］方向が、該金属の結晶の＜１１０
＞方向と１０度以内で平行であることを特徴とする超電
導線。 - 【請求項１５】請求項３，６あるいは９のいずれかに記
載の超電導線において、該酸化物超電導物質の８０％以
上の結晶の［１１０］方向が、該金属の結晶の＜１１０
＞方向と１０度以内で平行であることを特徴とする超電
導線。 - 【請求項１６】請求項１，４あるいは７のいずれかに記
載の超電導線において、該酸化物超電導物質の６０％以
上の結晶の(００１)面が、該金属の結晶の｛１００｝面
と１０度以内で平行であり、かつ該酸化物超電導物質の
６０％以上の結晶の［１１０］方向が、該金属の結晶の
＜１１０＞方向と１０度以内で平行である事を特徴とす
る超電導線。 - 【請求項１７】請求項２，５あるいは８のいずれかに記
載の超電導線において、該酸化物超電導物質の７０％以
上の結晶の(００１)面が、該金属の結晶の｛１００｝面
と１０度以内で平行であり、かつ該酸化物超電導物質の
７０％以上の結晶の［１１０］方向が、該金属の結晶の
＜１１０＞方向と１０度以内で平行である事を特徴とす
る超電導線。 - 【請求項１８】請求項３，６あるいは９のいずれかに記
載の超電導線において、該酸化物超電導物質の８０％以
上の結晶の(００１)面が、該金属の結晶の｛１００｝面
と１０度以内で平行であり、かつ該酸化物超電導物質の
８０％以上の結晶の［１１０］方向が、該金属の結晶の
＜１１０＞方向と１０度以内で平行である事を特徴とす
る超電導線。 - 【請求項１９】請求項１ないし１８のいずれかに記載の
超電導線材において、該金属体と該酸化物超電導物質の
界面に垂直な断面における該金属体或いは該金属テープ
の面積Ｓ１と酸化物超電導物質部分の面積Ｓ２の比率が
０.０１≦Ｓ２／Ｓ１≦０.６を満たすことを特徴とする
超電導線材。 - 【請求項２０】請求項１ないし１９のいずれかに記載の
超電導線において、該金属体が銀であることを特徴とす
る超電導線。 - 【請求項２１】請求項１ないし１９のいずれかに記載の
超電導線において、該金属体が銀を含む合金、或いは銀
に酸化物を分散させたもの、或いは銀を含む合金に酸化
物を分散させたもの、或いは銀を含む合金に金属間化合
物を分散させたものであることを特徴とする超電導線。 - 【請求項２２】請求項１ないし１９のいずれかに記載の
超電導線において、該金属がＦＣＣ構造の金属またはＦ
ＣＣ構造の合金であることを特徴とする超電導線。 - 【請求項２３】請求項１ないし１９のいずれかに記載の
超電導線において、該金属がＢＣＣ構造の金属またはＢ
ＣＣ構造の合金であることを特徴とする超電導線。 - 【請求項２４】請求項１ないし２３のいずれかに記載の
超電導線において、該酸化物超電導物質の化学組成が、 (ＴｌX1ＰｂX2ＢｉX3ＨｇX4ＣｕX5)(Ｓｒ1-X6ＢａX6)2
Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+3+X7 ここで、０≦Ｘ１≦１.０， ０≦Ｘ２≦１.０， ０≦Ｘ３≦０.５， ０≦Ｘ４≦１.０， ０≦Ｘ５≦１.０， ０.５≦Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｘ４＋Ｘ５≦１， ０≦Ｘ６≦１， −０.５≦Ｘ７≦０.５ ｎ＝１，２，３，４，５ で表されることを特徴とする超電導線。 - 【請求項２５】請求項１ないし２３のいずれかに記載の
超電導線において、該酸化物超電導物質の化学組成が、 (Ｔｌ1-X1-X2ーX3ＰｂX1ＢｉX2ＨｇX3)2(Ｓｒ1-X4Ｂ
ａX4)2Ｃａnー1ＣunＯ2n+4+X5 ここで、０≦Ｘ１≦０.９， ０≦Ｘ２≦０.１， ０≦Ｘ３≦０.５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３≦１， ０≦Ｘ４≦１， −０.５≦Ｘ５≦０.５ ｎ＝１，２，３，４，５ で表されることを特徴とする超電導線。 - 【請求項２６】請求項１ないし２３のいずれかに記載の
超電導線において、該酸化物超電導物質の化学組成が、 (Ｂｉ1ーX1ＰｂX1)2Ｓｒ2Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+4+X2 ここで、０≦Ｘ１≦０.４， −０.５≦Ｘ２≦０.５ ｎ＝１，２，３ で表されることを特徴とする超電導線。 - 【請求項２７】請求項１ないし２３のいずれかに記載の
超電導線において、該酸化物超電導物質の化学組成が、 ＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ7+X1 ここで、ＬｎはＹもしくは希土類元素から選ばれた一種
または複数。 −０.５≦Ｘ１≦０.２ ｎ＝１，２，３ で表されることを特徴とする超電導線。 - 【請求項２８】結晶の８０％以上が立方体集合組織とな
っている純度９９.０ ％以上の銀テープと、化学組成が (ＴｌX1ＰｂX2ＢｉX3ＨｇX4ＣｕX5)(Ｓｒ1-X6ＢａX6)2
Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+3+X7 ここで、０≦Ｘ１≦１.０， ０≦Ｘ２≦１.０， ０≦Ｘ３≦０.５， ０≦Ｘ４≦１.０， ０≦Ｘ５≦１.０， ０.５≦Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３＋Ｘ４＋Ｘ５≦１， ０≦Ｘ６≦１， −０.５≦Ｘ７≦０.５ ｎ＝１，２，３，４，５ で表される酸化物超電導物質を、少なくともその構成要
素として含む超電導線材であって、該銀テープと該酸化
物超電導物質が直接接触していて、長手方向に垂直な断
面における該銀テープ層の面積Ｓ１と該酸化物超電導物
質層の面積Ｓ２の比率が０.０１≦Ｓ２／Ｓ１≦０.６を
満たしており、該立方体集合組織を形成する銀結晶の＜
１１０＞方向と該酸化物超電導物質結晶の［１１０］方
向の８０％以上が１０度以内で平行である事を特徴とす
る超電導線。 - 【請求項２９】結晶の８０％以上が立方体集合組織とな
っている純度９９.０ ％以上の銀テープと、化学組成が ＬｎＢａ2Ｃｕ3Ｏ7+X1 ここで、ＬｎはＹもしくは希土類元素から選ばれた一種
または複数。 −０.５≦Ｘ１≦０.２ ｎ＝１，２，３ で表される酸化物超電導物質を、少なくともその構成要
素として含む超電導線材であって、該銀テープと該酸化
物超電導物質が直接接触していて、長手方向に垂直な断
面における該銀テープ層の面積Ｓ１と該酸化物超電導物
質層の面積Ｓ２の比率が０.０１≦Ｓ２／Ｓ１≦０.６を
満たしており、該立方体集合組織を形成する銀結晶の＜
１１０＞方向と該酸化物超電導物質結晶の［１１０］方
向の８０％以上が１０度以内で平行である事を特徴とす
る超電導線。 - 【請求項３０】結晶の８０％以上が立方体集合組織とな
っている純度９９.０ ％以上の銀テープと、化学組成が (Ｔｌ1-X1-X2ーX3ＰｂX1ＢｉX2ＨｇX3)2(Ｓｒ1-X4Ｂ
ａX4)2Ｃａnー1ＣunＯ2n+4+X5 ここで、０≦Ｘ１≦０.９， ０≦Ｘ２≦０.１， ０≦Ｘ３≦０.５， ０≦Ｘ１＋Ｘ２＋Ｘ３≦１， ０≦Ｘ４≦１， −０.５≦Ｘ５≦０.５ ｎ＝１，２，３，４，５ で表される酸化物超電導物質を、少なくともその構成要
素として含む超電導線であって、該銀テープと該酸化物
超電導物質が直接接触していて、長手方向に垂直な断面
における該銀テープ層の面積Ｓ１と該酸化物超電導物質
層の面積Ｓ２の比率が０.０１≦Ｓ２／Ｓ１≦０.６を満
たしており、該立方体集合組織を形成する銀結晶の＜１
１０＞方向と該酸化物超電導物質結晶の［１１０］方向
の８０％以上が１０度以内で平行である事を特徴とする
超電導線。 - 【請求項３１】結晶の８０％以上が立方体集合組織とな
っている純度９９.０ ％以上の銀テープと、化学組成が (Ｂｉ1ーX1ＰｂX1)2Ｓｒ2Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+4+X2 ここで、０≦Ｘ１≦０.４， −０.５≦Ｘ２≦０.５ ｎ＝１，２，３ で表される酸化物超電導物質を、少なくともその構成要
素として含む超電導線であって、該銀テープと該酸化物
超電導物質が直接接触していて、長手方向に垂直な断面
における該銀テープ層の面積Ｓ１と該酸化物超電導物質
層の面積Ｓ２の比率が０.０１≦Ｓ２／Ｓ１≦０.６を満
たしており、該立方体集合組織を形成する銀結晶の＜１
１０＞方向と該酸化物超電導物質結晶の［１１０］方向
の６０％以上が１０度以内で平行である事を特徴とする
超電導線。 - 【請求項３２】結晶の８０％以上が立方体集合組織とな
っている純度９９.０ ％以上の銀テープと、化学組成が (Ｂｉ1ーX1ＰｂX1)2Ｓｒ2Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+4+X2 ここで、０≦Ｘ１≦０.４， −０.５≦Ｘ２≦０.５ ｎ＝１，２，３ で表される酸化物超電導物質を、少なくともその構成要
素として含む超電導線であって、該銀テープと該酸化物
超電導物質が直接接触していて、長手方向に垂直な断面
における該銀テープ層の面積Ｓ１と該酸化物超電導物質
層の面積Ｓ２の比率が０.０１≦Ｓ２／Ｓ１≦０.６を満
たしており、該立方体集合組織を形成する銀結晶の＜１
１０＞方向と該酸化物超電導物質結晶の［１１０］方向
の７０％以上が１０度以内で平行である事を特徴とする
超電導線。 - 【請求項３３】結晶の８０％以上が立方体集合組織とな
っている純度９９.９９ ％以上の銀テープと、化学組成
が (Ｂｉ1ーX1ＰｂX1)2Ｓｒ2Ｃａnー1ＣｕnＯ2n+4+X2 ここで、０≦Ｘ１≦０.４， −０.５≦Ｘ２≦０.５ ｎ＝１，２，３ で表される酸化物超電導物質を、少なくともその構成要
素として含む超電導線であって、該銀テープと該酸化物
超電導物質が直接接触していて、長手方向に垂直な断面
における該銀テープ層の面積Ｓ１と該酸化物超電導物質
層の面積Ｓ２の比率が０.０１≦Ｓ２／Ｓ１≦０.６を満
たしており、該立方体集合組織を形成する銀結晶の＜１
１０＞方向と該酸化物超電導物質結晶の［１１０］方向
の８０％以上が１０度以内で平行である事を特徴とする
超電導線。 - 【請求項３４】金属結晶の８０％以上が立方体集合組織
となっている金属テープの表面に、酸化物超電導物質も
しくは酸化物超電導物質の原料となるものを連続的に堆
積する連続堆積工程と、それを７００℃以上の温度に加
熱する加熱工程を含むことを特徴とする超電導線の作製
方法。 - 【請求項３５】金属結晶の８０％以上が立方体集合組織
となっている金属テープの表面に、酸化物超電導物質も
しくは酸化物超電導物質の原料となるものを連続的に堆
積する連続堆積工程と、それを複数集めて集合体とする
集合化工程と、該集合体を700℃以上の温度に加熱する
加熱工程と、該集合体の表面に絶縁体を形成する絶縁層
形成工程を含むことを特徴とする超電導線の作製方法。 - 【請求項３６】金属結晶の８０％以上が立方体集合組織
となっている金属テープの一部分を局所的に４００℃以
上の温度に加熱し、その表面に、酸化物超電導物質の原
料となるものを連続的に堆積することによって超電導物
質を連続的に作製する連続加熱堆積工程を含むことを特
徴とする超電導線の作製方法。 - 【請求項３７】金属結晶の８０％以上が立方体集合組織
となっている金属テープの一部分を局所的に４００℃以
上の温度に加熱し、その表面に、酸化物超電導物質の原
料となるものを連続的に堆積することによって超電導物
質を連続的に作製する連続加熱堆積工程と、それを複数
集めて集合体とする集合化工程と、該集合体の表面に絶
縁体を形成する絶縁層形成工程を含むことを特徴とする
超電導線の作製方法。 - 【請求項３８】金属結晶の８０％以上が立方体集合組織
となっている金属テープの一部分を局所的に４００℃以
上の温度に加熱し、その表面に、酸化物超電導物質の原
料となるものを連続的に堆積することによって超電導物
質を連続的に作製する連続加熱堆積工程と、それを複数
集めて集合体とする集合化工程と、該集合体を７００℃
以上の温度に加熱する加熱工程と、該集合体の表面に絶
縁体を形成する絶縁層形成工程を含むことを特徴とする
超電導線の作製方法。 - 【請求項３９】請求項３４ないし３８のいずれかに記載
の該金属テープが銀であることを特徴とする超電導線材
の作製方法。 - 【請求項４０】請求項１ないし請求項３３のいずれかに
記載の該超電導線を使用したことを特徴とする超電導マ
グネット。 - 【請求項４１】請求項１ないし請求項３３のいずれかに
記載の該超電導線を用いて作製した該超電導線を使用し
たマグネットを使用したＮＭＲ装置。 - 【請求項４２】請求項３４ないし請求項３９のいずれか
に記載の方法を用いて作製した該超電導線を使用したマ
グネットを使用したＭＲＩ装置。 - 【請求項４３】請求項１ないし請求項３１のいずれかに
記載の該超電導体を使用したマグネットを使用したシン
クロトロン放射光発生装置。 - 【請求項４４】請求項１ないし請求項３１のいずれかに
記載の該超電導体を使用したマグネットを使用した磁気
分別装置。 - 【請求項４５】立方体集合組織を有することを特徴とす
る銀テープ。 - 【請求項４６】多数の結晶からなる銀テープであり、８
０％以上の該結晶の{１００}面が、該銀テープ表面に１
０度以内で平行であり、かつ８０％以上の該結晶の＜１
００＞方向が該銀テープの長手方向に１０度以内で揃っ
ていることを特徴とする銀テープ。 - 【請求項４７】多数の結晶からなる銀板であり、８０％
以上の該結晶の｛１００｝面が、該銀板表面に１０度以
内で平行であり、かつ８０％以上の該結晶の＜１００＞
方向が該銀板の長手方向に１０度以内で揃っていること
を特徴とする銀板。 - 【請求項４８】純度９９.０％ 以上の銀を、１００℃以
上３００℃以下の温度で塑性変形させ、その後４００℃
以上銀の融点以下の温度で熱処理したことを特徴とする
銀。 - 【請求項４９】純度９９.０％ 以上の銀を、１００℃以
上３００℃以下の温度で塑性変形させ、その後４００℃
以上銀の融点以下の温度で熱処理したことを特徴とする
銀テープ。 - 【請求項５０】純度９９.０％ 以上の銀を、１００℃以
上３００℃以下の温度で、最終的なテープ厚さが最初の
銀の厚さの１／１０以下になるまで圧延し、その後４０
０℃以上銀の融点以下の温度で熱処理したことを特徴と
する銀テープ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23232095A JP3873304B2 (ja) | 1994-09-20 | 1995-09-11 | 酸化物超電導線及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6224745A JPH07192546A (ja) | 1993-10-25 | 1994-09-20 | 酸化物超電導線材及びその製造方法 |
| JP6-224745 | 1994-09-20 | ||
| JP23232095A JP3873304B2 (ja) | 1994-09-20 | 1995-09-11 | 酸化物超電導線及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08190816A true JPH08190816A (ja) | 1996-07-23 |
| JP3873304B2 JP3873304B2 (ja) | 2007-01-24 |
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ID=26526244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23232095A Expired - Fee Related JP3873304B2 (ja) | 1994-09-20 | 1995-09-11 | 酸化物超電導線及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3873304B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1271666A3 (en) * | 2001-06-22 | 2006-01-25 | Fujikura Ltd. | Oxide superconductor layer and its production method |
| JP2013037849A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Chubu Electric Power Co Inc | 超電導線材 |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP23232095A patent/JP3873304B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1271666A3 (en) * | 2001-06-22 | 2006-01-25 | Fujikura Ltd. | Oxide superconductor layer and its production method |
| JP2013037849A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Chubu Electric Power Co Inc | 超電導線材 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3873304B2 (ja) | 2007-01-24 |
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