JPH08191060A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
- Publication number
- JPH08191060A JPH08191060A JP239295A JP239295A JPH08191060A JP H08191060 A JPH08191060 A JP H08191060A JP 239295 A JP239295 A JP 239295A JP 239295 A JP239295 A JP 239295A JP H08191060 A JPH08191060 A JP H08191060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum processing
- resist
- wafer
- mask material
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】マスク材であるレジストとのエッチング時にお
ける反応生成物の発光強度の経時変化をモニターに検出
し、レジスト焼け且つ変質を判別できる真空処理装置を
提供することにある。 【構成】真空処理室３内に光ファイバー１９を配設し、
ガスプラズマから放出される光の内、真空処理室３内の
ガスとウエハ７上のマスク材であるレジストとの反応に
よって生じた発光を分光器（フィルター）２０により、
前記発光波長のみ検出し、この発光波長を電気信号に変
換し、増幅器２１にて増幅する。増幅された信号はＡ／
Ｄ変換器２２を経て、制御装置２３に送信された電圧信
号が基準電圧を満たさない場合、エラー信号を発生さ
せ、モニターに出力させるものである。
ける反応生成物の発光強度の経時変化をモニターに検出
し、レジスト焼け且つ変質を判別できる真空処理装置を
提供することにある。 【構成】真空処理室３内に光ファイバー１９を配設し、
ガスプラズマから放出される光の内、真空処理室３内の
ガスとウエハ７上のマスク材であるレジストとの反応に
よって生じた発光を分光器（フィルター）２０により、
前記発光波長のみ検出し、この発光波長を電気信号に変
換し、増幅器２１にて増幅する。増幅された信号はＡ／
Ｄ変換器２２を経て、制御装置２３に送信された電圧信
号が基準電圧を満たさない場合、エラー信号を発生さ
せ、モニターに出力させるものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に係り、
特に半導体素子基盤上のマスク材であるレジスト焼け又
は変質を検知するための真空処理装置に関するものであ
る。
特に半導体素子基盤上のマスク材であるレジスト焼け又
は変質を検知するための真空処理装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の真空処理装置は、例えば、特開平
０５−０４９９０号公報に記載のように、真空容器内に
配置された電極上の被エッチング材（以下、ウエハと呼
ぶ。）を配置し、真空容器内に反応性ガスを導入すると
ともにガス放電を生じさせ、このガス放電によってウエ
ハをエッチングする際に、レジスト焼けを防止するた
め、ウエハ裏面にＨｅガスを供給してウエハの冷却効率
を高めていた。また、電極上にウエハが正常に載置され
ているか検知するため，Ｈｅガスにおけるウエハ裏面圧
インターロック値（絶対真空計：４．０Ｔｏｒｒ）を設
けていた。しかし、このインターロック値では、半導体
素子の高集積化につれて、ウエハ上のマスク材であるレ
ジストに焼損又は変質が生じるようになり、製品不良の
原因となっていた。
０５−０４９９０号公報に記載のように、真空容器内に
配置された電極上の被エッチング材（以下、ウエハと呼
ぶ。）を配置し、真空容器内に反応性ガスを導入すると
ともにガス放電を生じさせ、このガス放電によってウエ
ハをエッチングする際に、レジスト焼けを防止するた
め、ウエハ裏面にＨｅガスを供給してウエハの冷却効率
を高めていた。また、電極上にウエハが正常に載置され
ているか検知するため，Ｈｅガスにおけるウエハ裏面圧
インターロック値（絶対真空計：４．０Ｔｏｒｒ）を設
けていた。しかし、このインターロック値では、半導体
素子の高集積化につれて、ウエハ上のマスク材であるレ
ジストに焼損又は変質が生じるようになり、製品不良の
原因となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、単に
ウエハの有無での圧力をインターロック値としていた。
このため、ウエハの高集積化に伴い、従来のウエハ裏面
圧インターロック値（４．０Ｔｏｒｒ）では、ウエハの
マスク材であるレジスト焼け又は、変質が生じるという
不具合があった。
ウエハの有無での圧力をインターロック値としていた。
このため、ウエハの高集積化に伴い、従来のウエハ裏面
圧インターロック値（４．０Ｔｏｒｒ）では、ウエハの
マスク材であるレジスト焼け又は、変質が生じるという
不具合があった。
【０００４】本発明の目的は、マスク材であるレジスト
とのエッチング時における、反応生成物の発光強度の経
時変化をモニタに検出し、レジスト焼け且つ変質を判別
できる真空処理装置を提供することにある。
とのエッチング時における、反応生成物の発光強度の経
時変化をモニタに検出し、レジスト焼け且つ変質を判別
できる真空処理装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、真空処理室内に光ファイバーを配設し、ガスプラズ
マから放出される光の内、真空処理室内のガスとウエハ
上のマスク材であるレジストとの反応によって生じた発
光を分光器（フィルター）により、前記発光波長のみ検
出し、この発光波長を電気信号に変換し、増幅器にて増
幅する。増幅された信号はＡ／Ｄ変換器を経て、制御装
置に送信された電圧信号が基準電圧を満たさない場合、
エラー信号を発生させ、モニタに出力させるものであ
る。
に、真空処理室内に光ファイバーを配設し、ガスプラズ
マから放出される光の内、真空処理室内のガスとウエハ
上のマスク材であるレジストとの反応によって生じた発
光を分光器（フィルター）により、前記発光波長のみ検
出し、この発光波長を電気信号に変換し、増幅器にて増
幅する。増幅された信号はＡ／Ｄ変換器を経て、制御装
置に送信された電圧信号が基準電圧を満たさない場合、
エラー信号を発生させ、モニタに出力させるものであ
る。
【０００６】
【作用】本発明によれば、真空処理室内のプラズマ発光
の内、マスク材であるレジストとの反応を検知する。ウ
エハのマスク材であるレジスト焼け又は変質が生じた場
合、前記発光波長の強度が変化する。この発光強度が変
化した際、エラー信号を発信させる。これにより、ウエ
ハ上のマスク材であるレジストの焼損又は変質が検知で
き、ウエハにおけるエッチング不良を最小限に抑え、信
頼性の高い装置にできる。
の内、マスク材であるレジストとの反応を検知する。ウ
エハのマスク材であるレジスト焼け又は変質が生じた場
合、前記発光波長の強度が変化する。この発光強度が変
化した際、エラー信号を発信させる。これにより、ウエ
ハ上のマスク材であるレジストの焼損又は変質が検知で
き、ウエハにおけるエッチング不良を最小限に抑え、信
頼性の高い装置にできる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。図１は、本発明の真空処理装置の構成を示す。図１
において、真空処理室３内には、試料であるウエハ７を
載置する試料台１１が設けられており、試料台１１に対
向して真空室上部に石英放電管６が取り付けてある。真
空処理室３には、処理ガス供給源１８につながり、真空
処理室３内に処理ガスを供給するガス導波管と図示しな
い真空ポンプにつながり真空処理室内３内を所定圧力に
減圧排気するための排気口１０が設けられている。
る。図１は、本発明の真空処理装置の構成を示す。図１
において、真空処理室３内には、試料であるウエハ７を
載置する試料台１１が設けられており、試料台１１に対
向して真空室上部に石英放電管６が取り付けてある。真
空処理室３には、処理ガス供給源１８につながり、真空
処理室３内に処理ガスを供給するガス導波管と図示しな
い真空ポンプにつながり真空処理室内３内を所定圧力に
減圧排気するための排気口１０が設けられている。
【０００８】石英放電管６を囲んで導波管２が取り付け
られており、その端部にてマグネトロン１が取り付けて
ある。石英放電管６の周りに、導波管２を介して磁場発
生用のソレノイドコイル４が設けられている。
られており、その端部にてマグネトロン１が取り付けて
ある。石英放電管６の周りに、導波管２を介して磁場発
生用のソレノイドコイル４が設けられている。
【０００９】上記構成により、マグネトロン１から印加
電圧４００〜１２００Ｗのマイクロ波を発生させ、石英
放電管６内でマイクロ波により電離、励起した処理ガス
と磁場が作用し、プラズマ中で電子が円運動するととも
に、磁場勾配によって発散方向にあるウエハ４側に向か
って加速され、プラズマが生成する。ガスプラズマ中に
は各種の化学反応が存在し、それらの化学反応は、それ
ぞれ特有の波長の発光線を放出している。そこで、ある
化学反応がウエハ上のマスク材であるレジストと反応し
た場合、ある特定の波長（例えば、ＣＯ：４５１，４８
３，５２０，５５１ｎｍ；Ｈ：４８６，６５６ｎｍ；Ｃ
Ｈ：４３１ｎｍ）を発光する。この発光を光ファイバー
１９及び分光器（フィルター）２０により検出し、この
発光波長を電気信号に変換して増幅器２１にて増幅し、
増幅された信号はＡ／Ｄ変換器２２を経て、制御装置２
３に送信された電圧信号が基準電圧を満たさない場合、
エラー信号を発生させ、モニタ２４に出力させる。
電圧４００〜１２００Ｗのマイクロ波を発生させ、石英
放電管６内でマイクロ波により電離、励起した処理ガス
と磁場が作用し、プラズマ中で電子が円運動するととも
に、磁場勾配によって発散方向にあるウエハ４側に向か
って加速され、プラズマが生成する。ガスプラズマ中に
は各種の化学反応が存在し、それらの化学反応は、それ
ぞれ特有の波長の発光線を放出している。そこで、ある
化学反応がウエハ上のマスク材であるレジストと反応し
た場合、ある特定の波長（例えば、ＣＯ：４５１，４８
３，５２０，５５１ｎｍ；Ｈ：４８６，６５６ｎｍ；Ｃ
Ｈ：４３１ｎｍ）を発光する。この発光を光ファイバー
１９及び分光器（フィルター）２０により検出し、この
発光波長を電気信号に変換して増幅器２１にて増幅し、
増幅された信号はＡ／Ｄ変換器２２を経て、制御装置２
３に送信された電圧信号が基準電圧を満たさない場合、
エラー信号を発生させ、モニタ２４に出力させる。
【００１０】
【発明の効果】本発明の真空処理装置では、ウエハのマ
スク材であるレジスト焼け又は変質を検知することによ
り、ウエハにおけるエッチング不良を最小減に抑えるこ
とができる。
スク材であるレジスト焼け又は変質を検知することによ
り、ウエハにおけるエッチング不良を最小減に抑えるこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例であるエッチング装置の構成
図である。
図である。
１９…光ファイバー、２０…分光器（フィルタ）、２１
…増幅器、２２…Ａ／Ｄ変換器、２３…制御装置、２４
…モニタ。
…増幅器、２２…Ａ／Ｄ変換器、２３…制御装置、２４
…モニタ。
フロントページの続き (72)発明者 森永 益生 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内 (72)発明者 佐藤 仁昭 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 藤本 幸太郎 山口県下松市大字東豊井794番地 日立テ クノエンジニアリング株式会社笠戸事業所 内 (72)発明者 六反 豊弘 山口県下松市大字東豊井794番地 日立笠 戸エンジニアリング株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】真空処理装置でのエッチング中のガスプラ
ズマからの発光を入力する分光器と該分光器に入力され
た後に、増幅後Ａ／Ｄ変換した電圧信号を送信する制御
装置と、該制御装置で電圧信号が基準値を満たさない場
合にエラー信号を発生させるモニターとを具備したこと
を特徴とする真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP239295A JPH08191060A (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP239295A JPH08191060A (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08191060A true JPH08191060A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=11527971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP239295A Pending JPH08191060A (ja) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08191060A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417649B1 (ko) * | 2001-01-10 | 2004-02-11 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 관측 장치 |
-
1995
- 1995-01-11 JP JP239295A patent/JPH08191060A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100417649B1 (ko) * | 2001-01-10 | 2004-02-11 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 관측 장치 |
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