JPH08193231A - 微細な鋳造組織を有する銅合金インゴットの製造方法 - Google Patents
微細な鋳造組織を有する銅合金インゴットの製造方法Info
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- JPH08193231A JPH08193231A JP1966495A JP1966495A JPH08193231A JP H08193231 A JPH08193231 A JP H08193231A JP 1966495 A JP1966495 A JP 1966495A JP 1966495 A JP1966495 A JP 1966495A JP H08193231 A JPH08193231 A JP H08193231A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置用リードフレ
ームを製造することのできる微細な鋳造組織を有すに優
れたＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットの製造方
法を提供する。 【構成】（１）純銅を溶解して得られた溶湯に、Ｓｉ：
０．００５〜１．０重量％およびＣ：０．００５〜１．
２重量％を含有し残りがＦｅおよび不可避不純物からな
る組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加する微細
な鋳造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金イン
ゴットの製造方法。（２）純銅を溶解して得られた溶湯
に、Ｓｉ：０．００５〜１．０重量％およびＣ：０．０
０５〜１．２重量％を含有し残りがＦｅおよび不可避不
純物からなる組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添
加し、ついで、その他の添加成分をを添加する微細な鋳
造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴッ
トの製造方法。
ームを製造することのできる微細な鋳造組織を有すに優
れたＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットの製造方
法を提供する。 【構成】（１）純銅を溶解して得られた溶湯に、Ｓｉ：
０．００５〜１．０重量％およびＣ：０．００５〜１．
２重量％を含有し残りがＦｅおよび不可避不純物からな
る組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加する微細
な鋳造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金イン
ゴットの製造方法。（２）純銅を溶解して得られた溶湯
に、Ｓｉ：０．００５〜１．０重量％およびＣ：０．０
０５〜１．２重量％を含有し残りがＦｅおよび不可避不
純物からなる組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添
加し、ついで、その他の添加成分をを添加する微細な鋳
造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴッ
トの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｆｅ、ＳｉおよびＣ
を必須成分として含む組成の微細鋳造組織を有するＣｕ
−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットの製造方法に関す
るものである。
を必須成分として含む組成の微細鋳造組織を有するＣｕ
−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットの製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置
用リードフレームは銅合金薄帯をプレス加工、打抜き加
工、曲げ加工などしたのちメッキすることにより作製さ
れることが知られており、この時使用される銅合金薄帯
としては、例えば、Ｆｅ：１．５〜２．６重量％を必須
成分とし、さらに必要に応じてＺｎ：０．０１〜１重量
％およびＰ：０．００１〜０．１重量％の内の少なくと
も１種以上を含有する組成を有するものが知られてい
る。
用リードフレームは銅合金薄帯をプレス加工、打抜き加
工、曲げ加工などしたのちメッキすることにより作製さ
れることが知られており、この時使用される銅合金薄帯
としては、例えば、Ｆｅ：１．５〜２．６重量％を必須
成分とし、さらに必要に応じてＺｎ：０．０１〜１重量
％およびＰ：０．００１〜０．１重量％の内の少なくと
も１種以上を含有する組成を有するものが知られてい
る。
【０００３】これら銅合金薄帯を圧延するための銅合金
インゴットは、通常、電気銅、タフピッチ銅などを溶解
して得られた純銅溶湯に鉄原料を添加し、さらに必要に
応じて、その他の添加成分、例えば純Ｚｎおよび／また
はＣｕ−１５％Ｐ母合金などを添加して成分調整し、得
られた溶湯を連続鋳造または半連続鋳造することにより
製造している。
インゴットは、通常、電気銅、タフピッチ銅などを溶解
して得られた純銅溶湯に鉄原料を添加し、さらに必要に
応じて、その他の添加成分、例えば純Ｚｎおよび／また
はＣｕ−１５％Ｐ母合金などを添加して成分調整し、得
られた溶湯を連続鋳造または半連続鋳造することにより
製造している。
【０００４】このようにして製造されたインゴットは熱
間圧延して熱延板とし、ついで水冷した後、面削し、冷
間圧延ー時効処理ー表面研磨を繰り返した後、最終圧延
し、歪み取り焼鈍と酸洗を施すことにより銅合金薄帯と
し、この銅合金薄帯を前述のようにプレス加工、打抜き
加工、曲げ加工などの金属加工を施したのち、メッキす
ることによりＩＣやＬＳＩなどの半導体装置用リードフ
レームに成形していた。
間圧延して熱延板とし、ついで水冷した後、面削し、冷
間圧延ー時効処理ー表面研磨を繰り返した後、最終圧延
し、歪み取り焼鈍と酸洗を施すことにより銅合金薄帯と
し、この銅合金薄帯を前述のようにプレス加工、打抜き
加工、曲げ加工などの金属加工を施したのち、メッキす
ることによりＩＣやＬＳＩなどの半導体装置用リードフ
レームに成形していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の銅合金は、
いずれもＦｅを１．５〜２．６重量％含有せしめること
により優れた強度および導電性を付与したものである
が、Ｆｅを２．３重量％越えて含有すると鋳造組織は微
細化するもののＦｅ−Ｐ系などの晶出物が発生しやすい
ためにＦｅ含有量を２．３重量％以下に下げる必要があ
り、通常はＦｅ：１．５〜２．３重量％の範囲内で添加
したＦｅ含有量銅合金が使用されている。しかし、この
Ｆｅ：１．５〜２．３重量％の範囲内で添加したＦｅ含
有量の銅合金インゴットには柱状晶組織が発生しやす
く、この柱状晶組織を有するＦｅ含有銅合金インゴット
には鋳造割れが発生しやすく、また、この柱状晶組織を
有するＦｅ含有銅合金インゴットを圧延すると、圧延時
に割れが発生することが多く、圧延割れが生じた場合、
その部分を除去する必要から、その除去された分だけ歩
留まりが低下していた。
いずれもＦｅを１．５〜２．６重量％含有せしめること
により優れた強度および導電性を付与したものである
が、Ｆｅを２．３重量％越えて含有すると鋳造組織は微
細化するもののＦｅ−Ｐ系などの晶出物が発生しやすい
ためにＦｅ含有量を２．３重量％以下に下げる必要があ
り、通常はＦｅ：１．５〜２．３重量％の範囲内で添加
したＦｅ含有量銅合金が使用されている。しかし、この
Ｆｅ：１．５〜２．３重量％の範囲内で添加したＦｅ含
有量の銅合金インゴットには柱状晶組織が発生しやす
く、この柱状晶組織を有するＦｅ含有銅合金インゴット
には鋳造割れが発生しやすく、また、この柱状晶組織を
有するＦｅ含有銅合金インゴットを圧延すると、圧延時
に割れが発生することが多く、圧延割れが生じた場合、
その部分を除去する必要から、その除去された分だけ歩
留まりが低下していた。
【０００６】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは、
かかる観点から、Ｆｅ含有銅合金インゴットに柱状晶組
織が発生することがなく、したがって鋳造割れおよび圧
延割れが発生することのない銅合金インゴットを得るべ
く研究を行った結果、純銅溶湯にＦｅを添加する際に、
Ｓｉ：０．００５〜１．０重量％およびＣ：０．００５
〜１．２重量％を含有し残りがＦｅおよび不可避不純物
からなる組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加
し、ついで必要に応じて、その他の添加成分を添加して
成分調整して得られた溶湯を連続鋳造または半連続鋳造
することにより製造したＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金
インゴットは、組織が微細な等軸晶の鋳造組織となり、
通常の熱間圧延を行っても熱間圧延時に割れが発生する
ことはない、という知見を得たのである。
かかる観点から、Ｆｅ含有銅合金インゴットに柱状晶組
織が発生することがなく、したがって鋳造割れおよび圧
延割れが発生することのない銅合金インゴットを得るべ
く研究を行った結果、純銅溶湯にＦｅを添加する際に、
Ｓｉ：０．００５〜１．０重量％およびＣ：０．００５
〜１．２重量％を含有し残りがＦｅおよび不可避不純物
からなる組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加
し、ついで必要に応じて、その他の添加成分を添加して
成分調整して得られた溶湯を連続鋳造または半連続鋳造
することにより製造したＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金
インゴットは、組織が微細な等軸晶の鋳造組織となり、
通常の熱間圧延を行っても熱間圧延時に割れが発生する
ことはない、という知見を得たのである。
【０００７】この発明は、かかる知見にもとづいてなさ
れたものであって、（ａ） 純銅を溶解して得られた溶
湯に、Ｓｉ：０．００５〜１．０重量％およびＣ：０．
００５〜１．２重量％を含有し残りがＦｅおよび不可避
不純物からなる組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を
添加する微細な鋳造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ
系銅合金インゴットの製造方法、（ｂ） 純銅を溶解し
て得られた溶湯に、Ｓｉ：０．００５〜１．０重量％お
よびＣ：０．００５〜１．２重量％を含有し残りがＦｅ
および不可避不純物からなる組成を有するＦｅ−Ｓｉ−
Ｃ系母合金を添加し、ついで、その他の添加成分を添加
する微細な鋳造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅
合金インゴットの製造方法に特徴を有するものである。
れたものであって、（ａ） 純銅を溶解して得られた溶
湯に、Ｓｉ：０．００５〜１．０重量％およびＣ：０．
００５〜１．２重量％を含有し残りがＦｅおよび不可避
不純物からなる組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を
添加する微細な鋳造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ
系銅合金インゴットの製造方法、（ｂ） 純銅を溶解し
て得られた溶湯に、Ｓｉ：０．００５〜１．０重量％お
よびＣ：０．００５〜１．２重量％を含有し残りがＦｅ
および不可避不純物からなる組成を有するＦｅ−Ｓｉ−
Ｃ系母合金を添加し、ついで、その他の添加成分を添加
する微細な鋳造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅
合金インゴットの製造方法に特徴を有するものである。
【０００８】前記その他の添加成分は、純Ｚｎ、Ｐ：１
４〜１６重量％を含有し残りがＣｕおよび不可避不純物
からなる組成のＣｕ−Ｐ系母合金などいかなる添加成分
であっても良い。
４〜１６重量％を含有し残りがＣｕおよび不可避不純物
からなる組成のＣｕ−Ｐ系母合金などいかなる添加成分
であっても良い。
【０００９】この発明の製造方法で得られたＣｕ−Ｆｅ
−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットは、不活性ガス中、温
度：９００〜１０００℃で熱間圧延したのち、水冷、面
削、冷間圧延を行い、ついで、温度：４５０〜６５０℃
で１〜２時間保持の時効処理したのち、表面研磨、最終
圧延し、歪み取り焼鈍などを施してＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−
Ｃ系銅合金薄帯に仕上げられる。
−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットは、不活性ガス中、温
度：９００〜１０００℃で熱間圧延したのち、水冷、面
削、冷間圧延を行い、ついで、温度：４５０〜６５０℃
で１〜２時間保持の時効処理したのち、表面研磨、最終
圧延し、歪み取り焼鈍などを施してＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−
Ｃ系銅合金薄帯に仕上げられる。
【００１０】純銅溶湯にＦｅ、ＳｉおよびＣをそれぞれ
単独で添加してもこの発明の微細な鋳造組織を有する系
銅合金インゴットを作ることができない。Ｓｉ：０．０
０５〜１．０重量％およびＣ：０．００５〜１．２重量
％を含有し残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成
を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加することが必要
である。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金に含まれるＳｉが０．
００５重量％未満では効果がなく、Ｓｉが１．０重量％
を越えて含まれているとＳｉが異物として晶出するので
好ましくない。さらにＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金に含まれ
るＣが０．００５重量％未満では効果がなく、Ｃが１．
２重量％を越えて含まれているとＣが異物として晶出す
るので好ましくない。
単独で添加してもこの発明の微細な鋳造組織を有する系
銅合金インゴットを作ることができない。Ｓｉ：０．０
０５〜１．０重量％およびＣ：０．００５〜１．２重量
％を含有し残りがＦｅおよび不可避不純物からなる組成
を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加することが必要
である。Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金に含まれるＳｉが０．
００５重量％未満では効果がなく、Ｓｉが１．０重量％
を越えて含まれているとＳｉが異物として晶出するので
好ましくない。さらにＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金に含まれ
るＣが０．００５重量％未満では効果がなく、Ｃが１．
２重量％を越えて含まれているとＣが異物として晶出す
るので好ましくない。
【００１１】
実施例１〜５ 電気銅をカーボンで覆うことにより大気から遮断し、通
常の溶解炉を用いて溶解し、得られた溶湯を取鍋に注入
した。取鍋に注入する際に、溶湯流に表１に示される割
合のＳｉおよびＣを含有し残りがＦｅおよび不可避不純
物からなる組成のＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加して成
分調整し、さらに必要に応じて表１に示されるその他の
添加成分を添加して成分調整し、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ
系銅合金溶湯を作製した。
常の溶解炉を用いて溶解し、得られた溶湯を取鍋に注入
した。取鍋に注入する際に、溶湯流に表１に示される割
合のＳｉおよびＣを含有し残りがＦｅおよび不可避不純
物からなる組成のＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加して成
分調整し、さらに必要に応じて表１に示されるその他の
添加成分を添加して成分調整し、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ
系銅合金溶湯を作製した。
【００１２】得られたＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金溶
湯を鋳型に鋳造して、厚さ：１８０ｍｍ、幅：４５０ｍ
ｍ、長さ：２４００ｍｍの寸法を有するＣｕ合金インゴ
ットを製造し、これらＣｕ合金インゴットを厚さ方向に
切断し、切断面を研磨し腐食してカラーチェックしたの
ち、その組織を観察し、鋳造割れの有無および平均粒径
を切断法にて測定し、その結果を表１に示した。ただ
し、インゴットが柱状晶組織を有する場合は各結晶粒の
最長長さを粒径とした。
湯を鋳型に鋳造して、厚さ：１８０ｍｍ、幅：４５０ｍ
ｍ、長さ：２４００ｍｍの寸法を有するＣｕ合金インゴ
ットを製造し、これらＣｕ合金インゴットを厚さ方向に
切断し、切断面を研磨し腐食してカラーチェックしたの
ち、その組織を観察し、鋳造割れの有無および平均粒径
を切断法にて測定し、その結果を表１に示した。ただ
し、インゴットが柱状晶組織を有する場合は各結晶粒の
最長長さを粒径とした。
【００１３】これらインゴットを温度：９５０℃で熱間
圧延して厚さ：１０ｍｍの熱延板とし、この熱延板を水
冷したのち、上下表面を面削して厚さ：９ｍｍとし、こ
の面削した熱延板を一次冷間圧延して厚さ：２ｍｍの冷
延板とし、続いてこの冷延板に温度：６００℃、１時間
保持の一次時効処理を施したのち、ロールバフ研磨を施
して表面の酸化膜および汚れを除去した状態で二次冷間
圧延し、その厚さを０．８ｍｍとし、さらに圧下率：７
５％の最終冷間圧延して厚さ：０．２ｍｍのＣｕ−Ｆｅ
−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄板薄帯を作製した。
圧延して厚さ：１０ｍｍの熱延板とし、この熱延板を水
冷したのち、上下表面を面削して厚さ：９ｍｍとし、こ
の面削した熱延板を一次冷間圧延して厚さ：２ｍｍの冷
延板とし、続いてこの冷延板に温度：６００℃、１時間
保持の一次時効処理を施したのち、ロールバフ研磨を施
して表面の酸化膜および汚れを除去した状態で二次冷間
圧延し、その厚さを０．８ｍｍとし、さらに圧下率：７
５％の最終冷間圧延して厚さ：０．２ｍｍのＣｕ−Ｆｅ
−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄板薄帯を作製した。
【００１４】得られたＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄
帯について、熱間圧延途中のエッジ割れの有無、仕上げ
Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄帯の表面欠陥の有無を
目視で観察し、その結果を表１に示した。
帯について、熱間圧延途中のエッジ割れの有無、仕上げ
Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄帯の表面欠陥の有無を
目視で観察し、その結果を表１に示した。
【００１５】従来例１〜５ 電気銅をカーボンで覆うことにより大気から遮断し、通
常の溶解炉を用いて溶解し、得られた溶湯を取鍋に注入
した。取鍋に注入する際に、溶湯流にＦｅ粒、Ｓｉ粒お
よびＣ粒をそれぞれ表２に示される割合でそれぞれ添加
して成分調整し、さらに必要に応じて表１に示されるそ
の他の添加成分を添加して成分調整してＣｕ−Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ｃ系銅合金溶湯を作製し、以下、実施例１〜５とま
ったく同様にしてＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金溶湯を
作製した。
常の溶解炉を用いて溶解し、得られた溶湯を取鍋に注入
した。取鍋に注入する際に、溶湯流にＦｅ粒、Ｓｉ粒お
よびＣ粒をそれぞれ表２に示される割合でそれぞれ添加
して成分調整し、さらに必要に応じて表１に示されるそ
の他の添加成分を添加して成分調整してＣｕ−Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ｃ系銅合金溶湯を作製し、以下、実施例１〜５とま
ったく同様にしてＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金溶湯を
作製した。
【００１６】このＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金溶湯を
鋳型に鋳造して、厚さ：１８０ｍｍ、幅：４５０ｍｍ、
長さ：２４００ｍｍの寸法を有するＣｕ合金インゴット
を製造した。これらＣｕ合金インゴットを厚さ方向に切
断し、切断面を研磨し腐食してカラーチェックしたの
ち、その組織を観察し、粒界割れの有無および平均粒径
を測定し、その結果を表２に示し、さらに、これらイン
ゴットを実施例１〜５とまったく同様にし圧延し、Ｃｕ
−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄板薄帯を作製した。
鋳型に鋳造して、厚さ：１８０ｍｍ、幅：４５０ｍｍ、
長さ：２４００ｍｍの寸法を有するＣｕ合金インゴット
を製造した。これらＣｕ合金インゴットを厚さ方向に切
断し、切断面を研磨し腐食してカラーチェックしたの
ち、その組織を観察し、粒界割れの有無および平均粒径
を測定し、その結果を表２に示し、さらに、これらイン
ゴットを実施例１〜５とまったく同様にし圧延し、Ｃｕ
−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄板薄帯を作製した。
【００１７】得られたＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄
帯について、熱間圧延途中のエッジ割れの有無、仕上げ
Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄帯の表面欠陥の有無を
目視で観察し、その結果を表２に示した。
帯について、熱間圧延途中のエッジ割れの有無、仕上げ
Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄帯の表面欠陥の有無を
目視で観察し、その結果を表２に示した。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】表１および表２に示される結果から、溶湯
にＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加する実施例１〜５で得
られたＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットは、い
ずれも結晶粒が微細であり、内部に鋳造割れが生ずるこ
とがなく健全なインゴットが得られ、熱間圧延中に割れ
が発生することがなく、さらに表面欠陥の発生もないこ
とがわかる。
にＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加する実施例１〜５で得
られたＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットは、い
ずれも結晶粒が微細であり、内部に鋳造割れが生ずるこ
とがなく健全なインゴットが得られ、熱間圧延中に割れ
が発生することがなく、さらに表面欠陥の発生もないこ
とがわかる。
【００２１】これに対して、溶湯にＦｅ、ＳｉおよびＣ
をそれぞれ単独で添加する従来例１〜５で得られたＣｕ
−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットは、いずれも結晶
粒が粗大な柱状晶を有して内部に鋳造割れが発生し、こ
のインゴットを熱間圧延すると割れが生じ、得られたＣ
ｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄帯には表面欠陥が発生す
ることがわかる。
をそれぞれ単独で添加する従来例１〜５で得られたＣｕ
−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットは、いずれも結晶
粒が粗大な柱状晶を有して内部に鋳造割れが発生し、こ
のインゴットを熱間圧延すると割れが生じ、得られたＣ
ｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金薄帯には表面欠陥が発生す
ることがわかる。
【００２２】
【発明の効果】上述のように、この発明の方法による
と、結晶粒が微細であり、内部に鋳造割れがなく健全な
Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットが得られ、こ
のインゴットは熱間圧延中に割れが発生することがな
く、さらに圧延して得られたＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅
合金薄帯には表面欠陥の発生がないころから、ＩＣやＬ
ＳＩなどの半導体装置用リードフレームを歩留まり良く
製造することができ、工業上優れた効果をもたらすもの
である。
と、結晶粒が微細であり、内部に鋳造割れがなく健全な
Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットが得られ、こ
のインゴットは熱間圧延中に割れが発生することがな
く、さらに圧延して得られたＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅
合金薄帯には表面欠陥の発生がないころから、ＩＣやＬ
ＳＩなどの半導体装置用リードフレームを歩留まり良く
製造することができ、工業上優れた効果をもたらすもの
である。
フロントページの続き (72)発明者 古柴 豊 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアル株式会社製錬事業本部製錬部 新材料室
Claims (5)
- 【請求項１】 純銅を溶解して得られた溶湯に、Ｓｉ：
０．００５〜１．０重量％およびＣ：０．００５〜１．
２重量％を含有し残りがＦｅおよび不可避不純物からな
る組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加すること
を特徴とする微細な鋳造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ
−Ｃ系銅合金インゴットの製造方法。 - 【請求項２】 純銅を溶解して得られた溶湯に、Ｓｉ：
０．００５〜１．０重量％およびＣ：０．００５〜１．
２重量％を含有し残りがＦｅおよび不可避不純物からな
る組成を有するＦｅ−Ｓｉ−Ｃ系母合金を添加し、つい
で、その他の添加成分を添加することを特徴とする微細
な鋳造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金イン
ゴットの製造方法。 - 【請求項３】 前記その他の添加成分は、純Ｚｎである
ことを特徴とする請求項２記載の微細な鋳造組織を有す
るＣｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットの製造方
法。 - 【請求項４】 前記その他の添加成分は、Ｐ：１４〜１
６重量％を含有し残りがＣｕおよび不可避不純物からな
る組成を有するＣｕ−Ｐ系母合金であることを特徴とす
る請求項２記載の微細な鋳造組織を有するＣｕ−Ｆｅ−
Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットの製造方法。 - 【請求項５】 前記その他の添加成分は、純Ｚｎおよび
Ｐ：１４〜１６重量％を含有し残りがＣｕおよび不可避
不純物からなる組成を有するＣｕ−Ｐ系母合金であるこ
とを特徴とする請求項２記載の微細な鋳造組織を有する
Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃ系銅合金インゴットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1966495A JPH08193231A (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | 微細な鋳造組織を有する銅合金インゴットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1966495A JPH08193231A (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | 微細な鋳造組織を有する銅合金インゴットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08193231A true JPH08193231A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=12005516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1966495A Withdrawn JPH08193231A (ja) | 1995-01-12 | 1995-01-12 | 微細な鋳造組織を有する銅合金インゴットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08193231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106048605A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-10-26 | 天津工业大学 | 一种激光与感应复合熔覆Cu‑Fe‑Si软磁高导铜基复合材料 |
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1995
- 1995-01-12 JP JP1966495A patent/JPH08193231A/ja not_active Withdrawn
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106048605A (zh) * | 2016-08-09 | 2016-10-26 | 天津工业大学 | 一种激光与感应复合熔覆Cu‑Fe‑Si软磁高导铜基复合材料 |
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