JPH08193255A - 超電導合金又は超電導セラミックスの製造方法 - Google Patents

超電導合金又は超電導セラミックスの製造方法

Info

Publication number
JPH08193255A
JPH08193255A JP423895A JP423895A JPH08193255A JP H08193255 A JPH08193255 A JP H08193255A JP 423895 A JP423895 A JP 423895A JP 423895 A JP423895 A JP 423895A JP H08193255 A JPH08193255 A JP H08193255A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
superconducting
alloy
vapor
methylene chloride
ceramic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
JP423895A
Other languages
English (en)
Inventor
Yotarou Hashimoto
與太郎 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EIWA KK
Eiwa Corp
Original Assignee
EIWA KK
Eiwa Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EIWA KK, Eiwa Corp filed Critical EIWA KK
Priority to JP423895A priority Critical patent/JPH08193255A/ja
Publication of JPH08193255A publication Critical patent/JPH08193255A/ja
Ceased legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、超電導や超電導磁石や超電導素子
として半導体等に用いる超電導体を、低温において製造
するものである。 【構成】 塩素系有機溶剤や、塩素系有機溶剤としての
メチレンクロライドに、水蒸気と界面活性剤を付加し
て、混合蒸気を発生させ、該蒸気により、合金やセラミ
ックスを曝すことにより、70℃〜140℃の温度で、
再現性の確実な超電導を構成し、より常温に近い状態で
超電導現象を発生する超電導体を製造するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導現象を発生し、
超電導磁石や、ジョセフスソン素子等に用いるべく、マ
イスナー効果を発揮する超電導合金や超電導セラミック
スを製造する方法に関する。
【0002】超電導とは、或る種の金属又は合金又はセ
ラミックスの電気抵抗が、極めて低温で急激に0になる
現象であり、超電導体は、永久電流等の現象を表す。ま
た、臨界温度Tc以下で温度Tを一定にして磁場Hを変
化させても、同様な転移が発生する。超電導体を用いた
磁石は臨界磁場が大きいので、消費電力が極めて少なく
て済み、体積も小さな磁石とすることが出来るのであ
る。従来はこのような超電導現象を発揮する合金とし
て、NbーTiや、NbーZrや、NbーSn等が用い
られており、これらは臨界温度Tcが絶対温度30K程
度である。また、最近は、BaO・Y2 3 ・CuO
や、BaO・La2 3・CuO等が用いられており、
臨界温度Tcは90K程度である。そしてこのようなセ
ラミックス系の超電導体の製造においては、550〜6
00℃付近で相転移が行われ、この場合に、正方晶組織
では超電導相を示さず、低温安定相の斜方晶組織が超電
導相を示すことが知られている。例えば、特開昭64−
45722号公報や、特開昭64−14157号公報に
記載の技術の如くである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような超電導セラ
ミックスを製造するには、所要組成となる如く、配合混
合した原料粉末を仮焼して得られた、斜方晶組織の低温
安定相からなる仮焼粉あるいは斜方晶組織の低温安定相
と、正方晶の高温安定相の混合組織からなる仮焼粉を、
湿式粉砕或いは乾式粉砕法にて所要粒度の微粉末とした
後に、前記微粉末を特定条件の加圧焼結により、斜方晶
組織の低温安定相からなる超電導として得ていた。しか
し従来のこのような、超電導体の製造方法の欠点は、5
00〜600℃まで加圧焼結する必要があり、高温にす
ると正方晶組織となり、超電導現象を示さなくなり、低
温にすると相の転移が行われないという、不安定な要素
が多く、安定した超電導体を製造することが出来ないと
いう点であった。特に、臨界温度を常温に近い温度とす
る常温超電導体を製造しようとする場合等において、実
験的に常温超電導現象がたまたま発生しても、この実験
の再現性が無いという不具合があったのである。これら
の欠点はすべて、高温で焼結加工する必要があり、これ
により製造された超電導体が所要の斜方晶組織を得るこ
とが困難であることから発生しているのである。本発明
は、従来の如く、合金やセラミックスの超電導体の加工
工程を、高熱による焼結によらず、低温でかつ化学的な
方法で、超電導体への転移を可能とするものである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明が解決しようとす
る課題は以上の如くであり、次に該課題を解決する為の
手段を説明する。請求項1においては、塩素系有機溶剤
と水を混合して加熱し、該塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸
気を発生させ、該塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸気を、合
金又はセラミックスを封入した処理タンク内に充填し
て、合金又はセラミックスを該蒸気に曝すことにより、
超電導合金又は超電導セラミックスを製造する方法であ
る。
【0005】請求項2においては、メチレンクロライド
溶液と水を混合して加熱し、メチレンクロライド蒸気と
水蒸気を発生させ、該メチレンクロライド蒸気と水蒸気
を、合金又はセラミックスを封入した処理タンク内に充
填して、合金又はセラミックスを該蒸気に曝すことによ
り、超電導合金又は超電導セラミックスを製造する方法
である。
【0006】請求項3においては、メチレンクロライド
溶液と水と界面活性剤液を混合して混合液とし、該混合
液を加熱し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気と界面活
性剤蒸気を発生させ、該混合蒸気を、合金又はセラミッ
クスを封入した処理タンク内に充填して、合金又はセラ
ミックスを該混合蒸気に曝すことにより、超電導合金又
は超電導セラミックスを製造する方法である。
【0007】請求項4においては、請求項2又は3の超
電導合金又は超電導セラミックスの製造方法において、
メチレンクロライド溶液と水の混合液の加熱温度を70
〜140°Cの範囲としたことを特徴とする超電導合金
又は超電導セラミックスの製造方法である。
【0008】請求項5においては、請求項1又は2又は
3に記載の超電導合金又は超電導セラミックスの製造方
法において、処理タンクを真空状態とし、合金又はセラ
ミックスを脱気状態で処理することを特徴とする超電導
合金又は超電導セラミックスの製造方法である。
【0009】
【作用】次に作用を説明する。本発明の塩素系有機溶剤
の蒸気と水蒸気又は、塩素系有機溶剤及び、塩素系有機
溶剤としてのメチレンクロライド蒸気と水蒸気は、超電
導体を構成する合金やセラミックスの組織の内部まで浸
透し、タンク内で24〜36時間の製造工程を経過する
と、斜方晶組織を具備した超電導合金や超電導セラミッ
クスに変化するのである。該製造方法では、塩素系有機
溶剤やメチレンクロライドの沸点である40℃以上でよ
く、水蒸気の発生をも踏まえると、70℃〜140℃の
間の温度で処理することが出来るので、低温安定性の高
い斜方晶組織に転移させることが出来るのである。この
製造方法においては、タンクの内部を真空に近くするこ
とにより、この製造工程をより確実に行うことが出来る
のである。
【0010】この超電導現象は、波数ベクトルとスピン
が反対の、一対の電子が、フォトンとの相互作用をなか
だちとして、電子対を形成するという機構で説明されて
いる。電子対はボース粒子の性格を具備しており、波動
関数は一価で、対応する1つ二電子状態を巨視的な数の
電子対が占める。従ってこの種の超電導電子は、金属内
の普通の自由電子即ち常電導電子とは異なり、超電導体
全体にわたって一様にコヒーレントな運動をし、超流動
に似た形で超電導を引き起こす。電子対の安全性はエネ
ルギーの準位のギャップで表され、この値は普通の電子
対について考えて、1個の電子に対してはその2分の1
を用いる。温度が上昇するとエネルギーギャップが減少
するので、転移の現象が説明できる。
【0011】この従来は温度の上昇によりエネルギーギ
ャップが減少する作用を、塩素系有機溶剤やメチレンク
ロライドの蒸気が発生する、塩素イオンの作用より得る
のである。この塩素系有機溶剤やメチレンクロライドの
蒸気を、Feに当てると、70〜140℃の低温で、相
が転移して、マグネタイトやマグヘタイト等の磁性酸化
鉄が発生する。また、従来は500〜600℃に熱し
て、次に急冷却により発生する焼入れにより発生する、
マルテンサイト相への転移が発生することが確認されて
いる。
【0012】このように、低温で磁性酸化鉄に転移させ
たり、焼き入れと同様のマルテンサイト相を構成するの
は、塩素イオンが、Fe等の遷移金属イオンに属する3
d電子のスピンの状態を変化させることにより発生する
ものと考えられる。磁性はこの3d電子のスピンの状態
によって決定するが、周囲の陰イオンの配置数や、電子
を引きつける強さによって3d電子軌道の分裂の仕方が
影響をうける、磁性が変化するのである。またセラミッ
クスのような粒界は、粒内とはその不純物準位や原子の
並び方が異なるので、その組み合わせによって単独の場
合とは異なって電気的・磁気的特性を表すのである。
【0013】1つの族に属する元素の置換に伴う物性の
変化は、まず原子またはイオン半径の差に起因させ得
る。元素から最外殻電子を取り除くことによって生ずる
陽イオンは元の原子状態よりも小さく、逆に最外殻を満
たすように電子を受け取って出来る陰イオンは大きい。
これらの半径は最外殻電子のエネルギー準位とそれに働
く有効核電荷によって決まる。
【0014】本発明においては、塩素系有機溶剤やメチ
レンクロライドから発生する塩素イオンが、陽イオンや
陰イオンを刺激して、イオン結合や共有結合を発生させ
ることにより、Feは磁性酸化鉄に変化し、合金やセラ
ミックスを斜方晶組織に構成するもの考えられる。この
ように、低温下で組織の転移が発生することにより、安
定したた斜方晶組織の超電導体が構成できるのである。
【0015】
【実施例】次に実施例を説明する。塩素系有機溶剤とし
ては、トリクロロエチレン(CHCl=CCl2 )や、
パークロルエチレン(CCl2 =CCl2 )、1,1,
1−トリクロロエタン(CH3 CCl3 )や、フロン1
13(CCl2 FCClF2 )等がある。メチレンクロ
ライドは、該塩素系有機溶剤の中の1つである。
【0016】上記塩素系有機溶剤の中でも、最もメチレ
ンクロライドが本超電導合金又は超電導セラミックスの
製造方法において有効である。該メチレンクロライドは
化学式がCH2 Cl2 で表示される分子量84.93の
物質である。化学名は塩化メチレンであり、一般名とし
てメチレンクロライドの他に、ジクロルメタンとか、二
塩化メチレンと呼称される場合もある。沸点は40.4
℃で、融点は−96.8℃である。
【0017】また、界面活性剤は、陰イオン性界面活性
剤と、陽イオン性界面活性剤と、非イオン性界面活性剤
と、両性界面活性剤に分類される。陰イオン性界面活性
剤としては、アルキル硫酸ナトリウム、アミド硫酸ナト
リウム、第二アルキル硫酸ナトリウム、アルキルスルホ
ン酸ナトリウム、アミドスルホン酸ナトリウム、アルキ
ルアリルスルホン酸ナトリウム、アルキルナフタリンス
ルホン酸ナトリウム等がある。
【0018】また、陽イオン性界面活性剤としては、酢
酸アミン塩、アルキルトリメチルアンモニウムクロリ
ド、ジアルキルメチルアンモニウムクロリド、アルキル
ピリジウムハロゲニド、アルキルジメチルベンジルアン
モニウムクロリド等がある。両性界面活性剤としては、
カルボン酸型、スルホン酸型、硫酸エステル型等があ
る。非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレ
ンアルキルフェノール、ポリオキシエチレン脂肪アルコ
ール、ポリオキシエチレン脂肪酸、ポリオキシエチレン
酸アミド、ポリオキシエチレン脂肪アミン、ポリプロピ
レングリゴール等がある。
【0019】本発明の超電導合金又は超電導セラミック
スの製造方法においては、アルカリ性が強くなると、C
2 が発生しやすくるなるので、これを回避する必要が
あり、酸・アルカリに対して比較的安定した、アルコー
ル系の非イオン界面活性剤であるポリオキシエチレンア
ルキルフェノールや、ポリオキシエチレン脂肪アルコー
ルが、この点において有効である。しかし、超電導合金
又は超電導セラミックスの製造方法においては、他の界
面活性剤も有効である。
【0020】そして、本発明の如く、メチレンクロライ
ド溶液と、水と、界面活性剤液の3者の混合液を加熱す
ると、メチレンクロライド蒸気や水蒸気や界面活性剤蒸
気の他に、次のようなガスや化合物が発生している。即
ち、HCHO、HF、HCl、HBr、NH3 、Cl2
(僅少)、CH4 、CO、CO2 、有機酸、有機化合物
である。有機酸としては、りん酸、くえん酸、ピルビン
酸、りんご酸、こはく酸、乳酸、ぎ酸、酢酸、レブリン
酸、ピログルタミン酸、プロピオン酸、いそ酪酸、いそ
吉草酸等である。
【0021】図1は本発明の超電導合金又は超電導セラ
ミックスの製造方法の基本構成図面、図2は超電導合金
又は超電導セラミックスの製造方法の行程と手順をバル
ブ機構の開閉により示した図面、図3は処理タンクTと
蓋体22と載置台26の部分の側面図、図4は処理タン
クTに蓋体22を閉鎖した状態の側面図、図5は蓋体2
2の正面図、図6は処理タンクTの正面断面図、図7は
載置台26の上に合金またはセラミックスWを載置した
状態の正面図、図8は処理状態における処理タンクTの
内部の断面図である。
【0022】図3・図4・図5・図6・図7において、
処理タンクTと蓋体22と載置台26の構成を説明す
る。即ち処理タンクTは圧力容器を構成しており、本発
明の超電導合金又は超電導セラミックスの製造方法にお
いては、脱気状態において50Torrとなり、メチレ
ンクロライドの蒸気回収時に200Torrとなるの
で、これに耐える程度の圧力容器に構成されている。そ
して正面に蓋体22が設けられており、該蓋体22が載
置台26と一体的に構成されている。該載置台26は処
理タンクTの内部に設けられた移動レール25の上で移
動し、また蓋体22は蓋体支持部23の下部の移動レー
ル24の部分で、両者が一体的に移動可能としている。
【0023】該蓋体22と一体的に引出し、挿入される
載置台26の上に、処理対象である合金またはセラミッ
クスWを載置するのである。該載置台26の部分を処理
タンクTの内部に挿入した状態で、蓋体22と処理タン
クTとを密閉固定し、圧力を掛けるのである。該処理タ
ンクTの内側底部に加温・冷却パイプ20が配置されて
おり、加温の場合にはボイラーBより、100数十℃の
水蒸気が供給される。また冷却の場合には、冷却水タン
ク18の冷却水が供給される。メチレンクロライドと水
の混合液は、そのまま処理タンクTの内部に注入されて
も良いし、また予備タンクの部分で混合蒸気の状態とし
て、処理タンクTに供給しても良いのである。図1の実
施例においては、混合液の状態として処理タンクTの内
部に供給すべく構成している。
【0024】そして混合液の状態で、加温・冷却パイプ
20を浸漬する程度まで、混合液を注入した状態で、ボ
イラーBから100数十℃の水蒸気を加温・冷却パイプ
20に供給し、沸点が40℃であるメチレンクロライド
は勿論、水も蒸気となるのである。本発明においては、
塩素系有機溶剤と水、又はメチレンクロライドと水、又
はこれに界面活性剤を加えた混合液は、図6に示す如
く、液面が最大でも載置台26の下までしか成らず、合
金またはセラミックスWが混合液に浸漬されることは無
いのである。あくまで、混合液の蒸気を合金またはセラ
ミックスWに吸収させて処理するのである。
【0025】次に図1において、本発明の超電導合金又
は超電導セラミックスの製造方法の基本構成を説明す
る。設備としては、処理タンクTと混合液タンク14が
主体であり、該混合液タンク14の内部に、塩素系有機
溶剤と水、またはメチレンクロライドと水、又はメチレ
ンクロライドと水と界面活性剤の混合された混合液が投
入される。またボイラーBは蒸気をパイプ内に供給し、
前述の如く混合液を蒸気化するものであり、コンプレッ
サCは、処理終了後に処理タンクTの内部の混合液を混
合液タンク14に戻す際に圧力を掛けるものである。
【0026】また真空ポンプPは混合液を押し出した後
に、処理タンクTの内部と合金またはセラミックスWの
組織空隙の内部に残っている、塩素系有機溶剤と水、又
はメチレンクロライドと水、またはメチレンクロライド
と水と界面活性剤の蒸気を吸引するものである。そして
該吸引した蒸気は、大気中に排出することが出来ないの
で、コンデンサ16において冷却して液化し、コンデン
サパイプ21の部分から再度混合液タンク14に戻して
いる。チラー15は該コンデンサ16の内部の冷却水を
冷却するものである。またフィルター19が設けられて
おり、処理タンクTからコンプレッサCにより押し出さ
れる混合液内のゴミ等の不純物を濾過する。また冷却水
タンク17は、混合液蒸気を液化する為に使用した冷却
水の受け皿である。
【0027】そして、各部に電磁バルブが配置されてい
る。該電磁バルブは、自動制御装置により、一定時間毎
に開閉すべく構成しており、処理の行程である『脱
気』,『混合液送り込み』,『処理』,『混合液冷
却』,『混合液タンク戻し』,『混合液蒸気回収』,
『コンデンサ内部混合液回収』の順に、図2に示す如
く、自動的に開閉操作される。同時に、コンプレッサC
とボイラーBと真空ポンプPとチラー15が自動的に駆
動停止される。この処理の1行程は、5〜24時間で終
了すべく構成されている。次に図2において、超電導合
金又は超電導セラミックスの製造方法の各行程の電磁バ
ルブの状態を示す。まず『脱気』の行程においては、真
空ポンプPが駆動される。そして真空ポンプPとコンデ
ンサ16を連結する回路の電磁バルブ1が開く、またコ
ンデンサ16と処理タンクTを連通する電磁バルブ3も
開く。その他の電磁バルブはすべて閉鎖されている。こ
れにより、処理タンクTの内部は、50Torr程度の
真空となり、合金またはセラミックスW内の空気が引き
出される。
【0028】次に『混合液送り込み』の行程において
は、処理タンクTと混合液タンク14を連通する電磁バ
ルブ4が開き、他の電磁バルブは閉鎖される。これによ
り混合液タンク14と処理タンクTとは略同じレベルに
配置されているので、混合液タンク14内と処理タンク
T内が同じレベルになるように、混合液が処理タンクT
内に移動する。
【0029】次に、『処理』の行程においては、ボイラ
ーBと処理タンクTとの間の電磁バルブ7と、処理タン
クTからドレーンを連通する電磁バルブ9が開き、他の
電磁バルブは閉鎖される。これにより、ボイラーBから
の高熱蒸気が処理タンクT内の加温・冷却パイプ20に
供給され、処理タンクT内の混合液は、メチレンクロラ
イド蒸気と水蒸気と界面活性剤蒸気となって、合金また
はセラミックスW空隙内に浸透する。この『処理』の段
階を約6時間行う。
【0030】次に『混合液冷却』の行程を説明する。こ
の場合には、冷却水タンク18と処理タンクTとを連通
する電磁バルブ8と、処理タンクTと冷却水タンク17
を連通する電磁バルブ10が開放される。他の電磁バル
ブは閉鎖されている。これにより、冷却水が加温・冷却
パイプ20内を通過し、処理タンクTの内部はメチレン
クロライドの沸点である40℃以下となるので、メチレ
ンクロライドも水蒸気も薬液に戻るのである。
【0031】次に『混合液タンク戻し』の行程を説明す
る。この場合には、処理タンクT内の空気を逃がす為に
電磁バルブ2が開き、処理タンクTの下部の電磁バルブ
5と、コンプレッサCと処理タンクTを連通する電磁バ
ルブ6が開き、コンプレッサCが駆動される。またフィ
ルター19と混合液タンク14の間の電磁バルブ12
と、混合液タンク14と大気を連通する電磁バルブ13
が開く。これにより処理タンクT内にある程度の圧力が
掛かるので、液化した混合液は混合液タンク14内に押
し戻される。
【0032】次に、『タンク内部混合液蒸気回収』の行
程について説明する。この場合には、真空ポンプPが駆
動される。そして真空ポンプPとコンデンサ16を連通
する電磁バルブ1と、コンデンサ16と処理タンクTを
連通する電磁バルブ3が開く。他の電磁バルブは閉鎖さ
れる。この状態で、真空ポンプPにより処理タンクT内
及び合金またはセラミックスWの組織空隙内に浸透した
メチレンクロライドの蒸気を回収する。この際の真空度
は、200Torr程度まで下げる。次に『コンデンサ
内部混合液回収』の行程においては、大気と連通する電
磁バルブ2と、コンデンサパイプ21と混合液タンク1
4とを連通する電磁バルブ11を開く。これにより、コ
ンデンサ16のコンデンサパイプ21の内部に溜まった
メチレンクロライド等の混合液を、混合液タンク14に
回収することが出来る。これらの1行程を5〜24時間
で終了するのである。
【0033】次に図8において、処理状態に於ける処理
タンクTの内部の断面図を説明する。処理タンクTの内
部の下方に、加温・冷却パイプ20が配置されており、
該加温・冷却パイプ20の上部に、載置台26が移動可
能に配置されている。該載置台26の上に合金またはセ
ラミックスWが載置されるのである。そして、水Waと
界面活性剤液Sとメチレンクロライド溶液Meの混合液
は、該加温・冷却パイプ20よりも液位が高く、しか
し、載置台26上の合金またはセラミックスWを浸漬し
ない程度の液位となるように注入される。
【0034】水Waの比重は1.00であり、界面活性
剤液Sの比重は1.04であるので、略同じ液位とな
り、界面活性剤液Sは水Waに溶けるので一体的にな
り、図8に示す如く、水Wa+界面活性剤液Sの液層を
構成する。これに対して、メチレンクロライド溶液Me
は、比重が1.33であり、水Waに溶解しないので、
水Wa+界面活性剤液Sの層の下に層を構成するのであ
る。そして、水Wa+界面活性剤液Sの層に配置した加
温・冷却パイプ20に160℃に加熱した水蒸気を供給
すると、加温・冷却パイプ20の周囲の温度が上昇す
る。該加温・冷却パイプ20は水Wa+界面活性剤液S
の層に配置されており、該部分が先に温度上昇する。
【0035】徐々に加温・冷却パイプ20の温度が上昇
し、約40℃に達すると、メチレンクロライド溶液Me
が沸点に達し、メチレンクロライド蒸気に変わり水Wa
+界面活性剤液Sの層を泡となって通過して、合金また
はセラミックスWに至り、該合金またはセラミックスW
の組織空隙内に侵入する。合金またはセラミックスWの
場合には、約70℃に加熱し、メチレンクロライドの蒸
気が、水Waと界面活性剤液Sの液の中を潜り抜けて、
合金またはセラミックスWに達するような状態で処理を
続けるのである。そして該メチレンクロライドMeが水
Waと界面活性剤液Sを通過する間に、メチレンクロラ
イドから発生するCl2 (塩素ガス)を水Waに吸収さ
せて、処理に悪影響を与える塩素ガスの発生をおさえ、
イオンの発生を促進するのである。また該メチレンクロ
ライドの蒸気に、界面活性剤液Sが附加された状態で、
合金またはセラミックスWの組織空隙に侵入するのであ
る。これにより溶出の切れを良くすることが出来る。
【0036】このように、水Waと界面活性剤液Sとメ
チレンクロライド溶液Meを、混合液として、加温・冷
却パイプ20により加温することにより、メチレンクロ
ライドMeの蒸気は、水Waと界面活性剤液Sを通過し
てから、処理タンクT内に蒸発するのでCl2 が少なく
なるのである。塩素ガスは合金やセラミックスを損傷す
るので少なくして、イオンを大量に発生させることが出
来るのである。該メチレンクロライドの蒸気は、合金ま
たはセラミックスWの穿孔に均一に侵入するのである。
また界面活性剤液Sが混在された状態であるので、低温
でメチレンクロライドの蒸気を大量に発生させることが
出来るので、処理タンクT内を高温にして処理する必要
がないのである。
【0037】
【発明の効果】本発明は以上の如く構成したので、次の
ような効果を奏するのである。第1に、従来の如く、5
00℃〜600℃における焼結行程が無くすか、併用す
るとしても、短時間とするか、または本発明の行程より
も前処理の行程に配置することにより、最終的には低温
で超電導体を製造することが出来るので、製造された超
電導体は再現性の高いものとすることが出来るのであ
る。第2に、塩素系有機溶剤やメチレンクロライドや水
蒸気等の如く、ガスや蒸気の状態で、合金やセラミック
スを曝すことが出来るので、焼結や加圧行程の如く、部
分的に一定性の無い加工方法でなく、より均一に作用さ
せることが出来るので、合金やセラミックスの全体にわ
たり、均一な超電導体を構成することが出来るのであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の超電導合金又は超電導セラミックスの
製造方法の基本構成図面。
【図2】超電導合金又は超電導セラミックスの製造方法
の行程と手順を、バルブ機構の開閉により示した図面。
【図3】処理タンクTと蓋体22と載置台26の部分の
側面図。
【図4】処理タンクTに蓋体22を閉鎖した状態の側面
図。
【図5】蓋体22の正面図。
【図6】処理タンクTの正面断面図。
【図7】載置台26の上に合金またはセラミックスWを
載置した状態の正面図。
【図8】処理状態における処理タンクTの内部の断面
図。
【符号の説明】
Me メチレンクロライド溶液 C コンプレッサ B ボイラー T 処理タンク P 真空ポンプ W 合金またはセラミックス Wa 水 S 界面活性剤液 14 混合液タンク 15 チラー 16 コンデンサ 18 冷却水タンク 21 コンデンサパイプ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 塩素系有機溶剤と水を混合して加熱し、
    該塩素系有機溶剤の蒸気と水蒸気を発生させ、該塩素系
    有機溶剤の蒸気と水蒸気を、合金又はセラミックスを封
    入した処理タンク内に充填して、合金又はセラミックス
    を該蒸気に曝すことにより、超電導合金又は超電導セラ
    ミックスを製造する方法。
  2. 【請求項2】 メチレンクロライド溶液と水を混合して
    加熱し、メチレンクロライド蒸気と水蒸気を発生させ、
    該メチレンクロライド蒸気と水蒸気を、合金又はセラミ
    ックスを封入した処理タンク内に充填して、合金又はセ
    ラミックスを該蒸気に曝すことにより、超電導合金又は
    超電導セラミックスを製造する方法。
  3. 【請求項3】 メチレンクロライド溶液と水と界面活性
    剤液を混合して混合液とし、該混合液を加熱し、メチレ
    ンクロライド蒸気と水蒸気と界面活性剤蒸気を発生さ
    せ、該混合蒸気を、合金又はセラミックスを封入した処
    理タンク内に充填して、合金又はセラミックスを該混合
    蒸気に曝すことにより、超電導合金又は超電導セラミッ
    クスを製造する方法。
  4. 【請求項4】 請求項2又は3の超電導合金又は超電導
    セラミックスの製造方法において、メチレンクロライド
    溶液と水の混合液の加熱温度を70〜140°Cの範囲
    としたことを特徴とする超電導合金又は超電導セラミッ
    クスの製造方法。
  5. 【請求項5】 請求項1又は2又は3に記載の超電導合
    金又は超電導セラミックスの製造方法において、処理タ
    ンクを真空状態とし、合金又はセラミックスを脱気状態
    で処理することを特徴とする超電導合金又は超電導セラ
    ミックスの製造方法。
JP423895A 1995-01-13 1995-01-13 超電導合金又は超電導セラミックスの製造方法 Ceased JPH08193255A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP423895A JPH08193255A (ja) 1995-01-13 1995-01-13 超電導合金又は超電導セラミックスの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP423895A JPH08193255A (ja) 1995-01-13 1995-01-13 超電導合金又は超電導セラミックスの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08193255A true JPH08193255A (ja) 1996-07-30

Family

ID=11578978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP423895A Ceased JPH08193255A (ja) 1995-01-13 1995-01-13 超電導合金又は超電導セラミックスの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08193255A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023027536A1 (ko) * 2021-08-25 2023-03-02 주식회사 퀀텀에너지연구소 상온, 상압 초전도 세라믹화합물 및 그 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023027536A1 (ko) * 2021-08-25 2023-03-02 주식회사 퀀텀에너지연구소 상온, 상압 초전도 세라믹화합물 및 그 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mahapatra et al. Reducing ion migration in methylammonium lead tri-bromide single crystal via lead sulfate passivation
Stritzker et al. Superconductivity in the palladium-hydrogen and the palladium-deuterium systems
Clogston et al. Orbital paramagnetism and the knight shift of d-band superconductors
Lilje et al. Improved surface treatment of the superconducting TESLA cavities
Isagawa Hydrogen absorption and its effect on low‐temperature electric properties of niobium
DE68918489T2 (de) Herstellung von supraleitenden Oxidfilmen durch eine pre-Sauerstoff-Stickstoffglühbehandlung.
Abacherli et al. The influence of Ti doping methods on the high field performance of (Nb, Ta, Ti)/sub 3/Sn multifilamentary wires using Osprey bronze
Huber et al. The effect of nonmagnetic 4 f resonances on the superconducting transition temperature: Th Ce alloys
Takeuchi et al. Development of Nb tube processed Nb3Al multifilamentary superconductor
Nardelli et al. Large critical current density in MgB2 wire using MgB4 as precursor
Han et al. 18O Tracer Study of Si Oxidation in Dry O 2 Using SIMS
JPH08193255A (ja) 超電導合金又は超電導セラミックスの製造方法
Hillenbrand et al. Superconducting Nb3Sn cavities with high quality factors and high critical flux densities
JP2006524751A (ja) 焼結バルブ金属材料の形成方法
Safa High field behavior of SCRF cavities
Ogasawara et al. Magnetic properties of superconducting niobium-tantalum alloys
Chiang et al. Thermal leakage improvement by using a high-work-function Ni electrode in high-κ TiHfO metal–insulator–metal capacitors
Li et al. First-principles study of the composition, structure, and stability of the FeO (111) surface
WO2006073464A2 (en) Superconductors with super high critical temperatures
Hackl et al. Correlation between DLTS and TRXFA measurements of copper and iron contaminations in FZ and CZ silicon wafers; application to gettering efficiencies
Saito et al. Q-Degradation in High Purity Niobium Cavities Dependence on Temperature and RRR Value
DE68926241T2 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterelements mit supraleitendem material
Shimomura Defects Observed in Electron Irradiated Pure Silver by Electron Microscopy
Bodenseher Resistivity and Hall effect measurements in disordered YBCO films
Hemachalam et al. Studies on filamentary Nb 3 Sn wires fabricated by the infiltration method

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040316

A045 Written measure of dismissal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A045

Effective date: 20040727