JPH08193891A - 温度測定用プローブ - Google Patents
温度測定用プローブInfo
- Publication number
- JPH08193891A JPH08193891A JP7023340A JP2334095A JPH08193891A JP H08193891 A JPH08193891 A JP H08193891A JP 7023340 A JP7023340 A JP 7023340A JP 2334095 A JP2334095 A JP 2334095A JP H08193891 A JPH08193891 A JP H08193891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thermocouple
- covered
- temperature
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 59
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/02—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
- G01K7/028—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples using microstructures, e.g. made of silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温の被測定物の温度変化を応答性よく検出
できるようにする。温度測定の空間分解能を向上させ
る。 【構成】 アルミナからなる絶縁性基板１１上に、白金
（Ｐｔ）（８７ｗｔ％）−ロジウム（Ｒｈ）（１３ｗｔ
％）合金粉末のペーストを印刷し、焼成して第１金属膜
１２を形成する。同様に、白金ペーストを印刷し、焼成
して第２金属膜１３を形成する。熱電対の接合部付近を
熱輻射透過性の高いシリコン酸化膜１４で被覆し、それ
以外の部分を熱輻射透過性の悪いアルミナ膜１５で被覆
する。
できるようにする。温度測定の空間分解能を向上させ
る。 【構成】 アルミナからなる絶縁性基板１１上に、白金
（Ｐｔ）（８７ｗｔ％）−ロジウム（Ｒｈ）（１３ｗｔ
％）合金粉末のペーストを印刷し、焼成して第１金属膜
１２を形成する。同様に、白金ペーストを印刷し、焼成
して第２金属膜１３を形成する。熱電対の接合部付近を
熱輻射透過性の高いシリコン酸化膜１４で被覆し、それ
以外の部分を熱輻射透過性の悪いアルミナ膜１５で被覆
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、温度測定用プローブに
関し、特に高温での温度測定に用いられる、成膜技術に
よって形成される熱電対プローブに関するものである。
関し、特に高温での温度測定に用いられる、成膜技術に
よって形成される熱電対プローブに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、メルトシリコンの温度測定など
の用途に用いられるプローブでは、応答性がよいことお
よび分解能が高いことが要求される。従前の高温の温度
測定用プローブでは、熱電対を絶縁性が高くかつ化学的
に安定な保護管内に納めることが一般的であった。しか
し、この構成では、熱電対と保護管との間に隙間ができ
てしまうため、温度応答性が悪く高速の温度変化を精度
よく計測することが困難であった。
の用途に用いられるプローブでは、応答性がよいことお
よび分解能が高いことが要求される。従前の高温の温度
測定用プローブでは、熱電対を絶縁性が高くかつ化学的
に安定な保護管内に納めることが一般的であった。しか
し、この構成では、熱電対と保護管との間に隙間ができ
てしまうため、温度応答性が悪く高速の温度変化を精度
よく計測することが困難であった。
【０００３】他の従来技術としては、絶縁性基板上に印
刷法などの成膜技術によって熱電対を形成し、その上を
絶縁性被膜によって被覆する構造のものが知られてい
る。この場合、絶縁性被膜としては、熱的および化学的
な安定性の高い、例えば耐熱性セラミックなどの膜が用
いられてきた。
刷法などの成膜技術によって熱電対を形成し、その上を
絶縁性被膜によって被覆する構造のものが知られてい
る。この場合、絶縁性被膜としては、熱的および化学的
な安定性の高い、例えば耐熱性セラミックなどの膜が用
いられてきた。
【０００４】このタイプの温度測定用プローブは、熱電
対と絶縁性被膜との間に隙間が形成されることがなく、
しかも熱電対自身が成膜法で薄くかつ小型に形成されて
いるために、温度応答性は上述した保護管内に熱電対を
収容したプローブに比較して改善されている。
対と絶縁性被膜との間に隙間が形成されることがなく、
しかも熱電対自身が成膜法で薄くかつ小型に形成されて
いるために、温度応答性は上述した保護管内に熱電対を
収容したプローブに比較して改善されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、成膜法
で形成されたプローブでは、熱電対そのものの温度応答
性が高いにもかかわらず絶縁性被膜によって被覆されて
いるために、被測定試料の温度変動がこの絶縁性被膜の
熱伝導で伝わることになり、プローブの温度応答性が悪
化している。そのため、早い温度変動をする被測定物質
の温度を正確に測定することができず、なお一層の改善
が求められていた。
で形成されたプローブでは、熱電対そのものの温度応答
性が高いにもかかわらず絶縁性被膜によって被覆されて
いるために、被測定試料の温度変動がこの絶縁性被膜の
熱伝導で伝わることになり、プローブの温度応答性が悪
化している。そのため、早い温度変動をする被測定物質
の温度を正確に測定することができず、なお一層の改善
が求められていた。
【０００６】また、上述した従来例では、熱電対接合部
を含む金属膜全体が同一の絶縁性被膜によって被覆され
ていたため、周囲全体の温度環境の影響を受けることに
なり、空間的分解能の高い測定が困難であった。
を含む金属膜全体が同一の絶縁性被膜によって被覆され
ていたため、周囲全体の温度環境の影響を受けることに
なり、空間的分解能の高い測定が困難であった。
【０００７】電気的絶縁性の被測定物質を測定する場合
には、熱電対上に絶縁性被膜を形成する必要はなくなる
とも考えられるが、高温になっている物質では、一般的
には電気伝導性が増している場合が多く、また、熱電対
を構成する金属膜を保護するために、高温測定用のプロ
ーブでは絶縁性保護被膜を設けることは不可欠である。
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、温度応答性が高く、かつ、分解能の高
い高温測定用プローブを提供しうるようにすることであ
る。
には、熱電対上に絶縁性被膜を形成する必要はなくなる
とも考えられるが、高温になっている物質では、一般的
には電気伝導性が増している場合が多く、また、熱電対
を構成する金属膜を保護するために、高温測定用のプロ
ーブでは絶縁性保護被膜を設けることは不可欠である。
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、温度応答性が高く、かつ、分解能の高
い高温測定用プローブを提供しうるようにすることであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、絶縁性基板（１１）上に、一部の
領域で互いに積層されて熱電対を形成している２種の金
属膜（１２、１３）が形成され、前記金属膜の積層部お
よびその近傍が熱輻射透過性の高い絶縁性材料からなる
被膜（１４）によって被覆され、かつ、上記以外の金属
膜部分が熱輻射透過性の悪い絶縁性材料からなる被膜
（１５）によって被覆されていることを特徴とする温度
測定用プローブ、が提供される。
め、本発明によれば、絶縁性基板（１１）上に、一部の
領域で互いに積層されて熱電対を形成している２種の金
属膜（１２、１３）が形成され、前記金属膜の積層部お
よびその近傍が熱輻射透過性の高い絶縁性材料からなる
被膜（１４）によって被覆され、かつ、上記以外の金属
膜部分が熱輻射透過性の悪い絶縁性材料からなる被膜
（１５）によって被覆されていることを特徴とする温度
測定用プローブ、が提供される。
【０００９】また、本発明によれば、絶縁性基板（２
１）上に、一部の領域で互いに積層されて熱電対を形成
している２種の金属膜（２２、２３）が形成され、前記
金属膜が熱輻射透過性の高い絶縁性材料からなる被膜
（２４）によって被覆され、かつ、前記金属膜の積層部
およびその近傍を除く部分上の前記被膜上には反射膜
（２５）が形成されていることを特徴とする温度測定用
プローブ、が提供される。
１）上に、一部の領域で互いに積層されて熱電対を形成
している２種の金属膜（２２、２３）が形成され、前記
金属膜が熱輻射透過性の高い絶縁性材料からなる被膜
（２４）によって被覆され、かつ、前記金属膜の積層部
およびその近傍を除く部分上の前記被膜上には反射膜
（２５）が形成されていることを特徴とする温度測定用
プローブ、が提供される。
【００１０】
【作用】ここで、熱電対接合部付近での熱の伝わり方に
ついて考えると、熱電対接合部に被測定物質からの温度
変動が伝搬する場合、熱が伝導のみで伝わる場合には、
熱電対の応答性は絶縁膜がいかに熱を伝えやすいかに依
存する。熱伝導率の高いすなわち熱を伝えやすい材料
で、接合部上での絶縁性被膜を作製できるならば、温度
応答性は向上する筈である。しかし、一般的にこの種の
プローブにおける絶縁性被膜に使用される物質はセラミ
ック材料が多く、その多くは熱伝導率は高くない。この
ため、この絶縁性被膜により温度応答性が悪化してい
た。
ついて考えると、熱電対接合部に被測定物質からの温度
変動が伝搬する場合、熱が伝導のみで伝わる場合には、
熱電対の応答性は絶縁膜がいかに熱を伝えやすいかに依
存する。熱伝導率の高いすなわち熱を伝えやすい材料
で、接合部上での絶縁性被膜を作製できるならば、温度
応答性は向上する筈である。しかし、一般的にこの種の
プローブにおける絶縁性被膜に使用される物質はセラミ
ック材料が多く、その多くは熱伝導率は高くない。この
ため、この絶縁性被膜により温度応答性が悪化してい
た。
【００１１】而して、熱は伝導のみならず熱輻射によっ
ても伝達される。この熱輻射は被測定物質から電磁波に
より直接熱伝達するものであるため、これを利用して熱
を検出するようにすれば、早い温度変化にも正確に追随
することができるようになる。そこで、本発明において
は、熱電対接合部分の絶縁性被膜に熱輻射に対する透過
能が高い物質を選択し、これにより温度応答性の向上を
図っている。
ても伝達される。この熱輻射は被測定物質から電磁波に
より直接熱伝達するものであるため、これを利用して熱
を検出するようにすれば、早い温度変化にも正確に追随
することができるようになる。そこで、本発明において
は、熱電対接合部分の絶縁性被膜に熱輻射に対する透過
能が高い物質を選択し、これにより温度応答性の向上を
図っている。
【００１２】また、本発明のプローブでは、熱電対接合
部以外の金属膜を、熱輻射透過性の悪い絶縁性材料によ
り被覆するか、あるいは、赤外線反射膜によって被覆し
ているので、熱電対接合部以外からの温度変動は遮断さ
れるため、熱電対接合部付近のみの被測定物質から放射
される熱輻射だけを感知することが可能になり、温度測
定の空間的分解能が改善される。
部以外の金属膜を、熱輻射透過性の悪い絶縁性材料によ
り被覆するか、あるいは、赤外線反射膜によって被覆し
ているので、熱電対接合部以外からの温度変動は遮断さ
れるため、熱電対接合部付近のみの被測定物質から放射
される熱輻射だけを感知することが可能になり、温度測
定の空間的分解能が改善される。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施例を示
す平面図であり、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ線の断面図で
ある。同図に示されるように、絶縁性基板１１上に第１
金属膜１２と第２金属膜１３とが形成されており、両金
属膜の積層部において熱電対が形成されている。熱電対
の形成されている絶縁性基板１１の先端部はシリコン酸
化膜１４によって被覆され、それ以外の基板表面はアル
ミナ膜１５によって被覆されている。
て説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施例を示
す平面図であり、図１（ｂ）はそのＡ−Ａ線の断面図で
ある。同図に示されるように、絶縁性基板１１上に第１
金属膜１２と第２金属膜１３とが形成されており、両金
属膜の積層部において熱電対が形成されている。熱電対
の形成されている絶縁性基板１１の先端部はシリコン酸
化膜１４によって被覆され、それ以外の基板表面はアル
ミナ膜１５によって被覆されている。
【００１４】本実施例のプローブは次のようにして作製
される。純度９６％のアルミナからなる絶縁性基板１１
上に、白金（Ｐｔ）（８７ｗｔ％）−ロジウム（Ｒｈ）
（１３ｗｔ％）合金粉末のペーストをスクリーン印刷法
にて線幅０．１ｍｍのパターンを印刷し、焼成して第１
金属膜１２を形成する。同様に、白金ペーストを用いて
線幅０．１ｍｍのパターンを印刷し、これを焼成して第
２金属膜１３を形成する。
される。純度９６％のアルミナからなる絶縁性基板１１
上に、白金（Ｐｔ）（８７ｗｔ％）−ロジウム（Ｒｈ）
（１３ｗｔ％）合金粉末のペーストをスクリーン印刷法
にて線幅０．１ｍｍのパターンを印刷し、焼成して第１
金属膜１２を形成する。同様に、白金ペーストを用いて
線幅０．１ｍｍのパターンを印刷し、これを焼成して第
２金属膜１３を形成する。
【００１５】したがって、両金属膜の積層部には、０．
１ｍｍ×０．１ｍｍの接合寸法のＲタイプ熱電対が形成
される。次に、熱電対の接合部付近を石英ガラス膜１４
で被覆し、それ以外の部分をアルミナ膜１５で被覆して
本実施例のプローブの作製が完了する。
１ｍｍ×０．１ｍｍの接合寸法のＲタイプ熱電対が形成
される。次に、熱電対の接合部付近を石英ガラス膜１４
で被覆し、それ以外の部分をアルミナ膜１５で被覆して
本実施例のプローブの作製が完了する。
【００１６】上記のように形成された温度測定用プロー
ブと、比較のために形成した、熱電対用金属膜の全体を
アルミナ膜にて被覆したプローブとを、１４５０℃のシ
リコンメルトに挿入し、熱電対の温度応答が１４５０℃
になるまでの時間を比べたところ、本実施例のものがア
ルミナ膜のみで被覆したものに対して２０％の温度応答
性の向上を示した。
ブと、比較のために形成した、熱電対用金属膜の全体を
アルミナ膜にて被覆したプローブとを、１４５０℃のシ
リコンメルトに挿入し、熱電対の温度応答が１４５０℃
になるまでの時間を比べたところ、本実施例のものがア
ルミナ膜のみで被覆したものに対して２０％の温度応答
性の向上を示した。
【００１７】図２は、本発明の第２の実施例を示す断面
図である。本実施例の、第１の実施例に対する構造上の
相違点は、全体がシリコン酸化膜２４で被覆されている
点と、金属膜の熱電対接合部近辺以外の部分が反射膜２
５にて覆われている薄膜点である。本実施例のプローブ
は以下のように作製される。
図である。本実施例の、第１の実施例に対する構造上の
相違点は、全体がシリコン酸化膜２４で被覆されている
点と、金属膜の熱電対接合部近辺以外の部分が反射膜２
５にて覆われている薄膜点である。本実施例のプローブ
は以下のように作製される。
【００１８】絶縁性基板２１となる純度９６％の未焼成
のアルミナ基板上に、白金（Ｐｔ）（８７ｗｔ％）−ロ
ジウム（Ｒｈ）（１３ｗｔ％）合金粉末のペーストをス
クリーン印刷法にて膜厚８０μｍ、線幅０．１ｍｍのパ
ターンを印刷し、続いて、白金ペーストを用いて膜厚８
０μｍ、線幅０．１ｍｍのパターンを印刷する。さら
に、全面にシリカペーストを印刷する。
のアルミナ基板上に、白金（Ｐｔ）（８７ｗｔ％）−ロ
ジウム（Ｒｈ）（１３ｗｔ％）合金粉末のペーストをス
クリーン印刷法にて膜厚８０μｍ、線幅０．１ｍｍのパ
ターンを印刷し、続いて、白金ペーストを用いて膜厚８
０μｍ、線幅０．１ｍｍのパターンを印刷する。さら
に、全面にシリカペーストを印刷する。
【００１９】焼成して、第１金属膜２２、第２金属膜２
３および石英ガラス膜２４を形成する。これにより、
０．１ｍｍ×０．１ｍｍの接合寸法のＲタイプ熱電対が
形成される。次に、スパッタ法によりタンタル（Ｔａ）
を膜厚１０００Åに堆積し、フォトリソグラフィ法を適
用して熱電対接合部上のタンタル膜を除去する。そし
て、酸化処理を施してタンタル膜の表面をタンタル酸化
膜で被覆してこれを反射膜２５とする。この金属反射膜
に代え、誘電体多層膜の反射膜を用いるようにしてもよ
い。
３および石英ガラス膜２４を形成する。これにより、
０．１ｍｍ×０．１ｍｍの接合寸法のＲタイプ熱電対が
形成される。次に、スパッタ法によりタンタル（Ｔａ）
を膜厚１０００Åに堆積し、フォトリソグラフィ法を適
用して熱電対接合部上のタンタル膜を除去する。そし
て、酸化処理を施してタンタル膜の表面をタンタル酸化
膜で被覆してこれを反射膜２５とする。この金属反射膜
に代え、誘電体多層膜の反射膜を用いるようにしてもよ
い。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による温度
測定用プローブは、成膜技術で形成された熱電対接合部
上を熱輻射透過性の高い絶縁性被膜で被覆し、それ以外
の部分を熱輻射の透過性の低い被膜により被覆したもの
であるので、高温の被測定物質の温度測定において被測
定物質の温度変動を応答性よく測定することが可能とな
る。また、熱電対接合部以外の部分からの温度変化の影
響を遮断することができるので、空間分解能の高い温度
測定用プローブを提供することができる。
測定用プローブは、成膜技術で形成された熱電対接合部
上を熱輻射透過性の高い絶縁性被膜で被覆し、それ以外
の部分を熱輻射の透過性の低い被膜により被覆したもの
であるので、高温の被測定物質の温度測定において被測
定物質の温度変動を応答性よく測定することが可能とな
る。また、熱電対接合部以外の部分からの温度変化の影
響を遮断することができるので、空間分解能の高い温度
測定用プローブを提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す平面図と断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図。
１１、２１ 絶縁性基板 １２、２２ 第１金属膜 １３、２３ 第２金属膜 １４、２４ 石英ガラス膜 １５ アルミナ膜 ２５ 反射膜
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に、一部の領域で互いに積
層されて熱電対を形成している２種の金属膜が形成さ
れ、前記金属膜の積層部およびその近傍が熱輻射透過性
の高い絶縁性材料からなる被膜によって被覆され、か
つ、上記以外の金属膜部分が熱輻射透過性の悪い絶縁性
材料からなる被膜によって被覆されていることを特徴と
する温度測定用プローブ。 - 【請求項２】 前記熱輻射透過性の高い絶縁性材料が石
英ガラスであり、前記熱輻射透過性の悪い絶縁性材料が
セラミック材料であることを特徴とする請求項１記載の
温度測定用プローブ。 - 【請求項３】 絶縁性基板上に、一部の領域で互いに積
層されて熱電対を形成している２種の金属膜が形成さ
れ、前記金属膜が熱輻射透過性の高い絶縁性材料からな
る被膜によって被覆され、かつ、前記金属膜の積層部お
よびその近傍を除く部分上の前記被膜上には反射膜が形
成されていることを特徴とする温度測定用プローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7023340A JP2616476B2 (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | 温度測定用プローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7023340A JP2616476B2 (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | 温度測定用プローブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08193891A true JPH08193891A (ja) | 1996-07-30 |
| JP2616476B2 JP2616476B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=12107871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7023340A Expired - Fee Related JP2616476B2 (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | 温度測定用プローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616476B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11166913A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-06-22 | Riken Corp | ガスセンサ |
| KR100479233B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-03-25 | 동부아남반도체 주식회사 | 온도 센서 제조 방법 |
| JP2007057260A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Osaka City | 温度センサ素子及びその製造方法 |
| CN100389308C (zh) * | 2004-05-26 | 2008-05-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 芯片温测装置及其温测方法 |
| DE102011054803A1 (de) * | 2011-10-25 | 2013-04-25 | Günther Heisskanaltechnik Gmbh | Thermoelement |
| DE102011054804A1 (de) * | 2011-10-25 | 2013-04-25 | Günther Heisskanaltechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Thermoelements |
-
1995
- 1995-01-19 JP JP7023340A patent/JP2616476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11166913A (ja) * | 1997-10-03 | 1999-06-22 | Riken Corp | ガスセンサ |
| KR100479233B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-03-25 | 동부아남반도체 주식회사 | 온도 센서 제조 방법 |
| CN100389308C (zh) * | 2004-05-26 | 2008-05-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 芯片温测装置及其温测方法 |
| JP2007057260A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Osaka City | 温度センサ素子及びその製造方法 |
| DE102011054803A1 (de) * | 2011-10-25 | 2013-04-25 | Günther Heisskanaltechnik Gmbh | Thermoelement |
| DE102011054804A1 (de) * | 2011-10-25 | 2013-04-25 | Günther Heisskanaltechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Thermoelements |
| DE102011054803B4 (de) * | 2011-10-25 | 2014-07-24 | Günther Heisskanaltechnik Gmbh | Heißkanaldüse mit einer Heizung und mit einem Thermoelement |
| DE102011054804B4 (de) * | 2011-10-25 | 2014-08-28 | Günther Heisskanaltechnik Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Thermoelements |
| US9958338B2 (en) | 2011-10-25 | 2018-05-01 | Guenther Heisskanaltechnik Gmbh | Thermocouple with a heater on a substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2616476B2 (ja) | 1997-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101467178B1 (ko) | 열적 측정을 제공하도록 구성된 터빈 구성요소 | |
| JP3494747B2 (ja) | 薄膜温度センサ及びその製造方法 | |
| JP2839418B2 (ja) | 温度センサ | |
| WO2009081748A1 (ja) | 放射測温方法及び放射測温システム | |
| JPS60243549A (ja) | ガスの触媒燃焼用のセンサの製造方法 | |
| CN111579126A (zh) | 一种高温热流传感器 | |
| JPH0244211A (ja) | フローセンサ | |
| JP2616476B2 (ja) | 温度測定用プローブ | |
| Zhou et al. | Combining molten glass with high-melting-point ceramics for ultra-high temperature protection in sensors | |
| US5010315A (en) | Thermal radiation sensor | |
| JPH09329499A (ja) | 赤外線センサ及び赤外線検出器 | |
| JPH0658821A (ja) | 温度センサー | |
| US5652443A (en) | Sensor having a micro-bridge heater | |
| CN111609951A (zh) | 一种厚膜热流计的共形制备方法以及产品 | |
| Lu et al. | Design, fabrication, and performance optimization of a high-temperature thin-film heat flux sensor with a composite protective layer | |
| AU2021101102A4 (en) | High temperature heat flow sensor | |
| AU4496200A (en) | Self-compensated ceramic strain gage for use at high temperatures | |
| US20030006876A1 (en) | Sensor element, in particular a temperature sensor | |
| EP0141580A1 (en) | Glass ceramic materials and the use thereof in thermal sensors | |
| JPS61259580A (ja) | サ−モパイル | |
| US20050098201A1 (en) | Pure metal thermocouple and a normal temperature compensating wire therefor | |
| JPS62139338A (ja) | 測温ウエハ | |
| JPH07113776A (ja) | 接触燃焼式ガスセンサ | |
| JP5590454B2 (ja) | 電気素子、集積素子及び電子回路 | |
| KR20240174589A (ko) | 탄화 규소를 이용한 측온저항체 센서 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |