JPH08194012A - 半導体素子の特性測定装置 - Google Patents
半導体素子の特性測定装置Info
- Publication number
- JPH08194012A JPH08194012A JP534995A JP534995A JPH08194012A JP H08194012 A JPH08194012 A JP H08194012A JP 534995 A JP534995 A JP 534995A JP 534995 A JP534995 A JP 534995A JP H08194012 A JPH08194012 A JP H08194012A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- wafer
- characteristic measuring
- stage
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ステージ上の電極のウエーハ表面の端子電極を
接触させて特性を測定する場合の接触抵抗を低くして、
特性値の誤差を少なくする。 【構成】ステージ上の電極を導電性繊維、導電性樹脂、
導電性ゴムにて形成して柔軟性を持たせ、ウエーハ表面
上に測定針を立てて押圧した際に変形容易にすることに
より、ウエーハに反りがあっても均一な接触抵抗が得ら
れる。
接触させて特性を測定する場合の接触抵抗を低くして、
特性値の誤差を少なくする。 【構成】ステージ上の電極を導電性繊維、導電性樹脂、
導電性ゴムにて形成して柔軟性を持たせ、ウエーハ表面
上に測定針を立てて押圧した際に変形容易にすることに
より、ウエーハに反りがあっても均一な接触抵抗が得ら
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基体の両主面上
に電極を有する縦型構造の半導体素子の特性測定装置に
関する。
に電極を有する縦型構造の半導体素子の特性測定装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電力用半導体素子においては、近年、ま
すます出力特性の高性能化が進んでいる。その性能を極
限まで製品として引き出すために、チップ間の性能ばら
つきを最小限にする必要がある。そのためには、例えば
１００〜５０００個のチップに分割する前の直径１２５
ｍｍのウエーハの状態での特性試験が非常に重要にな
る。なぜなら、同一性能のチップを誤差を最小にして選
別することが製品の性能を左右するからである。電力用
半導体素子は、電流容量を増大させるために、通常縦型
構造が用いられる。従って、ウエーハ裏面側にも端子電
極が形成され、測定の際にはこの端子電極にも測定回路
を接続する必要がある。例えば、トランジスタの場合、
ウエーハ表面側の二つの端子電極に測定針を立て、通常
Ａｌからなるウエーハ裏面の端子電極をステージ上のＡ
ｕ電極に吸引により密着させて測定を行う。
すます出力特性の高性能化が進んでいる。その性能を極
限まで製品として引き出すために、チップ間の性能ばら
つきを最小限にする必要がある。そのためには、例えば
１００〜５０００個のチップに分割する前の直径１２５
ｍｍのウエーハの状態での特性試験が非常に重要にな
る。なぜなら、同一性能のチップを誤差を最小にして選
別することが製品の性能を左右するからである。電力用
半導体素子は、電流容量を増大させるために、通常縦型
構造が用いられる。従って、ウエーハ裏面側にも端子電
極が形成され、測定の際にはこの端子電極にも測定回路
を接続する必要がある。例えば、トランジスタの場合、
ウエーハ表面側の二つの端子電極に測定針を立て、通常
Ａｌからなるウエーハ裏面の端子電極をステージ上のＡ
ｕ電極に吸引により密着させて測定を行う。
【０００３】電力用半導体素子では、この裏面端子電極
とステージ電極との接触面を通じて大電流を流すため、
その間の接触抵抗が大きいと測定誤差が生じる。従っ
て、ウエーハ裏面電極とステージ電極との接触をより良
くするため、図２に示すように基台 (ステージ) ３の上
に載せたウエーハ１の表面に立てる測定針に特別なもの
を用い、大きい圧力５でウエーハ１をステージ３表面の
Ａｕめっき電極２に押しつける方法がとられる。またス
テージ３の電極２の表面の平坦度の良好なものが用いら
れている。
とステージ電極との接触面を通じて大電流を流すため、
その間の接触抵抗が大きいと測定誤差が生じる。従っ
て、ウエーハ裏面電極とステージ電極との接触をより良
くするため、図２に示すように基台 (ステージ) ３の上
に載せたウエーハ１の表面に立てる測定針に特別なもの
を用い、大きい圧力５でウエーハ１をステージ３表面の
Ａｕめっき電極２に押しつける方法がとられる。またス
テージ３の電極２の表面の平坦度の良好なものが用いら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来の測定方法では次のような問題点が存在する。 (1) ウエーハの大口径化およびプロセスの高度化により
ウエーハに発生するそりが大きくなりつつある。 (2) ウエーハ裏面のＡｌ電極の薄膜化により、柔軟性が
低下し、クッション作用が乏しくなっている。
従来の測定方法では次のような問題点が存在する。 (1) ウエーハの大口径化およびプロセスの高度化により
ウエーハに発生するそりが大きくなりつつある。 (2) ウエーハ裏面のＡｌ電極の薄膜化により、柔軟性が
低下し、クッション作用が乏しくなっている。
【０００５】このため、ウエーハ１の裏面電極をステー
ジ電極２に均一に接触させることが困難となり、圧力５
を大きくして無理に接触させようとすると、チップの損
傷が生ずる。本発明の目的は、上述の問題を解決し、チ
ップへの分割前のウエーハの状態での測定の際に半導体
素子の裏面電極と低い接触抵抗で接触させることのでき
るステージ電極を持つ半導体素子の特性測定装置を提供
することにある。
ジ電極２に均一に接触させることが困難となり、圧力５
を大きくして無理に接触させようとすると、チップの損
傷が生ずる。本発明の目的は、上述の問題を解決し、チ
ップへの分割前のウエーハの状態での測定の際に半導体
素子の裏面電極と低い接触抵抗で接触させることのでき
るステージ電極を持つ半導体素子の特性測定装置を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、チップに分割する前のウエーハの状態
でウエーハ裏面の素子端子電極に基台表面上の電極を接
触させて各素子領域毎に特性を測定する半導体素子の特
性測定装置において、基台表面上の電極が加圧によって
変形容易な材料よりなるものとする。変形容易な材料が
基台表面に個々に固着された導電性繊維であることが良
い。その導電性繊維が金よりなることが望ましい。変形
容易な材料が導電性樹脂あるいは高導電性ゴムであるこ
とも良い。
めに、本発明は、チップに分割する前のウエーハの状態
でウエーハ裏面の素子端子電極に基台表面上の電極を接
触させて各素子領域毎に特性を測定する半導体素子の特
性測定装置において、基台表面上の電極が加圧によって
変形容易な材料よりなるものとする。変形容易な材料が
基台表面に個々に固着された導電性繊維であることが良
い。その導電性繊維が金よりなることが望ましい。変形
容易な材料が導電性樹脂あるいは高導電性ゴムであるこ
とも良い。
【０００７】
【作用】基台表面上の電極を、導電性繊維、導電性樹
脂、導電性ゴムなどよりなる柔軟性電極とすると、半導
体素子製造の中間段階のウエーハの状態で素子特性を測
定する際に、ウエーハ裏面の素子の端子電極を基台上の
電極に接触させたときにその電極が容易に変形するの
で、低い接触抵抗での接触が実現する。
脂、導電性ゴムなどよりなる柔軟性電極とすると、半導
体素子製造の中間段階のウエーハの状態で素子特性を測
定する際に、ウエーハ裏面の素子の端子電極を基台上の
電極に接触させたときにその電極が容易に変形するの
で、低い接触抵抗での接触が実現する。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の各実施例の半導体素子特性測
定装置に共通な断面図で、図２と共通の部分には同一の
符号が付されている。図における金属製ステージ３の上
には柔軟性電極６が形成されている。この柔軟性電極６
はその上にウエーハ１を載せ、測定針４により圧力５を
加えたとき、小さい圧力でも容易に変形し、ウエーハに
そりがある場合でも低い接触抵抗で接触する。
定装置に共通な断面図で、図２と共通の部分には同一の
符号が付されている。図における金属製ステージ３の上
には柔軟性電極６が形成されている。この柔軟性電極６
はその上にウエーハ１を載せ、測定針４により圧力５を
加えたとき、小さい圧力でも容易に変形し、ウエーハに
そりがある場合でも低い接触抵抗で接触する。
【０００９】図３ (ａ) 、 (ｂ) は本発明の一実施例の
半導体素子特性測定装置の柔軟性電極を拡大して示し、
基台３の表面上には、蒸着あるいはスパッタで形成され
た金の膜をフォトエッチングによりパターニングして形
成された金繊維６１が同心円状に被着している。この
際、各金繊維６１の幅が高さに比して大きくなりすぎる
と、加圧によって変形しにくくなるため、幅を金膜の厚
さと同程度あるいはそれ以下とすることが望ましい。他
の実施例では、柔軟性電極を銀ペーストのような導電性
樹脂あるいは導電性ゴムによって形成する。
半導体素子特性測定装置の柔軟性電極を拡大して示し、
基台３の表面上には、蒸着あるいはスパッタで形成され
た金の膜をフォトエッチングによりパターニングして形
成された金繊維６１が同心円状に被着している。この
際、各金繊維６１の幅が高さに比して大きくなりすぎる
と、加圧によって変形しにくくなるため、幅を金膜の厚
さと同程度あるいはそれ以下とすることが望ましい。他
の実施例では、柔軟性電極を銀ペーストのような導電性
樹脂あるいは導電性ゴムによって形成する。
【００１０】
【発明の効果】本発明は、電力用などの半導体素子のチ
ップ分割前の特性測定に用いる装置の基台電極を変形容
易な材料によって形成したことにより、下記のような効
果が得られた。 (1) 素子の裏面電極と基台電極間の接触抵抗のばらつき
がなくなり、測定精度が向上した。その結果、製造され
た半導体素子の製品の特性ばらつきが解消され、特性が
全体的に向上した。
ップ分割前の特性測定に用いる装置の基台電極を変形容
易な材料によって形成したことにより、下記のような効
果が得られた。 (1) 素子の裏面電極と基台電極間の接触抵抗のばらつき
がなくなり、測定精度が向上した。その結果、製造され
た半導体素子の製品の特性ばらつきが解消され、特性が
全体的に向上した。
【００１１】(2) 測定マージン誤差が狭くでき、良品率
が向上すると共に、品質指標の確立が可能となった。
が向上すると共に、品質指標の確立が可能となった。
【図１】本発明の実施例の半導体素子特性装置の断面図
【図２】従来の半導体素子特性装置の断面図
【図３】本発明の一実施例の半導体素子特性測定装置の
柔軟性電極部を示し、 (ａ) が断面図、 (ｂ) が平面図
柔軟性電極部を示し、 (ａ) が断面図、 (ｂ) が平面図
１ ウエーハ ３ ステージ ４ 測定針 ６ 柔軟性電極 ６１ 金繊維
Claims (5)
- 【請求項１】チップに分割する前のウエーハの状態でウ
エーハ裏面の素子端子電極に基台表面上の電極を接触さ
せて各素子領域毎に特性を測定するものにおいて、基台
表面上の電極が加圧によって変形容易な材料よりなるこ
とを特徴とする半導体素子の特性測定装置。 - 【請求項２】変形容易な材料が基台表面に個々に固着さ
れた導電性繊維である請求項１記載の半導体素子の特性
測定装置。 - 【請求項３】導電性繊維が金よりなる請求項２記載の半
導体素子の特性測定装置。 - 【請求項４】変形容易な材料が導電性樹脂である請求項
１記載の半導体素子の特性測定装置。 - 【請求項５】変形容易な材料が導電性ゴムである請求項
１記載の半導体素子の特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP534995A JPH08194012A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 半導体素子の特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP534995A JPH08194012A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 半導体素子の特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08194012A true JPH08194012A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11608730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP534995A Pending JPH08194012A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 半導体素子の特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08194012A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337247A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の試験装置および試験方法 |
| JP2011174946A (ja) * | 2011-06-02 | 2011-09-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子の試験方法 |
| US8471585B2 (en) | 2009-08-27 | 2013-06-25 | Tokyo Electron Limited | Method for evaluating semiconductor device |
| CN105527319A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-27 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 介电阻抗谱仪样品夹具 |
| JP2016076662A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法 |
-
1995
- 1995-01-18 JP JP534995A patent/JPH08194012A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337247A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体素子の試験装置および試験方法 |
| US8471585B2 (en) | 2009-08-27 | 2013-06-25 | Tokyo Electron Limited | Method for evaluating semiconductor device |
| JP2011174946A (ja) * | 2011-06-02 | 2011-09-08 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体素子の試験方法 |
| JP2016076662A (ja) * | 2014-10-08 | 2016-05-12 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶ウェーハの評価方法 |
| CN105527319A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-27 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 介电阻抗谱仪样品夹具 |
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