JPH08194305A - フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの検査装置 - Google Patents
フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの検査装置Info
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- JPH08194305A JPH08194305A JP616095A JP616095A JPH08194305A JP H08194305 A JPH08194305 A JP H08194305A JP 616095 A JP616095 A JP 616095A JP 616095 A JP616095 A JP 616095A JP H08194305 A JPH08194305 A JP H08194305A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims abstract description 41
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置等の製造工程中のフォトリソグラ
フィー工程で使用されるフォトマスク中の繰り返し誤差
を高精度に測定する。 【構成】 所定の繰り返し周期を有する部分パターンか
らなるパターンを有するフォトマスクの検査が前提であ
る。フォトマスク１をコヒーレント光源４で照明し、そ
の反射光又は透過光に含まれるフォトマスクパターンを
凸レンズ５でフーリエ変換し、アパーチャー６によりこ
のフーリエ変換により得られる空間周波数スペクトル中
の所定周期の逆数である繰り返し周波数以上の周波数成
分を除去し、フォトダイオードアレイ７によりこの空間
周波数スペクトルを分析する。例えば、半導体メモリの
フォトリソグラフィー工程で使用されるフォトマスクで
は、メモリセルアレイ中の単位メモリセルに関する情報
は除去され、繰り返し誤差に関する情報のみが空間周波
数スペクトルのピークとして得られる。
フィー工程で使用されるフォトマスク中の繰り返し誤差
を高精度に測定する。 【構成】 所定の繰り返し周期を有する部分パターンか
らなるパターンを有するフォトマスクの検査が前提であ
る。フォトマスク１をコヒーレント光源４で照明し、そ
の反射光又は透過光に含まれるフォトマスクパターンを
凸レンズ５でフーリエ変換し、アパーチャー６によりこ
のフーリエ変換により得られる空間周波数スペクトル中
の所定周期の逆数である繰り返し周波数以上の周波数成
分を除去し、フォトダイオードアレイ７によりこの空間
周波数スペクトルを分析する。例えば、半導体メモリの
フォトリソグラフィー工程で使用されるフォトマスクで
は、メモリセルアレイ中の単位メモリセルに関する情報
は除去され、繰り返し誤差に関する情報のみが空間周波
数スペクトルのピークとして得られる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一定の部分パターンが
繰り返されたパターンを有するフォトマスクの検査方法
およびフォトマスクの検査装置に関するものである。
繰り返されたパターンを有するフォトマスクの検査方法
およびフォトマスクの検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来技術】従来より、紫外線を含む光やＸ線を用いた
フォトリソグラフィは、半導体装置の製造工程などの際
に施される微細加工に広く応用されている。半導体装置
は、半導体基板に成膜工程、マスク工程、エッチング工
程などの処理を繰り返して実施することにより完成され
る。以上の各工程のうちマスク工程は、感光性材料を含
有する複合有機材料であるフォトレジストを半導体基板
表面に塗布し、近接露光装置又は投影露光装置を用いて
フォトマスクのパターンをフォトレジスト表面に結像・
露光し、現像することによって、半導体基板上にフォト
レジストで所望のパターンを形成する工程である。した
がって、フォトマスクは、フォトリソグラフィーを行う
上で非常に重要な役割を果たす部材である。
フォトリソグラフィは、半導体装置の製造工程などの際
に施される微細加工に広く応用されている。半導体装置
は、半導体基板に成膜工程、マスク工程、エッチング工
程などの処理を繰り返して実施することにより完成され
る。以上の各工程のうちマスク工程は、感光性材料を含
有する複合有機材料であるフォトレジストを半導体基板
表面に塗布し、近接露光装置又は投影露光装置を用いて
フォトマスクのパターンをフォトレジスト表面に結像・
露光し、現像することによって、半導体基板上にフォト
レジストで所望のパターンを形成する工程である。した
がって、フォトマスクは、フォトリソグラフィーを行う
上で非常に重要な役割を果たす部材である。
【０００３】ここで、従来のフォトマスクの検査方法お
よびフォトマスクの検査装置について、図面を参照しな
がら説明する。ただし、一般的には所望のパターンと同
一寸法のものをフォトマスクと呼び、所望のパターンを
拡大したものをレチクルと呼ぶが、ここでは区別せず、
どちらも単にフォトマスクと呼ぶ。
よびフォトマスクの検査装置について、図面を参照しな
がら説明する。ただし、一般的には所望のパターンと同
一寸法のものをフォトマスクと呼び、所望のパターンを
拡大したものをレチクルと呼ぶが、ここでは区別せず、
どちらも単にフォトマスクと呼ぶ。
【０００４】図２は、同一の回路を多数含む半導体記憶
装置などのフォトマスクの平面構造を簡略化して示す図
であり、図３は、このフォトマスクの誤差を説明するた
めの図である。図２及び図３において、１はフォトマス
ク、２は単位セル、３は周辺回路パターンである。フォ
トマスク１には、石英ガラスなど光の透過率の高い物質
上にクロム薄膜など光を透過しない物質で回路パターン
が描かれている。図２及び図３に示す構成では、単位セ
ル２（単位回路素子に対応するパターン）が周辺回路パ
ターン３に囲まれて、ｘ，ｙ方向にそれぞれ一定ピッチ
ｐx ，ｐy で周期的に配置されている。また、ｓは周辺
回路３の広さを示す。ただし、実際のフォトマスク１に
は、図３に摸式的に示したように、例えば１００単位セ
ル毎に座標誤差ｅがある。これを繰り返し誤差と呼ぶ。
繰り返し誤差は、主に、フォトマスクパターンをいくつ
かの領域に分割して描画する際に、分割した領域の境界
で発生する。
装置などのフォトマスクの平面構造を簡略化して示す図
であり、図３は、このフォトマスクの誤差を説明するた
めの図である。図２及び図３において、１はフォトマス
ク、２は単位セル、３は周辺回路パターンである。フォ
トマスク１には、石英ガラスなど光の透過率の高い物質
上にクロム薄膜など光を透過しない物質で回路パターン
が描かれている。図２及び図３に示す構成では、単位セ
ル２（単位回路素子に対応するパターン）が周辺回路パ
ターン３に囲まれて、ｘ，ｙ方向にそれぞれ一定ピッチ
ｐx ，ｐy で周期的に配置されている。また、ｓは周辺
回路３の広さを示す。ただし、実際のフォトマスク１に
は、図３に摸式的に示したように、例えば１００単位セ
ル毎に座標誤差ｅがある。これを繰り返し誤差と呼ぶ。
繰り返し誤差は、主に、フォトマスクパターンをいくつ
かの領域に分割して描画する際に、分割した領域の境界
で発生する。
【０００５】ところで、近年、半導体装置の微細化に伴
い、半導体装置の製造時における最小加工寸法は0.5 〜
0.35μｍに至っており、要求される寸法精度は0.02μｍ
以下である。特に、半導体記憶装置など同一の回路素子
が一定の周期で繰り返されて形成される半導体装置で
は、高い繰り返し精度が要求される。この繰り返し精度
は寸法精度よりも高い精度が要求され、0.01μｍ以下で
ある。そして、これらの加工寸法の精度を得るために、
フォトマスク１には半導体装置の加工寸法精度に露光倍
率を乗じた寸法精度が求められる。
い、半導体装置の製造時における最小加工寸法は0.5 〜
0.35μｍに至っており、要求される寸法精度は0.02μｍ
以下である。特に、半導体記憶装置など同一の回路素子
が一定の周期で繰り返されて形成される半導体装置で
は、高い繰り返し精度が要求される。この繰り返し精度
は寸法精度よりも高い精度が要求され、0.01μｍ以下で
ある。そして、これらの加工寸法の精度を得るために、
フォトマスク１には半導体装置の加工寸法精度に露光倍
率を乗じた寸法精度が求められる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
フォトマスクの検査方法では、フォトマスク上のパター
ン欠陥の検出、パターン寸法の測定、パターンの絶対座
標の測定等を行うことはできるものの、パターンの繰り
返し誤差を測定する適切な方法がなかった。例えばパタ
ーンの絶対座標の測定精度は寸法測定精度よりも５倍か
ら１０倍低いので、繰り返し誤差の測定にはほとんど有
用たり得なかった。
フォトマスクの検査方法では、フォトマスク上のパター
ン欠陥の検出、パターン寸法の測定、パターンの絶対座
標の測定等を行うことはできるものの、パターンの繰り
返し誤差を測定する適切な方法がなかった。例えばパタ
ーンの絶対座標の測定精度は寸法測定精度よりも５倍か
ら１０倍低いので、繰り返し誤差の測定にはほとんど有
用たり得なかった。
【０００７】本発明は斯かる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、フォトマスク上の繰り返し誤差と各
単位セルの寸法誤差等との周期の相違に着目し、フォト
マスクの像をフーリエ変換して得られる空間周波数スペ
クトルに基づき、高い精度で繰り返し誤差を検出し得る
フォトマスクの検出方法及びフォトマスクの検出装置を
提供することにある。
あり、その目的は、フォトマスク上の繰り返し誤差と各
単位セルの寸法誤差等との周期の相違に着目し、フォト
マスクの像をフーリエ変換して得られる空間周波数スペ
クトルに基づき、高い精度で繰り返し誤差を検出し得る
フォトマスクの検出方法及びフォトマスクの検出装置を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、フォトマスク上の繰り返しパターンを
フーリエ変換し、単位回路素子の繰り返しパターンの空
間周波数スペクトルを求める。繰り返しパターンの繰り
返し周波数（空間周波数）以下の空間周波数成分を選択
的に検出し、その分布と強度を求める。
に、本発明では、フォトマスク上の繰り返しパターンを
フーリエ変換し、単位回路素子の繰り返しパターンの空
間周波数スペクトルを求める。繰り返しパターンの繰り
返し周波数（空間周波数）以下の空間周波数成分を選択
的に検出し、その分布と強度を求める。
【０００９】具体的に請求項１の発明が講じた手段は、
同一の部分パターンが所定の繰り返し周期で配置されて
なるパターンを有するフォトマスクの検査方法として、
上記フォトマスクパターンを抽出するステップと、抽出
されたフォトマスクパターンをフーリエ変換するステッ
プと、フォトマスクパターンのフーリエ変換により得ら
れる空間周波数スペクトルから、上記繰り返し周期の逆
数である繰り返し周波数以上の周波数成分を除去するス
テップと、上記繰り返し周波数以上の周波数成分が除去
された空間周波数スペクトルに基づき上記部分パターン
の繰り返し誤差を検出するステップとを設ける方法であ
る。
同一の部分パターンが所定の繰り返し周期で配置されて
なるパターンを有するフォトマスクの検査方法として、
上記フォトマスクパターンを抽出するステップと、抽出
されたフォトマスクパターンをフーリエ変換するステッ
プと、フォトマスクパターンのフーリエ変換により得ら
れる空間周波数スペクトルから、上記繰り返し周期の逆
数である繰り返し周波数以上の周波数成分を除去するス
テップと、上記繰り返し周波数以上の周波数成分が除去
された空間周波数スペクトルに基づき上記部分パターン
の繰り返し誤差を検出するステップとを設ける方法であ
る。
【００１０】請求項２の発明の講じた手段は、請求項１
のフォトマスクの検査方法において、上記フーリエ変換
するステップでは、凸レンズのフーリエ変換作用を利用
する方法である。
のフォトマスクの検査方法において、上記フーリエ変換
するステップでは、凸レンズのフーリエ変換作用を利用
する方法である。
【００１１】請求項３の発明の講じた手段は、請求項１
又は２のフォトマスクの検査方法において、上記部分パ
ターンの繰り返し誤差を検出するステップでは、繰り返
し周波数以上の周波数成分が除去された空間周波数スペ
クトルをフーリエ逆変換して得られた実像から部分パタ
ーンの繰り返し誤差を検出する方法である。
又は２のフォトマスクの検査方法において、上記部分パ
ターンの繰り返し誤差を検出するステップでは、繰り返
し周波数以上の周波数成分が除去された空間周波数スペ
クトルをフーリエ逆変換して得られた実像から部分パタ
ーンの繰り返し誤差を検出する方法である。
【００１２】請求項４の発明の講じた手段は、請求項３
のフォトマスクの検査方法において、上記フーリエ逆変
換を行うときには、凸レンズのフーリエ逆変換作用を利
用する方法である。
のフォトマスクの検査方法において、上記フーリエ逆変
換を行うときには、凸レンズのフーリエ逆変換作用を利
用する方法である。
【００１３】請求項５の発明の講じた手段は、同一の部
分パターンが繰り返し周期で配置されてなるパターンを
有するフォトマスクの検査装置として、上記フォトマス
クにコヒーレント光を照射するためのコヒーレント光源
と、上記フォトマスクから反射又は透過されたコヒーレ
ント光の有するフォトマスクパターンをフーリエ変換す
るフーリエ変換手段と、上記フーリエ変換手段で変換さ
れて得られるフォトマスクパターンの空間周波数スペク
トルのうち上記繰り返し周期の逆数である繰り返し周波
数以上の周波数成分を選択的に除去するフィルタ手段
と、上記フーリエ変換手段及びフィルタ手段を経た空間
周波数スペクトルに基づき上記部分パターンの繰り返し
誤差を検出する誤差検出手段とを設ける方法である。
分パターンが繰り返し周期で配置されてなるパターンを
有するフォトマスクの検査装置として、上記フォトマス
クにコヒーレント光を照射するためのコヒーレント光源
と、上記フォトマスクから反射又は透過されたコヒーレ
ント光の有するフォトマスクパターンをフーリエ変換す
るフーリエ変換手段と、上記フーリエ変換手段で変換さ
れて得られるフォトマスクパターンの空間周波数スペク
トルのうち上記繰り返し周期の逆数である繰り返し周波
数以上の周波数成分を選択的に除去するフィルタ手段
と、上記フーリエ変換手段及びフィルタ手段を経た空間
周波数スペクトルに基づき上記部分パターンの繰り返し
誤差を検出する誤差検出手段とを設ける方法である。
【００１４】請求項６の発明の講じた手段は、請求項５
のフォトマスクの検査装置において、上記コヒーレント
光源を光軸に平行な光を供給するものとし、上記フーリ
エ変換手段を、上記フォトマスクを介し上記コヒーレン
ト光源に対向する側でフォトマスクから自己の前側焦点
距離だけ離れた位置に配置される凸レンズで構成し、上
記フィルタ手段を、上記凸レンズのいずれかの側で近接
して配置され所定形状の開口部を有するアパーチャーで
構成する。そして、上記誤差検出手段に、上記凸レンズ
の後側焦点位置に配置された光強度分布検出器を設ける
構成としたものである。
のフォトマスクの検査装置において、上記コヒーレント
光源を光軸に平行な光を供給するものとし、上記フーリ
エ変換手段を、上記フォトマスクを介し上記コヒーレン
ト光源に対向する側でフォトマスクから自己の前側焦点
距離だけ離れた位置に配置される凸レンズで構成し、上
記フィルタ手段を、上記凸レンズのいずれかの側で近接
して配置され所定形状の開口部を有するアパーチャーで
構成する。そして、上記誤差検出手段に、上記凸レンズ
の後側焦点位置に配置された光強度分布検出器を設ける
構成としたものである。
【００１５】請求項７の発明の講じた手段は、請求項５
のフォトマスク検査装置において、上記誤差検出手段
に、上記フーリエ変換手段及びフィルタ手段を介して得
られた空間周波数スペクトルをフーリエ逆変換するフー
リエ逆変換手段と、該フーリエ変換手段により形成され
た実像パターンの光強度分布を検出する光強度分布検出
器とを設ける構成としたものである。
のフォトマスク検査装置において、上記誤差検出手段
に、上記フーリエ変換手段及びフィルタ手段を介して得
られた空間周波数スペクトルをフーリエ逆変換するフー
リエ逆変換手段と、該フーリエ変換手段により形成され
た実像パターンの光強度分布を検出する光強度分布検出
器とを設ける構成としたものである。
【００１６】請求項８の発明の講じた手段は、請求項７
のフォトマスクの検査装置において、上記コヒーレント
光源を光軸に平行な光を供給するものとし、上記フーリ
エ変換手段を上記フォトマスクを介し上記コヒーレント
光源に対向する側でフォトマスクから自己の前側焦点距
離だけ離れた位置に配置される第１凸レンズで構成し、
上記フィルタ手段を、上記第１凸レンズのいずれかの側
で近接して配置され所定形状の開口部を有するアパーチ
ャーで構成し、上記フーリエ逆変換手段を、上記第１凸
レンズの光軸上で第１凸レンズの後側焦点位置からさら
に自己の前側焦点距離だけ離れた位置に第１凸レンズと
は光軸を一致させて配置される第２凸レンズで構成し、
上記光強度検出器を、上記第２凸レンズの後側焦点位置
に配置したものである。
のフォトマスクの検査装置において、上記コヒーレント
光源を光軸に平行な光を供給するものとし、上記フーリ
エ変換手段を上記フォトマスクを介し上記コヒーレント
光源に対向する側でフォトマスクから自己の前側焦点距
離だけ離れた位置に配置される第１凸レンズで構成し、
上記フィルタ手段を、上記第１凸レンズのいずれかの側
で近接して配置され所定形状の開口部を有するアパーチ
ャーで構成し、上記フーリエ逆変換手段を、上記第１凸
レンズの光軸上で第１凸レンズの後側焦点位置からさら
に自己の前側焦点距離だけ離れた位置に第１凸レンズと
は光軸を一致させて配置される第２凸レンズで構成し、
上記光強度検出器を、上記第２凸レンズの後側焦点位置
に配置したものである。
【００１７】請求項９の発明の講じた手段は、請求項７
のフォトマスクの検査装置において、上記フーリエ変換
手段及びフーリエ逆変換手段を１つの凸レンズにより構
成し、上記フィルタ手段を、上記凸レンズのいずれかの
側で近接して配置され多数の細孔を有する多孔アパーチ
ャーで構成し、上記光強度分布検出器を、上記凸レンズ
の後面の結像の条件を満たす位置に配置したものであ
る。
のフォトマスクの検査装置において、上記フーリエ変換
手段及びフーリエ逆変換手段を１つの凸レンズにより構
成し、上記フィルタ手段を、上記凸レンズのいずれかの
側で近接して配置され多数の細孔を有する多孔アパーチ
ャーで構成し、上記光強度分布検出器を、上記凸レンズ
の後面の結像の条件を満たす位置に配置したものであ
る。
【００１８】
【作用】以上の方法又は装置により、各請求項では、以
下の作用が得られる。
下の作用が得られる。
【００１９】請求項１又は５の発明では、繰り返し誤差
はフォトマスク上に一定の周期で生じるが、その周期は
部分パターンの繰り返し周期の１０〜１００倍程度と長
い。そして、フォトマスクパターンをフーリエ変換して
得られる空間周波数スペクトルのうち、部分パターンの
繰り返し周期の逆数である繰り返し周波数以上の周波数
成分には、単位セルの寸法誤差等の短い周期の誤差が含
まれており、繰り返し周波数よりも小さい周波数成分に
繰り返し誤差に関する情報が含まれている。したがっ
て、フーリエ変換により得られた空間周波数スペクトル
のうち繰り返し周波数以上の周波数成分を除去すること
で、繰り返し誤差に関する情報のみが残される。したが
って、残存する空間周波数スペクトルを検出すること
で、部分パターンの繰り返し誤差が検出されることにな
る。
はフォトマスク上に一定の周期で生じるが、その周期は
部分パターンの繰り返し周期の１０〜１００倍程度と長
い。そして、フォトマスクパターンをフーリエ変換して
得られる空間周波数スペクトルのうち、部分パターンの
繰り返し周期の逆数である繰り返し周波数以上の周波数
成分には、単位セルの寸法誤差等の短い周期の誤差が含
まれており、繰り返し周波数よりも小さい周波数成分に
繰り返し誤差に関する情報が含まれている。したがっ
て、フーリエ変換により得られた空間周波数スペクトル
のうち繰り返し周波数以上の周波数成分を除去すること
で、繰り返し誤差に関する情報のみが残される。したが
って、残存する空間周波数スペクトルを検出すること
で、部分パターンの繰り返し誤差が検出されることにな
る。
【００２０】請求項２又は６の発明では、凸レンズのフ
ーリエ変換作用を利用することで、簡素な構成で繰り返
し誤差を検出することが可能になる。
ーリエ変換作用を利用することで、簡素な構成で繰り返
し誤差を検出することが可能になる。
【００２１】請求項３又は７の発明では、元のフォトマ
スクの形状に対応したパターンから繰り返し誤差に関す
る情報が得られるので、繰り返し誤差を算出するための
演算処理等が迅速かつ容易となる。
スクの形状に対応したパターンから繰り返し誤差に関す
る情報が得られるので、繰り返し誤差を算出するための
演算処理等が迅速かつ容易となる。
【００２２】請求項４又は８の発明では、凸レンズのフ
ーリエ逆変換作用を利用することで、簡素な構成で繰り
返し誤差を検出することが可能になる。
ーリエ逆変換作用を利用することで、簡素な構成で繰り
返し誤差を検出することが可能になる。
【００２３】請求項９の発明では、凸レンズを介してフ
ーリエ変換作用とフーリエ逆変換作用とが同時に行わ
れ、かつ多孔アパーチャーによって凸レンズの各部を通
過する光の高周波数成分が除去されるので、繰り返し誤
差に関する情報が元のフォトマスクに対応した実像から
得られる。
ーリエ変換作用とフーリエ逆変換作用とが同時に行わ
れ、かつ多孔アパーチャーによって凸レンズの各部を通
過する光の高周波数成分が除去されるので、繰り返し誤
差に関する情報が元のフォトマスクに対応した実像から
得られる。
【００２４】
（第１実施例）以下、本発明の第１実施例について、図
１〜図６を参照しながら説明する。
１〜図６を参照しながら説明する。
【００２５】ここで、図１はフォトマスクの検査方法を
示すフロ―チャ―ト、図２はフォトマスクの平面構造を
簡略化して示す図、図３はフォトマスクの繰り返し誤差
を説明する図、図４はフォトマスクパターンのフーリエ
変換で得られる空間周波数スペクトルを示す図、図５は
フーリエ変換後に空間フィルタを通過した後の空間周波
数スペクトルを示す図、図６は第１実施例に係るフォト
マスクの検査装置を示す図である。図１〜図６におい
て、１はフォトマスク、２は単位セル、３は周辺回路パ
ターン、４はコヒーレント光源、５は凸レンズ、６はア
パーチャー、７はフォトダイオードアレイである。図６
において、コヒーレント光源４は波長λのコヒーレント
な平行光を発し、フォトマスク１を照明する。凸レンズ
５は球面レンズで焦点距離はｆである。アパーチャー６
は直径Ｄの円形開口を有する。フォトダイーオードアレ
イ７は光強度の位置分布を検出可能である。
示すフロ―チャ―ト、図２はフォトマスクの平面構造を
簡略化して示す図、図３はフォトマスクの繰り返し誤差
を説明する図、図４はフォトマスクパターンのフーリエ
変換で得られる空間周波数スペクトルを示す図、図５は
フーリエ変換後に空間フィルタを通過した後の空間周波
数スペクトルを示す図、図６は第１実施例に係るフォト
マスクの検査装置を示す図である。図１〜図６におい
て、１はフォトマスク、２は単位セル、３は周辺回路パ
ターン、４はコヒーレント光源、５は凸レンズ、６はア
パーチャー、７はフォトダイオードアレイである。図６
において、コヒーレント光源４は波長λのコヒーレント
な平行光を発し、フォトマスク１を照明する。凸レンズ
５は球面レンズで焦点距離はｆである。アパーチャー６
は直径Ｄの円形開口を有する。フォトダイーオードアレ
イ７は光強度の位置分布を検出可能である。
【００２６】まず、本実施例のフォトマスクの検査方法
について、図１のフロ―チャ―トを参照しながら説明す
る。なお、図２，図３の各部の符号の意味は、すでに説
明したとおりであるが、以下実施例の説明では、簡単の
ため、フォトマスクパターンを一次元関数として扱う。
について、図１のフロ―チャ―トを参照しながら説明す
る。なお、図２，図３の各部の符号の意味は、すでに説
明したとおりであるが、以下実施例の説明では、簡単の
ため、フォトマスクパターンを一次元関数として扱う。
【００２７】まず、ステップＳＴ１で、図３のようなフ
ォトマスクからフォトマスクパターンを抽出し、ステッ
プＳＴ２で、そのフォトマスクパターンをフーリエ変換
する。このとき、図４に示すようなフォトマスクパター
ンの空間周波数スペクトルを得る。
ォトマスクからフォトマスクパターンを抽出し、ステッ
プＳＴ２で、そのフォトマスクパターンをフーリエ変換
する。このとき、図４に示すようなフォトマスクパター
ンの空間周波数スペクトルを得る。
【００２８】ここで、フーリエ変換は例えば以下のよう
に定義できる。フォトマスクパターンをフォトマスク上
の座標ｘの関数としてｇ（ｘ）とあらわすと、下記式 Ｇ（ν）＝Integ.｛ｇ（ｘ）ｅｘｐ（ｉ２πｘν）｝ｄｘ による関数ｇ（ｘ）からＧ（ν）への変換をフーリエ変
換という。ただし、上記式において、Integ.は積分を意
味する。ここで、νはｘと共役な空間周波数をあらわ
す。Ｇ（ν）をｇ（ｘ）のフーリエ変換像と呼ぶ。ある
いは、Ｇ（ν）をｇ（ｘ）のフーリエ変換ともいう。
に定義できる。フォトマスクパターンをフォトマスク上
の座標ｘの関数としてｇ（ｘ）とあらわすと、下記式 Ｇ（ν）＝Integ.｛ｇ（ｘ）ｅｘｐ（ｉ２πｘν）｝ｄｘ による関数ｇ（ｘ）からＧ（ν）への変換をフーリエ変
換という。ただし、上記式において、Integ.は積分を意
味する。ここで、νはｘと共役な空間周波数をあらわ
す。Ｇ（ν）をｇ（ｘ）のフーリエ変換像と呼ぶ。ある
いは、Ｇ（ν）をｇ（ｘ）のフーリエ変換ともいう。
【００２９】ここで、図４に示すνP はフォトマスク１
上の単位セル間ピッチｐに対応してνP ＝１／ｐにより
求められる空間周波数であり、この周波数νP でスペク
トルはピークを持つ。同様のピークはνP の上下にも見
られ、νP よりも高い空間周波数νH1，νH2のピークは
単位セル内の回路パターンを反映していて、νH1＝２ν
P ，νH2＝３νP の関係を満たしている。
上の単位セル間ピッチｐに対応してνP ＝１／ｐにより
求められる空間周波数であり、この周波数νP でスペク
トルはピークを持つ。同様のピークはνP の上下にも見
られ、νP よりも高い空間周波数νH1，νH2のピークは
単位セル内の回路パターンを反映していて、νH1＝２ν
P ，νH2＝３νP の関係を満たしている。
【００３０】図４に示されるνP よりも周波数の低いス
ペクトル成分は、周辺回路パターンと単位セル２の繰り
返し誤差とに対応し、そのうちνS 以下の周波数成分が
周辺回路パターンのスペクトルである。νS はフォトマ
スク１のセル領域の広さｓから求められる。通常、単位
セル２はフォトマスク１のｘ，ｙ方向にそれぞれ１００
０コ以上配置されている。すなわち、ｓ＞１０００ｐで
あるから、周辺回路パターン３のスペクトルはνP ／１
０００以下に広く分布している。そして、主にνS 〜ν
P の範囲に繰り返し誤差の情報が含まれている。特に、
フォトマスク１上の座標に対して周期的な繰り返し誤差
がある場合にはスペクトルはνL でピークを持つ。
ペクトル成分は、周辺回路パターンと単位セル２の繰り
返し誤差とに対応し、そのうちνS 以下の周波数成分が
周辺回路パターンのスペクトルである。νS はフォトマ
スク１のセル領域の広さｓから求められる。通常、単位
セル２はフォトマスク１のｘ，ｙ方向にそれぞれ１００
０コ以上配置されている。すなわち、ｓ＞１０００ｐで
あるから、周辺回路パターン３のスペクトルはνP ／１
０００以下に広く分布している。そして、主にνS 〜ν
P の範囲に繰り返し誤差の情報が含まれている。特に、
フォトマスク１上の座標に対して周期的な繰り返し誤差
がある場合にはスペクトルはνL でピークを持つ。
【００３１】次に、図１のフロ―チャ―トにおけるステ
ップＳＴ３で、図４のような分布を持つ空間周波数スペ
クトルをカットオフ周波数νC のローパスフィルターで
処理する。特に周波数νP にほぼ等しいカットオフ周波
数νC を有するフィルタで処理すると、図５に示す空間
周波数スペクトルが得られる。
ップＳＴ３で、図４のような分布を持つ空間周波数スペ
クトルをカットオフ周波数νC のローパスフィルターで
処理する。特に周波数νP にほぼ等しいカットオフ周波
数νC を有するフィルタで処理すると、図５に示す空間
周波数スペクトルが得られる。
【００３２】図５に示す空間周波数スペクトルからは、
単位セル２の情報が選択的に除去されている。したがっ
て、図１のフロ―チャ―トにおけるステップＳＴ４で、
図５に示す空間周波数スペクトルからνS 以上の成分を
分析することによって、繰り返し誤差を定量的に評価す
ることが可能となる。
単位セル２の情報が選択的に除去されている。したがっ
て、図１のフロ―チャ―トにおけるステップＳＴ４で、
図５に示す空間周波数スペクトルからνS 以上の成分を
分析することによって、繰り返し誤差を定量的に評価す
ることが可能となる。
【００３３】次に、本実施例に係るフォトマスクの検査
装置の構成について、図６を参照しながら説明する。
装置の構成について、図６を参照しながら説明する。
【００３４】本実施例の検査装置は、単一波長λのコヒ
ーレント光源４（平行光源）と、焦点距離ｆの凸レンズ
５と、開口６ａの直径Ｄを可変させることの可能なアパ
ーチャー６と、凸レンズ５の焦点面上に配置されたフォ
トダイオードアレイ７とからなる。
ーレント光源４（平行光源）と、焦点距離ｆの凸レンズ
５と、開口６ａの直径Ｄを可変させることの可能なアパ
ーチャー６と、凸レンズ５の焦点面上に配置されたフォ
トダイオードアレイ７とからなる。
【００３５】図６において、コヒーレント光源４は、検
査対象であるフォトマスク１に垂直にその発する光が入
射するように配置されており、フォトマスク１を裏面か
ら照明する。フォトマスク１を介しコヒーレント光源４
と対向する側でフォトマスク１から自己の焦点距離ｆだ
け離れた位置に、フォトマスク１と平行な主平面を有す
る凸レンズ５が配置されている。このとき、凸レンズ５
の光軸が、コヒーレント光源４の発する光と平行となり
かつフォトマスク１の検査領域の中心を通るように配置
されている。凸レンズ５の前方又は背後にアパーチャー
６が配置されており、アパーチャー６とレンズとの間の
距離はフォトマスク１と凸レンズ５との間の距離すなわ
ち凸レンズ５の焦点距離ｆに比べて充分小さい。また、
アパーチャー６と凸レンズ５とは、互いの光学的中心が
一致するように配置されている。さらに、凸レンズ５の
後側焦点位置にフォトダイーオードアレイ７が配置され
ており、凸レンズ５の焦点面上の光強度分布が検出可能
に構成されている。ただし、同図のフォトダイオードア
レイ７の上に表示されているパターンは、フォトマスク
上に、ｘ，ｙ方向と斜め方向とのいずれにも繰り返し誤
差がある場合のフーリエ変換像である。
査対象であるフォトマスク１に垂直にその発する光が入
射するように配置されており、フォトマスク１を裏面か
ら照明する。フォトマスク１を介しコヒーレント光源４
と対向する側でフォトマスク１から自己の焦点距離ｆだ
け離れた位置に、フォトマスク１と平行な主平面を有す
る凸レンズ５が配置されている。このとき、凸レンズ５
の光軸が、コヒーレント光源４の発する光と平行となり
かつフォトマスク１の検査領域の中心を通るように配置
されている。凸レンズ５の前方又は背後にアパーチャー
６が配置されており、アパーチャー６とレンズとの間の
距離はフォトマスク１と凸レンズ５との間の距離すなわ
ち凸レンズ５の焦点距離ｆに比べて充分小さい。また、
アパーチャー６と凸レンズ５とは、互いの光学的中心が
一致するように配置されている。さらに、凸レンズ５の
後側焦点位置にフォトダイーオードアレイ７が配置され
ており、凸レンズ５の焦点面上の光強度分布が検出可能
に構成されている。ただし、同図のフォトダイオードア
レイ７の上に表示されているパターンは、フォトマスク
上に、ｘ，ｙ方向と斜め方向とのいずれにも繰り返し誤
差がある場合のフーリエ変換像である。
【００３６】本実施例の検査装置に配置されるコヒーレ
ント光源４は、たとえばＨｅ−Ｎｅレーザー発振器とビ
ームエキスパンダーを組み合わせることによって容易に
構成することができる。また、凸レンズ５は通常の球面
レンズでも差し支えない。さらに、本実施例ではフーリ
エ変換像の検出にフォトダイオードアレイ７を用いてい
るが、感光性材料、例えば写真フィルム等を用いたカメ
ラでもかまわない。
ント光源４は、たとえばＨｅ−Ｎｅレーザー発振器とビ
ームエキスパンダーを組み合わせることによって容易に
構成することができる。また、凸レンズ５は通常の球面
レンズでも差し支えない。さらに、本実施例ではフーリ
エ変換像の検出にフォトダイオードアレイ７を用いてい
るが、感光性材料、例えば写真フィルム等を用いたカメ
ラでもかまわない。
【００３７】次に、本装置の動作について説明する。
【００３８】コヒーレント光源４から発せられるコヒー
レント光はフォトマスク１を照明する。フォトマスク１
を透過したコヒーレント光はフォトマスクパターンと同
様の強度分布ｇ（ｘ）をもって凸レンズ５に入射する。
凸レンズ５により屈折させられ、またアパーチャー６で
絞られたコヒーレント光は、凸レンズ５のフーリエ変換
作用により、後側焦点面で入射光のフーリエ変換像Ｇ
（ν）をつくる。本実施例の場合、入射光はフォトマス
クパターンｇ（ｘ）を反映しているため、また、アパー
チャー６によりレンズの開口が有限になっているため、
得られるフーリエ変換像はフォトマスクパターンとアパ
ーチャー６の瞳関数のコンボリューションである。本実
施例では、アパーチャー６はローパスフィルタの働きを
し、コヒーレント光源４の波長λと凸レンズ５の焦点距
離ｆとアパーチャー６の開口径Ｄより、下記式 νC ＝Ｄ／２ｆλ で決まるカットオフ周波数νC 以上の周波数成分が選択
的に除去される。
レント光はフォトマスク１を照明する。フォトマスク１
を透過したコヒーレント光はフォトマスクパターンと同
様の強度分布ｇ（ｘ）をもって凸レンズ５に入射する。
凸レンズ５により屈折させられ、またアパーチャー６で
絞られたコヒーレント光は、凸レンズ５のフーリエ変換
作用により、後側焦点面で入射光のフーリエ変換像Ｇ
（ν）をつくる。本実施例の場合、入射光はフォトマス
クパターンｇ（ｘ）を反映しているため、また、アパー
チャー６によりレンズの開口が有限になっているため、
得られるフーリエ変換像はフォトマスクパターンとアパ
ーチャー６の瞳関数のコンボリューションである。本実
施例では、アパーチャー６はローパスフィルタの働きを
し、コヒーレント光源４の波長λと凸レンズ５の焦点距
離ｆとアパーチャー６の開口径Ｄより、下記式 νC ＝Ｄ／２ｆλ で決まるカットオフ周波数νC 以上の周波数成分が選択
的に除去される。
【００３９】本実施例における検査装置では、カットオ
フ周波数νC が、フォトマスク１の単位セル２の繰り返
し周波数と一致するにようにアパーチャー６の開口を設
定する。すなわち、フォトマスク１上の単位セル２の繰
り返しピッチをｐとすると、νC ＝１／ｐよりアパーチ
ャー６の開口径Ｄを決定する。結局、開口径Ｄは下記式 Ｄ＝２ｆλ／ｐ で表される。ｐはフォトマスク設計データより既知であ
るので、開口径Ｄの値を決定し得る。
フ周波数νC が、フォトマスク１の単位セル２の繰り返
し周波数と一致するにようにアパーチャー６の開口を設
定する。すなわち、フォトマスク１上の単位セル２の繰
り返しピッチをｐとすると、νC ＝１／ｐよりアパーチ
ャー６の開口径Ｄを決定する。結局、開口径Ｄは下記式 Ｄ＝２ｆλ／ｐ で表される。ｐはフォトマスク設計データより既知であ
るので、開口径Ｄの値を決定し得る。
【００４０】そして、このようにして得られたフーリエ
変換像をフォトダイオードアレイ７により光強度分布と
して検出すると、得られた空間周波数スペクトルにはフ
ォトマスクパターンの単位セル２の内部と単位セル２の
理想的な繰り返し周期に関する情報が選択的に除去され
ている。単位セル２の繰り返し誤差の空間周波数は、単
位セル２の繰り返しの空間周波数よりも低いため、繰り
返し誤差に関する情報は空間周波数スペクトルとして選
択的に検出される。したがって、得られた空間周波数ス
ペクトルを解析することにより、繰り返し誤差の発生周
期、繰り返し誤差の大きさを定量的に評価することがで
きる。また、周辺回路部の寸法ｓ以上のパターンの情報
も失われているが、繰り返し誤差の評価には差し支えな
い。
変換像をフォトダイオードアレイ７により光強度分布と
して検出すると、得られた空間周波数スペクトルにはフ
ォトマスクパターンの単位セル２の内部と単位セル２の
理想的な繰り返し周期に関する情報が選択的に除去され
ている。単位セル２の繰り返し誤差の空間周波数は、単
位セル２の繰り返しの空間周波数よりも低いため、繰り
返し誤差に関する情報は空間周波数スペクトルとして選
択的に検出される。したがって、得られた空間周波数ス
ペクトルを解析することにより、繰り返し誤差の発生周
期、繰り返し誤差の大きさを定量的に評価することがで
きる。また、周辺回路部の寸法ｓ以上のパターンの情報
も失われているが、繰り返し誤差の評価には差し支えな
い。
【００４１】なお、本実施例では、球面レンズからなる
凸レンズ５と、円形開口のアパーチャー６とを用いてフ
ォトマスクの検査装置を構成したが、これらの代わりに
円筒レンズとスリットとを用いても構わない。ただし、
この場合にはフォトマスクの特定方向（例えばｘ方向）
のパターンだけが円筒レンズによりフーリエ変換される
ため、特定方向のみの繰り返し誤差が検出可能となる。
凸レンズ５と、円形開口のアパーチャー６とを用いてフ
ォトマスクの検査装置を構成したが、これらの代わりに
円筒レンズとスリットとを用いても構わない。ただし、
この場合にはフォトマスクの特定方向（例えばｘ方向）
のパターンだけが円筒レンズによりフーリエ変換される
ため、特定方向のみの繰り返し誤差が検出可能となる。
【００４２】また、本実施例における円形開口のアパー
チャー６の代わりに長方形の開口を持つアパーチャーを
用いて、その各辺の長さを独立に変化させることによ
り、フォトマスクのｘ、ｙ方向に最適なカットオフ周波
数を設定することが可能である。
チャー６の代わりに長方形の開口を持つアパーチャーを
用いて、その各辺の長さを独立に変化させることによ
り、フォトマスクのｘ、ｙ方向に最適なカットオフ周波
数を設定することが可能である。
【００４３】（第２実施例）次に、第２実施例につい
て、図７，図８を参照しながら説明する。ただし、上記
第１実施例における図２，図３に示すフォトマスクの構
造や、図４，図５に示す空間周波数スペクトルは、本実
施例にも適用される。
て、図７，図８を参照しながら説明する。ただし、上記
第１実施例における図２，図３に示すフォトマスクの構
造や、図４，図５に示す空間周波数スペクトルは、本実
施例にも適用される。
【００４４】図７は本実施例のフォトマスクの検査方法
を示すフロ―チャ―ト、図８は本実施例に係るフォトマ
スクの検査装置の構成を概略的に示す図である。以下、
本実施例のフォトマスクの検査方法について、図７のフ
ロ―チャ―トを参照しながら説明する。
を示すフロ―チャ―ト、図８は本実施例に係るフォトマ
スクの検査装置の構成を概略的に示す図である。以下、
本実施例のフォトマスクの検査方法について、図７のフ
ロ―チャ―トを参照しながら説明する。
【００４５】まず、ステップＳＲ１で、フォトマスクパ
ターンを抽出し、ステップＳＲ２で、図３に示すような
フォトマスクパターンをフーリエ変換して、図４に示す
ようなフォトマスクパターンの空間周波数スペクトルを
得る。図４に示すνP はフォトマスク１上の単位セル間
ピッチｐに対応してνP ＝１／ｐにより求められる空間
周波数であり、この周波数νP でスペクトルはピークを
持つ。同様のピークはνP の上下にも見られ、νP より
も高い空間周波数νH1，νH2のピークは単位セル内の回
路パターンを反映していてνH1＝２νP ，νH2＝３νP
の関係を満たしている。
ターンを抽出し、ステップＳＲ２で、図３に示すような
フォトマスクパターンをフーリエ変換して、図４に示す
ようなフォトマスクパターンの空間周波数スペクトルを
得る。図４に示すνP はフォトマスク１上の単位セル間
ピッチｐに対応してνP ＝１／ｐにより求められる空間
周波数であり、この周波数νP でスペクトルはピークを
持つ。同様のピークはνP の上下にも見られ、νP より
も高い空間周波数νH1，νH2のピークは単位セル内の回
路パターンを反映していてνH1＝２νP ，νH2＝３νP
の関係を満たしている。
【００４６】次に、図７のステップＳＲ３で、図４のよ
うな分布を持つ空間周波数スペクトルをカットオフ周波
数νC のローパスフィルターで処理する。特にνP にほ
ぼ等しいカットオフ周波数νC を有するフィルタで処理
すると、図５に示す空間周波数スペクトルが得られる。
第１実施例の場合と同様に、この空間周波数スペクトル
には繰り返し誤差の情報は含まれているが単位セル２の
情報は選択的に除去されている。
うな分布を持つ空間周波数スペクトルをカットオフ周波
数νC のローパスフィルターで処理する。特にνP にほ
ぼ等しいカットオフ周波数νC を有するフィルタで処理
すると、図５に示す空間周波数スペクトルが得られる。
第１実施例の場合と同様に、この空間周波数スペクトル
には繰り返し誤差の情報は含まれているが単位セル２の
情報は選択的に除去されている。
【００４７】次に、ステップＳＲ４で、このようにして
得られた図５に示す空間周波数スペクトルをフーリエ逆
変換する。得られた関数はνC 以下の空間周波数成分を
含まないので、繰り返し誤差が明瞭に認識可能になる。
得られた図５に示す空間周波数スペクトルをフーリエ逆
変換する。得られた関数はνC 以下の空間周波数成分を
含まないので、繰り返し誤差が明瞭に認識可能になる。
【００４８】さらに、得られた繰り返し誤差パターンを
ステップＳＲ５で分析することによって、繰り返し誤差
を定量的に評価することができる。
ステップＳＲ５で分析することによって、繰り返し誤差
を定量的に評価することができる。
【００４９】次に、本実施例に係るフォトマスクの検査
装置について、図８を参照しながら説明する。
装置について、図８を参照しながら説明する。
【００５０】図８において、１はフォトマスク、４はコ
ヒーレント光源（平行光源）、６はアパーチャー、７は
フォトダイオードアレイ、８は第１凸レンズ、９は第２
凸レンズである。図８において、コヒーレント光源４は
波長λのコヒーレントな平行光を発し、フォトマスク１
を照明する。第１凸レンズ８は球面レンズで焦点距離は
ｆ１であり、第２凸レンズ９は球面レンズで焦点距離は
ｆ２である。アパーチャー６は、直径Ｄの円形開口６ａ
を有する。フォトダイオードアレイ７は、光強度の位置
分布が検出可能な構成を有している。
ヒーレント光源（平行光源）、６はアパーチャー、７は
フォトダイオードアレイ、８は第１凸レンズ、９は第２
凸レンズである。図８において、コヒーレント光源４は
波長λのコヒーレントな平行光を発し、フォトマスク１
を照明する。第１凸レンズ８は球面レンズで焦点距離は
ｆ１であり、第２凸レンズ９は球面レンズで焦点距離は
ｆ２である。アパーチャー６は、直径Ｄの円形開口６ａ
を有する。フォトダイオードアレイ７は、光強度の位置
分布が検出可能な構成を有している。
【００５１】すなわち、コヒーレント光源４は、検査対
象であるフォトマスク１に垂直にその発する光が入射す
るように配置されており、フォトマスク１を裏面から照
明する。フォトマスク１を介しコヒーレント光源と対向
する側でフォトマスク１から自己の焦点距離ｆ１だけ離
れた位置に、フォトマスク１と平行な主平面を有する第
１凸レンズ８が配置されている。そして、第１凸レンズ
８の前方又は背後にアパーチャー６が配置されており、
アパーチャー６と第１凸レンズ８との間の距離はフォト
マスク１と第１凸レンズ８との間の距離すなわち凸レン
ズの焦点距離ｆ１に比べて充分小さい。アパーチャー６
と第１凸レンズ８とは、互いの光学的中心が一致するよ
うに配置されている。また、第１凸レンズ８の光軸上で
第１凸レンズ８の後側焦点位置からさらに自己の焦点距
離ｆ２だけ離れた位置に、第１凸レンズ８と光軸を一致
させた状態で第２凸レンズ９が配置されている。さら
に、第２凸レンズ９の後側焦点位置にはフォトダイオー
ドアレイ７が配置されており、実像の光強度分布が検出
可能に構成されている。このとき、第１凸レンズ８と第
２凸レンズ９との光軸がコヒーレント光源４の発する光
と平行となり、かつフォトマスク１の検査領域の中心を
通るように配置されている。また、第２凸レンズ９の開
口径はアパーチャー６の開口径Ｄに比べて大きい。
象であるフォトマスク１に垂直にその発する光が入射す
るように配置されており、フォトマスク１を裏面から照
明する。フォトマスク１を介しコヒーレント光源と対向
する側でフォトマスク１から自己の焦点距離ｆ１だけ離
れた位置に、フォトマスク１と平行な主平面を有する第
１凸レンズ８が配置されている。そして、第１凸レンズ
８の前方又は背後にアパーチャー６が配置されており、
アパーチャー６と第１凸レンズ８との間の距離はフォト
マスク１と第１凸レンズ８との間の距離すなわち凸レン
ズの焦点距離ｆ１に比べて充分小さい。アパーチャー６
と第１凸レンズ８とは、互いの光学的中心が一致するよ
うに配置されている。また、第１凸レンズ８の光軸上で
第１凸レンズ８の後側焦点位置からさらに自己の焦点距
離ｆ２だけ離れた位置に、第１凸レンズ８と光軸を一致
させた状態で第２凸レンズ９が配置されている。さら
に、第２凸レンズ９の後側焦点位置にはフォトダイオー
ドアレイ７が配置されており、実像の光強度分布が検出
可能に構成されている。このとき、第１凸レンズ８と第
２凸レンズ９との光軸がコヒーレント光源４の発する光
と平行となり、かつフォトマスク１の検査領域の中心を
通るように配置されている。また、第２凸レンズ９の開
口径はアパーチャー６の開口径Ｄに比べて大きい。
【００５２】ただし、図８のフォトダイオードアレイ７
上に現れているパターンは、フォトマスクのｙ軸方向に
のみ繰り返し誤差がある場合の実像である。そして、こ
の場合、第１凸レンズ８の後焦点位置には、図中の仮想
線で示すようなフーリエ変換像が存在している。
上に現れているパターンは、フォトマスクのｙ軸方向に
のみ繰り返し誤差がある場合の実像である。そして、こ
の場合、第１凸レンズ８の後焦点位置には、図中の仮想
線で示すようなフーリエ変換像が存在している。
【００５３】本実施例の検査装置に配置されるコヒーレ
ント光源４は、たとえばＨｅ−Ｎｅレーザー発振器とビ
ームエキスパンダーを組み合わせることによって容易に
構成される。また、凸レンズは通常の球面レンズでも差
し支えない。本実施例ではフーリエ変換像の検出にフォ
トダイオードアレイ７を用いているが、感光性材料、例
えば写真フィルム等でもかまわない。
ント光源４は、たとえばＨｅ−Ｎｅレーザー発振器とビ
ームエキスパンダーを組み合わせることによって容易に
構成される。また、凸レンズは通常の球面レンズでも差
し支えない。本実施例ではフーリエ変換像の検出にフォ
トダイオードアレイ７を用いているが、感光性材料、例
えば写真フィルム等でもかまわない。
【００５４】次に、本装置の動作について説明する。
【００５５】コヒーレント光源４から発せられるコヒー
レント光はフォトマスク１を照明する。フォトマスク１
を透過した光はフォトマスクパターンと同様の強度分布
ｇ（ｘ）をもって第１凸レンズ８に入射する。第１凸レ
ンズ８により屈折させられ、またアパーチャー６で絞ら
れたコヒーレント光は第１凸レンズ８の作用により焦点
面で入射光のフーリエ変換像Ｇ（ν）をつくる。本実施
例の場合、入射光はフォトマスクパターンｇ（ｘ）を反
映しているため、また、アパーチャー６によりレンズの
開口が有限になっているため、得られるフーリエ変換像
はフォトマスクパターンとアパーチャー６の瞳関数のコ
ンボリューションである。本実施例では、アパーチャー
６はローパスフィルタの働きをし、コヒーレント光源４
の波長λと第１凸レンズ８の焦点距離ｆ１とアパーチャ
ー６の開口径Ｄより、下記式 νC ＝Ｄ／２ｆ１・λ で決まるカットオフ周波数νC 以上の周波数成分が選択
的に除去される。
レント光はフォトマスク１を照明する。フォトマスク１
を透過した光はフォトマスクパターンと同様の強度分布
ｇ（ｘ）をもって第１凸レンズ８に入射する。第１凸レ
ンズ８により屈折させられ、またアパーチャー６で絞ら
れたコヒーレント光は第１凸レンズ８の作用により焦点
面で入射光のフーリエ変換像Ｇ（ν）をつくる。本実施
例の場合、入射光はフォトマスクパターンｇ（ｘ）を反
映しているため、また、アパーチャー６によりレンズの
開口が有限になっているため、得られるフーリエ変換像
はフォトマスクパターンとアパーチャー６の瞳関数のコ
ンボリューションである。本実施例では、アパーチャー
６はローパスフィルタの働きをし、コヒーレント光源４
の波長λと第１凸レンズ８の焦点距離ｆ１とアパーチャ
ー６の開口径Ｄより、下記式 νC ＝Ｄ／２ｆ１・λ で決まるカットオフ周波数νC 以上の周波数成分が選択
的に除去される。
【００５６】本実施例の検査装置ではカットオフ周波数
νC が、フォトマスク１の単位セル２の繰り返し周波数
と一致するにように設定する。すなわち、フォトマスク
１上の単位セル２の繰り返しピッチをｐとすると、νC
＝１／ｐよりアパーチャー６の開口径Ｄが決定される。
結局、開口径Ｄは、下記式 Ｄ＝２ｆ１・λ／ｐ で表される。ｐはフォトマスク設計データより既知であ
るので、開口径Ｄの値を決定し得る。
νC が、フォトマスク１の単位セル２の繰り返し周波数
と一致するにように設定する。すなわち、フォトマスク
１上の単位セル２の繰り返しピッチをｐとすると、νC
＝１／ｐよりアパーチャー６の開口径Ｄが決定される。
結局、開口径Ｄは、下記式 Ｄ＝２ｆ１・λ／ｐ で表される。ｐはフォトマスク設計データより既知であ
るので、開口径Ｄの値を決定し得る。
【００５７】このようにして得られたフーリエ変換像Ｇ
（ν）は第２凸レンズ９によりフーリエ逆変換され、第
２凸レンズ９の後側焦点面上では実像ｇ’（ｘ）が得ら
れる。実像ｇ’（ｘ）はフォトマスクパターンｇ（ｘ）
から空間周波数νC 以上のパターンが選択的に除去され
たものである。すなわちｇ（ｘ）から単位セル２の情報
を除去し、繰り返し誤差を残したパターンである。した
がって、実像ｇ’（ｘ）を光強度分布としてフォトダイ
オードアレイ７により検出し、解析することにより、繰
り返し誤差の発生周期、繰り返し誤差の大きさを定量的
に評価することができる。
（ν）は第２凸レンズ９によりフーリエ逆変換され、第
２凸レンズ９の後側焦点面上では実像ｇ’（ｘ）が得ら
れる。実像ｇ’（ｘ）はフォトマスクパターンｇ（ｘ）
から空間周波数νC 以上のパターンが選択的に除去され
たものである。すなわちｇ（ｘ）から単位セル２の情報
を除去し、繰り返し誤差を残したパターンである。した
がって、実像ｇ’（ｘ）を光強度分布としてフォトダイ
オードアレイ７により検出し、解析することにより、繰
り返し誤差の発生周期、繰り返し誤差の大きさを定量的
に評価することができる。
【００５８】特に、本実施例では、フォトダイオードア
レイ７の大きさがフォトマスクパターンと同じであれば
よく、第１実施例のように繰り返し誤差の値如何によっ
て必要なフォトダイオードアレイ７の大きさが異なるこ
とはない。さらに、繰り返し誤差の値を算出する場合、
フォトダイオードアレイ７上の実像の各ライン間の距離
が求まれば、すぐに繰り返し誤差の値に換算することが
できるので、第１実施例のごとく、フーリエ変換像の測
定から演算でフーリエ逆変換する必要はなく、後の演算
処理も容易となる。
レイ７の大きさがフォトマスクパターンと同じであれば
よく、第１実施例のように繰り返し誤差の値如何によっ
て必要なフォトダイオードアレイ７の大きさが異なるこ
とはない。さらに、繰り返し誤差の値を算出する場合、
フォトダイオードアレイ７上の実像の各ライン間の距離
が求まれば、すぐに繰り返し誤差の値に換算することが
できるので、第１実施例のごとく、フーリエ変換像の測
定から演算でフーリエ逆変換する必要はなく、後の演算
処理も容易となる。
【００５９】なお、本実施例では、球面レンズからなる
第１，第２凸レンズ８，９と、円形のアパーチャー６と
を用いてフォトマスクの検査装置を構成したが、これら
の代わりに円筒レンズ、スリットを用いても構わない。
ただし、この場合にはフォトマスクの特定方向（例えば
ｘ方向）のパターンだけが円筒レンズによりフーリエ変
換、逆変換されるため、特定方向のみの繰り返し誤差が
検出可能となる。
第１，第２凸レンズ８，９と、円形のアパーチャー６と
を用いてフォトマスクの検査装置を構成したが、これら
の代わりに円筒レンズ、スリットを用いても構わない。
ただし、この場合にはフォトマスクの特定方向（例えば
ｘ方向）のパターンだけが円筒レンズによりフーリエ変
換、逆変換されるため、特定方向のみの繰り返し誤差が
検出可能となる。
【００６０】また、本実施例における円形開口のアパー
チャー６の代わりに長方形の開口を持つアパーチャーを
用いて、その各辺の長さを独立に変化させることによ
り、フォトマスクのｘ、ｙ方向に最適なカットオフ周波
数を設定することが可能である。
チャー６の代わりに長方形の開口を持つアパーチャーを
用いて、その各辺の長さを独立に変化させることによ
り、フォトマスクのｘ、ｙ方向に最適なカットオフ周波
数を設定することが可能である。
【００６１】（第３実施例）次に、第３実施例につい
て、図９及び図１０を参照しながら説明する。ただし、
上記第１実施例における図２，図３に示すフォトマスク
の構造や、図４，図５に示す空間周波数スペクトルは、
本実施例にも適用される。また、本実施例におけるフォ
トマスクの検査手順は、図７のフロ―チャ―トに示した
第２実施例と同一であるので、説明は省略する。
て、図９及び図１０を参照しながら説明する。ただし、
上記第１実施例における図２，図３に示すフォトマスク
の構造や、図４，図５に示す空間周波数スペクトルは、
本実施例にも適用される。また、本実施例におけるフォ
トマスクの検査手順は、図７のフロ―チャ―トに示した
第２実施例と同一であるので、説明は省略する。
【００６２】図９は本実施例のフォトマスクの検査装置
で用いる多孔アパーチャーの構造を示す平面図、図１０
は本実施例に係るフォトマスクのフォトマスクの検査装
置の構成を概略的に示す図である。これらの図におい
て、１はフォトマスク、５は凸レンズ、７はフォトダイ
オードアレイ、１０は多孔アパーチャー、１１は光源で
ある。図９において、多孔アパーチャー１０は直径Ｄの
円形開口１０ａを任意の位置に多数有する。図１０にお
いて、光源１１は波長λの光を発し、フォトマスク１を
照明する。凸レンズ５は球面レンズで焦点距離はｆとす
る。フォトダイオードアレイ７は光強度の位置分布が検
出可能な構成となっている。
で用いる多孔アパーチャーの構造を示す平面図、図１０
は本実施例に係るフォトマスクのフォトマスクの検査装
置の構成を概略的に示す図である。これらの図におい
て、１はフォトマスク、５は凸レンズ、７はフォトダイ
オードアレイ、１０は多孔アパーチャー、１１は光源で
ある。図９において、多孔アパーチャー１０は直径Ｄの
円形開口１０ａを任意の位置に多数有する。図１０にお
いて、光源１１は波長λの光を発し、フォトマスク１を
照明する。凸レンズ５は球面レンズで焦点距離はｆとす
る。フォトダイオードアレイ７は光強度の位置分布が検
出可能な構成となっている。
【００６３】図１０に示すように、光源１１は検査対象
であるフォトマスク１に垂直にその発する光が入射する
ように配置されており、フォトマスク１を裏面から照明
する。また、フォトマスク１を介し光源１１と対向する
側でフォトマスクから第１距離ｄ１だけ離れた位置に、
フォトマスク１と平行な主平面を有する凸レンズ５が配
置されている。このとき凸レンズ５の光軸が光源１１の
発する光と平行となり、かつフォトマスク１の検査領域
の中心を通るように配置されている。また、凸レンズ５
の前方又は背後に多孔アパーチャー１０が配置されてい
る。多孔アパーチャー１０と凸レンズ５との間の距離は
フォトマスク１と凸レンズ５との間の距離すなわち凸レ
ンズ５の焦点距離ｆに比べて充分小さい。また、多孔ア
パーチャー１０と凸レンズ５とは互いの光学的中心を一
致させて配置されている。さらに、凸レンズ５を介しフ
ォトマスク１と対向する側の凸レンズの光軸上で凸レン
ズ５から第２距離ｄ２だけ離れた位置にフォトダイオー
ドアレイ７が配置されている。だだし、第１，第２距離
ｄ１，ｄ２は、下記式 １／ｄ１＋１／ｄ２＝１／ｆ で表される結像条件を満たすように決定されている。
であるフォトマスク１に垂直にその発する光が入射する
ように配置されており、フォトマスク１を裏面から照明
する。また、フォトマスク１を介し光源１１と対向する
側でフォトマスクから第１距離ｄ１だけ離れた位置に、
フォトマスク１と平行な主平面を有する凸レンズ５が配
置されている。このとき凸レンズ５の光軸が光源１１の
発する光と平行となり、かつフォトマスク１の検査領域
の中心を通るように配置されている。また、凸レンズ５
の前方又は背後に多孔アパーチャー１０が配置されてい
る。多孔アパーチャー１０と凸レンズ５との間の距離は
フォトマスク１と凸レンズ５との間の距離すなわち凸レ
ンズ５の焦点距離ｆに比べて充分小さい。また、多孔ア
パーチャー１０と凸レンズ５とは互いの光学的中心を一
致させて配置されている。さらに、凸レンズ５を介しフ
ォトマスク１と対向する側の凸レンズの光軸上で凸レン
ズ５から第２距離ｄ２だけ離れた位置にフォトダイオー
ドアレイ７が配置されている。だだし、第１，第２距離
ｄ１，ｄ２は、下記式 １／ｄ１＋１／ｄ２＝１／ｆ で表される結像条件を満たすように決定されている。
【００６４】本実施例における検査装置を構成している
光源１１は、たとえばＨｅ−Ｎｅレーザー発振器とビー
ムエキスパンダーを組み合わせたり、高圧水銀ランプと
回折フィルタを組み合せることによって容易に構成し得
るが、第１実施例や第２実施例と異なり、インコヒーレ
ント光源であってもよい。また、凸レンズ５は通常の球
面レンズでも差し支えない。本実施例では空間周波数ス
ペクトルの検出にフォトダイオードアレイ７を用いてい
るが、感光性材料、例えば写真フィルム等でもかまわな
い。
光源１１は、たとえばＨｅ−Ｎｅレーザー発振器とビー
ムエキスパンダーを組み合わせたり、高圧水銀ランプと
回折フィルタを組み合せることによって容易に構成し得
るが、第１実施例や第２実施例と異なり、インコヒーレ
ント光源であってもよい。また、凸レンズ５は通常の球
面レンズでも差し支えない。本実施例では空間周波数ス
ペクトルの検出にフォトダイオードアレイ７を用いてい
るが、感光性材料、例えば写真フィルム等でもかまわな
い。
【００６５】次に、本実施例における検査装置の動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００６６】光源１１から発せられる光はフォトマスク
１を照明する。フォトマスク１を透過した光はフォトマ
スクパターンと同様の強度分布ｇ（ｘ）をもって凸レン
ズ５に入射する。凸レンズ５により屈折させられた光
は、凸レンズ５の作用により凸レンズ５から後方に距離
ｆだけ離れた焦点面でフォトマスク１のフーリエ変換像
Ｇ（ν）を形成する。さらに、その光は結像条件位置に
あるフォトダイオードアレイ７の上ではフォトマスク１
の実像を形成する。ただし、本実施例で得られる実像
は、第１実施例，第２実施例の場合と異なり、フォトマ
スク１を透過した光とは強度分布は等しいが、（拡大率
は考慮しない）位相分布は異なる。本実施例では、光源
１１がインコヒーレント光でもよいのはこのためであ
る。本実施例では、多孔アパーチャー１０はローパスフ
ィルタの働きをし、光源１１の波長λと凸レンズ５の焦
点距離ｆと多孔アパーチャー１０の開口１０ａの径Ｄよ
り、下記式 νC ＝２Ｄ／ｆλ で決まるカットオフ周波数νC 以上の周波数成分が選択
的に除去される。ただし、インコヒーレント光を用いる
と、急峻なカットオフ特性は得られない。
１を照明する。フォトマスク１を透過した光はフォトマ
スクパターンと同様の強度分布ｇ（ｘ）をもって凸レン
ズ５に入射する。凸レンズ５により屈折させられた光
は、凸レンズ５の作用により凸レンズ５から後方に距離
ｆだけ離れた焦点面でフォトマスク１のフーリエ変換像
Ｇ（ν）を形成する。さらに、その光は結像条件位置に
あるフォトダイオードアレイ７の上ではフォトマスク１
の実像を形成する。ただし、本実施例で得られる実像
は、第１実施例，第２実施例の場合と異なり、フォトマ
スク１を透過した光とは強度分布は等しいが、（拡大率
は考慮しない）位相分布は異なる。本実施例では、光源
１１がインコヒーレント光でもよいのはこのためであ
る。本実施例では、多孔アパーチャー１０はローパスフ
ィルタの働きをし、光源１１の波長λと凸レンズ５の焦
点距離ｆと多孔アパーチャー１０の開口１０ａの径Ｄよ
り、下記式 νC ＝２Ｄ／ｆλ で決まるカットオフ周波数νC 以上の周波数成分が選択
的に除去される。ただし、インコヒーレント光を用いる
と、急峻なカットオフ特性は得られない。
【００６７】本実施例における検査装置では、カットオ
フ周波数νC をフォトマスク１の単位セル２の繰り返し
周波数と一致するように設定する。すなわち、フォトマ
スク１上の単位セル２の繰り返しピッチをｐ、繰り返し
周波数をνP とすると、下記式 νC ＝νP ／２＝１／２ｐ により多孔アパーチャー１０の開口径Ｄを決定する。こ
こで、単位セル２の繰り返し周波数の１／２をカットオ
フ周波数としたのは、多孔アパーチャー１０のカットオ
フ特性を考慮したからである。結局、開口径Ｄは、下記
式 Ｄ＝ｆλ／４ｐ で表される。ｐはフォトマスク設計データより既知であ
るので、開口径Ｄの値を決定し得る。
フ周波数νC をフォトマスク１の単位セル２の繰り返し
周波数と一致するように設定する。すなわち、フォトマ
スク１上の単位セル２の繰り返しピッチをｐ、繰り返し
周波数をνP とすると、下記式 νC ＝νP ／２＝１／２ｐ により多孔アパーチャー１０の開口径Ｄを決定する。こ
こで、単位セル２の繰り返し周波数の１／２をカットオ
フ周波数としたのは、多孔アパーチャー１０のカットオ
フ特性を考慮したからである。結局、開口径Ｄは、下記
式 Ｄ＝ｆλ／４ｐ で表される。ｐはフォトマスク設計データより既知であ
るので、開口径Ｄの値を決定し得る。
【００６８】このように、多孔アパーチャー１０を通し
て、凸レンズ５で結像した実像はフォトマスクパターン
から空間周波数νC 以上のパターンを選択的に除去した
ものである。すなわちフォトマスクパターンから単位セ
ル２の情報を除去して繰り返し誤差を残したパターンで
ある。そして、ダイオードアレイ７上の実像を光強度分
布としてフォトダイオードアレイ７により検出し、解析
することにより、繰り返し誤差の発生周期、繰り返し誤
差の大きさを定量的に評価することができる。
て、凸レンズ５で結像した実像はフォトマスクパターン
から空間周波数νC 以上のパターンを選択的に除去した
ものである。すなわちフォトマスクパターンから単位セ
ル２の情報を除去して繰り返し誤差を残したパターンで
ある。そして、ダイオードアレイ７上の実像を光強度分
布としてフォトダイオードアレイ７により検出し、解析
することにより、繰り返し誤差の発生周期、繰り返し誤
差の大きさを定量的に評価することができる。
【００６９】なお、図１０に示す構成では、球面レンズ
からなる凸レンズ５と、円形開口１０ａを多数有する多
孔アパーチャー１０とを用いてフォトマスクの検査装置
を構成したが、これらの代わりに円筒レンズと、多数の
細スリットを用いても構わない。ただし、この場合には
フォトマスクの特定方向（例えばｘ方向）のパターンだ
けが円筒レンズによりフーリエ変換されるため、特定方
向のみの繰り返し誤差が検出可能となる。
からなる凸レンズ５と、円形開口１０ａを多数有する多
孔アパーチャー１０とを用いてフォトマスクの検査装置
を構成したが、これらの代わりに円筒レンズと、多数の
細スリットを用いても構わない。ただし、この場合には
フォトマスクの特定方向（例えばｘ方向）のパターンだ
けが円筒レンズによりフーリエ変換されるため、特定方
向のみの繰り返し誤差が検出可能となる。
【００７０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１又は５の
発明によれば、フォトマスクの検査方法又は検査装置に
おいて、フォトマスクの部分パターンの繰り返し誤差に
ついて信頼性の高い検出を行うことができる。
発明によれば、フォトマスクの検査方法又は検査装置に
おいて、フォトマスクの部分パターンの繰り返し誤差に
ついて信頼性の高い検出を行うことができる。
【００７１】請求項２又は６の発明によれば、フォトマ
スクの検査方法又は検査装置において、簡素な構成で繰
り返し誤差を検出することができる。また、レンズによ
る光のフーリエ変換作用を用いることで、計算機による
方法と対比して多量のパターン情報の高速処理の点で有
利である。
スクの検査方法又は検査装置において、簡素な構成で繰
り返し誤差を検出することができる。また、レンズによ
る光のフーリエ変換作用を用いることで、計算機による
方法と対比して多量のパターン情報の高速処理の点で有
利である。
【００７２】請求項３又は７の発明によれば、フォトマ
スクの検査方法又は検査装置において、繰り返し誤差を
算出するための処理の容易化を図ることができる。
スクの検査方法又は検査装置において、繰り返し誤差を
算出するための処理の容易化を図ることができる。
【００７３】請求項４又は８の発明によれば、請求項３
又は７の発明において、さらに簡素な構成で繰り返し誤
差を検出することができる。
又は７の発明において、さらに簡素な構成で繰り返し誤
差を検出することができる。
【００７４】請求項９の発明によれば、簡素な構成で迅
速に繰り返し誤差を検出することができる。
速に繰り返し誤差を検出することができる。
【図１】第１実施例におけるフォトマスクの検査方法を
示すフロ―図である。
示すフロ―図である。
【図２】各実施例におけるフォトマスクの構造を簡略化
して示す平面図である。
して示す平面図である。
【図３】図２に示すフォトマスクの繰り返し誤差を説明
するための平面図である。
するための平面図である。
【図４】フォトマスクパターンのフーリエ変換で得られ
る空間周波数スペクトルを示す特性図である。
る空間周波数スペクトルを示す特性図である。
【図５】図４に示す空間周波数スペクトルの高周波成分
を除去した後の空間周波数スペクトルを示す特性図であ
る。
を除去した後の空間周波数スペクトルを示す特性図であ
る。
【図６】第１実施例におけるフォトマスクの検査装置の
構成を概略的に示す斜視図である。
構成を概略的に示す斜視図である。
【図７】第２実施例におけるフォトマスクの検査方法を
示すフロ―図である。
示すフロ―図である。
【図８】第２実施例におけるフォトマスクの検査装置の
構成を概略的に示す斜視図である。
構成を概略的に示す斜視図である。
【図９】第３実施例における多孔アパーチャーの平面図
である。
である。
【図１０】第３実施例におけるフォトマスクの検査装置
の構成を概略的に示す斜視図である。
の構成を概略的に示す斜視図である。
１ フォトマスク ２ 単位セル ３ 周辺回路 ４ コヒーレント光源 ５ 凸レンズ ６ アパーチャー ７ フォトダイオードアレイ ８ 第１凸レンズ ９ 第２凸レンズ １０ 多孔アパーチャー １１ 光源
Claims (9)
- 【請求項１】 同一の部分パターンが所定の繰り返し周
期で配置されてなるパターンを有するフォトマスクの検
査方法であって、 上記フォトマスクパターンを抽出するステップと、 抽出されたフォトマスクパターンをフーリエ変換するス
テップと、 フォトマスクパターンのフーリエ変換により得られる空
間周波数スペクトルから、上記繰り返し周期の逆数であ
る繰り返し周波数以上の周波数成分を除去するステップ
と、 上記繰り返し周波数以上の周波数成分が除去された空間
周波数スペクトルに基づき上記部分パターンの繰り返し
誤差を検出するステップとを備えたことを特徴とするフ
ォトマスクの検査方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のフォトマスクの検査方法
において、 上記フーリエ変換するステップでは、凸レンズのフーリ
エ変換作用を利用することを特徴とするフォトマスクの
検査方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のフォトマスクの検
査方法において、 上記部分パターンの繰り返し誤差を検出するステップで
は、 繰り返し周波数以上の周波数成分が除去された空間周波
数スペクトルをフーリエ逆変換して得られた実像から部
分パターンの繰り返し誤差を検出することを特徴とする
フォトマスクの検査方法。 - 【請求項４】 請求項３記載のフォトマスクの検査方法
において、 上記フーリエ逆変換を行うときには、凸レンズのフーリ
エ逆変換作用を利用することを特徴とするフォトマスク
の検査方法。 - 【請求項５】 同一の部分パターンが繰り返し周期で配
置されてなるパターンを有するフォトマスクの検査装置
であって、 上記フォトマスクにコヒーレント光を照射するためのコ
ヒーレント光源と、 上記フォトマスクから反射又は透過されたコヒーレント
光の有するフォトマスクパターンをフーリエ変換するフ
ーリエ変換手段と、 上記フーリエ変換手段で変換されて得られるフォトマス
クパターンの空間周波数スペクトルのうち上記繰り返し
周期の逆数である繰り返し周波数以上の周波数成分を選
択的に除去するフィルタ手段と、 上記フーリエ変換手段及びフィルタ手段を経た空間周波
数スペクトルに基づき上記部分パターンの繰り返し誤差
を検出する誤差検出手段とを備えたことを特徴とするフ
ォトマスクの検査装置。 - 【請求項６】 請求項５記載のフォトマスクの検査装置
において、 上記コヒーレント光源は、光軸に平行な光を供給するも
のであり、 上記フーリエ変換手段は、上記フォトマスクを介し上記
コヒーレント光源に対向する側でフォトマスクから自己
の前側焦点距離だけ離れた位置に配置される凸レンズで
あり、 上記フィルタ手段は、上記凸レンズのいずれかの側で近
接して配置され所定形状の開口部を有するアパーチャー
であり、 上記誤差検出手段は、上記凸レンズの後側焦点位置に配
置された光強度分布検出器を有することを特徴とするフ
ォトマスクの検査装置。 - 【請求項７】 請求項５記載のフォトマスク検査装置に
おいて、 上記誤差検出手段は、上記フーリエ変換手段及びフィル
タ手段を介して得られた空間周波数スペクトルをフーリ
エ逆変換するフーリエ逆変換手段と、該フーリエ変換手
段により形成された実像パターンの光強度分布を検出す
る光強度分布検出器とを有することを特徴とするフォト
マスクの検査装置。 - 【請求項８】 請求項７記載のフォトマスクの検査装置
において、 上記コヒーレント光源は、光軸に平行な光を供給するも
のであり、 上記フーリエ変換手段は、上記フォトマスクを介し上記
コヒーレント光源に対向する側でフォトマスクから自己
の前側焦点距離だけ離れた位置に配置される第１凸レン
ズであり、 上記フィルタ手段は、上記第１凸レンズのいずれかの側
で近接して配置され所定形状の開口部を有するアパーチ
ャーであり、 上記フーリエ逆変換手段は、上記第１凸レンズの光軸上
で第１凸レンズの後側焦点位置からさらに自己の前側焦
点距離だけ離れた位置に第１凸レンズとは光軸を一致さ
せて配置される第２凸レンズであり、 上記光強度検出器は、上記第２凸レンズの後側焦点位置
に配置されていることを特徴とするフォトマスクの検査
装置。 - 【請求項９】 請求項７記載のフォトマスクの検査装置
において、 上記フーリエ変換手段及びフーリエ逆変換手段は、１つ
の凸レンズにより構成され、 上記フィルタ手段は、上記凸レンズのいずれかの側で近
接して配置され多数の細孔を有する多孔アパーチャーで
あり、 上記光強度分布検出器は、上記凸レンズの後面の結像の
条件を満たす位置に配置されていることを特徴とするフ
ォトマスクの検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00616095A JP3443197B2 (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00616095A JP3443197B2 (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08194305A true JPH08194305A (ja) | 1996-07-30 |
| JP3443197B2 JP3443197B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=11630783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00616095A Expired - Fee Related JP3443197B2 (ja) | 1995-01-19 | 1995-01-19 | フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3443197B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008020735A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Toshiba Corp | フォトマスクの評価方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN101799433A (zh) * | 2009-02-06 | 2010-08-11 | Hoya株式会社 | 图案检查方法及装置、光掩模制造方法以及图案转印方法 |
| KR20200097631A (ko) * | 2019-02-08 | 2020-08-19 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 모델 데이터 생성 방법, 패턴 측정 방법, 보정 패턴 데이터 생성 방법 및 모델 데이터 생성 장치 |
-
1995
- 1995-01-19 JP JP00616095A patent/JP3443197B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008020735A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Toshiba Corp | フォトマスクの評価方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN101799433A (zh) * | 2009-02-06 | 2010-08-11 | Hoya株式会社 | 图案检查方法及装置、光掩模制造方法以及图案转印方法 |
| JP2010181296A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Hoya Corp | パターン検査方法、パターン検査装置、フォトマスク製造方法、およびパターン転写方法 |
| KR20200097631A (ko) * | 2019-02-08 | 2020-08-19 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 모델 데이터 생성 방법, 패턴 측정 방법, 보정 패턴 데이터 생성 방법 및 모델 데이터 생성 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3443197B2 (ja) | 2003-09-02 |
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