JPH08195281A - 薄膜電場発光素子及びその製造方法 - Google Patents
薄膜電場発光素子及びその製造方法Info
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- JPH08195281A JPH08195281A JP7005345A JP534595A JPH08195281A JP H08195281 A JPH08195281 A JP H08195281A JP 7005345 A JP7005345 A JP 7005345A JP 534595 A JP534595 A JP 534595A JP H08195281 A JPH08195281 A JP H08195281A
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- JP
- Japan
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- electrode
- insulating film
- electroluminescent device
- light emitting
- emitting layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】発光輝度に優れる薄膜電場発光素子を得る。
【構成】絶縁基板１上に、第一電極６、第一絶縁膜３、
発光層４、第二絶縁膜５および第二電極２を有してお
り、第一電極６は融点が６６０℃以上のケイ化物を用い
て形成する。
発光層４、第二絶縁膜５および第二電極２を有してお
り、第一電極６は融点が６６０℃以上のケイ化物を用い
て形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型表示装置に用いる
薄膜電場発光素子及びその製造方法に係り、特に発光輝
度に優れるカラー発光素子とその製造方法に関する。
薄膜電場発光素子及びその製造方法に係り、特に発光輝
度に優れるカラー発光素子とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電場の印加によりエレクトロルミネセン
スＥＬを呈する薄膜電場発光素子は、高輝度発光．高速
応答．広視野角．薄型軽量．高解像度など多くの優れた
特長を有することから、薄型表示装置の表示素子として
注目されている。薄膜電場発光素子は、マンガンをドー
プした硫化亜鉛ＺｎＳ：Ｍｎやセリウムをドープした硫
化ストロンチウムＳｒＳ：Ｃｅなどの発光層の両側に絶
縁膜を設け、透明電極と対向電極との間に交流電圧を印
加することにより、電場発光が得られる。
スＥＬを呈する薄膜電場発光素子は、高輝度発光．高速
応答．広視野角．薄型軽量．高解像度など多くの優れた
特長を有することから、薄型表示装置の表示素子として
注目されている。薄膜電場発光素子は、マンガンをドー
プした硫化亜鉛ＺｎＳ：Ｍｎやセリウムをドープした硫
化ストロンチウムＳｒＳ：Ｃｅなどの発光層の両側に絶
縁膜を設け、透明電極と対向電極との間に交流電圧を印
加することにより、電場発光が得られる。
【０００３】図３は従来の薄膜電場発光素子を示す断面
図である。ガラスからなる絶縁基板１の上に透明電極２
Ａ、第一絶縁膜３、発光層４Ａ、第二絶縁膜５、Ａｌか
らなる背面電極６Ａが順次積層され、これらが封止ガラ
ス８を介して密封される。このような従来の薄膜電場発
光素子は以下のようにして作製される。
図である。ガラスからなる絶縁基板１の上に透明電極２
Ａ、第一絶縁膜３、発光層４Ａ、第二絶縁膜５、Ａｌか
らなる背面電極６Ａが順次積層され、これらが封止ガラ
ス８を介して密封される。このような従来の薄膜電場発
光素子は以下のようにして作製される。
【０００４】ガラス基板１上にインジウムスズ酸化物Ｉ
ＴＯからなる透明電極２Ａ（第一電極）を設け、この上
に透明電極２Ａの端子部を覆わないように（例えば端子
部の部分にメタルマスクを付けて成膜する）第一絶縁膜
３を被着する。次にＺｎＳ：Ｍｎからなる発光層４Ａを
成膜した後、真空中において温度５５０℃で１時間熱処
理を行い、発光層の膜歪みの緩和や結晶性の改善をす
る。そして第二絶縁膜５を第一絶縁膜３と同様に、透明
電極２Ａの端子部を覆わないように被着した後、Ａｌか
らなる背面電極６Ａ（第二電極）を設ける。そしてこれ
らを封止ガラス８を介して密封する。
ＴＯからなる透明電極２Ａ（第一電極）を設け、この上
に透明電極２Ａの端子部を覆わないように（例えば端子
部の部分にメタルマスクを付けて成膜する）第一絶縁膜
３を被着する。次にＺｎＳ：Ｍｎからなる発光層４Ａを
成膜した後、真空中において温度５５０℃で１時間熱処
理を行い、発光層の膜歪みの緩和や結晶性の改善をす
る。そして第二絶縁膜５を第一絶縁膜３と同様に、透明
電極２Ａの端子部を覆わないように被着した後、Ａｌか
らなる背面電極６Ａ（第二電極）を設ける。そしてこれ
らを封止ガラス８を介して密封する。
【０００５】現在商品化されている上述の薄膜電場発光
素子は黄橙色モノカラーの薄膜電場発光素子であり、発
光層にＺｎＳ：Ｍｎを用い、真空中で熱処理することに
より発光層の膜歪みの緩和や結晶性の改善を行うことが
できる。
素子は黄橙色モノカラーの薄膜電場発光素子であり、発
光層にＺｎＳ：Ｍｎを用い、真空中で熱処理することに
より発光層の膜歪みの緩和や結晶性の改善を行うことが
できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述の従
来の薄膜電場発光素子の発光色は黄橙色のみであり、カ
ラー化された薄膜電場発光素子としては利用できないも
のである。カラー化された薄膜電場発光素子としてはカ
ラーフィルタと組み合わせる方式の薄膜電場発光素子が
検討されている。ここで用いられるフィルタは加工性、
および視野角の面から有機フィルタが用いられるが、有
機フィルタの耐熱温度は約２００℃であって低いために
薄膜電場発光素子の製造プロセスで発光層の熱処理に必
要とされる５５０℃の温度に耐えることができない。
来の薄膜電場発光素子の発光色は黄橙色のみであり、カ
ラー化された薄膜電場発光素子としては利用できないも
のである。カラー化された薄膜電場発光素子としてはカ
ラーフィルタと組み合わせる方式の薄膜電場発光素子が
検討されている。ここで用いられるフィルタは加工性、
および視野角の面から有機フィルタが用いられるが、有
機フィルタの耐熱温度は約２００℃であって低いために
薄膜電場発光素子の製造プロセスで発光層の熱処理に必
要とされる５５０℃の温度に耐えることができない。
【０００７】従って、有機フィルタを用いた薄膜電場発
光素子を作製するためにはいわゆる反転構造の薄膜電場
発光素子に有機フィルタを乗せる方式が提案されてい
る。図４は従来の反転構造薄膜電場発光素子を示す断面
図である。ガラスからなる基板１上に下部電極６Ｂ、第
１絶縁膜３、発光層４Ｂ、第２絶縁膜５、透明上部電極
２Ｂを順次積層した構造であり、これらが有機フィルタ
７のパターニングされた封止ガラス８を用いて密封され
る。光は有機フィルタを介して取り出される反転構造と
なっている。
光素子を作製するためにはいわゆる反転構造の薄膜電場
発光素子に有機フィルタを乗せる方式が提案されてい
る。図４は従来の反転構造薄膜電場発光素子を示す断面
図である。ガラスからなる基板１上に下部電極６Ｂ、第
１絶縁膜３、発光層４Ｂ、第２絶縁膜５、透明上部電極
２Ｂを順次積層した構造であり、これらが有機フィルタ
７のパターニングされた封止ガラス８を用いて密封され
る。光は有機フィルタを介して取り出される反転構造と
なっている。
【０００８】反転構造薄膜電場発光素子では、発光層４
Ｂは例えば母体材料ＺｎＳに発光中心としてＭｎを添加
した厚さ約１μｍのＺｎＳ：Ｍｎ膜やセリウムをドープ
したＳｒＳが用いられる。第１絶縁膜３、および第２絶
縁膜５は、例えば発光層４Ｂに接する厚さ約２００ｎｍ
のSi3N4 膜、そしてその外側の厚さ約５０ｎｍのSiO2膜
よりなる。
Ｂは例えば母体材料ＺｎＳに発光中心としてＭｎを添加
した厚さ約１μｍのＺｎＳ：Ｍｎ膜やセリウムをドープ
したＳｒＳが用いられる。第１絶縁膜３、および第２絶
縁膜５は、例えば発光層４Ｂに接する厚さ約２００ｎｍ
のSi3N4 膜、そしてその外側の厚さ約５０ｎｍのSiO2膜
よりなる。
【０００９】反転構造薄膜電場発光素子では、下部電極
６Ｂは熱処理工程の温度が高いため、この温度で安定な
材料であることが必要であり、高融点金属であるＭｏ膜
やＷ膜などが用いられる。熱処理は真空中や不活性ガス
中で行われる。しかしながら上述の真空中や不活性ガス
中において高温で熱処理した素子の発光輝度は低いとい
う問題があった。発光輝度を向上させるためには硫黄雰
囲気ガス中で熱処理することが必要であるが、硫黄雰囲
気ガス中で熱処理するとＭｏ膜やＷ膜などが硫化して腐
食する。
６Ｂは熱処理工程の温度が高いため、この温度で安定な
材料であることが必要であり、高融点金属であるＭｏ膜
やＷ膜などが用いられる。熱処理は真空中や不活性ガス
中で行われる。しかしながら上述の真空中や不活性ガス
中において高温で熱処理した素子の発光輝度は低いとい
う問題があった。発光輝度を向上させるためには硫黄雰
囲気ガス中で熱処理することが必要であるが、硫黄雰囲
気ガス中で熱処理するとＭｏ膜やＷ膜などが硫化して腐
食する。
【００１０】この発明は上述の点に鑑みてなされその目
的は、反転構造薄膜電場発光素子の下部電極が硫黄雰囲
気ガス中で熱処理した際に硫化腐食することを防止し
て、発光輝度に優れるカラー化された反転構造の薄膜電
場発光素子を提供することにある。
的は、反転構造薄膜電場発光素子の下部電極が硫黄雰囲
気ガス中で熱処理した際に硫化腐食することを防止し
て、発光輝度に優れるカラー化された反転構造の薄膜電
場発光素子を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の目的は第一の発明
によれば絶縁基板上に、第一電極、第一絶縁膜、発光
層、第二絶縁膜および第二電極を有し、第一電極は融点
が６６０℃以上のケイ化物からなるストライプであり絶
縁基板の上に複数個が並列的に設けられ、第一絶縁膜は
前記した各ストライプと絶縁基板を選択的に被覆し、発
光層は硫化物からなる第一絶縁膜の上に選択的に積層さ
れ、第二絶縁膜は発光層の全部と第一絶縁膜の上に積層
され、第二電極は透明導電膜からなり、第一電極と立体
的に交差する複数のストライプであり、第二絶縁膜を選
択的に被覆してなるとすることにより達成される。
によれば絶縁基板上に、第一電極、第一絶縁膜、発光
層、第二絶縁膜および第二電極を有し、第一電極は融点
が６６０℃以上のケイ化物からなるストライプであり絶
縁基板の上に複数個が並列的に設けられ、第一絶縁膜は
前記した各ストライプと絶縁基板を選択的に被覆し、発
光層は硫化物からなる第一絶縁膜の上に選択的に積層さ
れ、第二絶縁膜は発光層の全部と第一絶縁膜の上に積層
され、第二電極は透明導電膜からなり、第一電極と立体
的に交差する複数のストライプであり、第二絶縁膜を選
択的に被覆してなるとすることにより達成される。
【００１２】上述の発明において第一電極はモリブデン
シリサイドであるとすることが有効である。また第二の
発明によれば絶縁基板上に、第一電極、第一絶縁膜、発
光層、第二絶縁膜および第二電極を順次積層する薄膜電
場発光素子の製造方法において、融点が６６０℃以上の
ケイ化物からなる複数個のストライプを絶縁基板の上に
並列的に積層して第一電極を設ける工程と、前記した各
ストライプと絶縁基板上に絶縁膜を選択的に被覆して第
一絶縁膜を設ける工程と、第一絶縁膜の上に硫化物を選
択的に積層し、次いで硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガス
または硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガスを不活性ガスと
混合したガスからなる雰囲気ガス中で温度５００ないし
６５０℃の範囲で硫化物を熱処理して発光層を形成する
工程と、発光層の全部と第一絶縁膜の上に絶縁膜を被覆
して第二絶縁膜を設ける工程と、透明導電膜からなる複
数のストライプを第一電極と立体的に交差して、第二絶
縁膜上に選択的に被覆して、第二電極を形成する工程と
を備えるとすることにより達成される。
シリサイドであるとすることが有効である。また第二の
発明によれば絶縁基板上に、第一電極、第一絶縁膜、発
光層、第二絶縁膜および第二電極を順次積層する薄膜電
場発光素子の製造方法において、融点が６６０℃以上の
ケイ化物からなる複数個のストライプを絶縁基板の上に
並列的に積層して第一電極を設ける工程と、前記した各
ストライプと絶縁基板上に絶縁膜を選択的に被覆して第
一絶縁膜を設ける工程と、第一絶縁膜の上に硫化物を選
択的に積層し、次いで硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガス
または硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガスを不活性ガスと
混合したガスからなる雰囲気ガス中で温度５００ないし
６５０℃の範囲で硫化物を熱処理して発光層を形成する
工程と、発光層の全部と第一絶縁膜の上に絶縁膜を被覆
して第二絶縁膜を設ける工程と、透明導電膜からなる複
数のストライプを第一電極と立体的に交差して、第二絶
縁膜上に選択的に被覆して、第二電極を形成する工程と
を備えるとすることにより達成される。
【００１３】
【作用】第一電極に融点が６６０℃以上のケイ化物を用
いる場合は、第一電極に腐食や溶融を起こすことなく、
硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガスまたは硫黄ガス若しく
は硫黄化合物ガスを不活性ガスと混合したガスからなる
雰囲気ガス中において、温度５００ないし６５０℃の範
囲で硫化物である発光層を熱処理することができ、その
結果発光輝度の良好な薄膜電場発光素子が得られる。
いる場合は、第一電極に腐食や溶融を起こすことなく、
硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガスまたは硫黄ガス若しく
は硫黄化合物ガスを不活性ガスと混合したガスからなる
雰囲気ガス中において、温度５００ないし６５０℃の範
囲で硫化物である発光層を熱処理することができ、その
結果発光輝度の良好な薄膜電場発光素子が得られる。
【００１４】第一電極にモリブデンシリサイドを用いる
と、モリブデンシリサイドは光反射率が高いので反転型
薄膜電場発光素子の発光輝度をより高めることができ
る。硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガスまたは硫黄ガス若
しくは硫黄化合物ガスを不活性ガスと混合したガスから
なる雰囲気ガス中で温度５００ないし６５０℃の範囲で
硫化物を熱処理して発光層を形成すると硫化物結晶の硫
黄欠陥がなくなり発光層の発光輝度が高まる。
と、モリブデンシリサイドは光反射率が高いので反転型
薄膜電場発光素子の発光輝度をより高めることができ
る。硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガスまたは硫黄ガス若
しくは硫黄化合物ガスを不活性ガスと混合したガスから
なる雰囲気ガス中で温度５００ないし６５０℃の範囲で
硫化物を熱処理して発光層を形成すると硫化物結晶の硫
黄欠陥がなくなり発光層の発光輝度が高まる。
【００１５】
実施例１ 図１は、本発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を示す
断面図である。ガラスからなる絶縁基板１上に下部電極
６としてモリブデンシリサイドMoSi2をＤＣスパッタ成
膜した後、通常のフォトプロセスによりパタニングを行
う。その後、第一絶縁膜３としてSiO2とSi3N4 の積層膜
(250nm) を基板温度300 ℃にてスパッタ成膜し、続いて
発光層４としてSrS:Ce(600nm) を成膜する。SrS:Ce膜を
常圧の硫黄雰囲気ガス中で基板温度 600℃で熱処理した
後、第二絶縁膜５、透明上部電極２を順次積層パタニン
グする。この時の条件はそれぞれ第一絶縁膜３、下部電
極６の条件と全く同様である。有機フィルタ７をパター
ニングした封止ガラス８によりシリコンオイルを用い
て、上述の方法で得られた素子を封止した。
断面図である。ガラスからなる絶縁基板１上に下部電極
６としてモリブデンシリサイドMoSi2をＤＣスパッタ成
膜した後、通常のフォトプロセスによりパタニングを行
う。その後、第一絶縁膜３としてSiO2とSi3N4 の積層膜
(250nm) を基板温度300 ℃にてスパッタ成膜し、続いて
発光層４としてSrS:Ce(600nm) を成膜する。SrS:Ce膜を
常圧の硫黄雰囲気ガス中で基板温度 600℃で熱処理した
後、第二絶縁膜５、透明上部電極２を順次積層パタニン
グする。この時の条件はそれぞれ第一絶縁膜３、下部電
極６の条件と全く同様である。有機フィルタ７をパター
ニングした封止ガラス８によりシリコンオイルを用い
て、上述の方法で得られた素子を封止した。
【００１６】モリブデンシリサイドMoSi2 の光反射率は
モリブデンＭｏの光反射率とほぼ同じで約５０％であ
る。得られた薄膜電場発光素子の特性を測定した。図２
はこの発明の実施例に係る薄膜電場発光素子の発光輝度
につき電圧依存性（１１）を従来の素子の特性（１２）
と対比して示す線図である。発光層を硫黄雰囲気中で熱
処理しているために発光輝度が従来の約２倍になってい
ることがわかる。 実施例２ 下部電極６のモリブデンシリサイドMoSi2 をタングステ
ンシリサイドWSi2に替え、発光層４の SrS:Ce をZnS:Mn
に替え、硫黄雰囲気ガス中で基板温度 600℃での熱処理
を亜硫酸ガス中で温度５００℃で熱処理する方法に替え
る他は実施例１と同様にして薄膜電場発光素子を製作し
た。
モリブデンＭｏの光反射率とほぼ同じで約５０％であ
る。得られた薄膜電場発光素子の特性を測定した。図２
はこの発明の実施例に係る薄膜電場発光素子の発光輝度
につき電圧依存性（１１）を従来の素子の特性（１２）
と対比して示す線図である。発光層を硫黄雰囲気中で熱
処理しているために発光輝度が従来の約２倍になってい
ることがわかる。 実施例２ 下部電極６のモリブデンシリサイドMoSi2 をタングステ
ンシリサイドWSi2に替え、発光層４の SrS:Ce をZnS:Mn
に替え、硫黄雰囲気ガス中で基板温度 600℃での熱処理
を亜硫酸ガス中で温度５００℃で熱処理する方法に替え
る他は実施例１と同様にして薄膜電場発光素子を製作し
た。
【００１７】タングステンシリサイドWSi2の光反射率は
モリブデンシリサイドMoSi2 とほぼ同じく約５０％であ
る。実施例１と同様な良好な特性が得られた。
モリブデンシリサイドMoSi2 とほぼ同じく約５０％であ
る。実施例１と同様な良好な特性が得られた。
【００１８】
【発明の効果】第一の発明によれば第一電極が融点６６
０℃以上のケイ化物からなるので硫黄ガス若しくは硫黄
化合物ガスまたは硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガスを不
活性ガスと混合したガスからなる雰囲気ガス中におい
て、温度５００ないし６５０℃の範囲で硫化物である発
光層を熱処理することができ、その結果第一電極に腐食
や溶融を起こすことなく、発光輝度の良好な薄膜電場発
光素子が得られる。
０℃以上のケイ化物からなるので硫黄ガス若しくは硫黄
化合物ガスまたは硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガスを不
活性ガスと混合したガスからなる雰囲気ガス中におい
て、温度５００ないし６５０℃の範囲で硫化物である発
光層を熱処理することができ、その結果第一電極に腐食
や溶融を起こすことなく、発光輝度の良好な薄膜電場発
光素子が得られる。
【００１９】第一電極にモリブデンシリサイドを用いる
と、モリブデンシリサイドは光反射率が高いので反転型
薄膜電場発光素子の発光輝度をより高めることができ
る。また第二の発明によれば第一電極に融点が６６０℃
以上のケイ化物を用い、硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガ
スまたは硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガスを不活性ガス
と混合したガスからなる雰囲気ガス中で温度５００ない
し６５０℃の範囲で硫化物を熱処理して発光層を形成す
るので発光層の硫黄欠陥がなくなり、発光輝度の良好な
薄膜電場発光素子が得られる。
と、モリブデンシリサイドは光反射率が高いので反転型
薄膜電場発光素子の発光輝度をより高めることができ
る。また第二の発明によれば第一電極に融点が６６０℃
以上のケイ化物を用い、硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガ
スまたは硫黄ガス若しくは硫黄化合物ガスを不活性ガス
と混合したガスからなる雰囲気ガス中で温度５００ない
し６５０℃の範囲で硫化物を熱処理して発光層を形成す
るので発光層の硫黄欠陥がなくなり、発光輝度の良好な
薄膜電場発光素子が得られる。
【図１】本発明の実施例に係る薄膜電場発光素子を示す
断面図
断面図
【図２】本発明の実施例に係る薄膜電場発光素子につき
発光輝度特性を従来の特性と対比して示す線図
発光輝度特性を従来の特性と対比して示す線図
【図３】従来の薄膜電場発光素子を示す断面図
【図４】従来の反転構造薄膜電場発光素子を示す断面図
１ 絶縁基板 ２ 透明上部電極 ２Ａ 透明電極 ２Ｂ 透明上部電極 ３ 第一絶縁膜 ４ 発光層 ４Ａ 発光層 ４Ｂ 発光層 ５ 第二絶縁膜 ６ 下部電極 ６Ａ 背面電極 ６Ｂ 下部電極 ７ 有機フィルタ ８ 封止ガラス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河村 幸則 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁基板上に、第一電極、第一絶縁膜、発
光層、第二絶縁膜および第二電極を有し、 第一電極は融点が６６０℃以上のケイ化物からなるスト
ライプであり絶縁基板の上に複数個が並列的に設けら
れ、 第一絶縁膜は前記した各ストライプと絶縁基板を選択的
に被覆し、 発光層は硫化物からなり第一絶縁膜の上に選択的に積層
され、 第二絶縁膜は発光層の全部と第一絶縁膜の上に積層さ
れ、 第二電極は透明導電膜からなり、第一電極と立体的に交
差する複数のストライプであり、第二絶縁膜を選択的に
被覆してなることを特徴とする薄膜電場発光素子。 - 【請求項２】第一電極はモリブデンシリサイドであるこ
とを特徴とする薄膜電場発光素子。 - 【請求項３】絶縁基板上に、第一電極、第一絶縁膜、発
光層、第二絶縁膜および第二電極を順次積層する薄膜電
場発光素子の製造方法において、 融点が６６０℃以上のケイ化物からなる複数個のストラ
イプを絶縁基板の上に並列的に積層して第一電極を設け
る工程と、 前記した各ストライプと絶縁基板上に絶縁膜を選択的に
被覆して第一絶縁膜を設ける工程と、 第一絶縁膜の上に硫化物を選択的に積層し、次いで硫黄
ガス若しくは硫黄化合物ガスまたは硫黄ガス若しくは硫
黄化合物ガスを不活性ガスと混合したガスからなる雰囲
気ガス中で温度５００ないし６５０℃の範囲で硫化物を
熱処理して発光層を形成する工程と、 発光層の全部と第一絶縁膜の上に絶縁膜を被覆して第二
絶縁膜を設ける工程と、 透明導電膜からなる複数のストライプを第一電極と立体
的に交差して、第二絶縁膜上に選択的に被覆して、第二
電極を形成する工程とを備えることを特徴とする薄膜電
場発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7005345A JPH08195281A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 薄膜電場発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7005345A JPH08195281A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 薄膜電場発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195281A true JPH08195281A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11608629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7005345A Pending JPH08195281A (ja) | 1995-01-18 | 1995-01-18 | 薄膜電場発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08195281A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011018464A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Toyota Central R&D Labs Inc | 電極材料、電極及び素子 |
-
1995
- 1995-01-18 JP JP7005345A patent/JPH08195281A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011018464A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Toyota Central R&D Labs Inc | 電極材料、電極及び素子 |
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