JPH08195532A

JPH08195532A - 光半導体装置

Info

Publication number: JPH08195532A
Application number: JP7006701A
Authority: JP
Inventors: Masato Doi; 正人土居; Kenji Sawara; 健志佐原; Sabaato Hendoritsuku; サバートヘンドリック; Hironobu Narui; 啓修成井
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-01-19
Filing date: 1995-01-19
Publication date: 1996-07-30

Abstract

(57)【要約】【目的】面発光型の光半導体装置において、前方出射
光のフロントモニタを可能にする。【構成】半導体基板４２上に、第１のクラッド層４
３，活性層４４，第２のクラッド層４５を有する発光部
ＬＤと、発光部ＬＤの前方出射光Ｌを立ち上げる反射面
４６とを有してなる面発光型の光半導体装置において、
前方出射光を反射面４６を透過して直接検出する受光部
ＰＤを設け、反射面４６に金属反射膜５０を形成して構
成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体レーザ、
発光ダイオード等の発光部とその光出力をモニタするモ
ニタ用受光部を備えた面発光型の光半導体装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体レーザ装置においては、通
常、半導体レーザ素子の光出力をモニタして、積極的に
利用する半導体レーザ素子の前方から出射する光出力を
一定に保つようにしている。

【０００３】従来、半導体レーザ素子の光出力をモニタ
する方法としては、例えば図１８に示すように、半導体
レーザ素子１から前方に出射した光出力３をビームスプ
リッタ２等で分割し、ビームスプリッタ２で反射した反
射光３Ａを被照射体に照射し、ビームスプリッタ２を透
過した透過光３Ｂをフォトダイオード４で受光する方
法、或は、図１９に示すように、ただ単に第１のクラッ
ド層６Ａ，活性層６Ｂ及び第２のクラッド層６Ｃからな
る半導体レーザチップ６の前方の光出力７Ａとは反対側
の後方からの光出力７Ｂを、外付けのフォトダイオード
８で検出する方法がある。

【０００４】また、図２０に示すように、ｐｎ接合ｊ
（即ちフォトダイオードＰＤ）を形成したシリコンサブ
マウント基板１０上に、半導体レーザチップ６をマウン
トして所謂ＬＯＰ（ＬａｓｅｒＯｎＰｈｏｔｏｄｉ
ｏｄｅ）構造に構成し、半導体レーザチップ６の後方か
らの光出力７Ｂを基板１０上のｐｎ接合ｊで検出する方
法が知られている。これら図１８，図１９及び図２０の
半導体レーザ装置５，９及び１１はいずれもハイブリッ
ドで構成される。

【０００５】半導体レーザ装置をあるシステム、例えば
光ピックアップに利用する場合、光出力を一定に保つた
めの光検出器とフィードバック機構が必要となる。この
ためには、通常、半導体レーザ素子からの後方の光出力
を検出するフォトダイオードかパッケージに内蔵され、
半導体レーザ素子の前方及び後方の光出力比が一定であ
ることを利用してフィードバックを行うのが一般的であ
る。

【０００６】図２１は、従来の光ピックアップの一例を
示す。この光ピックアップ２１は、半導体レーザ素子２
２，コリメートレンズ２３，グレーティング２４，偏光
ビームスプリッタ２５，１／４波長板２６，フォーカス
レンズ２７，シリンドリカルレンズ２８及びフォトダイ
オードからなる受光素子２９を備えて成り、半導体レー
ザ素子２２からのレーザ光Ｌをコリメートレンズ２３，
グレーティング２４，偏光ビームスプリッタ２５，１／
４波長板２６及びフォーカスレンズ２７を通過して光デ
ィスク（コンパクトディスク、光磁気ディスク等）３０
に照射され、この光ディスク３０で反射された光が偏光
ビームスプリッタ２５で反射されシリンドリカルレンズ
２８を通して受光素子２９にて受光検出される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
半導体レーザ装置を光ピックアップに利用した場合、パ
ッケージが大きくなったり、組立工程が増えるという欠
点がある。さらに、戻り光が大きい光磁気ディスクプレ
ーヤなどのシステムなどにおいては、前方及び後方の光
出力比が必ずしも一定とはならないため、前述の図１９
及び図２０の後方の光出力を検出する場合、前方の光出
力を間接的にモニタしていることになり、必ずしも正確
な検出ができない。そこで図１８の前方の光出力をビー
ムスプリッタなどで光分岐してモニタしなければなら
ず、さらに部品点数や組立工程が増えることになる。

【０００８】本発明は、上述の点に鑑み、前方の光出力
をモニタ用として直接検出できるようにした面発光型の
光半導体装置を提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光半導体装
置は、半導体基板上に第１のクラッド層、活性層及び第
２のクラッド層を有する発光部と、発光部の前方出射光
を立ち上げる反射面とを有してなる面発光型の光半導体
装置において、立ち上げのための反射面に金属反射膜を
形成し、前方出射光をこの金属反射膜で反射して立ち上
げると共に、一部の前方出射光を金属反射膜を透過して
直接受光部に検出するように構成する。

【００１０】

【作用】本発明においては、発光部からの前方出射光が
反射面の金属反射膜で反射され上方に出射されると共
に、前方出射光の一部が金属反射膜を透過して受光部に
て直接検出されるので、前方出射光の光出力が正確にモ
ニタされる。そして、反射面に金属反射膜を形成するこ
とにより、反射膜として例えば誘電体多層膜を用いた場
合に比べて、波長依存性、偏光特性依存性、入射角依存
性が小さくなる。

【００１１】

【実施例】本発明に係る光半導体装置は、第１のグリッ
ド層、活性層及び第２のグリッド層を有する発光部と、
この発光部の前方出射光を立ち上げる反射面を有してな
る面発光型の光半導体装置において、前方出射光を反射
面を透過して直接検出する受光部を設け、反射面に金属
反射膜を形成して構成する。

【００１２】金属反射膜としては１０ｎｍ〜１００ｎ
ｍ、好ましくは２０ｎｍ〜５０ｎｍとすることができ
る。

【００１３】更に、発光部の後方出射光側の共振器端面
に第２の金属反射膜を形成することができる。

【００１４】以下、図面を参照して本発明に係る光半導
体装置の実施例を説明する。

【００１５】図１は本発明に係る光半導体装置である半
導体レーザ装置の一実施例を示す。本例の半導体レーザ
装置４１は、水平共振器の半導体レーザＬＤとこの半導
体レーザＬＤからの前方出射光Ｌを上方に、例えば垂直
方向に立ち上げるための反射面４６と、前方出射光Ｌを
直接検出するためのモニタ用の受光部、例えばフォトダ
イオードＰＤとを同一半導体基板４２上にモノリシック
に形成した例である。

【００１６】即ち、この半導体レーザ装置４１は、第１
導電型のＧａＡｓ基板４２上にＭＯＣＶＤ（有機金属化
学気相成長）法によりエピタキシャル成長した例えばＡ
ｌＧａＡｓ（又はＧａＡｓ）による第１のクラッド層４
３、例えばＡｌＧａＡｓ（又はＧａＡｓ）による活性層
４４、例えばＡｌＧａＡｓ（又はＧａＡｓ）による第２
のクラッド層４５からなり、両共振器端面４７Ａ，４７
Ｂを有する水平共振器の半導体レーザ素子ＬＤを形成
し、同一のＧａＡｓ基板４２上の半導体レーザ素子ＬＤ
の前方出射光Ｌ側の共振器端面４７Ａと対向した位置
に、所定角度例えば４５°の反射面４６をもつＧａＡｓ
領域４８を形成し、この反射面４６に臨むようにフォト
ダイオードＰＤを形成すると共に、絶縁膜４９を介して
この反射面４６上に金属反射膜５０を形成して構成され
る。

【００１７】反射面４６をもつＧａＡｓ領域４８は、例
えばＧａＡｓ基板４２上にＭＯＣＶＤ法により選択成長
して形成することもでき、或は、ＧａＡｓ基板４２に斜
め溝を形成し、その一方の溝壁を反射面４６とするよう
にして形成することができる。他の溝壁はエッチング除
去されて後、半導体レーザが形成される。

【００１８】金属反射膜５０は、例えば絶縁膜４９とな
じみのよいＴｉ（又はＰｄ）の下地膜を介してＡｕ膜を
形成して形成することができる。この反射面４６上の金
属反射膜５０は反射率が１００％未満に設定される。

【００１９】具体的な製造方法及び構造は詳しく後述す
る。

【００２０】次に、図７〜図１７を用いて本実施例の特
徴を説明する。図１と同じ構造で作製したリアモニタの
場合のレーザ素子ＬＤへの注入電流Ｉと光出力の光強度
Ｌの関係を示すＩ−Ｌ特性、及びモニタ電流Ｉ_mと光出
力の光強度Ｌとの関係を示すＩ_m−Ｌ特性を図７に示
す。この試料では、半導体レーザ素子は前方及び後方の
光出力が同じになるように作製し、フォトダイオード表
面には金属反射膜に変えて無反射コート膜を形成し、前
方の光出力のモニタ用のフォトダイオードＰＤでの検出
が後方の光出力の検出と等価とした。

【００２１】図７において、曲線ＩはＩ_m−Ｌ特性、曲
線IIはＩ−Ｌ特性を示す。この曲線Ｉに示すように、前
方光出力３ｍＷ時にモニタ電流Ｉ_mは約１．５ｍＡと非
常に大きい。通常、モニタ電流Ｉ_mは０．１〜０．２ｍ
Ａ程度必要なことから、フロントモニタとしては反射膜
の反射率を９０％程度にすればよいことがわかる。

【００２２】通常、透過率が１０％程度の反射膜の材料
は、誘電体多層膜を用いるのが一般的である。しかし、
特に、図１のように斜め光入射の場合、波長依存や偏光
特性依存が大きくなる。これを補うには膜層を増やせば
よいが、全体の膜厚が厚くなり、パターニングなどのプ
ロセスに不具合が生じる。そこで、金属薄膜を反射膜と
して用いる場合を考える。通常、金属膜は全反射用が主
であり、ハーフミラーとしてはあまり用いないが、反射
率が９０％程度の場合は、現実的な厚みであり、十分制
御可能である。

【００２３】ＧａＡｓ層上に形成したＳｉ（アモルファ
ス）−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｓｉ（アモルファス）−Ａｌ₂Ｏ₃
の誘電体４層膜と、ＧａＡｓ層上に形成したＡｕの金属
薄膜との反射率、透過率をＳ偏光及びＰ偏光のそれぞれ
について計算した。図８〜図１１は、４５°入射で波長
を変えたときのＳ偏光反射率Ｒ_s，Ｐ偏光反射率Ｒ
_Pと、Ｓ偏光透過率Ｔ_S，Ｐ偏光透過率Ｔ_Pを示す。実
線で示す曲線ａ₁〜ａ₄が膜厚２９ｎｍの金属薄膜の場
合、破線で示す曲線ｂ₁〜ｂ₄が誘電体４層膜の場合で
ある。実線の金属薄膜の方が波長依存性が小さいことが
認められる。

【００２４】また、図１２〜図１５は、波長を一定にし
て入射角を変えたときのＳ偏光反射率Ｒ_S，Ｐ偏光反射
率Ｒ_P、とＳ偏光透過率Ｔ_S，Ｐ偏光透過率Ｔ_Pを示
す。同様に実線で示す曲線ａ₅〜ａ₈は膜厚２９ｎｍの
金属薄膜の場合、破線で示すｂ ₅〜ｂ₈が誘電体４層膜
の場合である。実線の金属薄膜の方が入射角依存性が小
さいことが認められる。

【００２５】実際にＧａＡｓ層上にＡｕを蒸着したもの
の反射率を測定した結果を図１６に示す。実線で示す曲
線ｘ₁がＳ偏光の場合、破線で示す曲線ｘ₂がｐ偏光の
場合である。厚みを変えた試料を作製したが、ほぼ計算
通りの反射率が得られ、膜厚制御は現実的に可能であ
る。

【００２６】また、膜厚が３０ｎｍのＡｕの金属薄膜の
入射角依存性を調べたが、図１７の曲線III に示すよう
に、計算通り小さいことが確かめられた。金属薄膜はリ
フトオフなどの通常のメタルプロセスでパターニング可
能であり、通常高温で成膜する誘電体より作製が簡単で
あるという利点がある。

【００２７】そして、上述の図１の実施例において、金
属反射膜５０としては、図１６の膜厚−反射率の特性図
から、１０ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは、２０ｎｍ〜
５０ｎｍの範囲に設定する。膜厚が１０ｎｍより薄くな
ると反射率が６０％以下となり、反射面で立ち上げられ
た前方出射光の光出力が少なくなりすぎて実用的でなく
なる。また、１００ｎｍより厚くすると透過率が極端に
少なくなり、モニタ検出ができにくい。膜厚を２０ｎｍ
〜５０ｎｍの範囲とするときには、反射率及び透過率共
に、より適切な値が得られる。

【００２８】上述した図１の構成の半導体レーザ装置４
１では、半導体レーザ素子ＬＤの前方出射光Ｌが反射面
４６上の例えばＡｕ等の金属反射膜５０によって反射さ
れ、例えば反射面４６が４５°の斜面であれば垂直方向
に出射されると同時に、前方出射光Ｌの一部が金属反射
膜５０を透過してフォトダイオードＰＤに検出され、前
方出射光Ｌの光出力が正確にモニタされる。このフォト
ダイオードＰＤからの検出信号を別の電気的なフィード
バック機構によりフィードバックすることにより、半導
体レーザ素子ＬＤの前方出射光Ｌの光出力が一定に制御
される。

【００２９】この半導体レーザ装置４１によれば、前方
出射光Ｌを直接モニタするので、正確に前方出射光Ｌの
光出力を検出することができる。また、半導体レーザ素
子ＬＤ及びモニタとなるフォトダイオードＰＤが同一基
板上にモノリシックに形成されるので、光学系が簡素化
し、低コストとなる。また、作製が簡単となり、半導体
レーザ装置４１の小型化が図れる。

【００３０】反射膜として金属反射膜５０を用いること
により、反射率を容易に制御することができ、且つ光の
入射角、光の波長に依存しにくく、偏光特性の依存性も
小さくなる。また、反射膜５０を薄く形成することがで
きる。

【００３１】次に、上例の半導体レーザ素子の具体例
を、その製法と共に説明する。図４Ａに示すように第１
導電型例えばｎ型の｛１００｝結晶面を主面とするＧａ
Ａｓ基板４２上に、半導体レーザ素子を構成する各半導
体層４３Ａ，４４Ａ，４５Ａをエピタキシャル成長す
る。すなわち、例えば順次基板と同導電型（ｎ型）のＡ
ｌＧａＡｓよりなる第１のクラッド層４３、例えばＡｌ
ＧａＡｓ又はＧａＡｓ、本例ではＧａＡｓよりなる活性
層４４、第１のクラッド層４３と異なる第２導電型例え
ばｐ型の第２のクラッド層４５をＭＯＣＶＤ等によって
エピタキシーした積層膜５２を形成する。

【００３２】次に、図４Ｂに示すように、これらエピタ
キシャル成長した積層膜５２の一部を半導体レーザ素子
ＬＤとして残して少なくとも最終的に反射鏡、即ち反射
面４６、モニタ用の受光部となるフォトダイオードＰＤ
を形成する部分をＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等
によってエッチングする。そして、このエッチング面に
よる積層膜の両端面を半導体レーザ素子の一方の共振器
端面４７Ａ及び他方の共振器端面４７Ｂとし、両端面４
７Ａ及び４７Ｂ間に半導体レーザ素子ＬＤを構成する水
平共振器を形成する。この場合、図示しないが最終的に
半導体レーザ素子ＬＤの共振器を形成する領域を挟むよ
うに電流阻止領域を不純物のイオン注入によって形成す
る。

【００３３】次いで、図４Ｃに示すように、半導体レー
ザ素子ＬＤの構成部を覆って、マスク層となる例えばＳ
ｉＯ₂，ＳｉＮ等の絶縁膜５３を被着形成する。

【００３４】次に、図４Ｄに示すように、絶縁膜５３に
よって覆われない基板上に例えば第１導電型例えばｎ型
のＧａＡｓによる第１の半導体層５５を選択的にＭＯＣ
ＶＤによって形成し、続いて、第２導電型例えばｐ型の
ＧａＡｓによる第２の半導体層５６を選択的にＭＯＣＶ
Ｄによって形成し、この第１及び第２の半導体層５５及
び５６によってモニタ用の受光部即ちフォトダイオード
ＰＤを形成する。

【００３５】この場合、基板４２上に選択的にエピタキ
シャル成長された第１及び第２の半導体層５５及び５６
の共振器端面４７Ａと対向する面４６が特定された結晶
面となる。例えば、半導体レーザ素子ＬＤの端面４７Ａ
及び４７Ｂ間に形成された水平共振器の共振器方向ｂを
〔０１１〕結晶軸方向とするときは対向面４６は｛１１
１｝Ａ面による斜面として生じ、方向ｂを〔０−１１〕
結晶軸方向とするときは｛１１１｝Ｂ面による斜面とし
て生じ、いずれも基板の板面とのなす角が５４．７°と
なる。

【００３６】また、方向ｂを〔１００〕結晶軸方向とす
るときは対向面４６は｛１１０｝面として生じ、基板４
１の面に対し、４５°をなす。いずれも原子面によるモ
フォロジーの良い斜面として形成される。これによっ
て、この斜面を、半導体レーザ素子ＬＤの端面からの出
射光を反射させて所定方向に向ける反射鏡、即ち反射面
４６とすることができる。反射面は、結晶面によって形
成されることから鏡面性にすぐれ、またその傾きの設定
が正確に行われる。

【００３７】次に、図４Ｅに示すように、ＳｉＯ₂，Ｓ
ｉＮ等による絶縁膜５７を介して反射面４６上に前述し
た反射率１００％未満の例えばＡｕによる金属反射膜５
０を蒸着、スパッタ等により、被着形成する。また、こ
の例では、半導体レーザ素子ＬＤの後方の共振器端面４
７Ｂを覆うように、ＳｉＯ₂，ＳｉＮ等による絶縁膜５
７を介して反射率１００％又は之に近い高反射率の例え
ばＡｕよりなる金属反射膜５９を被着形成する。尚、共
振器端面４７Ｂ上の金属反射膜５９を、反射面４６上の
金属反射膜５０と同一反射率の金属薄膜で同時に形成す
ることも可能である。

【００３８】斯くして、図２に示すように、目的の半導
体レーザ装置６１が得られる。

【００３９】図３は他の実施例であり、この例の半導体
レーザ装置６２は、図４Ｄの工程でｎ型の第１の半導体
層５５を選択成長させた後に、拡散によって第１の半導
体層５５の表面にｐ型の第２の半導体層６３を形成して
モニタ用のフォトダイオードＰＤを形成した場合であ
る。このときのフォトダイオードＰＤは反射面４６を含
む上面にわたって形成される。それ以外の製造工程、構
成は図４及び図２と同様である。

【００４０】この半導体レーザ装置６１，６２では、基
本的には後方からの出力光を必要としない。従って、こ
の半導体レーザ装置は前述の作用効果に加えて、半導体
レーザ素子ＬＤの後方の共振器端面４７Ｂを覆うように
高反射率の金属反射膜５９を形成することにより、前方
出射光Ｌの出力光を増大させることができ、その結果、
レーザの閾値を下げることができる等、レーザの高効率
化を可能にする。

【００４１】また、この半導体レーザ素子ＬＤの後方の
共振器端面４７Ｂに高反射率の金属反射膜５９を形成し
た半導体レーザ装置では、ウエハープロセスですべて行
えるため、製造上、困難ではない。

【００４２】図５は、本発明の他の実施例を示す。本例
は、第１のクラッド層４３，活性層４４及び第２のクラ
ッド層４５を有する水平共振器の半導体レーザ素子ＬＤ
からの前方出射光Ｌの立ち上げ用の反射面としてマイク
ロプリズム６５を用い、またモニタ用フォトダイオード
にヒートシンクを兼ねるシリコンのｐｉｎフォトダイオ
ードＰＤを用いて成る。即ち、主面上にモニタ用のｐｉ
ｎフォトダイオードＰＤを形成したシリコン基板６６上
にフォトダイオードＰＤと離れた位置に水平共振器の半
導体レーザ素子ＬＤを配置し、更に、半導体レーザ素子
ＬＤの前方の共振器端面４７Ａに対向するようにフォト
ダイオードＰＤ上にマイクロプリズム６５を配置し、こ
のマイクロプリズム６５の反射面６７上に、上述したと
同様の反射率１００％未満の例えばＡｕからなる金属反
射膜５０を形成して構成される。

【００４３】この半導体レーザ装置６８では、半導体レ
ーザ素子ＬＤの前方出射光Ｌがマイクロプリズム６５の
反射面６７上の金属反射膜５０によって反射され、上方
に出射されると共に、その前方出射光Ｌの一部が金属反
射膜５０及びプリズム６５を透過してシリコン基板６６
上のフォトダイオードＰＤに検出されることになり、前
方出射光Ｌの出力が直接モニタされる。

【００４４】図６は、本発明の更に他の実施例を示す。
本例は、シリコン基板６６上に之と一体の反射面７０を
形成し、この反射面７０にモニタ用のフォトダイオード
ＰＤを形成し、この反射面７０には絶縁膜７１を介して
図５と同様の金属反射膜５０を形成し、そして、シリコ
ン基板６６上に金属反射膜５０に対応するように図５と
同様の半導体レーザ素子ＬＤを配置して構成される。こ
の半導体レーザ装置７２では、半導体レーザ素子ＬＤの
前方出射光Ｌが反射面上の金属反射膜５０によって反射
され上方に出射されると共に、その前方出射光Ｌの一部
が金属反射膜５０を透過してフォトダイオードＰＤに検
出され、前方出射光の出力が直接モニタされる。

【００４５】図５及び図６の例においても、半導体レー
ザ素子ＬＤの後方の共振器端面に、前述と同様の金属反
射膜５９を形成することができる。これら面発光型の半
導体レーザ装置６８，７２においても、上例と同様に、
前方出射光を直接検出することにより、正確なモニタが
行え、また反射膜として金属反射膜５０を用いることに
よって、反射率の制御がしやすいこと、光の入射角、波
長、偏光特性等の依存性が少ないこと、反射膜を薄くで
きること、装置全体が小型化されること等の効果を奏す
る。

【００４６】上述した、半導体レーザ装置４１，６１，
６２，６８，７２は、コンパクトディスクプレーヤ、光
磁気ディスクプレーヤなどの光ピックアップに用いるこ
とができる。例えば前述の図２１の半導体レーザ素子２
２に代えて前述の半導体レーザ装置４１，６１，６２，
６８，又は７２を配置することにより、光ピックアップ
を構成できる。この構成によれば正確な出射光をモニタ
にしてフィードバックし、光出力を一定に制御すること
ができる。また、部品点数が少なく、製造工程も簡素化
され、光ピックアップの小型化が図れる。

【００４７】上例では、発光部を半導体レーザ素子とし
たが、その他、発光部を発光ダイオードで構成する場合
にも本発明は適用できる。

【００４８】

【発明の効果】本発明によれば、面発光型の光半導体装
置において、発光部からの前方出射光を反射面側に配し
た受光部によって直接検出することができる。従って、
前方出射光の光出力を正確にモニタすることができる。
また、光学系が簡素化し、低コスト化が可能となる。

【００４９】そして、反射面に金属反射膜を形成するの
で、光の入射角依存性、波長依存性、偏光特性依存性を
小さくすることができる。金属反射膜を用いるので、反
射膜を薄く形成できると共に、反射率の制御が容易とな
る。

【００５０】金属反射膜を用いるので反射膜の作製が簡
単となる。また、この種の面発光型の光半導体装置の小
型化が可能となる。

【００５１】反射面に形成する金属反射膜の膜厚を１０
ｎｍ〜１００ｎｍとすることにより、モニタ検出を可能
にする適切な透過率をもたせて且つ高反射率の反射膜と
することができる。

【００５２】更に、発光部の後方出射光側の共振器端面
にも第２の金属反射膜を形成することにより、後方出射
光の光出力を可及的に減らし、前方出射光を光出力を可
及的に増大させることができる。この結果、発光部の閾
値を下げることができる等、発光部の高効率化を図るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光半導体装置の一実施例を示す構
成図である。

【図２】本発明に係る光半導体装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図３】本発明に係る光半導体装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図４】Ａ図３の光半導体装置の製造方法の例を示す
製造工程図である。Ｂ図３の光半導体装置の製造方法の例を示す製造工程
図である。Ｃ図３の光半導体装置の製造方法の例を示す製造工程
図である。Ｄ図３の光半導体装置の製造方法の例を示す製造工程
図である。Ｅ図３の光半導体装置の製造方法の例を示す製造工程
図である。

【図５】本発明に係る半導体装置の他の実施例を示す構
成図である。

【図６】本発明に係る半導体装置の他の実施例を示す構
成図である。

【図７】本発明の説明に供する注入電流Ｉ−光強度Ｌ特
性及びモニタ電流Ｉ_m−光強度Ｌ特性を示すグラフであ
る。

【図８】誘電体４層膜と金属（Ａｕ）膜を比較したｓ偏
光の波長に対する反射率Ｒｓ特性を示すグラフである。

【図９】誘電体４層膜と金属（Ａｕ）膜を比較したｓ偏
光の波長に対する透過率Ｔｓ特性を示すグラフである。

【図１０】誘電体４層膜と金属（Ａｕ）膜を比較したｐ
偏光の波長に対する反射率Ｒｐ特性を示すグラフであ
る。

【図１１】誘電体４層膜と金属（Ａｕ）膜を比較したｐ
偏光の波長に対する透過率Ｔｐ特性を示すグラフであ
る。

【図１２】誘電体４層膜と金属（Ａｕ）膜を比較したｓ
偏光の入射角に対する反射率Ｒｓ特性を示すグラフであ
る。

【図１３】誘電体４層膜と金属（Ａｕ）膜を比較したｓ
偏光の入射角に対する透過率Ｔｓ特性を示すグラフであ
る。

【図１４】誘電体４層膜と金属（Ａｕ）膜を比較したｐ
偏光の入射角に対する反射率Ｒｐ特性を示すグラフであ
る。

【図１５】誘電体４層膜と金属（Ａｕ）膜を比較したｐ
偏光の入射角に対する透過率Ｔｐ特性を示すグラフであ
る。

【図１６】金属（Ａｕ）膜に４５°で入射した光（ｓ偏
光とｐ偏光）の膜厚と反射率の関係を示すグラフであ
る。

【図１７】３０ｎｍ厚の金属（Ａｕ）膜に光（ｓ偏光，
ｐ偏光）を入射したときの入射角に対する反射率の関係
を示すグラフである。

【図１８】従来の半導体レーザ装置の一例を示す構成図
である。

【図１９】従来の半導体レーザ装置の他の例を示す構成
図である。

【図２０】従来の半導体レーザ装置の他の例を示す構成
図である。

【図２１】光ピックアップの一例を示す構成図である。

【符号の説明】

４１，６１，６２，６８，７２光半導体装置４２基板４３第１のクラッド層４４活性層４５第２のクラッド層ＬＤ半導体レーザ素子ＰＤフォトダイオード４６反射面５０，５９金属反射膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者成井啓修東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に、第１のクラッド層、活
性層及び第２のクラッド層を有する発光部と、該発光部
の前方出射光を立ち上げる反射面とを有してなる面発光
型の光半導体装置において、前記前方出射光を前記反射
面を透過して直接検出する受光部が設けられ、前記反射
面に金属反射膜が形成されて成ることを特徴とする光半
導体装置。
【請求項２】前記金属反射膜の膜厚が１０ｎｍ〜１０
０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の光半導
体装置。
【請求項３】前記発光部の後方出射光側の共振器端面
に第２の金属反射膜が形成されて成ることを特徴とする
請求項１又は２に記載の光半導体装置。