JPH08195606A - マイクロ波結合線路 - Google Patents
マイクロ波結合線路Info
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- JPH08195606A JPH08195606A JP7005220A JP522095A JPH08195606A JP H08195606 A JPH08195606 A JP H08195606A JP 7005220 A JP7005220 A JP 7005220A JP 522095 A JP522095 A JP 522095A JP H08195606 A JPH08195606 A JP H08195606A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 通信用マイクロ波集積回路における結合線路
の小型化を図り、高密度かつ小型の集積回路を提供す
る。 【構成】 接地導体２１に対して４本のストリップ状導
体３１〜３４を設け、ストリップ状導体３１、３２につ
いてはその一部または全部が互いに重なるように配置
し、ストリップ状導体３３、３４についてもその一部ま
たは全部が互いに重なるように配置し、ストリップ状導
体３１、３３を互いに接続し、ストリップ状導体３２、
３４を互いに接続する。
の小型化を図り、高密度かつ小型の集積回路を提供す
る。 【構成】 接地導体２１に対して４本のストリップ状導
体３１〜３４を設け、ストリップ状導体３１、３２につ
いてはその一部または全部が互いに重なるように配置
し、ストリップ状導体３３、３４についてもその一部ま
たは全部が互いに重なるように配置し、ストリップ状導
体３１、３３を互いに接続し、ストリップ状導体３２、
３４を互いに接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波の伝送に利用
する。特に、１ＧＨｚ以上の周波数の信号を分配あるい
は合成するマイクロ波結合線路に関する。本発明は例え
ば方向性結合器として用いることができる。
する。特に、１ＧＨｚ以上の周波数の信号を分配あるい
は合成するマイクロ波結合線路に関する。本発明は例え
ば方向性結合器として用いることができる。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来例の基本的なマイクロ波結合
線路を示す断面構造図である。この従来例は、誘電体ま
たは半導体の基板１１上に形成された接地導体２１と、
この接地導体２１上に形成された誘電体膜１２とを備
え、誘電体膜１２の表面には平行な２本のストリップ状
導体３１、３２を備える。接地導体２１およびストリッ
プ状導体３１により第一のマイクロストリップ線路が構
成され、接地導体２１およびストリップ状導体３２によ
り第二のマイクロストリップ線路が構成される。ストリ
ップ状導体３１および３２を近接して配置することによ
り、第一および第二のマイクロストリップ線路がマイク
ロ波結合線路として動作する。
線路を示す断面構造図である。この従来例は、誘電体ま
たは半導体の基板１１上に形成された接地導体２１と、
この接地導体２１上に形成された誘電体膜１２とを備
え、誘電体膜１２の表面には平行な２本のストリップ状
導体３１、３２を備える。接地導体２１およびストリッ
プ状導体３１により第一のマイクロストリップ線路が構
成され、接地導体２１およびストリップ状導体３２によ
り第二のマイクロストリップ線路が構成される。ストリ
ップ状導体３１および３２を近接して配置することによ
り、第一および第二のマイクロストリップ線路がマイク
ロ波結合線路として動作する。
【０００３】しかし、この構造のマイクロ波結合線路
は、ストリップ状導体２２、２３の間隔を極端に小さく
しないと密結合の結合線路を構成することができず、製
造上困難があった。
は、ストリップ状導体２２、２３の間隔を極端に小さく
しないと密結合の結合線路を構成することができず、製
造上困難があった。
【０００４】この困難を解決した従来例を図１０ないし
図１２に断面構造により示す。
図１２に断面構造により示す。
【０００５】図１０に示す従来例は、誘電体または半導
体の基板１１の全面に形成された接地導体２１と、この
接地導体２１上に形成された誘電体膜１２とを備え、誘
電体膜１２の内部には２本のストリップ状導体３１、３
２を備える。誘電体膜１２上には全面に接地導体２２を
備える。接地導体２１およびストリップ状導体３１によ
り第一のマイクロストリップ線路が構成され、接地導体
２２およびストリップ状導体３２により第二のマイクロ
ストリップ線路が構成される。ストリップ状導体３１お
よび３２を対向させて配置することにより、第一および
第二のマイクロストリップ線路がマイクロ波結合線路と
して動作する。
体の基板１１の全面に形成された接地導体２１と、この
接地導体２１上に形成された誘電体膜１２とを備え、誘
電体膜１２の内部には２本のストリップ状導体３１、３
２を備える。誘電体膜１２上には全面に接地導体２２を
備える。接地導体２１およびストリップ状導体３１によ
り第一のマイクロストリップ線路が構成され、接地導体
２２およびストリップ状導体３２により第二のマイクロ
ストリップ線路が構成される。ストリップ状導体３１お
よび３２を対向させて配置することにより、第一および
第二のマイクロストリップ線路がマイクロ波結合線路と
して動作する。
【０００６】図１１に示す従来例は、誘電体または半導
体の基板１１の全面に形成された接地導体２１と、この
接地導体２１上に形成された誘電体膜１２とを備え、誘
電体膜１２の表面には平行な４本のストリップ状導体３
１、３２、３３、３４を備え、ストリップ状導体３１と
ストリップ状導体３３とは間にストリップ状導体３２を
挟んで互いに接続され、ストリップ状導体３２とストリ
ップ状導体３４とは間にストリップ状導体３３を挟んで
互いに接続される。接地導体２１とストリップ状導体３
１、３３とにより第一のマイクロストリップ線路が構成
され、接地導体２１とストリップ状導体３２、３４とに
より第二のマイクロストリップ線路が構成される。第一
のマイクロストリップ線路を構成するストリップ状導体
３１、３３と第二のマイクロストリップ線路を構成する
ストリップ状導体３２、３４とを交互に近接して配置す
ることにより、これらのマイクロストリップ線路がマイ
クロ波結合線路として動作する。この構造はランゲ・カ
プラ（Lange Coupler)として知られている。
体の基板１１の全面に形成された接地導体２１と、この
接地導体２１上に形成された誘電体膜１２とを備え、誘
電体膜１２の表面には平行な４本のストリップ状導体３
１、３２、３３、３４を備え、ストリップ状導体３１と
ストリップ状導体３３とは間にストリップ状導体３２を
挟んで互いに接続され、ストリップ状導体３２とストリ
ップ状導体３４とは間にストリップ状導体３３を挟んで
互いに接続される。接地導体２１とストリップ状導体３
１、３３とにより第一のマイクロストリップ線路が構成
され、接地導体２１とストリップ状導体３２、３４とに
より第二のマイクロストリップ線路が構成される。第一
のマイクロストリップ線路を構成するストリップ状導体
３１、３３と第二のマイクロストリップ線路を構成する
ストリップ状導体３２、３４とを交互に近接して配置す
ることにより、これらのマイクロストリップ線路がマイ
クロ波結合線路として動作する。この構造はランゲ・カ
プラ（Lange Coupler)として知られている。
【０００７】図１２に示す従来例は、誘電体または半導
体の基板１１の全面に形成された接地導体２１と、この
接地導体２１上に形成された誘電体膜１２とを備え、誘
電体膜１２の表面と内部とにそれぞれストリップ状導体
３１、３２を備える。これらのストリップ状導体３１、
３２は、その一部または全体が互いに重なり合うように
配置される。接地導体２１とストリップ状導体３１とに
より第一のマイクロストリップ線路が構成され、接地導
体２１とストリップ状導体３２とにより第二のマイクロ
ストリップ線路が構成され、これらがマイクロ波結合線
路として動作する。
体の基板１１の全面に形成された接地導体２１と、この
接地導体２１上に形成された誘電体膜１２とを備え、誘
電体膜１２の表面と内部とにそれぞれストリップ状導体
３１、３２を備える。これらのストリップ状導体３１、
３２は、その一部または全体が互いに重なり合うように
配置される。接地導体２１とストリップ状導体３１とに
より第一のマイクロストリップ線路が構成され、接地導
体２１とストリップ状導体３２とにより第二のマイクロ
ストリップ線路が構成され、これらがマイクロ波結合線
路として動作する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図１０に示し
た２本のストリップ状導体を誘電体膜内に埋め込んだ構
造のマイクロ波結合線路は、複数の接地導体を必要と
し、しかも離れて形成するため集積化が困難であった。
また、図１１に示したランゲ・カプラは、構造が複雑で
あり形状が大型になるため、マイクロ波集積回路の小型
化の障害となっていた。さらに、図１２に示した２本の
ストリップ状導体の一方を誘電体膜の表面、他方を誘電
体膜の内部に配置する構造では、結合線路が非対称とな
り、実用的な設計が困難となる問題があった。
た２本のストリップ状導体を誘電体膜内に埋め込んだ構
造のマイクロ波結合線路は、複数の接地導体を必要と
し、しかも離れて形成するため集積化が困難であった。
また、図１１に示したランゲ・カプラは、構造が複雑で
あり形状が大型になるため、マイクロ波集積回路の小型
化の障害となっていた。さらに、図１２に示した２本の
ストリップ状導体の一方を誘電体膜の表面、他方を誘電
体膜の内部に配置する構造では、結合線路が非対称とな
り、実用的な設計が困難となる問題があった。
【０００９】本発明は、このような課題を解決し、高密
度かつ小型の集積回路を実現するための小型のマイクロ
波結合線路を提供することを目的とする。
度かつ小型の集積回路を実現するための小型のマイクロ
波結合線路を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロ波結合
線路は、４本のストリップ状導体を備え、第一および第
二のストリップ状導体は少なくともその一部が接地導体
に対して垂直の方向に並んで配置され、第三のストリッ
プ状導体は第二のストリップ状導体と実質的に同じ面で
あって接地導体に対して実質的に平行な面に配置され、
第四のストリップ状導体は、第一のストリップ状導体と
実質的に同じ面であって接地導体に対して実質的に平行
な面に、第三のストリップ状導体に対して少なくともそ
の一部が接地導体から垂直の方向に並んで配置され、第
一のストリップ状導体と第三のストリップ状導体とが互
いに電気的に接続され、第二のストリップ状導体と第四
のストリップ状導体とが互いに電気的に接続されたこと
を特徴とする。
線路は、４本のストリップ状導体を備え、第一および第
二のストリップ状導体は少なくともその一部が接地導体
に対して垂直の方向に並んで配置され、第三のストリッ
プ状導体は第二のストリップ状導体と実質的に同じ面で
あって接地導体に対して実質的に平行な面に配置され、
第四のストリップ状導体は、第一のストリップ状導体と
実質的に同じ面であって接地導体に対して実質的に平行
な面に、第三のストリップ状導体に対して少なくともそ
の一部が接地導体から垂直の方向に並んで配置され、第
一のストリップ状導体と第三のストリップ状導体とが互
いに電気的に接続され、第二のストリップ状導体と第四
のストリップ状導体とが互いに電気的に接続されたこと
を特徴とする。
【００１１】２本のマイクロ波線路は入力端と出力端と
の間が対称に形成されることが望ましい。
の間が対称に形成されることが望ましい。
【００１２】
【作用】第一のストリップ状導体と第三のストリップ状
導体とが接地導体との間で１本のマイクロ波線路が形成
され、第二のストリップ状導体と第四のストリップ状導
体とが接地導体との間でもう１本のマイクロ波線路が形
成される。これらのマイクロ波線路は、マイクロ波信号
が入力されたとき、ブロードサイド結合線路として動作
する。
導体とが接地導体との間で１本のマイクロ波線路が形成
され、第二のストリップ状導体と第四のストリップ状導
体とが接地導体との間でもう１本のマイクロ波線路が形
成される。これらのマイクロ波線路は、マイクロ波信号
が入力されたとき、ブロードサイド結合線路として動作
する。
【００１３】本発明のマイクロ波結合線路は構造的に対
称結合線路であり、従来からの設計法による設計が可能
である。
称結合線路であり、従来からの設計法による設計が可能
である。
【００１４】さらに、第一と第二、第三と第四のストリ
ップ状導体の少なくとも一部が重ねて形成されるので、
２本のマイクロ波線路で構成されるマイクロ波結合線路
をメアンダ状に形成することができ、マイクロ波結合線
路を小型化することができる。
ップ状導体の少なくとも一部が重ねて形成されるので、
２本のマイクロ波線路で構成されるマイクロ波結合線路
をメアンダ状に形成することができ、マイクロ波結合線
路を小型化することができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明第一実施例のマイクロ波結合線
路を示す斜視図であり、図２はその断面図である。図１
では導体形状を示すため一部を透かして示す。このマイ
クロ波結合線路は、接地導体２１と、この接地導体２１
との間で電気的に２本のマイクロ波線路を形成する４本
のストリップ状導体３１〜３４とを備え、２本のマイク
ロ波線路は相互に信号の分配あるいは合成が行われるよ
うに少なくともその一部が近接して配置される。ここ
で、第一および第二のストリップ状導体３１、３２は少
なくともその一部が接地導体２１に対して垂直の方向に
並んで配置され、第三のストリップ状導体３３は第二の
ストリップ状導体３２と実質的に同じ面であって接地導
体２１に対して実質的に平行な面に配置され、第四のス
トリップ状導体３４は、第一のストリップ状導体３１と
実質的に同じ面であって接地導体２１に対して実質的に
平行な面に、第三のストリップ状導体３３に対して少な
くともその一部が接地導体２１から垂直の方向に並んで
配置される。第一のストリップ状導体３１と第三のスト
リップ状導体３３とは互いに電気的に接続され、第二の
ストリップ状導体３２と第四のストリップ状導体３４と
は互いに電気的に接続される。
路を示す斜視図であり、図２はその断面図である。図１
では導体形状を示すため一部を透かして示す。このマイ
クロ波結合線路は、接地導体２１と、この接地導体２１
との間で電気的に２本のマイクロ波線路を形成する４本
のストリップ状導体３１〜３４とを備え、２本のマイク
ロ波線路は相互に信号の分配あるいは合成が行われるよ
うに少なくともその一部が近接して配置される。ここ
で、第一および第二のストリップ状導体３１、３２は少
なくともその一部が接地導体２１に対して垂直の方向に
並んで配置され、第三のストリップ状導体３３は第二の
ストリップ状導体３２と実質的に同じ面であって接地導
体２１に対して実質的に平行な面に配置され、第四のス
トリップ状導体３４は、第一のストリップ状導体３１と
実質的に同じ面であって接地導体２１に対して実質的に
平行な面に、第三のストリップ状導体３３に対して少な
くともその一部が接地導体２１から垂直の方向に並んで
配置される。第一のストリップ状導体３１と第三のスト
リップ状導体３３とは互いに電気的に接続され、第二の
ストリップ状導体３２と第四のストリップ状導体３４と
は互いに電気的に接続される。
【００１６】このようなマイクロ波結合線路を製造する
には、まず、誘電体または半導体の基板１１の全面に接
地導体２１を形成する。ついでその接地導体２１上に誘
電体膜１２を形成し、その誘電体膜１２上に２本の幅ｗ
1 のストリップ状導体３２、３３を間隔ｄ1 で形成す
る。さらに、誘電体膜１２およびストリップ状導体３
２、３３上に誘電体膜１３を形成し、その誘電体膜１３
上に２本の幅ｗ2 のストリップ状導体３１、３４を間隔
ｄ2 で形成する。ここで、「上」とは基板から離れる方
向を意味し、マイクロ波結合線路の製造時あるいは使用
時の方向をいうものではない。
には、まず、誘電体または半導体の基板１１の全面に接
地導体２１を形成する。ついでその接地導体２１上に誘
電体膜１２を形成し、その誘電体膜１２上に２本の幅ｗ
1 のストリップ状導体３２、３３を間隔ｄ1 で形成す
る。さらに、誘電体膜１２およびストリップ状導体３
２、３３上に誘電体膜１３を形成し、その誘電体膜１３
上に２本の幅ｗ2 のストリップ状導体３１、３４を間隔
ｄ2 で形成する。ここで、「上」とは基板から離れる方
向を意味し、マイクロ波結合線路の製造時あるいは使用
時の方向をいうものではない。
【００１７】ストリップ状導体３１〜３４を形成すると
きには、ストリップ状導体３２、３３の中心線とストリ
ップ状導体３１、３４の中心線とを結ぶ面が、接地導体
２１と垂直に交わるようにする。また、ストリップ状導
体３１〜３４をメアンダ状に形成する。さらに、ストリ
ップ状導体３１、３３間およびストッリプ状導体２３、
３４間をそれぞれスルーホールその他で電気的に接続す
る。
きには、ストリップ状導体３２、３３の中心線とストリ
ップ状導体３１、３４の中心線とを結ぶ面が、接地導体
２１と垂直に交わるようにする。また、ストリップ状導
体３１〜３４をメアンダ状に形成する。さらに、ストリ
ップ状導体３１、３３間およびストッリプ状導体２３、
３４間をそれぞれスルーホールその他で電気的に接続す
る。
【００１８】このようにして得られたマイクロ波結合線
路にマイクロ波信号を伝搬させると、接地導体２１とス
トリップ状導体３１、３３とで構成された第一のマイク
ロストリップ線路と、接地導体２１とストリップ状導体
３２、３４とで構成されたマイクロストリップ線路との
間で電磁界の結合が生じ、マイクロ波結合線路として動
作する。
路にマイクロ波信号を伝搬させると、接地導体２１とス
トリップ状導体３１、３３とで構成された第一のマイク
ロストリップ線路と、接地導体２１とストリップ状導体
３２、３４とで構成されたマイクロストリップ線路との
間で電磁界の結合が生じ、マイクロ波結合線路として動
作する。
【００１９】図１ではストリップ状導体３１、３３間お
よび３２、３４間のそれぞれの接続を両端部で行うよう
に示したが、この接続はストリップ状導体３１〜３４の
どの位置で行ってもよく、その数もいくらでもよい。
よび３２、３４間のそれぞれの接続を両端部で行うよう
に示したが、この接続はストリップ状導体３１〜３４の
どの位置で行ってもよく、その数もいくらでもよい。
【００２０】図３は図１および図２に示した構造のマイ
クロ波結合線路のＳパラメータをモーメント法により計
算した結果を示す。図１および図２に示したマイクロ波
結合線路は構造的に対称であるため、従来の対称結合線
路における設計法を利用することができる。図３には、
接地導体２１とストリップ状導体３１、３３とからなる
第一のマイクロストリップ線路の入力端から出力端に伝
搬する振幅Ｍａｇ〔Ｓ２１〕および位相Ｐｈａｓｅ〔Ｓ
２１〕と、同じ入力端から接地導体２１とストリップ状
導体３２、３４とからなる第二のストリップ線路の出力
端に伝搬する振幅Ｍａｇ〔Ｓ４１〕および位相Ｐｈａｓ
ｅ〔Ｓ４１〕とを示す。ストリップ状導体３１〜３４の
それぞれの幅および間隔を調整することで、３０ＧＨｚ
付近においてほぼ所望の位相差９０度の等振幅分配が得
られた。計算時の条件は、 各導体の幅および間隔ｗ1 ＝ｗ2 ＝ｄ1 ＝ｄ2 ＝５μｍ 各導体の長さ＝１２５０μｍ ストリップ状導体３２、３３の厚さ＝９．０μｍ ストリップ状導体３１、３４の厚さ＝１１．５μｍ 誘電体膜１２、１３の比誘電率εr ＝３．３ である。
クロ波結合線路のＳパラメータをモーメント法により計
算した結果を示す。図１および図２に示したマイクロ波
結合線路は構造的に対称であるため、従来の対称結合線
路における設計法を利用することができる。図３には、
接地導体２１とストリップ状導体３１、３３とからなる
第一のマイクロストリップ線路の入力端から出力端に伝
搬する振幅Ｍａｇ〔Ｓ２１〕および位相Ｐｈａｓｅ〔Ｓ
２１〕と、同じ入力端から接地導体２１とストリップ状
導体３２、３４とからなる第二のストリップ線路の出力
端に伝搬する振幅Ｍａｇ〔Ｓ４１〕および位相Ｐｈａｓ
ｅ〔Ｓ４１〕とを示す。ストリップ状導体３１〜３４の
それぞれの幅および間隔を調整することで、３０ＧＨｚ
付近においてほぼ所望の位相差９０度の等振幅分配が得
られた。計算時の条件は、 各導体の幅および間隔ｗ1 ＝ｗ2 ＝ｄ1 ＝ｄ2 ＝５μｍ 各導体の長さ＝１２５０μｍ ストリップ状導体３２、３３の厚さ＝９．０μｍ ストリップ状導体３１、３４の厚さ＝１１．５μｍ 誘電体膜１２、１３の比誘電率εr ＝３．３ である。
【００２１】図４ないし図８はそれぞれ本発明の第二な
いし第六実施例のマイクロ波結合線路を示す断面図であ
る。これらの実施例は、誘電体膜と接地導体との配置、
あるいはこれらに対するストリップ状導体３１〜３４の
位置についての修正例であり、４本のストリップ状導体
３１〜３４の位置関係および接続は第一実施例と同等で
ある。
いし第六実施例のマイクロ波結合線路を示す断面図であ
る。これらの実施例は、誘電体膜と接地導体との配置、
あるいはこれらに対するストリップ状導体３１〜３４の
位置についての修正例であり、４本のストリップ状導体
３１〜３４の位置関係および接続は第一実施例と同等で
ある。
【００２２】図４に示す第二実施例は、ストリップ状導
体が誘電体膜内に配置され、接地導体が上部に配置され
たことが第一実施例と異なる。すなわち、誘電体または
半導体の基板１１上に誘電体膜１４を備え、この誘電体
膜１４の上部に接地導体２２を備え、４本のストリップ
状導体３１〜３４が誘電体１４の内部に配置される。
体が誘電体膜内に配置され、接地導体が上部に配置され
たことが第一実施例と異なる。すなわち、誘電体または
半導体の基板１１上に誘電体膜１４を備え、この誘電体
膜１４の上部に接地導体２２を備え、４本のストリップ
状導体３１〜３４が誘電体１４の内部に配置される。
【００２３】図５に示す第三実施例は、接地導体および
ストリップ状導体がそれぞれ誘電体膜内に配置されたこ
とが第一実施例と異なる。すなわち、誘電体または半導
体の基板１１上に誘電体膜１５を備え、この誘電体膜１
５上に接地導体２３を備え、この接地導体２３上に誘電
体膜１６を備え、４本のストリップ状導体３１〜３４が
誘電体膜１６の内部に配置される。
ストリップ状導体がそれぞれ誘電体膜内に配置されたこ
とが第一実施例と異なる。すなわち、誘電体または半導
体の基板１１上に誘電体膜１５を備え、この誘電体膜１
５上に接地導体２３を備え、この接地導体２３上に誘電
体膜１６を備え、４本のストリップ状導体３１〜３４が
誘電体膜１６の内部に配置される。
【００２４】図６に示す第四実施例は、接地導体が誘電
体膜内に配置されたことが第一実施例と異なる。すなわ
ち、誘電体または半導体の基板１１上に誘電体膜１５を
備え、この誘電体膜１５上に接地導体２３を備え、この
接地導体２３上に誘電体膜１６を備え、ストリップ状導
体３２および３３は誘電体膜１６内に、ストリップ状導
体３１、３４は誘電体膜１６上に配置される。
体膜内に配置されたことが第一実施例と異なる。すなわ
ち、誘電体または半導体の基板１１上に誘電体膜１５を
備え、この誘電体膜１５上に接地導体２３を備え、この
接地導体２３上に誘電体膜１６を備え、ストリップ状導
体３２および３３は誘電体膜１６内に、ストリップ状導
体３１、３４は誘電体膜１６上に配置される。
【００２５】図７に示す第五実施例は、接地導体が誘電
体膜内に配置されたことが図４に示した実施例と異な
る。すなわち、誘電体または半導体の基板１１上に誘電
体膜１４を備え、この誘電体膜１４上に接地導体２２を
備え、この接地導体２２上に誘電体膜１７を備える。４
本のストリップ状導体３１〜３４は誘電体１４の内部に
配置される。
体膜内に配置されたことが図４に示した実施例と異な
る。すなわち、誘電体または半導体の基板１１上に誘電
体膜１４を備え、この誘電体膜１４上に接地導体２２を
備え、この接地導体２２上に誘電体膜１７を備える。４
本のストリップ状導体３１〜３４は誘電体１４の内部に
配置される。
【００２６】図８に示す第六実施例は、ストリップ状導
体３２、３３が誘電体膜１４の下部に配置されたことが
図７に示した実施例と異なる。
体３２、３３が誘電体膜１４の下部に配置されたことが
図７に示した実施例と異なる。
【００２７】これらの実施例は、４本ストリップ状導体
３１〜３４の位置関係および接続が第一実施例と同等で
あり、その動作も第一実施例と同等である。
３１〜３４の位置関係および接続が第一実施例と同等で
あり、その動作も第一実施例と同等である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のマイクロ
波結合線路は、第一および第二のストリップ状導体の一
部または全部が重なって形成され、第三および第四のス
トリップ状導体の一部または全部が重なって形成される
ので、マイクロ波結合線路の占める面積を小さくするこ
とができる。また、本発明のマイクロ波結合線路はメア
ンダ状の線路パターンに形成することが可能であり、回
路をさらに小型化することができる。
波結合線路は、第一および第二のストリップ状導体の一
部または全部が重なって形成され、第三および第四のス
トリップ状導体の一部または全部が重なって形成される
ので、マイクロ波結合線路の占める面積を小さくするこ
とができる。また、本発明のマイクロ波結合線路はメア
ンダ状の線路パターンに形成することが可能であり、回
路をさらに小型化することができる。
【００２９】また、本発明のマイクロ波結合線路はブロ
ードサイド結合であり、広帯域化と密結合化を容易に実
現することができる。
ードサイド結合であり、広帯域化と密結合化を容易に実
現することができる。
【００３０】さらに、本発明のマイクロ波結合線路は構
造的に対称であり、従来のマイクロ波結合線路の設計法
を利用することができ、設計が容易である。
造的に対称であり、従来のマイクロ波結合線路の設計法
を利用することができ、設計が容易である。
【図１】本発明第一実施例のマイクロ波結合線路を示す
斜視図。
斜視図。
【図２】本発明第一実施例のマイクロ波結合線路の構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図３】マイクロ波結合線路のＳパラメータをモーメン
ト法により計算した結果を示す図。
ト法により計算した結果を示す図。
【図４】本発明第二実施例のマイクロ波結合線路の構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図５】本発明第三実施例のマイクロ波結合線路の構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図６】本発明第四実施例のマイクロ波結合線路の構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図７】本発明第五実施例のマイクロ波結合線路の構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図８】本発明第六実施例のマイクロ波結合線路の構造
を示す断面図。
を示す断面図。
【図９】従来例の基本的な構造を示す断面図。
【図１０】図９に示した従来例の問題点を解決した従来
例の構造を示す断面図。
例の構造を示す断面図。
【図１１】別の従来例を示す断面図。
【図１２】さらに別の従来例を示す断面図。
１１ 基板 １２〜１７ 誘電体膜 ２１〜２３ 接地導体 ３１〜３５ ストリップ状導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/822 Ｈ０１Ｐ 3/08 11/00 Ｇ N16
Claims (2)
- 【請求項１】 接地導体と、 この接地導体との間で電気的に２本のマイクロ波線路を
形成する複数のストリップ状導体とを備え、 前記２本のマイクロ波線路は相互に信号の分配あるいは
合成が行われるように少なくともその一部が近接して配
置されたマイクロ波結合線路において、 前記複数は４であり、 第一および第二のストリップ状導体は少なくともその一
部が接地導体に対して垂直の方向に並んで配置され、 第三のストリップ状導体は前記第二のストリップ状導体
と実質的に同じ面であって接地導体に対して実質的に平
行な面に配置され、 第四のストリップ状導体は、前記第一のストリップ状導
体と実質的に同じ面であって接地導体に対して実質的に
平行な面に、前記第三のストリップ状導体に対して少な
くともその一部が接地導体から垂直の方向に並んで配置
され、 前記第一のストリップ状導体と前記第三のストリップ状
導体とが互いに電気的に接続され、 前記第二のストリップ状導体と前記第四のストリップ状
導体とが互いに電気的に接続されたことを特徴とするマ
イクロ波結合線路。 - 【請求項２】 前記２本のマイクロ波線路は入力端と出
力端との間が対称に形成された請求項１記載のマイクロ
波結合線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7005220A JPH08195606A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | マイクロ波結合線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7005220A JPH08195606A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | マイクロ波結合線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195606A true JPH08195606A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11605122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7005220A Pending JPH08195606A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | マイクロ波結合線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08195606A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1317794C (zh) * | 2003-07-01 | 2007-05-23 | 华为技术有限公司 | 多层介质宽边耦合器 |
| JP2012514881A (ja) * | 2009-01-02 | 2012-06-28 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 移相器、フェーズド・アレイ・システム、受信信号を移相するための方法、および送信信号を移相するための方法 |
| JP2012521156A (ja) * | 2009-03-16 | 2012-09-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | オンチップ・ミリメートル波ランゲ・カプラ、このランゲ・カプラを含む同相／直交復調器、平衡増幅器、集積回路、設計構造（オンチップ・ミリメートル波ランゲ・カプラ） |
| CN103943931A (zh) * | 2014-04-26 | 2014-07-23 | 陈其钗 | 一种带屏蔽线的c波段耦合器 |
| CN103943929A (zh) * | 2014-04-26 | 2014-07-23 | 陈其钗 | 一种带屏蔽线的c波段正交电桥 |
| CN103943932A (zh) * | 2014-04-26 | 2014-07-23 | 陈其钗 | 一种带矩形缺口的c波段正交电桥 |
-
1995
- 1995-01-17 JP JP7005220A patent/JPH08195606A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1317794C (zh) * | 2003-07-01 | 2007-05-23 | 华为技术有限公司 | 多层介质宽边耦合器 |
| JP2012514881A (ja) * | 2009-01-02 | 2012-06-28 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 移相器、フェーズド・アレイ・システム、受信信号を移相するための方法、および送信信号を移相するための方法 |
| JP2012521156A (ja) * | 2009-03-16 | 2012-09-10 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | オンチップ・ミリメートル波ランゲ・カプラ、このランゲ・カプラを含む同相／直交復調器、平衡増幅器、集積回路、設計構造（オンチップ・ミリメートル波ランゲ・カプラ） |
| US8643431B2 (en) | 2009-03-16 | 2014-02-04 | International Business Machines Corporation | On-chip millimeter wave lange coupler |
| US8947160B2 (en) | 2009-03-16 | 2015-02-03 | International Business Machines Corporation | On-chip millimeter wave Lange coupler |
| CN103943931A (zh) * | 2014-04-26 | 2014-07-23 | 陈其钗 | 一种带屏蔽线的c波段耦合器 |
| CN103943929A (zh) * | 2014-04-26 | 2014-07-23 | 陈其钗 | 一种带屏蔽线的c波段正交电桥 |
| CN103943932A (zh) * | 2014-04-26 | 2014-07-23 | 陈其钗 | 一种带矩形缺口的c波段正交电桥 |
| CN103943929B (zh) * | 2014-04-26 | 2017-11-10 | 陈振德 | 一种带屏蔽线的c波段正交电桥 |
| CN103943931B (zh) * | 2014-04-26 | 2017-12-01 | 重庆市木越机械制造有限公司 | 一种带屏蔽线的c波段耦合器 |
| CN103943932B (zh) * | 2014-04-26 | 2017-12-19 | 陈振德 | 一种带矩形缺口的c波段正交电桥 |
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