JPH08195632A - Ｇｐｓアンテナ用プリアンプ - Google Patents
Ｇｐｓアンテナ用プリアンプInfo
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- JPH08195632A JPH08195632A JP7004728A JP472895A JPH08195632A JP H08195632 A JPH08195632 A JP H08195632A JP 7004728 A JP7004728 A JP 7004728A JP 472895 A JP472895 A JP 472895A JP H08195632 A JPH08195632 A JP H08195632A
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- circuit
- gps antenna
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 異常発振が防止でき、開発期間及び開発労力
が削減できかつ部品点数が削減できるＧＰＳアンテナ用
プリアンプを提供する。 【構成】 ＧＰＳアンテナ用プリアンプ１において、Ｇ
ａＡｓ−ＦＥＴ１２を保護するサージサージ電圧吸収用
チョーク回路１４の少なくとも一部の領域が絶縁体を介
在し電波を遮蔽するシールド体１５で被覆される。シー
ルド体１５は少なくとも前記入力整合回路１１及びＧａ
Ａｓ−ＦＥＴ１２を被覆するシールドケースの一部分で
構成される。
が削減できかつ部品点数が削減できるＧＰＳアンテナ用
プリアンプを提供する。 【構成】 ＧＰＳアンテナ用プリアンプ１において、Ｇ
ａＡｓ−ＦＥＴ１２を保護するサージサージ電圧吸収用
チョーク回路１４の少なくとも一部の領域が絶縁体を介
在し電波を遮蔽するシールド体１５で被覆される。シー
ルド体１５は少なくとも前記入力整合回路１１及びＧａ
Ａｓ−ＦＥＴ１２を被覆するシールドケースの一部分で
構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧＰＳ衛星からの電波
を受信する受信アンテナに接続されるＧＰＳアンテナ用
プリアンプに関し、特に保護回路を有するＧＰＳアンテ
ナ用プリアンプに関する。
を受信する受信アンテナに接続されるＧＰＳアンテナ用
プリアンプに関し、特に保護回路を有するＧＰＳアンテ
ナ用プリアンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は従来使用されているＧＰＳアンテ
ナ用プリアンプの回路構成を示す。同図に示すように、
ＧＰＳアンテナ用プリアンプ１の入力端子にはＧＰＳ衛
星からの電波を受信する受信アンテナ２が接続される。
ＧＰＳアンテナ用プリアンプ１は入力整合回路１１、Ｇ
ａＡｓ−ＦＥＴ１２、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 、容量Ｃ1 、Ｃ2
及び出力整合回路１３を備える。入力整合回路１１、出
力整合回路１３はいずれもマイクロストリップラインを
利用したチョーク回路及び容量で構成される。
ナ用プリアンプの回路構成を示す。同図に示すように、
ＧＰＳアンテナ用プリアンプ１の入力端子にはＧＰＳ衛
星からの電波を受信する受信アンテナ２が接続される。
ＧＰＳアンテナ用プリアンプ１は入力整合回路１１、Ｇ
ａＡｓ−ＦＥＴ１２、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 、容量Ｃ1 、Ｃ2
及び出力整合回路１３を備える。入力整合回路１１、出
力整合回路１３はいずれもマイクロストリップラインを
利用したチョーク回路及び容量で構成される。
【０００３】一般的にこの種のＧＰＳアンテナ用プリア
ンプ１においては、受信アンテナ２で発生した静電気そ
の他によるサージ電圧からＧａＡｓ−ＦＥＴ１２を保護
する保護回路としてサージ電圧吸収用チョーク回路１４
が必須である。サージ電圧吸収用チョーク回路１４の一
端は入力端子及び入力整合回路１１に接続され、他端は
基準電圧（接地）に接続される。サージ電圧吸収用チョ
ーク回路１４はマイクロストリップラインを利用した１
／４波長のチョーク回路で形成される。
ンプ１においては、受信アンテナ２で発生した静電気そ
の他によるサージ電圧からＧａＡｓ−ＦＥＴ１２を保護
する保護回路としてサージ電圧吸収用チョーク回路１４
が必須である。サージ電圧吸収用チョーク回路１４の一
端は入力端子及び入力整合回路１１に接続され、他端は
基準電圧（接地）に接続される。サージ電圧吸収用チョ
ーク回路１４はマイクロストリップラインを利用した１
／４波長のチョーク回路で形成される。
【０００４】前記サージ電圧吸収用チョーク回路１４
は、ＧＰＳ帯域内の周波数において高周波的に開放条件
になるので、入力整合回路１１の動作には影響を与えな
い。しかしながら、帯域外の周波数においては特定のリ
アクタンスが存在し、入力整合回路１１のインピーダン
スが変化し易い。このため、ＧａＡｓ−ＦＥＴ１２の特
性によっては発振条件の範疇に至り、ＧａＡｓ−ＦＥＴ
１２に異常発振が発生する可能性が高い。また、サージ
電圧吸収用チョーク回路１４の長さが１／４波長に設定
されるので、グランドのインピーダンスの状態若しくは
帯域外での電荷が高い場合にはサージ電圧吸収用チョー
ク回路１４自体がアンテナになる。この場合にはＧａＡ
ｓ−ＦＥＴ１２にノイズ等の帰還が印加され、同様に異
常発振が発生する可能性が高い。
は、ＧＰＳ帯域内の周波数において高周波的に開放条件
になるので、入力整合回路１１の動作には影響を与えな
い。しかしながら、帯域外の周波数においては特定のリ
アクタンスが存在し、入力整合回路１１のインピーダン
スが変化し易い。このため、ＧａＡｓ−ＦＥＴ１２の特
性によっては発振条件の範疇に至り、ＧａＡｓ−ＦＥＴ
１２に異常発振が発生する可能性が高い。また、サージ
電圧吸収用チョーク回路１４の長さが１／４波長に設定
されるので、グランドのインピーダンスの状態若しくは
帯域外での電荷が高い場合にはサージ電圧吸収用チョー
ク回路１４自体がアンテナになる。この場合にはＧａＡ
ｓ−ＦＥＴ１２にノイズ等の帰還が印加され、同様に異
常発振が発生する可能性が高い。
【０００５】そこで、通常、異常発振の防止を目的とし
て、入力整合回路１１のインピーダンスの調整が行わ
れ、前記ＧａＡｓ−ＦＥＴ１２の動作が安定領域に保持
される。前述のインピーダンスの調整方法には以下の方
法が有効である。
て、入力整合回路１１のインピーダンスの調整が行わ
れ、前記ＧａＡｓ−ＦＥＴ１２の動作が安定領域に保持
される。前述のインピーダンスの調整方法には以下の方
法が有効である。
【０００６】（１）第１方法としては、入力整合回路１
１のストリップラインの形状を異常発振が防止できる形
状に変更する方法。
１のストリップラインの形状を異常発振が防止できる形
状に変更する方法。
【０００７】（２）第２方法としては、特開平４−３２
４７０５号公報に開示されるように、入力整合回路１１
のストリップラインにチップ抵抗を接続する方法。
４７０５号公報に開示されるように、入力整合回路１１
のストリップラインにチップ抵抗を接続する方法。
【０００８】（３）第３方法としては、特開平４−１１
３７０１号公報に開示されるように、ＧａＡｓ−ＦＥＴ
１２のバイアス用チョーク回路に安定化用抵抗を直列に
接続する方法。
３７０１号公報に開示されるように、ＧａＡｓ−ＦＥＴ
１２のバイアス用チョーク回路に安定化用抵抗を直列に
接続する方法。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
異常発振を防止する各種方法においては以下の点の配慮
がなされていない。
異常発振を防止する各種方法においては以下の点の配慮
がなされていない。
【００１０】（１）前記第１方法においては、最終的に
異常発振が防止できるストリップラインの形状を見出す
までには数多くの回路基板の試作と実験工数とが必須で
あり、ＧＰＳアンテナ用プリアンプの開発に多大な時間
及び労力が必要になる。例えば、ストリップラインのパ
ターン幅を細くし、チョーク回路の帯域外での電荷を下
げることが１つの対策になる。ところが、微細なパター
ンにすればエッチング精度のばらつきの度合が大きくな
り、かつパターンの耐久性が低下するので、むやみにパ
ターン幅は細くできない。本発明者が行った検討の結
果、パターン幅は０. ２ｍｍが限界であると考えられ、
このパターン幅を採用したが異常発振は防止できなかっ
た。さらに、たとえ異常発振が防止できたとしても、Ｇ
ＰＳアンテナ用プリアンプの周波数特性が所望の周波数
特性からずれる可能性がある。
異常発振が防止できるストリップラインの形状を見出す
までには数多くの回路基板の試作と実験工数とが必須で
あり、ＧＰＳアンテナ用プリアンプの開発に多大な時間
及び労力が必要になる。例えば、ストリップラインのパ
ターン幅を細くし、チョーク回路の帯域外での電荷を下
げることが１つの対策になる。ところが、微細なパター
ンにすればエッチング精度のばらつきの度合が大きくな
り、かつパターンの耐久性が低下するので、むやみにパ
ターン幅は細くできない。本発明者が行った検討の結
果、パターン幅は０. ２ｍｍが限界であると考えられ、
このパターン幅を採用したが異常発振は防止できなかっ
た。さらに、たとえ異常発振が防止できたとしても、Ｇ
ＰＳアンテナ用プリアンプの周波数特性が所望の周波数
特性からずれる可能性がある。
【００１１】（２）前記第２方法においては、異常発振
を防止するために新たにチップ抵抗を設ける必要がある
ので、ＧＰＳアンテナ用プリアンプの部品点数が増加す
る。さらに、異常発振を防止するにはチップ抵抗の定数
を勘案しチップ抵抗の取付け位置の検討を行う必要があ
る。このため、前述と同様に、チップ抵抗の取付け位置
を見出すまでには数多くの実験工数が必須であり、ＧＰ
Ｓアンテナ用プリアンプの開発に多大な時間及び労力が
必要になる。
を防止するために新たにチップ抵抗を設ける必要がある
ので、ＧＰＳアンテナ用プリアンプの部品点数が増加す
る。さらに、異常発振を防止するにはチップ抵抗の定数
を勘案しチップ抵抗の取付け位置の検討を行う必要があ
る。このため、前述と同様に、チップ抵抗の取付け位置
を見出すまでには数多くの実験工数が必須であり、ＧＰ
Ｓアンテナ用プリアンプの開発に多大な時間及び労力が
必要になる。
【００１２】（３）前記第３の方法はＧａＡｓ−ＦＥＴ
等の増幅器のバイアス供給ラインが異常発振の原因とな
っている場合に有効である。しかしながら、サージ電圧
吸収用チョーク回路１４を備えたＧＰＳアンテナ用プリ
アンプにおいては直接適用できる方法ではないと考えら
れる。さらに、安定化用抵抗を取付けて異常発振が防止
できたとしても前述と同様にＧＰＳアンテナ用プリアン
プの部品点数が増大し、かつ開発に多大な時間及び労力
が必要になる。
等の増幅器のバイアス供給ラインが異常発振の原因とな
っている場合に有効である。しかしながら、サージ電圧
吸収用チョーク回路１４を備えたＧＰＳアンテナ用プリ
アンプにおいては直接適用できる方法ではないと考えら
れる。さらに、安定化用抵抗を取付けて異常発振が防止
できたとしても前述と同様にＧＰＳアンテナ用プリアン
プの部品点数が増大し、かつ開発に多大な時間及び労力
が必要になる。
【００１３】本発明は前述の課題を解決するためになさ
れたものである。すなわち、本発明の目的は、異常発振
が防止できるとともに、開発期間及び開発労力が削減で
きかつ部品点数が削減できるＧＰＳアンテナ用プリアン
プを提供することにある。
れたものである。すなわち、本発明の目的は、異常発振
が防止できるとともに、開発期間及び開発労力が削減で
きかつ部品点数が削減できるＧＰＳアンテナ用プリアン
プを提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ＧＰＳ衛星からの電波を受信する受信ア
ンテナの入力端子に入力整合回路を通して接続されるＦ
ＥＴと、一端が前記入力端子及び入力整合回路に接続さ
れ他端が基準電圧端子に接続されるサージ電圧吸収用チ
ョーク回路と、を有するＧＰＳアンテナ用プリアンプに
おいて、前記サージ電圧吸収用チョーク回路の少なくと
も一部の領域に基準電位に保たれたシールド体が近接配
置され、前記サージ電圧吸収用チョーク回路とシールド
体とが高周波的に結合されることを特徴とする。
に、本発明は、ＧＰＳ衛星からの電波を受信する受信ア
ンテナの入力端子に入力整合回路を通して接続されるＦ
ＥＴと、一端が前記入力端子及び入力整合回路に接続さ
れ他端が基準電圧端子に接続されるサージ電圧吸収用チ
ョーク回路と、を有するＧＰＳアンテナ用プリアンプに
おいて、前記サージ電圧吸収用チョーク回路の少なくと
も一部の領域に基準電位に保たれたシールド体が近接配
置され、前記サージ電圧吸収用チョーク回路とシールド
体とが高周波的に結合されることを特徴とする。
【００１５】
【作用】本発明においては、前記サージ電圧吸収用チョ
ーク回路がシールド体で被覆されるので、周囲との間の
電磁界結合が遮断され、ＧＰＳ帯域外の周波数において
サージ電圧吸収用チョーク回路のリアクタンス成分が安
定領域に変化する。さらに、ＧＰＳ帯域外の周波数にお
いてサージ電圧吸収用チョーク回路の電荷が減少しアン
テナとしての作用がなくなり、かつサージ電圧吸収用チ
ョーク回路へのノイズ等の帰還経路が遮断される。すな
わち、ＦＥＴの動作が安定に保持されるので、異常発振
が防止できる。
ーク回路がシールド体で被覆されるので、周囲との間の
電磁界結合が遮断され、ＧＰＳ帯域外の周波数において
サージ電圧吸収用チョーク回路のリアクタンス成分が安
定領域に変化する。さらに、ＧＰＳ帯域外の周波数にお
いてサージ電圧吸収用チョーク回路の電荷が減少しアン
テナとしての作用がなくなり、かつサージ電圧吸収用チ
ョーク回路へのノイズ等の帰還経路が遮断される。すな
わち、ＦＥＴの動作が安定に保持されるので、異常発振
が防止できる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の構成について図面を参照し説
明する。
明する。
【００１７】図１は本発明の一実施例に係るＧＰＳアン
テナ用プリアンプの回路構成図である。図１において前
記図８と同一符号を付した部分は同一機能を有してお
り、説明が重複するので、同一符号が付された部分の説
明は省略する。
テナ用プリアンプの回路構成図である。図１において前
記図８と同一符号を付した部分は同一機能を有してお
り、説明が重複するので、同一符号が付された部分の説
明は省略する。
【００１８】図１に示すように、ＧＰＳアンテナ用プリ
アンプ１においてはシールド体１５が構成される。シー
ルド体１５はサージ電圧からＧａＡｓ−ＦＥＴ１２を保
護するサージサージ電圧吸収用チョーク回路１４の少な
くとも一部分を被覆し、このシールド体１５は周囲との
間に発生する電磁界結合を遮断する。
アンプ１においてはシールド体１５が構成される。シー
ルド体１５はサージ電圧からＧａＡｓ−ＦＥＴ１２を保
護するサージサージ電圧吸収用チョーク回路１４の少な
くとも一部分を被覆し、このシールド体１５は周囲との
間に発生する電磁界結合を遮断する。
【００１９】図２はＧＰＳアンテナ用プリアンプの具体
的な構成を示す上面図である。ＧＰＳアンテナ用プリア
ンプ１にはプリアンプ基板（配線基板）２０の表面上に
シールドケース３０が取付けられる。同図２及び図３
（シールドケース３０の底面図）に示すように、シール
ドケース３０は具体的な部品形状を図示しないがプリア
ンプ基板２０上に載置される入力整合回路１１、ＧａＡ
ｓ−ＦＥＴ１２、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 、容量Ｃ1 、Ｃ2 及び
出力整合回路１３を被覆し、ＧＰＳアンテナ用プリアン
プ１からの漏洩信号が遮断されかつ外部からの不要信号
の侵入が防止できる。シールドケース３０としては例え
ば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等、シ
ールド効果を有する板材又はメッシュ材を成形したもの
が使用される。
的な構成を示す上面図である。ＧＰＳアンテナ用プリア
ンプ１にはプリアンプ基板（配線基板）２０の表面上に
シールドケース３０が取付けられる。同図２及び図３
（シールドケース３０の底面図）に示すように、シール
ドケース３０は具体的な部品形状を図示しないがプリア
ンプ基板２０上に載置される入力整合回路１１、ＧａＡ
ｓ−ＦＥＴ１２、抵抗Ｒ1 、Ｒ2 、容量Ｃ1 、Ｃ2 及び
出力整合回路１３を被覆し、ＧＰＳアンテナ用プリアン
プ１からの漏洩信号が遮断されかつ外部からの不要信号
の侵入が防止できる。シールドケース３０としては例え
ば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金等、シ
ールド効果を有する板材又はメッシュ材を成形したもの
が使用される。
【００２０】前記シールドケース３０は本実施例におい
て４ヵ所で取付け具４１を介してプリアンプ基板２０に
固定される。さらに、シールドケース３０は半田４２を
通してプリアンプ基板２０の基準電源パターン２１（図
４参照）に電気的に接続され、シールドケース３０は例
えば接地される（グランド電位が印加される）。図中、
符号３２は出力ケーブル被覆部、符号４０は出力ケーブ
ルである。
て４ヵ所で取付け具４１を介してプリアンプ基板２０に
固定される。さらに、シールドケース３０は半田４２を
通してプリアンプ基板２０の基準電源パターン２１（図
４参照）に電気的に接続され、シールドケース３０は例
えば接地される（グランド電位が印加される）。図中、
符号３２は出力ケーブル被覆部、符号４０は出力ケーブ
ルである。
【００２１】図４はプリアンプ基板２０の平面図であ
る。プリアンプ基板２０は基板本体の表面上に基準電源
パターン２１、配線パターン２２、回路パターン２３等
の導体パターンが形成される。
る。プリアンプ基板２０は基板本体の表面上に基準電源
パターン２１、配線パターン２２、回路パターン２３等
の導体パターンが形成される。
【００２２】前記サージサージ電圧吸収用チョーク回路
１４はプリアンプ基板２０の表面上の回路パターン２３
で形成される。サージサージ電圧吸収用チョーク回路１
４は、他の実装部品からの電磁界の影響を受けにくい位
置、本実施例においては図２中右上角部に配置され、前
記実装部品から離隔される。
１４はプリアンプ基板２０の表面上の回路パターン２３
で形成される。サージサージ電圧吸収用チョーク回路１
４は、他の実装部品からの電磁界の影響を受けにくい位
置、本実施例においては図２中右上角部に配置され、前
記実装部品から離隔される。
【００２３】図２、図５（ＧＰＳアンテナ用プリアンプ
の要部断面図）及び図６（シールドケースの要部底面
図）に示すように、サージサージ電圧吸収用チョーク回
路１４を被覆するシールド体１５は折曲げ部３３で構成
される。折曲げ部３３はシールドケース３０に一体に構
成されており、言い換えれば折曲げ部３３はシールドケ
ース３０の一部分で形成される。折曲げ部３３はサージ
サージ電圧吸収用チョーク回路１４の少なくとも一部の
表面と密着する面を有する形状で形成される。シールド
ケース３０には電磁界を遮蔽する機能があるので、同様
に折曲げ部３３には電磁界の遮蔽機能がある。図示しな
いが、サージサージ電圧吸収用チョーク回路１４（回路
パターン２３）の表面には絶縁体としてのソルダレジス
トが塗布され、サージサージ電圧吸収用チョーク回路１
４とシールド体１５との間には絶縁体が介在される。
の要部断面図）及び図６（シールドケースの要部底面
図）に示すように、サージサージ電圧吸収用チョーク回
路１４を被覆するシールド体１５は折曲げ部３３で構成
される。折曲げ部３３はシールドケース３０に一体に構
成されており、言い換えれば折曲げ部３３はシールドケ
ース３０の一部分で形成される。折曲げ部３３はサージ
サージ電圧吸収用チョーク回路１４の少なくとも一部の
表面と密着する面を有する形状で形成される。シールド
ケース３０には電磁界を遮蔽する機能があるので、同様
に折曲げ部３３には電磁界の遮蔽機能がある。図示しな
いが、サージサージ電圧吸収用チョーク回路１４（回路
パターン２３）の表面には絶縁体としてのソルダレジス
トが塗布され、サージサージ電圧吸収用チョーク回路１
４とシールド体１５との間には絶縁体が介在される。
【００２４】なお、サージサージ電圧吸収用チョーク回
路１４は基本的にはシールドケース３０の一部である折
曲げ部３３で充分な遮蔽機能を有するが、折曲げ部３３
と併せて銅箔テープ等の導体箔テープでサージサージ電
圧吸収用チョーク回路１４が被覆できる。つまり、導体
箔テープはシールド体１５を構成する。回路動作が安定
する導体箔テープの長さ（面積）を事前に求めておくこ
とができ、サージサージ電圧吸収用チョーク回路１４に
導体箔テープを張り付けるだけで求めた結果が反映でき
る。導体箔テープは折曲げ部３３を設けずに単独に形成
することもできる。
路１４は基本的にはシールドケース３０の一部である折
曲げ部３３で充分な遮蔽機能を有するが、折曲げ部３３
と併せて銅箔テープ等の導体箔テープでサージサージ電
圧吸収用チョーク回路１４が被覆できる。つまり、導体
箔テープはシールド体１５を構成する。回路動作が安定
する導体箔テープの長さ（面積）を事前に求めておくこ
とができ、サージサージ電圧吸収用チョーク回路１４に
導体箔テープを張り付けるだけで求めた結果が反映でき
る。導体箔テープは折曲げ部３３を設けずに単独に形成
することもできる。
【００２５】図７（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）はＧＰＳア
ンテナ用プリアンプ１の入力インピーダンス特性を示す
スミスチャートである。（Ａ）にはサージサージ電圧吸
収用チョーク回路１４が無い場合の入力インピーダンス
特性を示す。（Ｂ）にはサージサージ電圧吸収用チョー
ク回路１４が接続されシールド体１５が無い場合の入力
インピーダンス特性を示す。同図に示すように、ＧＰＳ
アンテナ用プリアンプ１において異常発振が発生する。
（Ｃ）にはサージサージ電圧吸収用チョーク回路１４が
接続されかつシールド体１５が設けられた場合の入力イ
ンピーダンス特性を示す。同図に示すように、ＧＰＳア
ンテナ用プリアンプ１において異常発振が防止でき、安
定した回路動作が得られる。
ンテナ用プリアンプ１の入力インピーダンス特性を示す
スミスチャートである。（Ａ）にはサージサージ電圧吸
収用チョーク回路１４が無い場合の入力インピーダンス
特性を示す。（Ｂ）にはサージサージ電圧吸収用チョー
ク回路１４が接続されシールド体１５が無い場合の入力
インピーダンス特性を示す。同図に示すように、ＧＰＳ
アンテナ用プリアンプ１において異常発振が発生する。
（Ｃ）にはサージサージ電圧吸収用チョーク回路１４が
接続されかつシールド体１５が設けられた場合の入力イ
ンピーダンス特性を示す。同図に示すように、ＧＰＳア
ンテナ用プリアンプ１において異常発振が防止でき、安
定した回路動作が得られる。
【００２６】さらに、サージサージ電圧吸収用チョーク
回路１４の本来の機能であるＧａＡｓ−ＦＥＴ１２の保
護が確実に行え、本発明者が行った２５ＫＶの静電気破
壊試験においても静電気破壊が発生しなかった。
回路１４の本来の機能であるＧａＡｓ−ＦＥＴ１２の保
護が確実に行え、本発明者が行った２５ＫＶの静電気破
壊試験においても静電気破壊が発生しなかった。
【００２７】なお、本発明は、ＧａＡｓ−ＦＥＴ１２が
安定に動作するので、通常、ＧＰＳ帯域では利得が大き
く安定動作が難しいＢＳ受信器用のＨＥＭＴを増幅素子
とするＢＳアンテナ用プリアンプに適用できる。
安定に動作するので、通常、ＧＰＳ帯域では利得が大き
く安定動作が難しいＢＳ受信器用のＨＥＭＴを増幅素子
とするＢＳアンテナ用プリアンプに適用できる。
【００２８】また、ＨＥＭＴ自体は汎用品として市場に
出回っており安価に入手できるので、本発明はＨＥＭＴ
を増幅素子とするＧＰＳアンテナ用プリアンプに適用で
きる。
出回っており安価に入手できるので、本発明はＨＥＭＴ
を増幅素子とするＧＰＳアンテナ用プリアンプに適用で
きる。
【００２９】また、本発明は、絶縁体を介さずに直接結
合させて発振を防止することができ、あるいは空気を介
しての高周波的結合であってもよい。
合させて発振を防止することができ、あるいは空気を介
しての高周波的結合であってもよい。
【００３０】さらに、本発明は、低雑音が求められる他
の周波数帯域を受信する高周波増幅器に適用できる。
の周波数帯域を受信する高周波増幅器に適用できる。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、異常発振が防止できるととも
に、開発期間及び開発労力が削減できかつ部品点数が削
減できるＧＰＳアンテナ用プリアンプを提供できる。
に、開発期間及び開発労力が削減できかつ部品点数が削
減できるＧＰＳアンテナ用プリアンプを提供できる。
【図１】 本発明の一実施例に係るＧＰＳアンテナ用プ
リアンプの回路構成図である。
リアンプの回路構成図である。
【図２】 前記ＧＰＳアンテナ用プリアンプの上面図で
ある。
ある。
【図３】 シールドケースの底面図である。
【図４】 プリアンプ基板の平面図である。
【図５】 前記ＧＰＳアンテナ用プリアンプの要部断面
図である。
図である。
【図６】 前記シールドケースの要部低面図である。
【図７】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は各々ＧＰＳアンテ
ナ用プリアンプの入力インピーダンス特性を示すスミス
チャートである。
ナ用プリアンプの入力インピーダンス特性を示すスミス
チャートである。
【図８】 従来のＧＰＳアンテナ用プリアンプの回路構
成図である。
成図である。
１ ＧＰＳアンテナ用プリアンプ、２ 受信アンテナ、
１１ 入力整合回路、１２ ＧａＡｓ−ＦＥＴ、１３
出力整合回路、１４ サージ電圧吸収用チョーク回路、
１５ シールド体、２０ プリアンプ基板、２３ 回路
パターン、３０シールドケース、３３ 折曲げ部。
１１ 入力整合回路、１２ ＧａＡｓ−ＦＥＴ、１３
出力整合回路、１４ サージ電圧吸収用チョーク回路、
１５ シールド体、２０ プリアンプ基板、２３ 回路
パターン、３０シールドケース、３３ 折曲げ部。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＧＰＳ衛星からの電波を受信する受信ア
ンテナの入力端子に入力整合回路を通して接続されるＦ
ＥＴと、一端が前記入力端子及び入力整合回路に接続さ
れ他端が基準電圧端子に接続されるサージ電圧吸収用チ
ョーク回路と、を有するＧＰＳアンテナ用プリアンプに
おいて、 前記サージ電圧吸収用チョーク回路の少なくとも一部の
領域に基準電位に保たれたシールド体が近接配置され、 前記サージ電圧吸収用チョーク回路とシールド体とが高
周波的に結合されることを特徴とするＧＰＳアンテナ用
プリアンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7004728A JPH08195632A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | Ｇｐｓアンテナ用プリアンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7004728A JPH08195632A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | Ｇｐｓアンテナ用プリアンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08195632A true JPH08195632A (ja) | 1996-07-30 |
Family
ID=11591964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7004728A Pending JPH08195632A (ja) | 1995-01-17 | 1995-01-17 | Ｇｐｓアンテナ用プリアンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08195632A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2864376A1 (fr) * | 2003-12-23 | 2005-06-24 | Wavecom | Dispositif d'amplification de puissance radiofrequence (rf) et/ou hyperfrequence, et terminal de radiocommunication correspondant |
| CN101079516B (zh) | 2006-05-24 | 2013-02-27 | 松下电器产业株式会社 | 天线装置 |
| WO2023126994A1 (ja) * | 2021-12-27 | 2023-07-06 | 古野電気株式会社 | 高周波回路 |
-
1995
- 1995-01-17 JP JP7004728A patent/JPH08195632A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2864376A1 (fr) * | 2003-12-23 | 2005-06-24 | Wavecom | Dispositif d'amplification de puissance radiofrequence (rf) et/ou hyperfrequence, et terminal de radiocommunication correspondant |
| WO2005071829A1 (fr) * | 2003-12-23 | 2005-08-04 | Wavecom | Dispositif d'amplification de puissance radiofrequence (rf) et/ou hyperfrequence, et terminal de radiocommunication correspondant |
| US7720447B2 (en) | 2003-12-23 | 2010-05-18 | Wavecom | Radiofrequency (RF) and/or microwave power amplification device and corresponding radiocommunication terminal |
| CN101079516B (zh) | 2006-05-24 | 2013-02-27 | 松下电器产业株式会社 | 天线装置 |
| WO2023126994A1 (ja) * | 2021-12-27 | 2023-07-06 | 古野電気株式会社 | 高周波回路 |
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