JPH08199045A - エポキシ樹脂組成物の製造方法並びにその樹脂組成物を用いた半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物の製造方法並びにその樹脂組成物を用いた半導体装置Info
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- JPH08199045A JPH08199045A JP792095A JP792095A JPH08199045A JP H08199045 A JPH08199045 A JP H08199045A JP 792095 A JP792095 A JP 792095A JP 792095 A JP792095 A JP 792095A JP H08199045 A JPH08199045 A JP H08199045A
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- epoxy resin
- resin composition
- filler
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Abstract
(57)【要約】
【構成】有機溶媒中に溶解したエポキシ樹脂中にアルコ
キシシラン及びｐＨ３.０ 〜６.０ の水を添加し、アル
コキシシランのアルコキシ基をシラノール基に酸触媒存
在下で加水分解した後溶媒除去し、その後の加熱処理に
より得られた無機質粒子が充填されていることを特徴と
するエポキシ樹脂組成物の製造方法。 【効果】粘度の上昇無しに充填剤の配合量を増やすこと
ができ、無機質充填剤を樹脂分の９０重量部以上配合す
ることが可能である。得られた樹脂組成物の貯蔵弾性率
は、充填剤無添加のエポキシ樹脂と同等かそれ以下であ
るために、はんだリフロー時，温度サイクル時に発生す
る熱応力を低減することができる。
キシシラン及びｐＨ３.０ 〜６.０ の水を添加し、アル
コキシシランのアルコキシ基をシラノール基に酸触媒存
在下で加水分解した後溶媒除去し、その後の加熱処理に
より得られた無機質粒子が充填されていることを特徴と
するエポキシ樹脂組成物の製造方法。 【効果】粘度の上昇無しに充填剤の配合量を増やすこと
ができ、無機質充填剤を樹脂分の９０重量部以上配合す
ることが可能である。得られた樹脂組成物の貯蔵弾性率
は、充填剤無添加のエポキシ樹脂と同等かそれ以下であ
るために、はんだリフロー時，温度サイクル時に発生す
る熱応力を低減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は無機質充填剤含有エポキ
シ樹脂組成物の製造方法、及びその組成物を用いて封止
した樹脂封止型半導体装置に関する。
シ樹脂組成物の製造方法、及びその組成物を用いて封止
した樹脂封止型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体素子の集積度が年々向上し、
それに伴ってチップサイズの大型化，配線の微細化，多
層化などが進んでいる。一方、実装の高密度化のために
はパッケージサイズの小型化，薄型化が必須であり、そ
れに伴いパッケージ型樹脂層の薄型化も進んでいる。封
止樹脂が薄くなると、構成材料の熱膨張率差から生じる
熱応力によって、封止樹脂やパッシベーション膜にクラ
ックが発生し、信頼性低下の原因となる。このような熱
応力を低減するために、封止樹脂に無機質充填剤を配合
して樹脂の熱膨張率を小さくすることが一般的となって
いる。このような無機質充填剤は、通常、溶融シリカの
粉砕品または石英粉を融点以上に加熱融解して得た球形
石英粉をミキシングロールなどでエポキシ樹脂と共に溶
融混練することで添加されるが、この方法では充填剤配
合量を増やすと樹脂組成物の流動性が低下するため封止
作業が困難となる。特開昭63−128020号公報に記載のよ
うに特定の粒径及び粒度分布を有する球状の溶融石英粉
を用いて充填剤の配合量を増やす方法も提案されている
が、このような無機質充填剤は、弾性率が極めて高く
(溶融シリカ：７４００kgf／mm2)樹脂組成物に高充填す
ると、得られる樹脂硬化物の弾性率が高くなる。一般に
は充填剤７０〜８０重量部で１５００〜２５００kgｆ／
mm2 に達する。そのため、発生する熱応力に関しては低
熱膨張化の効果を十分発揮することはできない。
それに伴ってチップサイズの大型化，配線の微細化，多
層化などが進んでいる。一方、実装の高密度化のために
はパッケージサイズの小型化，薄型化が必須であり、そ
れに伴いパッケージ型樹脂層の薄型化も進んでいる。封
止樹脂が薄くなると、構成材料の熱膨張率差から生じる
熱応力によって、封止樹脂やパッシベーション膜にクラ
ックが発生し、信頼性低下の原因となる。このような熱
応力を低減するために、封止樹脂に無機質充填剤を配合
して樹脂の熱膨張率を小さくすることが一般的となって
いる。このような無機質充填剤は、通常、溶融シリカの
粉砕品または石英粉を融点以上に加熱融解して得た球形
石英粉をミキシングロールなどでエポキシ樹脂と共に溶
融混練することで添加されるが、この方法では充填剤配
合量を増やすと樹脂組成物の流動性が低下するため封止
作業が困難となる。特開昭63−128020号公報に記載のよ
うに特定の粒径及び粒度分布を有する球状の溶融石英粉
を用いて充填剤の配合量を増やす方法も提案されている
が、このような無機質充填剤は、弾性率が極めて高く
(溶融シリカ：７４００kgf／mm2)樹脂組成物に高充填す
ると、得られる樹脂硬化物の弾性率が高くなる。一般に
は充填剤７０〜８０重量部で１５００〜２５００kgｆ／
mm2 に達する。そのため、発生する熱応力に関しては低
熱膨張化の効果を十分発揮することはできない。
【０００３】一方、発生する熱応力の低減方法では樹脂
組成物の低弾性率化も効果的である。この樹脂硬化物の
低弾性率化の手法は、シリコン化合物等による可とう化
剤の導入が検討されている。しかし、封止材料は、高弾
性率の充填剤の分率が極めて高いため、マトリックス樹
脂の低弾性率化を図っても、封止材料としての低弾性率
化の効果はあまり顕著ではなく半導体装置では飛躍的な
熱応力の低減を達成することはできない。
組成物の低弾性率化も効果的である。この樹脂硬化物の
低弾性率化の手法は、シリコン化合物等による可とう化
剤の導入が検討されている。しかし、封止材料は、高弾
性率の充填剤の分率が極めて高いため、マトリックス樹
脂の低弾性率化を図っても、封止材料としての低弾性率
化の効果はあまり顕著ではなく半導体装置では飛躍的な
熱応力の低減を達成することはできない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
現状に鑑み上記の問題点を改善するためになされたもの
であり、その目的は、熱応力発生がより小さい半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を作業性良く得ること並びに、
樹脂組成物を用いた信頼性に優れた半導体装置を提供す
ることにある。
現状に鑑み上記の問題点を改善するためになされたもの
であり、その目的は、熱応力発生がより小さい半導体封
止用エポキシ樹脂組成物を作業性良く得ること並びに、
樹脂組成物を用いた信頼性に優れた半導体装置を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によるエポキシ樹
脂組成物の製造は、エポキシ樹脂，硬化剤及び硬化促進
剤を有機溶媒に溶解し、これにアルコキシシラン、及び
ｐＨ３〜６に調整した水を所定量加え、室温で所定時間
撹拌し、アルコキシ基を水酸基に加水分解する。この後
減圧下で溶媒を除去し、樹脂粉末を得る。続いて得られ
た樹脂粉末を加熱することで、樹脂の硬化及び水酸基の
脱水がなされ、樹脂中に無機質充填剤の粒子が均一に分
散したエポキシ樹脂組成物を得るものである。ここで用
いられる有機溶媒としては、アセトン，Ｎ−メチルピロ
リドン，ジメチルアセトアミドなどの、エポキシ樹脂に
対する良溶媒が選ばれる。また加える水の量は、例えば
アルコキシシランの加水分解における当量付近を選定す
ればよい。また室温での反応時間は加水分解反応が十分
進行する時間を選ぶ。一例としては３〜１０時間程度で
ある。
脂組成物の製造は、エポキシ樹脂，硬化剤及び硬化促進
剤を有機溶媒に溶解し、これにアルコキシシラン、及び
ｐＨ３〜６に調整した水を所定量加え、室温で所定時間
撹拌し、アルコキシ基を水酸基に加水分解する。この後
減圧下で溶媒を除去し、樹脂粉末を得る。続いて得られ
た樹脂粉末を加熱することで、樹脂の硬化及び水酸基の
脱水がなされ、樹脂中に無機質充填剤の粒子が均一に分
散したエポキシ樹脂組成物を得るものである。ここで用
いられる有機溶媒としては、アセトン，Ｎ−メチルピロ
リドン，ジメチルアセトアミドなどの、エポキシ樹脂に
対する良溶媒が選ばれる。また加える水の量は、例えば
アルコキシシランの加水分解における当量付近を選定す
ればよい。また室温での反応時間は加水分解反応が十分
進行する時間を選ぶ。一例としては３〜１０時間程度で
ある。
【０００６】この方法によると全構成材料を溶液中で混
合するために充填剤が均一に分散し、充填剤遍在によっ
て内部応力が局部的に不均一になることを防止できる。
充填剤の粒径は、加水分解時に添加される水の酸性度を
ｐＨ３〜６に調整することで１０μｍ以下にコントロー
ルできる。すなわち、ｐＨが３以下であると粒子の凝集
が生じ、充填剤の均一な分散が妨げられ、ｐＨ６以上で
は加水分解反応が遅くなり実用的でない。また、この方
法によると、構成材料の混合が溶液中で行われるため
に、粘度が上昇することなく充填剤の配合量を増やすこ
とができ、無機質充填剤を樹脂分の９０重量部以上配合
することが可能である。
合するために充填剤が均一に分散し、充填剤遍在によっ
て内部応力が局部的に不均一になることを防止できる。
充填剤の粒径は、加水分解時に添加される水の酸性度を
ｐＨ３〜６に調整することで１０μｍ以下にコントロー
ルできる。すなわち、ｐＨが３以下であると粒子の凝集
が生じ、充填剤の均一な分散が妨げられ、ｐＨ６以上で
は加水分解反応が遅くなり実用的でない。また、この方
法によると、構成材料の混合が溶液中で行われるため
に、粘度が上昇することなく充填剤の配合量を増やすこ
とができ、無機質充填剤を樹脂分の９０重量部以上配合
することが可能である。
【０００７】本発明に用いられるエポキシ樹脂の例は、
現在半導体封止用成形材料として一般に用いられている
ビフェニル型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂，フェノールノボラック型エポキシ樹脂，ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂などであり、硬化剤はフ
ェノールノボラックやクレゾールノボラックなどの水酸
基を有するノボラック樹脂，無水ピロメリット酸，無水
ベンゾフェノンなどの酸無水物およびアミン化合物を用
い、更に必要に応じて硬化促進剤としてトリフェニルフ
ォスフィン，イミダゾール等を配合する。
現在半導体封止用成形材料として一般に用いられている
ビフェニル型エポキシ樹脂，クレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂，フェノールノボラック型エポキシ樹脂，ビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂などであり、硬化剤はフ
ェノールノボラックやクレゾールノボラックなどの水酸
基を有するノボラック樹脂，無水ピロメリット酸，無水
ベンゾフェノンなどの酸無水物およびアミン化合物を用
い、更に必要に応じて硬化促進剤としてトリフェニルフ
ォスフィン，イミダゾール等を配合する。
【０００８】また、本発明に用いられるアルコキシシラ
ンは、一般式Ｒ1 mＳｉ(ＯＲ2)n（ｍは０または１、ｎは
４−ｍ）で示され、Ｒ1 は炭素数が１〜６の飽和あるい
は不飽和のアルキル基、又はアミノ基，エポキシ基又は
ビニル基を少なくとも１個有する１価の有機基、Ｒ2 は
炭素数１〜６のアルキル基である。このようなアルコキ
シシランはテトラメトキシシラン，テトラエトキシシラ
ン，メチルトリメトキシシラン，メチルトリエトキシシ
ラン，メチルトリプロポキシシラン，エチルトリメトキ
シシラン，γ−アミノプロピルトリメトキシシラン，γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン，γ−グリシドキ
シプロピルトリエトキシシラン，γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン，ビニルトリエトキシシランな
どがあげられる。この中でも特にエポキシ基を有するγ
−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン，γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン等を用いて製造さ
れた樹脂組成物は、得られる硬化物が透明で可とう性に
優れている。これはアルコキシシランの分子中にエポキ
シ基が存在するために、充填剤とエポキシ樹脂の相溶性
が向上し、充填剤が非常に微細な球状粒子となって分散
することによると推察される。
ンは、一般式Ｒ1 mＳｉ(ＯＲ2)n（ｍは０または１、ｎは
４−ｍ）で示され、Ｒ1 は炭素数が１〜６の飽和あるい
は不飽和のアルキル基、又はアミノ基，エポキシ基又は
ビニル基を少なくとも１個有する１価の有機基、Ｒ2 は
炭素数１〜６のアルキル基である。このようなアルコキ
シシランはテトラメトキシシラン，テトラエトキシシラ
ン，メチルトリメトキシシラン，メチルトリエトキシシ
ラン，メチルトリプロポキシシラン，エチルトリメトキ
シシラン，γ−アミノプロピルトリメトキシシラン，γ
−アミノプロピルトリエトキシシラン，γ−グリシドキ
シプロピルトリエトキシシラン，γ−グリシドキシプロ
ピルトリメトキシシラン，ビニルトリエトキシシランな
どがあげられる。この中でも特にエポキシ基を有するγ
−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン，γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン等を用いて製造さ
れた樹脂組成物は、得られる硬化物が透明で可とう性に
優れている。これはアルコキシシランの分子中にエポキ
シ基が存在するために、充填剤とエポキシ樹脂の相溶性
が向上し、充填剤が非常に微細な球状粒子となって分散
することによると推察される。
【０００９】さらにこの方法によって得た樹脂組成物の
貯蔵弾性率は、充填剤無添加のエポキシ樹脂と同等かそ
れ以下であるために、半導体装置における熱応力に対す
る大幅な低減効果が達成できる。
貯蔵弾性率は、充填剤無添加のエポキシ樹脂と同等かそ
れ以下であるために、半導体装置における熱応力に対す
る大幅な低減効果が達成できる。
【００１０】
【作用】このように、本発明による樹脂組成物の製造方
法によって得られた硬化物が低弾性且つ低熱膨張性を示
す詳細な発現機構は、現時点では明らかにされていな
い。推定理由の一つは、低熱膨張化のための充填剤導入
法としてエポキシ樹脂と相溶性に優れた有機化合物であ
るアルコキシシランを用いることにより、得られる硬化
物における充填剤がエポキシマトリックスと強い相互作
用を示し、且つ微粒子で均一に分散するため硬化物のバ
ルクの弾性率としては島構造の充填剤部分の影響が少な
く、エポキシマトリックスの特性が顕著に現れたためと
考えられる。この現象に関する今後の原因究明が重要で
ある。
法によって得られた硬化物が低弾性且つ低熱膨張性を示
す詳細な発現機構は、現時点では明らかにされていな
い。推定理由の一つは、低熱膨張化のための充填剤導入
法としてエポキシ樹脂と相溶性に優れた有機化合物であ
るアルコキシシランを用いることにより、得られる硬化
物における充填剤がエポキシマトリックスと強い相互作
用を示し、且つ微粒子で均一に分散するため硬化物のバ
ルクの弾性率としては島構造の充填剤部分の影響が少な
く、エポキシマトリックスの特性が顕著に現れたためと
考えられる。この現象に関する今後の原因究明が重要で
ある。
【００１１】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【００１２】（実施例１）３００ｍｌのビーカー中でビ
フェニル型エポキシ樹脂ＹＸ４０００（油化シェル社製
品名）１３ｇ，フェノールノボラック樹脂７ｇ（明和化
成社製品名）およびトリフェニルフォスフィン０.２ｇ
をアセトン１００ｇに溶解後、メチルトリエトキシシラ
ン３４.３ｇを加えた。この樹脂溶液にｐＨ５.０の水１
６９ｇを滴下し、室温で３時間撹拌を続けてエポキシ樹
脂溶液中でアルコキシシランの加水分解を行った。溶媒
及び過剰の水を真空乾燥により除去し乳白色の樹脂粉末
を得た。得られた樹脂粉末を１３０℃の熱板上で溶融、
続いて１×１０7Ｎ／ｍ2の加圧下、２００℃で２時間加
熱硬化し、ＳｉＯ2 含有量７０ppm 重量部の白色不透明
な樹脂板を得た。得られた樹脂硬化物の破断面を走査型
電子顕微鏡写真で観察したところ、粒径１〜１０μｍの
ＳｉＯ2 粒子が均一に分散しており、樹脂板の室温での
弾性率は２４０kgｆ／mm2 であった。
フェニル型エポキシ樹脂ＹＸ４０００（油化シェル社製
品名）１３ｇ，フェノールノボラック樹脂７ｇ（明和化
成社製品名）およびトリフェニルフォスフィン０.２ｇ
をアセトン１００ｇに溶解後、メチルトリエトキシシラ
ン３４.３ｇを加えた。この樹脂溶液にｐＨ５.０の水１
６９ｇを滴下し、室温で３時間撹拌を続けてエポキシ樹
脂溶液中でアルコキシシランの加水分解を行った。溶媒
及び過剰の水を真空乾燥により除去し乳白色の樹脂粉末
を得た。得られた樹脂粉末を１３０℃の熱板上で溶融、
続いて１×１０7Ｎ／ｍ2の加圧下、２００℃で２時間加
熱硬化し、ＳｉＯ2 含有量７０ppm 重量部の白色不透明
な樹脂板を得た。得られた樹脂硬化物の破断面を走査型
電子顕微鏡写真で観察したところ、粒径１〜１０μｍの
ＳｉＯ2 粒子が均一に分散しており、樹脂板の室温での
弾性率は２４０kgｆ／mm2 であった。
【００１３】（実施例２〜７）アルコキシシランの種類
並びに量を変化させた以外は、実施例１と同様にして、
樹脂硬化物を得た。これら用いたアルコキシシランの種
類，添加量並びに得られた硬化物の諸特性を表１に示し
た。
並びに量を変化させた以外は、実施例１と同様にして、
樹脂硬化物を得た。これら用いたアルコキシシランの種
類，添加量並びに得られた硬化物の諸特性を表１に示し
た。
【００１４】
【表１】
【００１５】（比較例１）実施例１と同様のビフェニル
型エポキシ樹脂１３ｇ，フェノールノボラック樹脂７ｇ
およびトリフェニルフォスフィン０.２ｇ 混合溶融後粉
砕した樹脂粉末を、１×１０7Ｎ／ｍ2の加圧下、２００
℃で２時間加熱硬化し透明な樹脂板を得た。この樹脂板
の室温での弾性率は２５０kgｆ／mm2 であった。
型エポキシ樹脂１３ｇ，フェノールノボラック樹脂７ｇ
およびトリフェニルフォスフィン０.２ｇ 混合溶融後粉
砕した樹脂粉末を、１×１０7Ｎ／ｍ2の加圧下、２００
℃で２時間加熱硬化し透明な樹脂板を得た。この樹脂板
の室温での弾性率は２５０kgｆ／mm2 であった。
【００１６】（比較例２）ビフェニル型エポキシ樹脂２
６０ｇ，フェノールノボラック樹脂１４０ｇ，トリフェ
ニルフォスフィン４ｇに溶融シリカを７０重量部加え８
０℃で１５分間ミキシングロールで混練した後射出成形
により成形した。この硬化物の弾性率は２０００kgｆ／
mm2 であった。
６０ｇ，フェノールノボラック樹脂１４０ｇ，トリフェ
ニルフォスフィン４ｇに溶融シリカを７０重量部加え８
０℃で１５分間ミキシングロールで混練した後射出成形
により成形した。この硬化物の弾性率は２０００kgｆ／
mm2 であった。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、樹領溶液中で無機質粒
子が形成されるため、無機質充填剤は高充填であっても
容易に均一分散し、充填剤遍在による内部応力の不均一
を防止できる。充填剤の粒径は、加水分解時に添加され
る水の酸性度をｐＨ３〜６に調整することで１０μｍ以
下にコントロール可能である。また、この方法による
と、構成材料の混合が沈殿物の生じない均一な溶液中で
行われるために、充填剤配合時の粘度上昇を防止でき
る。したがって無機質充填剤を樹脂分の９０重量部以上
配合することが可能である。さらに得られた樹脂組成物
の弾性率は、充填剤無添加のエポキシ樹脂と同等かそれ
以下であるために、本発明によって得られたエポキシ樹
脂組成物を封止材料に用いることで、熱応力を大幅に低
減した信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
子が形成されるため、無機質充填剤は高充填であっても
容易に均一分散し、充填剤遍在による内部応力の不均一
を防止できる。充填剤の粒径は、加水分解時に添加され
る水の酸性度をｐＨ３〜６に調整することで１０μｍ以
下にコントロール可能である。また、この方法による
と、構成材料の混合が沈殿物の生じない均一な溶液中で
行われるために、充填剤配合時の粘度上昇を防止でき
る。したがって無機質充填剤を樹脂分の９０重量部以上
配合することが可能である。さらに得られた樹脂組成物
の弾性率は、充填剤無添加のエポキシ樹脂と同等かそれ
以下であるために、本発明によって得られたエポキシ樹
脂組成物を封止材料に用いることで、熱応力を大幅に低
減した信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀬川 正則 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 荻野 雅彦 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】有機溶媒中に溶解したエポキシ樹脂中にア
ルコキシシラン及びｐＨ３〜６の水を添加し、アルコキ
シシランのアルコキシ基をシラノール基に酸触媒存在下
で加水分解した後溶媒除去し、その後の加熱処理により
得られた粒子を充填することを特徴とするエポキシ樹脂
組成物の製造方法。 - 【請求項２】請求項１に記載の前記アルコキシシランが
オルガノトリアルコキシシラン又はオルガノテトラアル
コキシシランであるエポキシ樹脂組成物の製造方法。 - 【請求項３】請求項１に記載の製造方法によって得られ
た粒子が粒径１０μｍ以下のＳiＯ2粒子であるエポキシ
樹脂組成物の製造方法。 - 【請求項４】請求項１に記載の製造方法によって得られ
た、樹脂が透明性を有するエポキシ樹脂組成物の製造方
法。 - 【請求項５】請求項１に記載の製造方法によって得られ
た、粒子含有量が５０重量部以上である樹脂硬化物で、
室温での貯蔵弾性率が１０００kgｆ／mm2 以下、且つ熱
膨張率が５０ppm／Ｋ 以下であるエポキシ樹脂組成物の
製造方法。 - 【請求項６】請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物によ
り封止されている半導体装置。 - 【請求項７】請求項１に記載のエポキシ樹脂組成物によ
り封止されている半導体装置を用いた電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP792095A JPH08199045A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | エポキシ樹脂組成物の製造方法並びにその樹脂組成物を用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP792095A JPH08199045A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | エポキシ樹脂組成物の製造方法並びにその樹脂組成物を用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08199045A true JPH08199045A (ja) | 1996-08-06 |
Family
ID=11678971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP792095A Pending JPH08199045A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | エポキシ樹脂組成物の製造方法並びにその樹脂組成物を用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08199045A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6225418B1 (en) * | 1998-10-06 | 2001-05-01 | Hitachi, Ltd. | Thermosetting resin composition |
| WO2001055243A1 (fr) * | 2000-01-28 | 2001-08-02 | Hitachi, Ltd. | Preparation resineuse thermodurcissable exempte de solvant, son procede de production et produit fabrique a partir de celle-ci |
| KR100430196B1 (ko) * | 1998-12-16 | 2004-09-18 | 제일모직주식회사 | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 |
| US6943058B2 (en) | 2003-03-18 | 2005-09-13 | Delphi Technologies, Inc. | No-flow underfill process and material therefor |
| JP2006219601A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用液状エポキシ樹脂組成物 |
| US7723407B2 (en) | 2004-08-06 | 2010-05-25 | Nippon Shokubai Co., Ltd. | Resin composition, method of its composition, and cured formulation |
-
1995
- 1995-01-23 JP JP792095A patent/JPH08199045A/ja active Pending
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