JPH08199261A - ボンディングワイヤ - Google Patents
ボンディングワイヤInfo
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- JPH08199261A JPH08199261A JP757495A JP757495A JPH08199261A JP H08199261 A JPH08199261 A JP H08199261A JP 757495 A JP757495 A JP 757495A JP 757495 A JP757495 A JP 757495A JP H08199261 A JPH08199261 A JP H08199261A
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- Japan
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- bonding
- weight
- bonding wire
- wire
- semiconductor element
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 第一ボンディングで接合したボンディングワ
イヤと半導体素子上の電極との間に十分な接合強度をも
ち、半導体素子を樹脂封入する際にボンディングワイヤ
同士の接触による不良が起こりにくく、リードフレーム
の狭ピッチ、半導体素子上の電極の狭パッドピッチ、リ
ードフレームと半導体素子上の電極間の長ループ配線に
適するボンディングワイヤを得る。 【構成】 純度９９．９９重量％以上の高純度金に、Ｃ
ｕを０．１〜２重量％、Ｐｄを０．０１〜１重量％含有
させたボンディングワイヤ、もしくは、これにＳｎを
０．０００１〜０．０１重量％、又は／及び、Ｃａ、Ｂ
ｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ及びＴｉの中
から１種または２種以上を０．０００１〜０．０１重量
％含有させたボンディングワイヤ。
イヤと半導体素子上の電極との間に十分な接合強度をも
ち、半導体素子を樹脂封入する際にボンディングワイヤ
同士の接触による不良が起こりにくく、リードフレーム
の狭ピッチ、半導体素子上の電極の狭パッドピッチ、リ
ードフレームと半導体素子上の電極間の長ループ配線に
適するボンディングワイヤを得る。 【構成】 純度９９．９９重量％以上の高純度金に、Ｃ
ｕを０．１〜２重量％、Ｐｄを０．０１〜１重量％含有
させたボンディングワイヤ、もしくは、これにＳｎを
０．０００１〜０．０１重量％、又は／及び、Ｃａ、Ｂ
ｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ及びＴｉの中
から１種または２種以上を０．０００１〜０．０１重量
％含有させたボンディングワイヤ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子のチップ電
極と外部リードとを接続するために使用されるボンディ
ングワイヤに関する。
極と外部リードとを接続するために使用されるボンディ
ングワイヤに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子の電極
と、外部リードとを接続するために、一般に０．０１〜
０．１ｍｍの直径を有するボンディングワイヤが用いら
れている。
と、外部リードとを接続するために、一般に０．０１〜
０．１ｍｍの直径を有するボンディングワイヤが用いら
れている。
【０００３】前記ワイヤのボンディングには、ボンディ
ング治具となるセラミック製キャピラリー、該キャピラ
リーを保持するための前後上下左右移動可能なヘッド、
コントローラ、及び、ボール形成のための電気トーチを
備えてなる超音波熱圧着式ワイヤボンダーが使用されて
いる。また、ボンディング方式には、ボンディングワイ
ヤの先端を溶解させてボール状にした後超音波振動を付
加しながら加熱することにより圧着するボールボンディ
ング方式と、超音波を付加しながら押圧してボンディン
グワイヤを圧着するウェッジボンディング方式がある。
ング治具となるセラミック製キャピラリー、該キャピラ
リーを保持するための前後上下左右移動可能なヘッド、
コントローラ、及び、ボール形成のための電気トーチを
備えてなる超音波熱圧着式ワイヤボンダーが使用されて
いる。また、ボンディング方式には、ボンディングワイ
ヤの先端を溶解させてボール状にした後超音波振動を付
加しながら加熱することにより圧着するボールボンディ
ング方式と、超音波を付加しながら押圧してボンディン
グワイヤを圧着するウェッジボンディング方式がある。
【０００４】前記ワイヤボンダーを用いて半導体素子上
の電極と外部リードとをボンディングワイヤで接続する
には、まずキャピラリーを半導体素子の電極上に移動さ
せて降下させ、ボールボンディング方式によりボンディ
ングワイヤを該電極に圧着せしめた後（第一ボンディン
グ）、キャピラリーを上昇させて外部リード上に移動さ
せて降下させ、該リードに前記ワイヤを圧着せしめ（第
二ボンディング）、続いてキャピラリーを上昇させてワ
イヤを切断するという方法により行われる。
の電極と外部リードとをボンディングワイヤで接続する
には、まずキャピラリーを半導体素子の電極上に移動さ
せて降下させ、ボールボンディング方式によりボンディ
ングワイヤを該電極に圧着せしめた後（第一ボンディン
グ）、キャピラリーを上昇させて外部リード上に移動さ
せて降下させ、該リードに前記ワイヤを圧着せしめ（第
二ボンディング）、続いてキャピラリーを上昇させてワ
イヤを切断するという方法により行われる。
【０００５】近年、ワイヤボンダーは、ボンディング一
工程当たりの所要時間が０．２秒と極めて高速になって
おり、ボンディングワイヤには、 ｉ）第一ボンディングにおいて、ボンディングワイヤを
加熱して溶解したときに酸化被膜のない真球状のボール
が形成され、また該ワイヤと電極との接合状態が良好で
あること、 ii）第二ボンディングにおいて、ワイヤと外部リードと
の接合状態が良好であること、 iii)第一ボンディングと第二ボンディングとの間のワイ
ヤにカールやループ垂れなどのループ異常が発生しない
こと、 iv）ボンディング後の樹脂モールドの際、樹脂の流動に
よるワイヤの変形が起こりにくいこと、 ｖ）長期間保存しても両ボンディングの接合部が劣化し
ないこと、等の特性が要求される。
工程当たりの所要時間が０．２秒と極めて高速になって
おり、ボンディングワイヤには、 ｉ）第一ボンディングにおいて、ボンディングワイヤを
加熱して溶解したときに酸化被膜のない真球状のボール
が形成され、また該ワイヤと電極との接合状態が良好で
あること、 ii）第二ボンディングにおいて、ワイヤと外部リードと
の接合状態が良好であること、 iii)第一ボンディングと第二ボンディングとの間のワイ
ヤにカールやループ垂れなどのループ異常が発生しない
こと、 iv）ボンディング後の樹脂モールドの際、樹脂の流動に
よるワイヤの変形が起こりにくいこと、 ｖ）長期間保存しても両ボンディングの接合部が劣化し
ないこと、等の特性が要求される。
【０００６】そこで、純度９９．９９％以上の金に、例
えばＣａ、Ｂｅ等の元素を０．０００１〜０．０１重量
％添加して硬度を高めた金合金線を使用すると、上記
ｉ）〜ｖ）の特性をある程度備えたボンディングワイヤ
が得られることから、通常純金線でなく金合金線が用い
られることが多い。
えばＣａ、Ｂｅ等の元素を０．０００１〜０．０１重量
％添加して硬度を高めた金合金線を使用すると、上記
ｉ）〜ｖ）の特性をある程度備えたボンディングワイヤ
が得られることから、通常純金線でなく金合金線が用い
られることが多い。
【０００７】ところが近年、半導体デバイスの多ピン化
に伴いボンディングワイヤ間隔の狭ピッチ化及びボンデ
ィング距離の長距離化が進行してきており、そのまま従
来のボンディングワイヤを用いると、ワイヤループが垂
れたり、樹脂封入するときに樹脂の流動抵抗によりボン
ディングワイヤが変形し、ボンディングワイヤ同士が接
触したりする等の不具合が生じるため、添加元素の添加
量を増やす、添加元素の種類を増やす、等の手段を用い
てボンディングワイヤの強度を向上させる試みがなされ
ている。
に伴いボンディングワイヤ間隔の狭ピッチ化及びボンデ
ィング距離の長距離化が進行してきており、そのまま従
来のボンディングワイヤを用いると、ワイヤループが垂
れたり、樹脂封入するときに樹脂の流動抵抗によりボン
ディングワイヤが変形し、ボンディングワイヤ同士が接
触したりする等の不具合が生じるため、添加元素の添加
量を増やす、添加元素の種類を増やす、等の手段を用い
てボンディングワイヤの強度を向上させる試みがなされ
ている。
【０００８】しかしながら、単純に添加元素の添加量を
増やす、これまでタイプ別に添加していた元素を複合添
加する方法ではボンディングワイヤの強度は向上して
も、第一ボンディングにおいて加熱溶解して得られるボ
ールが硬すぎるため、半導体素子に亀裂を生じる、ボー
ル形状が真球にならない、真球に近くともボールを形成
する際に収縮孔を生じる、半導体素子上の電極にボンデ
ィングしたときにボールがいびつに変形し隣の電極に接
触する、収縮孔があるため電極との十分な接合強度が得
られない、ボンディング後のボールの潰れ形状がいびつ
なため異常ループを形成してしまい、樹脂封入するとき
に樹脂の流動抵抗によりボンディングワイヤ同士が接触
する、等の不具合が生じる。
増やす、これまでタイプ別に添加していた元素を複合添
加する方法ではボンディングワイヤの強度は向上して
も、第一ボンディングにおいて加熱溶解して得られるボ
ールが硬すぎるため、半導体素子に亀裂を生じる、ボー
ル形状が真球にならない、真球に近くともボールを形成
する際に収縮孔を生じる、半導体素子上の電極にボンデ
ィングしたときにボールがいびつに変形し隣の電極に接
触する、収縮孔があるため電極との十分な接合強度が得
られない、ボンディング後のボールの潰れ形状がいびつ
なため異常ループを形成してしまい、樹脂封入するとき
に樹脂の流動抵抗によりボンディングワイヤ同士が接触
する、等の不具合が生じる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、第一
ボンディングで接合したボンディングワイヤと半導体素
子上の電極との間に十分な接合強度をもち、半導体素子
を樹脂封入する際にボンディングワイヤ同士の接触によ
る不良が起こりにくく、リードフレームの狭ピッチ、半
導体素子上の電極の狭パッドピッチ、リードフレームと
半導体素子上の電極間の長ループ配線に適するボンディ
ングワイヤを得ることにある。
ボンディングで接合したボンディングワイヤと半導体素
子上の電極との間に十分な接合強度をもち、半導体素子
を樹脂封入する際にボンディングワイヤ同士の接触によ
る不良が起こりにくく、リードフレームの狭ピッチ、半
導体素子上の電極の狭パッドピッチ、リードフレームと
半導体素子上の電極間の長ループ配線に適するボンディ
ングワイヤを得ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のボンディングワイヤは、（１）純度９
９．９９重量％以上の高純度金にＣｕを０．１〜２重量
％、Ｐｄを０．０１〜１重量％含有させた点、（２）純
度９９．９９重量％以上の高純度金にＣｕを０．１〜２
重量％、Ｐｄを０．０１〜１重量％、Ｓｎを０．０００
１〜０．０１重量％含有させた点、（３）純度９９．９
９重量％以上の高純度金にＣｕを０．１〜２重量％、Ｐ
ｄを０．０１〜１重量％、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元
素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ及びＴｉの中から１種または２種
以上を０．０００１〜０．０１重量％含有させた点、
（４）純度９９．９９重量％以上の高純度金にＣｕを
０．１〜２重量％、Ｐｄを０．０１〜１重量％、Ｓｎを
０．０００１〜０．０１重量％、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希
土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ及びＴｉの中から１種また
は２種以上を０．０００１〜０．０１重量％含有させた
点に特徴がある。
めに、本発明のボンディングワイヤは、（１）純度９
９．９９重量％以上の高純度金にＣｕを０．１〜２重量
％、Ｐｄを０．０１〜１重量％含有させた点、（２）純
度９９．９９重量％以上の高純度金にＣｕを０．１〜２
重量％、Ｐｄを０．０１〜１重量％、Ｓｎを０．０００
１〜０．０１重量％含有させた点、（３）純度９９．９
９重量％以上の高純度金にＣｕを０．１〜２重量％、Ｐ
ｄを０．０１〜１重量％、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元
素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ及びＴｉの中から１種または２種
以上を０．０００１〜０．０１重量％含有させた点、
（４）純度９９．９９重量％以上の高純度金にＣｕを
０．１〜２重量％、Ｐｄを０．０１〜１重量％、Ｓｎを
０．０００１〜０．０１重量％、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希
土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ及びＴｉの中から１種また
は２種以上を０．０００１〜０．０１重量％含有させた
点に特徴がある。
【００１１】
【作用】本発明のボンディングワイヤにおいて、Ａｕに
Ｃｕ及びＰｄを複合添加させた理由は、ＣｕとＰｄを複
合添加させると表面酸化が生じにくく、真球に近く表面
清浄なボールを得ることができ、このボールの結晶粒径
が微細なことにより、ボンディング後のボール潰れ形状
が真円に近く、また、Ｃｕ及びＰｄを従来より多く添加
することが可能なため従来よりも高く安定した接合強度
が得られ、ボンディングワイヤの直進性が向上する上、
高純度金よりも常温及び高温での引張り強度が向上した
ボンディングワイヤを提供することができるからであ
る。この効果は、Ｃｕを０．１重量％以上、Ｐｄを０．
０１重量％以上複合添加することにより現れ、Ｃｕを２
重量％、Ｐｄを１重量％を超えて含有させると、第一ボ
ンディングにおいてボンディングワイヤを加熱して溶解
したときに形成されるボール表面にしわを生じ、接合後
の引張り強度のばらつきが大きくなり、直進性に異常を
きたしたり、ボールが硬くなり過ぎてボンディング時に
半導体素子に亀裂を生じる場合があるので、Ｃｕを０．
１〜２重量％、Ｐｄを０．１〜１重量％含有する組成と
する必要がある。
Ｃｕ及びＰｄを複合添加させた理由は、ＣｕとＰｄを複
合添加させると表面酸化が生じにくく、真球に近く表面
清浄なボールを得ることができ、このボールの結晶粒径
が微細なことにより、ボンディング後のボール潰れ形状
が真円に近く、また、Ｃｕ及びＰｄを従来より多く添加
することが可能なため従来よりも高く安定した接合強度
が得られ、ボンディングワイヤの直進性が向上する上、
高純度金よりも常温及び高温での引張り強度が向上した
ボンディングワイヤを提供することができるからであ
る。この効果は、Ｃｕを０．１重量％以上、Ｐｄを０．
０１重量％以上複合添加することにより現れ、Ｃｕを２
重量％、Ｐｄを１重量％を超えて含有させると、第一ボ
ンディングにおいてボンディングワイヤを加熱して溶解
したときに形成されるボール表面にしわを生じ、接合後
の引張り強度のばらつきが大きくなり、直進性に異常を
きたしたり、ボールが硬くなり過ぎてボンディング時に
半導体素子に亀裂を生じる場合があるので、Ｃｕを０．
１〜２重量％、Ｐｄを０．１〜１重量％含有する組成と
する必要がある。
【００１２】また、ＡｕにＣｕ及びＰｄを含有させる他
に微量のＳｎを含有させる理由は、Ｃｕ及びＰｄとの相
乗効果により、ボールの形状及び性状を変化させること
なくボール硬度を減少させることにより、ボールの加工
硬度を低減させ半導体素子に与えるダメージを減少させ
るためである。Ｓｎの添加量を０．０００１〜０．０１
重量％としたのは、０．０００１重量％未満ではＣｕ及
びＰｄとの相乗効果が現れず、０．０１重量％を超える
と第一ボンディングにおいてボンディングワイヤを加熱
して溶解したときにボール真球度が得られず、収縮孔を
生じたりして接合強度の低下を生じる場合があるので、
Ｓｎの添加量を０．０００１〜０．０１重量％とするこ
とが好ましい。
に微量のＳｎを含有させる理由は、Ｃｕ及びＰｄとの相
乗効果により、ボールの形状及び性状を変化させること
なくボール硬度を減少させることにより、ボールの加工
硬度を低減させ半導体素子に与えるダメージを減少させ
るためである。Ｓｎの添加量を０．０００１〜０．０１
重量％としたのは、０．０００１重量％未満ではＣｕ及
びＰｄとの相乗効果が現れず、０．０１重量％を超える
と第一ボンディングにおいてボンディングワイヤを加熱
して溶解したときにボール真球度が得られず、収縮孔を
生じたりして接合強度の低下を生じる場合があるので、
Ｓｎの添加量を０．０００１〜０．０１重量％とするこ
とが好ましい。
【００１３】また、ＡｕにＣｕ及びＰｄを含有させる他
に微量のＣａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、
Ｉｎ及びＴｉの中から１種または２種以上を含有させる
理由は、Ｃｕ及びＰｄとの相乗効果により直進性を更に
向上させる他、常温及び高温での引張り強度、及び接合
強度を更に向上させ、かつ、ネック切れを防止するため
である。Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、
Ｉｎ及びＴｉの中から１種または２種以上の含有量の総
和を０．０００１〜０．０１重量％としたのは、０．０
００１重量％未満ではＣｕ及びＰｄとの相乗効果が現れ
ず、直進性、引張り強度及び接合強度を更に向上させる
ことができず、０．０１重量％を超えると第一ボンディ
ングにおいてボンディングワイヤを加熱して溶解したと
きにボール真球度が得られず、接合後の引張り強さのば
らつきが大きくなったり、ボンディングワイヤの硬度が
高くなりすぎ、半導体素子に亀裂を生じたり、ネック切
れを生じたり、直進性に異常をきたす場合があるので、
Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ及び
Ｔｉの中から１種または２種以上の含有量の総和を０．
０００１〜０．０１重量％とすることが好ましい。
に微量のＣａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、
Ｉｎ及びＴｉの中から１種または２種以上を含有させる
理由は、Ｃｕ及びＰｄとの相乗効果により直進性を更に
向上させる他、常温及び高温での引張り強度、及び接合
強度を更に向上させ、かつ、ネック切れを防止するため
である。Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、
Ｉｎ及びＴｉの中から１種または２種以上の含有量の総
和を０．０００１〜０．０１重量％としたのは、０．０
００１重量％未満ではＣｕ及びＰｄとの相乗効果が現れ
ず、直進性、引張り強度及び接合強度を更に向上させる
ことができず、０．０１重量％を超えると第一ボンディ
ングにおいてボンディングワイヤを加熱して溶解したと
きにボール真球度が得られず、接合後の引張り強さのば
らつきが大きくなったり、ボンディングワイヤの硬度が
高くなりすぎ、半導体素子に亀裂を生じたり、ネック切
れを生じたり、直進性に異常をきたす場合があるので、
Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ及び
Ｔｉの中から１種または２種以上の含有量の総和を０．
０００１〜０．０１重量％とすることが好ましい。
【００１４】本発明により、第一ボンディングで接合し
たボンディングワイヤと半導体素子上の電極との間に十
分な接合強度をもち、半導体素子を樹脂封入する際にボ
ンディングワイヤ同士の接触による不良が起こりにく
く、リードフレームの狭ピッチ、半導体素子上の電極の
狭パッドピッチ、リードフレームと半導体素子上の電極
間の長ループ配線に適するボンディングワイヤが得られ
る。
たボンディングワイヤと半導体素子上の電極との間に十
分な接合強度をもち、半導体素子を樹脂封入する際にボ
ンディングワイヤ同士の接触による不良が起こりにく
く、リードフレームの狭ピッチ、半導体素子上の電極の
狭パッドピッチ、リードフレームと半導体素子上の電極
間の長ループ配線に適するボンディングワイヤが得られ
る。
【００１５】
【実施例】純度９９．９９重量％異常の高純度金に、Ｃ
ｕ、Ｐｄ、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＴｉを種々の割合で添加し、表１に
示す組成の金合金を溶解鋳造した。これらの鋳造品を圧
延及び線引き加工をすることで２０μｍφのボンディン
グワイヤを得た。次に、これらのワイヤを室温における
破断伸びが４％になるように熱処理し、ボンディングサ
ンプルを得た、これらのボンディングサンプルを第一ボ
ンディングする際に加熱溶解して得られるボールを採取
し、電子顕微鏡にて表面観察を行った。また、得られた
ボンディングワイヤを用いてボンディングを１０００回
行い、ループ異常の発生の有無、半導体素子の亀裂発生
の有無を調査した。更に、得られたボンディングワイヤ
の引張り試験を常温にて行った。以上の試験にて得られ
た結果を表２に示す。
ｕ、Ｐｄ、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＴｉを種々の割合で添加し、表１に
示す組成の金合金を溶解鋳造した。これらの鋳造品を圧
延及び線引き加工をすることで２０μｍφのボンディン
グワイヤを得た。次に、これらのワイヤを室温における
破断伸びが４％になるように熱処理し、ボンディングサ
ンプルを得た、これらのボンディングサンプルを第一ボ
ンディングする際に加熱溶解して得られるボールを採取
し、電子顕微鏡にて表面観察を行った。また、得られた
ボンディングワイヤを用いてボンディングを１０００回
行い、ループ異常の発生の有無、半導体素子の亀裂発生
の有無を調査した。更に、得られたボンディングワイヤ
の引張り試験を常温にて行った。以上の試験にて得られ
た結果を表２に示す。
【００１６】
【表１】
【表２】
【００１７】
【発明の効果】以上で明らかなように、本発明のボンデ
ィングワイヤは、従来例及び比較例のボンディングワイ
ヤに比べ直進性に優れており、従来例のボンディングワ
イヤに比べ破断強度も優れていることわかる。また、本
発明のボンディングワイヤは、第一ボンディング時に形
成されるボールに収縮孔は観察されず、このボール潰れ
形状は真円に近く、チップにクラックを生じない上、製
造時の引張り強度も強く、細線化が容易である。
ィングワイヤは、従来例及び比較例のボンディングワイ
ヤに比べ直進性に優れており、従来例のボンディングワ
イヤに比べ破断強度も優れていることわかる。また、本
発明のボンディングワイヤは、第一ボンディング時に形
成されるボールに収縮孔は観察されず、このボール潰れ
形状は真円に近く、チップにクラックを生じない上、製
造時の引張り強度も強く、細線化が容易である。
【００１８】従って、本発明によればリードフレームの
狭ピッチ、半導体素子上の電極の狭パッドピッチ、リー
ドフレームと半導体素子上の電極間の長ループ配線に適
するボンディングワイヤを提供する。また、本発明のボ
ンディングワイヤは、製造時の引張り強度が高いため、
十数μｍφ程度の極細線化も容易であり、かつこの極細
線を用いることによりＩＣを小型化することが可能であ
る。
狭ピッチ、半導体素子上の電極の狭パッドピッチ、リー
ドフレームと半導体素子上の電極間の長ループ配線に適
するボンディングワイヤを提供する。また、本発明のボ
ンディングワイヤは、製造時の引張り強度が高いため、
十数μｍφ程度の極細線化も容易であり、かつこの極細
線を用いることによりＩＣを小型化することが可能であ
る。
Claims (4)
- 【請求項１】 純度９９．９９重量％以上の高純度金に
Ｃｕを０．１〜２重量％、Ｐｄを０．０１〜１重量％含
有させたことを特徴とするボンディングワイヤ。 - 【請求項２】 純度９９．９９重量％以上の高純度金に
Ｃｕを０．１〜２重量％、Ｐｄを０．０１〜１重量％、
Ｓｎを０．０００１〜０．０１重量％含有させたことを
特徴とするボンディングワイヤ。 - 【請求項３】 純度９９．９９重量％以上の高純度金に
Ｃｕを０．１〜２重量％、Ｐｄを０．０１〜１重量％、
Ｃａ、Ｂｅ、Ｇｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ及び
Ｔｉの中から１種または２種以上を０．０００１〜０．
０１重量％含有させたことを特徴とするボンディングワ
イヤ。 - 【請求項４】 純度９９．９９重量％以上の高純度金に
Ｃｕを０．１〜２重量％、Ｐｄを０．０１〜１重量％、
Ｓｎを０．０００１〜０．０１重量％、Ｃａ、Ｂｅ、Ｇ
ｅ、希土類元素、Ｓｒ、Ｂａ、Ｉｎ及びＴｉの中から１
種または２種以上を０．０００１〜０．０１重量％含有
させたことを特徴とするボンディングワイヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00757495A JP3586909B2 (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | ボンディングワイヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00757495A JP3586909B2 (ja) | 1995-01-20 | 1995-01-20 | ボンディングワイヤ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08199261A true JPH08199261A (ja) | 1996-08-06 |
| JP3586909B2 JP3586909B2 (ja) | 2004-11-10 |
Family
ID=11669587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| DE19753055A1 (de) * | 1997-11-29 | 1999-06-10 | Heraeus Gmbh W C | Feinstdraht aus einer Gold-Legierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
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1995
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19753055A1 (de) * | 1997-11-29 | 1999-06-10 | Heraeus Gmbh W C | Feinstdraht aus einer Gold-Legierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
| DE19753055B4 (de) * | 1997-11-29 | 2005-09-15 | W.C. Heraeus Gmbh | Feinstdraht aus einer Gold-Legierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
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