JPH08199355A - スパッタリング装置及び方法 - Google Patents
スパッタリング装置及び方法Info
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- JPH08199355A JPH08199355A JP1048895A JP1048895A JPH08199355A JP H08199355 A JPH08199355 A JP H08199355A JP 1048895 A JP1048895 A JP 1048895A JP 1048895 A JP1048895 A JP 1048895A JP H08199355 A JPH08199355 A JP H08199355A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】真空槽１０内に、ターゲット１１を設置する第
１の電極１２と、基板１３を設置する第２の電極１４
と、これらの間にコイル状の第３の電極１５を有するス
パッタリング装置において、第１の電極１２に高周波電
源１７を通じて高周波電圧を印加すると共に、第３の電
極１５に高周波電源１６を通じて高周波電圧を印加して
スパッタリングを行う。 【効果】導電率の低いターゲットを使用できるので、導
電膜はもとより、高品質な絶縁膜や半導体膜の形成も行
える。
１の電極１２と、基板１３を設置する第２の電極１４
と、これらの間にコイル状の第３の電極１５を有するス
パッタリング装置において、第１の電極１２に高周波電
源１７を通じて高周波電圧を印加すると共に、第３の電
極１５に高周波電源１６を通じて高周波電圧を印加して
スパッタリングを行う。 【効果】導電率の低いターゲットを使用できるので、導
電膜はもとより、高品質な絶縁膜や半導体膜の形成も行
える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば電子デバイスや
光学デバイスに使用される絶縁薄膜、導電薄膜や半導体
薄膜の特性を向上して形成できるスパッタリング装置及
び方法に関する。
光学デバイスに使用される絶縁薄膜、導電薄膜や半導体
薄膜の特性を向上して形成できるスパッタリング装置及
び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイスや光学デバイスなどのデバ
イスに使用される薄膜の形成には広くスパッタリング法
が用いられている。この理由は、基板温度が低い状態で
も、色々な種類の良質な薄膜が容易に得られるからであ
る。そのスパッタリング法の原理は、薄膜の源となるタ
ーゲットを設置する第１の電極と基板を設置する第２の
電極とを槽内に有した真空槽に、特定の圧力のＡrなど
の不活性ガスを含むスパッタリング用ガスを導入し、第
１の電極に負の直流電圧もしくは高周波電圧を印加し、
プラズマ状の放電を起こして生成された正イオンを第１
の電極上のターゲットに高速で衝突させると、ターゲッ
ト構成原子が叩き出され、第２の電極上の基板の表面に
ターゲット構成原子を含む薄膜が堆積する、ことに基づ
く。この薄膜が形成されている途中、高速の正イオンは
ターゲット表面だけでなく、基板上の薄膜の表面にも衝
突し、この衝突により良質の薄膜が低温で得られる。こ
のことが、高速イオンの照射の伴わない真空蒸着法と大
きく異なる。基板表面へのイオンの照射量を増やして薄
膜の特性をさらに向上する方法として、基板を設置する
第２の電極にも負の直流電圧もしくは高周波電圧を印加
するバイアススパッタリング法が試みられている。この
バイアススパッタリング法よりも多量のイオンを生成・
照射させ、薄膜の特性を飛躍的に向上せしめる方法とし
て、ターゲットと基板との間にコイル状の第３の電極を
入れたスパッタリング装置がある。そのスパッタリング
装置の特徴と問題点を図４を用いて説明する。
イスに使用される薄膜の形成には広くスパッタリング法
が用いられている。この理由は、基板温度が低い状態で
も、色々な種類の良質な薄膜が容易に得られるからであ
る。そのスパッタリング法の原理は、薄膜の源となるタ
ーゲットを設置する第１の電極と基板を設置する第２の
電極とを槽内に有した真空槽に、特定の圧力のＡrなど
の不活性ガスを含むスパッタリング用ガスを導入し、第
１の電極に負の直流電圧もしくは高周波電圧を印加し、
プラズマ状の放電を起こして生成された正イオンを第１
の電極上のターゲットに高速で衝突させると、ターゲッ
ト構成原子が叩き出され、第２の電極上の基板の表面に
ターゲット構成原子を含む薄膜が堆積する、ことに基づ
く。この薄膜が形成されている途中、高速の正イオンは
ターゲット表面だけでなく、基板上の薄膜の表面にも衝
突し、この衝突により良質の薄膜が低温で得られる。こ
のことが、高速イオンの照射の伴わない真空蒸着法と大
きく異なる。基板表面へのイオンの照射量を増やして薄
膜の特性をさらに向上する方法として、基板を設置する
第２の電極にも負の直流電圧もしくは高周波電圧を印加
するバイアススパッタリング法が試みられている。この
バイアススパッタリング法よりも多量のイオンを生成・
照射させ、薄膜の特性を飛躍的に向上せしめる方法とし
て、ターゲットと基板との間にコイル状の第３の電極を
入れたスパッタリング装置がある。そのスパッタリング
装置の特徴と問題点を図４を用いて説明する。
【０００３】真空槽４０に所定の圧力のＡr等の不活性
ガスを導入し、ターゲット４１を設置した第１の電極４
２に直流電源４６を通じて負の直流電圧を加えると、プ
ラズマが発生し、そこで生成されたイオンが加速され、
高エネルギでターゲット表面に衝突し、ターゲット構成
原子が叩き出され、第２の電極４４上の基板４３に薄膜
が堆積する。この時、コイル状の第３の電極４５に高周
波電源４７により高周波電圧を印加すると、高い密度の
プラズマが発生し、叩き出されたターゲット構成原子
は、この高密度プラズマ中を透過する時に、効率よくイ
オン化もしくは励起されて基板表面に到達する。このた
め、著しく膜特性の向上が図れる。また、さらに一層の
膜特性の向上を狙い、基板を設置する第２の電極４４に
直流電源４８を通じて負の直流電圧を加える方法も試み
られている。この方法により、上記イオンがより高エネ
ルギを有して基板に到達するため、膜の特性が向上す
る。しかし、上述の方法にはいくつかの問題点がある。
ガスを導入し、ターゲット４１を設置した第１の電極４
２に直流電源４６を通じて負の直流電圧を加えると、プ
ラズマが発生し、そこで生成されたイオンが加速され、
高エネルギでターゲット表面に衝突し、ターゲット構成
原子が叩き出され、第２の電極４４上の基板４３に薄膜
が堆積する。この時、コイル状の第３の電極４５に高周
波電源４７により高周波電圧を印加すると、高い密度の
プラズマが発生し、叩き出されたターゲット構成原子
は、この高密度プラズマ中を透過する時に、効率よくイ
オン化もしくは励起されて基板表面に到達する。このた
め、著しく膜特性の向上が図れる。また、さらに一層の
膜特性の向上を狙い、基板を設置する第２の電極４４に
直流電源４８を通じて負の直流電圧を加える方法も試み
られている。この方法により、上記イオンがより高エネ
ルギを有して基板に到達するため、膜の特性が向上す
る。しかし、上述の方法にはいくつかの問題点がある。
【０００４】図４に示したように、従来のものでは、タ
ーゲットを設置する第１の電極には負の直流電圧しか印
加していなかった。この場合、堆積できる薄膜の種類が
大幅に制限され、導電率の高い薄膜に限定される。例え
ば、ＳiＯ2などの絶縁物からなるターゲットを用いて、
半導体デバイスとして不可欠な良質なＳiＯ2膜を形成す
ることは困難であった。この理由は、ＳiＯ2などの絶縁
物からなるターゲットに直流電圧を印加したのではプラ
ズマの発生ができないからである。同様に、従来のスパ
ッタリング装置では、基板を設置する第２の電極には直
流電圧しか印加していなかったため、このバイアススパ
ッタ法は、基板の種類としては導電率の高いものに限定
され、ガラスなどの絶縁物の基板は使用が困難であると
いう問題を有している。
ーゲットを設置する第１の電極には負の直流電圧しか印
加していなかった。この場合、堆積できる薄膜の種類が
大幅に制限され、導電率の高い薄膜に限定される。例え
ば、ＳiＯ2などの絶縁物からなるターゲットを用いて、
半導体デバイスとして不可欠な良質なＳiＯ2膜を形成す
ることは困難であった。この理由は、ＳiＯ2などの絶縁
物からなるターゲットに直流電圧を印加したのではプラ
ズマの発生ができないからである。同様に、従来のスパ
ッタリング装置では、基板を設置する第２の電極には直
流電圧しか印加していなかったため、このバイアススパ
ッタ法は、基板の種類としては導電率の高いものに限定
され、ガラスなどの絶縁物の基板は使用が困難であると
いう問題を有している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
ターゲットと基板との間にコイル状の第３の電極を入れ
たスパッタリング装置では、導電率の高い材料から成る
薄膜の形成には秀でているが、優れた特性の絶縁膜や半
導体膜の形成には問題点があり、また、基板の種類とし
ては導電率の高いものに限定されるという問題を有して
いた。
ターゲットと基板との間にコイル状の第３の電極を入れ
たスパッタリング装置では、導電率の高い材料から成る
薄膜の形成には秀でているが、優れた特性の絶縁膜や半
導体膜の形成には問題点があり、また、基板の種類とし
ては導電率の高いものに限定されるという問題を有して
いた。
【０００６】本発明の目的は、従来技術の問題点を解決
し、優れた特性の高品質な導電膜、絶縁膜及び半導体薄
膜を容易に堆積できるスパッタリング装置及び方法を提
供することにある。
し、優れた特性の高品質な導電膜、絶縁膜及び半導体薄
膜を容易に堆積できるスパッタリング装置及び方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、ターゲット
を設置する第１の電極と、基板を設置する第２の電極
と、第１の電極と第２の電極の間に配置された第３の電
極を有するスパッタリング装置において、第３の電極に
加えて、第１の電極と第２の電極の少なくとも一方の電
極に高周波電圧を印加することにより解決できる。
を設置する第１の電極と、基板を設置する第２の電極
と、第１の電極と第２の電極の間に配置された第３の電
極を有するスパッタリング装置において、第３の電極に
加えて、第１の電極と第２の電極の少なくとも一方の電
極に高周波電圧を印加することにより解決できる。
【０００８】さらに、第１の電極と第２の電極の少なく
とも一方の電極及び第３の電極に互いに周波数が異なる
高周波電圧を印加することにより解決できる。
とも一方の電極及び第３の電極に互いに周波数が異なる
高周波電圧を印加することにより解決できる。
【０００９】
【作用】第１の電極と第２の電極の少なくとも一方の電
極に高周波電圧を印加するとにより、ターゲットあるい
は基板が絶縁物からなる場合であっても安定してプラズ
マを発生させることができ、優れた特性の高品質な導電
膜、絶縁膜及び半導体薄膜を容易に堆積できる。
極に高周波電圧を印加するとにより、ターゲットあるい
は基板が絶縁物からなる場合であっても安定してプラズ
マを発生させることができ、優れた特性の高品質な導電
膜、絶縁膜及び半導体薄膜を容易に堆積できる。
【００１０】さらに、第１の電極と第２の電極の少なく
とも一方の電極及び第３の電極に互いに周波数が異なる
高周波電圧を印加することにより、第１の電極と第２の
電極の少なくとも一方の電極に印加した高周波電圧によ
る高周波電界と、第３の電極に印加した高周波電圧によ
る高周波電界との相互作用を小さくすることができ、プ
ラズマをより安定して発生させることできるので、優れ
た特性の高品質の導電膜、絶縁膜及び半導体薄膜を容易
に堆積できる。
とも一方の電極及び第３の電極に互いに周波数が異なる
高周波電圧を印加することにより、第１の電極と第２の
電極の少なくとも一方の電極に印加した高周波電圧によ
る高周波電界と、第３の電極に印加した高周波電圧によ
る高周波電界との相互作用を小さくすることができ、プ
ラズマをより安定して発生させることできるので、優れ
た特性の高品質の導電膜、絶縁膜及び半導体薄膜を容易
に堆積できる。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明の第１の実施例を示したもの
であり、コイル状の電極とターゲットを設置する電極
に、共に高周波電圧を印加するスパッタリング装置であ
る。図において、符号１６，１７は高周波電源である。
であり、コイル状の電極とターゲットを設置する電極
に、共に高周波電圧を印加するスパッタリング装置であ
る。図において、符号１６，１７は高周波電源である。
【００１２】真空槽１０に所定の圧力のＡr等の不活性
ガスを導入し、ターゲット１１を設置した第１の電極１
２に高周波電源１７を通じて高周波電圧を加えると、プ
ラズマが発生し、そこで生成されたイオンが加速され、
高エネルギでターゲット表面に衝突し、ターゲット構成
原子が叩き出され、第２の電極１４に置かれた基板１３
に薄膜が堆積する。コイル状の第３の電極１５に高周波
電源１６により高周波電圧を印加すると、より高密度な
プラズマが発生でき、ターゲット表面から叩き出された
ターゲット構成原子は、この高密度プラズマ中を透過す
る時に、効率良くイオン化もしくは励起されて基板表面
に到達する。このため、著しく膜特性の向上が図れる。
ガスを導入し、ターゲット１１を設置した第１の電極１
２に高周波電源１７を通じて高周波電圧を加えると、プ
ラズマが発生し、そこで生成されたイオンが加速され、
高エネルギでターゲット表面に衝突し、ターゲット構成
原子が叩き出され、第２の電極１４に置かれた基板１３
に薄膜が堆積する。コイル状の第３の電極１５に高周波
電源１６により高周波電圧を印加すると、より高密度な
プラズマが発生でき、ターゲット表面から叩き出された
ターゲット構成原子は、この高密度プラズマ中を透過す
る時に、効率良くイオン化もしくは励起されて基板表面
に到達する。このため、著しく膜特性の向上が図れる。
【００１３】このように、本実施例では、コイル状電極
とターゲット設置電極とに高周波電圧を加えるので、コ
イルにより高密度プラズマが安定して生成でき、さら
に、ターゲット電極に高周波電圧を印加できることか
ら、絶縁物等導電率の低いターゲットを使用でき、導電
膜は勿論のこと、高品質な絶縁膜や半導体膜の形成も行
える。
とターゲット設置電極とに高周波電圧を加えるので、コ
イルにより高密度プラズマが安定して生成でき、さら
に、ターゲット電極に高周波電圧を印加できることか
ら、絶縁物等導電率の低いターゲットを使用でき、導電
膜は勿論のこと、高品質な絶縁膜や半導体膜の形成も行
える。
【００１４】さらに、高周波電源１６と高周波電源１７
の周波数を異ならせて、コイル状電極とターゲット設置
電極に加える高周波電圧の周波数を異ならせると、コイ
ル状電極とターゲット設置電極とに印加された高周波電
圧による高周波電界の間の相互作用を非常に軽減でき、
より安定にプラズマを発生することができるので、より
高品質な薄膜が形成できる。
の周波数を異ならせて、コイル状電極とターゲット設置
電極に加える高周波電圧の周波数を異ならせると、コイ
ル状電極とターゲット設置電極とに印加された高周波電
圧による高周波電界の間の相互作用を非常に軽減でき、
より安定にプラズマを発生することができるので、より
高品質な薄膜が形成できる。
【００１５】図２は、本発明の第２の実施例を示したも
のであり、コイル状の電極と基板を設置する電極に高周
波電圧を印加し、ターゲットを設置する電極に負の直流
電圧を印加するスパッタリング装置である。図におい
て、符号２６，２９は高周波電源である。
のであり、コイル状の電極と基板を設置する電極に高周
波電圧を印加し、ターゲットを設置する電極に負の直流
電圧を印加するスパッタリング装置である。図におい
て、符号２６，２９は高周波電源である。
【００１６】真空槽２０に所定の圧力のＡr等の不活性
ガスを導入し、ターゲット２１を設置した第１の電極２
２に直流電源２７を通じて負の直流電圧を加えると、プ
ラズマが発生し、そこで生成されたイオンが加速され、
高エネルギでターゲット表面に衝突し、ターゲット構成
原子が叩き出され、第２の電極２４上の基板２３に薄膜
が堆積する。この時、コイル状の第３の電極２５に高周
波電源２６により高周波電圧を印加すると、高い密度の
プラズマが発生し、叩き出されたターゲット構成原子
は、この高密度プラズマ中を透過する時に、効率良くイ
オン化もしくは励起されて基板表面に到達し、膜特性の
向上が図れる。本実施例では、コイル状の第３の電極２
５と基板を設置する第２の電極２４に、それぞれ高周波
電源２６、高周波電源２９を通じて高周波電圧を加えて
いる。このようにすることにより、ターゲット表面から
叩き出されたターゲット構成原子を効率良くイオン化で
き、さらに、そのイオンのエネルギや照射量を基板設置
電極への高周波電圧により良く制御できる。このため
に、さらに一層の薄膜の高品質化が図れる。また、基板
設置電極に高周波電圧を印加できることから、導電膜は
言うに及ばず、絶縁膜や半導体膜の形成にも有効であ
り、基板の種類としては導電率の高いものの他に、ガラ
スなどの絶縁物からなる基板を使用する場合にも有効で
ある。
ガスを導入し、ターゲット２１を設置した第１の電極２
２に直流電源２７を通じて負の直流電圧を加えると、プ
ラズマが発生し、そこで生成されたイオンが加速され、
高エネルギでターゲット表面に衝突し、ターゲット構成
原子が叩き出され、第２の電極２４上の基板２３に薄膜
が堆積する。この時、コイル状の第３の電極２５に高周
波電源２６により高周波電圧を印加すると、高い密度の
プラズマが発生し、叩き出されたターゲット構成原子
は、この高密度プラズマ中を透過する時に、効率良くイ
オン化もしくは励起されて基板表面に到達し、膜特性の
向上が図れる。本実施例では、コイル状の第３の電極２
５と基板を設置する第２の電極２４に、それぞれ高周波
電源２６、高周波電源２９を通じて高周波電圧を加えて
いる。このようにすることにより、ターゲット表面から
叩き出されたターゲット構成原子を効率良くイオン化で
き、さらに、そのイオンのエネルギや照射量を基板設置
電極への高周波電圧により良く制御できる。このため
に、さらに一層の薄膜の高品質化が図れる。また、基板
設置電極に高周波電圧を印加できることから、導電膜は
言うに及ばず、絶縁膜や半導体膜の形成にも有効であ
り、基板の種類としては導電率の高いものの他に、ガラ
スなどの絶縁物からなる基板を使用する場合にも有効で
ある。
【００１７】さらに、高周波電源２６と高周波電源２９
の周波数を異ならせて、コイル状電極と基板設置電極に
加える高周波電圧の周波数を異ならせると、コイル状電
極と基板設置電極とに印加された高周波電圧による高周
波電界の間の相互作用を非常に軽減でき、より安定にプ
ラズマを発生することができるので、より高品質な薄膜
が形成できる。
の周波数を異ならせて、コイル状電極と基板設置電極に
加える高周波電圧の周波数を異ならせると、コイル状電
極と基板設置電極とに印加された高周波電圧による高周
波電界の間の相互作用を非常に軽減でき、より安定にプ
ラズマを発生することができるので、より高品質な薄膜
が形成できる。
【００１８】図３には、本発明の第３の実施例を示す。
本実施例は、コイル状電極、ターゲット設置電極、基板
設置電極のいずれの電極にも高周波電圧を印加するもの
である。図において、符号３８，３９１，３９２は高周
波電源である。
本実施例は、コイル状電極、ターゲット設置電極、基板
設置電極のいずれの電極にも高周波電圧を印加するもの
である。図において、符号３８，３９１，３９２は高周
波電源である。
【００１９】真空槽３０に所定の圧力のＡr等の不活性
ガスを導入し、ターゲット３１を設置した第１の電極３
２に高周波電源３９１を通じて高周波電圧を加えると、
プラズマが発生し、そこで生成されたイオンが加速さ
れ、高エネルギでターゲット表面に衝突し、ターゲット
構成原子が叩き出され、第２の電極３４に置かれた基板
３３に薄膜が堆積する。この時、コイル状の第３の電極
３５に高周波電源３８により高周波電圧を印加すると、
高密度のプラズマが発生でき、叩き出されたターゲット
構成原子は、この高密度プラズマ中を透過する時に、効
率よくイオン化もしくは励起されて基板表面に到達す
る。本実施例では、コイル状電極３５と共に基板を設置
した第２の電極３４にも高周波電源により高周波電圧を
印加するため、ターゲット表面から叩き出され、イオン
化したターゲット構成原子のエネルギや照射量を基板設
置電極に印加した高周波電圧により良く制御でき、高品
質の薄膜を形成できる。本実施例では、コイル状の第３
の電極３５、ターゲット設置の第１の電極３２、基板設
置の第２の電極３４の全てに高周波電圧を印加できる。
このため、導電膜は言うに及ばず、絶縁膜や半導体膜の
形成にも有効であり、さらに、基板の種類としては導電
率の高いものの他に、ガラスなどの絶縁物からなる基板
を使用できる利点がある。
ガスを導入し、ターゲット３１を設置した第１の電極３
２に高周波電源３９１を通じて高周波電圧を加えると、
プラズマが発生し、そこで生成されたイオンが加速さ
れ、高エネルギでターゲット表面に衝突し、ターゲット
構成原子が叩き出され、第２の電極３４に置かれた基板
３３に薄膜が堆積する。この時、コイル状の第３の電極
３５に高周波電源３８により高周波電圧を印加すると、
高密度のプラズマが発生でき、叩き出されたターゲット
構成原子は、この高密度プラズマ中を透過する時に、効
率よくイオン化もしくは励起されて基板表面に到達す
る。本実施例では、コイル状電極３５と共に基板を設置
した第２の電極３４にも高周波電源により高周波電圧を
印加するため、ターゲット表面から叩き出され、イオン
化したターゲット構成原子のエネルギや照射量を基板設
置電極に印加した高周波電圧により良く制御でき、高品
質の薄膜を形成できる。本実施例では、コイル状の第３
の電極３５、ターゲット設置の第１の電極３２、基板設
置の第２の電極３４の全てに高周波電圧を印加できる。
このため、導電膜は言うに及ばず、絶縁膜や半導体膜の
形成にも有効であり、さらに、基板の種類としては導電
率の高いものの他に、ガラスなどの絶縁物からなる基板
を使用できる利点がある。
【００２０】さらに、高周波電源３８と高周波電源３９
１，３９２の周波数を異ならせて、コイル状電極とター
ゲット設置電極に加える高周波電圧の周波数を異なら
せ、さらに、コイル状電極と基板設置電極に加える高周
波電圧の周波数を異ならせると、コイル状電極とターゲ
ット設置電極とに印加された高周波電圧による高周波電
界の間の相互作用、及び、コイル状電極と基板設置電極
とに印加された高周波電圧による高周波電界の間の相互
作用を共に非常に軽減でき、より安定にプラズマを発生
することができるので、より高品質な薄膜が形成でき
る。
１，３９２の周波数を異ならせて、コイル状電極とター
ゲット設置電極に加える高周波電圧の周波数を異なら
せ、さらに、コイル状電極と基板設置電極に加える高周
波電圧の周波数を異ならせると、コイル状電極とターゲ
ット設置電極とに印加された高周波電圧による高周波電
界の間の相互作用、及び、コイル状電極と基板設置電極
とに印加された高周波電圧による高周波電界の間の相互
作用を共に非常に軽減でき、より安定にプラズマを発生
することができるので、より高品質な薄膜が形成でき
る。
【００２１】以上説明したように、本発明では、基板や
ターゲットを設置する電極にも高周波電圧を印加できる
ことから、導電膜の他にも絶縁膜や半導体膜にも有効な
ばかりでなく、種々の基板を使用できる特徴を有する。
ターゲットを設置する電極にも高周波電圧を印加できる
ことから、導電膜の他にも絶縁膜や半導体膜にも有効な
ばかりでなく、種々の基板を使用できる特徴を有する。
【００２２】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明は高品質
な導電膜、絶縁膜や半導体膜を種々の基板上に堆積でき
る極めて有効なスパッタリング装置を提供し、半導体デ
バイスや光デバイスの製作に有効なことは勿論のこと、
他のデバイスへの応用にも極めて重要な役割を果たす。
な導電膜、絶縁膜や半導体膜を種々の基板上に堆積でき
る極めて有効なスパッタリング装置を提供し、半導体デ
バイスや光デバイスの製作に有効なことは勿論のこと、
他のデバイスへの応用にも極めて重要な役割を果たす。
【００２３】本発明スパタリング装置は、高周波として
は、現在工業用として広く使用されている周波数１３.
５６メガヘルツ近傍のものが利用できるため極めて応用
が広い。
は、現在工業用として広く使用されている周波数１３.
５６メガヘルツ近傍のものが利用できるため極めて応用
が広い。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構成図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す構成図である。
【図３】本発明の第３の実施例を示す構成図である。
【図４】従来のターゲットと基板との間にコイル状の電
極を入れたスパッタリング装置を示す構成図である。
極を入れたスパッタリング装置を示す構成図である。
１０，２０，３０，４０…真空槽 １１，２１，３１，４１…ターゲット １２，２２，３２，４２…第１の電極 １３，２３，３３，４３…基板 １４，２４，３４，４４…第２の電極 １５，２５，３５，４５…コイル状の第３の電極 １６，１７，２６，２９，３８，３９１，３９２，４７
…高周波電源 ２７，４６，４８…直流電源
…高周波電源 ２７，４６，４８…直流電源
Claims (4)
- 【請求項１】ターゲットを設置する第１の電極と、基板
を設置する第２の電極と、前記第１の電極と第２の電極
の間に配置された第３の電極を有するスパッタリング装
置において、前記第１の電極と前記第２の電極の少なく
とも一方の電極と前記第３の電極に、高周波電圧を印加
するようにしたことを特徴とするスパッタリング装置。 - 【請求項２】前記第１の電極と前記第２の電極の少なく
とも一方の電極に印加する高周波電圧の周波数と前記第
３の電極に印加する高周波電圧の周波数とが異なること
を特徴とする請求項１記載のスパッタリング装置。 - 【請求項３】ターゲットを設置した第１の電極あるいは
基板を設置した第２の電極の少なくとも一方に高周波電
圧を印加して前記ターゲットをスパッタリングすると共
に、前記第１の電極と前記第２の電極の間に配置したコ
イル状の第３の電極に高周波電圧を印加して前記ターゲ
ット表面からスパッタリングにより発生した粒子をイオ
ン化もしくは励起することを特徴とするスパッタリング
方法。 - 【請求項４】前記第１の電極と前記第２の電極の少なく
とも一方の電極に印加する高周波電圧の周波数と前記第
３の電極に印加する高周波電圧の周波数とが異なること
を特徴とする請求項３記載のスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048895A JPH08199355A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | スパッタリング装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1048895A JPH08199355A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | スパッタリング装置及び方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08199355A true JPH08199355A (ja) | 1996-08-06 |
Family
ID=11751568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1048895A Pending JPH08199355A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | スパッタリング装置及び方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08199355A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6080284A (en) * | 1997-02-05 | 2000-06-27 | Minolta Co., Ltd. | Sputtering apparatus and method for manufacturing compound thin film |
| JP2000513881A (ja) * | 1997-05-16 | 2000-10-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン化メタルプラズマ堆積のための中央コイル式デザイン |
| WO2005031403A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ディスプレイ用光学素子 |
-
1995
- 1995-01-26 JP JP1048895A patent/JPH08199355A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6080284A (en) * | 1997-02-05 | 2000-06-27 | Minolta Co., Ltd. | Sputtering apparatus and method for manufacturing compound thin film |
| JP2000513881A (ja) * | 1997-05-16 | 2000-10-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | イオン化メタルプラズマ堆積のための中央コイル式デザイン |
| WO2005031403A1 (ja) * | 2003-09-29 | 2005-04-07 | Konica Minolta Holdings, Inc. | ディスプレイ用光学素子 |
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