JPH08202045A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
- Publication number
- JPH08202045A JPH08202045A JP6333146A JP33314694A JPH08202045A JP H08202045 A JPH08202045 A JP H08202045A JP 6333146 A JP6333146 A JP 6333146A JP 33314694 A JP33314694 A JP 33314694A JP H08202045 A JPH08202045 A JP H08202045A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- liquid crystal
- crystal display
- exposed
- display substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000016496 Panda oleosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000000220 Panda oleosa Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
光装置を用いて露光する場合において、液晶表示基板の
ブラックマスク部(画素同士間の透光し得ないマトリク
ス電極部)によるノイズ的影響を緩和して良好に露光す
る。 【構成】 光源の超高圧水銀ランプ5からの光線は、防
熱フイルタ6、第1コンデンサレンズ7、シャッター
8、フィルタ9、ミラー10、第2コンデンサレンズ1
1、エリア決め用マスク12を経て、ホトマスクとして
の液晶表示基板13(液晶レチクル)に照射され、そし
て、液晶表示基板13の表示コードを得た光線は、縮小
レンズ14を経て被露光体4に露光されるが、その際、
被露光体4にぼかし状態に結像又は露光箇所を変位させ
た状態で露光される。
Description
表示基板(液晶レチクル)を装着した露光装置を用いて
の露光方法に関するものである。
(液晶レチクル)を装着した露光装置を用いての露光方
法は公知である。例えば、特開昭61−212843号
公報においては、水銀ランプ(光源)からの光線が、コ
ンデンサレンズを経て照射されるホトマスクを液晶表示
基板で構成し、かつ、この液晶表示基板を、パターン信
号発生部からの設計データに基くパターン信号でマトリ
クス駆動することにより、透明、不透明のパターンをマ
スクパターンとして被露光体に露光する方法が開示され
ている。また、特開平6−232024号公報において
は、かかる液晶表示基板(液晶レチクル)をコンピュー
タで制御することが開示されている。
方法は、ホトマスクとして液晶表示基板を用いることに
基いて、マスクパターンの変更を容易に行うことができ
る等の各種の優れた特性が得られる反面において、通常
の露光のように、コンデンサレンズを正規の焦点位置に
移動して被露光体に鮮明に結像させた状態で露光する
と、例えば、図3において示されているように、N個の
画素を透光状態にして一つの図柄として認識しようとす
る場合等に、液晶表示基板のブラックマスク部1(画素
2同士間の透光し得ないマトリクス電極部)がノイズと
なって良好に露光できないといった欠点を有していた。
解消すべく鋭意検討の結果、その第1の解決手段とし
て、光源側からの光線を液晶表示基板に照射するコンデ
ンサレンズを、正規の焦点位置と異なる位置に移動せし
めて被露光体にぼかし状態に結像して露光すればよいこ
とを見い出すと共に、その第2解決手段として、被露光
体を、露光工程の途中において液晶表示基板の各画素の
対向コーナを結ぶ方向に移動せしめて露光箇所を変位さ
せた状態で露光すればよいことを見い出したものであ
る。
第1の露光方法は、ホトマスクとして液晶表示基板を装
着した露光装置を用いての露光方法において、光源から
の照射光を前記液晶表示基板に照射するコンデンサレン
ズを、正規の焦点位置と異なる位置に移動せしめて被露
光体にぼかし状態に結像して露光することを特徴とする
ものである。また、本発明に係る第2の露光方法は、ホ
トマスクとして液晶表示基板を装着した露光装置を用い
ての露光方法において、被露光体を、露光工程の途中に
おいて前記液晶表示基板の各画素の対向コーナを結ぶ方
向に移動せしめて露光箇所を変位させた状態で露光する
ことを特徴とするものである。
と、図1において、XYテーブルで構成された作業テー
ブル3上にセットされている被露光体4(例えば、液晶
表示基板やシリコンウエハ等)の上面に結像させて露光
するが、その際、光源の超高圧水銀ランプ5からの光線
は、防熱フイルタ6、第1コンデンサレンズ7、シャッ
ター8、フィルタ9、ミラー10、第2コンデンサレン
ズ11、エリア決め用マスク12を経て、ホトマスクと
しての液晶表示基板13(液晶レチクル)に照射され、
そして、液晶表示基板13(液晶レチクル)の表示コー
ドを得た光線は、縮小レンズ14を経て被露光体4に露
光される。
は、CPU15及びインターフェースユニット16を介
してマトリクス駆動されて所定のコードが表示され、か
かるコードは、バーコード、二次元コード、英数字、か
な、漢字或いは図形など任意に選択することができる。
また、第2コンデンサレンズ11は、鮮明に結像し得る
正規の焦点位置と異なる位置、すなわち、実線で示され
ている正規の焦点位置aに対して、その上方位置b又は
下方位置cに移動されているが、これは、露光に先立っ
て行われ、被露光体4にぼかし状態に結像し得るように
調整される。その為、この露光によると、液晶表示基板
13(液晶レチクル)のブラックマスク部1(画素2同
士間の透光し得ないマトリクス電極部)によるノイズ的
影響を緩和して結果的にブラックマスク部1が見えない
状態に露光することができる。
(請求項1に記載の露光方法)は、第2コンデンサレン
ズ11を、正規の焦点位置aと異なる位置に移動させて
行うものであるが、これに対して、本発明に係る第2の
露光方法(請求項2に記載の露光方法)は、第2コンデ
ンサレンズ11を、正規の焦点位置aに位置させたまま
にして被露光体4の方を移動させて行う。従って、この
露光方法においては、上述の第1の露光方法における、
第2コンデンサレンズ11を正規の焦点位置aに対して
その上方位置b又は下方位置cに移動させる工程を省く
ことができるが、その一方において、露光途中において
被露光体4を移動させる工程が必要とされる。
後、所定時間(例えば、露光のトータル時間Tの1/2
時間)経過した時点で作業テーブル3を移動制御して行
われ、これにより、被露光体4が図3において示されて
いるように、液晶表示基板13(液晶レチクル)の各画
素2の対向コーナを結ぶ方向(図示矢印方向)、換言す
るならば、対角線方向に移動せしめられる。よって、図
中、鎖線で示されている位置に各画素2を移動したのと
同様の状態になり、この状態において残りの時間、露光
する。
いては、非露光部分であったブラックマスク部1のう
ち、斜線部分を露光することができ、従って、非露光部
分を減らすことができてノイズ的影響を緩和することが
できる。なお、かかる後期の露光を行うに当っての基板
移動は、図示矢印と直交する方向に行ってもよい。ま
た、作業テーブルは、XYテーブル以外の、例えば、X
YZやXYZθテーブル等で構成してもよい。
光方法(請求項1,2に記載の露光方法)によると、ホ
トマスクとして液晶表示基板(液晶レチクル)を装着し
た露光装置を用いて露光する場合において、液晶表示基
板のブラックマスク部(画素同士間の透光し得ないマト
リクス電極部)によるノイズ的影響を緩和して良好に露
光することができる。
た状態を示す平面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 ホトマスクとして液晶表示基板を装着し
た露光装置を用いての露光方法において、光源からの光
線を前記液晶表示基板に照射するコンデンサレンズを、
正規の焦点位置と異なる位置に移動せしめて被露光体に
ぼかし状態に結像して露光することを特徴とする露光方
法。 - 【請求項2】 ホトマスクとして液晶表示基板を装着し
た露光装置を用いての露光方法において、被露光体を、
露光工程の途中において前記液晶表示基板の各画素の対
向コーナを結ぶ方向に移動せしめて露光箇所を変位させ
た状態で露光することを特徴とする露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6333146A JP2843968B2 (ja) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6333146A JP2843968B2 (ja) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | 露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08202045A true JPH08202045A (ja) | 1996-08-09 |
| JP2843968B2 JP2843968B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=18262814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6333146A Expired - Lifetime JP2843968B2 (ja) | 1994-12-13 | 1994-12-13 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2843968B2 (ja) |
-
1994
- 1994-12-13 JP JP6333146A patent/JP2843968B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2843968B2 (ja) | 1999-01-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3339149B2 (ja) | 走査型露光装置ならびに露光方法 | |
| US5437946A (en) | Multiple reticle stitching for scanning exposure system | |
| KR950001856A (ko) | 노광장치 | |
| JP3642801B2 (ja) | 露光用マスクおよびその製造方法・露光用マスクを用いる表面形状形成方法および露光用マスク製造装置 | |
| TWI387844B (zh) | 灰階遮罩的缺陷檢查方法及缺陷檢查裝置、光罩的缺陷檢查方法、灰階遮罩的製造方法以及圖案轉印方法 | |
| US7158210B2 (en) | Projection exposure apparatus | |
| JP3384068B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP4748353B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JP3097620B2 (ja) | 走査型縮小投影露光装置 | |
| CN1151034A (zh) | 光刻方法和用于实现此方法的光刻系统 | |
| JPH08202045A (ja) | 露光方法 | |
| JPH0757991A (ja) | 走査型投影露光装置 | |
| JPWO2011111479A1 (ja) | フォトマスク、露光装置及び液晶表示パネルの製造方法 | |
| US6195155B1 (en) | Scanning type exposure method | |
| JPH08167570A (ja) | 露光方法 | |
| JP4759290B2 (ja) | 露光装置及び方法 | |
| JP3351013B2 (ja) | 露光装置および露光方法 | |
| JPH08274000A (ja) | 露光方法 | |
| JPH07273003A (ja) | パターン転写装置 | |
| JPH0645221A (ja) | 投影露光装置 | |
| JP2738445B2 (ja) | 液晶シャッターマトリクスパネルを用いたプリンティングシステム | |
| JP3473767B2 (ja) | 走査型投影露光装置、及び該装置を用いる素子製造方法 | |
| JPH0527413A (ja) | 露光装置用ホトマスク | |
| JP2003197512A (ja) | 露光方法および装置 | |
| JPH06324473A (ja) | フオトマスク及び露光方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081030 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091030 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091030 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101030 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111030 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111030 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 15 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |