JPH08203801A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
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- JPH08203801A JPH08203801A JP7008456A JP845695A JPH08203801A JP H08203801 A JPH08203801 A JP H08203801A JP 7008456 A JP7008456 A JP 7008456A JP 845695 A JP845695 A JP 845695A JP H08203801 A JPH08203801 A JP H08203801A
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- optical system
- illumination optical
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】どのようなパターン周期にも対応して最適な照
明条件を与える。 【構成】光源１と、該光源から射出された光をレチクル
５上に集光するする照明光学系２と、前記レチクルのパ
ターンを基板７上に投影する投影光学系６とを有する投
影露光装置において、前記照明光学系は第１照明光学系
２１と第２照明光学系２２とを有し、前記第１照明光学
系２１は前記光源射出された光を補助マスク３上に集光
させ、前記第２照明光学系２２は前記補助マスクと前記
レチクル５とが共役となる位置に配置され、前記第２照
明光学系中に中央部に０次回折光を遮蔽するための遮光
部を設けたインコヒーレント化素子４を配置し、前記補
助マスクのパターンは前記第２照明光学系による前記レ
チクルの像のパターンの２倍の周期を有する投影露光装
置。
明条件を与える。 【構成】光源１と、該光源から射出された光をレチクル
５上に集光するする照明光学系２と、前記レチクルのパ
ターンを基板７上に投影する投影光学系６とを有する投
影露光装置において、前記照明光学系は第１照明光学系
２１と第２照明光学系２２とを有し、前記第１照明光学
系２１は前記光源射出された光を補助マスク３上に集光
させ、前記第２照明光学系２２は前記補助マスクと前記
レチクル５とが共役となる位置に配置され、前記第２照
明光学系中に中央部に０次回折光を遮蔽するための遮光
部を設けたインコヒーレント化素子４を配置し、前記補
助マスクのパターンは前記第２照明光学系による前記レ
チクルの像のパターンの２倍の周期を有する投影露光装
置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、回路パターンを基板上
に投影露光し半導体や液晶表示装置等を製造する投影露
光装置に関する。
に投影露光し半導体や液晶表示装置等を製造する投影露
光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】投影露光装置の投影光学系の解像力や焦
点深度向上の方法として、従来から図４に示す変形照明
法（いわゆるＳＨＲＩＮＣ法）がある。図４を用いて簡
単に説明する。先ず、光源１から射出した光αが、周辺
部に透過部を有する透過板８を透過する。
点深度向上の方法として、従来から図４に示す変形照明
法（いわゆるＳＨＲＩＮＣ法）がある。図４を用いて簡
単に説明する。先ず、光源１から射出した光αが、周辺
部に透過部を有する透過板８を透過する。
【０００３】光αは、照明光学系２に入射し、照明光学
系２によって、光軸とのなす角度θをもってレチクル５
に入射する。このとき、レチクル５から射出する０次回
折光βが投影光学系６の周辺部に入射するため、１次回
折光γが投影光学系６の逆側の周辺部に入射するように
なる。１次回折光γが投影光学系６に入射するようにな
ると、細かいパターンを形成することが可能になる。こ
のとき、更に、レチクル５上のパターン周期チＰが照明
光αの方向余弦ｓｉｎθと ｓｉｎθ＝λ／２Ｐ （１） の関係をもつように、光軸とのなす角度θを決定する。
ここでλは、投影露光に使用する波長である。
系２によって、光軸とのなす角度θをもってレチクル５
に入射する。このとき、レチクル５から射出する０次回
折光βが投影光学系６の周辺部に入射するため、１次回
折光γが投影光学系６の逆側の周辺部に入射するように
なる。１次回折光γが投影光学系６に入射するようにな
ると、細かいパターンを形成することが可能になる。こ
のとき、更に、レチクル５上のパターン周期チＰが照明
光αの方向余弦ｓｉｎθと ｓｉｎθ＝λ／２Ｐ （１） の関係をもつように、光軸とのなす角度θを決定する。
ここでλは、投影露光に使用する波長である。
【０００４】この様な条件にすると、レチクル５から射
出する０次回折光βと１次回折光γとが光軸に対して対
称な角度をなすようになる。ここで、０次回折光βの射
出角及び１次回折光γの射出角は、共にθである。この
様にすると、ウェハ７上でも０次回折光βと１次回折光
γとが対称な角度をなすので、ウェハ７上で微細な像が
形成されるばかりでなく、焦点深度も深くなる。
出する０次回折光βと１次回折光γとが光軸に対して対
称な角度をなすようになる。ここで、０次回折光βの射
出角及び１次回折光γの射出角は、共にθである。この
様にすると、ウェハ７上でも０次回折光βと１次回折光
γとが対称な角度をなすので、ウェハ７上で微細な像が
形成されるばかりでなく、焦点深度も深くなる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
従来の方法では、レチクル５上の全てのパターン周期Ｐ
に対して最適となるわけではないという欠点があった。
例えば、図４に示す光学系でレチクル５上のパターン周
期Ｐを変化させると、０次回折光βはそのまま角度θを
保ったままレチクル５を射出するが、１次回折光γはレ
チクル５の回折の影響を受け、角度θとは異なる角度で
レチクル５を射出するようになる。レチクル５を射出す
る０次回折光βの角度と１次回折光γの角度が異なる
と、透過板８上の異なる透過部からの照明による像の位
置がフォーカスずれに対してずれてくるため、ウェハ７
上で焦点深度が浅くなり、また、ウェハ７上で形成され
る像のコントラストも低くななるという問題点があっ
た。
従来の方法では、レチクル５上の全てのパターン周期Ｐ
に対して最適となるわけではないという欠点があった。
例えば、図４に示す光学系でレチクル５上のパターン周
期Ｐを変化させると、０次回折光βはそのまま角度θを
保ったままレチクル５を射出するが、１次回折光γはレ
チクル５の回折の影響を受け、角度θとは異なる角度で
レチクル５を射出するようになる。レチクル５を射出す
る０次回折光βの角度と１次回折光γの角度が異なる
と、透過板８上の異なる透過部からの照明による像の位
置がフォーカスずれに対してずれてくるため、ウェハ７
上で焦点深度が浅くなり、また、ウェハ７上で形成され
る像のコントラストも低くななるという問題点があっ
た。
【０００６】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたもので、どのようなパターン周期にも対応して
最適な照明条件を与えることを目的とする。
なされたもので、どのようなパターン周期にも対応して
最適な照明条件を与えることを目的とする。
【０００７】
【問題を解決するための手段】上記問題点の解決のた
め、本発明では、光源と、該光源から射出された光をレ
チクル上に集光するする照明光学系と、前記レチクルの
パターンを基板上に投影する投影光学系とを有する投影
露光装置において、前記照明光学系は第１照明光学系と
第２照明光学系とを有し、前記第１照明光学系は前記光
源射出された光を補助マスク上に集光させ、前記第２照
明光学系は前記補助マスクと前記レチクルとが共役とな
る位置に配置され、前記第２照明光学系中に中央部に０
次回折光を遮蔽するための遮光部を設けたインコヒーレ
ント化素子を配置し、前記補助マスクのパターンは前記
第２照明光学系による前記レチクルの像のパターンの２
倍の周期を有することを特徴とする投影露光装置を提供
する。
め、本発明では、光源と、該光源から射出された光をレ
チクル上に集光するする照明光学系と、前記レチクルの
パターンを基板上に投影する投影光学系とを有する投影
露光装置において、前記照明光学系は第１照明光学系と
第２照明光学系とを有し、前記第１照明光学系は前記光
源射出された光を補助マスク上に集光させ、前記第２照
明光学系は前記補助マスクと前記レチクルとが共役とな
る位置に配置され、前記第２照明光学系中に中央部に０
次回折光を遮蔽するための遮光部を設けたインコヒーレ
ント化素子を配置し、前記補助マスクのパターンは前記
第２照明光学系による前記レチクルの像のパターンの２
倍の周期を有することを特徴とする投影露光装置を提供
する。
【０００８】
【作用】以下に、実施例を示した図１を参照しながら説
明を行なう。照明光学系２の第１照明光学系２１によっ
て、光源１の光が補助マスク３上に集光される。この
時、補助マスク３は回折格子と同様な効果をもつので、
０次回折光と±１次回折光とを生じる。次に、これら０
次回折光と±１次回折光とは、照明光学系２の第２照明
光学系２２に入射する。
明を行なう。照明光学系２の第１照明光学系２１によっ
て、光源１の光が補助マスク３上に集光される。この
時、補助マスク３は回折格子と同様な効果をもつので、
０次回折光と±１次回折光とを生じる。次に、これら０
次回折光と±１次回折光とは、照明光学系２の第２照明
光学系２２に入射する。
【０００９】第２照明光学系２２に入射した０次回折光
と±１次回折光とは、第２照明光学系２２中に設けられ
た、中央部に０次回折光を遮蔽するための遮光部を設け
たインコヒーレント化素子４に到達する。インコヒーレ
ント化素子４は、中央部にある遮光部によって０次回折
光を遮光し、±１次回折光を透過させるはたらきがあ
る。また、このとき、インコヒーレント化素子４は、＋
１次回折光と−１次回折光との間に光路長差を生じさせ
るはたらきがある。このとき生じる光路長差は可干渉距
離よりも大きくするので、＋１次回折光と−１次回折光
とはレチクル５上で干渉しないことになる。
と±１次回折光とは、第２照明光学系２２中に設けられ
た、中央部に０次回折光を遮蔽するための遮光部を設け
たインコヒーレント化素子４に到達する。インコヒーレ
ント化素子４は、中央部にある遮光部によって０次回折
光を遮光し、±１次回折光を透過させるはたらきがあ
る。また、このとき、インコヒーレント化素子４は、＋
１次回折光と−１次回折光との間に光路長差を生じさせ
るはたらきがある。このとき生じる光路長差は可干渉距
離よりも大きくするので、＋１次回折光と−１次回折光
とはレチクル５上で干渉しないことになる。
【００１０】インコヒーレント化素子４を透過した±１
次回折光は、第２照明光学系２２から射出し、レチクル
５上に集光される。このとき、補助マスク３とレチクル
５とが共役な位置関係になっている。ここで、もし、レ
チクル５上に集光された＋１次回折光と−１次回折光が
コヒーレントであったなら、レチクル５上で干渉縞が生
じてしまう。この様になると、レチクル５のパターンの
一部が干渉縞の暗部によって照明されなくなり、結果と
してウェハ７上に正いパターンが投影されなくなってし
まう。しかし、本発明では、インコヒーレント化素子に
よって、レチクル５上に集光される＋１次回折光と−１
次回折光とに可干渉距離よりも大きい光路長差を設けて
あるので干渉縞が生じない。
次回折光は、第２照明光学系２２から射出し、レチクル
５上に集光される。このとき、補助マスク３とレチクル
５とが共役な位置関係になっている。ここで、もし、レ
チクル５上に集光された＋１次回折光と−１次回折光が
コヒーレントであったなら、レチクル５上で干渉縞が生
じてしまう。この様になると、レチクル５のパターンの
一部が干渉縞の暗部によって照明されなくなり、結果と
してウェハ７上に正いパターンが投影されなくなってし
まう。しかし、本発明では、インコヒーレント化素子に
よって、レチクル５上に集光される＋１次回折光と−１
次回折光とに可干渉距離よりも大きい光路長差を設けて
あるので干渉縞が生じない。
【００１１】ところで、インコヒーレント化素子４は、
中央部に０次回折光を遮蔽するための遮光部を設けてあ
る。この遮光部の大きさは、常に一定のままで良く、レ
チクル５を交換した際に同時に交換する必要が無い。何
故なら、０次回折光とは、回折の影響を受けずにそのま
ま通り抜けてきた光のことを言うからである。従って、
光源１の大きさ又は第１照明光学系２１が変わらない限
り、インコヒーレント化素子４の中央部の遮光部に到達
する０次回折光の大きさは、変化しない。
中央部に０次回折光を遮蔽するための遮光部を設けてあ
る。この遮光部の大きさは、常に一定のままで良く、レ
チクル５を交換した際に同時に交換する必要が無い。何
故なら、０次回折光とは、回折の影響を受けずにそのま
ま通り抜けてきた光のことを言うからである。従って、
光源１の大きさ又は第１照明光学系２１が変わらない限
り、インコヒーレント化素子４の中央部の遮光部に到達
する０次回折光の大きさは、変化しない。
【００１２】また、本発明では、補助マスク３のパター
ンの周期は、レチクル５の第２照明光学系による像のパ
ターンの２倍の周期を有している。逆から光学系を見て
みると、レチクル５の像が補助マスク２上に出来ている
ということが言える。ここで、本来の照明の方向の光を
考えて、レチクル５で新たに発生する０次回折光と光軸
とのなす角及びレチクル５で新たに発生する１次回折光
と光軸とがなす角が、共にθであると、最適な照明が得
られることになる。新たな０次回折光と１次回折光とが
なす角は２θとなっている。即ち、第２照明光学系２２
より、レチクル５に入射する１次回折光と光軸とがなす
角がθであれば、最適な照明と言える。補助マスク３の
パターンの周期は、レチクル５の補助マスク３のパター
ン上の像の周期の２倍となっているため、この条件が満
足されることになる。
ンの周期は、レチクル５の第２照明光学系による像のパ
ターンの２倍の周期を有している。逆から光学系を見て
みると、レチクル５の像が補助マスク２上に出来ている
ということが言える。ここで、本来の照明の方向の光を
考えて、レチクル５で新たに発生する０次回折光と光軸
とのなす角及びレチクル５で新たに発生する１次回折光
と光軸とがなす角が、共にθであると、最適な照明が得
られることになる。新たな０次回折光と１次回折光とが
なす角は２θとなっている。即ち、第２照明光学系２２
より、レチクル５に入射する１次回折光と光軸とがなす
角がθであれば、最適な照明と言える。補助マスク３の
パターンの周期は、レチクル５の補助マスク３のパター
ン上の像の周期の２倍となっているため、この条件が満
足されることになる。
【００１３】更に、レチクル５と補助マスク３とは共役
な位置関係にあるので、レチクル５へ集光する１次回折
光の角度と補助マスク３から射出する１次回折光の光束
の角度とには一対一の関係があるので、レチクル５の全
ての場所で最適な照明となっている。以上のように、補
助マスク３として、レチクル５の第２照明光学系の投影
像の２倍の周期を有するものを用いると、式（１）を満
たすことが可能となる。
な位置関係にあるので、レチクル５へ集光する１次回折
光の角度と補助マスク３から射出する１次回折光の光束
の角度とには一対一の関係があるので、レチクル５の全
ての場所で最適な照明となっている。以上のように、補
助マスク３として、レチクル５の第２照明光学系の投影
像の２倍の周期を有するものを用いると、式（１）を満
たすことが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下に、図１を参照しながら第１実施例を説
明する。図１は、本発明における実施例を示す図であ
る。光源１から射出された光は、照明光学系２の第１照
明光学系２１によって、補助マスク３を照明する。ここ
で、光源としては、水銀ランプ、弗化クリプトンレーザ
ー或いは弗化アルゴンレーザー等が考えられる。補助マ
スク３は、０次回折光と±１次回折光とを生じる。これ
らの回折光は、照明光学系２の第２照明光学系２２の第
１光学群２２１によって平行光となる。平行光となった
０次回折光と±１次回折光とは、インコヒーレント化素
子４に到達する。０次回折光は、インコヒーレント化素
子４によって遮光され、±１次回折光は、インコヒーレ
ント化素子４を透過する。インコヒーレント化素子４を
透過した±１次回折光は、第２照明光学系２２の第２光
学群２２２によってレチクル５上に集光される。レチク
ル５に集光された±１次回折光は、レチクル５で新たな
０次回折光と１次回折光とを発生させる。新たな０次回
折光と１次回折光とは、投影光学系６によって、ウェハ
７上で結像する。
明する。図１は、本発明における実施例を示す図であ
る。光源１から射出された光は、照明光学系２の第１照
明光学系２１によって、補助マスク３を照明する。ここ
で、光源としては、水銀ランプ、弗化クリプトンレーザ
ー或いは弗化アルゴンレーザー等が考えられる。補助マ
スク３は、０次回折光と±１次回折光とを生じる。これ
らの回折光は、照明光学系２の第２照明光学系２２の第
１光学群２２１によって平行光となる。平行光となった
０次回折光と±１次回折光とは、インコヒーレント化素
子４に到達する。０次回折光は、インコヒーレント化素
子４によって遮光され、±１次回折光は、インコヒーレ
ント化素子４を透過する。インコヒーレント化素子４を
透過した±１次回折光は、第２照明光学系２２の第２光
学群２２２によってレチクル５上に集光される。レチク
ル５に集光された±１次回折光は、レチクル５で新たな
０次回折光と１次回折光とを発生させる。新たな０次回
折光と１次回折光とは、投影光学系６によって、ウェハ
７上で結像する。
【００１５】本実施例中では、光源１とインコヒーレン
ト化素子４と投影光学系６の入射瞳とが共役な位置関係
になっており、また、補助マスク２とレチクル５とウェ
ハ７とが共役な位置関係になっている。本実施例中で
は、照明光学系２の第２照明光学系２２の倍率を等倍と
している。これにより、図２（ａ）に示すようなレチク
ル５のパターンであって、開口部５２と遮光部５１とが
同じ間隔で周期Ｐで並んでいる場合、補助マスク３の周
期は、図２（ｂ）に示すような補助マスク３のパターン
であって、開口部３２と遮光部３１とが同じ間隔でパタ
ーン周期２Ｐとなっているものを用いる。このようにす
ると、補助マスク３で回折された方向余弦はｓｉｎθ
は、 ｓｉｎθ＝λ／２Ｐ となっており、第２照明光学系２２の倍率が等倍なの
で、レチクル５が最適な照明をされることになる。
ト化素子４と投影光学系６の入射瞳とが共役な位置関係
になっており、また、補助マスク２とレチクル５とウェ
ハ７とが共役な位置関係になっている。本実施例中で
は、照明光学系２の第２照明光学系２２の倍率を等倍と
している。これにより、図２（ａ）に示すようなレチク
ル５のパターンであって、開口部５２と遮光部５１とが
同じ間隔で周期Ｐで並んでいる場合、補助マスク３の周
期は、図２（ｂ）に示すような補助マスク３のパターン
であって、開口部３２と遮光部３１とが同じ間隔でパタ
ーン周期２Ｐとなっているものを用いる。このようにす
ると、補助マスク３で回折された方向余弦はｓｉｎθ
は、 ｓｉｎθ＝λ／２Ｐ となっており、第２照明光学系２２の倍率が等倍なの
で、レチクル５が最適な照明をされることになる。
【００１６】ここで、補助マスク２のパターンが描かれ
た領域の大きさとレチクル５のパターンが描かれた領域
の大きさとが同じ大きさであり、レチクル５の縁の部分
では、回折の影響によって照明光の照度が中央部と異な
ることが予想される場合がある。この様な場合、図２に
示すように、補助マスク２のパターンが描かれた領域の
大きさを、レチクル５のパターンが描かれた領域の大き
さよりも少し大きめにすることが有効である。しかし、
照明光の照度分布ムラが発生しないなら、補助マスク２
のパターンが描かれた領域の大きさとレチクル５のパタ
ーンが描かれた領域の大きさとを同一にしても一向に構
わない。
た領域の大きさとレチクル５のパターンが描かれた領域
の大きさとが同じ大きさであり、レチクル５の縁の部分
では、回折の影響によって照明光の照度が中央部と異な
ることが予想される場合がある。この様な場合、図２に
示すように、補助マスク２のパターンが描かれた領域の
大きさを、レチクル５のパターンが描かれた領域の大き
さよりも少し大きめにすることが有効である。しかし、
照明光の照度分布ムラが発生しないなら、補助マスク２
のパターンが描かれた領域の大きさとレチクル５のパタ
ーンが描かれた領域の大きさとを同一にしても一向に構
わない。
【００１７】更に、本実施例中で用いているインコヒー
レント化素子４は、図３に示す構造である。ここで、図
３（ａ）はインコヒーレント化素子４の断面図であり、
図３（ｂ）はインコヒーレント化素子４の正面図であ
る。インコヒーレント化素子４全体は、屈折率ｎの透過
部材でできており、光軸が通る位置を中心とした０次回
折光が到達する領域は、遮光部材４２を施してある。ま
た、±１次回折光が到達する領域は、光軸を中心として
対称になるように透過領域４１が二分されている。図３
（ａ）に示すように、二分された透過領域４１の一方
は、透過領域４１の他方より透過部材が厚くなってい
る。尚、図３の形状に限らず、±１次回折光がインコヒ
ーレントになるような対称性をもてばよい。
レント化素子４は、図３に示す構造である。ここで、図
３（ａ）はインコヒーレント化素子４の断面図であり、
図３（ｂ）はインコヒーレント化素子４の正面図であ
る。インコヒーレント化素子４全体は、屈折率ｎの透過
部材でできており、光軸が通る位置を中心とした０次回
折光が到達する領域は、遮光部材４２を施してある。ま
た、±１次回折光が到達する領域は、光軸を中心として
対称になるように透過領域４１が二分されている。図３
（ａ）に示すように、二分された透過領域４１の一方
は、透過領域４１の他方より透過部材が厚くなってい
る。尚、図３の形状に限らず、±１次回折光がインコヒ
ーレントになるような対称性をもてばよい。
【００１８】そして、本実施例では、図３（ａ）に示す
ように、透過領域４１の一方と透過領域４１の他方より
一方との光軸上に沿った方向の厚さの差をｄとすると
き、以下の条件を満足している。 Ｌ＝（ｎ−１）ｄ＞Ｌc ここで、Ｌは光路長差であり、Ｌc は可干渉距離であ
る。この様に、本実施例では、この様な構造のインコヒ
ーレント化素子を用いることにより、±１次回折光がレ
チクル５上で集光しても干渉縞が生じない。
ように、透過領域４１の一方と透過領域４１の他方より
一方との光軸上に沿った方向の厚さの差をｄとすると
き、以下の条件を満足している。 Ｌ＝（ｎ−１）ｄ＞Ｌc ここで、Ｌは光路長差であり、Ｌc は可干渉距離であ
る。この様に、本実施例では、この様な構造のインコヒ
ーレント化素子を用いることにより、±１次回折光がレ
チクル５上で集光しても干渉縞が生じない。
【００１９】本実施例中では、インコヒーレント化素子
４に入射する回折光は、平行光となっているが、前述の
共役関係を満足していれば、特に平行光とする必要は無
い。そして、レチクル５上の対応するパターンに合わせ
て、パターン形状の異なる補助マスク３用意しておけ
ば、レチクル上の全ての位置で最適な照明が得られる。
また、低周波数のパターンに対しては０次回折光がイン
コヒーレント化素子４の遮光部でカットされない程度に
補助マスクパターンのピッチを細かくしておくことが有
効である。
４に入射する回折光は、平行光となっているが、前述の
共役関係を満足していれば、特に平行光とする必要は無
い。そして、レチクル５上の対応するパターンに合わせ
て、パターン形状の異なる補助マスク３用意しておけ
ば、レチクル上の全ての位置で最適な照明が得られる。
また、低周波数のパターンに対しては０次回折光がイン
コヒーレント化素子４の遮光部でカットされない程度に
補助マスクパターンのピッチを細かくしておくことが有
効である。
【００２０】また、補助マスク３として、厳密に、レチ
クル５の第２照明光学系の投影像の２倍の周期を有する
ものを用いなくとも、略２倍の周期を有するものであっ
ても構わない。
クル５の第２照明光学系の投影像の２倍の周期を有する
ものを用いなくとも、略２倍の周期を有するものであっ
ても構わない。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、レチクル
のパターンの周期に合わせて補助マスクを交換すること
により照明光の最適化を行なうことが可能となり、その
結果として、深い焦点深度を得ることができ、更に、高
いコントラストの像を得ることも可能になる。
のパターンの周期に合わせて補助マスクを交換すること
により照明光の最適化を行なうことが可能となり、その
結果として、深い焦点深度を得ることができ、更に、高
いコントラストの像を得ることも可能になる。
【図１】図１は、本発明の実施例を示した図である。
【図２】図２は、レチクル及び補助マスクの概念図であ
る。
る。
【図３】図３は、インコヒーレント化素子を示した図で
ある。
ある。
【図４】図４は、従来の変形照明法を示した図である。
１・・・・・・光源 ２・・・・・・照明光学系 ３・・・・・・補助マスク ４・・・・・・インコヒーレント化素子 ５・・・・・・レチクル ６・・・・・・投影光学系 ７・・・・・・ウェハ ２１・・・・・第１照明光学系 ２２・・・・・第２照明光学系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/20 ５２１
Claims (1)
- 【請求項１】光源と、該光源から射出された光をレチク
ル上に集光するする照明光学系と、前記レチクルのパタ
ーンを基板上に投影する投影光学系とを有する投影露光
装置において、前記照明光学系は第１照明光学系と第２
照明光学系とを有し、前記第１照明光学系は前記光源射
出された光を補助マスク上に集光させ、前記第２照明光
学系は前記補助マスクと前記レチクルとが共役となる位
置に配置され、前記第２照明光学系中に中央部に０次回
折光を遮蔽するための遮光部を設けたインコヒーレント
化素子を配置し、前記補助マスクのパターンは前記第２
照明光学系による前記レチクルの像のパターンの２倍の
周期を有することを特徴とする投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008456A JPH08203801A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7008456A JPH08203801A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | 投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203801A true JPH08203801A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11693638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7008456A Pending JPH08203801A (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203801A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006043458A1 (ja) * | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
-
1995
- 1995-01-23 JP JP7008456A patent/JPH08203801A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006043458A1 (ja) * | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Nikon Corporation | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
| JP2006120675A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Nikon Corp | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 |
| US8004658B2 (en) | 2004-10-19 | 2011-08-23 | Nikon Corporation | Lighting optical device, exposure system, and exposure method |
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