JPH08204677A - 光伝送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】大容量の位相変動吸収用メモリを用いることな
くビット多重処理を確実に行える光伝送装置を提供す
る。 【構成】 ビット多重／分離装置３００のタイミング信
号生成部４００で同期クロックＣＫ43を生成してこのク
ロックＣＫ43を受信光伝送信号Ｄ30，Ｄ40に重畳して各
フレーム多重／分離装置１００，２００にそれぞれ転送
し、各フレーム多重／分離装置１００，２００ではそれ
ぞれ、上記受信光伝送信号Ｄ30，Ｄ40から上記同期クロ
ックＣＫ43を抽出し、この同期クロックＣＫ43を用いて
ＳＴＭ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６の同期化処理およびフ
レーム多重処理を行なってその送信光伝送信号Ｌ10，Ｌ
20をビット多重／分離装置３００へ送出するようにした
ものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、光同期通信システム
に使用される光伝送装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近時、世界標準の新しい同期ハイアラー
キに準拠したネットワーク構築が活発化している。これ
はＳＤＨ(Synchronous Digital Hierarchy) と呼ばれ、
現在までのところＳＴＭ−１６(Synchronous Transport
Mode level 16) 、すなわち2,488.32Mbit/sの基幹伝送
システムが実用化されている。通信需要の増大に伴い、
さらに高速のＳＴＭ−６４等の標準化が進められている
が、装置を実現する上での困難性が高く、実用化にはま
だ時間がかかると予想される。

【０００３】このため簡便に光ファイバ一本当たりの伝
送容量を増大させるために、ビット多重方式の光伝送装
置が実用化されつつある。図７は、このような従来の光
伝送装置の構成の一例を示すもので、２台のＳＤＨ準拠
のＳＴＭ−１６型のフレーム多重／分離装置１，２とビ
ット多重／分離装置３とで構成される。

【０００４】フレーム多重／分離装置１，２には、それ
ぞれ動作用のクロックとして局舎内の同期クロックＣＫ
11，ＣＫ21、予備同期クロックＣＫ12，ＣＫ22が供給さ
れると共に、光伝送信号Ｌ3 ，Ｌ4 および１６チャンネ
ルのＳＴＭ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６が供給される。

【０００５】光送信部（ＯＳ）１１，２１には、それぞ
れフレーム多重／分離装置１，２の同期クロックとこの
同期クロックによって同期した１６チャンネルのＳＴＭ
−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６が供給される。光送信部（Ｏ
Ｓ）１１，２１は、それぞれの動作用クロックを用いて
１６チャンネルのＳＴＭ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６をフ
レーム多重してＳＴＭ−１６信号を生成し、光伝送信号
Ｌ1 ，Ｌ2 に変換して出力する。この光伝送信号Ｌ1 ，
Ｌ2 は、それぞれビット多重／分離装置３内の光受信部
（ＯＲ）３１，３２に送出される。

【０００６】光受信部３１，３２は、それぞれ光伝送信
号Ｌ1 ，Ｌ2 を電気信号に変換し、ＳＴＭ−１６信号Ｄ
1 ，Ｄ2 を再生すると共に、それぞれクロックＣＫ1 ，
ＣＫ2 を抽出する。ＳＴＭ−１６信号Ｄ1 ，Ｄ2 は、そ
れぞれ位相変動吸収用メモリ３３，３４に出力される。
また、クロックＣＫ1 ，ＣＫ2 は、それぞれ位相変動吸
収用メモリ３３，３４に出力されると共に、セレクタ３
５に出力される。

【０００７】このセレクタ３５は、必要に応じてクロッ
クＣＫ1 ，ＣＫ2 の内、一方を選択し、クロックＣＫ0
として出力するものである。セレクタ３５で選択された
クロックＣＫ0 は、位相変動吸収用メモリ３３，３４に
供給される。

【０００８】位相変動吸収用メモリ３３，３４は、それ
ぞれＳＴＭ−１６信号Ｄ1 ，Ｄ2 をクロックＣＫ1 ，Ｃ
Ｋ2 に同期して読み込んだ後、クロックＣＫ0 に同期し
て読み出す。読み出されたＳＴＭ−１６信号Ｄ1 ′，Ｄ
2 ′は、マルチプレクサ（ＭＵＸ）３６に入力される。

【０００９】マルチプレクサ３６は、ＳＴＭ−１６信号
Ｄ1 ′とＳＴＭ−１６信号Ｄ2 ′とを時分割多重し、Ｓ
ＴＭ−１６信号の２倍の情報量を有する信号（２×ＳＴ
Ｍ−１６）を生成し、他局に送信する。一方、他局より
送信される時分割多重信号（２×ＳＴＭ−１６）は、デ
マルチプレクサ（ＤＭＵＸ）３７に入力される。

【００１０】デマルチプレクサ３７は、時分割多重信号
を２系統のＳＴＭ−１６信号（２×ＳＴＭ−１６）Ｄ3
，Ｄ4 に分離する。このＳＴＭ−１６信号Ｄ3 ，Ｄ4
はそれぞれ光送信部（ＯＳ）３８，３９に入力される。

【００１１】光送信部３８，３９は、それぞれＳＴＭ−
１６信号Ｄ3 ，Ｄ4 を光伝送信号Ｌ3 ，Ｌ4 に変換して
フレーム多重／分離装置１，２へ送出する。この光伝送
信号Ｌ3 ，Ｌ4 は、それぞれフレーム多重／分離装置
１，２において光受信部（ＯＲ）１２，２２で受信され
て、ＳＴＭ−１６信号に変換される。これらのＳＴＭ−
１６信号は、図示しない分離部により１６チャンネルの
ＳＴＭ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６に分離される。

【００１２】上記構成における従来の光伝送装置の動作
について説明する。２組の１６チャンネルのＳＴＭ−１
信号ＣＨ１〜ＣＨ１６は、それぞれフレーム多重／分離
装置１，２において、各フレーム多重／分離装置の同期
クロックＣＫ11，ＣＫ12を用いてフレーム多重されたの
ち光伝送信号Ｌ1 ，Ｌ2 に変換され、ビット多重／分離
装置３へ送られる。この光伝送信号Ｌ1 ，Ｌ2 は、それ
ぞれ光受信部３１，３２により電気信号に変換され、Ｓ
ＴＭ−１６信号Ｄ1 ，Ｄ2 が再生される。このＳＴＭ−
１６信号Ｄ1 ，Ｄ2 は、それぞれ位相変動吸収用メモリ
３３，３４にそれぞれクロックＣＫ1 ，ＣＫ2 で書き込
まれ、共にクロックＣＫ0 で読み出されることにより、
両信号間の位相差が吸収され、それぞれ互いに同期した
ＳＴＭ−１６信号Ｄ1 ′，Ｄ2 ′として出力される。

【００１３】ＳＴＭ−１６信号Ｄ1 ′とＳＴＭ−１６信
号Ｄ2 ′とは、マルチプレクサ３６により、時分割多重
されることにより、２倍の伝送速度を有する時分割多重
信号（２×ＳＴＭ−１６）として他局に送信される。

【００１４】一方、他局より送信された２倍の伝送速度
を有する時分割多重信号（２×ＳＴＭ−１６）は、デマ
ルチプレクサ３７で２系統のＳＴＭ−１６信号Ｄ3 ，Ｄ
4 に分離される。このＳＴＭ−１６信号Ｄ3 ，Ｄ4 は、
それぞれ光送信部３８，３９により、光伝送信号Ｌ3 ，
Ｌ4 に変換されたのちフレーム多重／分離装置１，２へ
送られ、１６チャンネルのＳＴＭ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ
１６に分離される。

【００１５】したがって、上記構成の光伝送装置を用い
れば、２倍の伝送速度の時分割多重信号（２×ＳＴＭ−
１６）が送受信可能となり、簡便に光ファイバ一本当た
りの伝送量を増大させることができる。

【００１６】ところで、上述したように上記光伝送装置
では、位相変動吸収用メモリ３３，３４によって、フレ
ーム多重／分離装置１，２の同期クロックの切り換え時
等においてＳＴＭ−１６信号Ｄ1 ，Ｄ2 との間に生じ得
る位相変動を吸収し、マルチプレクサ３６におけるビッ
ト多重が正常に行われるようにしている。

【００１７】すなわち、今仮に、一方の同期クロックＣ
Ｋ11，ＣＫ21に障害が発生したとすると、同期クロック
は予備同期クロックＣＫ12あるいはＣＫ22に切り換えら
れる。ここで、各フレーム多重／分離装置１，２が使用
している同期クロックＣＫ11，ＣＫ12とＣＫ21，ＣＫ22
との間の位相差は保証されていない。このため、同期ク
ロックの切り換え後に装置が新たなクロックに同期しよ
うとする場合、基準となるこの同期クロックの位相が最
悪１周期ずれていることがあり、この位相変動分を上記
メモリ３３，３４で吸収するようにしている。

【００１８】ところが、このような従来の構成である
と、上記位相変動分の最大値、つまり同期クロックの１
周期分を吸収するのに必要な容量をメモリ３３，３４に
持たせなければならない。例えば、一般的な同期クロッ
クが、64K+8K（コンポジット信号）、1.544Mbit/s （バ
イポーラ信号）、2.048Mbit/s （バイポーラ信号）、お
よび2.048MHz（正弦波）等であるとすれば、吸収しなけ
ればならない位相変動量はマイクロ秒オーダとなり、そ
れに対応する容量のメモリ３３，３４が必要となる。し
かし、上述したようにＳＴＭ−１６型のフレーム多重／
分離装置の伝送信号のビットレートは2,488.32Mbit/sで
あり、この伝送信号をマイクロ秒オーダ分メモリ３３，
３４に収容するためには、巨大なサイズのメモリが必要
となる。このようなメモリを実装すると装置の消費電力
は増大し、また高密度実装も困難となる。また、装置内
の信号の伝搬遅延がメモリの大きさに比例するため、伝
搬遅延の増加も無視できないものとなる。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】以上述べたように、従
来の光伝送装置では、巨大なサイズのメモリを必要とす
るため、装置の消費電力の増大や、実装密度の低下、装
置内の信号の伝搬遅延の増大などを招く問題があった。

【００２０】この発明は上記の問題を解決すべくなされ
たもので、大容量の位相変動吸収用メモリを用いること
なくビット多重処理を確実に行えるようにし、これによ
り消費電力の低減、高実装密度化および信号の伝搬遅延
の縮小を図ることが可能な光伝送装置を提供することを
目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、この発明に係る光伝送装置は、それぞれ、送信用
伝送信号群をフレーム多重したのち送信用光伝送信号に
変換して送出すると共にこの送信用光伝送信号と同じフ
ォーマットの受信用光伝送信号を送信用伝送信号群と同
じフォーマットの受信用伝送信号群にフレーム分離して
出力する機能を有した複数のフレーム多重／分離装置
と、複数の送信用光伝送信号を同期させた後に時分割多
重して送信用ビット多重信号を生成すると共に、この送
信用ビット多重信号と同じフォーマットの受信用ビット
多重信号を送信用光伝送信号と同じフォーマットの複数
の受信用光伝送信号に時分割分離し、それぞれフレーム
多重／分離装置に送出する機能を有したビット多重／分
離装置とを備えた光伝送装置において、ビット多重／分
離装置は、各フレーム多重／分離装置が送信用光伝送信
号を送出するために必要な同期クロックを生成するため
の同期クロック生成手段と、この同期クロック生成手段
により生成された同期クロックを各フレーム多重／分離
装置へそれぞれ転送するための同期クロック転送手段と
を備え、かつ各フレーム多重／分離装置の各々は、ビッ
ト多重／分離装置から転送された同期クロックを検出す
るための同期クロック検出手段と、送信用伝送信号群
を、自己のフレーム多重／分離装置ごとの個別クロック
に同期して読み込んだのち同期クロック検出手段により
検出された同期クロックに同期して読み出すための同期
化処理手段と、この同期化処理手段から読み出された送
信用伝送信号群を同期クロックに同期してフレーム多重
したのち送信用光伝送信号に変換してビット多重／分離
装置へ送出するためのフレーム多重送信手段とを具備し
て構成するようにした。

【００２２】

【作用】この結果本発明によれば、ビット多重／分離装
置で同期クロックが生成されてこの同期クロックが各フ
レーム多重／分離装置にそれぞれ供給され、各フレーム
多重／分離装置ではこの同期クロックに同期して各送信
用伝送信号の同期化処理およびフレーム多重処理が行な
われたのちビット多重／分離装置へ送られることにな
る。すなわち、各フレーム多重／分離装置からは、常に
共通の同期クロックに同期して送信用光伝送信号が送出
されることになる。このため、仮に各フレーム多重／分
離装置が使用している同期クロックが障害等により現用
から予備用に切り換わったとしても、各フレーム多重／
分離装置からビット多重／分離装置へ送られる各送信光
伝送信号間の位相差は、上記同期クロックの切り換えの
影響を全く受けることなく常に一定に保たれることにな
る。したがって、ビット多重／分離装置に設けられる位
相変動吸収用のメモリは、不要になるかまたは極めて小
容量で済むことになり、これにより装置の消費電力の低
減、高実装密度化、および信号伝搬遅延の縮少が可能と
なる。

【００２３】

【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例を
詳細に説明する。なお、図１において前記図７と同一部
分には同一符号を付して示し詳しい説明は省略する。図
１はこの発明の一実施例に係る光伝送装置の構成を示す
もので、図７に示した従来の構成とは、フレーム多重／
分離装置１００，２００内にそれぞれポインタ処理回路
（ＳＡ）１３０，２３０と、ビット多重／分離装置３０
０内にタイミング信号生成部（以下、ＴＳＧと略称す
る）４００を付加した点と、セレクタ３５を省いた点が
主として異なる。

【００２４】まず、ＴＳＧ４００について説明する。図
２は、ＴＳＧ４００の具体的な構成を示すもので、ＴＳ
Ｇ４００はセレクタ４１０とＰＬＬ回路４２０とからな
る。セレクタ４１０は、局舎内の現用同期クロックＣＫ
41および予備用同期クロックＣＫ42が供給され、この２
つの同期クロックの内、一方の同期クロックをＰＬＬ回
路４２０に選択出力する。

【００２５】ＰＬＬ回路４２０は、位相比較器４２１、
ループフィルタ４２２、電圧制御水晶発振器（以下、Ｖ
ＣＸＯと略称する）４２３および分周回路４２４で構成
される。

【００２６】位相比較器４２１は、上記セレクタ４１０
の選択出力クロックと後述の分周クロックが供給され、
両クロックの位相差に対応したデューティを持つ位相差
信号をループフィルタ４２２に出力する。このループフ
ィルタ４２２は、上記位相差信号を平滑化することで、
選択出力クロックと分周クロックとの位相差に比例した
電圧信号を生成し、ＶＣＸＯ４２３に出力する。

【００２７】ＶＣＸＯ４２３は、上記電圧信号に応じた
周波数のクロックを発振するもので、発振したクロック
を分周回路４２４に出力する。この分周回路４２４は、
上記クロックを分周した分周クロックを生成すると共
に、互いに分周関係を持つ２つの分周信号、クロックＣ
Ｋ43，ＣＫ44を生成する。

【００２８】このような構成により、ＴＳＧ４００は、
局舎内の現用同期クロックＣＫ41および予備用同期クロ
ックＣＫ42が供給され、この２つの同期クロックの内、
一方を基準クロックとしたクロックＣＫ43，ＣＫ44を生
成する。このクロックＣＫ44は、従来の構成のセレクタ
３５が出力するクロックＣＫ0 に代わり、位相変動吸収
用メモリ３３０，３４０に読出用クロックとして出力さ
れる。また、クロックＣＫ43は、光送信部（ＯＳ）３８
０，３９０に出力される。

【００２９】次に、光送信部３８０の構成を示す図３を
参照して、光送信部３８０について説明する。光送信部
３９０については、光送信部３８０と同様の構成である
ことより説明を省略する。

【００３０】光送信部３８０は、光送信器３８１および
光変調器３８２で構成され、それぞれＳＴＭ−１６信号
Ｄ3 およびクロックＣＫ43が供給される。光送信器３８
１は、ＳＴＭ−１６信号Ｄ3 を光信号に変換し、光変調
器３８２に出力する。光変調器３８２は、クロックＣＫ
43により上記光信号を振幅変調して光伝送信号Ｌ30とし
て出力するもので、これにより上記クロックＣＫ43は光
伝送信号Ｌ30に重畳されて伝送される。

【００３１】このような構成を採る理由は、ＳＴＭ−１
６信号が2,488.32Mbit/sと高速であり、それに比べてク
ロックＣＫ43の周波数が低いためである。すなわち、光
送信部３８０，３９０は、それぞれクロックＣＫ43を光
伝送信号１２０，２２０に重畳し、光伝送信号Ｌ30，Ｌ
40として、光受信部（ＯＲ）１２０，２２０に出力す
る。

【００３２】次に、光受信部１２０の具体的な構成を示
す図４を参照して、光受信部１２０について説明する。
光受信部２２０については、光受信部１２０と同様の構
成であることより説明を省略する。

【００３３】受信部１２０は、光電変換器１２１、増幅
器１２２、バンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦと略称す
る）１２３および識別再生回路１２４で構成される。光
電変換器１２１は、光伝送信号Ｌ30を電気信号に変換
し、増幅器１２２はこの電気信号を増幅し、ＢＰＦ１２
３および識別再生回路１２４に出力する。

【００３４】ＢＰＦ１２３は、上記増幅された電気信号
から上記重畳されているクロックＣＫ43を抽出する。識
別再生回路１２４は、上記増幅された電気信号からＳＴ
Ｍ−１６信号を再生する。

【００３５】すなわち、光受信部１２０，２２０は、そ
れぞれ光伝送信号Ｌ30，Ｌ40からＳＴＭ−１６信号を再
生すると共に、重畳されているクロックＣＫ43を抽出
し、ポインタ処理回路（ＳＡ）１３０，２３０に出力す
る。

【００３６】次に、ポインタ処理回路１３０の具体的な
構成を示す図５を参照して、ポインタ処理回路１３０に
ついて説明する。ポインタ処理回路２３０については、
ポインタ処理回路１３０と同様の構成であることより説
明を省略する。

【００３７】ポインタ処理回路１３０は、ＰＬＬ回路１
３１と同期化処理回路１３２とで構成される。ＰＬＬ回
路１３１は、基準クロックとしてクロックＣＫ43が供給
され、クロックＣＫ43に同期したクロックＣＫ43′を発
振する。このクロックＣＫ43′は、光送信部（ＯＳ）１
１０と同期化処理回路１３２に出力される。

【００３８】さらに、同期化処理回路１３２には、フレ
ーム多重／分離装置１００の同期クロック（ＣＫ11また
はＣＫ21）とこの同期クロックに同期した１６チャンネ
ルのＳＴＭ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６が供給される。同
期化処理回路１３２は、ポインタ処理を用いたセクショ
ンアダプテーション機能により、１６チャンネルのＳＴ
Ｍ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６に対し、入力側では上記同
期クロックで動作し、出力側ではクロックＣＫ43′に同
期させて光送信部１１０に出力する。

【００３９】すなわち、ポインタ処理回路１３０，２３
０は、それぞれの同期クロックに同期していた１６チャ
ンネルのＳＴＭ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６をクロックＣ
Ｋ43′に同期させ、光送信部１１０に出力する。

【００４０】光送信部１１０，１２０は、それぞれクロ
ックＣＫ43′を用いて１６チャンネルのＳＴＭ−１信号
ＣＨ１〜ＣＨ１６をフレーム多重し、光伝送信号Ｌ10，
Ｌ20に変換して出力する。この光伝送信号Ｌ10，Ｌ20
は、それぞれビット多重／分離装置３００内の光受信部
（ＯＲ）３１，３２に出力される。

【００４１】光受信部３１，３２は、それぞれ光伝送信
号Ｌ10，Ｌ20を電気信号に変換し、ＳＴＭ−１６信号Ｄ
10，Ｄ20を再生すると共に、クロックＣＫ45を抽出す
る。ＳＴＭ−１６信号Ｄ10，Ｄ20はそれぞれ位相変動吸
収用メモリ３３０，３４０に出力され、クロックＣＫ45
は位相変動吸収用メモリ３３０，３４０に書き込み用ク
ロックとして入力される。

【００４２】位相変動吸収用メモリ３３０，３４０は、
それぞれＳＴＭ−１６信号Ｄ10，Ｄ20に対し、書き込み
をクロックＣＫ45で行い、読出しをクロックＣＫ44で行
う。すなわち、位相変動吸収用メモリ３３０，３４０
は、ＳＴＭ−１６信号Ｄ10とＳＴＭ−１６信号Ｄ20との
間に生じ得る相対的な位相変動を吸収し、共にクロック
ＣＫ44に同期した位相でＳＴＭ−１６信号Ｄ10′，Ｄ2
0′を出力する。読み出したＳＴＭ−１６信号Ｄ10′，
Ｄ20′は、マルチプレクサ（ＭＵＸ）３６に出力され
る。

【００４３】上記構成における光伝送装置の動作につい
て説明する。他局より送信される２倍の伝送速度を有す
る時分割多重信号（２×ＳＴＭ−１６）は、デマルチプ
レクサ３７に供給され、２系統のＳＴＭ−１６信号Ｄ3
，Ｄ4 に分離される。このＳＴＭ−１６信号Ｄ3 ，Ｄ4
は、それぞれ光送信部３８０，３９０において、ＴＳ
Ｇ４００で生成したクロックＣＫ43が重畳され、それぞ
れ光伝送信号Ｌ30，Ｌ40として出力される。

【００４４】光伝送信号Ｌ30，Ｌ40は、それぞれフレー
ム多重／分離装置１００，２００によって、１６チャン
ネルのＳＴＭ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６に分割されると
共に、重畳されているクロックＣＫ43が抽出される。

【００４５】一方、送信するＳＴＭ−１６信号である２
組の１６チャンネルのＳＴＭ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６
は、それぞれフレーム多重／分離装置１００，２００に
おいて、上記クロックＣＫ43を用いてフレーム多重し、
光伝送信号Ｌ10，Ｌ20に変換される。この光伝送信号Ｌ
10，Ｌ20は、それぞれ光受信部３１，３２により、電気
信号に変換され、ＳＴＭ−１６信号Ｄ10，Ｄ20が再生さ
れる。

【００４６】このＳＴＭ−１６信号Ｄ10，Ｄ20は、それ
ぞれ位相変動吸収用メモリ３３０，３４０に共にクロッ
クＣＫ45で書き込まれ、共にクロックＣＫ44で読み出さ
れることにより、両信号間の位相差が吸収され、それぞ
れ互いに同期したＳＴＭ−１６信号Ｄ10′，Ｄ20′とし
て出力される。

【００４７】ＳＴＭ−１６信号Ｄ10′とＳＴＭ−１６信
号Ｄ20′とは、マルチプレクサ３６により、時分割多重
されることにより、２倍の伝送速度を有する時分割多重
信号（２×ＳＴＭ−１６）として他局に送信される。

【００４８】すなわち、上記構成による光伝送装置にお
いては、ビット多重／分離装置３００側の同期クロック
を基準クロックとして生成したクロックＣＫ43を用い
て、フレーム多重／分離装置に供給される２組の１６チ
ャンネルのＳＴＭ−１信号ＣＨ１〜ＣＨ１６をフレーム
多重して光伝送している。また、クロックＣＫ43と分周
関係にあるクロックＣＫ44を用いて、位相変動吸収用メ
モリ３３０，３４０からＳＴＭ−１６信号Ｄ10′，Ｄ2
0′を読み出している。

【００４９】したがって、上記構成による光伝送装置を
用いれば、光伝送信号Ｌ10，Ｌ20は、フレーム多重／分
離装置１００，２００の同期クロックＣＫ11，ＣＫ12お
よびＣＫ21，ＣＫ22の切り換えの際に生じ得る位相変動
の影響を受けない。

【００５０】一方、ビット多重／分離装置３００側の現
用同期クロックＣＫ41と予備用同期クロックＣＫ42との
間の切り換えの際に生じ得る位相変動については、ＰＬ
Ｌ回路４２０，１３１間に、以下に説明するような設定
を施すことにより、位相変動吸収用メモリ３３０，３４
０の入出力のクロック間の位相関係には影響を与えな
い。

【００５１】図６を参照して、上記設定について説明す
る。図６は、上記実施例の構成の一部を示す図で、フレ
ーム多重／分離装置２００についてはまったく同様であ
ることより省略してある。

【００５２】セレクタ４１０による現用同期クロックＣ
Ｋ41と予備用同期クロックＣＫ42との間の切り換え動作
によって位相変動吸収用メモリ３３０のクロックＣＫ4
5，ＣＫ44間に位相差が生じることが予想される。この
位相差は、ＰＬＬ回路１３１が位相変動するＰＬＬ回路
４２０の出力クロックに対して追従する際に生じるもの
である。

【００５３】しかし、ＰＬＬ回路４２０の時間応答特性
を低速に設定してこれにより現用同期クロックＣＫ41と
予備用同期クロックＣＫ42との間の位相変化をゆるやか
に吸収し、さらにＰＬＬ回路４２０に比してＰＬＬ回路
１３１の時間応答特性を高速に設定する。このように構
成すると、ＰＬＬ回路１３１は位相変化するＰＬＬ回路
４２０の出力クロックに対して遅れを生じることなく迅
速に応答するため、位相変動吸収用メモリ３３０のクロ
ックＣＫ45，ＣＫ44間に生じ得る位相差を極小に抑える
ことが可能となる。

【００５４】このため、従来問題であった位相変動吸収
用メモリ３３０，３４０のサイズは、原理的には零でよ
いが、回路の不完全性や伝送路遅延の相対的な差によっ
て生じ得る位相差を考慮し、位相変動吸収用メモリ３３
０，３４０を用いたとしても、必要とされるメモリサイ
ズは数十ｎｓ（ナノセコンド）もあれば十分である。

【００５５】よって、従来のメモリサイズに比べ小規模
化が図れ、装置の消費電力の低減、高密度実装、装置内
部の信号の伝搬遅延の縮小に寄与することができる。こ
の発明は上記実施例に限定されるものではない。例え
ば、上記実施例ではポインタ処理回路１３０，２３０に
動作用のクロック（ＣＫ11，ＣＫ21，ＣＫ12，ＣＫ22）
以外のクロックを供給するために、光送信部３８０，３
９０においてＳＴＭ−１６信号にクロックＣＫ43を重畳
しているが、光受信部１２０，２２０において受信した
ＳＴＭ−１６信号よりクロックを抽出し、ポインタ処理
回路１３０，２３０で用いるようにすれば、上記重畳は
必ずしも必要ではない。

【００５６】さらに、上記実施例では２組のＳＴＭ−１
６信号をビット多重する場合について示したが、２組以
上のＳＴＭ−１６信号をビット多重して２倍以上の伝送
速度を有する伝送信号を得る場合についても適用可能で
ある。

【００５７】その他、低周波のクロックを重畳して伝送
した後で分離するという要旨を逸脱しない範囲で種々の
変形を施しても同様に実施可能であることはいうまでも
ない。

【００５８】

【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
大容量の位相変動吸収用メモリを用いることなくビット
多重処理を確実に行えるようになり、これにより消費電
力の低減、高実装密度化および信号の伝搬遅延の縮小を
図ることが可能な光伝送装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る光伝送装置の一実施例の構成を
示すブロック回路図。

【図２】この発明に係る光伝送装置のタイミング信号生
成部の構成を示すブロック回路図。

【図３】この発明に係る光伝送装置の光送信部の構成を
示すブロック回路図。

【図４】この発明に係る光伝送装置の光受信部の構成を
示すブロック回路図。

【図５】この発明に係る光伝送装置のポインタ処理回路
の構成を示すブロック回路図。

【図６】この発明に係る光伝送装置に生じ得る位相変動
を説明する概念図。

【図７】従来の光伝送装置の構成を示す図。

【符号の説明】 １，２…フレーム多重／分離装置、３…ビット多重／分
離装置、１１，２１…光送信部（ＯＳ）、１２，２２…
光受信部（ＯＲ）、３１，３２…光受信部（ＯＲ）、３
３，３４…位相変動吸収用メモリ、３５…セレクタ、３
６…マルチプレクサ（ＭＵＸ）、３７…デマルチプレク
サ（ＤＭＵＸ）、３８，３９…光送信部（ＯＳ）、１０
０，２００…フレーム多重／分離装置、３００…ビット
多重／分離装置、１１０，２１０…光送信部（ＯＳ）、
１２０，２２０…光受信部（ＯＲ）、１２１…光電変換
器、１２２…増幅器、１２３…バンドパスフィルタ（Ｂ
ＰＦ）、１２４…識別再生回路、１３０，２３０…ポイ
ンタ処理回路（ＳＡ）、１３１…ＰＬＬ回路、１３２…
同期化処理回路、３３０，３４０…位相変動吸収用メモ
リ、３８０，３９０…光送信部（ＯＳ）、３８１…光送
信器、３８２…光変調器、４００…タイミング信号生成
部（ＴＳＧ）、４１０…セレクタ、４２０…ＰＬＬ回
路、４２１…位相比較器、４２２…ループフィルタ、４
２３…電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ）、４２４…分周
回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｊ 3/06 Ａ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 それぞれ、送信用伝送信号群をフレーム
   多重したのち送信用光伝送信号に変換して送出すると共
   にこの送信用光伝送信号と同じフォーマットの受信用光
   伝送信号を前記送信用伝送信号群と同じフォーマットの
   受信用伝送信号群にフレーム分離して出力する機能を有
   した複数のフレーム多重／分離装置と、 複数の前記送信用光伝送信号を同期させた後に時分割多
   重して送信用ビット多重信号を生成すると共にこの送信
   用ビット多重信号と同じフォーマットの受信用ビット多
   重信号を前記送信用光伝送信号と同じフォーマットの複
   数の前記受信用光伝送信号に時分割分離し、それぞれ前
   記フレーム多重／分離装置に送出する機能を有したビッ
   ト多重／分離装置とを備えた光伝送装置において、 前記ビット多重／分離装置は、 前記各フレーム多重／分離装置が前記送信用光伝送信号
   を送出するために必要な同期クロックを生成するための
   同期クロック生成手段と、 この同期クロック生成手段により生成された同期クロッ
   クを前記各フレーム多重／分離装置へそれぞれ転送する
   ための同期クロック転送手段とを備え、 かつ前記各フレーム多重／分離装置の各々は、 前記ビット多重／分離装置から転送された同期クロック
   を検出するための同期クロック検出手段と、 前記送信用伝送信号群を、自己のフレーム多重／分離装
   置ごとの個別クロックに同期して読み込んだのち前記同
   期クロック検出手段により検出された同期クロックに同
   期して読み出すための同期化処理手段と、 この同期化処理手段から読み出された送信用伝送信号群
   を前記同期クロックに同期してフレーム多重したのち送
   信用光伝送信号に変換して前記ビット多重／分離装置へ
   送出するためのフレーム多重送信手段とを備えたことを
   特徴とする光伝送装置。
2. 【請求項２】 前記同期クロック転送手段は、同期クロ
   ック生成手段により生成された同期クロックを前記受信
   用光伝送信号に重畳して転送し、かつ前記同期クロック
   検出手段は、前記ビット多重／分離装置から送られた受
   信用光伝送信号中から前記同期クロックを抽出すること
   を特徴とする請求項１に記載の光伝送装置。
3. 【請求項３】 前記同期クロック転送手段は、同期クロ
   ック生成手段により生成された同期クロックを当該クロ
   ックにより前記受信用光伝送信号を振幅変調することに
   より転送することを特徴とする請求項２に記載の光伝送
   装置。
4. 【請求項４】 前記同期クロック生成手段は、現用基準
   クロックおよび予備用基準クロックを択一的に選択し、
   この選択した基準クロックを基に所定の時間応答特性を
   有する第１のＰＬＬ回路を用いて同期クロックを生成
   し、かつ前記同期クロック検出手段は、前記ビット多重
   ／分離装置から転送された同期クロックを基に前記第１
   のＰＬＬ回路の時間応答特性よりも高速度の時間応答特
   性を有する第２のＰＬＬ回路を用いて同期クロックを検
   出し、前記同期化処理手段およびフレーム多重送信手段
   に供給することを特徴とする請求項１に記載の光伝送装
   置。