JPH08205273A - 骨伝導音声振動検出素子および骨伝導音声振動検出装置 - Google Patents
骨伝導音声振動検出素子および骨伝導音声振動検出装置Info
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- JPH08205273A JPH08205273A JP876695A JP876695A JPH08205273A JP H08205273 A JPH08205273 A JP H08205273A JP 876695 A JP876695 A JP 876695A JP 876695 A JP876695 A JP 876695A JP H08205273 A JPH08205273 A JP H08205273A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 骨伝導による音声振動を検出するイヤホンマ
イクにおいて、その検出素子を小型化し、検出感度の高
い装置をうることを目的とする。 【構成】 バルクの部材を接着により構成した従来の素
子と異なり、保持基板は半導体、圧電素子はZnOまた
はPZTなどの圧電材料の薄膜、梁は酸化シリコンまた
は窒化シリコンなどの絶縁薄膜、重りは半導体基板材料
または金属をメッキもしくは融解して形成し、素子全体
の寸法を小さくした。また、従来は1つの装置は1個の
検出素子で構成されていたが、2個以上の検出素子を保
持し、接続した。
イクにおいて、その検出素子を小型化し、検出感度の高
い装置をうることを目的とする。 【構成】 バルクの部材を接着により構成した従来の素
子と異なり、保持基板は半導体、圧電素子はZnOまた
はPZTなどの圧電材料の薄膜、梁は酸化シリコンまた
は窒化シリコンなどの絶縁薄膜、重りは半導体基板材料
または金属をメッキもしくは融解して形成し、素子全体
の寸法を小さくした。また、従来は1つの装置は1個の
検出素子で構成されていたが、2個以上の検出素子を保
持し、接続した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は骨伝導イヤホンマイク
(イヤマイク)に用いられる、骨伝導より外耳部分に伝
達される音声振動を検出する素子に関する。
(イヤマイク)に用いられる、骨伝導より外耳部分に伝
達される音声振動を検出する素子に関する。
【0002】
【従来の技術】図19に従来の骨伝導イヤホンマイクの
構造を示す。これは特開昭58−88996号公報、発
明の名称「骨導マイクロホン」として記載されている骨
伝導イヤホンマイクであり、音声振動の加速度を検出す
る方式の素子を示す。この公報に記載されている実施例
では、振動検出部分はセラミックの圧電素子108の板
材で形成され、該圧電素子108には重り111が付加
され、保持部材106に片持ち支持されている。音声振
動が加わり、セラミック圧電素子108の板材が上下に
変形すると電圧が誘起されるが、その電圧を出力端子1
09、110を通じて、後端114の増幅器で増幅する
ことにより、加わった振動の加速度を計測する。
構造を示す。これは特開昭58−88996号公報、発
明の名称「骨導マイクロホン」として記載されている骨
伝導イヤホンマイクであり、音声振動の加速度を検出す
る方式の素子を示す。この公報に記載されている実施例
では、振動検出部分はセラミックの圧電素子108の板
材で形成され、該圧電素子108には重り111が付加
され、保持部材106に片持ち支持されている。音声振
動が加わり、セラミック圧電素子108の板材が上下に
変形すると電圧が誘起されるが、その電圧を出力端子1
09、110を通じて、後端114の増幅器で増幅する
ことにより、加わった振動の加速度を計測する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような構成を有す
る音声検出装置は、人の可聴音を検出するのが目的であ
るため、検出周波数は可聴音の周波数をカバーすればよ
いのであるが、再生音の明瞭度を考慮すると5KHzま
での周波数を検出することが必要である。図19に示す
ように、加速度を検出する方式の素子では、その共振周
波数は検出する最高の周波数にする必要がある。そこで
共振周波数を5KHzとして実際に設計を行なうと、梁
の厚さが200μm、重りの重さが2〜3mgとすると
梁の長さは5〜6mm程度になり、保持部を加えると1
0mm近くにもなる。このため、かかる梁を含めた装置
全体の長さは10mm以上を要することとなり、人の耳
に装着するうえでは不適当な寸法となってしまう。一
方、板厚を薄くすると共振周波数を同じにしたまま長さ
を短くできるが、200μm未満の板厚の材料はハンド
リングおよびアセンブリをするうえで破壊しやすいため
使いにくい。
る音声検出装置は、人の可聴音を検出するのが目的であ
るため、検出周波数は可聴音の周波数をカバーすればよ
いのであるが、再生音の明瞭度を考慮すると5KHzま
での周波数を検出することが必要である。図19に示す
ように、加速度を検出する方式の素子では、その共振周
波数は検出する最高の周波数にする必要がある。そこで
共振周波数を5KHzとして実際に設計を行なうと、梁
の厚さが200μm、重りの重さが2〜3mgとすると
梁の長さは5〜6mm程度になり、保持部を加えると1
0mm近くにもなる。このため、かかる梁を含めた装置
全体の長さは10mm以上を要することとなり、人の耳
に装着するうえでは不適当な寸法となってしまう。一
方、板厚を薄くすると共振周波数を同じにしたまま長さ
を短くできるが、200μm未満の板厚の材料はハンド
リングおよびアセンブリをするうえで破壊しやすいため
使いにくい。
【0004】検出素子の長さが保持部を含めて10mm
ということは、つぎのような問題を生じる。第1の問題
は、ケーシング(従来例では耳栓と称す)内に納めるこ
とのできる素子の数はせいぜい1個であるため、検出感
度に限界があるということである。耳の外耳道の直径は
数ミリなので、外側のケーシングの厚さを控除すると、
実際に素子を保持できるケーシング内部の直径はたかだ
か2〜3mm程度であり、当然素子の幅はそれ以下であ
る必要がある。従来の素子では、バルク材料の加工技術
およびアセンブリのである寸法の限界から考えると、梁
の幅は1mm程度になり、このためケーシング内に納め
ることのできる素子の数は1個が限界であった。感度を
上げるためには、素子を多数個形成して直列接続するこ
とが効果的であるが、前記理由により、従来の素子では
実質的に不可能であった。
ということは、つぎのような問題を生じる。第1の問題
は、ケーシング(従来例では耳栓と称す)内に納めるこ
とのできる素子の数はせいぜい1個であるため、検出感
度に限界があるということである。耳の外耳道の直径は
数ミリなので、外側のケーシングの厚さを控除すると、
実際に素子を保持できるケーシング内部の直径はたかだ
か2〜3mm程度であり、当然素子の幅はそれ以下であ
る必要がある。従来の素子では、バルク材料の加工技術
およびアセンブリのである寸法の限界から考えると、梁
の幅は1mm程度になり、このためケーシング内に納め
ることのできる素子の数は1個が限界であった。感度を
上げるためには、素子を多数個形成して直列接続するこ
とが効果的であるが、前記理由により、従来の素子では
実質的に不可能であった。
【0005】第2の問題は従来の素子は細長いため、素
子の長手方向が耳栓軸に対して並行になるような位置に
しか素子を保持できないため、耳栓軸に垂直な方向の振
動しか検出することしかできず、検出感度が小さくなる
ことである。骨伝導による外耳道の振動は、耳栓軸に垂
直な方向の振動だけではないため、感度を上げるために
は、できるだけ多数の素子を種々の方向に向けて配置
し、各方向からの振動を検出することが必要である。た
だし、前述のごとくケーシング内部の直径はたかだか2
〜3mm程度であるため、任意の方向に素子を保持する
ためには素子の最大寸法を2mm以下にすることが必要
である。
子の長手方向が耳栓軸に対して並行になるような位置に
しか素子を保持できないため、耳栓軸に垂直な方向の振
動しか検出することしかできず、検出感度が小さくなる
ことである。骨伝導による外耳道の振動は、耳栓軸に垂
直な方向の振動だけではないため、感度を上げるために
は、できるだけ多数の素子を種々の方向に向けて配置
し、各方向からの振動を検出することが必要である。た
だし、前述のごとくケーシング内部の直径はたかだか2
〜3mm程度であるため、任意の方向に素子を保持する
ためには素子の最大寸法を2mm以下にすることが必要
である。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は前記問題を解決
するためのもので、素子全体の寸法を小さくして、ケー
シング中に複数個の素子を配置し、感度のよい骨伝導音
声振動検出装置をうることを目的とする。
するためのもので、素子全体の寸法を小さくして、ケー
シング中に複数個の素子を配置し、感度のよい骨伝導音
声振動検出装置をうることを目的とする。
【0007】本発明の請求項1にかかわる骨伝導音声振
動検出素子は、基板と、該基板に少なくとも1カ所で接
続された薄膜の梁部と、該梁部の変位または加速度を検
出する素子部を備えたものである。
動検出素子は、基板と、該基板に少なくとも1カ所で接
続された薄膜の梁部と、該梁部の変位または加速度を検
出する素子部を備えたものである。
【0008】本発明の請求項2にかかわる骨伝導音声振
動検出素子は、請求項1記載の発明において、基板をS
iの単結晶材料で形成したものである。
動検出素子は、請求項1記載の発明において、基板をS
iの単結晶材料で形成したものである。
【0009】本発明の請求項3にかかわる骨伝導音声振
動検出素子は、請求項1記載の発明において、梁部上の
少なくとも1カ所に重りを設けたものである。
動検出素子は、請求項1記載の発明において、梁部上の
少なくとも1カ所に重りを設けたものである。
【0010】本発明の請求項3にかかわる骨伝導音声振
動検出素子は、請求項1記載の発明において、梁部の変
位または加速度を検出する素子を金属または半導体の薄
膜で形成したものである。
動検出素子は、請求項1記載の発明において、梁部の変
位または加速度を検出する素子を金属または半導体の薄
膜で形成したものである。
【0011】本発明の請求項5にかかわる骨伝導音声振
動検出素子は、請求項1記載の発明において、梁部の変
位または加速度を検出する素子部を圧電体膜で形成した
ものである。
動検出素子は、請求項1記載の発明において、梁部の変
位または加速度を検出する素子部を圧電体膜で形成した
ものである。
【0012】本発明の請求項6にかかわる骨伝導音声振
動検出素子は、請求項3記載の発明において、重りを基
板と同じ材料で形成したものである。
動検出素子は、請求項3記載の発明において、重りを基
板と同じ材料で形成したものである。
【0013】本発明の請求項7にかかわる骨伝導音声振
動検出素子は、請求項3記載の発明において、重りを、
金属を電解メッキまたは無電解メッキすることにより形
成したものである。
動検出素子は、請求項3記載の発明において、重りを、
金属を電解メッキまたは無電解メッキすることにより形
成したものである。
【0014】本発明の請求項8にかかわる骨伝導音声振
動検出素子は、請求項3記載の発明において、重りを金
属を加熱溶融し形成したものである。
動検出素子は、請求項3記載の発明において、重りを金
属を加熱溶融し形成したものである。
【0015】本発明の請求項9にかかわる骨伝導音声振
動検出装置は、請求項1、2、3、4、5、6、7また
は8記載の骨伝導音声振動検出素子を2個以上備えたも
のである。
動検出装置は、請求項1、2、3、4、5、6、7また
は8記載の骨伝導音声振動検出素子を2個以上備えたも
のである。
【0016】本発明の請求項10にかかわる骨伝導音声
振動検出装置は、請求項9記載の発明において、梁部の
振動方向を互いにおおむね90度の角度をなすように、
素子を配置したものである。
振動検出装置は、請求項9記載の発明において、梁部の
振動方向を互いにおおむね90度の角度をなすように、
素子を配置したものである。
【0017】
【作用】請求項1に記載の発明による骨伝導音声振動検
出素子は、基板と、梁部とを薄膜で形成したことによ
り、素子全体の寸法を非常に小さくできる。
出素子は、基板と、梁部とを薄膜で形成したことによ
り、素子全体の寸法を非常に小さくできる。
【0018】また、請求項2記載の発明による骨伝導音
声振動検出素子は、請求項1に加えて、基板をSiの単
結晶材料で形成したので、その作製が容易で、素子全体
の寸法を非常に小さくできる。
声振動検出素子は、請求項1に加えて、基板をSiの単
結晶材料で形成したので、その作製が容易で、素子全体
の寸法を非常に小さくできる。
【0019】また、請求項3記載の発明による骨伝導音
声振動検出素子は、請求項1に加えて、梁部上に重りを
形成したことにより、素子全体の寸法を非常に小さくで
きる。
声振動検出素子は、請求項1に加えて、梁部上に重りを
形成したことにより、素子全体の寸法を非常に小さくで
きる。
【0020】また、請求項4記載の発明による骨伝導音
声振動検出素子は、請求項1に加えて、梁部の変位また
は加速度を検出する素子部を金属または半導体の薄膜で
形成したので、素子全体の寸法を非常に小さくできる。
声振動検出素子は、請求項1に加えて、梁部の変位また
は加速度を検出する素子部を金属または半導体の薄膜で
形成したので、素子全体の寸法を非常に小さくできる。
【0021】また、請求項5記載の発明による骨伝導音
声振動検出素子は、請求項1に加えて、梁部の変位また
は加速度を検出する素子部を圧電体膜で形成したので、
素子全体の寸法を非常に小さくできる。
声振動検出素子は、請求項1に加えて、梁部の変位また
は加速度を検出する素子部を圧電体膜で形成したので、
素子全体の寸法を非常に小さくできる。
【0022】また、請求項6記載の発明による骨伝導音
声振動検出素子は、請求項1に加えて、重りを基板と同
じ材料で形成したので、重りの形成が容易であり、素子
全体の寸法を非常に小さくできる。
声振動検出素子は、請求項1に加えて、重りを基板と同
じ材料で形成したので、重りの形成が容易であり、素子
全体の寸法を非常に小さくできる。
【0023】また、請求項7記載の発明による骨伝導音
声振動検出素子は、請求項1に加えて、重りを、金属を
電解メッキまたは無電解メッキすることにより形成した
ので、重りの形成が容易であり、素子全体の寸法を非常
に小さくできる。
声振動検出素子は、請求項1に加えて、重りを、金属を
電解メッキまたは無電解メッキすることにより形成した
ので、重りの形成が容易であり、素子全体の寸法を非常
に小さくできる。
【0024】また、請求項8記載の発明による骨伝導音
声振動検出素子は、請求項1に加えて、重りを金属の加
熱溶融で形成したので、重りの形成が容易であり、素子
全体の寸法を非常に小さくできる。
声振動検出素子は、請求項1に加えて、重りを金属の加
熱溶融で形成したので、重りの形成が容易であり、素子
全体の寸法を非常に小さくできる。
【0025】また、請求項9記載の発明による骨伝導音
声振動検出装置は、請求項1、2、3、4、5、6、7
または8記載の骨伝導音声振動検出素子を2個以上備え
たので、感度を大きくできる。
声振動検出装置は、請求項1、2、3、4、5、6、7
または8記載の骨伝導音声振動検出素子を2個以上備え
たので、感度を大きくできる。
【0026】また、請求項10記載の発明による骨伝導
音声振動検出装置は、請求項9に加えて、梁部の振動方
向を、互いにおおむね90度の角度をなすように骨伝導
音声振動検出素子を配置したので、感度を大きくでき
る。
音声振動検出装置は、請求項9に加えて、梁部の振動方
向を、互いにおおむね90度の角度をなすように骨伝導
音声振動検出素子を配置したので、感度を大きくでき
る。
【0027】
[実施例1]図1は、本発明の実施例1による骨伝導音
声振動検出素子を示す平面図と断面図である。9は絶縁
体、半導体、導体のいずれかの材料からなる基板、1
1、12、13は絶縁性材料からなる絶縁膜、17は圧
電体膜からなる梁の変位または加速度を検出する素子
部、19は導電性材料からなる上部電極、18は導電性
材料からなる下部電極である。12、13、19、1
7、18で片持ちの梁部100を構成している。梁部1
00が振動すると圧電体膜17に歪みが生じ、上部電極
19と下部電極18とのあいだに電圧が生じる。この電
圧を検出することにより梁部100の振動または加速度
を検出する。
声振動検出素子を示す平面図と断面図である。9は絶縁
体、半導体、導体のいずれかの材料からなる基板、1
1、12、13は絶縁性材料からなる絶縁膜、17は圧
電体膜からなる梁の変位または加速度を検出する素子
部、19は導電性材料からなる上部電極、18は導電性
材料からなる下部電極である。12、13、19、1
7、18で片持ちの梁部100を構成している。梁部1
00が振動すると圧電体膜17に歪みが生じ、上部電極
19と下部電極18とのあいだに電圧が生じる。この電
圧を検出することにより梁部100の振動または加速度
を検出する。
【0028】本実施例では、基板の寸法をa=3mm、
b=0.5mm、c=0.4mmとし、梁部100の厚
さ5μmとした。梁の共振周波数は約5KHzであり、
従来の素子に比較して全体の寸法は非常に小さくでき
る。
b=0.5mm、c=0.4mmとし、梁部100の厚
さ5μmとした。梁の共振周波数は約5KHzであり、
従来の素子に比較して全体の寸法は非常に小さくでき
る。
【0029】以下、このような構成の骨伝導音声振動検
出素子の製法について述べる。図2は実施例1にかかわ
る骨伝導音声振動検出素子の製法を工程順に示す断面図
である。図2において(a)では厚さ400μmのセラ
ミック基板(たとえばアルミナなど)あるいは半導体基
板の表面に、窒化シリコン、酸化シリコン、Ta2O5な
どの絶縁膜11をスパッタなどで約1μm成膜し、その
上に多結晶シリコンなどからなる犠牲層120を数μm
成膜し、その上に絶縁膜12を0.2μm程度成膜す
る。(b)では白金などの材料からなる下部電極18を
約0.3μm成膜し、そののちZnO(酸化亜鉛)、P
bTiO3(チタン酸鉛)、PZT(チタン酸ジルコン
酸鉛)などの圧電体膜17を3〜4μm、白金などの材
料からなる上部電極19を約0.3μm、それぞれ成膜
しパターニングし、さらに絶縁膜13を約1μm成膜す
る。(c)KOH(水酸化カリウム溶液)、TMAH
(テトラメチル・アンモニウム・ヒドロキサイド)など
のアルカリ溶液で犠牲層120をエッチングして梁部1
00を形成する。そののち図示していないが、ダイシン
グなどで素子を切断し1個ずつ切り離す。
出素子の製法について述べる。図2は実施例1にかかわ
る骨伝導音声振動検出素子の製法を工程順に示す断面図
である。図2において(a)では厚さ400μmのセラ
ミック基板(たとえばアルミナなど)あるいは半導体基
板の表面に、窒化シリコン、酸化シリコン、Ta2O5な
どの絶縁膜11をスパッタなどで約1μm成膜し、その
上に多結晶シリコンなどからなる犠牲層120を数μm
成膜し、その上に絶縁膜12を0.2μm程度成膜す
る。(b)では白金などの材料からなる下部電極18を
約0.3μm成膜し、そののちZnO(酸化亜鉛)、P
bTiO3(チタン酸鉛)、PZT(チタン酸ジルコン
酸鉛)などの圧電体膜17を3〜4μm、白金などの材
料からなる上部電極19を約0.3μm、それぞれ成膜
しパターニングし、さらに絶縁膜13を約1μm成膜す
る。(c)KOH(水酸化カリウム溶液)、TMAH
(テトラメチル・アンモニウム・ヒドロキサイド)など
のアルカリ溶液で犠牲層120をエッチングして梁部1
00を形成する。そののち図示していないが、ダイシン
グなどで素子を切断し1個ずつ切り離す。
【0030】なお、基板9にSi半導体基板を使用した
ばあいは、基板表面に不純物をドープさせ、または、表
面を酸化させることにより、絶縁膜を11を形成しても
よい。また、120の犠牲層は多結晶シリコンに限ら
ず、エッチングの際に絶縁膜11、12、13に比べて
エッチングレートが充分高い材料であればよい。
ばあいは、基板表面に不純物をドープさせ、または、表
面を酸化させることにより、絶縁膜を11を形成しても
よい。また、120の犠牲層は多結晶シリコンに限ら
ず、エッチングの際に絶縁膜11、12、13に比べて
エッチングレートが充分高い材料であればよい。
【0031】[実施例2]図3は、本発明の実施例2に
よる骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図であ
る。本実施例は梁部の変位または加速度を検出する素子
部に、金属または半導体の薄膜で形成した歪みゲージを
用いたことが特徴である。9は絶縁体、半導体、導体の
いずれかの材料からなる基板、11、12、13は絶縁
性材料からなる絶縁膜、31は金属または半導体の薄膜
からなる歪みゲージ、30は導電性材料からなる電極で
ある。12、13、31、30の一部で片持ちの梁部1
00を構成している。梁部100が振動すると歪みゲー
ジ31に歪みが生じ、抵抗値が変化する。電極にブリッ
ジ回路などを接続し、抵抗値の変化を検出することによ
り梁部100の振動または加速度を検出する。
よる骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図であ
る。本実施例は梁部の変位または加速度を検出する素子
部に、金属または半導体の薄膜で形成した歪みゲージを
用いたことが特徴である。9は絶縁体、半導体、導体の
いずれかの材料からなる基板、11、12、13は絶縁
性材料からなる絶縁膜、31は金属または半導体の薄膜
からなる歪みゲージ、30は導電性材料からなる電極で
ある。12、13、31、30の一部で片持ちの梁部1
00を構成している。梁部100が振動すると歪みゲー
ジ31に歪みが生じ、抵抗値が変化する。電極にブリッ
ジ回路などを接続し、抵抗値の変化を検出することによ
り梁部100の振動または加速度を検出する。
【0032】本実施例では、実施例1と同様に、基板の
寸法a=3mm、b=0.5mm、c=0.4mmと
し、梁部100の厚さ5μmとした。梁の共振周波数は
約5KHzであり、従来の素子に比較して全体の寸法は
非常に小さくできる。
寸法a=3mm、b=0.5mm、c=0.4mmと
し、梁部100の厚さ5μmとした。梁の共振周波数は
約5KHzであり、従来の素子に比較して全体の寸法は
非常に小さくできる。
【0033】[実施例3]図4は、本発明の実施例3に
よる骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図であ
る。本実施例は梁部の変位または加速度を検出する素子
部に、金属の薄膜でコンデンサを形成したことが特徴で
ある。9は絶縁体、半導体、導体のいずれかの材料から
なる基板、11、12は絶縁性材料からなる絶縁膜、3
0は導電性材料からなる電極である。12と30の一部
で片持ちの梁部100を構成している。梁部100が振
動すると、上下の電極間の距離が変化する。電極30に
適当な回路を接続し、電極間の静電容量を変化を検出す
ることにより梁部100の振動または加速度を検出す
る。
よる骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図であ
る。本実施例は梁部の変位または加速度を検出する素子
部に、金属の薄膜でコンデンサを形成したことが特徴で
ある。9は絶縁体、半導体、導体のいずれかの材料から
なる基板、11、12は絶縁性材料からなる絶縁膜、3
0は導電性材料からなる電極である。12と30の一部
で片持ちの梁部100を構成している。梁部100が振
動すると、上下の電極間の距離が変化する。電極30に
適当な回路を接続し、電極間の静電容量を変化を検出す
ることにより梁部100の振動または加速度を検出す
る。
【0034】本実施例では、実施例1、2と同様に基板
の寸法をa=3mm、b=0.5mm、c=0.4mm
とし、梁部100の厚さ5μmとした。梁の共振周波数
は約5KHzであり、従来の素子に比較して全体の寸法
は非常に小さくできる。
の寸法をa=3mm、b=0.5mm、c=0.4mm
とし、梁部100の厚さ5μmとした。梁の共振周波数
は約5KHzであり、従来の素子に比較して全体の寸法
は非常に小さくできる。
【0035】[実施例4]図5は、本発明の実施例4に
かかわる骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図
である。本実施例は基板にSiの単結晶材料を用いたこ
とが特徴である。10はSi単結晶からなる半導体基
板、11、12、13は絶縁性材料からなる絶縁膜、1
7は圧電体膜からなる、梁の変位または加速度を検出す
る素子部、19は導電性材料からなる上部電極、18は
導電性材料からなる下部電極である。11、13、1
7、18、19で片持ちの梁部100を構成している。
梁部100が振動すると圧電体膜17に歪みが生じ、上
部電極19と下部電極18間に電圧が生じる。この電圧
を検出することにより梁部100の振動または加速度を
検出する。
かかわる骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図
である。本実施例は基板にSiの単結晶材料を用いたこ
とが特徴である。10はSi単結晶からなる半導体基
板、11、12、13は絶縁性材料からなる絶縁膜、1
7は圧電体膜からなる、梁の変位または加速度を検出す
る素子部、19は導電性材料からなる上部電極、18は
導電性材料からなる下部電極である。11、13、1
7、18、19で片持ちの梁部100を構成している。
梁部100が振動すると圧電体膜17に歪みが生じ、上
部電極19と下部電極18間に電圧が生じる。この電圧
を検出することにより梁部100の振動または加速度を
検出する。
【0036】本実施例では、実施例1、2、3と同様に
基板の寸法をa=3mm、b=0.5mm、c=0.4
mmとし、梁部100の厚さを5μmとした。梁の共振
周波数は約5KHzであり、従来の素子に比較して全体
の寸法は非常に小さくできる。
基板の寸法をa=3mm、b=0.5mm、c=0.4
mmとし、梁部100の厚さを5μmとした。梁の共振
周波数は約5KHzであり、従来の素子に比較して全体
の寸法は非常に小さくできる。
【0037】図6は実施例4にかかわる骨伝導音声振動
検出素子の製法を工程順に示す断面図である。図6にお
いて、(a)では厚さ400μmのSi単結晶からなる
半導体基板10の表面および裏面に、窒化シリコン、酸
化シリコン、Ta2O5などの絶縁膜11、12をスパッ
タなどで約1μm成膜する。(b)では白金などの材料
からなる下部電極18を約0.3μm成膜し、そののち
ZnO(酸化亜鉛)、PbTiO3(チタン酸鉛)、P
ZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などの圧電体膜17を3
〜4μm、その上に白金などの材料からなる上部電極1
9を約0.3μm、それぞれ成膜し、パターニングし、
さらに絶縁膜13を約1μm成膜する。(c)ではイオ
ンビームエッチングなどの方法でSi表面に達するエッ
チングホール20を形成する。ついで、KOH(水酸化
カリウム溶液)、TMAH(テトラメチル・アンモニウ
ム・ヒドロキサイド)などのアルカリ溶液で異方性エッ
チングし、梁部100を形成する。そののち図示してい
ないが、ダイシングなどで素子を切断して1個ずつ切り
離す。
検出素子の製法を工程順に示す断面図である。図6にお
いて、(a)では厚さ400μmのSi単結晶からなる
半導体基板10の表面および裏面に、窒化シリコン、酸
化シリコン、Ta2O5などの絶縁膜11、12をスパッ
タなどで約1μm成膜する。(b)では白金などの材料
からなる下部電極18を約0.3μm成膜し、そののち
ZnO(酸化亜鉛)、PbTiO3(チタン酸鉛)、P
ZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などの圧電体膜17を3
〜4μm、その上に白金などの材料からなる上部電極1
9を約0.3μm、それぞれ成膜し、パターニングし、
さらに絶縁膜13を約1μm成膜する。(c)ではイオ
ンビームエッチングなどの方法でSi表面に達するエッ
チングホール20を形成する。ついで、KOH(水酸化
カリウム溶液)、TMAH(テトラメチル・アンモニウ
ム・ヒドロキサイド)などのアルカリ溶液で異方性エッ
チングし、梁部100を形成する。そののち図示してい
ないが、ダイシングなどで素子を切断して1個ずつ切り
離す。
【0038】なお、基板9の表面に絶縁膜11をスパッ
タなどで成膜するかわりに、半導体基板10の表面に不
純物をドープしたり、表面を酸化させることにより、絶
縁膜11を形成してもよい。
タなどで成膜するかわりに、半導体基板10の表面に不
純物をドープしたり、表面を酸化させることにより、絶
縁膜11を形成してもよい。
【0039】[実施例5]図7は、本発明の実施例5に
よる骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図であ
る。本実施例は、梁部上に重りを形成したことを特徴と
する。また、重りの材料は基板と同じ材料である。
よる骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図であ
る。本実施例は、梁部上に重りを形成したことを特徴と
する。また、重りの材料は基板と同じ材料である。
【0040】10はSi単結晶からなる半導体基板、1
1、12、13は絶縁性材料からなる絶縁膜、17は梁
の変位または加速度を検出する圧電体膜、19は導電性
材料からなる上部電極、18は導電性材料からなる下部
電極、21は重り、20はエッチングホールである。1
1、13、17、18、19で片持ちの梁部100を構
成している。梁100が振動すると圧電体膜17に歪み
が生じ、上部電極19と下部電極18間に電圧が生じ
る。この電圧を検出することにより梁100の振動また
は加速度を検出する。本実施例では、共振周波数が5K
Hzとなるように設計製作を行った。梁部100の厚さ
は約5μm、重り部の質量は約0.0025mgである
が、寸法はa=1.1mm、b=0.7mmである。重
りを設けることにより梁の長さを短くでき、素子の小型
化に有利である。また、半導体基板をエッチングするこ
とにより重りを形成するため、重りを容易に精度よく形
成できる。
1、12、13は絶縁性材料からなる絶縁膜、17は梁
の変位または加速度を検出する圧電体膜、19は導電性
材料からなる上部電極、18は導電性材料からなる下部
電極、21は重り、20はエッチングホールである。1
1、13、17、18、19で片持ちの梁部100を構
成している。梁100が振動すると圧電体膜17に歪み
が生じ、上部電極19と下部電極18間に電圧が生じ
る。この電圧を検出することにより梁100の振動また
は加速度を検出する。本実施例では、共振周波数が5K
Hzとなるように設計製作を行った。梁部100の厚さ
は約5μm、重り部の質量は約0.0025mgである
が、寸法はa=1.1mm、b=0.7mmである。重
りを設けることにより梁の長さを短くでき、素子の小型
化に有利である。また、半導体基板をエッチングするこ
とにより重りを形成するため、重りを容易に精度よく形
成できる。
【0041】図8は実施例5にかかわる骨伝導音声振動
検出素子の製法を工程順に示す断面図である。図8にお
いて、(a)では厚さ200μm、表面が(100)面
であるSi単結晶からなる半導体基板10の両面に、窒
化シリコン、酸化シリコン、Ta2O5などの絶縁膜1
1、12をスパッタなどで約0.2μm成膜し、その上
に白金などの材料からなる下部電極18を約0.3μm
成膜し、パターニングする。(b)では下部電極18上
にZnO(酸化亜鉛)、PZT(チタン酸ジルコン酸
鉛)などの圧電体膜17を3〜4μm、白金などの材料
からなる上部電極19を約0.3μm、それぞれ成膜
し、パターニングする。すなわち圧電体膜17は上部電
極19と下部電極18で挟まれるようにする。(c)で
は絶縁膜13を約0.2μm成膜する。成膜後、絶縁膜
13をイオンビームエッチングなどにより、一部エッチ
ングし上部電極19と下部電極18の表面を露出させ配
線端子とする。(d)ではイオンビームエッチングなど
により、絶縁膜11、12、13上にエッチングホール
を形成する。(e)ではエッチングホール20より、K
OH(水酸化カリウム溶液)、TMAH(テトラメチル
・アンモニウム・ヒドロキサイド)などのアルカリ溶液
で、半導体基板10を異方性エッチングし、重り21を
形成する。そののち図示していないが、ダイシングなど
で素子を切断し1個ずつ切り離す。
検出素子の製法を工程順に示す断面図である。図8にお
いて、(a)では厚さ200μm、表面が(100)面
であるSi単結晶からなる半導体基板10の両面に、窒
化シリコン、酸化シリコン、Ta2O5などの絶縁膜1
1、12をスパッタなどで約0.2μm成膜し、その上
に白金などの材料からなる下部電極18を約0.3μm
成膜し、パターニングする。(b)では下部電極18上
にZnO(酸化亜鉛)、PZT(チタン酸ジルコン酸
鉛)などの圧電体膜17を3〜4μm、白金などの材料
からなる上部電極19を約0.3μm、それぞれ成膜
し、パターニングする。すなわち圧電体膜17は上部電
極19と下部電極18で挟まれるようにする。(c)で
は絶縁膜13を約0.2μm成膜する。成膜後、絶縁膜
13をイオンビームエッチングなどにより、一部エッチ
ングし上部電極19と下部電極18の表面を露出させ配
線端子とする。(d)ではイオンビームエッチングなど
により、絶縁膜11、12、13上にエッチングホール
を形成する。(e)ではエッチングホール20より、K
OH(水酸化カリウム溶液)、TMAH(テトラメチル
・アンモニウム・ヒドロキサイド)などのアルカリ溶液
で、半導体基板10を異方性エッチングし、重り21を
形成する。そののち図示していないが、ダイシングなど
で素子を切断し1個ずつ切り離す。
【0042】なお、半導体基板表面に不純物をドープし
たり、表面を酸化させることにより、絶縁膜11を形成
してもよい。
たり、表面を酸化させることにより、絶縁膜11を形成
してもよい。
【0043】[実施例6]図9は、本発明の実施例6に
よる骨伝導音声振動検出素子を示す平面図である。本実
施例は薄膜の梁部を基板2カ所で接続したことを特徴と
する。
よる骨伝導音声振動検出素子を示す平面図である。本実
施例は薄膜の梁部を基板2カ所で接続したことを特徴と
する。
【0044】10はSi単結晶の半導体基板、13は絶
縁性材料からなる絶縁膜、19は導電性材料からなる上
部電極、18は導電性材料からなる下部電極、21は重
り、20はエッチングホールである。
縁性材料からなる絶縁膜、19は導電性材料からなる上
部電極、18は導電性材料からなる下部電極、21は重
り、20はエッチングホールである。
【0045】本実施例において、梁部を半導体基板10
に2カ所で接続したが、このように梁部を複数個設け複
数カ所で接続すると、梁部が振動する際、(110)方
向を軸とする梁のねじれ剛性が高くなるため、梁部の強
度が高くなるという利点がある。
に2カ所で接続したが、このように梁部を複数個設け複
数カ所で接続すると、梁部が振動する際、(110)方
向を軸とする梁のねじれ剛性が高くなるため、梁部の強
度が高くなるという利点がある。
【0046】[実施例7]図10は、本発明の実施例7
による骨伝導音声振動検出素子を示す平面図である。本
発明は梁を複数個配置して接続したもので、全体の大き
さをそれほど大きくすることなく感度を上げることがで
きることが特徴である。
による骨伝導音声振動検出素子を示す平面図である。本
発明は梁を複数個配置して接続したもので、全体の大き
さをそれほど大きくすることなく感度を上げることがで
きることが特徴である。
【0047】10はSi単結晶の半導体基板、13は絶
縁性材料からなる絶縁膜、19は導電性材料からなる上
部電極、18は導電性材料からなる下部電極、21は重
り、20はエッチングホールである。梁の変位または加
速度を検出する素子には圧電体膜を用いて、隣り合う上
部電極18と下部電極19が重なるように成膜し、両端
の上部電極18(a)と下部電極19(a)から電圧を
取り出す。これにより、梁部が1つのばあいの約4倍の
出力電圧をうることができる。このような複数の梁を形
成するばあいも図2で示した製法で一括して製造でき
る。
縁性材料からなる絶縁膜、19は導電性材料からなる上
部電極、18は導電性材料からなる下部電極、21は重
り、20はエッチングホールである。梁の変位または加
速度を検出する素子には圧電体膜を用いて、隣り合う上
部電極18と下部電極19が重なるように成膜し、両端
の上部電極18(a)と下部電極19(a)から電圧を
取り出す。これにより、梁部が1つのばあいの約4倍の
出力電圧をうることができる。このような複数の梁を形
成するばあいも図2で示した製法で一括して製造でき
る。
【0048】本実施例ではa、bの寸法はたかだかa=
1.5mm、b=1.6mmであり、従来の骨伝導音声
振動検出素子に比較して非常に小さくできる。また実施
例では、重り21の大きさが4つとも異なり、上から順
に共振周波数が3.5KHz、4.0KHz、5.0K
Hzのモデルとしたが、全て同じ大きさ、すなわち同じ
共振周波数のものでもかまわない。
1.5mm、b=1.6mmであり、従来の骨伝導音声
振動検出素子に比較して非常に小さくできる。また実施
例では、重り21の大きさが4つとも異なり、上から順
に共振周波数が3.5KHz、4.0KHz、5.0K
Hzのモデルとしたが、全て同じ大きさ、すなわち同じ
共振周波数のものでもかまわない。
【0049】[実施例8]図11は、本発明の実施例8
による骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図で
ある。本発明は重りを金属の電解メッキあるいは無電解
メッキにより形成することを特徴とする。
による骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図で
ある。本発明は重りを金属の電解メッキあるいは無電解
メッキにより形成することを特徴とする。
【0050】図において、半導体基板10はSiの単結
晶基板であり、この半導体基板10に、絶縁膜11と1
3と圧電体膜17とからなる梁部100が1カ所で接続
され、片持ち梁を形成している。梁部100の先端の上
部に金属、たとえば銅からなる重り21が設けられてい
る。本実施例では、共振周波数が5KHzとなるように
設計製作を行ったばあい、梁部100の厚さを約5μ
m、重りの質量を約0.0025mgとして、寸法は約
a=0.8mm、b=0.35mm、c=400μmで
あり、実施例5に比較してさらに小さくできる。これ
は、梁部100と半導体基板10の隙間を実施例5より
小さくとれるためである。
晶基板であり、この半導体基板10に、絶縁膜11と1
3と圧電体膜17とからなる梁部100が1カ所で接続
され、片持ち梁を形成している。梁部100の先端の上
部に金属、たとえば銅からなる重り21が設けられてい
る。本実施例では、共振周波数が5KHzとなるように
設計製作を行ったばあい、梁部100の厚さを約5μ
m、重りの質量を約0.0025mgとして、寸法は約
a=0.8mm、b=0.35mm、c=400μmで
あり、実施例5に比較してさらに小さくできる。これ
は、梁部100と半導体基板10の隙間を実施例5より
小さくとれるためである。
【0051】図12は実施例8にかかわる骨伝導音声振
動検出素子の製法を工程順に示す断面図である。図12
において、(a)では厚さ400μm、表面が(10
0)面であるSi単結晶からなる半導体基板10の両面
に、窒化シリコン、酸化シリコン、Ta2O5などの絶
縁膜11、12をスパッタなどで約0.2μm成膜し、
その上に白金などの材料からなる下部電極18を約0.
3μm成膜し、パターニングする。(b)では下部電極
18上にZnO(酸化亜鉛)、PbTiO3(チタン酸
鉛)、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などの圧電体膜
17を3〜4μm、その上に白金などの材料からなる上
部電極19を約0.3μm、それぞれ成膜しパターニン
グする。すなわち圧電体膜17は上部電極19と下部電
極18で挟まれるようにする。(c)では絶縁膜13を
約0.2μm成膜する。成膜ののち、絶縁膜13をイオ
ンビームエッチングなどにより一部をエッチングし、上
部電極19と下部電極18の表面を露出させ、配線端子
とする。また、絶縁膜13上に金属薄膜14を成膜す
る。この金属薄膜14は、工程6のメッキの下地膜とな
る。(d)ではイオンビームエッチングなどにより、絶
縁膜11、12、13上にエッチングホールを開ける。
(e)ではエッチングホール20より、KOH(水酸化
カリウム溶液)、TMAH(テトラメチル・アンモニウ
ム・ヒドロキサイド)などのアルカリ溶液で半導体基板
10を異方性エッチングし、絶縁膜11、13、上部電
極19、下部電極18、圧電体膜17、金属薄膜14か
らなる梁部100を形成する。(f)では、電解メッ
キ、無電解メッキなどの方法で重りを形成する。たとえ
ば銅を電解メッキで形成するばあいは、銅板と素子を硫
酸銅溶液中に浸し、外部電源により銅板をアノード、金
属薄膜14をカソードとなるように電位を加えることに
より、金属薄膜14上に銅が成長し、重り21が形成さ
れていく。重り21の体積は流れた電気量により制御す
る。そののち図示していないが、Si単結晶からなる半
導体基板10をダイシング装置などで切断し、1個ずつ
切り離す。なお工程(e)と(f)は順序が逆になって
もかまわない。すなわち、重り21を先に形成し、その
のち、半導体基板10のエッチングを行ってもかまわな
い。
動検出素子の製法を工程順に示す断面図である。図12
において、(a)では厚さ400μm、表面が(10
0)面であるSi単結晶からなる半導体基板10の両面
に、窒化シリコン、酸化シリコン、Ta2O5などの絶
縁膜11、12をスパッタなどで約0.2μm成膜し、
その上に白金などの材料からなる下部電極18を約0.
3μm成膜し、パターニングする。(b)では下部電極
18上にZnO(酸化亜鉛)、PbTiO3(チタン酸
鉛)、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などの圧電体膜
17を3〜4μm、その上に白金などの材料からなる上
部電極19を約0.3μm、それぞれ成膜しパターニン
グする。すなわち圧電体膜17は上部電極19と下部電
極18で挟まれるようにする。(c)では絶縁膜13を
約0.2μm成膜する。成膜ののち、絶縁膜13をイオ
ンビームエッチングなどにより一部をエッチングし、上
部電極19と下部電極18の表面を露出させ、配線端子
とする。また、絶縁膜13上に金属薄膜14を成膜す
る。この金属薄膜14は、工程6のメッキの下地膜とな
る。(d)ではイオンビームエッチングなどにより、絶
縁膜11、12、13上にエッチングホールを開ける。
(e)ではエッチングホール20より、KOH(水酸化
カリウム溶液)、TMAH(テトラメチル・アンモニウ
ム・ヒドロキサイド)などのアルカリ溶液で半導体基板
10を異方性エッチングし、絶縁膜11、13、上部電
極19、下部電極18、圧電体膜17、金属薄膜14か
らなる梁部100を形成する。(f)では、電解メッ
キ、無電解メッキなどの方法で重りを形成する。たとえ
ば銅を電解メッキで形成するばあいは、銅板と素子を硫
酸銅溶液中に浸し、外部電源により銅板をアノード、金
属薄膜14をカソードとなるように電位を加えることに
より、金属薄膜14上に銅が成長し、重り21が形成さ
れていく。重り21の体積は流れた電気量により制御す
る。そののち図示していないが、Si単結晶からなる半
導体基板10をダイシング装置などで切断し、1個ずつ
切り離す。なお工程(e)と(f)は順序が逆になって
もかまわない。すなわち、重り21を先に形成し、その
のち、半導体基板10のエッチングを行ってもかまわな
い。
【0052】本実施例によれば、重り21を銅のメッキ
により形成するため、半導体基板10の一部をエッチン
グで残す必要がないため、梁部100と半導体基板10
の隙間を小さくできるので、さらに小型化が可能であ
り、有利である。なお、本実施例では重りの金属に銅を
使用したが、ニッケルやクロム、亜鉛、錫、鉛、金、銀
などメッキのできる金属であればよい。また、ニッケ
ル、コバルト、銅、金、銀、錫などの金属の無電解メッ
キ法を使用してもかまわない。
により形成するため、半導体基板10の一部をエッチン
グで残す必要がないため、梁部100と半導体基板10
の隙間を小さくできるので、さらに小型化が可能であ
り、有利である。なお、本実施例では重りの金属に銅を
使用したが、ニッケルやクロム、亜鉛、錫、鉛、金、銀
などメッキのできる金属であればよい。また、ニッケ
ル、コバルト、銅、金、銀、錫などの金属の無電解メッ
キ法を使用してもかまわない。
【0053】[実施例9]実施例9は、重り21をアル
ミ、金、はんだ(鉛錫合金)などの金属を加熱溶融して
形成する製法がその特徴である。本実施例の最終的な形
状は図11と同じであるが、その製法は図12とは異な
る。図13に実施例9にかかわる骨伝導音声振動検出素
子の製法を工程順に示す。(a)では厚さ400μm、
表面が(100)面であるSi単結晶からなる半導体基
板10の両面に、窒化シリコン、酸化シリコン、Ta2
O5などの絶縁膜11、12をスパッタなどで約0.2
μm成膜し、その上に白金などの材料からなる下部電極
18を約0.3μm成膜し、パターニングする。(b)
では下部電極18上にZnO(酸化亜鉛)、PbTiO
3(チタン酸鉛)、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)な
どの圧電体膜17を3〜4μm、その上に白金などの材
料からなる上部電極19を約0.3μm、それぞれ成膜
し、パターニングする。(c)では絶縁膜13を約0.
2μm成膜し、そののち、絶縁膜13をイオンビームエ
ッチングなどにより一部をエッチングし、上部電極19
と下部電極18の表面を露出させ、配線端子とする。ま
た、絶縁膜13上に金属薄膜14を成膜する。本実施例
では重り21にアルミ、金、はんだ(鉛錫合金)などの
金属材料を使用し、金属薄膜14はその下地とするた
め、重り21と同じ材料の薄膜とすることが望ましい。
(d)ではイオンビームエッチングなどにより、絶縁膜
11、12、13上にエッチングホールを開ける。
(e)は、ボンディング装置を用いて、アルミ線または
金線を金属薄膜14上にボンディングする工程である。
ボンディング装置は、超音波と熱の両方をアルミ線また
は金線に加えることができるものを用いる。超音波によ
りアルミ線または金線を金属薄膜14上に固着したの
ち、熱を加えてアルミ線または金線を溶融し、半球に形
成する。(f)では、エッチングホール20より、KO
H(水酸化カリウム溶液)、TMAH(テトラメチル・
アンモニウム・ヒドロキサイド)などのアルカリ溶液で
半導体基板10を異方性エッチングし、梁部100を形
成する。そののち図示していないが、Si単結晶からな
る半導体基板10をダイシング装置などで素子を切断
し、1個ずつ切り離す。
ミ、金、はんだ(鉛錫合金)などの金属を加熱溶融して
形成する製法がその特徴である。本実施例の最終的な形
状は図11と同じであるが、その製法は図12とは異な
る。図13に実施例9にかかわる骨伝導音声振動検出素
子の製法を工程順に示す。(a)では厚さ400μm、
表面が(100)面であるSi単結晶からなる半導体基
板10の両面に、窒化シリコン、酸化シリコン、Ta2
O5などの絶縁膜11、12をスパッタなどで約0.2
μm成膜し、その上に白金などの材料からなる下部電極
18を約0.3μm成膜し、パターニングする。(b)
では下部電極18上にZnO(酸化亜鉛)、PbTiO
3(チタン酸鉛)、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)な
どの圧電体膜17を3〜4μm、その上に白金などの材
料からなる上部電極19を約0.3μm、それぞれ成膜
し、パターニングする。(c)では絶縁膜13を約0.
2μm成膜し、そののち、絶縁膜13をイオンビームエ
ッチングなどにより一部をエッチングし、上部電極19
と下部電極18の表面を露出させ、配線端子とする。ま
た、絶縁膜13上に金属薄膜14を成膜する。本実施例
では重り21にアルミ、金、はんだ(鉛錫合金)などの
金属材料を使用し、金属薄膜14はその下地とするた
め、重り21と同じ材料の薄膜とすることが望ましい。
(d)ではイオンビームエッチングなどにより、絶縁膜
11、12、13上にエッチングホールを開ける。
(e)は、ボンディング装置を用いて、アルミ線または
金線を金属薄膜14上にボンディングする工程である。
ボンディング装置は、超音波と熱の両方をアルミ線また
は金線に加えることができるものを用いる。超音波によ
りアルミ線または金線を金属薄膜14上に固着したの
ち、熱を加えてアルミ線または金線を溶融し、半球に形
成する。(f)では、エッチングホール20より、KO
H(水酸化カリウム溶液)、TMAH(テトラメチル・
アンモニウム・ヒドロキサイド)などのアルカリ溶液で
半導体基板10を異方性エッチングし、梁部100を形
成する。そののち図示していないが、Si単結晶からな
る半導体基板10をダイシング装置などで素子を切断
し、1個ずつ切り離す。
【0054】なお(e)の工程において、ボンディング
装置を用いずに小型のハンダごてを用い、ハンダを直接
溶融して金属薄膜14上に形成してもよい。
装置を用いずに小型のハンダごてを用い、ハンダを直接
溶融して金属薄膜14上に形成してもよい。
【0055】本実施例によれば、金属をボンディング装
置にて固着・溶融、またはハンダを直接溶融させて重り
21を形成するため、実施例8よりもさらに重り形成が
簡単であり、作製時間が短くなる点が有利である。
置にて固着・溶融、またはハンダを直接溶融させて重り
21を形成するため、実施例8よりもさらに重り形成が
簡単であり、作製時間が短くなる点が有利である。
【0056】[実施例10]図14は、本発明の実施例
6による骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図
である。図において、半導体基板10はSiの単結晶基
板であり、この半導体基板10に、絶縁膜11と13と
圧電体膜17とからなる梁部100が1カ所で接続さ
れ、片持ち梁を形成している。梁部100の先端の上部
に金属からなる重り21が設けられている。本図が実施
例4、5と異なる点は、エッチングを表面のみから行う
点である。梁部100の下の空隙33は数μm程度あれ
ば充分であるため、エッチング時間は実施例1の数十分
の1で済み、製作時間は短くなる効果がある。また、重
り21を、半導体基板の一部を残すことで構成するので
はなく、金属で形成するので半導体基板10の厚さはい
くらでもよく、ウエハのハンドリングの障害がない程度
まで薄くできる。たとえば直径3インチの基板ならば2
00μm程度まで薄いものを使用できる。すなわち寸法
cをさらに200μm程度まで小さくできるので、小型
化に有利である。
6による骨伝導音声振動検出素子を示す平面図と断面図
である。図において、半導体基板10はSiの単結晶基
板であり、この半導体基板10に、絶縁膜11と13と
圧電体膜17とからなる梁部100が1カ所で接続さ
れ、片持ち梁を形成している。梁部100の先端の上部
に金属からなる重り21が設けられている。本図が実施
例4、5と異なる点は、エッチングを表面のみから行う
点である。梁部100の下の空隙33は数μm程度あれ
ば充分であるため、エッチング時間は実施例1の数十分
の1で済み、製作時間は短くなる効果がある。また、重
り21を、半導体基板の一部を残すことで構成するので
はなく、金属で形成するので半導体基板10の厚さはい
くらでもよく、ウエハのハンドリングの障害がない程度
まで薄くできる。たとえば直径3インチの基板ならば2
00μm程度まで薄いものを使用できる。すなわち寸法
cをさらに200μm程度まで小さくできるので、小型
化に有利である。
【0057】[実施例11]図15は、本発明の実施例
11による骨伝導音声振動検出素子を示す断面図であ
る。図において、半導体基板10はSiからなる単結晶
基板であり、この半導体基板10に、絶縁膜11と13
と圧電体膜17とからなる梁部100が1カ所で接続さ
れ、片持ち梁を形成している。梁部100の先端の下部
に金属からなる重り21が設けられている。本実施例の
製法を図16に示す。
11による骨伝導音声振動検出素子を示す断面図であ
る。図において、半導体基板10はSiからなる単結晶
基板であり、この半導体基板10に、絶縁膜11と13
と圧電体膜17とからなる梁部100が1カ所で接続さ
れ、片持ち梁を形成している。梁部100の先端の下部
に金属からなる重り21が設けられている。本実施例の
製法を図16に示す。
【0058】図16は図12とほぼ同様の製作手順とな
るが、梁部100の先端の下部に重り21を形成するた
め、金属薄膜14を(b)の時点で形成し、(e)にお
ける半導体基板10のエッチング工程で、梁部表面に露
出するようにする。工程(f)において、梁部100の
先端の下部に金属をメッキ、あるいは融着し、重り21
を形成する。工程(g)は図示していないが、ダイシン
グなどで素子を1個ずつ切り離す。
るが、梁部100の先端の下部に重り21を形成するた
め、金属薄膜14を(b)の時点で形成し、(e)にお
ける半導体基板10のエッチング工程で、梁部表面に露
出するようにする。工程(f)において、梁部100の
先端の下部に金属をメッキ、あるいは融着し、重り21
を形成する。工程(g)は図示していないが、ダイシン
グなどで素子を1個ずつ切り離す。
【0059】本実施例によれば、金属の重り21を梁部
100の下側に形成するため、重りが基板の上に盛り上
がらないので、素子の厚さを薄くすることができ、小型
化に有利である。また、半導体よりも比重の大きい金属
を重りに使用しているので、小さな体積で重りを形成で
き、素子の厚さを薄くすることができる。
100の下側に形成するため、重りが基板の上に盛り上
がらないので、素子の厚さを薄くすることができ、小型
化に有利である。また、半導体よりも比重の大きい金属
を重りに使用しているので、小さな体積で重りを形成で
き、素子の厚さを薄くすることができる。
【0060】[実施例12]図17は、本発明の実施例
12による骨伝導音声振動検出素子を示す断面図であ
る。本実施例は、骨伝導音声振動検出素子を2個以上備
えたことが特徴である。図において、50は骨伝導音声
振動検出素子を保持する保持板、51はケーシング、5
2はアンプ、53は信号線、54は送受話器である。図
のように、たとえば3個の素子を備えたばあい、素子か
らの信号を直列に接続することにより、素子1個のばあ
いの3倍の出力をうることができる。ケーシング51の
内径は2〜3mmであるが、本発明の素子を用いること
により、複数の素子を備えた骨伝導音声検出装置をうる
ことができる。なお、本実施例では素子は梁部の振動方
向をケーシングの軸方向に合わせたが、ケーシングの軸
に垂直の方向でもよく、とくに規定するものではない。
12による骨伝導音声振動検出素子を示す断面図であ
る。本実施例は、骨伝導音声振動検出素子を2個以上備
えたことが特徴である。図において、50は骨伝導音声
振動検出素子を保持する保持板、51はケーシング、5
2はアンプ、53は信号線、54は送受話器である。図
のように、たとえば3個の素子を備えたばあい、素子か
らの信号を直列に接続することにより、素子1個のばあ
いの3倍の出力をうることができる。ケーシング51の
内径は2〜3mmであるが、本発明の素子を用いること
により、複数の素子を備えた骨伝導音声検出装置をうる
ことができる。なお、本実施例では素子は梁部の振動方
向をケーシングの軸方向に合わせたが、ケーシングの軸
に垂直の方向でもよく、とくに規定するものではない。
【0061】もちろん、複数の素子のうちの何個ずつか
を2または3の異なる方向に合わせることも可能であ
る。
を2または3の異なる方向に合わせることも可能であ
る。
【0062】[実施例13]図18、図19は本発明に
よる骨伝導音声振動検出装置を示す斜視図および断面図
である。図18は、本実施例の骨伝導音声振動検出装置
中の素子の構成を示す斜視図である。本実施例では素子
を3個用い、半導体基板を10a、10b、10c、梁
部を13a、13b、13cとし、梁部の振動方向が互
いに90度をなすように、各素子を保持板50に接着し
た。本実施例で使用した素子の大きさは1.5mm角で
あり、保持板50の厚さが0.5mmなので、3個の素
子を図のように構成すると全体の大きさは2mm立方に
おさまった。図19は図18に示した素子を用いた骨伝
導音声振動検出装置を示す断面図である。半導体基板1
0と保持板50からなる素子部は、ケーシング51中に
おさめられている。ケーシング51内部にはアンプ52
が設けられ、素子部からの信号を増幅する。増幅された
信号は、信号線53を通じて送受話器54に送られる仕
組みである。ケーシングの肉厚は0.8mmとしたの
で、ケーシング51の内径2.8mm、外径は4.4m
mである。装置使用の際はケーシングを図示する方向で
外耳道へ挿入する。
よる骨伝導音声振動検出装置を示す斜視図および断面図
である。図18は、本実施例の骨伝導音声振動検出装置
中の素子の構成を示す斜視図である。本実施例では素子
を3個用い、半導体基板を10a、10b、10c、梁
部を13a、13b、13cとし、梁部の振動方向が互
いに90度をなすように、各素子を保持板50に接着し
た。本実施例で使用した素子の大きさは1.5mm角で
あり、保持板50の厚さが0.5mmなので、3個の素
子を図のように構成すると全体の大きさは2mm立方に
おさまった。図19は図18に示した素子を用いた骨伝
導音声振動検出装置を示す断面図である。半導体基板1
0と保持板50からなる素子部は、ケーシング51中に
おさめられている。ケーシング51内部にはアンプ52
が設けられ、素子部からの信号を増幅する。増幅された
信号は、信号線53を通じて送受話器54に送られる仕
組みである。ケーシングの肉厚は0.8mmとしたの
で、ケーシング51の内径2.8mm、外径は4.4m
mである。装置使用の際はケーシングを図示する方向で
外耳道へ挿入する。
【0063】本実施例によれば、梁部の振動方向が互い
に90度をなすように、3つの素子を保持したので、全
方向からの骨伝導音声振動を検出でき、感度が非常によ
くなる。また、それぞれの素子にアンプを設けて、各振
動方向の増幅度を調節することにより、個人の骨伝導音
声特性に合わせた入力信号の加工ができる。また、保持
板50を含めた素子の寸法を2mm立方におさめること
ができるので、ケーシングの外径も数mm以内におさま
り、使用中に不快感を感じることはない。
に90度をなすように、3つの素子を保持したので、全
方向からの骨伝導音声振動を検出でき、感度が非常によ
くなる。また、それぞれの素子にアンプを設けて、各振
動方向の増幅度を調節することにより、個人の骨伝導音
声特性に合わせた入力信号の加工ができる。また、保持
板50を含めた素子の寸法を2mm立方におさめること
ができるので、ケーシングの外径も数mm以内におさま
り、使用中に不快感を感じることはない。
【0064】
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、基板と、該基板に少なくとも1カ所で接続された薄
膜の梁部と、梁部の変位または加速度を検出する素子部
を備えたことにより、全体の寸法が非常に小さい骨伝導
音声振動検出素子をうることができる効果がある。
ば、基板と、該基板に少なくとも1カ所で接続された薄
膜の梁部と、梁部の変位または加速度を検出する素子部
を備えたことにより、全体の寸法が非常に小さい骨伝導
音声振動検出素子をうることができる効果がある。
【0065】また、請求項2の発明によれば、請求項1
記載の発明において、基板をSiからなる単結晶材料に
したことにより、その作製が容易で、全体の寸法も非常
に小さい骨伝導音声振動検出素子をうることができる効
果がある。
記載の発明において、基板をSiからなる単結晶材料に
したことにより、その作製が容易で、全体の寸法も非常
に小さい骨伝導音声振動検出素子をうることができる効
果がある。
【0066】また、請求項3記載の発明によれば、請求
項1記載の発明において、梁部上の少なくとも1カ所に
重りを形成したことにより、全体の寸法が非常に小さい
骨伝導音声振動検出素子をうることができる効果があ
る。
項1記載の発明において、梁部上の少なくとも1カ所に
重りを形成したことにより、全体の寸法が非常に小さい
骨伝導音声振動検出素子をうることができる効果があ
る。
【0067】また、請求項4記載の発明によれば、請求
項1記載の発明において、梁部の変位または加速度を検
出する素子部を金属または半導体の薄膜で形成したこと
により、全体の寸法が非常に小さい骨伝導音声振動検出
素子をうることができる効果がある。
項1記載の発明において、梁部の変位または加速度を検
出する素子部を金属または半導体の薄膜で形成したこと
により、全体の寸法が非常に小さい骨伝導音声振動検出
素子をうることができる効果がある。
【0068】また、請求項5記載の発明によれば、請求
項1記載の発明において、梁部の変位または加速度を検
出する素子部を圧電体膜で形成したことにより、全体の
寸法が非常に小さい骨伝導音声振動検出素子をうること
ができる効果がある。
項1記載の発明において、梁部の変位または加速度を検
出する素子部を圧電体膜で形成したことにより、全体の
寸法が非常に小さい骨伝導音声振動検出素子をうること
ができる効果がある。
【0069】また、請求項6記載の発明によれば、請求
項1記載の発明において、重りを基板と同じ材料で形成
したことにより、その作製が容易で、全体の寸法が非常
に小さい骨伝導音声振動検出素子をうることができる効
果がある。
項1記載の発明において、重りを基板と同じ材料で形成
したことにより、その作製が容易で、全体の寸法が非常
に小さい骨伝導音声振動検出素子をうることができる効
果がある。
【0070】また、請求項7記載の発明によれば、請求
項3記載の発明において、重りを金属を電解メッキある
いは無電解メッキすることにより形成したことにより、
その作製が容易で、全体の寸法が非常に小さい骨伝導音
声振動検出素子をうることができる効果がある。
項3記載の発明において、重りを金属を電解メッキある
いは無電解メッキすることにより形成したことにより、
その作製が容易で、全体の寸法が非常に小さい骨伝導音
声振動検出素子をうることができる効果がある。
【0071】また、請求項8記載の発明によれば、請求
項3記載の発明において、重りを金属の加熱溶融で形成
することにより、作製が容易で、全体の寸法が非常に小
さい骨伝導音声振動検出素子をうることができる効果が
ある。
項3記載の発明において、重りを金属の加熱溶融で形成
することにより、作製が容易で、全体の寸法が非常に小
さい骨伝導音声振動検出素子をうることができる効果が
ある。
【0072】また、請求項9記載の発明によれば、請求
項1から8記載の発明の骨伝導音声検出素子を2個以上
備えたので、感度が高い骨伝導音声振動検出装置をうる
ことができる効果がある。
項1から8記載の発明の骨伝導音声検出素子を2個以上
備えたので、感度が高い骨伝導音声振動検出装置をうる
ことができる効果がある。
【0073】また、請求項10記載の発明によれば、請
求項9記載の発明において、梁部の振動方向が互いにお
おむね90度の角度をなすように骨伝導音声検出素子を
配置したので、感度が高い骨伝導音声振動検出装置をう
ることができる効果がある。
求項9記載の発明において、梁部の振動方向が互いにお
おむね90度の角度をなすように骨伝導音声検出素子を
配置したので、感度が高い骨伝導音声振動検出装置をう
ることができる効果がある。
【図1】 本発明の実施例1による骨伝導音声振動検出
素子を示す平面図とI−I断面図である。
素子を示す平面図とI−I断面図である。
【図2】 実施例1にかかわる骨伝導音声振動検出素子
の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)である。
の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)である。
【図3】 本発明の実施例2による骨伝導音声振動検出
素子を示す平面図とI−I断面図と歪みゲージの概略平
面図である。
素子を示す平面図とI−I断面図と歪みゲージの概略平
面図である。
【図4】 本発明の実施例3による骨伝導音声振動検出
素子を示す平面図とI−I断面図である。
素子を示す平面図とI−I断面図である。
【図5】 本発明の実施例4による骨伝導音声振動検出
素子を示す平面図とI−I断面図である。
素子を示す平面図とI−I断面図である。
【図6】 実施例4にかかわる骨伝導音声振動検出素子
の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)である。
の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)である。
【図7】 本発明の実施例5による骨伝導音声振動検出
素子を示す平面図とI−I断面図である。
素子を示す平面図とI−I断面図である。
【図8】 実施例5にかかわる骨伝導音声振動検出素子
の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)である。
の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)である。
【図9】 本発明の実施例6による骨伝導音声振動検出
素子を示す平面図である。
素子を示す平面図である。
【図10】 本発明の実施例7による骨伝導音声振動検
出素子を示す平面図である。
出素子を示す平面図である。
【図11】 本発明の実施例8による骨伝導音声振動検
出素子を示す平面図とI−I断面図である。
出素子を示す平面図とI−I断面図である。
【図12】 実施例8にかかわる骨伝導音声振動検出素
子の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)である。
子の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)である。
【図13】 実施例9にかかわる骨伝導音声振動検出素
子の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)である。
子の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)である。
【図14】 本発明の実施例10による骨伝導音声振動
検出素子を示す平面図とI−I断面図である。
検出素子を示す平面図とI−I断面図である。
【図15】 本発明の実施例11による骨伝導音声振動
検出素子を示す断面図(I−I断面)である。
検出素子を示す断面図(I−I断面)である。
【図16】 実施例11にかかわる骨伝導音声振動検出
素子の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)であ
る。
素子の製法を工程順に示す断面図(I−I断面)であ
る。
【図17】 本発明の実施例12による骨伝導音声振動
検出素子を示すI−I断面図である。
検出素子を示すI−I断面図である。
【図18】 本発明の実施例13による骨伝導音声振動
検出素子を示す斜視図である。
検出素子を示す斜視図である。
【図19】 本発明の実施例13による骨伝導音声振動
検出素子を用いた骨伝導音声振動検出装置を示す断面図
である。
検出素子を用いた骨伝導音声振動検出装置を示す断面図
である。
【図20】 従来の骨伝導音声振動検出素子を示す断面
図である。
図である。
9 基板、10 半導体基板、11 絶縁体層、12
絶縁体層、13 絶縁体層、14 金属薄膜、17 圧
電体膜、18 下部電極、19 上部電極、20 エッ
チングホール、21 重り、30 電極、31 歪みゲ
ージ、33 空隙、50 保持板、51 ケーシング、
52 アンプ、53 信号線、54 送受話器、100
梁部、106 保持部材、108 セラミック圧電素
子、109 出力端子、110 出力端子、111 重
り、114 増幅器、120 犠牲層。
絶縁体層、13 絶縁体層、14 金属薄膜、17 圧
電体膜、18 下部電極、19 上部電極、20 エッ
チングホール、21 重り、30 電極、31 歪みゲ
ージ、33 空隙、50 保持板、51 ケーシング、
52 アンプ、53 信号線、54 送受話器、100
梁部、106 保持部材、108 セラミック圧電素
子、109 出力端子、110 出力端子、111 重
り、114 増幅器、120 犠牲層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖 由香 鎌倉市大船五丁目1番1号 三菱電機株式 会社パーソナル情報機器開発研究所内 (72)発明者 黒田 英一 鎌倉市大船五丁目1番1号 三菱電機株式 会社パーソナル情報機器開発研究所内
Claims (10)
- 【請求項1】 基板と、該基板に少なくとも1カ所で接
続された薄膜の梁部と、該梁部の変位または加速度を検
出する素子部とからなることを特徴とする骨伝導音声振
動検出素子。 - 【請求項2】 前記基板がSiの単結晶材料からなる請
求項1記載の骨伝導音声振動検出素子。 - 【請求項3】 前記梁部上の少なくとも1カ所に重りを
形成してなる請求項1記載の骨伝導音声振動検出素子。 - 【請求項4】 前記梁部の変位または加速度を検出する
素子部が、金属または半導体の薄膜からなる請求項1記
載の骨伝導音声振動検出素子。 - 【請求項5】 前記梁部の変位または加速度を検出する
素子部が、圧電体膜からなる請求項1記載の骨伝導音声
振動検出素子。 - 【請求項6】 前記重りは前記基板と同じ材料からなる
請求項3記載の骨伝導音声振動検出素子。 - 【請求項7】 前記重りは金属を電解メッキまたは無電
解メッキすることにより形成してなる請求項3記載の骨
伝導音声振動検出素子。 - 【請求項8】 前記重りは前記金属を加熱溶融して形成
してなる請求項3記載の骨伝導音声振動検出素子。 - 【請求項9】 請求項1、2、3、4、5、6、7また
は8記載の骨伝導音声振動検出素子を2個以上備えたこ
とを特徴とする骨伝導音声振動検出装置。 - 【請求項10】 前記梁部の振動方向を互いにおおむね
90度の角度をなすように前記骨伝導音声振動検出素子
を配置した、請求項9記載の骨伝導音声振動検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP876695A JPH08205273A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 骨伝導音声振動検出素子および骨伝導音声振動検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP876695A JPH08205273A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 骨伝導音声振動検出素子および骨伝導音声振動検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08205273A true JPH08205273A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11702039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP876695A Pending JPH08205273A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 骨伝導音声振動検出素子および骨伝導音声振動検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08205273A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001020760A1 (en) * | 1999-09-16 | 2001-03-22 | Ut-Battelle, Llc | Piezoelectric power generator |
| KR20020038197A (ko) * | 2000-11-16 | 2002-05-23 | 박명수 | 압전소자를 이용한 골도 보청기용 진동자 |
| JP2004198421A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-15 | Xerox Corp | 圧電変換器 |
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