JPH08211391A - 配向層に配向性を付与する方法 - Google Patents

配向層に配向性を付与する方法

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JPH08211391A
JPH08211391A JP1946795A JP1946795A JPH08211391A JP H08211391 A JPH08211391 A JP H08211391A JP 1946795 A JP1946795 A JP 1946795A JP 1946795 A JP1946795 A JP 1946795A JP H08211391 A JPH08211391 A JP H08211391A
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JP
Japan
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layer
carbon atoms
antistatic
conductive polymer
group
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Application number
JP1946795A
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English (en)
Inventor
Manabu Ohira
学 大平
Naoko Motohashi
直子 本橋
Yoshiaki Ikenoue
芳章 池ノ上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 液晶表示素子の製造工程において、配向層の
ラビング処理工程で発生する静電気による塵埃の付着、
配向層や電極の損傷等の問題を解消して、製造時の歩留
まりを向上させる。 【構成】 少なくとも、一般式（Ｉ）、（II）、また
は、 (III) 【化１】 で表される化学構造を繰り返し単位として含む共役系導
電性高分子を含有する帯電防止剤を、配向層を設けた基
板表面の一部または全面に塗布して帯電防止層を形成し
た後ラビング処理を行い、処理後に帯電防止層を洗浄除
去することを特徴とする配向層に配向性を付与する方
法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、配向層に配向性を付与
する方法に関し、また液晶表示素子の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子を有する表示装置は、フラ
ットであること、軽量であること、消費電力が低いこと
などの優れた特性を有するため、時計、電卓に始まり、
最近では、液晶テレビ、ワープロ、携帯型パソコン等の
表示装置として幅広く使用されている。さらに、カラー
携帯型パソコンや壁掛けテレビなどへの応用に向けて、
大画面化やフルカラー化のための研究が精力的に行われ
ている。
【０００３】液晶表示素子は、少なくとも一方の基板が
透明である一対の基板のそれぞれの表面に電極が形成さ
れており、更にその表面に配向層を設けた後、それぞれ
の電極及び配向層を有する面同士が対向するようにスペ
ーサーによって所定の間隔を隔てて配置させて、その間
隙に液晶もしくは液晶組成物を封入させた構成を有する
ものであり、更に必要に応じて偏光板、カラーフィルタ
ー、反射板等を有している。
【０００４】このような液晶表示素子の基本原理は、液
晶の持つ巨視的な光学的異方性を外部電圧で制御するこ
とであり、そのため、液晶分子の配向制御は、液晶表示
素子の表示性能を左右する最も重要な要因となる。液晶
分子の配向を制御するため用いられる配向層として、当
初は、ＳｉＯの斜方蒸着膜が用いられていたが、市場の
拡大に伴い、量産性等の点からラビング処理により配向
性を付与した高分子膜が主に用いられるようになった。
【０００５】ラビング処理はポリイミド等の高分子層を
設けた基板表面をレーヨン、ナイロン等のラビング布で
一定方向に擦って配向性を付与する処理であり、高分子
化合物及びラビング布は共に絶縁体であるためラビング
時に静電気が発生する。この静電気が原因となって塵埃
が配向層表面に付着したり、溜った静電気が放電する際
に配向層や電極が損傷を受ける等の問題が起こり易かっ
た。また、駆動方式がアクティブマトリックス方式であ
る液晶表示素子の場合には、ラビング時に発生する静電
気によって、電極面に設けられているトランジスタやダ
イオードが絶縁不良を起こす等の損傷を受けることもあ
った。
【０００６】さらに、最近では、液晶表示素子のコンパ
クト化や製造工程の効率化のために表面に電極を有する
ガラス基板上に駆動用ＬＳＩを併せて設ける駆動回路一
体型の液晶表示素子の開発も行なわれている。この場合
においても、駆動用ＬＳＩを設けた後に高分子層を形成
してラビング処理を行なうので、その際に発生する静電
気がＬＳＩを破壊するという問題が起こり易かった。
【０００７】従って、ラビング時の帯電を防止する方法
について種々検討されている。例えば、特開昭６３−８
９８２２号に見られるように、液晶表示素子基板表面ま
たはラビング材に界面活性剤からなる揮発性または水溶
性の帯電防止剤を塗布または付着させた状態でラビング
する方法が知られている。
【０００８】また、特開昭６１−２７９８２５号では、
表面に電極を形成したガラス素子基板の裏面に陽イオン
界面活性剤を塗布した後、ラビング処理を行い、発生す
る静電気を陽イオン界面活性剤層を通して機械ベッドに
流す方法が示されている。
【０００９】特開平５−２３２４５９号では、酸化亜
鉛、酸化錫等の導電性微粒子を含有し、表面抵抗が１０
9 〜１０13Ω／□である透明電極保護膜を電極と配向層
の間に設けてラビング時に発生する静電気を除去する方
法が示されている。
【００１０】その他に、セグメント電極に導電性テープ
を接着する方法（特開平３−２５９１１７号）、ナイロ
ン、レーヨン等の正帯電材料とポリエチレン、ポリエス
テル等の負帯電材料とで構成されるラビング材でラビン
グ処理する方法（特開平１−２８８８２７号）、絶縁性
繊維が植毛されたラビング布と該ラビング布に制電性繊
維が混合植毛された除電布によって被覆されたラビング
材を用いる方法（特開平３−２３７４３０号）等が開示
されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、ラビン
グ処理の際に発生する静電気は、塵埃を配向層表面に付
着させたり、配向層、電極等を損傷したりする等の問題
を引き起こすため、液晶表示素子製造の歩留まりを低下
させる原因の一つとなっていた。そのため、ラビング時
の帯電を防止する方法について種々検討されてきた。
【００１２】しかしながら、特開昭６３−８９８２２号
や特開昭６１−２７９８２５号に記載の従来技術では、
帯電防止剤として界面活性剤を用いているため、湿度に
よってその効果が変化し、湿度が低い場合には効果を示
さないという問題があった。さらに、液晶表示素子基板
表面やラビング材に界面活性剤を塗布した後ラビング処
理する特開昭６３−８９８２２号に記載の従来技術で
は、界面活性剤からなる塗布膜の機械的強度が弱いた
め、ラビング処理中に剥離し、その効果が失われてしま
うという問題があった。
【００１３】また、特開平５−２３２４５９号に記載の
従来技術では、導電性微粒子を含有する透明電極保護膜
が恒久的に電極と配向層の間に設けられているので、電
極間の絶縁不良を引き起こす可能性があったり、導電性
微粒子によって透過光が散乱される等の問題があった。
【００１４】また、特開平３−２５９１１７号に記載の
従来技術はセグメント電極構成を用いるもの以外の液晶
表示素子に適用することは不可能であり、特開平１−２
８８８２７号及び特開平３−２３７４３０号に記載の特
殊なラビング材を用いる方法は、配向層によっては十分
な配向性を付与できないという問題点があった。
【００１５】本発明の目的は、上記欠点を改善した配向
層に配向性を付与する方法及びかかる方法による液晶表
示素子の製造方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記目的を達
成すべく鋭意検討した結果、配向層を設けた基板表面の
一部または全面に、特定の共役系導電性高分子を含有す
る帯電防止層を設けることにより、ラビング時に発生す
る静電気を有効に除去でき、しかも、ラビング処理後に
帯電防止層を洗浄除去することより配向層の絶縁不良等
の問題が生じないことを見いだし、本発明を完成するに
至った。
【００１７】即ち、本発明は以下のものを提供するもの
である。 １）配向層を設けた基板表面の一部または全面に共役系
導電性高分子を含有する帯電防止剤を塗布して帯電防止
層を形成した後ラビング処理を行い、処理後に帯電防止
層を除去することを特徴とする、配向層に配向性を付与
する方法。
【００１８】２）共役系導電性高分子が、一般式
（Ｉ）、（II）、または、 (III)
【化７】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 は、それぞれ
独立にＨ、炭素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状ア
ルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ＳＯ3 -Ｍを表す。但し、Ｒ
1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 からなる置換基群には、
ＳＯ3 -Ｍが同時に２つ以上含まれることはない。Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 またはＲ5 の炭化水素鎖は互いに任意
の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭
素原子と共に、少なくとも１つ以上の３乃至７員環の飽
和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を
少なくとも１つ以上形成してもよい。Ｍは、Ｈ+ 、アル
カリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表
す。ｋはチオフェン環と置換基Ｒ1 乃至Ｒ3 を有するベ
ンゼン環に囲まれた縮合環の数を表し、０乃至３の整数
値である。）
【００１９】
【化８】
【化９】 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は、それぞれ独立にＨ、炭
素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基、炭
素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状アルコキシ基を
表し、Ａ1 及びＡ2 は、それぞれ独立に炭素数１乃至１
０の直鎖状あるいは分岐状の二価炭化水素基、炭素数１
乃至１０の直鎖状あるいは分岐状のエーテル結合を含む
二価炭化水素基を表す。Ｍは、Ｈ+ 、アルカリ金属イオ
ン、または第４級アンモニウムイオンを表す。ｐ及びｑ
は０または１である。）で表される化学構造のうちの少
なくとも１つを繰り返し単位として含むことを特徴とす
る前記１）記載の配向層に配向性を付与する方法。
【００２０】３）共役系導電性高分子が、ポリ（５−イ
ソチアナフテンスルホン酸−ｃｏ−イソチアナフテン）
である前記１）記載の配向層に配向性を付与する方法。 ４）共役系導電性高分子が、ポリ（２−スルホアニリン
−ｃｏ−アニリン）である前記１）記載の配向層に配向
性を付与する方法。
【００２１】５）配向層を設けた基板表面の一部または
全面に共役系導電性高分子を含有する帯電防止剤を塗布
して帯電防止層を形成した後ラビング処理を行い、処理
後に帯電防止層を除去する工程を含むことを特徴とする
液晶表示素子の製造方法。
【００２２】６）共役系導電性高分子が、一般式
（Ｉ）、（II）、または、 (III)
【化１０】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 は、それぞれ
独立にＨ、炭素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状ア
ルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状ア
ルコキシ基、ハロゲン原子、ＳＯ3 -Ｍを表す。但し、Ｒ
1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 からなる置換基群には、
ＳＯ3 -Ｍが同時に２つ以上含まれることはない。Ｒ1 、
Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 またはＲ5 の炭化水素鎖は互いに任意
の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭
素原子と共に、少なくとも１つ以上の３乃至７員環の飽
和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を
少なくとも１つ以上形成してもよい。Ｍは、Ｈ+ 、アル
カリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表
す。ｋはチオフェン環と置換基Ｒ1 乃至Ｒ3 を有するベ
ンゼン環に囲まれた縮合環の数を表し、０乃至３の整数
値である。）
【００２３】
【化１１】
【化１２】 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は、それぞれ独立にＨ、炭
素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基、炭
素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状アルコキシ基を
表し、Ａ1 及びＡ2 は、それぞれ独立に炭素数１乃至１
０の直鎖状あるいは分岐状の二価炭化水素基、炭素数１
乃至１０の直鎖状あるいは分岐状のエーテル結合を含む
二価炭化水素基を表す。Ｍは、Ｈ+ 、アルカリ金属イオ
ン、または第４級アンモニウムイオンを表す。ｐ及びｑ
は０または１である。）で表される化学構造のうちの少
なくとも１つを繰り返し単位として含むことを特徴とす
る前記５）記載の液晶表示素子の製造方法。
【００２４】７）共役系導電性高分子が、ポリ（５−イ
ソチアナフテンスルホン酸−ｃｏ−イソチアナフテン）
である前記５）記載の液晶表示素子の製造方法。 ８）共役系導電性高分子が、ポリ（２−スルホアニリン
−ｃｏ−アニリン）である前記５）記載の液晶表示素子
の製造方法。
【００２５】本発明において、液晶表示素子とは、少な
くとも一方の基板が透明である一対の基板のそれぞれの
内側に電極が形成されており、更にその内側に液晶分子
の配向剤からなる配向層が形成されており、そのように
形成されている一対の基板−電極−配向層の間隙に液晶
もしくは液晶組成物を封入されている構成を有するもの
をいい、更に必要に応じて偏光板、カラーフィルター、
反射板等を有することができる。
【００２６】また、本発明において、繰り返し単位とし
て含むとは、必ずしもその単位を連続して含む必要はな
く、ランダムコポリマーのように不規則、不連続に含む
場合も包含している。
【００２７】本発明における液晶表示素子の製造は、例
えば以下の工程により行われる。 （１）基板表面に導電層を設けた後、パターニングして
電極を形成する。 （２）電極表面に配向剤からなる配向層を形成する。 （３）配向層に配向性を付与する（帯電防止層の形成、
ラビング処理、帯電防止層の除去）。 （４）スペーサー及びシール材を用いて２枚の基板を貼
り合わせる。 （５）２枚の基板の間隙に液晶もしくは液晶組成物を封
入する。
【００２８】以下本発明を詳細に説明する。前記一般式
（Ｉ）において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 として
有効な具体例としては、Ｈ（水素）、メチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ヘキシル
基、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。また、カ
チオンであるＭはＨ+ 、Ｌｉ+ 、Ｎａ+ 、Ｋ+ 等のアル
カリ金属イオン、ＮＨ4 +または置換の第４級アンモニウ
ムイオンである。置換アンモニウムイオンとして有用な
ものは、ＮＨ（ＣＨ3 ）3 +、Ｎ（ＣＨ3 ）4 +、ＮＨ（Ｃ
2 Ｈ5 ）3 +、Ｎ（Ｃ2Ｈ5 ）4 +、Ｎ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 +等の
イオンが挙げられる。
【００２９】一般式（Ｉ）で表される化学構造の特に好
ましい具体例としては、ｋ＝０の場合の一例である次の
構造式で表される５−イソチアナフテンスルホン酸−
１，３−ジイル、
【化１３】 もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム
塩、トリエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００３０】前記一般式（II）及び (III)において、Ｒ
6 、Ｒ7 及びＲ8 として有効な具体例としては、Ｈ（水
素）、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、ヘキシル基、メトキシ基、エトキシ基等
が挙げられる。Ａ1 及びＡ2として有効な具体例はメチ
レン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキ
シレン基等が挙げられる。また、カチオンであるＭはＨ
+ 、Ｌｉ+ 、Ｎａ+ 、Ｋ+ 等のアルカリ金属イオン、Ｎ
Ｈ4 +または置換の第４級アンモニウムイオンである。置
換アンモニウムイオンとして有用なものは、ＮＨ（ＣＨ
3 ）3 +、Ｎ（ＣＨ3 ）4 +、ＮＨ（Ｃ2 Ｈ5 ）3 +、Ｎ（Ｃ
2 Ｈ5 ）4 +、Ｎ（Ｃ6 Ｈ5 ）4 +等のイオンが挙げられ
る。
【００３１】一般式（II）で表される化学構造の特に好
ましい具体例として、次の構造式で表される２−スルホ
−１，４−イミノフェニレン、
【化１４】 もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム
塩、トリエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００３２】一般式 (III)で表される化学構造の特に好
ましい具体例として、次の構造式で表される３−（３’
−スルホプロピル）チオフェン−２，５−ジイル、
【化１５】 もしくはそのリチウム塩、ナトリウム塩、アンモニウム
塩、トリエチルアンモニウム塩を挙げることができる。
【００３３】これらの化学構造は、通常、重合体の全繰
り返し単位の１００モル％〜５モル％、好ましくは１０
０モル％〜３０モル％、さらに好ましくは１００モル％
〜５０モル％の範囲であり、これらの化学構造のうちの
少なくとも２種を含む共重合体であってもよい。また、
他のπ共役系化学構造からなる繰り返し単位を含む共重
合体であってもよく、２種〜５種の繰り返し単位からな
る共重合体組成であってもよい。例えば、他のπ共役系
化学構造の具体的な例としては、フェニレン、ピロリレ
ン、チエニレン、ビニレン、アセチレン、イミノフェニ
レン、イソチアナフテニレン、フリレン、カルバゾリレ
ン及びそれらの置換誘導体二価基が挙げられるがこれら
に限定されず、重合体主鎖中でπ共役構造をとり得る化
学構造であればよい。
【００３４】本発明に用いられる導電性高分子の分子量
は、構成する繰り返し単位の化学構造によって異なるた
め一概に規定することはできないが、本発明の目的に適
うものであればよく特に限定されない。通常、主鎖を構
成する繰り返し単位数（重合度）によって表せば、５〜
２０００、好ましくは１０〜１０００の範囲の重合度の
ものが挙げられる。
【００３５】一般式（Ｉ）、（II）または (III)で表さ
れる化学構造を繰り返し単位として含む導電性高分子
は、電子伝導性を有するため、その電導度は湿度の影響
を受けない。さらに、本発明の導電性高分子は、分子内
に潜在的にドーパントとなり得るスルホン酸基を有する
ので、外部から酸化剤（ｐ型ドーパント）もしくは還元
剤（ｎ型ドーパント）を添加する必要がなく、しかも、
内部ドーパントとして働くスルホン酸基がポリマー主鎖
骨格に共有結合されているので、電導度の安定性に優れ
ている。
【００３６】本発明の帯電防止層は、任意の方法により
配向層を設けた基板表面の一部または全面上に設けて本
発明の目的とする方法に用いられる。例えば、一般式
（Ｉ）、（II）または (III)で表される化学構造を繰り
返し単位として含む導電性高分子及び溶剤を含む帯電防
止剤を配向層を設けた基板表面の一部または全面に塗布
した後、溶剤を除いて形成される。
【００３７】本発明に用いる帯電防止剤の溶剤として
は、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、
１−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、
ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、メチルセ
ロソルブ、エチルセロソルブ、ｎ−ブチルセロソルブ、
エチルセロソルブアセテート、ｎ−ブチルセロソルブア
セテート、３−メトキシプロピオン酸メチル、メチルア
ミルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、ピルビン酸エチル、乳酸エチル、３−エト
キシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテル等が挙げられる。これらの溶剤は単独また
は２種以上を混合して用いられる。これらの溶剤の中
で、水あるいは５０重量％以上の水を含有する上記の有
機溶剤との混合溶剤が本発明の導電性高分子を溶解する
能力が高い点で好ましい。
【００３８】本発明に用いる帯電防止剤における導電性
高分子の濃度は、好ましくは０．０１重量％〜１０重量
％、より好ましくは、０．０５重量％〜１重量％であ
る。溶解する際の温度は、溶剤の種類にもよるが、通
常、室温〜１００℃の範囲が好適に用いられる。
【００３９】本発明に用いる帯電防止剤は、配向層を設
けた基板表面への塗布性や帯電防止層の機械的強度を調
節するため、界面活性剤やポリビニルアルコール、ポリ
アクリル酸ソーダ等の高分子化合物を含有してもよい。
【００４０】上述のような方法で製造した帯電防止剤を
配向層を設けた基板表面に塗布する方法として、回転塗
布、ロール塗布、スプレー塗布、浸漬塗布、グラビア塗
布等の公知の方法が挙げられ、塗布後に乾燥すれば、帯
電防止層が得られる。乾燥温度は、通常、室温〜１００
℃の範囲が好適に用いられ、乾燥時間は、乾燥温度によ
るが、例えば、室温の場合は３０分〜２時間、１００℃
の場合は１分〜３０分の範囲が好適に用いられる。乾燥
は常圧でも減圧下でもよく、あるいは乾燥窒素ガス等の
気流下で行なってもよい。
【００４１】このようにして得られた帯電防止層の上か
ら、公知の方法によりラビング処理すれば、発生する静
電気を除去しながら配向層に配向特性を付与することが
できる。ラビング処理に用いられるラビング材の材質
は、特に制限はないが、例えば、ナイロン、ポリエステ
ル等の化学繊維、綿布等が好適に用いられる。また、配
向層に用いられる配向剤は、ラビング処理によって配向
性を有することにより液晶分子に配向を与える化合物で
あれば特に制限がなく、代表例としてポリイミド、ポリ
アミド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコール、ポ
リエステル、ポリカーボネート及びポリイミドの前駆体
であるポリアミド酸等あるいはそれらに配向特性を維持
または増強する物質が添加されたものを挙げることがで
きる。これらの中で、特にポリイミド、ポリアミド酸も
しくはポリビニルアルコールが好ましい。
【００４２】一般に、ポリアミド酸は、テトラカルボン
酸二無水物とジアミンを溶媒中で反応させて合成され、
さらに、ポリアミド酸を加熱硬化させることによりポリ
イミドが得られる。本発明で好適に用いることのできる
テトラカルボン酸の例として、ピロメリット酸二無水
物、１，２，３，４−シクロペンタンテトラカルボン
酸、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシ
フェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボ
キシフェニル）メタン二無水物等が挙げられる。また、
ジアミンとしては、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’
−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノジフェニル
エーテル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，
４’−ジアミノジフェニルスルホン等が挙げられる。上
記のテトラカルボン酸二無水物とジアミンを公知の方法
で反応させることにより、ポリアミド酸が得られる。
【００４３】また、ポリアミド酸またはポリイミドを溶
剤に溶解してワニスとしたものが市販されており、その
具体例として、商品名サンエバーＲＮ−７１１１、サン
エバーＲＮ−７２２０、サンエバーＲＮ−７３３１、サ
ンエバーＲＮ−７６９０（以上、日産化学工業（株）
製）、ファインポリマＬＸ−１４００、ファインポリマ
ＬＱ−Ｓ２００、ファインポリマＬＱ−Ｔ１２０（以
上、日立化成（株）製）等が挙げられる。
【００４４】ラビング処理後の帯電防止層は、洗浄する
ことにより除去できる。洗浄に使用する溶剤としては、
水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、１−
メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、メチルセロソ
ルブ、エチルセロソルブ、ｎ−ブチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブアセテート、ｎ−ブチルセロソルブアセテ
ート、３−メトキシプロピオン酸メチル、メチルアミル
ケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセ
テート、ピルビン酸エチル、乳酸エチル、３−エトキシ
プロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチル
エーテル等が挙げられる。これらの溶剤は単独または２
種以上を混合して用いられる。これらの溶剤の中で、水
あるいは５０重量％以上の水を含有する上記の有機溶剤
との混合溶剤が本発明の導電性高分子を溶解する能力が
高い点で好ましい。洗浄方法としては種々の方法が利用
でき、例えば噴流洗浄、シャワー洗浄、超音波シャワー
洗浄、浸漬洗浄、浸漬超音波洗浄、ブラシ洗浄、バブリ
ング洗浄、回転洗浄等の方法が挙げられる。洗浄時間
は、洗浄方法によるが、例えば、噴流洗浄法の場合は、
３０秒〜３分間程度洗浄すればよい。また、帯電防止層
の洗浄は、ラビング処理後の汚染・塵埃等の洗浄工程と
同時に行ってもよい。
【００４５】
【実施例】以下に本願発明について実施例によりさらに
具体的に説明するが、これらは説明のための単なる例示
であって、本発明はこれらに何ら限定されるものではな
い。ポリイミドワニスとして、溶剤がブチルセロソルブ
（２０％）と１−メチル−２−ピロリドン（８０％）の
混合溶媒であり、５％のポリイミド成分を含む日産化学
工業（株）製サンエバーＲＮ−７３３１（商品名）を用
いた。
【００４６】また、ポリ（５−イソチアナフテンスルホ
ン酸）及びポリ（５−イソチアナフテンスルホン酸アン
モニウム）等は、特開平６−４９１８３号公報で開示さ
れている方法を参考にして合成した。ポリ（３−（３’
−チエニル）プロパンスルホン酸）は、Ｊ．Ｃｈｅｍ．
Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．誌、１９９０年、
１６９４−１６９５頁で開示されている方法を参考にし
て合成した。また、共重合体であるポリ（２−スルホア
ニリン−ｃｏ−アニリン）（５０モル％：５０モル％）
は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．誌、１１２巻、２８
００−２８０１頁（１９９０年）で開示されている方法
を参考にして合成した。
【００４７】また、ポリ（ナフト［２，３−ｃ］チオフ
ェン−６−スルホン酸）の合成は以下の方法に従った。
２０℃以下に冷却した８ｍｌの発煙硫酸（２０％ＳＯ
3 ）に、公知な１，３−ジヒドロナフト［２，３−ｃ］
チオフェン２ｇを攪拌しながらゆっくりと加えた後、室
温下で４時間攪拌して反応させた。反応混合物を氷水３
００ｍｌに注ぎ入れ、次いで、塩化ナトリウム４０ｇを
加えて生成物を塩析させた。遠心分離機により単離した
後、真空乾燥し、灰色粉末として１，３−ジヒドロナフ
ト［２，３−ｃ］チオフェンスルホン酸ナトリウムを８
５０ｍｇ得た。
【００４８】次に、過酸化水素水（３０％）１ｍｌと水
１０ｍｌの混合した溶液に塩化第２鉄５．５ｇを加えた
後、１，３−ジヒドロナフト［２，３−ｃ］チオフェン
スルホン酸ナトリウム７００ｍｇを攪拌しながらゆっく
りと加えた。さらに、室温下で１日攪拌すると黒色の反
応生成物が得られた。反応生成物を１００ｍｌのアセト
ン中に投入して重合物を沈澱させた後、遠心分離機によ
り重合物を分離した。得られた重合物を乾燥した後、
０．１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液７００ｍｌに溶解し、
孔径１μｍの濾紙を通して不溶物を除去した。次に、Ｈ
形イオン交換樹脂（アンバーライトＩＲ−１２０Ｂ）を
用いてＮａ+ イオンをＨ+ イオンに変換した。このよう
にして得られた重合物の水溶液から水を留去し、真空乾
燥して、黒色粉末としてポリ（ナフト［２，３−ｃ］チ
オフェン−６−スルホン酸）を２００ｍｇ得た。
【００４９】実施例１ ポリ（５−イソチアナフテンスルホン酸）５重量部及び
界面活性剤であるドデシルベンセンスルホン酸１０重量
部を水９９８５重量部に溶解して、ポリ（５−イソチア
ナフテンスルホン酸）を０．０５重量％含有する帯電防
止剤を製造した。ポリイミドワニスをガラス基板に回転
塗布し、１８０℃にて１時間熱処理をして、膜厚約６０
０オングストロームのポリイミド膜を作製した。このポ
リイミド膜の上に上記のようにして製造した帯電防止剤
を回転塗布した後、１００℃で１０分間乾燥して、膜厚
約２０オングストロームの帯電防止層を設けた。
【００５０】このようにして得た帯電防止層を有するポ
リイミド膜の表面を、毛足長２ｍｍのレーヨン布ロール
を取り付けたラビング装置ＲＭ−５０（（株）イーエッ
チシー製）を用いてラビングした。ラビング処理工程に
おける帯電防止効果を見積るため、ラビング処理後のポ
リイミド膜について、湿度３０％の恒湿条件下、スタテ
ィック・オネストメータＭＯＤＥＬ Ｈ−０１１０（シ
シド静電気（株）製）で、１０ＫＶの直流高電圧を印加
した時の帯電圧の半減期および２分後の帯電圧を測定し
た。表１に結果を示すように帯電の減衰が速やかで、２
分後の残留電荷が０であり、十分な帯電防止効果が認め
られた。
【００５１】続いて、上記のポリイミド膜表面を洗浄瓶
で水を１分間流し続けて洗浄した後、１００℃で１０分
間乾燥した。Ｘ線光電子分光法でポリイミド表面のポリ
（５−イソチアナフテンスルホン酸）の硫黄を測定した
ところ、検出されず、洗浄により除かれていることを確
認した。さらに、このようにしてラビング処理をした基
板２枚を、ポリイミド膜面が対向するようにＰＥＴ製ス
ペーサーを用いて貼り合わせた後、メルク社製ネマティ
ック液晶ＺＬＩ−１１３２（商品名）を注入して、偏光
顕微鏡で観察したところ、液晶分子の配向特性は良好で
あった。
【００５２】比較例１ ポリイミドワニスをガラス基板に回転塗布し、１８０℃
にて１時間熱処理をして、膜厚約６００オングストロー
ムのポリイミド膜を作製した。実施例１と同様にしてラ
ビング処理を行った後、実施例１と同様にして帯電特性
を測定した。表１に結果を示した。
【００５３】比較例２ 界面活性剤であるドデシルベンセンスルホン酸１００重
量部を水９９００重量部に溶解して、界面活性剤を１重
量％含有する帯電防止剤を製造した。このようにして製
造した帯電防止剤を比較例１と同様にして作製したポリ
イミド膜の上に回転塗布し、１００℃で１０分間乾燥し
た。ラビング処理後のポリイミド膜について、実施例１
と同様にしてラビング処理工程における帯電防止効果を
見積った。表１に結果を示すように帯電防止効果は不十
分であった。
【００５４】実施例２ ポリ（５−イソチアナフテンスルホン酸）２０重量部及
び界面活性剤であるドデシルベンセンスルホン酸１０重
量部を水９９７０重量部に溶解して、ポリ（５−イソチ
アナフテンスルホン酸）を０．２重量％含有する帯電防
止剤を製造した。このようにして製造した帯電防止剤を
実施例１と同様にして作製したポリイミド膜の上に回転
塗布し、１００℃で１０分間乾燥して、膜厚約４０オン
グストロームの帯電防止層を設けた。
【００５５】ラビング処理後のポリイミド膜について、
実施例１と同様にしてラビング処理工程における帯電防
止効果を見積った。表１に結果を示すように帯電の減衰
が速やかで、２分後の残留電荷が０であり、十分な帯電
防止効果が認められた。続いて、実施例１と同様にし
て、帯電防止層の洗浄除去性、及び、このようにしてラ
ビング処理したポリイミド膜に対する液晶分子の配向特
性を評価した。その結果、洗浄除去性及び液晶分子の配
向特性は良好であった。
【００５６】実施例３ ポリ（５−イソチアナフテンスルホン酸）１００重量部
及び界面活性剤であるドデシルベンセンスルホン酸１０
重量部を水９８９０重量部に溶解して、ポリ（５−イソ
チアナフテンスルホン酸）を１重量％含有する帯電防止
剤を製造した。このようにして製造した帯電防止剤を実
施例１と同様にして作製したポリイミド膜の上に回転塗
布し、１００℃で１０分間乾燥して、膜厚約６０オング
ストロームの帯電防止層を設けた。
【００５７】ラビング処理後のポリイミド膜について、
実施例１と同様にしてラビング処理工程における帯電防
止効果を見積った。表１に結果を示すように帯電の減衰
が速やかで、２分後の残留電荷が０であり、十分な帯電
防止効果が認められた。続いて、実施例１と同様にし
て、帯電防止層の洗浄除去性、及び、このようにしてラ
ビング処理したポリイミド膜に対する液晶分子の配向特
性を評価した。その結果、洗浄除去性及び液晶分子の配
向特性は良好であった。
【００５８】実施例４ 実施例２においてポリ（５−イソチアナフテンスルホン
酸）の代わりにポリ（５−イソチアナフテンスルホン酸
アンモニウム）を用いた以外は実施例２と同様にしてポ
リ（５−イソチアナフテンスルホン酸アンモニウム）を
０．２重量％含有する帯電防止剤を製造した。このよう
にして製造した帯電防止剤を実施例１と同様にして作製
したポリイミド膜の上に回転塗布し、１００℃で１０分
間乾燥して、膜厚約６０オングストロームの帯電防止層
を設けた。
【００５９】ラビング処理後のポリイミド膜について、
実施例１と同様にしてラビング処理工程における帯電防
止効果を見積った。表１に結果を示すように帯電の減衰
が速やかで、２分後の残留電荷が０であり、十分な帯電
防止効果が認められた。続いて、実施例１と同様にし
て、帯電防止層の洗浄除去性、及び、このようにしてラ
ビング処理したポリイミド膜に対する液晶分子の配向特
性を評価した。その結果、洗浄除去性及び液晶分子の配
向特性は良好であった。
【００６０】実施例５ 実施例２においてポリ（５−イソチアナフテンスルホン
酸）の代わりに共重合体であるポリ（５−イソチアナフ
テンスルホン酸−ｃｏ−イソチアナフテン）（８０モル
％：２０モル％）を用いた以外は実施例２と同様にして
ポリ（５−イソチアナフテンスルホン酸−ｃｏ−イソチ
アナフテン）を０．２重量％含有する帯電防止剤を製造
した。このようにして製造した帯電防止剤を実施例１と
同様にして作製したポリイミド膜の上に回転塗布し、１
００℃で１０分間乾燥して、膜厚約４０オングストロー
ムの帯電防止層を設けた。
【００６１】ラビング処理後のポリイミド膜について、
実施例１と同様にしてラビング処理工程における帯電防
止効果を見積った。表１に結果を示すように帯電の減衰
が速やかで、２分後の残留電荷が０であり、十分な帯電
防止効果が認められた。続いて、実施例１と同様にし
て、帯電防止層の洗浄除去性、及び、このようにしてラ
ビング処理したポリイミド膜に対する液晶分子の配向特
性を評価した。その結果、洗浄除去性及び液晶分子の配
向特性は良好であった。
【００６２】実施例６ 実施例２においてポリ（５−イソチアナフテンスルホン
酸）の代わりにポリ（ナフト［２，３−ｃ］チオフェン
−６−スルホン酸）を用いた以外は実施例２と同様にし
てポリ（ナフト［２，３−ｃ］チオフェン−６−スルホ
ン酸）を０．２重量％含有する帯電防止剤を製造した。
このようにして製造した帯電防止剤を実施例１と同様に
して作製したポリイミド膜の上に回転塗布し、１００℃
で１０分間乾燥して、膜厚約６０オングストロームの帯
電防止層を設けた。
【００６３】ラビング処理後のポリイミド膜について、
実施例１と同様にしてラビング処理工程における帯電防
止効果を見積った。表１に結果を示すように帯電の減衰
が速やかで、２分後の残留電荷が０であり、十分な帯電
防止効果が認められた。続いて、実施例１と同様にし
て、帯電防止層の洗浄除去性、及び、このようにしてラ
ビング処理したポリイミド膜に対する液晶分子の配向特
性を評価した。その結果、洗浄除去性及び液晶分子の配
向特性は良好であった。
【００６４】実施例７ 共重合体であるポリ（２−スルホアニリン−ｃｏ−アニ
リン）（５０モル％：５０モル％）１００重量部及び界
面活性剤であるドデシルベンセンスルホン酸１０重量部
を０．４規定アンモニア水９８９０重量部に溶解して、
ポリ（２−スルホアニリン−ｃｏ−アニリン）・アンモ
ニウム塩を１重量％含有する帯電防止剤を製造した。こ
のようにして製造した帯電防止剤を実施例１と同様にし
て作製したポリイミド膜の上に回転塗布し、１００℃で
３０分間乾燥して、膜厚約８０オングストロームの帯電
防止層を設けた。
【００６５】ラビング処理後のポリイミド膜について、
実施例１と同様にしてラビング処理工程における帯電防
止効果を見積った。表１に結果を示すように帯電の減衰
が速やかで、２分後の残留電荷が０であり、十分な帯電
防止効果が認められた。続いて、実施例１と同様にし
て、帯電防止層の洗浄除去性、及び、このようにしてラ
ビング処理したポリイミド膜に対する液晶分子の配向特
性を評価した。その結果、洗浄除去性及び液晶分子の配
向特性は良好であった。
【００６６】実施例８ ポリ（３−（３’−チエニル）プロパンスルホン酸）１
００重量部及び界面活性剤であるドデシルベンセンスル
ホン酸１０重量部を水９８９０重量部に溶解して、ポリ
（３−（３’−チエニル）プロパンスルホン酸）を１重
量％含有する帯電防止剤を製造した。このようにして製
造した帯電防止剤を実施例１と同様にして作製したポリ
イミド膜の上に回転塗布し、デシケーター中室温で１時
間乾燥して、膜厚約６０オングストロームの帯電防止層
を設けた。
【００６７】ラビング処理後のポリイミド膜について、
実施例１と同様にしてラビング処理工程における帯電防
止効果を見積った。表１に結果を示すように帯電の減衰
が速やかで、２分後の残留電荷が０であり、十分な帯電
防止効果が認められた。続いて、実施例１と同様にし
て、帯電防止層の洗浄除去性、及び、このようにしてラ
ビング処理したポリイミド膜に対する液晶分子の配向特
性を評価した。その結果、洗浄除去性及び液晶分子の配
向特性は良好であった。
【００６８】実施例９ ポリ（５−イソチアナフテンスルホン酸）２０重量部及
びポリビニルアルコール（クラレ（株）製ポバールＰＶ
Ａ−２１７Ｃ（商品名））１００重量部を水９８８０重
量部に溶解して、ポリ（５−イソチアナフテンスルホン
酸）を０．２重量％含有する帯電防止剤を製造した。こ
のようにして製造した帯電防止剤を実施例１と同様にし
て作製したポリイミド膜の上に回転塗布し、真空デシケ
ーター中減圧下室温で１時間乾燥して、膜厚約８０オン
グストロームの帯電防止層を設けた。
【００６９】ラビング処理後のポリイミド膜について、
実施例１と同様にしてラビング処理工程における帯電防
止効果を見積った。表１に結果を示すように帯電の減衰
が速やかで、２分後の残留電荷が０であり、十分な帯電
防止効果が認められた。続いて、実施例１と同様にし
て、帯電防止層の洗浄除去性、及び、このようにしてラ
ビング処理したポリイミド膜に対する液晶分子の配向特
性を評価した。その結果、洗浄除去性及び液晶分子の配
向特性は良好であった。
【００７０】実施例１０ パターニングしたＩＴＯ電極を有するガラス基板にポリ
イミドワニスを回転塗布し、１８０℃にて１時間熱処理
をして、膜厚約６００オングストロームのポリイミド膜
を作製した。このポリイミド膜の上に実施例１と同様に
して製造した帯電防止剤を回転塗布した後、１００℃で
１０分間乾燥して、膜厚約２０オングストロームの帯電
防止層を設けた。さらに、実施例１と同様にしてラビン
グ処理及び帯電防止層の洗浄除去を行った。
【００７１】このようにしてラビング処理を行った基板
２枚をＰＥＴ製スペーサーを用いて所定の間隙になるよ
うに貼り合わせた後、メルク社製ネマティック液晶ＺＬ
Ｉ−１１３２（商品名）を注入して、液晶表示素子を製
造した。このようにして製造した液晶表示素子を偏光板
で挟んで電圧を印加し、表示特性を測定した。電圧のＯ
Ｎ−ＯＦＦ時の動作特性及び表示の均一性は良好であっ
た。
【００７２】
【表１】
【００７３】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明の配向性付与
方法及び液晶表示素子の製造方法によれば、ラビングの
際に配向層に発生する静電気を除去しながら配向性を付
与することができ、塵埃の付着、配向層や電極の損傷等
による液晶表示素子製造の歩留まりの低下を防ぐことが
できる。しかも、本発明の共役系導電性高分子を含有す
る帯電防止層は、その効果が湿度の影響を受けることな
く、均一な薄膜であるため配向層の配向特性に悪影響を
与えることがない。さらに、本発明の帯電防止層は洗浄
除去が可能であるため、配向層の保持率低下や隣接する
電極間の短絡等の問題を生じないという優れた利点を有
する。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 配向層を設けた基板表面の一部または全
    面に共役系導電性高分子を含有する帯電防止剤を塗布し
    て帯電防止層を形成した後ラビング処理を行い、処理後
    に帯電防止層を除去することを特徴とする、配向層に配
    向性を付与する方法。
  2. 【請求項２】 共役系導電性高分子が、一般式（Ｉ）、
    （II）、または、 (III) 【化１】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 は、それぞれ
    独立にＨ、炭素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状ア
    ルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状ア
    ルコキシ基、ハロゲン原子、ＳＯ3 -Ｍを表す。但し、Ｒ
    1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 からなる置換基群には、
    ＳＯ3 -Ｍが同時に２つ以上含まれることはない。Ｒ1 、
    Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 またはＲ5 の炭化水素鎖は互いに任意
    の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭
    素原子と共に、少なくとも１つ以上の３乃至７員環の飽
    和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を
    少なくとも１つ以上形成してもよい。Ｍは、Ｈ+ 、アル
    カリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表
    す。ｋはチオフェン環と置換基Ｒ1 乃至Ｒ3 を有するベ
    ンゼン環に囲まれた縮合環の数を表し、０乃至３の整数
    値である。） 【化２】 【化３】 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は、それぞれ独立にＨ、炭
    素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基、炭
    素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状アルコキシ基を
    表し、Ａ1 及びＡ2 は、それぞれ独立に炭素数１乃至１
    ０の直鎖状あるいは分岐状の二価炭化水素基、炭素数１
    乃至１０の直鎖状あるいは分岐状のエーテル結合を含む
    二価炭化水素基を表す。Ｍは、Ｈ+ 、アルカリ金属イオ
    ン、または第４級アンモニウムイオンを表す。ｐ及びｑ
    は０または１である。）で表される化学構造のうちの少
    なくとも１つを繰り返し単位として含むことを特徴とす
    る請求項１記載の配向層に配向性を付与する方法。
  3. 【請求項３】 共役系導電性高分子が、ポリ（５−イソ
    チアナフテンスルホン酸−ｃｏ−イソチアナフテン）で
    ある請求項１記載の配向層に配向性を付与する方法。
  4. 【請求項４】 共役系導電性高分子が、ポリ（２−スル
    ホアニリン−ｃｏ−アニリン）である請求項１記載の配
    向層に配向性を付与する方法。
  5. 【請求項５】 配向層を設けた基板表面の一部または全
    面に共役系導電性高分子を含有する帯電防止剤を塗布し
    て帯電防止層を形成した後ラビング処理を行い、処理後
    に帯電防止層を除去する工程を含むことを特徴とする液
    晶表示素子の製造方法。
  6. 【請求項６】 共役系導電性高分子が、一般式（Ｉ）、
    （II）、または、 (III) 【化４】 （式中、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 は、それぞれ
    独立にＨ、炭素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状ア
    ルキル基、炭素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状ア
    ルコキシ基、ハロゲン原子、ＳＯ3 -Ｍを表す。但し、Ｒ
    1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 及びＲ5 からなる置換基群には、
    ＳＯ3 -Ｍが同時に２つ以上含まれることはない。Ｒ1 、
    Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 またはＲ5 の炭化水素鎖は互いに任意
    の位置で結合して、かかる基により置換を受けている炭
    素原子と共に、少なくとも１つ以上の３乃至７員環の飽
    和または不飽和炭化水素の環状構造を形成する二価鎖を
    少なくとも１つ以上形成してもよい。Ｍは、Ｈ+ 、アル
    カリ金属イオン、または第４級アンモニウムイオンを表
    す。ｋはチオフェン環と置換基Ｒ1 乃至Ｒ3 を有するベ
    ンゼン環に囲まれた縮合環の数を表し、０乃至３の整数
    値である。） 【化５】 【化６】 （式中、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は、それぞれ独立にＨ、炭
    素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状アルキル基、炭
    素数１乃至１０の直鎖状あるいは分岐状アルコキシ基を
    表し、Ａ1 及びＡ2 は、それぞれ独立に炭素数１乃至１
    ０の直鎖状あるいは分岐状の二価炭化水素基、炭素数１
    乃至１０の直鎖状あるいは分岐状のエーテル結合を含む
    二価炭化水素基を表す。Ｍは、Ｈ+ 、アルカリ金属イオ
    ン、または第４級アンモニウムイオンを表す。ｐ及びｑ
    は０または１である。）で表される化学構造のうちの少
    なくとも１つを繰り返し単位として含むことを特徴とす
    る請求項５記載の液晶表示素子の製造方法。
  7. 【請求項７】 共役系導電性高分子が、ポリ（５−イソ
    チアナフテンスルホン酸−ｃｏ−イソチアナフテン）で
    ある請求項５記載の液晶表示素子の製造方法。
  8. 【請求項８】 共役系導電性高分子が、ポリ（２−スル
    ホアニリン−ｃｏ−アニリン）である請求項５記載の液
    晶表示素子の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08320471A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nec Corp 液晶表示装置
EP0971005A1 (de) * 1998-07-06 2000-01-12 KARL WÖRWAG LACK- UND FARBENFABRIK GMBH & CO. KG Temporärer Schutz von Kunststoffgegenständen gegen elektrostatische Aufladung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08320471A (ja) * 1995-05-26 1996-12-03 Nec Corp 液晶表示装置
EP0971005A1 (de) * 1998-07-06 2000-01-12 KARL WÖRWAG LACK- UND FARBENFABRIK GMBH & CO. KG Temporärer Schutz von Kunststoffgegenständen gegen elektrostatische Aufladung
WO2000001773A1 (de) * 1998-07-06 2000-01-13 Karl Wörwag Lack- Und Farbenfabrik Gmbh & Co. Kg Temporärer schutz von kunststoffgegenständen gegen elektrostatische aufladung

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