JPH08212532A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH08212532A JPH08212532A JP2324895A JP2324895A JPH08212532A JP H08212532 A JPH08212532 A JP H08212532A JP 2324895 A JP2324895 A JP 2324895A JP 2324895 A JP2324895 A JP 2324895A JP H08212532 A JPH08212532 A JP H08212532A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高保磁力材料（ＣｏＣｒＰｔ系，ＣｏＮｉＣ
ｒＴａ系）を用いて高保磁力（2000 Oe ≦ＨC ≦2800 O
e ）であって、しかも低ノイズのＣｏＣｒＴａ系と同等
又はそれより優れた低ノイズ特性を持つ磁気記録媒体を
提供する 【構成】 磁気記録媒体は、Ａｌ−Ｍｇ合金基体１の上
にＮｉ−Ｐめっき層２を形成し、その上にスパッタ法に
より下地Ｃｒ層３，多層膜磁性層７，保護層５を順次成
膜した後、最後に潤滑層６を塗布したもので、多層膜磁
性層７は、非磁性中間膜７ｂを挟んで積層された２〜６
層膜の磁性膜７ａから成る。磁性膜材料には高保磁力材
料のＣｏＣｒＰｔ系又はＣｏＮｉＣｒＴａ系を用いる。
非磁性中間膜７ｂを介して積層の磁性膜７ａ同士が離層
分離した構造を有しているので、磁性膜内の垂直方向の
磁気的相互作用が低減し、高保磁力でありながら、媒体
ノイズの低減が可能となる。
ｒＴａ系）を用いて高保磁力（2000 Oe ≦ＨC ≦2800 O
e ）であって、しかも低ノイズのＣｏＣｒＴａ系と同等
又はそれより優れた低ノイズ特性を持つ磁気記録媒体を
提供する 【構成】 磁気記録媒体は、Ａｌ−Ｍｇ合金基体１の上
にＮｉ−Ｐめっき層２を形成し、その上にスパッタ法に
より下地Ｃｒ層３，多層膜磁性層７，保護層５を順次成
膜した後、最後に潤滑層６を塗布したもので、多層膜磁
性層７は、非磁性中間膜７ｂを挟んで積層された２〜６
層膜の磁性膜７ａから成る。磁性膜材料には高保磁力材
料のＣｏＣｒＰｔ系又はＣｏＮｉＣｒＴａ系を用いる。
非磁性中間膜７ｂを介して積層の磁性膜７ａ同士が離層
分離した構造を有しているので、磁性膜内の垂直方向の
磁気的相互作用が低減し、高保磁力でありながら、媒体
ノイズの低減が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータの外部記
憶装置に搭載されるハードディスク等の磁気記録媒体及
びその製造方法に関し、特に、多層膜磁性層を備えた磁
気記録媒体及びその製造方法に関する。
憶装置に搭載されるハードディスク等の磁気記録媒体及
びその製造方法に関し、特に、多層膜磁性層を備えた磁
気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータ用磁気記録媒体は高
記録密度化の進展が激しく、高記録密度の磁気記録媒体
には高保磁力（ＨC ）と低ノイズが要求されている。図
１６は従来の磁気記録媒体の断面構造を示す断面図であ
る。この磁気記録媒体は、Ａｌ−Ｍｇ合金基体１の上に
Ｎｉ−Ｐめっき層２を形成し、そのめっき層２を機械加
工により鏡面仕上げした後、微小凹凸（テクスチャー）
を施して基板を形成し、その基板上にスパッタ法により
下地Ｃｒ層３，磁性層４，保護層５を順次成膜した後、
最後に潤滑層６を塗布したものである。磁性層４として
は例えば単層膜構造のＣｏＣｒＴａ系合金が形成されて
いる。
記録密度化の進展が激しく、高記録密度の磁気記録媒体
には高保磁力（ＨC ）と低ノイズが要求されている。図
１６は従来の磁気記録媒体の断面構造を示す断面図であ
る。この磁気記録媒体は、Ａｌ−Ｍｇ合金基体１の上に
Ｎｉ−Ｐめっき層２を形成し、そのめっき層２を機械加
工により鏡面仕上げした後、微小凹凸（テクスチャー）
を施して基板を形成し、その基板上にスパッタ法により
下地Ｃｒ層３，磁性層４，保護層５を順次成膜した後、
最後に潤滑層６を塗布したものである。磁性層４として
は例えば単層膜構造のＣｏＣｒＴａ系合金が形成されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】磁性層４として単層膜
構造のＣｏＣｒＴａ系媒体を用いた磁気記録媒体は、低
ノイズ媒体であるものの、保磁力はＨC ＝2200 Oe が限
界である。これに対して、高保磁力の磁気材料として
は、ＣｏＣｒＰｔ系，ＣｏＮｉＣｒＴａ系があるもの
の、ＣｏＣｒＴａ系媒体に比べてノイズが高く、今後の
高記録密度化に充分対応できない。
構造のＣｏＣｒＴａ系媒体を用いた磁気記録媒体は、低
ノイズ媒体であるものの、保磁力はＨC ＝2200 Oe が限
界である。これに対して、高保磁力の磁気材料として
は、ＣｏＣｒＰｔ系，ＣｏＮｉＣｒＴａ系があるもの
の、ＣｏＣｒＴａ系媒体に比べてノイズが高く、今後の
高記録密度化に充分対応できない。
【０００４】そこで上記問題点に鑑み、本発明の課題
は、高保磁力材料（ＣｏＣｒＰｔ系合金，ＣｏＮｉＣｒ
Ｔａ系合金）を用いて高保磁力（2000 Oe ≦ＨC ≦2800
Oe ）であって、しかも低ノイズ材料のＣｏＣｒＴａ系
と同等又はそれより優れた低ノイズ特性を持つ磁気記録
媒体及びその製造方法を提供することにある。
は、高保磁力材料（ＣｏＣｒＰｔ系合金，ＣｏＮｉＣｒ
Ｔａ系合金）を用いて高保磁力（2000 Oe ≦ＨC ≦2800
Oe ）であって、しかも低ノイズ材料のＣｏＣｒＴａ系
と同等又はそれより優れた低ノイズ特性を持つ磁気記録
媒体及びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、単層膜構造の磁性層ではなく、多層膜構
造の磁性層を採用する。即ち、本発明は、基板上に下地
Ｃｒ層，多層膜磁性層，保護層，潤滑層を順次積層した
磁気記録媒体において、上記多層膜磁性層としては磁性
膜が非磁性中間膜を介して積層されて成る。多層膜磁性
層の各磁性膜は、すべて高保磁力材料の磁性膜であって
も良いし、また、高保磁力材料の磁性膜と低ノイズ材料
の磁性膜とを交互に積層してものであっても良い。高保
磁力材料の磁性膜としてはＣｏＮｉＣｒＴａ系又はＣｏ
ＣｒＰｔ系材料から成ることが望ましい。低ノイズ材料
の磁性膜としてはＣｏＣｒＴａ系材料から成ることが望
ましい。高保磁力材料の磁性膜のみから成る多層膜磁性
層の磁気記録媒体においては、非磁性中間膜の膜厚は10
Å以上40Å以下であることが望ましい。高保磁力材料の
磁性膜と低ノイズ材料の磁性膜とから成る多層膜磁性層
の磁気記録媒体においては、非磁性中間膜の膜厚は５Å
以上40Å以下であることが望ましい。ここで、多層膜の
膜数（磁性膜数）としては２〜６が望ましい。また、各
磁性膜の膜厚比は80％以上120 ％以下であることが望ま
しい。そして、上記非磁性中間膜としては、Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃから成る群から選ばれ
た１又は２以上の元素から成ることが望ましい。
め、本発明は、単層膜構造の磁性層ではなく、多層膜構
造の磁性層を採用する。即ち、本発明は、基板上に下地
Ｃｒ層，多層膜磁性層，保護層，潤滑層を順次積層した
磁気記録媒体において、上記多層膜磁性層としては磁性
膜が非磁性中間膜を介して積層されて成る。多層膜磁性
層の各磁性膜は、すべて高保磁力材料の磁性膜であって
も良いし、また、高保磁力材料の磁性膜と低ノイズ材料
の磁性膜とを交互に積層してものであっても良い。高保
磁力材料の磁性膜としてはＣｏＮｉＣｒＴａ系又はＣｏ
ＣｒＰｔ系材料から成ることが望ましい。低ノイズ材料
の磁性膜としてはＣｏＣｒＴａ系材料から成ることが望
ましい。高保磁力材料の磁性膜のみから成る多層膜磁性
層の磁気記録媒体においては、非磁性中間膜の膜厚は10
Å以上40Å以下であることが望ましい。高保磁力材料の
磁性膜と低ノイズ材料の磁性膜とから成る多層膜磁性層
の磁気記録媒体においては、非磁性中間膜の膜厚は５Å
以上40Å以下であることが望ましい。ここで、多層膜の
膜数（磁性膜数）としては２〜６が望ましい。また、各
磁性膜の膜厚比は80％以上120 ％以下であることが望ま
しい。そして、上記非磁性中間膜としては、Ｃｒ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃから成る群から選ばれ
た１又は２以上の元素から成ることが望ましい。
【０００６】上述のような磁気記録媒体の製造方法とし
ては、本発明は多層膜磁性層の形成方法に特徴を有す
る。即ち、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法におい
て、多層膜磁性層の成膜工程は磁性膜の上に非磁性中間
膜を形成する工程を繰り返して成り、各磁性膜の保磁力
を同一になるように成膜条件が設定されていることを特
徴とする。
ては、本発明は多層膜磁性層の形成方法に特徴を有す
る。即ち、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法におい
て、多層膜磁性層の成膜工程は磁性膜の上に非磁性中間
膜を形成する工程を繰り返して成り、各磁性膜の保磁力
を同一になるように成膜条件が設定されていることを特
徴とする。
【０００７】
【作用】多層膜磁性層は、非磁性中間膜を介して積層の
磁性膜同士が離層分離した構造を有しているので、磁性
膜内の垂直方向の磁気的相互作用が低減する。また、非
磁性中間膜を薄くし、島状構造にすることにより、磁性
粒子間の磁気的相互作用を弱めることができる。これら
２つの要因により、媒体ノイズの低減が可能となる。更
に、非磁性中間膜を介して各磁性膜が分離しているの
で、各磁性膜の膜厚が減少し、磁性粒子間の孤立性が増
加するため、保磁力が向上する。
磁性膜同士が離層分離した構造を有しているので、磁性
膜内の垂直方向の磁気的相互作用が低減する。また、非
磁性中間膜を薄くし、島状構造にすることにより、磁性
粒子間の磁気的相互作用を弱めることができる。これら
２つの要因により、媒体ノイズの低減が可能となる。更
に、非磁性中間膜を介して各磁性膜が分離しているの
で、各磁性膜の膜厚が減少し、磁性粒子間の孤立性が増
加するため、保磁力が向上する。
【０００８】高保磁力材料の磁性膜のみから成る多層膜
磁性層の磁気記録媒体における非磁性中間膜の膜厚は10
Å以上40Å以下であり、高保磁力材料の磁性膜と低ノイ
ズ材料の磁性膜とから成る多層膜磁性層の磁気記録媒体
における非磁性中間膜の膜厚は５Å以上40Å以下である
場合には、単層膜のＣｏＣｒＴａ系媒体より良好なノイ
ズ特性が得られるが、特に80％以上120 ％以下である場
合には、優れたノイズ特性が得られる。また、多層膜磁
性層の磁性膜数が２〜６であれば、製造プロセスの工数
増加を招かず、低コストの媒体を得ることができる。
磁性層の磁気記録媒体における非磁性中間膜の膜厚は10
Å以上40Å以下であり、高保磁力材料の磁性膜と低ノイ
ズ材料の磁性膜とから成る多層膜磁性層の磁気記録媒体
における非磁性中間膜の膜厚は５Å以上40Å以下である
場合には、単層膜のＣｏＣｒＴａ系媒体より良好なノイ
ズ特性が得られるが、特に80％以上120 ％以下である場
合には、優れたノイズ特性が得られる。また、多層膜磁
性層の磁性膜数が２〜６であれば、製造プロセスの工数
増加を招かず、低コストの媒体を得ることができる。
【０００９】他方、磁気記録媒体の製造方法として、多
層膜磁性層の形成方法が重要である。ここで、各磁性膜
の保磁力を同一になるように成膜条件を設定して行う場
合には、段差のないＢ−Ｈループが得られるので、これ
により首尾良く低ノイズ媒体を得ることができる。
層膜磁性層の形成方法が重要である。ここで、各磁性膜
の保磁力を同一になるように成膜条件を設定して行う場
合には、段差のないＢ−Ｈループが得られるので、これ
により首尾良く低ノイズ媒体を得ることができる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
説明する。
【００１１】〔第１実施例〕図１は本発明の実施例に係
る磁気記録媒体の断面構造を示す模式図である。本例の
磁気記録媒体は、Ａｌ−Ｍｇ合金基体１の上にＮｉ−Ｐ
めっき層２を形成し、そのめっき層２を機械加工により
鏡面仕上げした後、微小凹凸（テクスチャー）を施して
基板を形成し、その基板上にスパッタ法により下地Ｃｒ
層３，多層膜磁性層７，保護層５を順次成膜した後、最
後に潤滑層６を塗布したものである。
る磁気記録媒体の断面構造を示す模式図である。本例の
磁気記録媒体は、Ａｌ−Ｍｇ合金基体１の上にＮｉ−Ｐ
めっき層２を形成し、そのめっき層２を機械加工により
鏡面仕上げした後、微小凹凸（テクスチャー）を施して
基板を形成し、その基板上にスパッタ法により下地Ｃｒ
層３，多層膜磁性層７，保護層５を順次成膜した後、最
後に潤滑層６を塗布したものである。
【００１２】多層膜磁性層７は、非磁性中間膜７ｂを挟
んで積層された２〜６層膜の磁性膜７ａから成る。この
磁性膜７ａの磁性材料として、高保磁力材料のＣｏＮｉ
ＣｒＴａ系（Ｎｉ：25at％，Ｃｒ：10at％，Ｔａ：２at
％，Ｃｏ：63at％）又はＣｏＣｒＰｔ系（Ｃｒ：14at
％，Ｐｔ：７at％，Ｃｏ：79at％）を用いた。
んで積層された２〜６層膜の磁性膜７ａから成る。この
磁性膜７ａの磁性材料として、高保磁力材料のＣｏＮｉ
ＣｒＴａ系（Ｎｉ：25at％，Ｃｒ：10at％，Ｔａ：２at
％，Ｃｏ：63at％）又はＣｏＣｒＰｔ系（Ｃｒ：14at
％，Ｐｔ：７at％，Ｃｏ：79at％）を用いた。
【００１３】図２は、非磁性中間膜７ｂが膜厚１８Åの
Ｃｒ膜の場合、ＣｏＮｉＣｒＴａ系磁性膜及びＣｏＣｒ
Ｐｔ系磁性膜の多層膜磁性層７の磁性膜数を変化させた
媒体について、規格化（膜数１のときを１）した媒体ノ
イズの変化を示すグラフである。いずれの磁性膜系も、
磁性膜数が２以上になると急激に媒体ノイズが減少して
おり、磁性膜数が６以上では飽和している。磁性膜数を
多くし過ぎても、媒体ノイズ減少の効果は顕著でなく、
成膜回数の増加を招いてしまうので、磁性膜数としては
２以上６以下が好適である。なお、ＣｏＣｒＰｔ系より
もＣｏＮｉＣｒＴａ系の方がノイズが小さい。
Ｃｒ膜の場合、ＣｏＮｉＣｒＴａ系磁性膜及びＣｏＣｒ
Ｐｔ系磁性膜の多層膜磁性層７の磁性膜数を変化させた
媒体について、規格化（膜数１のときを１）した媒体ノ
イズの変化を示すグラフである。いずれの磁性膜系も、
磁性膜数が２以上になると急激に媒体ノイズが減少して
おり、磁性膜数が６以上では飽和している。磁性膜数を
多くし過ぎても、媒体ノイズ減少の効果は顕著でなく、
成膜回数の増加を招いてしまうので、磁性膜数としては
２以上６以下が好適である。なお、ＣｏＣｒＰｔ系より
もＣｏＮｉＣｒＴａ系の方がノイズが小さい。
【００１４】ここで、多層膜磁性層７の製作する上で、
スパッタ法により磁性膜７ａの上に非磁性中間膜７ｂを
形成する工程を繰り返して行うが、スパッタ法では各磁
性膜７ａ間の保磁力を同一にすることが重要である。図
３は多層膜磁性層７（ＣｏＮｉＣｒＴａ系）の磁性膜数
が２の場合における磁化曲線（Ｂ−Ｈループ）を示す。
図３（ａ）に示すように、段差のある磁化曲線（Ｂ−Ｈ
ループ）となってしまうと、記録再生特性のオーバーラ
イト（Ｏ／Ｗ）特性、媒体ノイズ等が悪化してしまう。
図３（ｂ）に示すように、段差のない磁化曲線を実現す
るには、多層膜磁性層７の各磁性膜７ａの成膜条件（例
えばスパッタ装置のバイアス電流，磁性体カソードのマ
グネット電流）を調整して各磁性膜７ａ間の保磁力が同
一になるように設定する必要がある。また、各磁性膜の
成膜条件は、目的の磁気特性（保磁力（ＨC ），出力に
比例する残留磁束密度Ｂr と全磁性膜の膜厚δとの積
（Ｂr ・δ））を得るとき、それぞれを調整しなければ
ならないが、段差のないＢ−Ｈループにすることが、図
２のような低ノイズの媒体を得るための必要条件であ
る。
スパッタ法により磁性膜７ａの上に非磁性中間膜７ｂを
形成する工程を繰り返して行うが、スパッタ法では各磁
性膜７ａ間の保磁力を同一にすることが重要である。図
３は多層膜磁性層７（ＣｏＮｉＣｒＴａ系）の磁性膜数
が２の場合における磁化曲線（Ｂ−Ｈループ）を示す。
図３（ａ）に示すように、段差のある磁化曲線（Ｂ−Ｈ
ループ）となってしまうと、記録再生特性のオーバーラ
イト（Ｏ／Ｗ）特性、媒体ノイズ等が悪化してしまう。
図３（ｂ）に示すように、段差のない磁化曲線を実現す
るには、多層膜磁性層７の各磁性膜７ａの成膜条件（例
えばスパッタ装置のバイアス電流，磁性体カソードのマ
グネット電流）を調整して各磁性膜７ａ間の保磁力が同
一になるように設定する必要がある。また、各磁性膜の
成膜条件は、目的の磁気特性（保磁力（ＨC ），出力に
比例する残留磁束密度Ｂr と全磁性膜の膜厚δとの積
（Ｂr ・δ））を得るとき、それぞれを調整しなければ
ならないが、段差のないＢ−Ｈループにすることが、図
２のような低ノイズの媒体を得るための必要条件であ
る。
【００１５】図４は多層膜磁性層７（ＣｏＮｉＣｒＴａ
系）の磁性膜数が２の場合においてＣｒ膜を非磁性中間
膜７ｂとした中間Ｃｒ膜の膜厚に対するノイズ特性と信
号対雑音比（ＳＮ比）を示すグラフである。図中の比較
例１は低ノイズのＣｏＣｒＴａ媒体のノイズ特性とＳＮ
比である。このグラフより明らかなように、本例の多層
磁性層７の方が、中間Ｃｒ膜の膜厚が５〜50Åでは比較
例ＣｏＣｒＴａ媒体よりも低ノイズとなっている。膜厚
が約18Åのとき、最小のノイズ（3.8 μＶ）であった。
また、本例の多層磁性層７の方が、中間Ｃｒ膜の膜厚が
10〜40Åでは比較例ＣｏＣｒＴａ媒体よりもＳＮ比が改
善している。従って、比較例ＣｏＣｒＴａ媒体に比して
ノイズ特性とＳＮ比を共に満足する中間Ｃｒ膜の膜厚は
10〜40Åである。
系）の磁性膜数が２の場合においてＣｒ膜を非磁性中間
膜７ｂとした中間Ｃｒ膜の膜厚に対するノイズ特性と信
号対雑音比（ＳＮ比）を示すグラフである。図中の比較
例１は低ノイズのＣｏＣｒＴａ媒体のノイズ特性とＳＮ
比である。このグラフより明らかなように、本例の多層
磁性層７の方が、中間Ｃｒ膜の膜厚が５〜50Åでは比較
例ＣｏＣｒＴａ媒体よりも低ノイズとなっている。膜厚
が約18Åのとき、最小のノイズ（3.8 μＶ）であった。
また、本例の多層磁性層７の方が、中間Ｃｒ膜の膜厚が
10〜40Åでは比較例ＣｏＣｒＴａ媒体よりもＳＮ比が改
善している。従って、比較例ＣｏＣｒＴａ媒体に比して
ノイズ特性とＳＮ比を共に満足する中間Ｃｒ膜の膜厚は
10〜40Åである。
【００１６】図５は、膜厚18Åの非磁性中間膜７ｂとし
て、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚ
ｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃとしたと
きのノイズ特性を示すグラフである。なお、ＣｏＮｉＣ
ｒＴａ系の磁性膜である。このグラフの比較例１との対
比で明らかなように、いずれの材料も良好なノイズ特性
（3.7 〜4.3 μＶ）が得られている。これはまた、上記
の群から任意に選択された１又は２以上の元素から成る
非磁性中間膜であれば良いことが判る。
て、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚ
ｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃとしたと
きのノイズ特性を示すグラフである。なお、ＣｏＮｉＣ
ｒＴａ系の磁性膜である。このグラフの比較例１との対
比で明らかなように、いずれの材料も良好なノイズ特性
（3.7 〜4.3 μＶ）が得られている。これはまた、上記
の群から任意に選択された１又は２以上の元素から成る
非磁性中間膜であれば良いことが判る。
【００１７】図６は、多層膜磁性層７（ＣｏＮｉＣｒＴ
ａ系）の磁性膜数が２の場合において各磁性膜７ａの膜
厚比（任意の上層膜の膜厚と下層膜の膜厚の比、但し、
膜厚の和は200 Åとした）に対するノイズ特性を示すグ
ラフである。膜厚比が100 ％すなわち各磁性膜の膜厚が
同一のとき、ノイズは極小になる。また、膜厚比が70〜
130 ％の領域においては比較例１のＣｏＣｒＴａ媒体よ
りも低ノイズとなっている。望ましくは、膜厚比が80〜
120 ％の領域においては更に良好なノイズ特性が得られ
ており、スパッタプロセス工程のバラツキ（±10％）を
考慮しても良好な低ノイズ媒体を製作することが可能と
なる。
ａ系）の磁性膜数が２の場合において各磁性膜７ａの膜
厚比（任意の上層膜の膜厚と下層膜の膜厚の比、但し、
膜厚の和は200 Åとした）に対するノイズ特性を示すグ
ラフである。膜厚比が100 ％すなわち各磁性膜の膜厚が
同一のとき、ノイズは極小になる。また、膜厚比が70〜
130 ％の領域においては比較例１のＣｏＣｒＴａ媒体よ
りも低ノイズとなっている。望ましくは、膜厚比が80〜
120 ％の領域においては更に良好なノイズ特性が得られ
ており、スパッタプロセス工程のバラツキ（±10％）を
考慮しても良好な低ノイズ媒体を製作することが可能と
なる。
【００１８】図７は、多層膜磁性層７（ＣｏＮｉＣｒＴ
ａ系）の磁性膜数が２の場合において下地Ｃｒ層３の膜
厚に対する保磁力ＨC の変化を示すグラフである。下地
Ｃｒ層３の膜厚の増加に伴い、保磁力ＨC が増加し、下
地Ｃｒ層３の膜厚が2000Åで保磁力ＨC は2850 Oe とな
り、高保磁力媒体が得られた。
ａ系）の磁性膜数が２の場合において下地Ｃｒ層３の膜
厚に対する保磁力ＨC の変化を示すグラフである。下地
Ｃｒ層３の膜厚の増加に伴い、保磁力ＨC が増加し、下
地Ｃｒ層３の膜厚が2000Åで保磁力ＨC は2850 Oe とな
り、高保磁力媒体が得られた。
【００１９】図８は、多層膜磁性層７（ＣｏＮｉＣｒＴ
ａ系）の磁性膜数が２の場合の媒体（実施例）及び低ノ
イズＣｏＣｒＴａ系媒体（比較例１）の記録密度に対す
る非線形遷移シフト（Non-linear Transition Shift ：
ＮＬＴＳ）を示すグラフである。高密度化において使用
される磁気抵抗型薄膜ヘッド（ＭＲヘッド）では、非線
形遷移シフトが小さいことが必要とされる。これから、
線記録密度195 ｋFCIにおいて、実施例の非線形遷移シ
フトは、ＣｏＣｒＴａ媒体の46.4％に比べ、17.8％であ
り、高記録密度でも非線形遷移シフトが抑制されている
ことが確認できた。
ａ系）の磁性膜数が２の場合の媒体（実施例）及び低ノ
イズＣｏＣｒＴａ系媒体（比較例１）の記録密度に対す
る非線形遷移シフト（Non-linear Transition Shift ：
ＮＬＴＳ）を示すグラフである。高密度化において使用
される磁気抵抗型薄膜ヘッド（ＭＲヘッド）では、非線
形遷移シフトが小さいことが必要とされる。これから、
線記録密度195 ｋFCIにおいて、実施例の非線形遷移シ
フトは、ＣｏＣｒＴａ媒体の46.4％に比べ、17.8％であ
り、高記録密度でも非線形遷移シフトが抑制されている
ことが確認できた。
【００２０】上記実施例での磁性膜７ａとしては、主と
してＣｏＮｉＣｒＴａ系を用いてあるが、ＣｏＣｒＰｔ
系でもほぼ同一の特性が得られることが確認された。
してＣｏＮｉＣｒＴａ系を用いてあるが、ＣｏＣｒＰｔ
系でもほぼ同一の特性が得られることが確認された。
【００２１】〔第２実施例〕本例の磁気記録媒体の構造
も、図１に示す如くの多層膜磁性層７を備えているが、
本例の多層膜磁性層７の詳細な構造は、図９に示す如
く、非磁性中間膜９を介して隣接した磁性膜同士は、高
保磁力材料の磁性膜８と低ノイズ材料の磁性膜１０とな
っている。高保磁力磁性膜８の磁性材料としては、第１
実施例と同様のＣｏＣｒＰｔ系又はＣｏＮｉＣｒＴａ系
を用い、低ノイズ材料の磁性膜１０としてはＣｏＣｒＴ
ａ系（Ｃｒ：12at％，Ｔａ：２at％，Ｃｏ：86at％）を
用いる。
も、図１に示す如くの多層膜磁性層７を備えているが、
本例の多層膜磁性層７の詳細な構造は、図９に示す如
く、非磁性中間膜９を介して隣接した磁性膜同士は、高
保磁力材料の磁性膜８と低ノイズ材料の磁性膜１０とな
っている。高保磁力磁性膜８の磁性材料としては、第１
実施例と同様のＣｏＣｒＰｔ系又はＣｏＮｉＣｒＴａ系
を用い、低ノイズ材料の磁性膜１０としてはＣｏＣｒＴ
ａ系（Ｃｒ：12at％，Ｔａ：２at％，Ｃｏ：86at％）を
用いる。
【００２２】ここで、高保磁力磁性膜８がＣｏＮｉＣｒ
Ｔａ系で低ノイズ材料の磁性膜１０がＣｏＣｒＴａ系で
ある多層膜磁性層の磁気記録媒体をＣｏＮｉＣｒＴａ系
／ＣｏＣｒＴａ系と略記し、高保磁力磁性膜８がＣｏＣ
ｒＰｔ系で低ノイズ材料の磁性膜１０がＣｏＣｒＴａ系
である多層膜磁性層の磁気記録媒体をＣｏＣｒＰｔ系／
ＣｏＣｒＴａ系と略記する。
Ｔａ系で低ノイズ材料の磁性膜１０がＣｏＣｒＴａ系で
ある多層膜磁性層の磁気記録媒体をＣｏＮｉＣｒＴａ系
／ＣｏＣｒＴａ系と略記し、高保磁力磁性膜８がＣｏＣ
ｒＰｔ系で低ノイズ材料の磁性膜１０がＣｏＣｒＴａ系
である多層膜磁性層の磁気記録媒体をＣｏＣｒＰｔ系／
ＣｏＣｒＴａ系と略記する。
【００２３】図１０は、非磁性中間膜９が膜厚１８Åの
Ｃｒ膜の場合、ＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系と
ＣｏＣｒＰｔ系／ＣｏＣｒＴａ系の多層膜磁性層７の磁
性膜数を変化させた媒体について、規格化（膜数１のと
きを１）した媒体ノイズの変化を示すグラフである。い
ずれの磁性膜系も、磁性膜数が２以上になると急激に媒
体ノイズが減少しており、磁性膜数が６以上では飽和し
ている。磁性膜数を多くし過ぎても、媒体ノイズ減少の
効果は顕著でなく、成膜回数の増加を招いてしまい、製
造コスト高になるので、磁性膜数としては２以上６以下
が好適である。
Ｃｒ膜の場合、ＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系と
ＣｏＣｒＰｔ系／ＣｏＣｒＴａ系の多層膜磁性層７の磁
性膜数を変化させた媒体について、規格化（膜数１のと
きを１）した媒体ノイズの変化を示すグラフである。い
ずれの磁性膜系も、磁性膜数が２以上になると急激に媒
体ノイズが減少しており、磁性膜数が６以上では飽和し
ている。磁性膜数を多くし過ぎても、媒体ノイズ減少の
効果は顕著でなく、成膜回数の増加を招いてしまい、製
造コスト高になるので、磁性膜数としては２以上６以下
が好適である。
【００２４】なお、ＣｏＣｒＰｔ系／ＣｏＣｒＴａ系よ
りもＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系の方がノイズ
が小さい。
りもＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系の方がノイズ
が小さい。
【００２５】第１実施例と同様に、多層膜磁性層７の作
製する上で、スパッタ法により非磁性中間膜９を介して
高保磁力材料の磁性膜８と低ノイズ材料の磁性膜１０と
交互形成する工程を繰り返して行うが、スパッタ法では
各磁性膜間の保磁力を同一にすることが重要である。前
述したように、図３（ａ）は多層膜磁性層７が２層膜の
場合における磁化曲線（Ｂ−Ｈループ）を示すが、この
図に示すように、段差のある磁化曲線（Ｂ−Ｈループ）
となってしまうと、記録再生特性のオーバーライト（Ｏ
／Ｗ）特性、媒体ノイズ等が悪化してしまう。図３
（ｂ）に示すように、段差のない磁化曲線を実現するに
は、多層膜磁性層７の各磁性膜の成膜条件（例えばスパ
ッタ装置のバイアス電流，磁性体カソードのマグネット
電流）を調整して各磁性膜７ａ間の保磁力が同一になる
ように設定する必要がある。また、各磁性膜の成膜条件
は、目的の磁気特性（保磁力（ＨC ），出力に比例する
残留磁束密度Ｂr と全磁性膜の膜厚δとの積（Ｂr ・
δ））を得るとき、それぞれを調整しなければならない
が、段差のないＢ−Ｈループにすることが、低ノイズの
媒体を得るための必要条件である。
製する上で、スパッタ法により非磁性中間膜９を介して
高保磁力材料の磁性膜８と低ノイズ材料の磁性膜１０と
交互形成する工程を繰り返して行うが、スパッタ法では
各磁性膜間の保磁力を同一にすることが重要である。前
述したように、図３（ａ）は多層膜磁性層７が２層膜の
場合における磁化曲線（Ｂ−Ｈループ）を示すが、この
図に示すように、段差のある磁化曲線（Ｂ−Ｈループ）
となってしまうと、記録再生特性のオーバーライト（Ｏ
／Ｗ）特性、媒体ノイズ等が悪化してしまう。図３
（ｂ）に示すように、段差のない磁化曲線を実現するに
は、多層膜磁性層７の各磁性膜の成膜条件（例えばスパ
ッタ装置のバイアス電流，磁性体カソードのマグネット
電流）を調整して各磁性膜７ａ間の保磁力が同一になる
ように設定する必要がある。また、各磁性膜の成膜条件
は、目的の磁気特性（保磁力（ＨC ），出力に比例する
残留磁束密度Ｂr と全磁性膜の膜厚δとの積（Ｂr ・
δ））を得るとき、それぞれを調整しなければならない
が、段差のないＢ−Ｈループにすることが、低ノイズの
媒体を得るための必要条件である。
【００２６】図１１はＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴ
ａ系の磁性膜数が２の場合においてＣｒ膜を非磁性中間
膜７ｂとした中間Ｃｒ膜の膜厚に対するノイズ特性と信
号対雑音比（ＳＮ比）を示すグラフである。図中の比較
例１は単層膜構造の低ノイズＣｏＣｒＴａ媒体のノイズ
特性とＳＮ比である。このグラフより明らかなように、
本例のＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系多層磁性層
７の方が、中間Ｃｒ膜の膜厚が５〜40Åでは比較例の単
層膜のＣｏＣｒＴａ媒体よりも低ノイズとなっている。
好ましくは10〜30Åで優れたノイズ特性が得られ、膜厚
が約18Åのとき、最小のノイズ（3.8 μＶ）であった。
従って、比較例単層のＣｏＣｒＴａ媒体に比してノイズ
特性とＳＮ比を共に満足する中間Ｃｒ膜の膜厚は５〜40
Åである。
ａ系の磁性膜数が２の場合においてＣｒ膜を非磁性中間
膜７ｂとした中間Ｃｒ膜の膜厚に対するノイズ特性と信
号対雑音比（ＳＮ比）を示すグラフである。図中の比較
例１は単層膜構造の低ノイズＣｏＣｒＴａ媒体のノイズ
特性とＳＮ比である。このグラフより明らかなように、
本例のＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系多層磁性層
７の方が、中間Ｃｒ膜の膜厚が５〜40Åでは比較例の単
層膜のＣｏＣｒＴａ媒体よりも低ノイズとなっている。
好ましくは10〜30Åで優れたノイズ特性が得られ、膜厚
が約18Åのとき、最小のノイズ（3.8 μＶ）であった。
従って、比較例単層のＣｏＣｒＴａ媒体に比してノイズ
特性とＳＮ比を共に満足する中間Ｃｒ膜の膜厚は５〜40
Åである。
【００２７】図１２は、膜厚18Åの非磁性中間膜９とし
て、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚ
ｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃとしたと
きのノイズ特性を示すグラフである。なお、媒体はＣｏ
ＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系多層磁性層である。単
層膜ＣｏＣｒＴａ媒体の比較例１との対比で明らかなよ
うに、本例のＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系多層
磁性層では、いずれの非磁性中間膜材料の場合も良好な
ノイズ特性（約3.5 〜約4.0 μＶ）が得られている。こ
れはまた、上記の群から任意に選択された１又は２以上
の元素から成る合金の非磁性中間膜でも良いことが判
る。
て、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚ
ｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃとしたと
きのノイズ特性を示すグラフである。なお、媒体はＣｏ
ＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系多層磁性層である。単
層膜ＣｏＣｒＴａ媒体の比較例１との対比で明らかなよ
うに、本例のＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系多層
磁性層では、いずれの非磁性中間膜材料の場合も良好な
ノイズ特性（約3.5 〜約4.0 μＶ）が得られている。こ
れはまた、上記の群から任意に選択された１又は２以上
の元素から成る合金の非磁性中間膜でも良いことが判
る。
【００２８】図１３は、ＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒ
Ｔａ系多層膜磁性層７の磁性膜数が２の場合において各
磁性膜の膜厚比（任意の上層膜の膜厚と下層膜の膜厚の
比、但し、膜厚の和は200 Åとした）に対するノイズ特
性を示すグラフである。膜厚比が100 ％すなわち各磁性
膜の膜厚が同一のとき、ノイズは極小になる。また、膜
厚比が80〜120 ％の領域においては比較例１の単層膜の
ＣｏＣｒＴａ媒体よりも低ノイズとなっている。スパッ
タプロセス工程のバラツキ（±10％）を考慮しても良好
な低ノイズ媒体を製作することが可能となる。
Ｔａ系多層膜磁性層７の磁性膜数が２の場合において各
磁性膜の膜厚比（任意の上層膜の膜厚と下層膜の膜厚の
比、但し、膜厚の和は200 Åとした）に対するノイズ特
性を示すグラフである。膜厚比が100 ％すなわち各磁性
膜の膜厚が同一のとき、ノイズは極小になる。また、膜
厚比が80〜120 ％の領域においては比較例１の単層膜の
ＣｏＣｒＴａ媒体よりも低ノイズとなっている。スパッ
タプロセス工程のバラツキ（±10％）を考慮しても良好
な低ノイズ媒体を製作することが可能となる。
【００２９】図１４は、ＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒ
Ｔａ系多層膜磁性層７の磁性膜数が２の場合において下
地Ｃｒ層３の膜厚に対する保磁力ＨC の変化を示すグラ
フである。下地Ｃｒ層３の膜厚の増加に伴い、保磁力Ｈ
C が増加し、下地Ｃｒ層３の膜厚が2000Åで保磁力ＨC
は2700 Oe となり、高保磁力媒体が得られた。
Ｔａ系多層膜磁性層７の磁性膜数が２の場合において下
地Ｃｒ層３の膜厚に対する保磁力ＨC の変化を示すグラ
フである。下地Ｃｒ層３の膜厚の増加に伴い、保磁力Ｈ
C が増加し、下地Ｃｒ層３の膜厚が2000Åで保磁力ＨC
は2700 Oe となり、高保磁力媒体が得られた。
【００３０】図１５は、ＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒ
Ｔａ系多層膜磁性層７の磁性膜数が２の場合の媒体（実
施例）及び低ノイズＣｏＣｒＴａ系媒体（比較例１）の
記録密度に対する非線形遷移シフト（Non-linear Trans
ition Shift ：ＮＬＴＳ）を示すグラフである。高密度
化において使用される磁気抵抗型薄膜ヘッド（ＭＲヘッ
ド）では、非線形遷移シフトが小さいことが必要とされ
る。これから、線記録密度195 ｋFCI において、実施例
の非線形遷移シフトは、ＣｏＣｒＴａ媒体の46.4％に比
べ、16.6％であり、高記録密度でも非線形遷移シフトが
抑制されていることが確認できた。
Ｔａ系多層膜磁性層７の磁性膜数が２の場合の媒体（実
施例）及び低ノイズＣｏＣｒＴａ系媒体（比較例１）の
記録密度に対する非線形遷移シフト（Non-linear Trans
ition Shift ：ＮＬＴＳ）を示すグラフである。高密度
化において使用される磁気抵抗型薄膜ヘッド（ＭＲヘッ
ド）では、非線形遷移シフトが小さいことが必要とされ
る。これから、線記録密度195 ｋFCI において、実施例
の非線形遷移シフトは、ＣｏＣｒＴａ媒体の46.4％に比
べ、16.6％であり、高記録密度でも非線形遷移シフトが
抑制されていることが確認できた。
【００３１】なお、上記第２実施例での多層膜磁性膜７
はＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系であるが、Ｃｏ
ＣｒＰｔ系／ＣｏＣｒＴａ系でも同様な特性が得られる
ことが確認された。
はＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系であるが、Ｃｏ
ＣｒＰｔ系／ＣｏＣｒＴａ系でも同様な特性が得られる
ことが確認された。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る磁気
記録媒体は、磁性膜を非磁性中間膜を介して積層した多
層膜磁性層を有しており、その磁性膜材料として高保磁
力材料のＣｏＮｉＣｒＴａ系又はＣｏＣｒＰｔ系を用い
た点、高保磁力材料の磁性膜と低ノイズ材料の磁性膜と
を非磁性中間膜を介して交互に積層した点に特徴を有し
ている。従って、次のような効果を奏する。
記録媒体は、磁性膜を非磁性中間膜を介して積層した多
層膜磁性層を有しており、その磁性膜材料として高保磁
力材料のＣｏＮｉＣｒＴａ系又はＣｏＣｒＰｔ系を用い
た点、高保磁力材料の磁性膜と低ノイズ材料の磁性膜と
を非磁性中間膜を介して交互に積層した点に特徴を有し
ている。従って、次のような効果を奏する。
【００３３】 高保磁力でありながら、単層膜のＣｏ
ＣｒＴａ系媒体と同等又はそれより優れた低ノイズ媒体
が得られる。特に、磁性膜の膜数を２〜６とすると最適
値を得ることができる。
ＣｒＴａ系媒体と同等又はそれより優れた低ノイズ媒体
が得られる。特に、磁性膜の膜数を２〜６とすると最適
値を得ることができる。
【００３４】 多層膜磁性層の各磁性膜の膜厚比が80
％以上120 ％以下である場合には、ＣｏＣｒＴａ系媒体
より優れたノイズ特性が得られる。
％以上120 ％以下である場合には、ＣｏＣｒＴａ系媒体
より優れたノイズ特性が得られる。
【００３５】 また、高保磁力材料の磁性膜のみから
成る多層膜磁性層の磁気記録媒体における非磁性中間膜
の膜厚は10Å以上40Å以下であり、高保磁力材料の磁性
膜と低ノイズ材料の磁性膜とから成る多層膜磁性層の磁
気記録媒体における非磁性中間膜の膜厚は５Å以上40Å
以下である場合には、単層膜のＣｏＣｒＴａ系媒体より
良好なノイズ特性が得られる。
成る多層膜磁性層の磁気記録媒体における非磁性中間膜
の膜厚は10Å以上40Å以下であり、高保磁力材料の磁性
膜と低ノイズ材料の磁性膜とから成る多層膜磁性層の磁
気記録媒体における非磁性中間膜の膜厚は５Å以上40Å
以下である場合には、単層膜のＣｏＣｒＴａ系媒体より
良好なノイズ特性が得られる。
【００３６】 多層膜磁性層の形成方法として、各磁
性膜の保磁力を同一になるように成膜条件を設定して行
う場合には、段差のないＢ−Ｈループが得られるので、
低ノイズ媒体を得ることができる。
性膜の保磁力を同一になるように成膜条件を設定して行
う場合には、段差のないＢ−Ｈループが得られるので、
低ノイズ媒体を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る磁気記録媒体の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】第１実施例の非磁性中間膜が膜厚１８ÅのＣｒ
膜の場合、ＣｏＮｉＣｒＴａ系磁性膜及びＣｏＣｒＰｔ
系磁性膜の多層膜磁性層の磁性膜数を変化させた媒体に
ついて、規格化した媒体ノイズの変化を示すグラフであ
る。
膜の場合、ＣｏＮｉＣｒＴａ系磁性膜及びＣｏＣｒＰｔ
系磁性膜の多層膜磁性層の磁性膜数を変化させた媒体に
ついて、規格化した媒体ノイズの変化を示すグラフであ
る。
【図３】（ａ）は、段差のある磁化曲線を示すグラフ
で、（ｂ）は段差のない磁化曲線を示すグラフである。
で、（ｂ）は段差のない磁化曲線を示すグラフである。
【図４】第１実施例の多層膜磁性層（ＣｏＮｉＣｒＴａ
系）の磁性膜数が２の場合においてＣｒ膜を非磁性中間
膜とした中間Ｃｒ膜の膜厚に対するノイズ特性とＳＮ比
を示すグラフである。
系）の磁性膜数が２の場合においてＣｒ膜を非磁性中間
膜とした中間Ｃｒ膜の膜厚に対するノイズ特性とＳＮ比
を示すグラフである。
【図５】第１実施例において、膜厚18Åの非磁性中間膜
として、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃと
したときのノイズ特性を示すグラフである。
として、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃと
したときのノイズ特性を示すグラフである。
【図６】第１実施例において、多層膜磁性層（ＣｏＮｉ
ＣｒＴａ系）の磁性膜数が２の場合において各磁性膜の
膜厚比に対するノイズ特性を示すグラフである。
ＣｒＴａ系）の磁性膜数が２の場合において各磁性膜の
膜厚比に対するノイズ特性を示すグラフである。
【図７】第１実施例において、多層膜磁性層７（ＣｏＮ
ｉＣｒＴａ系）の磁性膜数が２の場合において下地Ｃｒ
層の膜厚に対する保磁力ＨC の変化を示すグラフであ
る。
ｉＣｒＴａ系）の磁性膜数が２の場合において下地Ｃｒ
層の膜厚に対する保磁力ＨC の変化を示すグラフであ
る。
【図８】第１実施例において、多層膜磁性層（ＣｏＮｉ
ＣｒＴａ系）の磁性膜数が２の場合の媒体（実施例）及
び低ノイズＣｏＣｒＴａ系媒体（比較例１）の記録密度
に対する非線形遷移シフトを示すグラフである。
ＣｒＴａ系）の磁性膜数が２の場合の媒体（実施例）及
び低ノイズＣｏＣｒＴａ系媒体（比較例１）の記録密度
に対する非線形遷移シフトを示すグラフである。
【図９】本発明の第２実施例に係る磁気記録媒体の多層
膜磁性層の構造を示す断面図である。
膜磁性層の構造を示す断面図である。
【図１０】第２実施例の非磁性中間膜が膜厚１８ÅのＣ
ｒ膜の場合、ＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系磁性
層及びＣｏＣｒＰｔ系／ＣｏＣｒＴａ系磁性層の磁性膜
数を変化させた媒体について、規格化した媒体ノイズの
変化を示すグラフである。
ｒ膜の場合、ＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒＴａ系磁性
層及びＣｏＣｒＰｔ系／ＣｏＣｒＴａ系磁性層の磁性膜
数を変化させた媒体について、規格化した媒体ノイズの
変化を示すグラフである。
【図１１】第２実施例のＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒ
Ｔａ系多層膜磁性層の磁性膜数が２の場合においてＣｒ
膜を非磁性中間膜とした中間Ｃｒ膜の膜厚に対するノイ
ズ特性とＳＮ比を示すグラフである。
Ｔａ系多層膜磁性層の磁性膜数が２の場合においてＣｒ
膜を非磁性中間膜とした中間Ｃｒ膜の膜厚に対するノイ
ズ特性とＳＮ比を示すグラフである。
【図１２】第２実施例のＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒ
Ｔａ系多層膜磁性層において、膜厚18Åの非磁性中間膜
として、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃと
したときのノイズ特性を示すグラフである。
Ｔａ系多層膜磁性層において、膜厚18Åの非磁性中間膜
として、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓ
ｉ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃと
したときのノイズ特性を示すグラフである。
【図１３】第２実施例のＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒ
Ｔａ系多層膜磁性層において、磁性膜数が２のときの各
磁性膜の膜厚比に対するノイズ特性を示すグラフであ
る。
Ｔａ系多層膜磁性層において、磁性膜数が２のときの各
磁性膜の膜厚比に対するノイズ特性を示すグラフであ
る。
【図１４】第２実施例のＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒ
Ｔａ系多層膜磁性層において、磁性膜数が２のときの下
地Ｃｒ層の膜厚に対する保磁力ＨC の変化を示すグラフ
である。
Ｔａ系多層膜磁性層において、磁性膜数が２のときの下
地Ｃｒ層の膜厚に対する保磁力ＨC の変化を示すグラフ
である。
【図１５】第２実施例のＣｏＮｉＣｒＴａ系／ＣｏＣｒ
Ｔａ系多層膜磁性層において、磁性膜数が２の場合の媒
体（実施例）及び低ノイズＣｏＣｒＴａ系媒体（比較例
１）の記録密度に対する非線形遷移シフトを示すグラフ
である。
Ｔａ系多層膜磁性層において、磁性膜数が２の場合の媒
体（実施例）及び低ノイズＣｏＣｒＴａ系媒体（比較例
１）の記録密度に対する非線形遷移シフトを示すグラフ
である。
【図１６】従来の磁気記録媒体の構造を示す断面図であ
る。
る。
１…Ａｌ−Ｍｇ合金基体 ２…Ｎｉ−Ｐめっき層 ３…下地Ｃｒ層 ５…保護層 ６…潤滑層 ７…多層膜磁性層 ７ａ…磁性膜 ７ｂ，９…非磁性中間膜。 ８…高保磁力材料の磁性膜 １０…低ノイズ材料の磁性膜。
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に下地Ｃｒ層，多層膜磁性層，保
護層，潤滑層を順次積層した磁気記録媒体であって、前
記多層膜磁性層は磁性膜が非磁性中間膜を介して積層さ
れて成ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気記録媒体におい
て、前記多層磁性層のうち前記非磁性中間膜を介して隣
接した磁性膜同士は、高保磁力材料の磁性膜であること
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気記録媒体におい
て、前記多層磁性層のうち前記非磁性中間膜を介して隣
接した磁性膜同士は、高保磁力材料の磁性膜と低ノイズ
材料の磁性膜であることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項２に記載の磁気記録媒体におい
て、前記高保磁力材料の磁性膜は、ＣｏＮｉＣｒＴａ系
又はＣｏＣｒＰｔ系材料から成ることを特徴とする磁気
記録媒体。 - 【請求項５】 請求項３に記載の磁気記録媒体におい
て、前記高保磁力材料の磁性膜は、ＣｏＮｉＣｒＴａ系
又はＣｏＣｒＰｔ系材料から成り、前記低ノイズ材料の
磁性膜は、ＣｏＣｒＴａ系材料から成ることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項６】 請求項４に記載の磁気記録媒体におい
て、前記非磁性中間膜の膜厚は、10Å以上40Å以下であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項７】 請求項５に記載の磁気記録媒体におい
て、前記非磁性中間膜の膜厚は、５Å以上40Å以下であ
ることを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項８】 請求項４乃至請求項７のいずれか一項に
記載の磁気記録媒体において、前記多層膜磁性層の磁性
膜数は、２以上６以下であることを特徴とする磁気記録
媒体。 - 【請求項９】 請求項４乃至請求項８のいずれか一項に
記載の磁気記録媒体において、前記各磁性膜の膜厚比が
80％以上120 ％以下であることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項１０】 請求項４乃至請求項９のいずれか一項
に記載の磁気記録媒体において、前記非磁性中間膜は、
Ｃｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｚｒ，
Ａｌ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃから成る群か
ら選ばれた１又は２以上の元素から成ることを特徴とす
る磁気記録媒体。 - 【請求項１１】 基板上に下地Ｃｒ層，多層膜磁性層，
保護層，潤滑層を順次積層した磁気記録媒体の製造方法
であって、前記多層膜磁性層の成膜工程は磁性膜の上に
非磁性中間膜を形成する工程を繰り返して成り、各磁性
膜の保磁力を同一になるように成膜条件が設定されてい
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324895A JPH08212532A (ja) | 1994-12-05 | 1995-02-13 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30097894 | 1994-12-05 | ||
| JP6-300978 | 1994-12-05 | ||
| JP2324895A JPH08212532A (ja) | 1994-12-05 | 1995-02-13 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08212532A true JPH08212532A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=26360566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2324895A Pending JPH08212532A (ja) | 1994-12-05 | 1995-02-13 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08212532A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100374793B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 수직 자기 기록 매체 |
| US7087325B2 (en) | 2000-02-23 | 2006-08-08 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and production process thereof |
| CN114086136A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-02-25 | 季华实验室 | 一种FeCoCr磁码盘薄膜材料及其制备方法 |
-
1995
- 1995-02-13 JP JP2324895A patent/JPH08212532A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7087325B2 (en) | 2000-02-23 | 2006-08-08 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium and production process thereof |
| KR100374793B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2003-03-04 | 삼성전자주식회사 | 수직 자기 기록 매체 |
| CN114086136A (zh) * | 2021-11-10 | 2022-02-25 | 季华实验室 | 一种FeCoCr磁码盘薄膜材料及其制备方法 |
| CN114086136B (zh) * | 2021-11-10 | 2023-10-20 | 季华实验室 | 一种FeCoCr磁码盘薄膜材料及其制备方法 |
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