JPH08212607A

JPH08212607A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH08212607A
Application number: JP1812895A
Authority: JP
Inventors: Toshifumi Kawano; 敏史川野
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1995-02-06
Filing date: 1995-02-06
Publication date: 1996-08-20

Abstract

(57)【要約】【目的】超解像記録再生において多値記録を可能とし、
高い記録密度を達成可能とした光磁気記録媒体を提供す
る。【構成】磁性体からなる記録層及び再生層が基板上に
設けられている光磁気記録媒体であって、記録層をキュ
リー温度が異なり夫々の層が独立した方向に磁化可能と
された少なくとも２層の垂直磁化膜とし、再生層を再生
層が加熱された際、各記録層の磁化方向の組み合わせに
よる静磁結合力に応じ磁化方向が変化する磁性体により
構成したことを特徴とする３値以上の記録再生が可能な
光磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体に関す
る。詳しくは、多値記録を可能とし飛躍的に記録容量の
増加した超解像光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体は、高密度、低コストの
書換え可能な情報記録媒体として実用化されている。特
に希土類金属と遷移金属のアモルファス合金の記録層を
用いた媒体は非常に優れた特性を示している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】光磁気ディスクは非常
に大容量の記録媒体であるが、社会の情報量の増大に伴
い、さらなる大容量化が望まれている。光ディスクの記
録密度は通常の場合、その再生光のスポットの大きさで
決ってしまう。

【０００４】スポットの大きさはレーザーの波長が短い
ほど小さくすることができるため、レーザーの短波長化
の検討が進められているが、非常に困難を伴っている。
一方、レーザーの波長によって決定される以上の分解能
を色々な工夫によって得ようとする、いわゆる超解像技
術の試みが近年行われている。その一つに、光磁気ディ
スクを用い、多層膜間の交換結合力を用いた超解像(Mag
netically induced super resolution、ＭＳＲ) が報告
されている。

【０００５】再生層に室温において垂直磁気異方性が小
さく、温度上昇に伴って垂直磁気異方性が向上するよう
な性質を持つもの、具体的には希土類−遷移金属の合金
において、室温で遷移金属磁化優勢の組成を用い、記録
を保持する記録層と交換結合させることによって、超解
像効果が得られることも報告されている（Proc.MORIS'9
2,pp201 ）。

【０００６】これは、室温においては磁化方向が膜面に
平行に近い状態となるため、信号再生領域は磁気異方性
の高い再生光の加熱による高温部のみとなる。この結
果、再生する記録マークの前後のマークによる信号干渉
（マーク間干渉）が低減されて高い信号分解能が得られ
る。さらに隣接するトラックの信号も再生されなくなる
ので、隣接トラックからの信号の漏れ込み（クロストー
ク）も非常に小さくすることが可能である。

【０００７】また、再生層と記録層の間の交換結合を切
断して、層間の力を静磁結合とした場合でも超解像が起
こるという報告もある（光磁気記録国際シンポジウム’
９４、テクニカルダイジェスト２９−ｋ−０５）。一
方、高密度化を進める方法として多値記録という考え方
もある。これは、現在行われている２値記録に対し、同
じ記録場所に３値以上の記録を行うことにより記録密度
を向上させようとするものである。

【０００８】ｎ値記録の場合、記録密度は２値記録に対
してｌｏｇ２n 倍となる。例えば４値記録の場合は２倍
となる。こういった多値記録の試みは数多く報告されて
いるが、超解像再生において多値記録を可能にするとい
う試みはなされていなかった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、超解像記録再
生において多値記録を可能とし、高い記録密度を達成可
能としたものである。本発明の要旨は、磁性体からなる
記録層及び再生層が基板上に設けられている光磁気記録
媒体であって、記録層をキュリー温度が異なり夫々の層
が独立した方向に磁化可能とされた少なくとも２層の垂
直磁化膜とし、再生層を再生層が加熱された際、各記録
層の磁化方向の組み合わせによる静磁結合力に応じ磁化
方向が変化する磁性体により構成したことを特徴とする
３値以上の記録再生が可能な光磁気記録媒体に存する。

【００１０】以下、本発明の内容を詳細に説明する。本
発明において再生層と磁性層の間は、再生時に少なくと
も最高到達温度の部分においては交換結合が殆ど働いて
おらず、両者に働く力は静磁結合力が支配的であること
が必要である。ここでいう静磁結合力とは、各磁性層の
磁化が発生する磁束による磁気的な結合力、すなわち磁
石のＮ極とＳ極が引き合うのに等しい力である。

【００１１】例えば記録層を第１図に示す様に、第１記
録層３と第２記録層４の２層よりなるものとする。この
とき各々の磁化方向の組み合わせは第１表に示すように
以下の４通りある。

【００１２】

【表１】

【００１３】「状態１」及び「状態４」においては第１
記録層及び第２記録層の磁化が再生層１に及ぼす静磁結
合力５及び６が等しい向きを向くから互いに強めあい、
再生層の磁化は記録層の磁化方向に力を受ける。一方
「状態２」、「状態３」の場合は各記録層の静磁結合力
５、６が打ち消し合い、再生層１はほとんど記録層３、
４から力を受けない。この結果、再生層１は３種類の異
なった静磁結合力を受けることが可能となる。

【００１４】ここで再生層１の保磁力が充分に小さく、
静磁結合力５の変化によってカー回転角が変化するよう
な膜であれば、静磁結合力に応じて３値の信号を発生す
ることができる。すなわち、第１表における「状態１」
で再生層１によるカー回転角がθｋであるとすると、
「状態４」では−θｋとなる。また、「状態２」及び
「状態３」ではカー回転角はほぼ零となる。

【００１５】このとき、再生層の磁化は膜面と平行近く
を向いているか、あるいは膜面に垂直近くに向いた微小
な上向きと下向きの磁化が互いに打ち消し合う状態とな
っている。第１図において再生層と第１記録層の間及
び、第１記録層と第２記録層の間には、交換結合力を切
断して、静磁結合のみを働かせるための切断層２が存在
する。

【００１６】次に記録の方法を説明する。第１記録層の
キュリー温度を第２記録層より低く設定し、両記録層の
情報を消去した状態においては「状態１」をとるように
する。消去方向とは逆方向に磁界を印加しながら、第１
記録層のみキュリー温度を越えるような記録パワーで記
録を行うと磁化状態は「状態３」となり、両層がキュリ
ー温度を越えるような記録パワーで記録を行うと磁化状
態は「状態４」となる。

【００１７】このように何れの層も反転しない第１記録
パワー、第１記録層のみ反転する第２記録パワー、両記
録層が反転する第３記録パワーの３種類の記録パワーを
用いることで、３種類の静磁結合力を発生させることが
でき、この結果、再生層は３種類のカー回転角をとるこ
とができ、３値変調による記録が可能となる。ここで再
生層を、室温において垂直磁気異方性が小さく、再生光
の加熱によって温度が上がると垂直磁気異方性が向上す
るような特性を有するものとすれば、先に述べた様に超
解像の効果が得られる。

【００１８】また、同時にクロストークも小さくするこ
とが可能である。この様に本発明を用いることにより多
値変調と超解像効果を両方用いることが可能となり、飛
躍的な記録密度の向上が達成できる。ここでは３値変調
について述べたが、第１記録層と第２記録層の磁化を大
きく異なる様にすれば、状態２と状態３の発生する静磁
力が異なる様になり、４値変調記録が可能となる。

【００１９】製造の単純化、コントロールの容易さとい
った点からは記録層は２層が好ましいが、３層以上とす
ることももちろん可能である。各々の層は異なるキュリ
ー温度を有している必要がある。層数を増やして行く
と、さらに多値の変調が可能となるが、次第に信号間の
レベル差が小さくなってしまうので、変調は４値以下が
好ましい。

【００２０】このような媒体に用いられる基板としては
ポリカーボネート等の樹脂、あるいはガラス上に紫外線
硬化樹脂によってサーボ用の溝等を作成したもの、ある
いはガラスをエッチングして直接溝等を作成したものが
用いられる。静磁結合により、再生層の磁化方向が安定
に変化を行うためには記録層がＴｃ２において十分な大
きさの記録ビットに応じた磁界を発生していなくてはな
らない。

【００２１】このためには記録層がある程度以上の磁化
を有している必要がある。記録層の体積磁化率は再生時
の最高到達温度Ｔｍａｘにおいて８０ｅｍｕ／ｃｃ以上
が好ましく、さらに好ましくは２００ｅｍｕ／ｃｃ以上
である。しかし室温において記録層の体積磁化率が大き
すぎる場合は、記録層内部での微小反転磁区が生じた
り、磁気異方性の低下が起こり再生層の磁化を完全に垂
直に立たせる事ができなくなるため、室温において３０
０ｅｍｕ／ｃｃ以下であることが好ましい。ここで言う
室温とは、使用環境温度であり、代表的には２５℃であ
る。

【００２２】Ｔｍａｘは、記録層のキュリー温度より２
０℃以上、好ましくは３０℃以上低いことが記録層の磁
区の安定上好ましい。しかし、当然ながら再生層の磁化
が充分な垂直磁気異方性を有する温度でなければならな
い。

【００２３】一方、再生層の受ける力は再生層の磁化も
影響する。従って再生層もＴｍａｘにおいて有る程度以
上の磁化を持つことが好ましい。Ｔｍａｘにおける再生
層の好ましい体積磁化率は１５０ｅｍｕ／ｃｃ以上であ
り、さらに好ましくは２００ｅｍｕ／ｃｃ以上である。
また、静磁結合による磁化反転を起こすには再生層の保
磁力Ｈｃがある程度小さい必要がある。

【００２４】しかし、小さ過ぎる場合は再生信号の劣化
が生じるため、再生時の最高到達温度においてＨｃは２
ｋＡ／ｍ以上、４０ｋＡ／ｍ以下であることが好まし
い。記録層は安定に記録を蓄えるため、再生時の最高到
達温度において８００ｋＡ／ｍ以上の保磁力を有するの
が望ましい。

【００２５】また、再生層が希土類金属優勢で温度上昇
による磁化の減少に伴って垂直磁気異方性が増加してい
くような組成は、低温部で信号を発生しないため超解像
の効果が高く、クロストークが小さい磁化反転による磁
壁エネルギーの増加を小さくでき、かつ高温部（Ｔｍａ
ｘ）で垂直磁気異方性が高いため、再生信号が大きくと
れ好ましい。

【００２６】再生層に用いられる物質としては、ＧｄＦ
ｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤｙ
Ｃｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＣｏ、Ｔｂ
Ｃｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＣｏ
等の希土類と遷移金属の合金が好ましく用いられる。中
でも、Ｇｄを含有する合金を用いるのがキュリー温度や
保磁力の点から好ましい。

【００２７】キュリー温度としては、２５０℃以上であ
ることが好ましい。ＰｔＣｏや、ＰｔとＣｏの超格子等
の磁性体を単独で、あるいは希土類と遷移金属との合金
との積層で再生層として用いることもできる。中でも、
保磁力を小さくできるＧｄＦｅＣｏを主体たした合金が
好ましく用いられる。

【００２８】

【数１】Ｇｄｘ（ＦｅｙＣｏ１００−ｙ）１００−ｘ
（いずれも原子％）

【００２９】と表した場合、３０≦ｘ≦３５、０≦ｙ≦
１００であることが好ましい。ただし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐ
ｔ、Ｍｏ等の添加物を５原子％以下程度添加しても良
い。

【００３０】再生層の垂直磁気異方性を大きくするに
は、磁性層にある程度の膜応力をもたせて逆磁歪効果に
よる異方性を発生させるのが好ましい。膜応力は大きす
ぎると膜の耐久性に悪影響を与えるため１×１０⁹eｒｇ
／ｃｃ以上５×１０⁹eｒｇ／ｃｃ以下であることが好ま
しい。再生層の膜厚が薄すぎる場合、十分な再生信号が
取れなくなる。

【００３１】また、厚すぎると高温で膜面に垂直に向か
なくなる上、感度が悪くなる。再生層の膜厚は１５ｎｍ
以上、８０ｎｍ以下であることが好ましい。さらに好ま
しくは２０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下である。本方式は静
磁結合力を用いるものであるから、再生層と記録層の間
には交換結合を切断するための切断層を設けるのが好ま
しい。

【００３２】交換結合は室温で起こっていても、少なく
とも再生時の昇温によって切断されれば良い。切断層
は、窒化Ｓｉ、窒化Ａｌ、酸化Ｓｉ、酸化Ａｌ等の非磁
性の誘電体層、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｉ、Ａｕ等の非磁性の金属、半金属、ＴｂＦｅ、Ｄｙ
Ｆｅ等の記録層よりもキュリー温度の低い磁性体等が用
いられる。

【００３３】また、再生層表面を窒化あるいは酸化する
ことで切断層とすることも可能である。切断層の膜厚は
１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが好ましい。記
録層は、安定して記録を蓄えている層であるから、再生
ビームで劣化しない大きさのキュリー温度を有している
ことが必要である。キュリー温度の大きさは、２００〜
３５０℃程度が好ましい。

【００３４】キュリー温度が高すぎると、記録に要する
レーザーのパワーが大きくなりすぎてしまう。記録層
は、高い垂直磁気異方性を持つことも、再生層の磁化に
強い力を与えるために必要である。記録層の物質として
は、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類
と遷移金属の合金が好ましく用いられる。

【００３５】記録層としては特に垂直磁気異方性の大き
いＴｂＦｅＣｏを主体とした合金が好ましく用いられ
る。中でも、

【００３６】

【数２】Ｔｂｘ（ＦｅｙＣｏ１００−ｙ）１００−ｘ（いずれも原子％）

【００３７】と表した場合、１７≦ｘ≦２６、６０≦ｙ
≦９０であることが好ましい。ただし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐ
ｔ、Ｍｏ等の添加物を５原子％以下程度添加しても良
い。

【００３８】記録層の膜厚は１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以
下であることが好ましい。記録層の記録を安定に蓄えて
おくには記録層の保磁力は再生層の保磁力よりも大きい
ことが好ましい。記録層の保磁力は２４０ｋＡ／ｍ以上
であることが好ましい。

【００３９】再生時の最高到達温度Ｔｍａｘは、低すぎ
ると再生層の磁気異方性の変化が充分に得られず、高す
ぎると、再生時に高いパワーを必要とする上、記録の安
定上、記録層のキュリー温度も高くとる必要があるた
め、高い記録パワーも必要となる。好ましいＴｍａｘ
は、１００℃以上、３００℃以下である。

【００４０】本発明においてはキュリー温度の異なる２
層以上の記録層を用いる。記録層のキュリー温度の間隔
は２０℃以上であることが、両層に独立な記録を行う上
で好ましい。さらに好ましくは３０℃以上である。ただ
し、あまりに大きなキュリー温度の差を与えると記録感
度が非常に悪くなるため、１００℃以下であることが好
ましい。記録層の間は、交換結合が働かない方が好まし
く、再生層と記録層の間と同様な切断層を有しているこ
とが好ましい。

【００４１】希土類金属と遷移金属の合金は非常に酸化
しやすいため、磁性層の両側に保護膜を着けた態様をと
ることが好ましい。保護膜としては、酸化Ｓｉ、酸化Ａ
ｌ、酸化Ｔａ、酸化Ｔｉ、窒化Ｓｉ、窒化Ａｌ、炭化Ｓ
ｉなどの単体あるいはそれらの混合物が好ましく用いら
れる。保護膜の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度が好ま
しい。

【００４２】基板側の保護膜を作製後、表面をプラズマ
エッチングすることで磁性層の磁気異方性を向上させる
ことができる。磁性層の記録層側に直接あるいは保護層
を介して、放熱層としてＡｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の単
体、あるいはそれを主体とした合金よりなる高熱伝導物
質を設けることは、再生時の熱分布を安定させ、記録時
のパワーマージンを確保するうえで望ましい構成であ
る。放熱層の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度が好まし
い。

【００４３】光変調記録を行う際には、消去の方向を向
いている磁区と記録の方向を向いている磁区との形状が
異なるため、高温で反転磁区が生じる場合の磁壁の生成
しやすさが記録方向と消去方向で若干異なる。このた
め、再生時にいずれかの方向に再生磁界を印可してもよ
い。特に消去時の磁界印可方向と同じ方向に印可するこ
とが好ましい。

【００４４】ただし再生磁界が記録層と再生層の間の静
磁界と同程度以上の大きさになると、再生層の反転に影
響を及ぼすため１６０００Ａ／ｍ以下であることが好ま
しい。特に好ましくは１００００Ａ／ｍ以下である。

【００４５】また本発明の方式ではクロストークを非常
に低く抑えられるため、通常のランド記録あるいはグル
ーブ記録の他にランドとグルーブの両方に記録を行うこ
とも可能である。記録トラックの間の中間領域、例えば
ランド記録ならばグルーブ部が一方向に磁化を持ってい
ると、そこからの静磁力が記録トラックに影響を及ぼす
ため、この領域の磁化方向がランダムあるいは規則的に
変化していることが好ましい。

【００４６】

【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。実施例１スパッタリング装置に１．２μｍのトラックピッチの案
内溝を持ったポリカーボネート基板を導入し、５×１０
−５Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。

【００４７】この後、保護層として基板上に反応性スパ
ッタリングを用い８０ｎｍの酸化Ｔａを形成した。次に
酸化Ｔａ上に、Ｇｄ₃₃( Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀) ₆₇よりなる３０
ｎｍの再生層、Ｔｂよりなる２０ｎｍの切断層を設け、
Ｔｂ₂₁( Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀) ₇₉よりなる４０ｎｍの第１記録
層、Ｔｂよりなる１０ｎｍの切断層、Ｔｂ₂₁( Ｆｅ₇₀Ｃ
ｏ₃₀) ₇₉よりなる４０ｎｍの第２記録層を設けた。

【００４８】次にＳｉＮよりなる８０ｎｍの保護層を設
け、最後に３０ｎｍのＡｌよりなる放熱層を設けた。再
生層の膜厚は４０ｎｍ〜１４０ｎｍまで変化させた。再
生層、第１記録層、第２記録層のキュリー温度を測定し
たところ、各々３００℃以上、２４０℃、２８０℃であ
った。

【００４９】また、再生層は室温においては希土類金属
の磁化が優勢であり補償温度は１９０℃であった。両記
録層は室温において遷移金属の磁化が優勢であった。ま
た、再生層の室温（２５℃）における体積磁化率は３８
０ｅｍｕ／ｃｃであり、１２０℃において体積磁化率は
２５０ｅｍｕ／ｃｃであった。第１記録層の室温におけ
る体積磁化率は２４０ｅｍｕ／ｃｃ、１２０℃において
は２００ｅｍｕ／ｃｃであった。

【００５０】第２記録層の室温における体積磁化率は２
６０ｅｍｕ／ｃｃ、１２０℃においては２２０ｅｍｕ／
ｃｃであった。ＶＳＭのループの形状からこれらの層の
いずれも交換結合を行っていないことがわかった。この
ようにして作製したディスクを波長７８０ｎｍ、開口数
０．５５の評価機を用いて光変調記録によりＣＮＲ（狭
帯域の信号対雑音比）の評価を行った。

【００５１】記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数７ＭＨ
ｚ、消去パワー９ｍＷ、記録パワー９ｍＷ、記録ｄｕｔ
ｙ３０％である。再生時に磁界の印可は行っていない。
再生パワーを変えて測定を行ったところ、再生パワー１
ｍＷではＣＮＲが２１ｄＢであったが、再生パワー２．
８ｍＷでは４３ｄＢのＣＮＲが得られた。

【００５２】１．７５ＭＨｚで記録を行い、隣接トラッ
クで測定したクロストーク（記録トラックでの信号強度
Ｉ１と隣接トラックでの信号強度Ｉ２を用い、２０ｌｏ
ｇ１０（Ｉ２／Ｉ１）で定義される。）は−４２ｄＢで
あった。このディスクを再生する際に８０００Ａ／ｍの
再生磁界を消去方向に印可したところ、再生磁界を印可
しない場合と比較して０．５ｄＢだけＣＮＲが増加し４
３．５ｄＢが得られた。

【００５３】このディスクの記録パワーに対する信号振
幅の依存性を調べた結果を第２図に示す。最初に消去さ
れた状態では磁化は第２図の状態１になっている。４ｍ
Ｗ付近から立ち上がった信号振幅は５〜７ｍＷ付近で一
旦安定し、その後再び増加し、最初の安定値のほぼ倍程
度になる。５〜７ｍＷでの安定領域は第１記録層にのみ
記録が行われ、静磁力が第２記録層と打ち消しあった状
態である（状態３）。

【００５４】それ以上のパワーにおいては第１記録層も
記録されて両記録層の静磁力が強め合う状態となる（状
態４）。このディスクを９ｍＷでＳ方向に消去した後、
Ｎ方向に磁界を印加し、第１記録パワー５．５ｍＷ、第
２記録パワー９ｍＷ、第３記録パワー１ｍＷの３値で変
調を行って周波数５００ｋＨｚ、各記録パワーのｄｕｔ
ｙ３３％で記録し、２．８ｍＷで再生した結果、記録パ
ワーに応じた３値の信号の再生が可能であった。

【００５５】ここで第３記録パワーは全く記録を行わな
いが、温度の立ち上がりを素早くするのと、サーボ信号
を得るために印加したものである。得られた再生波形を
第３図に示す。

【００５６】実施例２再生層と第１記録層の間、及び第１記録層と第２記録層
の間の切断層をＳｉＮとした以外は、実施例１と同様に
して作成した。実施例１と同様の評価機を用いて、記録
条件は線速７ｍ／ｓ、周波数７ＭＨｚ、消去パワー９ｍ
Ｗ、記録パワー９ｍＷ、記録ｄｕｔｙ３０％で特性を測
定した。再生時に磁界の印可は行っていない。

【００５７】再生パワーを変えて測定を行ったところ、
再生パワー１ｍＷではＣＮＲが１７ｄＢであったが、再
生パワー２．８ｍＷでは４１．３ｄＢのＣＮＲが得られ
た。１．７５ＭＨｚで記録を行い、隣接トラックで測定
したクロストーク（記録トラックでの信号強度Ｉ１と隣
接トラックでの信号強度Ｉ２を用い、２０ｌｏｇ１０
（Ｉ２／Ｉ１）で定義される。）は−４４ｄＢであっ
た。このディスクを実施例１と同様にして３値記録を行
ったところ、第１記録パワー４．８ｍＷ、第２記録パワ
ー８．３ｍＷ、第３記録パワー１ｍＷで３値の信号の記
録し、２．８ｍＷで再生した結果、３値の記録再生が可
能であった。

【００５８】実施例３再生層と第１記録層の間、及び第１記録層と第２記録層
の間の切断層をキュリー温度１２０℃のＴｂＦｅとした
以外は、実施例１と同様にして作成した。実施例１と同
様の評価機を用いて、記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数
７ＭＨｚ、消去パワー９ｍＷ、記録パワー１０Ｗ、記録
ｄｕｔｙ３０％で特性を測定した。再生時に磁界の印可
は行っていない。

【００５９】再生パワーを変えて測定を行ったところ、
再生パワー１ｍＷではＣＮＲが１６ｄＢであったが、再
生パワー２．８ｍＷでは４３．３ｄＢのＣＮＲが得られ
た。１．７５ＭＨｚで記録を行い、隣接トラックで測定
したクロストーク（記録トラックでの信号強度Ｉ１と隣
接トラックでの信号強度Ｉ２を用い、２０ｌｏｇ１０
（Ｉ２／Ｉ１）で定義される。）は−４５ｄＢであっ
た。

【００６０】このディスクを実施例１と同様にして３値
記録を行ったところ、第１記録パワー４．９ｍＷ、第２
記録パワー９．０ｍＷ、第３記録パワー１ｍＷで３値の
信号の記録し、２．８ｍＷで再生した結果、３値の記録
再生が可能であった。

【００６１】比較例１記録層を第１記録層のみとして第２記層、及び第１記録
層と第２記録層の間の切断層を設けていない以外は実施
例１と同様にしてディスクを作成した。実施例１と同様
の評価機を用いて、記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数７
ＭＨｚ、消去パワー９ｍＷ、記録パワー９ｍＷ、記録ｄ
ｕｔｙ３０％で特性を測定した。再生時に磁界の印可は
行っていない。

【００６２】再生パワーを変えて測定を行ったところ、
再生パワー１ｍＷではＣＮＲが２０ｄＢであったが、再
生パワー２．８ｍＷでは４３．３ｄＢのＣＮＲが得られ
た。１．７５ＭＨｚで記録を行い、隣接トラックで測定
したクロストーク（記録トラックでの信号強度Ｉ１と隣
接トラックでの信号強度Ｉ２を用い、２０ｌｏｇ１０(
Ｉ２／Ｉ１）で定義される。）は−４１ｄＢであった。
実施例１と同様にして記録パワーに対する信号振幅を調
べたところ、実施例１で見られた、振幅が記録パワーに
対しフラットになる領域は観察されなかった。実施例１
と同様に３値のパワーで３値記録を試みたが、３値で記
録することはできなかった。

【００６３】比較例２同一の基板を用い、保護層として酸化Ｔａを９０ｎｍ、
記録層としてＴｂ₂₁(Ｆｅ₉₃Ｃｏ₇) ₇₉を２８ｎｍ、中
間層としてＳｉＮを３０ｎｍ、反射層としてＡｌを４０
ｎｍ設けたディスクを作製した。その後、実施例１と同
条件で再生磁場を印可せず再生パワーＰｒ＝２．０ｍＷ
でＣＮ比を測定したところ２９ｄＢであった。

【００６４】信号の位相の反転は観察されなかった。さ
らに実施例１〜６と同様にしてクロストークの測定を行
ったところ−２２ｄＢであった。実施例１と同様にして
３値記録を試みたが、３値で記録することはできなかっ
た。

【００６５】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体を用いることに
よって、超解像媒体における多値記録が可能となり、飛
躍的な記録容量の増加が見込まれる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の光磁気記録媒体の説明図

【図２】実施例１における信号振幅の再生パワー依
存性のグラフ

【符号の説明】

１再生層２切断層３第１記録層４第２記録層５第１記録層と再生層の静磁結合力６第２記録層と再生層の静磁結合力

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性体からなる記録層及び再生層が基板
上に設けられている光磁気記録媒体であって、記録層を
キュリー温度が異なり夫々の層が独立した方向に磁化可
能とされた少なくとも２層の垂直磁化膜とし、再生層を
再生層が加熱された際、各記録層の磁化方向の組み合わ
せによる静磁結合力に応じ磁化方向が変化する磁性体に
より構成したことを特徴とする３値以上の記録再生が可
能な光磁気記録媒体。
【請求項２】再生層の磁化が室温において実質的に膜
面に平行であり、再生時の温度上昇によって、膜面に垂
直方向に変化する請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】再生層と記録層の間に交換結合を切断す
る切断層を設けた請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】各記録層の間に交換結合を切断する切断
層を設けた、請求項１に記載の光磁気記録媒体。