JPH08212619A - 磁気光学記憶装置 - Google Patents
磁気光学記憶装置Info
- Publication number
- JPH08212619A JPH08212619A JP32294395A JP32294395A JPH08212619A JP H08212619 A JPH08212619 A JP H08212619A JP 32294395 A JP32294395 A JP 32294395A JP 32294395 A JP32294395 A JP 32294395A JP H08212619 A JPH08212619 A JP H08212619A
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- JP
- Japan
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- magneto
- thin film
- optical storage
- magnetic thin
- amorphous magnetic
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 希土類と遷移金属の合金からなる記憶用のア
モルファス磁性体薄膜を用いた磁気光学記憶装置におけ
る信号品質を向上する。 【解決手段】 ガラスあるいは樹脂製の透明な基板上
に、希土類と遷移金属の合金からなる記憶用のアモルフ
ァス磁性体薄膜を成膜し、該アモルファス磁性体薄膜上
に紫外線硬化層を形成してなる磁気光学記憶円板に、前
記基板を介してレーザ光を前記アモルファス磁性体薄膜
に入射するとともに、集光レンズをフォーカスサーボと
連動させて情報の記録、再生、消去等を行う構成とす
る。
モルファス磁性体薄膜を用いた磁気光学記憶装置におけ
る信号品質を向上する。 【解決手段】 ガラスあるいは樹脂製の透明な基板上
に、希土類と遷移金属の合金からなる記憶用のアモルフ
ァス磁性体薄膜を成膜し、該アモルファス磁性体薄膜上
に紫外線硬化層を形成してなる磁気光学記憶円板に、前
記基板を介してレーザ光を前記アモルファス磁性体薄膜
に入射するとともに、集光レンズをフォーカスサーボと
連動させて情報の記録、再生、消去等を行う構成とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光を用いて情報の記
録、再生、消去を行い得る磁気光学記憶装置に関する。
録、再生、消去を行い得る磁気光学記憶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＨｅＮｅレーザ、半導体レーザ等
を用いて磁性薄膜上に、光学的に情報を記憶、再生、消
去する方式、即ち、磁気光学記録方式が注目され、産業
界等において重点的に研究開発が推進されるに至った。
を用いて磁性薄膜上に、光学的に情報を記憶、再生、消
去する方式、即ち、磁気光学記録方式が注目され、産業
界等において重点的に研究開発が推進されるに至った。
【０００３】この方式においては、記録ヘッドであるレ
ンズと記録媒体との間に約ｌｍｍ程度の間隙をもうける
ことが可能である為、記録媒体とレンズとの間に透明な
保護板を設けることにより、記録媒体に直接塵埃が付着
することを確実に防止でき、従来の磁気へッドを用いた
記録方式と比較して塵埃の影響を少なくすることができ
るという利点がある。
ンズと記録媒体との間に約ｌｍｍ程度の間隙をもうける
ことが可能である為、記録媒体とレンズとの間に透明な
保護板を設けることにより、記録媒体に直接塵埃が付着
することを確実に防止でき、従来の磁気へッドを用いた
記録方式と比較して塵埃の影響を少なくすることができ
るという利点がある。
【０００４】また、透明な保護板の厚みを適宜変化させ
ることにより、レンズと記憶円板との接触を確実に防止
でき、従来方式では除去し得なかったヘッドクラッシュ
を完全に防止できるという利点がある。
ることにより、レンズと記憶円板との接触を確実に防止
でき、従来方式では除去し得なかったヘッドクラッシュ
を完全に防止できるという利点がある。
【０００５】更に、この方式によれば記録ビット径を光
の波長程度（約ｌμｍ以下）に極小化し得ることとなる
為、従来の磁気へッド方式と比較して非常に高密度化し
得るという利点もある。
の波長程度（約ｌμｍ以下）に極小化し得ることとなる
為、従来の磁気へッド方式と比較して非常に高密度化し
得るという利点もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記した磁気光学記録
方式に使用可能な磁性材料は種々提案されているが、本
発明は各種磁性材料の中でも、特に、ガドリニウム、テ
ルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム等の重希土類
と、鉄、コバルト、ニッケル等の遷移金属とを種々の組
成比で組み合わせて形成されるアモルファスフェリ磁性
体を記録材料とする場合における問題点を解決せんとし
たものである。
方式に使用可能な磁性材料は種々提案されているが、本
発明は各種磁性材料の中でも、特に、ガドリニウム、テ
ルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム等の重希土類
と、鉄、コバルト、ニッケル等の遷移金属とを種々の組
成比で組み合わせて形成されるアモルファスフェリ磁性
体を記録材料とする場合における問題点を解決せんとし
たものである。
【０００７】即ち、これら希土類遷移金属アモルファス
フェリ磁性体は再生信号レベルが小さいという難点があ
り、その再生性能を高めるための素子構造が求められ
た。
フェリ磁性体は再生信号レベルが小さいという難点があ
り、その再生性能を高めるための素子構造が求められ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題点を
解決するために、ガラスあるいは樹脂製の透明な基板上
に、希土類と遷移金属の合金からなる記憶用のアモルフ
ァス磁性体薄膜を成膜し、該アモルファス磁性体薄膜上
に紫外線硬化層を形成してなる磁気光学記憶円板に、前
記基板を介してレーザ光を前記アモルファス磁性体薄膜
に入射するとともに、集光レンズをフォーカスサーボと
連動させて情報の記録、再生、消去等を行う構成とした
ものである。また、この構成の中で前記基板の厚みが
０．１ｍｍ乃至１ｍｍ程度であることが好ましい。
解決するために、ガラスあるいは樹脂製の透明な基板上
に、希土類と遷移金属の合金からなる記憶用のアモルフ
ァス磁性体薄膜を成膜し、該アモルファス磁性体薄膜上
に紫外線硬化層を形成してなる磁気光学記憶円板に、前
記基板を介してレーザ光を前記アモルファス磁性体薄膜
に入射するとともに、集光レンズをフォーカスサーボと
連動させて情報の記録、再生、消去等を行う構成とした
ものである。また、この構成の中で前記基板の厚みが
０．１ｍｍ乃至１ｍｍ程度であることが好ましい。
【０００９】本発明は上記構成によって、希土類と遷移
金属の合金からなる記憶用のアモルファス磁性体薄膜を
用いた磁気光学記憶装置における信号品質を向上するも
のである。
金属の合金からなる記憶用のアモルファス磁性体薄膜を
用いた磁気光学記憶装置における信号品質を向上するも
のである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかる実施例につ
いて詳細に説明する。
いて詳細に説明する。
【００１１】第１図は、本発明にかかる磁気光学記憶装
置に用いられる磁気光学記憶円板の側面図である。
置に用いられる磁気光学記憶円板の側面図である。
【００１２】同図の磁気光学記憶円板は、コーニングマ
イコロシート等のガラス円板、或はＣＲ−３９、アクリ
ル、ポリカーボネート等の樹脂製円板１の下面に、真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等
により、ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＤｙＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ，
ＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＮｉ等のアモルファ
スフェリ磁性体薄膜２を形成し、更に該アモルファスフ
ェリ磁性体薄膜２の下面にフォートボンド、ロックタイ
トＸ−８５３等の紫外線硬化接着層３を介して、前記と
同じ材料のガラス円板或は樹脂製の円板４を固着して四
層構造としている。
イコロシート等のガラス円板、或はＣＲ−３９、アクリ
ル、ポリカーボネート等の樹脂製円板１の下面に、真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等
により、ＧｄＴｂＦｅ，ＧｄＤｙＦｅ，ＴｂＤｙＦｅ，
ＴｂＦｅ，ＤｙＦｅ，ＧｄＴｂＦｅＮｉ等のアモルファ
スフェリ磁性体薄膜２を形成し、更に該アモルファスフ
ェリ磁性体薄膜２の下面にフォートボンド、ロックタイ
トＸ−８５３等の紫外線硬化接着層３を介して、前記と
同じ材料のガラス円板或は樹脂製の円板４を固着して四
層構造としている。
【００１３】第２図は、上記磁気光学記憶円板と記録へ
ッドとの関係を示す側面略図である。
ッドとの関係を示す側面略図である。
【００１４】同図において、第１図の磁気光学記憶円板
の円板１の上方に集光レンズ５及び記録消去用磁場発生
用のコイル６を有する記録ヘッド７を図示しないフォー
カスサーボと連動させ、記録、再生、消去を行う場合に
アモルファスフェリ磁性体薄膜２との距離を一定に保持
し得るようにしている。尚、再生の時には記録再生用磁
場発生用のコイルは使用しないが、集光レンズ５のフォ
ーカスサーボが行われる。
の円板１の上方に集光レンズ５及び記録消去用磁場発生
用のコイル６を有する記録ヘッド７を図示しないフォー
カスサーボと連動させ、記録、再生、消去を行う場合に
アモルファスフェリ磁性体薄膜２との距離を一定に保持
し得るようにしている。尚、再生の時には記録再生用磁
場発生用のコイルは使用しないが、集光レンズ５のフォ
ーカスサーボが行われる。
【００１５】尚、集光レンズ５の構成を選択することに
より記録ヘッド７とアモルファスフェリ磁性体薄膜２と
の間隙を変化させることができる為、透明な円板１の厚
みを例えば０．ｌｍｍ乃至ｌｍｍ位の範囲内で自由に選
択できる。
より記録ヘッド７とアモルファスフェリ磁性体薄膜２と
の間隙を変化させることができる為、透明な円板１の厚
みを例えば０．ｌｍｍ乃至ｌｍｍ位の範囲内で自由に選
択できる。
【００１６】前記円板１，４の厚み、材質は本発明の要
旨を逸脱しない範囲内で自由に選ぶことができる。
旨を逸脱しない範囲内で自由に選ぶことができる。
【００１７】例えば、円板１として０．３〜０．５ｍｍ
の厚みのコーニングマイクロシートを使用した場合には
磁気光学記憶円板の強度を保つ為、円板４として１〜３
ｍｍのアクリル板を便用すれば良い。
の厚みのコーニングマイクロシートを使用した場合には
磁気光学記憶円板の強度を保つ為、円板４として１〜３
ｍｍのアクリル板を便用すれば良い。
【００１８】又、記録ヘッド７と相対しない円板はアル
ミニウム等金属板、セラミック板等でもよい。
ミニウム等金属板、セラミック板等でもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上の本発明によれば、成膜を行った透
明基板を介してレーザ光をアモルファス磁性体薄膜に入
射するとともに、集光レンズをフォーカスサーボと連動
させて情報の記録、再生、消去等を行う構成としたの
で、レーザ光が照射されるのは、基板に接する側のアモ
ルファス磁性体薄膜の経年変化の生じにくく、いつまで
も新鮮な面であり、希土類と遷移金属の合金からなる磁
性体という極めて劣化しやすい材料を用いながらも磁気
光学記憶装置の信頼性を長年にわたり維持できるもので
ある。
明基板を介してレーザ光をアモルファス磁性体薄膜に入
射するとともに、集光レンズをフォーカスサーボと連動
させて情報の記録、再生、消去等を行う構成としたの
で、レーザ光が照射されるのは、基板に接する側のアモ
ルファス磁性体薄膜の経年変化の生じにくく、いつまで
も新鮮な面であり、希土類と遷移金属の合金からなる磁
性体という極めて劣化しやすい材料を用いながらも磁気
光学記憶装置の信頼性を長年にわたり維持できるもので
ある。
【００２０】更に、成膜を行った透明基板を介してレー
ザ光をアモルファス磁性体薄膜に入射することによっ
て、透明基板がカー効果を増感する効果を有するので、
良好な信号再生を行うことができる。
ザ光をアモルファス磁性体薄膜に入射することによっ
て、透明基板がカー効果を増感する効果を有するので、
良好な信号再生を行うことができる。
【図１】本発明の磁気光学記憶円板の側面図である。
【図２】本発明の磁気光学記憶円板と記憶へッドとの関
係を示す側面略図である。
係を示す側面略図である。
１、４ 円板 ２ アモルファスフェリ磁性体薄膜 ３ 紫外線硬化剤
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラスあるいは樹脂製の透明な基板上
に、希土類と遷移金属の合金からなる記憶用のアモルフ
ァス磁性体薄膜を成膜し、該アモルファス磁性体薄膜上
に紫外線硬化層を形成してなる磁気光学記憶円板に、前
記基板を介してレーザ光を前記アモルファス磁性体薄膜
に入射するとともに、集光レンズをフォーカスサーボと
連動させて情報の記録、再生、消去等を行う構成とした
磁気光学記憶装置。 - 【請求項２】 前記基板の厚みが０．１ｍｍ乃至１ｍｍ
程度であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の磁気光学記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32294395A JPH08212619A (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 磁気光学記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32294395A JPH08212619A (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 磁気光学記憶装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32434390A Division JPH03205632A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | 磁気光学記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08212619A true JPH08212619A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=18149374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32294395A Pending JPH08212619A (ja) | 1995-12-12 | 1995-12-12 | 磁気光学記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08212619A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5625470A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | Photo beam thermomagnetic recording apparatus |
-
1995
- 1995-12-12 JP JP32294395A patent/JPH08212619A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5625470A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-11 | Mitsubishi Electric Corp | Photo beam thermomagnetic recording apparatus |
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